JP2004296661A - Reduced pressure drying apparatus and reduced pressure drying method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に存在する薬液を減圧して乾燥させる技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体基板や液晶用ガラス基板などの製造工程においては、例えば、基板の表面にレジスト液を塗布して薄膜を形成する処理や、基板に洗浄液を吐出して洗浄する処理など、各種薬液を使用した処理が行われる。基板に対して薬液を使用した処理が行われると、処理後の基板の表面から薬液を除去する処理を行う必要があり、従来より、このような除去処理を行う装置として、減圧された雰囲気下に基板を保持し、付着した薬液を揮発させることによって乾燥除去する減圧乾燥装置が提案されている。例えば、このような減圧乾燥装置が特許文献1に記載されている。
【0003】
特許文献1に記載されている減圧乾燥装置では、処理する基板をチャンバなどの部材で密閉された処理空間内に保持し、処理空間内の雰囲気を真空ポンプなどの吸引装置で吸引することにより減圧する。このように基板周辺の雰囲気を減圧することによって、基板の周辺雰囲気中の気体密度が低下することから、基板に付着した薬液を効率よく揮発させることができる。また、揮発した薬液は、真空ポンプによって吸引され、処理空間内から装置外に排気される。なお、このような従来の減圧乾燥装置によって乾燥除去される薬液は、基板に対して使用された処理液そのものであってもよいし、処理液のうちの液体成分(溶剤成分)であってもよい。処理液のうちの溶剤成分が乾燥除去される場合とは、例えば、処理液としてレジスト液を使用した場合などであって、基板の表面にレジスト液の固体成分が薄膜として残留することによってレジスト膜が形成される。
【0004】
このように、基板の表面に薄膜を形成する場合には、未乾燥の基板に気流が当たると、薄膜の表面に気流による流紋や風紋などが形成されてしまい、薄膜の膜厚が不均一になるため、減圧乾燥装置では、雰囲気を吸引する吸引口を基板の表面から比較的遠い位置に設けている。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−263548公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記減圧乾燥装置のように吸引口を基板の表面から遠い位置(主には裏面側)に設けると、基板の表面付近に気流の滞留部分が生じ、その部分においては基板の表面から揮発した薬液の気体成分がすみやかに排気されないという問題があった。すなわち、薬液の気体成分が基板の表面付近に高濃度で残留するという問題があった。このように、基板の周辺雰囲気中に薬液の気体成分が高濃度で残留した場合、以後の薬液の揮発を阻害するために、結果として乾燥処理時間の長期化を招来する。また、残留した気体成分が復圧時に凝縮して基板に再付着する。
【0007】
また、上記減圧乾燥装置では、吸引口の分布状態などにより、処理空間内において気流を均一に発生させることが難しく、特に基板が大型化した場合に、基板の表面付近に気流の滞留ムラを生じるため、基板の乾燥ムラおよび乾燥不良が発生するという問題があった。
【0008】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板に付着した薬液の乾燥ムラおよび乾燥不良を抑制しつつ、減圧乾燥における処理時間を短縮させることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥装置であって、基板を減圧乾燥させるための処理空間を形成する減圧チャンバと、前記処理空間内で基板を保持する保持台と、前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引手段と、前記保持台に保持された基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を除去する除去手段とを備える。
【0010】
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記除去手段が、前記処理空間内に気流を発生させる攪拌手段を有し、前記攪拌手段が、前記基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を攪拌除去する。
【0011】
また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記攪拌手段が、回転駆動力を生成する回転機構と、前記回転駆動力によって回転し、前記処理空間内に気流を発生させるファンとを有する。
【0012】
また、請求項4の発明は、請求項2の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記攪拌手段が、所定の回動軸を中心に回動する板状部材と、前記板状部材を前記所定の回動軸を中心に回動させる回動機構とを有する。
【0013】
また、請求項5の発明は、請求項1の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記除去手段が、前記基板と前記減圧チャンバとの相対距離を変化させることにより、前記基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を変化させる変更手段を有し、前記変更手段が、前記基板に対する減圧乾燥処理が行われている間に、前記空間体積が減少する方向に前記相対距離を変化させる。
【0014】
また、請求項6の発明は、請求項5の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記変更手段が、前記処理空間内の圧力に応じて伸縮する伸縮部材を有し、前記保持台が前記伸縮部材に取り付けられており、前記伸縮部材が収縮することにより、前記保持台が前記空間体積を減少させる方向に移動する。
【0015】
また、請求項7の発明は、請求項5の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記変更手段が、前記基板を前記減圧チャンバに対して相対的に移動させる移動機構と、前記吸引手段によって前記処理空間内の雰囲気が吸引されるにしたがって、前記相対距離を減少させる方向に前記移動機構を駆動制御する制御機構とを有する。
【0016】
また、請求項8の発明は、請求項1の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記除去手段が、前記処理空間内の雰囲気を吸引する補助吸引手段を有し、前記補助吸引手段が、前記基板の主面中央部に対向する位置の近傍に設けられ、前記基板の周辺雰囲気を吸引する。
【0017】
また、請求項9の発明は、請求項8の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記補助吸引手段が、前記吸引手段による吸引が開始されてから所定の時間が経過した後に、吸引を開始する。
【0018】
また、請求項10の発明は、基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、減圧チャンバによって形成される処理空間内に基板を保持する保持工程と、前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、前記保持工程において保持された基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に、前記基板と前記減圧チャンバとを相対的に移動させる移動工程とを有する。
【0019】
また、請求項11の発明は、基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、減圧チャンバによって形成される処理空間内で基板を保持する保持工程と、前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、前記保持工程において保持された基板の主面中央部に対向する位置の近傍から、前記基板の周辺雰囲気を吸引する補助吸引工程とを有し、前記補助吸引工程が、前記吸引工程の開始後に実行される。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【0021】
<1. 第1の実施の形態>
図1は、本発明に係る減圧乾燥装置を搭載した基板処理装置1の構成を示す図である。基板処理装置1は、各装置間で基板を保持しつつ搬送する搬送機構10、図示しない装置外の搬送機構から基板を受け取るインデクサ11、基板にレジスト液を塗布する塗布装置12、塗布されたレジスト液を減圧乾燥させる減圧乾燥装置13、外部の搬送機構に基板を排出するインデクサ19、および制御装置20を備える。なお、図1において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を、XY平面が水平面をそれぞれ表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
【0022】
本実施の形態において基板処理装置1は、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板90としているが、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、半導体ウェハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルタ用基板などの種々の基板を利用することもできる。
【0023】
搬送機構10は、複数の搬送シャトル(図示せず)を備え、X軸方向に基板90を搬送する。なお、本実施の形態における搬送機構10は、いわゆる1軸駆動型の搬送機構であるが、各装置間で基板90を搬送する機構はこれに限られるものではない。例えば、基板90を3次元的に移動させることができる搬送ロボットなどが用いられてもよい。
【0024】
インデクサ11および19は、基板処理装置1と外部の搬送機構との間で基板90を受け渡しするインタフェース機能を有するとともに、図示しない回転機構により基板90を水平面内で回転させることにより、基板90の向きを調整する機能をも有する。
【0025】
塗布装置12は、搬送機構10によりインデクサ11から搬送された基板90を所定の位置に保持しつつ、レジスト液供給部(図示せず)から供給されるレジスト液をスリットノズルから基板90の表面に対して吐出することにより、レジスト液を塗布する、いわゆるスリットコータである。なお、本実施の形態における塗布装置12は、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板90の表面にレジスト液を塗布する装置として構成されており、レジスト液を吐出するようになっているが、例えばカラーフィルタ用材料などを塗布する装置であってもよい。
【0026】
図2は、第1の実施の形態における減圧乾燥装置13の概略断面図である。減圧乾燥装置13は、減圧乾燥装置13を構成する各部の基台として機能するベース130、基板90を覆うためのチャンバ131、および基板90を保持するベースプレート133を備えており、チャンバ131によって処理空間132が形成される。なお、図2では、図示を省略しているが、減圧乾燥装置13の各構成は、必要に応じて適宜、制御装置20と接続されており、制御装置20による制御が可能とされている。
【0027】
チャンバ131は、図示しない駆動機構によってZ軸方向に移動する。搬送機構10によって減圧乾燥装置13に基板90が搬出入される場合には、チャンバ131は(+Z)方向に移動することにより搬入位置(図示せず)に移動し、搬送機構10(および搬送されている基板90)と干渉することがないようにされる。また、減圧乾燥装置13が基板90に対して減圧乾燥処理を行う間、チャンバ131は(−Z)方向に移動することにより処理位置(図2に示す位置)に移動し、ベース130と密着することによって、密閉された空間である処理空間132を形成する。
【0028】
ベースプレート133の(+Z)側の面には、Z軸方向に進退する複数の支持ピンが設けられており、当該支持ピンの先端が基板90の裏面に当接することによって基板90を処理空間132の所定の位置に水平保持する。なお、ベースプレート133は、図示しない支持部材によってベース130に対して所定の位置となるように配置されている。
【0029】
減圧乾燥装置13は、これらの構成の他に、さらに、吸引機構14および攪拌機構16を備えている。
【0030】
吸引機構14は、制御装置20からの制御信号に応じて駆動される真空ポンプ140、吸引した雰囲気を導くための流路となる吸引配管141、および吸引配管141が連通接続される吸引口142から構成される。吸引機構14は、真空ポンプ140を駆動することにより処理空間132の雰囲気を吸引配管141を介して吸引口142から吸引する機能を有する。なお、吸引機構14によって吸引された処理空間132内の雰囲気は、さらに図示しない排気配管を介して装置外に排気される。また、図2では、1つの吸引口142のみがベース130の中央部に設けられている状態を図示しているが、本実施の形態における減圧乾燥装置13は複数の吸引口142を有しており、それらの吸引口142はベース130の中央部以外の位置にも配置されている。
【0031】
攪拌機構16は、制御装置20からの制御信号に応じて駆動される回転モータ160、回転モータ160によって生成される回転駆動力を伝播させる駆動軸161、および駆動軸161に取り付けられるファン162を備え、チャンバ131の基板90に対向する位置に取り付けられている。
【0032】
攪拌機構16は、制御装置20からの制御信号に応じて回転モータ160を駆動することにより、駆動軸161に取り付けられているファン162を軸Pを中心に回転させる。ファン162が回転によって処理空間132内には気流が発生するため、これによって処理空間132内の雰囲気が攪拌される。すなわち、攪拌機構16は、基板90の周辺雰囲気を攪拌させることによって、気流の滞留を解消し、処理空間132内の雰囲気を均一化させる機能を有する。なお、本実施の形態における攪拌機構16は、処理空間132を均一に攪拌するために、回転モータ160の回転軸Pの位置がベースプレート133に保持された基板90の中心位置付近になるように配置されている。
【0033】
図1に戻って、制御装置20は、一般的なマイクロコンピュータとしての機能を有する装置であって、主に演算装置(CPU)および記憶装置(RAMおよびROM)などから構成される。また、制御装置20は、基板処理装置1の各装置および各構成との間で信号のやり取りが可能な状態で接続されており、プログラムに基づいて動作することによって、適宜、各構成に対して制御信号を出力し、それらを制御する。なお、図1において、制御装置20を基板処理装置1の外部に図示しているが、実際は制御装置20は基板処理装置1の内部に設けられている。
【0034】
以上が本実施の形態における基板処理装置1の構成および機能の説明である。次に、基板処理装置1における基板処理の動作について説明する。なお、基板処理装置1では、特に断らない限り、以下の動作は制御装置20によって各装置および各構成が制御されることによって実行される。
【0035】
基板処理装置1では、図示しない外部の搬送機構により基板90が搬入されると、インデクサ11によって搬入された基板90の向きが調節された後、搬送機構10によって当該基板90が塗布装置12に搬送される。
【0036】
次に、塗布装置12が、搬送された基板90を所定の位置に保持しつつ、スリットノズルからレジスト液を吐出して当該基板90の主面にレジスト液を塗布する。レジスト液が塗布された基板90は、搬送機構10により塗布装置12から搬出され、減圧乾燥装置13に搬送される。
【0037】
図3は、本実施の形態における減圧乾燥装置13の動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置13では、基板90に対する処理に先立って、まず初期設定が行われる(ステップS11)。初期設定では、図示しない駆動機構によりチャンバ131を搬入位置に配置するとともに、ベースプレート133の支持ピンがベースプレート133内に退出した状態とされる。
【0038】
次に、搬送機構10の搬送シャトルによりレジスト液が塗布された基板90が搬入されるまで待機する(ステップS12)。搬送機構10により基板90が搬入されると、ベースプレート133の支持ピンを(+Z)方向に進出させ、支持ピンを基板90の裏面に当接させることにより、基板90を所定の位置に保持する(ステップS13)。基板90がベースプレート133に保持されると、搬送機構10の搬送シャトルは減圧乾燥装置13から退出する。
【0039】
搬送機構10の搬送シャトルが退出すると、減圧乾燥装置13は、チャンバ131を処理位置に移動させて処理空間132を形成し(ステップS14)、吸引機構14による吸引を開始する(ステップS15)。具体的には、吸引機構14が真空ポンプ140を駆動して、処理空間132の雰囲気を吸引口142から吸引配管141を介して吸引する。減圧乾燥装置13では、処理空間132は密閉された空間として形成されているため、吸引機構14が吸引を開始することにより、処理空間132の減圧が開始される(基板90に対する減圧乾燥処理が開始される)。
【0040】
減圧乾燥処理が開始されてから所定の時間が経過した時点で、攪拌機構16が回転モータ160を駆動してファン162の回転を開始させることにより、攪拌機構16による攪拌を開始する(ステップS16)。
【0041】
このように、減圧乾燥装置13では、減圧乾燥処理の実行中に攪拌機構16によって処理空間132の雰囲気を攪拌することにより、溶剤の気体成分濃度が高い雰囲気を基板の周辺雰囲気から攪拌除去する。すなわち、周辺雰囲気中の溶剤の気体成分濃度を低下させることにより、基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分が除去されるため、溶剤のさらなる揮発を阻害することがなく、減圧乾燥処理に要する時間を短縮することができる。
【0042】
また、このような攪拌によって、基板90の周辺雰囲気において、揮発した溶剤の気体成分濃度を均一化させることができるため、乾燥ムラや乾燥不良を防止することができる。
【0043】
なお、本実施の形態における減圧乾燥装置13のように、攪拌機構16による攪拌は、減圧乾燥処理が開始されてから所定の時間が経過し、基板90に塗布されたレジスト液がある程度乾燥した後に開始することが好ましい。これは、攪拌によって発生する気流が未乾燥のレジスト膜に当たると、塗布ムラ(膜圧の不均一)を生じるからである。また、減圧乾燥処理が十分に行われていない状態(所定の時間が経過する前の状態)では、基板90の周辺雰囲気中の溶剤の気体成分濃度は低く、攪拌する必要性も低いからである。
【0044】
また、攪拌機構16の回転モータ160は、発生する気流によってレジスト膜に塗布ムラを生じさせることのないように、十分に低速回転で駆動される。このように、攪拌機構16の回転モータ160を低速に回転させたとしても、気流の滞留を解消するには十分であり、本実施の形態における減圧乾燥装置13は前述の効果を得ることができる。
【0045】
処理空間132が所定の圧力に減圧されると、吸引機構14による吸引を停止し(ステップS17)、さらに、当該所定の圧力による減圧乾燥処理が所定の時間継続された後、攪拌機構16による攪拌を停止する(ステップS18)。
【0046】
次に、減圧乾燥装置13は、チャンバ131を搬入位置に移動させて(ステップS19)、処理空間132を大気開放し、基板90の減圧乾燥処理を終了する。減圧乾燥装置13では、前述のように、攪拌機構16によって処理空間132内の雰囲気が攪拌されているため、従来の装置に比べて、基板90の周辺雰囲気における溶剤の気体成分濃度が低い状態とされている。したがって、減圧乾燥処理の終了に伴う複圧(大気開放)によって、溶剤が凝縮して基板90に再付着することを抑制することができる。
【0047】
さらに、減圧乾燥装置13は、搬送機構10の搬送シャトルが基板90の受け取り位置に移動した時点で、ベースプレート133の支持ピンを(−Z)方向に退出させて基板90を当該搬送シャトルに受け渡す。
【0048】
減圧乾燥装置13は、搬送機構10の搬送シャトルにより基板90が搬出されるまで待機した後(ステップS20)、基板90に対する処理を終了する。なお、基板処理装置1では、順次、他の基板90に対して処理を継続するため、減圧乾燥装置13はステップS11に戻って処理を繰り返す。
【0049】
減圧乾燥装置13から搬出された基板90は、インデクサ19に搬送され、図示しない装置外の搬送機構に応じて基板90の向きが調整された後、当該装置外の搬送機構により、基板処理装置1から搬出される。
【0050】
以上のように、本実施の形態における減圧乾燥装置13は、ベースプレート133に保持された基板90の周辺雰囲気から溶剤(薬液)の気体成分を、攪拌機構16によって攪拌除去する。これにより、減圧乾燥処理の実行中に、溶剤の気体成分濃度の高い雰囲気が基板90の表面付近に滞留することを抑制することができるため、減圧乾燥処理に要する時間を短縮することができる。また、減圧乾燥処理を終了して、処理空間132を大気開放する際に、溶剤が凝縮して基板90に再付着することを抑制することができる。
【0051】
また、攪拌機構16によって基板90の周辺雰囲気における溶剤の気体成分濃度を均一化させることができるため、乾燥ムラや乾燥不良を抑制することができる。
【0052】
さらに、回転モータ160およびファン162からなる平易な攪拌機構16によって基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去することができるため、減圧乾燥装置13の装置構成を複雑化させることがなく、装置のコストの上昇を抑えることができる。
【0053】
<2. 第2の実施の形態>
第1の実施の形態では、回転モータ160およびファン162から構成される攪拌機構16により、処理空間132内の雰囲気を攪拌させる例について説明したが、攪拌機構16の構成は、このような部材から構成される機構に限られるものではない。すなわち、処理空間132内において物体を可動させることによって気流を発生させ、発生した気流によって基板90の周辺雰囲気を攪拌する機構であれば、どのような周知の機構が用いられてもよい。
【0054】
図4は、このような原理に基づいて構成した第2の実施の形態における基板処理装置1の減圧乾燥装置13aを示す部分断面図である。なお、第1の実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【0055】
本実施の形態における基板処理装置1は、基板90に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置13aを採用する点を除いて、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の機能および構成を有している。
【0056】
減圧乾燥装置13aは、処理空間132内の雰囲気を攪拌する機構として攪拌機構16aを備えている。攪拌機構16aは、回動機構163および複数のルーパー164を備えている。
【0057】
回動機構163は、回転駆動力を生成する回転モータと、回転量を所定量に制限する部材とから構成され(共に図示せず)、各ルーパー164を回動させる機能を有する。
【0058】
各ルーパー164は、矩形の板状部と、円筒状のシャフト部とから構成される。シャフト部は、円筒の中心軸が回転軸となっており、各ルーパー164は、当該回転軸がY軸と平行となる向きに、互いに所定の間隔でチャンバ131に取り付けられている。なお、図4には4つのルーパー164を図示しているが、ルーパーの数はこれに限られるものではない。
【0059】
各ルーパー164は、基板90のY軸方向のほぼ全幅に相当する長さを有しており、回動機構163によってシャフト部の回転軸を中心として、図4に示すように所定の回転量の範囲で回動する。すなわち、回動機構163は、各ルーパー164に対して、各回転軸を中心としたいわゆる首振り運動をさせる。
【0060】
以上のような構成を有する本実施の形態における基板処理装置1の動作は、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様である。ただし、図3に示すステップS16において、攪拌機構16aによる攪拌が開始されると、回動機構163が各ルーパー164を回動駆動させ、ステップS18の実行により攪拌機構16aによる攪拌が停止されるまで、各ルーパー164の回動駆動を継続する。
【0061】
このように、ルーパー164が回動駆動されることにより、処理空間132内に気流が発生し、処理空間132内の雰囲気が攪拌され、溶剤の気体成分濃度が均一化される。
【0062】
以上により、本実施の形態における減圧乾燥装置13aのように、回動機構163および複数のルーパー164によって構成される攪拌機構16aによっても、処理空間132内の雰囲気を攪拌することができることから、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0063】
<3. 第3の実施の形態>
上記実施の形態では、基板90の周辺雰囲気を攪拌することによって、周辺雰囲気から溶剤(溶液)の気体成分を除去するよう構成していたが、溶剤の気体成分を除去する手法としては、これに限られるものではない。
【0064】
図5は、このような原理に基づいて構成した第3の実施の形態における基板処理装置1の減圧乾燥装置13bを示す部分断面図である。なお、上記実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【0065】
本実施の形態における基板処理装置1は、基板90に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置13bを採用する点を除いて、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の機能および構成を有している。
【0066】
本実施の形態における減圧乾燥装置13bは、吸引機構15および変更機構17を備えている。
【0067】
吸引機構15は、真空ポンプ150、吸引口151,152、吸引配管153,154を備えており、第1の実施の形態における吸引機構14とほぼ同様の機能を有する。
【0068】
変更機構17は、支柱部材170、固定部材171、ストッパー172、および伸縮部材173を備えている。
【0069】
柱状の部材である支柱部材170は、処理空間132内にZ軸に沿った方向に配置され、その(+Z)側の端部がベースプレート133の裏面(基板90の保持面に対して反対側の面)中央部に取り付けられている。また、支柱部材170はベース130を貫通して、その(−Z)側の端部が固定部材171に固設されている。支柱部材170とベース130との間は、シールされることなく、隙間が設けられており、処理空間132は、後述する伸縮部材173の内部と連通接続されている。
【0070】
固定部材171は、X軸方向の両端部がストッパー172に設けられた空洞部にはめ込まれており、ストッパー172によってそのZ軸方向の移動範囲が制限されている。また、固定部材171には、図示しないバネなどの付勢部材が取り付けられており、常に(−Z)方向に付勢されている。これにより、固定部材171は(+Z)方向の力が作用しない状態では、図5に示すように、(−Z)方向の最端部に配置される。なお、本実施の形態における減圧乾燥装置13bのようにZ軸が鉛直方向とされる場合には、固定部材171には、常に(−Z)方向に重力が作用するため、変更機構17は前述のような付勢部材を設けない構成とされていてもよい。
【0071】
ストッパー172は、固定部材171を挟み込むように配置されており、図示しない部材によりベース130との相対位置が固定されている。ストッパー172は、前述のように、固定部材171のZ軸方向の移動範囲を制限するとともに、固定部材171がX軸およびY軸方向に移動しないように、その移動方向を案内するガイドとしての機能を有している。
【0072】
伸縮部材173は、Z軸方向に伸縮可能であるとともに、伸縮部材173の内部と外部との間で気体の出入りがないように遮断可能な部材で構成されている。また、伸縮部材173の(+Z)側の端部はベース130に固設され、(−Z)側の端部は固定部材171に固設される。
【0073】
これにより、減圧乾燥装置13bでは、ベースプレート133が支柱部材170および固定部材171を介して伸縮部材173に取り付けられた構成となっており、伸縮部材173がZ軸方向に伸縮することにより、ベースプレート133がZ軸方向に移動する。なお、固定部材171が(−Z)方向の最端部にある場合に伸縮部材173は最大伸長状態(図5に示す状態)となり、一方、固定部材171が(+Z)方向の最端部にある場合に伸縮部材173は最大収縮状態となる。
【0074】
図6は、伸縮部材173の最大収縮状態を示す図である。減圧乾燥装置13bでは、伸縮部材173が最大収縮状態にある場合に、ベースプレート133に保持された基板90がチャンバ131と接触しないように、予めストッパー172の配置位置が決定されている。
【0075】
次に、第3の実施の形態における基板処理装置1の動作を説明する。第3の実施の形態における基板処理装置1は、減圧乾燥装置13bの動作以外は上記実施の形態における基板処理装置1の動作とほぼ同様の動作を行う。
【0076】
図6は、第3の実施の形態における減圧乾燥装置13bの動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置13bにおいても、上記実施の形態における減圧乾燥装置13,13aと同様に、まず、初期設定が行われる(ステップS21)。このとき、チャンバ131は予め搬入位置に配置される。また、伸縮部材173は最大伸長状態となっており、固定部材171に(+Z)方向の力が作用していないため、固定部材171は(−Z)方向の最端部に配置されている(図5)。
【0077】
次に、搬送機構10により減圧乾燥装置13bに基板90が搬入されると(ステップS22においてYes)、ベースプレート133の支持ピンが(+Z)方向に進出し、ベースプレート133が基板90を保持する(ステップS23)。続いて、チャンバ131を処理位置に移動させて(ステップS24)、基板90を外部雰囲気と遮断し、処理空間132を形成する(図5に示す状態となる)。
【0078】
基板90が外部雰囲気と遮断され密閉状態におかれると、吸引機構15が処理空間132の雰囲気の吸引を開始する(ステップS25)。これにより、減圧乾燥装置13bによる減圧乾燥処理が開始される。
【0079】
本実施の形態における減圧乾燥装置13bにおいて減圧乾燥処理が開始されると、処理空間132と伸縮部材173の内部とが連通接続されていることから、伸縮部材173の内部雰囲気が処理空間132に向かって吸引される。すなわち、処理空間132が減圧されるにしたがって伸縮部材173の内部圧が減少し、大気圧の作用によって伸縮部材173が収縮する。
【0080】
伸縮部材173は主にZ軸方向にのみ伸縮可能とされていることから、当該収縮によって生じる力が固定部材171に(+Z)方向の力として作用し、これにより、ベースプレート133が(+Z)方向に移動する。すなわち、減圧乾燥装置13bでは、処理空間132の減圧が進行するにしたがって、ベースプレート133が(+Z)方向に移動する。
【0081】
ここで、基板90の主面とチャンバ131との間の空間を空間Dとすると、空間Dの体積は、基板90とチャンバ131との相対距離(Z軸に沿った方向の距離、以下、「距離T」と称する)と、基板90の面積との積によって決定される。したがって、減圧乾燥装置13bにおいて減圧が進行し、前述のようにベースプレート133が(+Z)方向に移動すると、その移動距離に応じて、距離Tが減少方向に変化するため、空間Dの体積が減少する。すなわち、減圧乾燥処理を開始する時点における空間Dの体積をV0(図5)、減圧乾燥処理が終了する時点における空間Dの体積をV1(図6)とすると、V0>V1の関係となる。
【0082】
空間Dは、基板90の周辺雰囲気が存在する空間であるから、空間Dの体積が減少すると、基板90の周辺雰囲気が基板90の端部全周から押し出されるように流出する。これにより、減圧乾燥装置13bは、気流の滞留を解消させることができるため、乾燥ムラや乾燥不良を抑制することができる。
【0083】
また、このようにして溶剤の気体成分濃度が高い周辺雰囲気(気流の滞留部分の周辺雰囲気)自体が空間Dから流出することにより、周辺雰囲気から溶剤の気体成分が除去される。したがって、溶剤の揮発が阻害されることを抑制することができ、減圧乾燥処理に要する時間を短縮することができる。なお、距離Tを急激に減少させると、その間、空間Dが加圧された状態となり溶剤の揮発が阻害されるなどの問題を生じるが、減圧乾燥装置13bでは、処理空間132の減圧が進行するにしたがって、徐々に距離Tが減少するため、空間Dにおいてそのような現象は生じない。
【0084】
ステップS25により吸引機構15による吸引を開始してから所定の時間が経過すると、吸引機構15による吸引を停止し(ステップS26)、定圧による減圧乾燥処理を行う。その後、さらに所定の時間が経過すると、減圧乾燥装置13bは、チャンバ131を搬入位置に移動させて(ステップS27)、処理空間132を大気開放して、減圧乾燥処理を終了する。
【0085】
減圧乾燥装置13bでは、処理空間132が復圧されると、伸縮部材173の内部と外部との圧力差が解消されるため、伸縮部材173が図示しない付勢部材の付勢力によって伸長する。これによって、固定部材171が(−Z)方向の最端部に移動するため、空間Dの体積が増加する。すなわち、減圧乾燥装置13bは、復圧時に基板90の周辺雰囲気が減圧される方向にベースプレート133が移動するため、急激に周辺雰囲気が復圧されることによって溶剤が基板90の表面に凝縮して再付着することを抑制することができる。
【0086】
減圧乾燥処理が終了すると、減圧乾燥装置13bは、搬送機構10の搬送シャトルが基板90の受け取り位置に配置されるまで待機した後、ベースプレート133の支持ピンを退出させて、基板90を搬送機構10に受け渡す。
【0087】
さらに、搬送機構10が減圧乾燥装置13bから退出するまで待機(ステップS28)した後、基板90に対する処理を終了する。なお、本実施の形態における減圧乾燥装置13bにおいても、さらに他の基板90について処理を行う場合には、ステップS22に戻って処理を繰り返す。
【0088】
以上のように、第3の実施の形態における減圧乾燥装置13bは、基板90に対する減圧乾燥処理を行っている間に、基板90とチャンバ131との間の空間(空間D)の体積を減少させることにより、基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去することができるため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0089】
また、減圧乾燥装置13bは、基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去するための機構として、別途、駆動機構など用いる必要がないことから、装置のコスト上昇を抑制することができる。また、減圧乾燥処理において、そのような駆動機構を制御する必要もないことから、制御装置20の処理が複雑化することもない。
【0090】
また、復圧時に基板90の周辺雰囲気が減圧される方向にベースプレート133が移動することにより、基板90の周辺雰囲気の急激な復圧を緩和することができ、基板90に溶剤が凝縮することをさらに抑制することができる。
【0091】
<4. 第4の実施の形態>
第3の実施の形態における減圧乾燥装置13bでは、伸縮部材173の内部空間と外部との圧力差によってベースプレート133を移動させることにより、空間Dの体積を減少させて、基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去する。しかし、減圧乾燥処理中に空間Dの体積を変更する手法はこれに限られるものではない。
【0092】
図8は、このような原理に基づいて構成した第4の実施の形態における基板処理装置1の減圧乾燥装置13cを示す部分断面図である。なお、上記実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【0093】
本実施の形態における基板処理装置1は、基板90に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置13cを採用する点を除いて、第3の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の機能および構成を有している。
【0094】
本実施の形態における減圧乾燥装置13cは、変更機構17aを備えている。変更機構17aは、固定部材171および伸縮部材173の代わりに、駆動機構174およびシール部材175を有している点が、第3の実施の形態における変更機構17と異なっている。
【0095】
駆動機構174は、制御装置20からの制御信号によって駆動され、支柱部材170を介してベースプレート133をZ軸方向に移動させる機能を有する。このような機能を有する駆動機構174としては、例えば、Z軸に平行に配置されたボールネジと支柱部材170に固定されたナット部材とを組み合わせ、ボールネジを回転モータで回転させることによってナット部材をZ軸方向に移動させる機構などを用いて実現することができる。なお、駆動機構174としては、エアシリンダを用いた機構など、他の周知の手法が用いられてもよい。また、駆動機構174によるベースプレート133の駆動は、第3の実施の形態と同様に、十分低速でおこなわれる。
【0096】
シール部材175は、処理空間132と外部とを密閉するための部材であって、処理空間132が吸引機構15による吸引によって減圧された場合に、処理空間132に外部雰囲気が流入することを防止する機能を有する。
【0097】
制御装置20は、減圧乾燥処理中の駆動機構174の駆動を制御する。例えば、駆動機構174がベースプレート133を移動させる際に、ベースプレート133の位置としてそれぞれ予め設定されている離隔位置や、近接位置を超えて移動させることのないように制御する。なお、離隔位置とは、ベースプレート133が図8において示される位置であって、ベースプレート133によって、ベース130に設けられた吸引口151,152からの吸引が妨げられることのない位置(ベースプレート133とベース130との間隔が十分に存在する位置)である。また、近接位置とは、ベースプレート133が離隔位置から(+Z)方向に所定の距離だけ移動した位置であって、ベースプレート133に保持された基板90がチャンバ131に接触しないだけの十分な間隔が設けられている位置である。
【0098】
次に、第4の実施の形態における減圧乾燥装置13cの動作について説明する。なお、本実施の形態における基板処理装置1は、減圧乾燥装置13cの動作以外は、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の動作を行う。
【0099】
図9は、減圧乾燥装置13cの動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置13cは、第1の実施の形態における減圧乾燥装置13と同様に、予め初期設定(ステップS31)を実行した後に、基板90が搬送機構10により搬入されるまで待機する(ステップS32)。そして、基板90が搬入されると、ベースプレート133が当該基板90を保持し(ステップS33)、チャンバ131を下降させる(ステップS34)ことによって、処理空間132を形成した後、吸引機構15による吸引を開始する(ステップS35)。
【0100】
ステップS35により、減圧乾燥処理が開始されると、制御装置20が駆動機構174に対して制御信号を出力し、ベースプレート133を(+Z)方向に移動させるように制御する。このようにして、駆動機構174がベースプレート133を移動させることにより、基板90とチャンバ131との相対距離Tが減少し、空間Dの体積が減少する。したがって、減圧乾燥装置13cにおいても、第3の実施の形態における減圧乾燥装置13bと同様に、基板90の周辺雰囲気を除去することができる。
【0101】
次に、減圧乾燥装置13cは、所定の圧力になるまで吸引による減圧を行い、減圧が完了すると吸引機構15による吸引を停止する(ステップS37)。本実施の形態における減圧乾燥装置13cは、吸引機構15による吸引が停止されて処理空間132が定圧力状態になるとともに、ベースプレート133が近接位置に到達すると、ベースプレート133がZ軸に沿って揺動するように駆動機構174を制御する(ステップS38)。
【0102】
第3の実施の形態における減圧乾燥装置13bでは、処理空間132が定圧力状態になった後は、処理空間132が大気開放されるまで、空間Dの体積は変化せず、その間は気流の滞留を生じるおそれがある。しかし、本実施の形態における減圧乾燥装置13cは、定圧力状態になった後も、ベースプレート133をZ軸に沿って揺動させることにより、空間Dの体積を増減させて、基板90の周辺に気流の滞留が生じることを抑制することができる。
【0103】
所定の処理時間が経過すると、駆動機構174によりベースプレート133を離隔位置に移動させる(ステップS39)。ベースプレート133の離隔位置への移動が完了すると、チャンバ131を(+Z)方向に移動させて処理空間132を大気開放し(ステップS40)、減圧乾燥処理を終了する。さらに、搬送機構10により基板90が搬出されるまで待機した後(ステップS41)、処理を終了する。
【0104】
以上のように、第4の実施の形態における減圧乾燥装置13cにおいても、減圧乾燥処理中に、基板90とチャンバ131との間の空間Dの体積を減少させることができるため、基板90の周辺雰囲気を気流の滞留を抑制しつつ、除去することができる。したがって、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0105】
また、減圧乾燥処理において、定圧力状態となった後にも空間Dの体積変化をさせることができるため、基板90の周辺雰囲気における気流の滞留をさらに減少させることができる。
【0106】
<5. 第5の実施の形態>
上記実施の形態における基板処理装置1では、減圧乾燥中において、基板90の周辺雰囲気に滞留する溶剤の気体成分を、一旦、処理空間132内で移動させることにより基板90の周辺雰囲気中に含まれる溶剤の気体成分濃度の低下を図るものである。しかし、基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去する手法としては、直接、周辺雰囲気を吸引除去する手法を用いてもよい。
【0107】
図10は、このような原理に基づいて構成された第5の実施の形態における基板処理装置1の減圧乾燥装置13dを示す部分断面図である。なお、上記実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【0108】
本実施の形態における基板処理装置1は、基板90に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置13dを採用する点を除いて、上記実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の機能および構成を有している。
【0109】
本実施の形態における減圧乾燥装置13dは、吸引機構14aおよび補助吸引機構18を備えており、吸引機構14aは、吸引配管141が開閉バルブ143によって開閉制御可能とされている。また、補助吸引機構18は、吸引口181、吸引配管182および開閉バルブ183から構成される。
【0110】
吸引口181は、図10に示すように、ベースプレート133に保持された基板90の中央近傍に対向するようにチャンバ131に設けられる。吸引配管182の一端は吸引口181に連通接続され、他方端は真空ポンプ140に接続される。開閉バルブ183は、吸引配管182の開閉を行う。
【0111】
なお、補助吸引機構18の吸引口181は、複数設けられていてもよい。また、本実施の形態における減圧乾燥装置13dでは、吸引配管182が真空ポンプ140に接続されることにより、吸引機構14aと補助吸引機構18とが真空ポンプ140を共有する構成とされているが、補助吸引機構18が別途真空ポンプを有する構成としてもよい。
【0112】
本実施の形態における制御装置20は、開閉バルブ143および開閉バルブ183の開閉動作を制御する。
【0113】
次に、第5の実施の形態における減圧乾燥装置13dの動作について説明する。なお、本実施の形態における基板処理装置1は、減圧乾燥装置13dの動作以外は、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の動作を行うため、説明は省略する。
【0114】
図11は、減圧乾燥装置13dの動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置13dは、第1の実施の形態における減圧乾燥装置13と同様に、予め初期設定(ステップS51)を実行した後に、基板90が搬送機構10により搬入されるまで待機する(ステップS52)。そして、基板90が搬入されると、ベースプレート133が当該基板90を保持し(ステップS53)、チャンバ131を(−Z)方向に移動させる(ステップS54)ことによって、処理空間132を形成する。
【0115】
さらに、制御装置20が真空ポンプ140を駆動するとともに、開閉バルブ143を開放状態にすることにより、吸引機構14aによる吸引を開始する(ステップS55)。これによって、基板90に対する減圧乾燥処理が開始される。
【0116】
吸引機構14aによる吸引を開始してから所定の時間が経過すると、制御装置20は、開閉バルブ183を開放状態にして補助吸引機構18による吸引を開始する(ステップS56)。
【0117】
このように、本実施の形態における減圧乾燥装置13dは、減圧乾燥処理中に補助吸引機構18にる吸引を行うことにより、気流の滞留を解消して、基板90の周辺雰囲気を吸引除去することができる。
【0118】
基板90のレジスト膜が未乾燥の状態で、吸引によって基板90の表面に急激な気流を発生させると、レジスト膜が当該気流の影響により不均一になる。したがって、本実施の形態における減圧乾燥装置13dでは、制御装置20が開閉バルブ143と開閉バルブ183との開閉タイミングに時間差を設けており、処理空間132の減圧が進行し、レジスト膜が十分乾燥してから補助吸引機構18による吸引を行うようにしている。しかし、補助吸引機構18による吸引は、吸引機構14aによる吸引の後に開始されることに限定されるものではなく、例えばレジスト膜に影響を与えない程度の緩やかな吸引を行う場合には、補助吸引機構18による吸引を吸引機構14aによる吸引に先立って開始するようにしてもよい。
【0119】
処理空間132内の圧力が所定値となると、制御装置20は開閉バルブ143を閉鎖状態にして、吸引機構14aによる吸引を停止する(ステップS57)。さらに、所定の時間が経過するまで減圧乾燥処理を継続した後、開閉バルブ183を閉鎖状態にして、補助吸引機構18による吸引を停止する(ステップS58)。また、チャンバ131を(−Z)方向に移動させる(ステップS59)ことにより、処理空間132が大気開放され、減圧乾燥処理が終了する。
【0120】
本実施の形態における減圧乾燥装置13dは、減圧乾燥処理の実行中に、補助吸引機構18によって基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を高濃度に含む雰囲気を除去するため、上記実施の形態と同様に、処理空間132が大気開放される際の溶剤の再付着を抑制することができる。
【0121】
次に、減圧乾燥装置13dは、搬送機構10の搬送シャトルが所定の位置に配置されるまで待機した後、ベースプレート133の支持ピンを基板90から離間させて基板90を搬送シャトルに受け渡す。さらに、搬送シャトルが減圧乾燥装置13dから退出するまで待機(ステップS60)した後、基板90に対する処理を終了する。
【0122】
以上のように、第5の実施の形態における減圧乾燥装置13dでは、基板90に対する減圧乾燥処理の実行中に、補助吸引機構18が基板90の周辺雰囲気を吸引することにより、基板90の周辺雰囲気中の溶剤の気体成分を除去する。これにより、本実施の形態における減圧乾燥装置13dにおいても上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0123】
また、補助吸引機構18が吸引機構14aが備える真空ポンプ140を兼用することにより、装置のコストを削減することができる。
【0124】
<6. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【0125】
例えば、上記実施の形態では、減圧乾燥装置に搬送される基板は、塗布装置12によってスリットコートが行われた基板であったが、減圧乾燥装置が処理する基板は、これに限られるものではなく、スピンコートにより薬液が塗布された基板であってもよいし、エッジリンス後の基板などであってもよい。
【0126】
また、基板処理装置1における動作順序は、上記実施の形態に示す順次に限られるものではなく、同様の効果が得られる順序であればよい。
【0127】
また、上記実施の形態における制御装置20による制御は、CPUがプログラムによって動作するソフトウェア制御として実現されると説明したが、これらの全部または一部が専用の回路によってハードウェア制御として実現されてもよい。
【0128】
また、第4の実施の形態における減圧乾燥装置13cでは、減圧乾燥処理の実行中にベースプレート133をZ軸方向に移動させるために、駆動機構174を設けると説明したが、例えば、減圧乾燥装置13cが基板90を搬出入する際に、ベースプレート133のZ軸方向の位置調整を行う調整機構を有している場合には、これらの調整機構が駆動機構174として兼用されてもよい。
【0129】
【発明の効果】
請求項1ないし9に記載の発明では、保持台に保持された基板の周辺雰囲気から薬液の気体成分を除去することにより、薬液が基板に再付着することを抑制することができる。また、薬液の揮発が阻害されることを抑制することができる。
【0130】
請求項2に記載の発明では、基板の周辺雰囲気から薬液の気体成分を攪拌除去することにより、基板の周辺雰囲気における薬液の気体成分濃度を均一化させることができる。したがって、周辺雰囲気中の薬液濃度を低下させることによって、周辺雰囲気から薬液を除去することができる。
【0131】
請求項3に記載の発明では、回転駆動力を生成する回転機構と回転駆動力によって回転し、前記処理空間内に気流を発生させるファンとを有することにより、周辺雰囲気を容易に攪拌させることができる。
【0132】
請求項4に記載の発明では、所定の回動軸を中心に回動する板状部材と板状部材を所定の回動軸を中心に回動させる回動機構とを有することにより、周辺雰囲気を容易に攪拌させることができる。
【0133】
請求項5に記載の発明では、基板に対する減圧乾燥処理が行われている間に、基板と減圧チャンバとの間の空間体積が減少する方向に、基板と減圧チャンバとの相対距離を変化させることにより、薬液の気体成分濃度の高い雰囲気を基板の周辺から移動させることができ、周辺雰囲気から薬液の気体成分を除去することができる。
【0134】
請求項6に記載の発明では、保持台が処理空間内の圧力に応じて伸縮する伸縮部材に取り付けられており、伸縮部材が収縮することにより、保持台が基板と減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に移動することにより、駆動機構を別途設ける必要がなく、容易に周辺雰囲気を移動させることができる。
【0135】
請求項7に記載の発明では、吸引手段によって処理空間内の雰囲気が吸引されるにしたがって、基板と減圧チャンバとの相対距離を減少させる方向に移動機構を駆動制御することにより、容易に周辺雰囲気を移動させることができる。
【0136】
請求項8に記載の発明では、補助吸引手段が、基板の主面中央部に対向する位置の近傍に設けられ、基板の周辺雰囲気を吸引することにより、周辺雰囲気中の薬液の気体成分を減圧チャンバ外に容易に除去することができる。
【0137】
請求項9に記載の発明では、補助吸引手段が、吸引手段による吸引が開始されてから所定の時間が経過した後に、吸引を開始することにより、補助吸引手段によって発生する気流によって薄膜に流紋などが付くことを抑制することができる。
【0138】
請求項10に記載の発明では、基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に、基板と減圧チャンバとを相対的に移動させることにより、薬液の気体成分濃度の高い雰囲気を基板の周辺から移動させることができ、周辺雰囲気から薬液の気体成分を除去することができる。
【0139】
請求項11に記載の発明では、保持工程において保持された基板の主面中央部に対向する位置の近傍から、基板の周辺雰囲気を吸引することにより、周辺雰囲気中の薬液の気体成分を減圧チャンバ外に容易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る減圧乾燥装置を搭載した基板処理装置1の構成を示す図である。
【図2】第1の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図3】第2の実施の形態における減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【図4】第2の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図5】第3の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図6】伸縮部材の最大収縮状態を示す図である。
【図7】減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【図8】第4の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図9】減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【図10】第5の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図11】減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置
13,13a,13b,13c,13d 減圧乾燥装置
131 チャンバ
132 処理空間
133 ベースプレート(保持台)
14,14a,15 吸引機構
16,16a 攪拌機構
160 回転モータ(回転機構)
162 ファン
163 回動機構
164 ルーパー(板状部材)
17,17a 変更機構
173 伸縮部材
174 駆動機構(移動機構)
18 補助吸引機構
20 制御装置
90 基板
D 空間
T 距離[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a technique for drying a chemical solution present on a substrate under reduced pressure.
[0002]
[Prior art]
In the manufacturing process of a semiconductor substrate or a glass substrate for liquid crystal, various chemical liquids are used, for example, a process of forming a thin film by applying a resist liquid on the surface of the substrate, or a process of discharging a cleaning liquid onto the substrate to perform cleaning. Processing is performed. When a process using a chemical solution is performed on a substrate, it is necessary to perform a process of removing the chemical solution from the surface of the substrate after the process. Conventionally, as an apparatus for performing such a removal process, a device under a reduced pressure atmosphere is used. There has been proposed a reduced-pressure drying apparatus that holds a substrate on a substrate and volatilizes the attached chemical solution to dry and remove the substrate. For example, such a reduced-pressure drying device is described in Patent Document 1.
[0003]
In the reduced-pressure drying apparatus described in Patent Document 1, a substrate to be processed is held in a processing space sealed by a member such as a chamber, and the atmosphere in the processing space is suctioned by a suction device such as a vacuum pump to reduce the pressure. I do. By reducing the pressure in the atmosphere around the substrate in this way, the gas density in the atmosphere around the substrate decreases, so that the chemical solution attached to the substrate can be volatilized efficiently. The volatilized chemical is sucked by a vacuum pump and exhausted from the processing space to the outside of the apparatus. The chemical liquid dried and removed by such a conventional reduced pressure drying apparatus may be the processing liquid used for the substrate itself or a liquid component (solvent component) of the processing liquid. Good. The case where the solvent component of the processing liquid is removed by drying means, for example, when a resist liquid is used as the processing liquid, and the solid component of the resist liquid remains as a thin film on the surface of the substrate to form a resist film. Is formed.
[0004]
As described above, when a thin film is formed on the surface of a substrate, when an airflow hits an undried substrate, ripples or wind ripples are formed on the surface of the thin film due to the airflow, and the thickness of the thin film is uneven. Therefore, in the vacuum drying apparatus, a suction port for sucking the atmosphere is provided at a position relatively far from the surface of the substrate.
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-263548
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the suction port is provided at a position far away from the surface of the substrate (mainly on the back side) as in the above-described vacuum drying apparatus, a stagnant portion of the airflow is generated near the surface of the substrate, and the portion volatilizes from the surface of the substrate. There is a problem that the gaseous component of the chemical solution is not immediately exhausted. That is, there is a problem that the gas component of the chemical solution remains at a high concentration near the surface of the substrate. As described above, when the gas component of the chemical solution remains at a high concentration in the atmosphere around the substrate, the volatilization of the subsequent chemical solution is inhibited, and as a result, the drying process time is lengthened. Further, the remaining gas components are condensed at the time of restoring pressure and adhere to the substrate again.
[0007]
Further, in the vacuum drying apparatus, it is difficult to uniformly generate an airflow in the processing space due to the distribution state of the suction ports and the like, and particularly when the substrate is enlarged, unevenness of the airflow is generated near the surface of the substrate. Therefore, there is a problem that drying unevenness and drying failure of the substrate occur.
[0008]
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to reduce processing time in reduced-pressure drying while suppressing drying unevenness and poor drying of a chemical solution attached to a substrate.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention according to claim 1 is a reduced-pressure drying apparatus for drying a chemical solution present on a substrate under reduced pressure, wherein a reduced-pressure chamber forming a processing space for drying the substrate under reduced pressure; A holding table for holding the substrate in the processing space; a suction unit for sucking an atmosphere in the processing space; and a removing unit for removing a gas component of the chemical solution from a surrounding atmosphere of the substrate held by the holding table. .
[0010]
Further, the invention according to claim 2 is the reduced-pressure drying apparatus according to claim 1, wherein the removing means has a stirring means for generating an air flow in the processing space, and the stirring means is provided on the substrate. The gas component of the chemical solution is removed by stirring from the surrounding atmosphere.
[0011]
The invention according to claim 3 is the reduced-pressure drying apparatus according to claim 2, wherein the stirring means is rotated by the rotation mechanism for generating a rotational driving force, and is rotated by the rotational driving force. And a fan for generating airflow.
[0012]
The invention according to claim 4 is the reduced-pressure drying apparatus according to claim 2, wherein the agitating means comprises: a plate-shaped member that rotates around a predetermined rotation axis; A rotation mechanism for rotating around a predetermined rotation axis.
[0013]
Further, the invention of claim 5 is the reduced-pressure drying apparatus according to the invention of claim 1, wherein the removing means changes a relative distance between the substrate and the reduced-pressure chamber, thereby removing a main surface of the substrate. Changing means for changing a space volume between the pressure reducing chamber and the pressure changing chamber, wherein the changing means changes the relative distance in a direction in which the space volume decreases while a reduced pressure drying process is performed on the substrate. Let it.
[0014]
Further, the invention of claim 6 is the reduced-pressure drying apparatus according to the invention of claim 5, wherein the changing means has an elastic member that expands and contracts according to the pressure in the processing space, and the holding table is The holding table is attached to a telescopic member, and when the telescopic member contracts, the holding table moves in a direction to decrease the space volume.
[0015]
Further, the invention of claim 7 is the reduced-pressure drying apparatus according to the invention of claim 5, wherein the changing means comprises a moving mechanism for moving the substrate relatively to the decompression chamber, and the suction means. A control mechanism that drives and controls the moving mechanism in a direction to decrease the relative distance as the atmosphere in the processing space is sucked.
[0016]
The invention of claim 8 is the reduced-pressure drying apparatus according to the invention of claim 1, wherein the removing means has an auxiliary suction means for sucking an atmosphere in the processing space, and the auxiliary suction means has It is provided near a position facing the center of the main surface of the substrate, and sucks an atmosphere around the substrate.
[0017]
A ninth aspect of the present invention is the reduced-pressure drying apparatus according to the eighth aspect of the present invention, wherein the auxiliary suction unit starts the suction after a predetermined time has elapsed from the start of the suction by the suction unit. I do.
[0018]
The invention according to
[0019]
An eleventh aspect of the present invention is a reduced-pressure drying method for drying a chemical solution present on a substrate under reduced pressure, comprising: a holding step of holding a substrate in a processing space formed by a reduced-pressure chamber; A suction step of sucking an atmosphere, and an auxiliary suction step of sucking an atmosphere around the substrate from near a position opposed to a central portion of the main surface of the substrate held in the holding step, wherein the auxiliary suction step is , After the start of the suction step.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0021]
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 equipped with a reduced-pressure drying apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus 1 includes a
[0022]
In the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 uses a square glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device as the substrate to be processed 90. However, the substrate processing apparatus 1 is not limited to a glass substrate for a liquid crystal display device. In general, various substrates such as a semiconductor wafer, a flexible substrate for a film liquid crystal, a substrate for a photomask, and a substrate for a color filter can be used.
[0023]
The
[0024]
The
[0025]
The
[0026]
FIG. 2 is a schematic sectional view of the reduced-
[0027]
The
[0028]
A plurality of support pins that advance and retreat in the Z-axis direction are provided on the (+ Z) side surface of the
[0029]
The
[0030]
The
[0031]
The stirring
[0032]
The stirring
[0033]
Returning to FIG. 1, the
[0034]
The above is the description of the configuration and functions of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. Next, the operation of substrate processing in the substrate processing apparatus 1 will be described. In the substrate processing apparatus 1, the following operations are executed by the
[0035]
In the substrate processing apparatus 1, when the
[0036]
Next, the
[0037]
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the reduced-
[0038]
Next, the process waits until the
[0039]
When the transport shuttle of the
[0040]
When a predetermined time has elapsed since the start of the reduced-pressure drying process, the stirring
[0041]
As described above, in the reduced-
[0042]
In addition, since the concentration of the gas component of the volatilized solvent can be made uniform in the atmosphere around the
[0043]
Note that, like the reduced-
[0044]
In addition, the
[0045]
When the pressure in the
[0046]
Next, the reduced-
[0047]
Further, when the transport shuttle of the
[0048]
The reduced-
[0049]
The
[0050]
As described above, the reduced-
[0051]
In addition, since the concentration of the gas component of the solvent in the atmosphere around the
[0052]
Further, since the gas component of the solvent can be removed from the atmosphere around the
[0053]
<2. Second Embodiment>
In the first embodiment, an example in which the atmosphere in the
[0054]
FIG. 4 is a partial cross-sectional view illustrating the reduced-
[0055]
The substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment is substantially the same as the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment except that a reduced-
[0056]
The reduced-
[0057]
The
[0058]
Each
[0059]
Each
[0060]
The operation of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment having the above configuration is substantially the same as that of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. However, in step S16 shown in FIG. 3, when stirring by the stirring mechanism 16a is started, the
[0061]
In this way, when the
[0062]
As described above, the atmosphere in the
[0063]
<3. Third Embodiment>
In the above-described embodiment, the gas atmosphere of the solvent (solution) is removed from the surrounding atmosphere by stirring the atmosphere around the
[0064]
FIG. 5 is a partial cross-sectional view illustrating a reduced-
[0065]
Substrate processing apparatus 1 of the present embodiment is substantially the same as substrate processing apparatus 1 of the first embodiment, except that reduced-
[0066]
The reduced-
[0067]
The
[0068]
The
[0069]
The
[0070]
The fixing
[0071]
The
[0072]
The
[0073]
Thus, in the reduced-
[0074]
FIG. 6 is a diagram illustrating the maximum contraction state of the
[0075]
Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment will be described. The substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment performs substantially the same operation as the operation of the substrate processing apparatus 1 according to the above embodiment except for the operation of the reduced-
[0076]
FIG. 6 is a flowchart showing the operation of the reduced-
[0077]
Next, when the
[0078]
When the
[0079]
When the reduced-pressure drying process is started in the reduced-
[0080]
Since the expansion and
[0081]
Here, assuming that a space between the main surface of the
[0082]
Since the space D is a space in which the atmosphere around the
[0083]
Further, the gaseous component of the solvent is removed from the surrounding atmosphere by flowing out of the space D from the surrounding atmosphere itself (the surrounding atmosphere of the portion where the gas flow stays) in which the gaseous component concentration of the solvent is high. Therefore, inhibition of the volatilization of the solvent can be suppressed, and the time required for the drying under reduced pressure can be reduced. When the distance T is rapidly reduced, the space D is in a pressurized state during that time, which causes a problem that the evaporation of the solvent is inhibited. However, in the reduced-
[0084]
When a predetermined time has elapsed since the start of suction by the
[0085]
In the reduced-
[0086]
When the reduced-pressure drying process is completed, the reduced-
[0087]
Further, after waiting for the
[0088]
As described above, the reduced-
[0089]
Further, the reduced-
[0090]
Further, by moving the
[0091]
<4. Fourth embodiment>
In the reduced-
[0092]
FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing a reduced-
[0093]
The substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment is substantially the same as the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment, except that a reduced-
[0094]
The reduced-
[0095]
The
[0096]
The
[0097]
The
[0098]
Next, the operation of the reduced-
[0099]
FIG. 9 is a flowchart showing the operation of the reduced-
[0100]
When the reduced-pressure drying process is started in step S35, the
[0101]
Next, the reduced-
[0102]
In the reduced-
[0103]
When the predetermined processing time has elapsed, the
[0104]
As described above, also in the reduced-
[0105]
In addition, in the reduced-pressure drying process, since the volume of the space D can be changed even after the pressure becomes constant, the stagnation of the airflow in the atmosphere around the
[0106]
<5. Fifth Embodiment>
In the substrate processing apparatus 1 according to the above-described embodiment, during the drying under reduced pressure, the gas component of the solvent staying in the surrounding atmosphere of the
[0107]
FIG. 10 is a partial cross-sectional view illustrating a reduced-pressure drying device 13d of the substrate processing apparatus 1 according to the fifth embodiment configured based on such a principle. The same functions and configurations as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
[0108]
The substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment has substantially the same functions and functions as the substrate processing apparatus 1 according to the above-described embodiment, except that a reduced-pressure drying apparatus 13d is used as an apparatus that performs a reduced-pressure drying process on the
[0109]
The reduced-pressure drying device 13d according to the present embodiment includes a suction mechanism 14a and an auxiliary suction mechanism 18, and the suction mechanism 141a can control opening and closing of a
[0110]
As shown in FIG. 10, the
[0111]
Note that a plurality of
[0112]
The
[0113]
Next, an operation of the reduced-pressure drying device 13d according to the fifth embodiment will be described. The substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment performs substantially the same operation as the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment except for the operation of the reduced-pressure drying device 13d, and a description thereof will be omitted.
[0114]
FIG. 11 is a flowchart showing the operation of the reduced-pressure drying device 13d. Like the reduced-
[0115]
Further, the
[0116]
When a predetermined time has elapsed after the suction by the suction mechanism 14a has started, the
[0117]
As described above, the reduced-pressure drying apparatus 13d according to the present embodiment eliminates the airflow and removes the atmosphere around the
[0118]
If a sudden airflow is generated on the surface of the
[0119]
When the pressure in the
[0120]
The reduced-pressure drying apparatus 13d in the present embodiment removes the atmosphere containing the gas component of the solvent at a high concentration from the surrounding atmosphere of the
[0121]
Next, after waiting until the transport shuttle of the
[0122]
As described above, in the reduced-pressure drying apparatus 13d according to the fifth embodiment, the auxiliary suction mechanism 18 sucks the surrounding atmosphere of the
[0123]
Further, since the auxiliary suction mechanism 18 also serves as the
[0124]
<6. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible.
[0125]
For example, in the above-described embodiment, the substrate conveyed to the reduced-pressure drying device is a substrate that has been slit-coated by the
[0126]
Further, the operation order in the substrate processing apparatus 1 is not limited to the order shown in the above embodiment, but may be any order as long as a similar effect is obtained.
[0127]
In addition, the control by the
[0128]
Further, in the reduced-
[0129]
【The invention's effect】
According to the first to ninth aspects of the present invention, it is possible to prevent the chemical solution from re-adhering to the substrate by removing the gas component of the chemical solution from the surrounding atmosphere of the substrate held by the holding table. Further, it is possible to suppress the inhibition of the volatilization of the chemical solution.
[0130]
According to the second aspect of the invention, the gas component of the chemical solution is stirred and removed from the atmosphere around the substrate, so that the concentration of the gas component of the chemical solution in the atmosphere around the substrate can be made uniform. Therefore, the chemical solution can be removed from the surrounding atmosphere by reducing the concentration of the chemical solution in the surrounding atmosphere.
[0131]
According to the third aspect of the present invention, the surrounding atmosphere can be easily agitated by having the rotating mechanism that generates the rotational driving force and the fan that is rotated by the rotational driving force and generates the airflow in the processing space. it can.
[0132]
According to the fourth aspect of the present invention, the surrounding atmosphere is provided by having the plate-like member that rotates around the predetermined rotation axis and the rotation mechanism that rotates the plate-like member around the predetermined rotation axis. Can be easily stirred.
[0133]
According to the fifth aspect of the present invention, the relative distance between the substrate and the decompression chamber is changed in a direction in which the space volume between the substrate and the decompression chamber decreases while the substrate is subjected to the decompression drying process. Accordingly, the atmosphere having a high concentration of the gas component of the chemical can be moved from the periphery of the substrate, and the gas component of the chemical can be removed from the surrounding atmosphere.
[0134]
According to the invention described in claim 6, the holding table is attached to an elastic member that expands and contracts in accordance with the pressure in the processing space, and the elastic member contracts, so that the holding table is placed in the space between the substrate and the decompression chamber. By moving in the direction in which the volume is reduced, there is no need to separately provide a drive mechanism, and the surrounding atmosphere can be easily moved.
[0135]
According to the seventh aspect of the present invention, as the atmosphere in the processing space is sucked by the suction means, the moving mechanism is driven and controlled in a direction to decrease the relative distance between the substrate and the decompression chamber, so that the ambient atmosphere can be easily controlled. Can be moved.
[0136]
According to the eighth aspect of the present invention, the auxiliary suction means is provided in the vicinity of a position opposed to the central portion of the main surface of the substrate, and depressurizes the gas component of the chemical solution in the peripheral atmosphere by sucking the peripheral atmosphere of the substrate. It can be easily removed out of the chamber.
[0137]
According to the ninth aspect of the present invention, the auxiliary suction means starts suction after a predetermined time has elapsed from the start of suction by the suction means. It is possible to suppress the occurrence of sticking.
[0138]
According to the tenth aspect of the present invention, the substrate and the decompression chamber are relatively moved in a direction in which the volume of space between the main surface of the substrate and the decompression chamber is reduced, so that the concentration of the gas component of the chemical solution is high. The atmosphere can be moved from the periphery of the substrate, and the gas component of the chemical solution can be removed from the surrounding atmosphere.
[0139]
According to the eleventh aspect of the present invention, the gaseous component of the chemical solution in the peripheral atmosphere is reduced by depressurizing the peripheral atmosphere of the substrate by sucking the peripheral atmosphere of the substrate from near the position opposed to the central portion of the main surface of the substrate held in the holding step. Can be easily removed outside.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 equipped with a reduced-pressure drying apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a partial cross-sectional view illustrating a reduced-pressure drying device according to the first embodiment.
FIG. 3 is a flowchart showing an operation of a reduced-pressure drying apparatus according to a second embodiment.
FIG. 4 is a partial cross-sectional view illustrating a reduced-pressure drying device according to a second embodiment.
FIG. 5 is a partial cross-sectional view illustrating a reduced-pressure drying apparatus according to a third embodiment.
FIG. 6 is a diagram illustrating a maximum contraction state of the elastic member.
FIG. 7 is a flowchart showing the operation of the reduced-pressure drying device.
FIG. 8 is a partial cross-sectional view illustrating a reduced-pressure drying apparatus according to a fourth embodiment.
FIG. 9 is a flowchart showing the operation of the reduced-pressure drying device.
FIG. 10 is a partial cross-sectional view illustrating a reduced-pressure drying device according to a fifth embodiment.
FIG. 11 is a flowchart showing the operation of the reduced-pressure drying device.
[Explanation of symbols]
1 Substrate processing equipment
13, 13a, 13b, 13c, 13d Vacuum drying device
131 chambers
132 processing space
133 base plate (holding table)
14, 14a, 15 suction mechanism
16, 16a stirring mechanism
160 rotation motor (rotation mechanism)
162 fans
163 Rotating mechanism
164 looper (plate member)
17, 17a Change mechanism
173 Telescopic member
174 drive mechanism (moving mechanism)
18 Auxiliary suction mechanism
20 Control device
90 substrate
D space
T distance
Claims (11)
基板を減圧乾燥させるための処理空間を形成する減圧チャンバと、
前記処理空間内で基板を保持する保持台と、
前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引手段と、
前記保持台に保持された基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を除去する除去手段と、
を備えることを特徴とする減圧乾燥装置。A vacuum drying device for drying the chemical solution present on the substrate by reduced pressure,
A decompression chamber for forming a processing space for drying the substrate under reduced pressure;
A holding table for holding a substrate in the processing space,
Suction means for suctioning the atmosphere in the processing space,
Removing means for removing the gas component of the chemical solution from the surrounding atmosphere of the substrate held by the holding table,
A vacuum drying device comprising:
前記除去手段が、
前記処理空間内に気流を発生させる攪拌手段を有し、
前記攪拌手段が、
前記基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を攪拌除去することを特徴とする減圧乾燥装置。The reduced-pressure drying device according to claim 1,
The removing means,
A stirring means for generating an air flow in the processing space,
The stirring means,
A reduced pressure drying apparatus, wherein a gas component of the chemical solution is removed by stirring from an atmosphere around the substrate.
前記攪拌手段が、
回転駆動力を生成する回転機構と、
前記回転駆動力によって回転し、前記処理空間内に気流を発生させるファンと、
を有することを特徴とする減圧乾燥装置。The reduced-pressure drying device according to claim 2,
The stirring means,
A rotation mechanism for generating a rotation driving force;
A fan that is rotated by the rotational driving force and generates an airflow in the processing space;
A vacuum drying device comprising:
前記攪拌手段が、
所定の回動軸を中心に回動する板状部材と、
前記板状部材を前記所定の回動軸を中心に回動させる回動機構と、
を有することを特徴とする減圧乾燥装置。The reduced-pressure drying device according to claim 2,
The stirring means,
A plate-shaped member that rotates around a predetermined rotation axis,
A rotation mechanism for rotating the plate-shaped member about the predetermined rotation axis,
A vacuum drying device comprising:
前記除去手段が、
前記基板と前記減圧チャンバとの相対距離を変化させることにより、前記基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を変化させる変更手段を有し、
前記変更手段が、
前記基板に対する減圧乾燥処理が行われている間に、前記空間体積が減少する方向に前記相対距離を変化させることを特徴とする減圧乾燥装置。The reduced-pressure drying device according to claim 1,
The removing means,
By changing the relative distance between the substrate and the decompression chamber, has a changing means for changing the space volume between the main surface of the substrate and the decompression chamber,
The change means,
A reduced-pressure drying apparatus, wherein the relative distance is changed in a direction in which the space volume decreases while the reduced-pressure drying process is being performed on the substrate.
前記変更手段が、
前記処理空間内の圧力に応じて伸縮する伸縮部材を有し、
前記保持台が前記伸縮部材に取り付けられており、前記伸縮部材が収縮することにより、前記保持台が前記空間体積を減少させる方向に移動することを特徴とする減圧乾燥装置。The reduced-pressure drying device according to claim 5, wherein
The change means,
Having an elastic member that expands and contracts according to the pressure in the processing space,
The reduced-pressure drying device, wherein the holding table is attached to the elastic member, and the holding table moves in a direction to reduce the space volume when the elastic member contracts.
前記変更手段が、
前記基板を前記減圧チャンバに対して相対的に移動させる移動機構と、
前記吸引手段によって前記処理空間内の雰囲気が吸引されるにしたがって、前記相対距離を減少させる方向に前記移動機構を駆動制御する制御機構と、
を有することを特徴とする減圧乾燥装置。The reduced-pressure drying device according to claim 5, wherein
The change means,
A moving mechanism for moving the substrate relative to the decompression chamber,
As the atmosphere in the processing space is sucked by the suction means, a control mechanism that drives and controls the moving mechanism in a direction to decrease the relative distance;
A vacuum drying device comprising:
前記除去手段が、
前記処理空間内の雰囲気を吸引する補助吸引手段を有し、
前記補助吸引手段が、
前記基板の主面中央部に対向する位置の近傍に設けられ、前記基板の周辺雰囲気を吸引することを特徴とする減圧乾燥装置。The reduced-pressure drying device according to claim 1,
The removing means,
Having auxiliary suction means for suctioning the atmosphere in the processing space,
The auxiliary suction means,
A reduced-pressure drying apparatus, which is provided near a position facing a central portion of the main surface of the substrate and sucks an atmosphere around the substrate.
前記補助吸引手段が、
前記吸引手段による吸引が開始されてから所定の時間が経過した後に、吸引を開始することを特徴とする減圧乾燥装置。The reduced-pressure drying device according to claim 8, wherein
The auxiliary suction means,
A vacuum drying apparatus characterized in that the suction is started after a predetermined time has passed since the suction by the suction means was started.
減圧チャンバによって形成される処理空間内に基板を保持する保持工程と、
前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、
前記保持工程において保持された基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に、前記基板と前記減圧チャンバとを相対的に移動させる移動工程と、
を有することを特徴とする減圧乾燥方法。A vacuum drying method of drying a chemical solution present on a substrate by reduced pressure,
A holding step of holding the substrate in a processing space formed by the decompression chamber,
A suction step of suctioning an atmosphere in the processing space,
A moving step of relatively moving the substrate and the decompression chamber in a direction to reduce the volume of space between the main surface of the substrate held in the holding step and the decompression chamber;
A method for drying under reduced pressure, comprising:
減圧チャンバによって形成される処理空間内で基板を保持する保持工程と、
前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、
前記保持工程において保持された基板の主面中央部に対向する位置の近傍から、前記基板の周辺雰囲気を吸引する補助吸引工程と、
を有し、
前記補助吸引工程が、
前記吸引工程の開始後に実行されることを特徴とする減圧乾燥方法。A vacuum drying method of drying a chemical solution present on a substrate by reduced pressure,
A holding step of holding the substrate in a processing space formed by the decompression chamber,
A suction step of suctioning an atmosphere in the processing space,
An auxiliary suction step of sucking a peripheral atmosphere of the substrate from near a position opposed to a central portion of the main surface of the substrate held in the holding step,
Has,
The auxiliary suction step,
A reduced-pressure drying method, which is performed after the start of the suction step.
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