JP4245438B2 - 炭素薄膜ならびにそれを用いた電界放出電子源および作用電極 - Google Patents
炭素薄膜ならびにそれを用いた電界放出電子源および作用電極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4245438B2 JP4245438B2 JP2003290291A JP2003290291A JP4245438B2 JP 4245438 B2 JP4245438 B2 JP 4245438B2 JP 2003290291 A JP2003290291 A JP 2003290291A JP 2003290291 A JP2003290291 A JP 2003290291A JP 4245438 B2 JP4245438 B2 JP 4245438B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- carbon thin
- film
- carbon
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 203
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims description 137
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 110
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 24
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 19
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021387 carbon allotrope Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 5
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 3
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000000144 pharmacologic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 DLC Substances 0.000 description 1
- 108020004414 DNA Proteins 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000427 antigen Substances 0.000 description 1
- 102000036639 antigens Human genes 0.000 description 1
- 108091007433 antigens Proteins 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000033310 detection of chemical stimulus Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
本発明の炭素薄膜の製造方法は、酸化膜を形成する工程(A)と、アセチレンを原料ガスとした化学的気相成長法により、前記酸化膜上にグラフェンを含む炭素薄膜であって、前記グラフェンは、前記炭素薄膜の表面付近において、端部が前記表面から露出するように前記炭素薄膜中で配向している炭素薄膜を成長させる工程(B)とを包含する。
図1(a)は、本発明による炭素薄膜が形成された基板を模式的に示している。図1(a)に示すように、ガラス基板等の基板4の上にNbからなる電極3が設けられ、電極3の上にアルミナ膜2が設けられている。炭素薄膜1は、アルミナ膜2を被覆するように形成されている。
図6(a)は、第2の実施形態による炭素薄膜11が形成された基板を模式的に示している。本実施形態では、ガラス基板等の基板14の上に、Nbを用いて形成された電極13が設けられ、電極13の上に直径約10nmの細孔(以下ナノホールと呼ぶ)15を持つ多孔質構造のアルミナ膜12が設けられている。炭素薄膜11は、アルミナ膜12を被覆するように形成されている。
まず、図7(a)に示すように、ガラス基板等の基板14に、たとえば電子ビーム蒸着法により、厚さが250nm程度のNbからなる電極3を形成する。電極は、図1を参照しながら例示したような導電性材料を、基板表面に付与することによって形成すればよく、導電性材料の付与方法として、スパッタリング法、メッキ等の公知の薄膜形成方法等を用いることもできる。また、基板14として絶縁性のシリコン基板を用いる場合には、シリコン基板に不純物を導入することにより、基板表面に電極13を形成することもできる。電極の好適な厚さは、陽極酸化しようとするアルミニウムの厚さや電極に用いる導電性材料の電気抵抗等により異なるが、典型的には50nm以上500nm以下である。
1A グラファイト
1a グラフェン
1E 端部
1S 主表面
2、12 アルミナ
3、13 電極
4、14 基板
12a アルミニウム
15 ナノホール
Claims (4)
- グラフェンを含む炭素薄膜であって、
前記炭素薄膜の主表面において、前記グラフェンの端部が前記主表面の方向へ向き、端部が露出するように前記グラフェンが炭素薄膜の主表面近傍において配向しており、
前記炭素薄膜は、アルミニウムの陽極酸化により形成されるバリア層を表面に有するアルミナ膜上に設けられている、炭素薄膜。 - 請求項1に規定される炭素薄膜を電子放出部に用いた電子源。
- 請求項1に規定される炭素薄膜を含む作用電極。
- 基板上にアルミニウム膜を形成する工程と、
前記アルミニウム膜を陽極酸化することにより、実質的に多孔質構造を含まないバリア層のみを有するアルミニウム酸化膜を形成する工程と、
アセチレンを原料ガスとした化学的気相成長法により、前記アルミニウム酸化膜上にグラフェンを含む炭素薄膜であって、前記グラフェンは、前記炭素薄膜の表面付近において、端部が前記表面から露出するように前記炭素薄膜中で配向している炭素薄膜を成長させる工程と、
を包含する炭素薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003290291A JP4245438B2 (ja) | 2003-08-08 | 2003-08-08 | 炭素薄膜ならびにそれを用いた電界放出電子源および作用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003290291A JP4245438B2 (ja) | 2003-08-08 | 2003-08-08 | 炭素薄膜ならびにそれを用いた電界放出電子源および作用電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005060146A JP2005060146A (ja) | 2005-03-10 |
JP4245438B2 true JP4245438B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
ID=34368364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003290291A Expired - Fee Related JP4245438B2 (ja) | 2003-08-08 | 2003-08-08 | 炭素薄膜ならびにそれを用いた電界放出電子源および作用電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4245438B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016028951A (ja) * | 2009-12-17 | 2016-03-03 | コンパニー ゼネラール デ エタブリッスマン ミシュラン | ホイールの電気的動力化システム |
JP2016047720A (ja) * | 2009-12-17 | 2016-04-07 | コンパニー ゼネラール デ エタブリッスマン ミシュラン | 懸架装置に連結された車輪を動力化するシステム |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5145496B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2013-02-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭素ナノ構造体の製造方法 |
JP4804272B2 (ja) * | 2006-08-26 | 2011-11-02 | 正義 梅野 | 単結晶グラファイト膜の製造方法 |
JP5096713B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2012-12-12 | 三菱レイヨン株式会社 | 表面カーボン被覆したナノサイズの凹凸を有する透明導電性樹脂成形体およびその製造方法 |
GB201000743D0 (en) * | 2010-01-18 | 2010-03-03 | Univ Manchester | Graphene polymer composite |
JP4967034B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2012-07-04 | 株式会社日立製作所 | グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置 |
US8946903B2 (en) | 2010-07-09 | 2015-02-03 | Micron Technology, Inc. | Electrically conductive laminate structure containing graphene region |
JP2012020915A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Masayoshi Umeno | 透明導電膜の形成方法及び透明導電膜 |
KR101271951B1 (ko) * | 2011-05-27 | 2013-06-07 | 포항공과대학교 산학협력단 | 탄소 박막 제조 방법 |
KR101260437B1 (ko) | 2011-08-24 | 2013-05-02 | 삼성전자주식회사 | 그래핀을 이용한 플라즈마 장치 및 이의 제조방법 |
CN109855768B (zh) * | 2019-02-22 | 2020-10-16 | 清华大学 | 一种基于石墨烯的传感装置及其制备方法、使用方法 |
WO2024111455A1 (ja) * | 2022-11-21 | 2024-05-30 | 日東電工株式会社 | 電極および電気化学測定システム |
-
2003
- 2003-08-08 JP JP2003290291A patent/JP4245438B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016028951A (ja) * | 2009-12-17 | 2016-03-03 | コンパニー ゼネラール デ エタブリッスマン ミシュラン | ホイールの電気的動力化システム |
JP2016047720A (ja) * | 2009-12-17 | 2016-04-07 | コンパニー ゼネラール デ エタブリッスマン ミシュラン | 懸架装置に連結された車輪を動力化するシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005060146A (ja) | 2005-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Jeong et al. | Template-based carbon nanotubes and their application to a field emitter | |
Lan et al. | Physics and applications of aligned carbon nanotubes | |
Davydov et al. | Field emitters based on porous aluminum oxide templates | |
Zhou et al. | Materials science of carbon nanotubes: fabrication, integration, and properties of macroscopic structures of carbon nanotubes | |
US6525461B1 (en) | Narrow titanium-containing wire, process for producing narrow titanium-containing wire, structure, and electron-emitting device | |
JP4245438B2 (ja) | 炭素薄膜ならびにそれを用いた電界放出電子源および作用電極 | |
Yu et al. | Diamond nanowires: fabrication, structure, properties, and applications | |
US20030143398A1 (en) | Carbon nanotube and method for producing the same, electron source and method for producing the same, and display | |
US7618300B2 (en) | Method of synthesizing small-diameter carbon nanotubes with electron field emission properties | |
JPH11194134A (ja) | カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子 | |
Chattopadhyay et al. | Nanotips: growth, model, and applications | |
JPH1012124A (ja) | 電子放出素子およびその製造方法 | |
JP2005005266A (ja) | ナノ構造体を含む電界放出アレイの製造方法 | |
EP0913850B1 (en) | Narrow titanium-containing wire, process for producing narrow titanium-containing wire, structure, and electron-emitting device | |
Gupta et al. | Field emission properties of highly ordered low-aspect ratio carbon nanocup arrays | |
Yin et al. | Postgrowth processing of carbon nanotube arrays-enabling new functionalities and applications | |
Lee et al. | Uniform field emission from aligned carbon nanotubes prepared by CO disproportionation | |
Magdesieva et al. | Electrochemical characterization of mesoporous nanographite films | |
JP2004243477A (ja) | 炭素質ナノ構造体の製造方法、炭素質ナノ構造体及びそれを用いた電子源 | |
JP2005059135A (ja) | カーボンナノチューブを用いたデバイス及びその製造方法 | |
US10858746B2 (en) | Method of manufacturing graphene by DC switching | |
Li et al. | Uniform arrays of carbon nanotubes applied in the field emission devices | |
JP2004277201A (ja) | カーボンナノチューブ | |
Yu et al. | Diamond nanowires: theoretical simulation and experiments | |
Neupane et al. | Carbon nanotube arrays: synthesis, properties, and applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080502 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |