KR100366367B1 - Photoresist coating apparatus and method for forming photoresist film using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 감광액 도포 장치는 대기로부터 밀폐시킬 수 있는 외부 배스(outer bath)를 포함한다. 상기 외부 배스 내에 상부는 개구부(opening)를 갖으며 상기 개구부와 인접한 양단부에는 기판을 로딩할 수 있는 홈을 갖고, 내부 공간에는 감광액이 채워진 내부 배스(inner bath)가 설치되어 있다. 그리고, 상기 감광액이 채워진 내부 배스 내에 위치하여 상기 감광액을 증발시킬 수 있는 압전소자를 포함한다. 이에 따라, 본 발명의 감광막 형성 방법은 상기 내부 배스의 상부에 설치된 기판 상에 상기 압전소자로 상기 감광액을 증발시켜 흄(hume) 형태로 감광막을 형성함으로써 감광막의 두께 균일도를 크게 향상시킬 수 있다.The photosensitive liquid applying apparatus of the present invention includes an outer bath that can be sealed from the atmosphere. An upper portion of the outer bath has an opening, and both ends adjacent to the opening have grooves for loading a substrate, and an inner bath filled with a photosensitive liquid is provided in the inner space. And a piezoelectric element capable of evaporating the photosensitive liquid by being placed in the inner bath filled with the photosensitive liquid. Accordingly, the method of forming the photosensitive film of the present invention can greatly improve the thickness uniformity of the photosensitive film by forming the photosensitive film in the form of a fume by evaporating the photosensitive liquid with the piezoelectric element on the substrate provided on the inner bath.
Description
본 발명은 감광액 도포 장치 및 이를 이용한 감광막 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판이나 유리 기판 상에 감광액을 도포할 수 있는 감광액 도포 장치 및 이를 이용한 감광막 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive liquid coating apparatus and a method of forming a photosensitive film using the same, and more particularly, to a photosensitive liquid coating apparatus capable of applying a photosensitive liquid onto a semiconductor substrate or a glass substrate, and a photosensitive film forming method using the same.
일반적으로, 집적 회로 반도체 소자, 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치 등의 제조를 위하여 반도체 기판(웨이퍼)나 유리 기판 상에 소정의 물질막 패턴을 형성할 필요가 있다. 이를 위하여 반도체 기판이나 유리 기판 상의 물질막 상에 감광액을 도포한 후, 노광하여 감광막 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 감광막 패턴을식각마스크로 상기 물질막을 식각함으로써 물질막 패턴을 형성한다. 상기 반도체 기판이나 유리 기판 상에 감광액을 도포할 때 감광액 도포 장치가 이용되는데, 도 1을 참조하여 종래의 감광액 도포 장치를 설명한다.In general, in order to manufacture integrated circuit semiconductor devices, liquid crystal displays, plasma displays, and the like, it is necessary to form a predetermined material film pattern on a semiconductor substrate (wafer) or a glass substrate. To this end, a photoresist is applied onto a material film on a semiconductor substrate or a glass substrate and then exposed to form a photoresist pattern. Subsequently, the material film pattern is formed by etching the material film using the photoresist pattern as an etching mask. When the photosensitive liquid is applied onto the semiconductor substrate or the glass substrate, a photosensitive liquid applying apparatus is used, and a conventional photosensitive liquid applying apparatus will be described with reference to FIG. 1.
도 1은 종래 기술에 의한 감광액 도포 장치를 설명하기 위한 개략도이다.1 is a schematic view for explaining a photosensitive liquid coating device according to the prior art.
구체적으로, 종래의 감광액 도포 장치는 배스(11) 내에 기판(13), 예컨대 반도체 기판(웨이퍼)이나 유리 기판을 진공으로 홀딩할 수 있는 진공척(15)과, 상기 진공척(15)에 암(17)을 통하여 연결되어 상기 기판(13)을 회전시킬 수 있는 모터(M, 19)와, 상기 기판(13) 상부에는 기판(13) 상에 감광액(21)을 도포할 수 있는 감광액 노즐(23)을 포함한다. 이에 따라, 종래의 감광액 도포 장치는 모터(19) 및 암(17)을 이용하여 진공척(15) 상에 위치한 기판(13)을 일정속도로 회전시키면서 기판(13) 표면에 많은 양의 감광액(21)을 도포한 후 원심력을 이용하여 기판(13) 상에 감광막을 비교적 균일하게 형성하는 스핀 코팅 방법을 채용한다.Specifically, the conventional photosensitive liquid applying apparatus includes a vacuum chuck 15 capable of holding a substrate 13, for example, a semiconductor substrate (wafer) or a glass substrate, in a bath 11 in a vacuum, and an arm on the vacuum chuck 15. Motors M and 19 which are connected via a 17 to rotate the substrate 13, and a photoresist nozzle on the substrate 13 to apply the photoresist 21 onto the substrate 13. 23). Accordingly, the conventional photosensitive liquid applying apparatus rotates the substrate 13 positioned on the vacuum chuck 15 at a constant speed by using the motor 19 and the arm 17 at a high speed. After the application of 21), a spin coating method is employed in which the photosensitive film is formed relatively uniformly on the substrate 13 using centrifugal force.
그런데, 상술한 종래의 감광액 도포 장치는 스핀 코팅 방법으로 감광액을 도포하기 때문에 기판 상에 형성되는 감광막의 두께 균일도가 낮고 이를 크게 향상시키기 어려운 단점이 있다. 특히, 기판의 크기가 커지는 상황에서는 감광막의 두께 균일도를 크게 향상시키는 것은 거의 불가능하다.However, the above-described conventional photoresist coating apparatus has a disadvantage in that the thickness uniformity of the photoresist film formed on the substrate is low and it is difficult to greatly improve it because the photoresist is applied by a spin coating method. In particular, in the situation where the size of the substrate becomes large, it is almost impossible to greatly improve the thickness uniformity of the photosensitive film.
또한, 종래 기술에 의한 감광액 도포 장치는 스핀 코팅 방법을 채용하기 때문에 감광액의 사용량이 많은 단점이 있다.In addition, the photosensitive liquid coating apparatus according to the prior art has a disadvantage in that the amount of the photosensitive liquid used is large because the spin coating method is employed.
또한, 종래 기술에 의한 감광액 도포 장치는 감광막을 형성한 후 기판의 배면을 린즈(rinse)해야 하는 단점이 있고, 또 기판의 엣지에 형성된 감광막을 노광하여 제거해야 하는 단점이 있다.In addition, the photoresist coating apparatus according to the prior art has a disadvantage in that the back surface of the substrate is rinsed after forming the photoresist film, and the photoresist film formed on the edge of the substrate is exposed and removed.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 감광막의 두께 균일도가 낮은 문제, 감광액의 사용량 증가 문제 등 상기 스핀 코팅 방법에 의한 감광액 도포시의 문제점을 해결할 수 있는 감광액 도포 장치를 제공하는 데 있다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a photosensitive liquid coating apparatus that can solve the problems of the photosensitive liquid coating by the spin coating method, such as the problem of low thickness uniformity of the photosensitive film, the increase in the amount of the photosensitive liquid used.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 감광액 도포장치를 이용하여 적합하게 감광막을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다.In addition, another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for forming a photosensitive film suitably by using the photosensitive liquid coating device.
도 1은 종래 기술에 의한 감광액 도포 장치를 설명하기 위한 개략도이다.1 is a schematic view for explaining a photosensitive liquid coating device according to the prior art.
도 2는 본 발명에 의한 감광액 도포 장치를 설명하기 위한 개략도이다.2 is a schematic view for explaining the photosensitive liquid applying apparatus according to the present invention.
도 3은 도 2의 내부 배스에 기판이 로딩된 상태를 도시한 도면이다.3 is a view illustrating a state in which a substrate is loaded in the inner bath of FIG. 2.
도 4는 본 발명에 의한 감광액 도포 장치를 이용한 감광막 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart for explaining a method of forming a photoresist film using the photoresist coating device according to the present invention.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 감광액 도포 장치는 대기로부터 밀폐시킬 수 있는 외부 배스(outer bath)를 포함한다. 상기 외부 배스 내에 상부는 개구부(opening)를 갖으며 상기 개구부와 인접한 양단부에는 기판을 로딩할 수 있는 홈을 갖고, 내부 공간에는 감광액이 채워진 내부 배스(inner bath)가 설치되어 있다. 그리고, 상기 감광액이 채워진 내부 배스 내에 위치하여 상기 감광액을 증발시킬 수 있는 압전소자를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, the photosensitive liquid applying apparatus of the present invention includes an outer bath that can be sealed from the atmosphere. An upper portion of the outer bath has an opening, and both ends adjacent to the opening have grooves for loading a substrate, and an inner bath filled with a photosensitive liquid is provided in the inner space. And a piezoelectric element capable of evaporating the photosensitive liquid by being placed in the inner bath filled with the photosensitive liquid.
상기 외부 배스의 일측에는 외부로부터 기판이 출입할 수 있는 출입구가 설치되어 있을 수 있다. 상기 외부 배스 내에 기판이 로딩되는 진공척과, 상기 진공척에 연결된 암과, 상기 암에 연결되어 상기 기판을 앞뒤, 상하 및 회전시킬 수 있는 암 구동수단을 구비할 수 있다. 상기 외부 배스의 일측에는 상기 내부 배스 내의 감광액이 증발되지 않도록 불활성 가스를 주입할 수 있는 가스 주입구가 설치되어 있을 수 있다.One side of the external bath may be provided with an entrance to the substrate from the outside. A vacuum chuck in which a substrate is loaded into the external bath, an arm connected to the vacuum chuck, and arm driving means connected to the arm to rotate the substrate back and forth, up and down, and rotate. One side of the outer bath may be provided with a gas inlet for injecting an inert gas so that the photosensitive liquid in the inner bath is not evaporated.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 감광막 형성 방법은 외부 배스의 진공척에 기판을 로딩한 후 상기 진공척에 연결된 암 구동수단으로 상기 기판을 180도 회전시켜 주표면이 아래로 감광액이 채워져 있는 내부 배스의 상단부에 위치시킨다. 이어서, 상기 감광액이 채워져 있는 내부 배스 내의 압전소자로 상기 감광액을 증발시켜 흄 형태로 상기 기판의 주표면 상에 감광막을 형성한다. 다음에, 상기 암 구동수단으로 상기 감광막이 형성된 기판을 상기 내부 배스로부터 이격시키고 다시 180도 회전시켜 주표면이 상방향으로 진공척에 위치시킨 후, 상기 감광막이 도포된 기판을 상기 외부 배스 내의 진공척에서 언로딩한다. 상기 기판의 로딩 단계에서부터 언로딩 단계까지 상기 내부 배스 내의 감광액이 증발되지 않도록 상기 외부 배스에 불활성 가스를 주입할 수 있다.In order to achieve the above technical problem, the method of forming the photosensitive film of the present invention loads a substrate on a vacuum chuck of an external bath and rotates the substrate 180 degrees by an arm driving means connected to the vacuum chuck so that the main surface of the photoresist is lowered. Place it on the top of the filled inner bath. Subsequently, the photoresist is evaporated with a piezoelectric element in an internal bath filled with the photoresist to form a photoresist film on the main surface of the substrate in the form of a fume. Next, with the arm drive means, the substrate on which the photoresist film is formed is spaced apart from the inner bath and rotated 180 degrees again so that the main surface is placed on the vacuum chuck in the upward direction, and then the substrate on which the photoresist film is applied is vacuum Unload from the chuck. Inert gas may be injected into the external bath so that the photosensitive liquid in the internal bath does not evaporate from the loading step to the unloading step of the substrate.
이상의 본 발명의 감광액 도포 장치를 이용한 감광막 형성 방법은 감광액을 증발시켜 흄형태로 감광액을 도포하기 때문에 기판 상에 형성되는 감광막의 두께 균일도를 크게 향상시킬 수 있다.The photosensitive film forming method using the photosensitive liquid applying apparatus of the present invention can greatly improve the thickness uniformity of the photosensitive film formed on the substrate because the photosensitive liquid is applied by evaporating the photosensitive liquid in the form of a fume.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; However, embodiments of the present invention illustrated below may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.
도 2는 본 발명에 의한 감광액 도포 장치를 설명하기 위한 개략도이고, 도 3은 도 2의 내부 배스에 기판이 로딩된 상태를 도시한 도면이다.FIG. 2 is a schematic view illustrating a photosensitive liquid applying apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a view illustrating a state in which a substrate is loaded in the inner bath of FIG. 2.
구체적으로, 본 발명에 의한 감광액 도포 장치는 외부의 대기로부터 밀폐되어 있는 외부 배스(51)와, 상기 외부 배스(51)의 일측에 기판(55), 예컨대 반도체 웨이퍼나 유리 기판이 출입할 수 있는 출입구(53)가 설치되어 있다. 상기 외부 배스(51)의 중앙 상부에는 상기 출입구(53)로부터 들어온 기판(55)을 진공을 이용하여 홀딩할 수 있는 진공척(57)과 상기 진공척(57)에 연결된 암(59)과, 상기 암(59)에 연결되어 상기 암(59)을 상하, 앞뒤 및 회전시킬 수 있는 암 구동수단(61)이 설치되어 있다. 상기 외부 배스(51)의 일측에는 상기 외부 배스(51) 내의 분위기를 조절할 수 있는 가스 주입구(63)가 설치되어 있고, 상기 외부 배스(51)의 바닥에는 상기 외부 배스 내의 가스를 배출할 수 있는 배기구(64)가 설치되어 있다.Specifically, the photosensitive liquid applying apparatus according to the present invention allows the substrate 55, for example, a semiconductor wafer or a glass substrate, to enter and exit from the external bath 51 that is sealed from the outside atmosphere and one side of the external bath 51. The entrance 53 is provided. A vacuum chuck 57 and an arm 59 connected to the vacuum chuck 57 capable of holding the substrate 55 coming from the entrance and exit 53 by using a vacuum at a central upper portion of the outer bath 51; Arm drive means 61 is connected to the arm 59 and is capable of rotating the arm 59 up, down, back and forth. One side of the external bath 51 is provided with a gas injection port 63 for adjusting the atmosphere in the external bath 51, the bottom of the external bath 51 can discharge the gas in the external bath An exhaust port 64 is provided.
상기 외부 배스(51) 내의 중앙부에는 지지대(65)에 의하여 지지되고 상단부에 개구부(66, opening)를 갖고 상기 개구부(66)와 인접한 양단부는 기판(55)이 위치할 수 있도록 홈(68), 예컨대 "L"자형의 홈(68)을 갖는 내부 배스(67)가 설치되어 있다. 특히, 상기 진공척(57)에 위치한 기판(55)은 도 3에 도시한 바와 같이 암 구동수단(61)을 이용하여 상기 기판(55)을 180도 회전시켜 상기 기판(55)의 주 표면이 아래로 향하도록 하여 개구부(66)의 "L"자형의 홈(68)에 위치시킬 수 있다. 상기 "L"자형의 홈(68)의 폭은 필요에 따라 조절할 있다. 상기 "L"자형의 홈(68) 아래에는 도면에는 표시되어 있지 않지만 진공을 이용하여 기판(55)을 홀딩할 수 있는 진공 포인트가 위치한다.In the center of the outer bath 51 is supported by a support (65) and has an opening (66) in the upper end and both ends adjacent to the opening 66, the groove 68, so that the substrate 55 can be located, For example, an internal bath 67 having an "L" shaped groove 68 is provided. In particular, the substrate 55 positioned on the vacuum chuck 57 rotates the substrate 55 by 180 degrees using the arm driving means 61 as shown in FIG. It can be positioned downward in the " L " groove 68 of the opening 66. As shown in FIG. The width of the "L" shaped groove 68 can be adjusted as needed. A vacuum point, which is not shown in the figure but under the "L" shaped groove 68, is capable of holding the substrate 55 using a vacuum.
상기 내부 배스(67)의 내부 공간은 감광액(69)이 채워져 있고, 상기 감광액(69)이 채워진 내부 배스(67) 내에는 상기 감광액(69)을 증발시킬 수 있는압전소자(71)가 설치되어 있다. 상기 내부 배스(67)의 외벽에는 상기 내부 배스의 온도를 조절할 수 있는 히터(75)가 설치되어 있다. 상기 압전 소자(71)은 상기 내부 배스(67) 내에 채워져 있는 감광액에 에너지를 전달하여 상기 감광액(69)을 증발시켜 기판(55)의 주표면이 아래로 향해 있는 기판(55) 상에 감광막을 형성할 수 있다. 상기 내부 배스(67)의 상부에 위치하는 기판(55)과 상기 내부 배스(67)에 채워진 감광액(69)의 표면 사이에 상기 감광액(69)이 증발할 때 감광액의 굵은 입자를 걸러주는 필터(73)가 설치되어 있다. 상기 외부 배스(51)의 일측에 설치된 가스 주입구(63)를 통하여 불활성 가스를 주입하여 상기 내부 배스(67) 내의 감광액(69)이 증발되지 않도록 할 수 있다.The inner space of the inner bath 67 is filled with a photosensitive liquid 69, and a piezoelectric element 71 capable of evaporating the photosensitive liquid 69 is provided in the inner bath 67 filled with the photosensitive liquid 69. have. The outer wall of the inner bath 67 is provided with a heater 75 that can adjust the temperature of the inner bath. The piezoelectric element 71 transfers energy to the photosensitive liquid filled in the inner bath 67 to evaporate the photosensitive liquid 69 to form a photoresist film on the substrate 55 with the main surface of the substrate 55 facing downward. Can be formed. A filter for filtering coarse particles of the photosensitive liquid when the photosensitive liquid 69 evaporates between the substrate 55 positioned above the inner bath 67 and the surface of the photosensitive liquid 69 filled in the inner bath 67 ( 73) is installed. An inert gas may be injected through the gas injection port 63 installed at one side of the external bath 51 to prevent the photosensitive liquid 69 in the internal bath 67 from evaporating.
다음에는, 본 발명의 감광액 도포 장치를 이용하여 기판 상에 감광막을 형성하는 방법을 도 2 내지 도 4를 이용하여 설명한다.Next, the method of forming a photosensitive film on a board | substrate using the photosensitive liquid application apparatus of this invention is demonstrated using FIGS.
도 4는 본 발명에 의한 감광액 도포 장치를 이용한 감광막 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart for explaining a method of forming a photoresist film using the photoresist coating device according to the present invention.
먼저, 통상의 로딩 및 언로딩 수단과 도 2의 출입구(53)를 통하여 기판(55)의 주표면을 상방향으로 하면서 기판(55)을 외부 배스(51) 내의 진공척(57)에 로딩한다(스텝 100). 물론, 기판(55)이 진공척(57)에 로딩된 다음에는 출입구(53)를 닫아 외부 배스(51)를 밀폐시킨다.First, the substrate 55 is loaded onto the vacuum chuck 57 in the outer bath 51 while the main surface of the substrate 55 faces upward through normal loading and unloading means and the entrance and exit 53 of FIG. 2. (Step 100). Of course, after the substrate 55 is loaded on the vacuum chuck 57, the entrance 53 is closed to seal the external bath 51.
다음에, 상기 진공척(57)에 위치한 기판(55)의 주표면을 암 구동수단(61)을 이용하여 감광액(69)이 충진된 내부 배스(67)의 상부에 위치시킨다. 즉, 내부 배스(67)의 상부의 "L"자형의 홈(68)에 기판(55)의 주표면이 아래로 되게 위치시킨다(스텝 110). 이렇게 기판(55)을 180도 회전시켜 주표면이 아래로 된 상태에서 후에 감광액을 도포할 경우 종래와 같이 기판(55)의 배면을 린즈(rinse)하지 않아도 된다. 그리고, 상기 "L"자형의 홈(68)의 폭을 조절하면 후의 감광막을 형성한 후에 종래와 같이 기판(55)의 엣지에 형성된 감광막을 노광하여 제거하지 않아도 된다.Next, the main surface of the substrate 55 positioned on the vacuum chuck 57 is positioned on the upper part of the inner bath 67 filled with the photosensitive liquid 69 using the arm driving means 61. That is, the main surface of the substrate 55 is placed downward in the "L" shaped groove 68 on the upper part of the inner bath 67 (step 110). When the substrate 55 is rotated 180 degrees in such a manner that the photoresist is applied later while the main surface is turned down, the back surface of the substrate 55 does not need to be rinsed as in the related art. When the width of the "L" shaped groove 68 is adjusted, the photosensitive film formed on the edge of the substrate 55 does not need to be exposed and removed after forming the subsequent photosensitive film.
다음에, 내부 배스(67)의 감광액 내에 위치하는 압전 소자(71)로 감광액을 증발시켜 흄형태로 상기 기판(55)의 주표면 상에 감광액(69)을 도포한다(스텝 120). 이렇게 감광액을 증발시켜 흄형태로 감광액을 도포하면 기판 상에 형성되는 감광막의 두께 균일도는 크게 향상시킬 수 있고, 종래기술에 비해 감광액의 사용량을 크게 줄일 수 있다. 예를 들어, 종래의 스핀 코팅 방법을 채용하여 감광막을 형성할 경우 8인치 웨이퍼에 기준으로 2.0cc 정도 소요되나 본 발명의 감광액 도포 장치를 채용할 경우 0.25cc 정도 사용하여 감광막을 형성할 수 있다.Next, the photosensitive liquid is evaporated with a piezoelectric element 71 positioned in the photosensitive liquid of the inner bath 67 to apply the photosensitive liquid 69 on the main surface of the substrate 55 in the form of a fume (step 120). When the photosensitive liquid is evaporated and coated in the form of a fume in this manner, the thickness uniformity of the photosensitive film formed on the substrate can be greatly improved, and the amount of the photosensitive liquid used can be greatly reduced as compared with the prior art. For example, when the photoresist film is formed by using the conventional spin coating method, the photoresist film may be formed using about 0.25 cc when the photoresist coating device of the present invention is used.
물론, 상기 감광액 도포시 상기 내부 배스(67)의 온도는 히터(75)를 이용하여 조절한다. 그리고, 상기 기판(55) 로딩부터 후의 기판 언로딩 단계까지 외부 배스(51) 및 내부 배스(67)의 분위기는 가스 주입구(63)로 들어오는 불활성 가스, 예컨대 질소나 아르곤 가스를 이용하여 상기 감광액이 성분들이 변하지 않게 조절한다.Of course, the temperature of the inner bath 67 is adjusted using the heater 75 when the photosensitive liquid is applied. In addition, the atmosphere of the external bath 51 and the internal bath 67 from the loading of the substrate 55 to the subsequent unloading of the substrate is controlled using an inert gas, for example, nitrogen or argon gas, which enters the gas inlet 63. Adjust the components so that they do not change.
계속하여, 암 구동수단(61)을 이용하여 감광액(69)이 도포된 기판(55)을 내부 배스(67)로부터 이격시킨 다음 기판(55)을 다시 180도 회전시켜 기판(55)의 주표면을 상방향으로 위치시킨다. 즉, 기판(55)을 처음 로딩된 상태로 위치시킨다(스텝 130).Subsequently, the substrate 55 to which the photosensitive liquid 69 is applied is spaced apart from the internal bath 67 by using the arm driving means 61, and then the substrate 55 is rotated 180 degrees again to rotate the main surface of the substrate 55. Position upwards. That is, the substrate 55 is placed in the first loaded state (step 130).
다음에, 상기 감광액(69)이 도포된 기판을 통상의 로딩 및 언로딩 수단을 이용하여 외부 배스(51) 내의 진공척(57)에서 외부로 언로딩한다(스텝 140).Next, the substrate to which the photosensitive liquid 69 is applied is unloaded to the outside from the vacuum chuck 57 in the outer bath 51 by using normal loading and unloading means (step 140).
상술한 바와 같이 본 발명의 감광액 도포 장치를 이용한 감광막 형성 방법은 감광액을 증발시켜 흄형태로 감광액을 도포하기 때문에 기판 상에 형성되는 감광막의 두께 균일도를 크게 향상시킬 수 있다.As described above, the photosensitive film forming method using the photosensitive liquid coating apparatus of the present invention can greatly improve the thickness uniformity of the photosensitive film formed on the substrate because the photosensitive liquid is applied by evaporating the photosensitive liquid in the form of a fume.
본 발명에 의한 감광액 도포 장치는 종래와 다르게 스핀 코팅 방법을 채용하지 않기 때문에 감광액의 사용량을 크게 줄일 수 있다.Since the photosensitive liquid applying apparatus according to the present invention does not employ a spin coating method unlike the conventional art, the amount of the photosensitive liquid used can be greatly reduced.
본 발명의 감광액 도포 장치를 이용한 감광막 형성 방법은 내부 배스의 "L"자형의 홈에 기판을 180도 회전시켜 주표면이 아래로 된 상태에서 감광액을 도포하기 때문에 종래와 같이 기판의 배면을 린즈(rinse)하지 않아도 되는 장점이 있다.In the photosensitive film forming method using the photosensitive liquid applying apparatus of the present invention, the photosensitive liquid is applied by rotating the substrate 180 degrees in the "L" shaped groove of the inner bath to apply the photosensitive liquid in a state where the main surface is down. There is an advantage that does not need to rinse.
그리고, 본 발명의 감광액 도포 장치는 내부 배스의 "L"자형의 홈의 폭을 조절할 수 있기 때문에 종래와 같이 기판의 엣지에 형성된 감광막을 노광하여 제거하지 않아도 되는 장점이 있다.In addition, since the photoresist coating apparatus of the present invention can adjust the width of the "L" shaped groove of the inner bath, there is an advantage that the photosensitive film formed on the edge of the substrate does not need to be exposed and removed as in the prior art.
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