JP4234220B2 - 振動検出システム - Google Patents

振動検出システム Download PDF

Info

Publication number
JP4234220B2
JP4234220B2 JP02889298A JP2889298A JP4234220B2 JP 4234220 B2 JP4234220 B2 JP 4234220B2 JP 02889298 A JP02889298 A JP 02889298A JP 2889298 A JP2889298 A JP 2889298A JP 4234220 B2 JP4234220 B2 JP 4234220B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light beam
detector
vibration
transparent
motion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP02889298A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10227611A (ja
Inventor
ビー.ジャクソン ウォーレン
エイチ.イム マーク
エー.ベルリン アンドリュー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xerox Corp
Original Assignee
Xerox Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xerox Corp filed Critical Xerox Corp
Publication of JPH10227611A publication Critical patent/JPH10227611A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4234220B2 publication Critical patent/JP4234220B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/1016Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising transparent or semitransparent devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/041Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
    • H01L25/043Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02016Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02024Position sensitive and lateral effect photodetectors; Quadrant photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/105Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
    • H01L31/1055Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type the devices comprising amorphous materials of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Vibration Prevention Devices (AREA)
  • Accessory Devices And Overall Control Thereof (AREA)
  • Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ほぼ透明又は半透明の光検出器を用いて光ビームの動きをモニタするシステムに関する。より詳細には、本発明は複数の透明な検出器を用いて振動をモニタすることができる検出器システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
メーター規模の寸法を有する構造物の過渡的な振動による動き、並進的な動き又はねじりによる動きの正確で低コストのモニタリングは、多くの用途に有用である。特に重要なのは、ゼログラフィック(電子写真)プリンタ、レーザプリンタ又はインクジェットプリンタを含むプリンタの振動による動きのモニタリングであり、この振動による動きの範囲は高周波数音響屈曲モード(10〜20kHz)からサブHz(1Hz未満)の反復又は過渡的な機械的屈曲にわたる。振動の測定は、機械の破損、機械の摩耗のモニタリング(例えば予知保全モニタリング)、又は特徴的な振動特性に基づいた故障した構成要素の識別でさえも含むことができる。ある種の用途においては、構造物の動き又は振動を測定することにより、張力、慣性又は音響ベースの振動抑制技術又はノイズ除去技術をアクティブな振動制御システムの一部として実施することができる。
【0003】
このようなシステムに使用する振動又は過渡的な屈曲センサは一般に、信頼でき、正確であり、電力要求が少ないことが必要である。従来では、取り付けられる抵抗線ひずみゲージ又は干渉計検出システムは構造部材の低周波数又は断続的な機械的屈曲を検出するのに使用されている。あいにく、このようなシステムは一般にコストが高く、構造部材と検出器との間で信頼性のある結合を確実にするのが困難であり、高周波数の振動又は他の干渉のために測定値が信頼性のないものになりやすい。特に抵抗線ひずみゲージは、抵抗線ひずみゲージとの結合によって屈曲特性が非線形に変わりうる比較的小さな構造部材に結合された場合はとりわけ、熱及び結合の影響によって較正が困難になる可能性がある。
【0004】
反対に、音響マイクロホンベースのシステムは、低周波数において感度が比較的低いため、高周波数の音響ノイズの測定では抵抗線ひずみゲージよりも適しているが、音響マイクロホンは広範囲の周波数にわたる振動測定に対する最適の解決法を提供しない。より最近になって、マイクロ機械加工か又はマイクロ製造された振動センサを振動の検出に試用している。例えば、スプリングのたわみ、圧縮又は伸長を測定可能な時間領域電気信号に変える質量及びスプリングシステムを構成するエッチングされた半導体の梁、重み付き片持梁又は動くことが可能なダイヤフラムに基づいたマイクロセンサが製造されている。結合されたピエゾ抵抗器、圧電材料を用いて電気信号を生成するか、あるいはキャパシタンスを変えることによって電気信号を変調する。あいにく、音響マイクロホンのように、このようなスプリングタイプの梁又は片持梁デバイスにおける振動の周波数帯域幅は制限されており、スプリング応答の非線形性が著しいために測定が一次共振周波数未満に制限されてしまうことがしばしばである。この問題は高振動周波数において特に顕著であり、大きな振動の周波数帯域幅を測定する際にセンサの全体的な有効性が低下してしまう。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、新規の部分的に透明な光ビーム検出器を用いて、構造部材の振動による動き、平行な動き、ねじりによる動き、屈曲した動き又は他の動きを測定する新規のシステムを提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
とりわけ好適である部分的に透明な光ビーム検出器は、光ビームを通すことができる複数の透明又は部分的に透明の層を含む位置感知検出器(PSD)であり、通常はPSDに入る光(即ち、測定される光強度)のうちの半分より多くがPSDから出ることができる。これらの層は、エッジに取り付けられた電極を有するp−i−n検出器か又は適切にドープされたアモルファスシリコン層を含むことができるが、これらに限定されない。従来及び本明細書中に定義されるような位置感知検出器は、光ビーム位置の重心を示す2つの電気信号を生成する側方効果光センサ(lateral effect light sensor)を含む。本発明による部分的に透明なPSDは、単独で又は組み合わせて、光ビームの位置に関する1、2又は3次元の情報を提供することができる。
【0007】
あるいは、透明な光ビーム検出器は、透明な光ダイオードの密集したグループ、又は十分に透明なCCDイメージングセンサを含むことができる。更に、本発明によるPSD又は他の透明な光ビーム検出器を、部分的に反射する層を有するように変更して、検出前に光ビームの一部の方向を変えることができる。透明、半反射及び従来の不透明な光ビーム検出器の組み合わせも本発明の範囲内であると考えられ、これにより、単一の光ビームを用いて光ビームの位置を測定する多様な光学構成が可能になる。
【0008】
秒単位のタイムスケールを有する遅い動きから、高周波数の10kHz又はこれよりも大きな音響測定値まで、広範囲の周波数にわたった相対的な光ビームの動きを測定することができる。本発明は、レーザビームか又は高度に集束された光ビームによって提供できるような、光ビームを生成する定方向光源を含む。第1の構造部材に取り付けられる第1の部分的に透明な光ビーム検出器(例えば、透明なPSD)と交差するように光ビームを送り、第1の部分的に透明な光ビーム検出器によって光ビームの少なくとも一部が検出器から出ることができる。光ビーム検出器は第1の構造部材に取り付けられるため、第1の部分的に透明な光ビーム検出器に対する検出された光ビームの動きは第1の構造部材の動きに対応する。構造部材の動きの複数の測定を可能にするために、第2の光ビーム検出器を第2の構造部材に取り付けて第1の部分的に透明な光ビーム検出器から出た光を捕らえる。第2の光ビーム検出器に対する検出された光ビームの動きは、第2の構造部材の動きに対応する。後で理解されるように、第1及び第2の構造部材は一体的なもの(例えば、複数の検出器を支持する単一の柔軟な梁又はパネル)でもよいし、固定可能か又は動くことが可能な継手によって結合されたもの(例えば、各梁が検出器を支持するリンクされた梁構造物)でもよいし、又は互いから機械的に離れていてもよい。
【0009】
検出された光ビームの1、2又は3次元の動きを追跡することにより、広範囲の周波数にわたる構造部材の屈曲又は振動を決定することができる。都合のよいことに、部分的に透明な光ビーム検出器を使用することによって、複数の検出器を梁、側壁又は他の構造部材に沿って一線上にスタックすることができ、全ての検出器が同一の定方向光源を使用して構造部材の動きを決定することができる。例えば、(大きな金属プレート又はドラムに似た屈曲及び音響特性を有する)大型プリンタの側壁に、線形に配列した多数の光ビーム検出器を設けることができる。単一の光源のみを用いて複数線上の検出器を動作させることを可能にする適切なビーム屈曲、スプリット及び走査技術を使用して、いずれかの線上の部分的に透明な検出器を通過するように単一のレーザビームを送り、検出器を取り付けた側壁の望ましくない振動を測定することができる。この測定された振動データを用いて、プリンタの振動及びノイズを大幅に低減するように振動又はノイズ除去技術を使用することができる。
【0010】
都合のよいことに、本発明は、引っ張られた状態に維持される構造部材及び前述の梁、プレート又はシェルタイプの構造部材における振動のモニタリング及び補正を可能にする。例えば、いくつかのゼログラフィックプリンタシステムにおいて、望ましくない機械的振動を受けやすい電極ワイヤ又はリボンがドナーロールと潜像との間に位置されてトナーの粉末雲を形成し、潜像を現像する。本発明による光ビーム検出器システムを使用して電極ワイヤの振動モードをモニタし、適切な振動減衰制御システムに入力を供給することができる。電極ワイヤの機械的振動を除去する1つの可能な制御システムは、磁石を電極リボンに隣接して配置し、低周波数のACを用いて電極ワイヤを通過させ、ACと磁場の相互作用からワイヤに作用する電磁力を用いて振動を抑えることによって提供可能である。
【0011】
プリンタなどのメートル又はサブメートル規模の用途の他に、メートル又は百メートル単位で測定される長さ寸法を有する、振動するか又は屈曲する大規模な構造部材を本発明に従って測定することができる。例えば、建築物又は他の大きな構造物におけるバインド線、柱又は梁を本発明に従ってモニタすることができる。必要であれば、適切に設計されたか又は変更された屈曲又は振動制御システムを使用して、望ましくない構造物の動きを抑えることができる。これにより、風や地面の動きに関連して生じうる大規模な動きによる建築物の望ましくない振動又は屈曲をモニタし、これを補正することができる。
【0014】
本発明の請求項1の態様は、振動検出システムであって、振動を受けやすい構造部材と、光ビームの位置に対応する信号を生成する複数の光ビーム検出器であって、前記複数の光ビーム検出器は、前記振動を受けやすい構造部材に取り付けられ、光ビームが通過できるように位置される少なくとも2つの部分的に透明な光ビーム検出器を含み、前記部分的に透明な光ビーム検出器に対する光ビームの相対的な検出された動きが前記振動を受けやすい構造部材の動きに対応する、複数の光ビーム検出器と、前記複数の光ビーム検出器に接続されると共に、前記振動を受けやすい構造部材に取り付けられ、前記複数の光ビーム検出器によって検出される振動を抑制する、振動抑制ユニットと、を含む。
【0015】
本発明の更なる機能、目的、有利な点及び特徴は、以下の好適な実施の形態の説明及び図面を考慮して明らかになるであろう。
【0016】
【発明の実施の形態】
構造部材の動きをモニタし、必要に応じて制御するシステム10が図1に示される。構造部材は垂直に延びる梁12(破線の外郭線)で表される。梁12はベースにおいて基板14と結合しており、これは、風によって誘発される動き、地面の動き、過渡的なショック振動、機械的又は音響的に結合された振動デバイス又は機構によって誘発される振動、あるいは誘発される音響振動によって生じうるような異なるねじりによる動き又は屈曲した動きを被りやすい。梁12の実線の外郭線は、動いた後に生じうる梁の(非常に誇張した形の)瞬時の位置を表している。理解されるように、梁12は、これらに限定されないが、柱、片持梁、支持される梁、横木、プレート、シェル、バインド線、リボン、メッシュ、火格子、応力コンクリートを含む、張力、屈曲、振動、ショック又は圧縮を受けやすい広範囲の構造部材、又は固定可能かもしくは動くことが可能なデバイス用の他の従来の構造部材を表すものと意図される。本発明の目的のために、構造部材という用語はまた、溶接、ピン、ラミネーション、接着剤、すべり継手、ピボット継手、玉継手、又は互いに対して動くことができないかもしくは動くことができる構造部材を保持する他の従来の結束機構を組み合わせることによって維持される前述の構造部材の組み合わせまで拡張されるものとして考慮する。
【0017】
梁の動きを検出するシステム10は、レーザ、集束された非干渉性光源又は集束された発光ダイオードなどによって提供できるような定方向光源30を含む。放出された光ビームは通常は光学周波数におけるものであるが、赤外線、紫外線又は他の好適な周波数における光を用いてもよい。定方向光源30は既知の固定位置において中実(ソリッド)基板18に取り付けられ、基板14及び梁12に対して相対的に動かないことが好ましい。図1にみられるように、光源30は、垂直に延びる梁12に隣接してこれにほぼ平行になるように光ビーム32を垂直方向に送る。固定された定方向光源30に対する梁12の動きを検出するために、スタックされた光ビーム位置検出システム20を用いる。複数の部分的に透明な光ビーム検出器22(及び単一の終端の不透明な光ビーム検出器24)は、垂直線上において梁12に取り付けられる。部分的に透明な光ビーム検出器22の各々によって光ビームのうちの少なくとも一部が検出器から出ることができ、検出器から出なかった各検出器22内の光ビーム32の残りは、各検出器において1、2又は3次元の光ビーム位置を表すデジタル又はアナログ信号に変換される。最良の結果を生じるために、入射光の約1/Nを捕らえるように検出器22の透明度を調節することができる(ここで、Nはスタックされた検出器の数である)。しかし、感度が適度に高く、少数のスタックされた検出器を使用する場合では、光の50%を捕らえる検出器を使用することができる。
【0018】
検出器22によって生成された信号は検出制御ユニット34に送られ、このユニット34は受け取った全ての信号を積分して解釈及び分析を行い、必要に応じて動き制御ユニット38に転送することができる。検出制御ユニット34は従来の構造が可能であり、当業者によって理解されるようにワイヤレストランシーバー、アナログ/デジタル変換器、信号処理ハードウェア、及び汎用コンピュータ又はカスタムデザインのボードを含み、検出器22から受け取った信号を分析することができる。
【0019】
図1に示すように、動き制御ユニット38は梁の動きを示す検出制御ユニット34から信号を受け取ることができる。これに応答して、動き制御ユニット38は梁12に取り付けられた複数の動きコントローラ39に信号を送り、選択された力を付与して望ましくない動きを中和するか、減衰するか又は他の方法で最小にする(そしてもちろん、必要であれば動きを選択的に強める)ことができる。動きコントローラ39は、これらに限定されないが、質量を変える慣性コントローラ、スプリングもしくは張力コントローラ、収縮ワイヤ、ファイバーもしくはストリップ、電磁石もしくは静電コントローラ、又は動きを抑えるかもしくは動きを強める力を梁12にアクティブに付与する当業者に既知のあらゆる他の適切な機構もしくはアクチュエータを含むことができる。
【0020】
都合のよいことに、システム10により、単一の参照光ビーム32のみを用いて、部分的に透明な光ビーム検出器の各々に対する光ビーム32の見かけの検出された動きを、梁12に隣接して取り付けられた部分の対応する実際の動きと関連させることができる。光ビームの絶対的又は実際の位置は少なくとも1又は2次元において既知であり、測定された光ビームの動きと梁12の実際の動きとの間の関係はほぼ線形であるため、各検出器の取り付け位置における梁の絶対的な動きを当業者に既知の従来の手順によって容易に決定することができる。理解されるように、高光透過率の検出器(例えば、通常90〜95%の光透過率)と共に十分に強力な光源を使用することにより、単一の光ビームの動きを測定する多数のスタックされた検出器を用いて梁の動きの測定値の精度を高めることができる。
【0021】
構造部材の動きを検出し、必要に応じて制御する本発明の1つの例示的な実施が図2に示されている。図2は、複数の振動誘発構成要素を有するプリンタシステム40を部分的に切り取った斜視図で示している。プリンタシステムのベルト、ローラ、ラチェット機構、往復動アーム又は他の従来の動き構成要素の動きによって振動を誘発する場合がある。本発明の実施の形態に示されるプリンタシステム40は、例えば、ゼロックス社(Xerox Corp.)に譲渡され、開示内容が本文中に援用されて本発明の一部とする米国特許第5,321,474号に開示されるゼログラフィックプリンタを変更したものである。しかし、理解されるように、これらに限定されないが、サーマルインクジェットプリンタ、連続式インクジェットプリンタ、ラスタ出力走査レーザプリンタ、又はオフセットもしくはリソグラフィックプリンタを含む広範囲のプリントシステムにおいて本発明を使用することができる。
【0022】
図2に示されるように、プリンタシステム40は、パネル51の内部(破線52で示される)に取り付けられる振動検出及び抑制ユニット50を有する。ユニット50はレーザ光ビーム源58を含み、これはパネルに沿って分布する多数の部分的に透明な光ビーム検出器54を通過するように光ビーム59を方向づける。示される実施の形態では、ビームスプリッタ55及びミラー57を用いて、レーザ光ビーム源58の直線上にない検出器54に光ビーム59を再び方向づける。しかし、当業者によって理解されるように、光スキャナー、ポリゴンスキャナー、ファイバー光学系又はプリズムを含む他の光ビーム再配向又は屈曲システムを使用してもよい。いくつかの用途では、光を屈折させ、ビームを再び方向づけて通過させることができる検出器のデザインが考慮される(例えば、プリズム検出器)。(例えば、1次元検出器に関連して)光スポット位置ではなく光エッジ位置に関する情報が適切である場合は、様々な光ディフューザ又はスプレッダを使用することもできる。
【0023】
各検出器54は、パネルの振動を減衰するのに用いることができる動きコントローラ56に結合している。コントローラ56及び検出器54は検出及び制御ユニット44に接続されており、これは検出器54から受け取った信号を積分してパネル51内の振動を減衰する制御ストラテジーを決定し、これを実施する。図2に示されるように、検出器54及びコントローラ56を検出及び制御ユニット44に配線接続することができる。あるいは、例えばニアフィールド(near field)の無線又は赤外線伝送によって可能であるようなワイヤレス機構によって、検出器からの信号取得又はコントローラへの信号分配を行うことができる。バスベースの電気システム、光学ファイバーベースのシステム、音響伝送システム又はあらゆる他の従来のデータ転送スキームを含む他の伝送システムも使用することができる。集中化した検出及び制御ユニットが図2に示されているが、様々な分散化又は階層型検出及び制御スキームも本発明の範囲内に入ると考えられる。
【0024】
また、図2及び図3は、図2のパネル61の後ろに位置される他の振動減衰システム60を示している。図3の略平面図にみられるシステム60はドナーロール62を含み、これに沿って電極リボン64が延びている。開示内容が本文中に援用されて本発明の一部とする米国特許第5,321,474号に述べられるように、引っ張られた状態に維持される電極リボン又はワイヤはプリンタの振動に応答して振動する傾向があり、これはプリンタの現像においてばらつきを生じる。前述の米国特許第5,321,474号に述べられるような適切な電磁石制御によってこのような振動を減衰することができるが、最も優れた振動の減衰を生じるには高品質の振動検出システムが必要である。本発明に従って、及び図3に関連して最も良く理解されるように、本発明は振動検出システム70を提供し、これは、各々が半反射コーティング77を有する半反射光ビーム検出器76と、リボン64に取り付けられた部分的に透明な光ビーム検出器75とを含む。検出器75及び76に接続された検出器コントローラ78はリボン64に接続された動き制御ユニット68に接続されており、これはリボンの動きを変えることができる電気信号を生成する。
【0025】
図3にみることができるように、(ドナーロール62に沿って位置される)電極リボン64は振動して矢印66で示される位置65に動く場合があり、これは望ましいものではない。振動の検出を助けるために、反射スポット79か又は直交に取り付けられた部分的に透明な検出器75を支持するようにリボン65を変更することができる。光源72からの光ビーム74がスポット79から反射し、スポット79のアレイと半反射検出器76との間をはね返るように光ビーム74を方向づけることができ、検出された光ビームの動きはリボン64の動きに対応する。あるいは、光源73からの光ビーム71が、リボン64から垂直に延びるように取り付けられた一連の部分的に透明な光ビーム検出器75を通過するように光ビーム71を方向づけることができ、検出された光ビームの動きはリボン64の動きに対応する。検出されたリボンの動きに応答して、検出器コントローラ78からの信号を動き制御ユニット68に送り、リボンの動きを減衰することができる。
【0026】
前述のような振動減衰が必要でない場合は、本発明に従って半透明検出器を用いた振動診断もまた有用である。例えば、振動の減衰又は制御を試みずに、音響振動又は低周波数の物理的な動きを簡単に検出することができる。振動の検出後に振動周波数のスペクトルを得ることができ、検出及び制御ユニット44に接続された診断コンピュータ42によって、問題を生じそうな既知の振動周波数のスペクトルとこのスペクトルを比較する。診断コンピュータ42により、自動か又はユーザ依頼のサービス及び保守に結合された、今後生じそうな又は実際の故障モードを自動的に決定することができる。理解されるように、TCP/IP(インターネット)プロトコル又は他の適切な通信システムを介するプリンタサービス組織の診断コンピュータへの遠隔接続を用いてもよい。このような遠隔接続により、サービス要員は、問題があることにカスタマが気付く前にプリンタ内で生じそうな故障に気付くことができる。双方の診断サービスを提供し、フィードバック制御をサポートする好適な診断コンピュータシステムは、ゼロックス社に譲渡され、開示内容が本文中に援用されて本発明の一部とするスミスら(Smith et al.) の米国特許第5,490,089号に述べられている。
【0027】
建築物、タワー、橋、ダム又は他の大きな構造物における振動検出及び/又は制御もまた、本発明に従って考慮される。例えば、電力線を支持するか又はマイクロ波無線リンクを取り付けるのに使用できるようなタワー80が図4に示される。タワー80は、垂直の構造梁要素81及び82と、支持ワイヤ84とを含む。動き検出及び制御システムは、構造梁要素81及び82ならびに支持ワイヤ84に沿って分布する複数の部分的に透明な検出器95を含む。動作において、構造梁要素81及び82の動きを測定するためにレーザ源92は光ビーム93をビームスプリッタ98及び角度づけされた反射器99に送る一方で、同様にワイヤの動きを測定するためにレーザ96はビーム97をワイヤ84に沿って送る。動き検出及び制御ユニット94を使用して各検出器95から受け取ったワイヤレス信号85を検出し、ワイヤ84の張力を調節してタワー80の動きをリアルタイムで動的に制御することができる。
【0028】
単一のレーザ源と、部分的に透明か、半反射か又は不透明な検出器とを用いたオブジェクトの動き又は絶対的なオブジェクトの位置のリアルタイム検出は、前述の光学素子の様々な組み合わせによって可能である。例えば、図5は、2つの従来の不透明な光ビーム検出器106及び108、ならびに部分的に透明で半反射の光ビーム検出器104を有する光ビーム動き検出システム100の使用を示している。また、システム100は光ビーム103を検出器104、106及び108に送る光源102を含む。検出器104及び106は動くことができる構造部材101の上で互いにしっかりと取り付けられており、検出器108は光源102にしっかりと固定されている。検出器が少なくとも1次元の測定が可能である場合、光源102に対する構造部材101の動きのモニタリングは、図6を参照して後述するように進められる。
【0029】
図6にみられるように、ベースフレームB(Bx及びBy)は検出器108の中点に位置する参照(基準)フレームに関連して定義され、目標フレームT(Tx及びTy)は構造部材101への検出器104の取り付けに関連して定義される。フレームBは検出器108の中点に一致するように取り付けられ、X軸(Bx)は検出器104の測定軸と一直線であり、Y軸(Yx)は平面上にある。目標フレームTは検出器104の中点に一致するように取り付けられ、X軸(Tx)は検出器104の測定軸と一直線であり、Y軸(Tx)は平面上にある。光源102は、BのY軸に平行であり、By軸から距離Gだけオフセットしたビーム103を放出する。ビーム103が検出器104の測定軸に突き当たると、ビームは検出器104の中点から交差点まで距離D1だけ戻る(即ち、中点は原点である)。同様に、検出器106はD2だけ戻り、検出器108はD3だけ戻る。検出器104及び106は平行であり、Ty軸に沿って距離Fだけオフセットされている。
【0030】
BからTへの変換は、平行な動き(X、Y)及び回転(Θ)に関係する。
【外1】
Figure 0004234220
【0031】
前述の幾何学的計算に対する適切な変更を用いて、他の検出器構成を用いた位置の決定も可能である。例えば、図8は、構造部材111に取り付けられた単一の半反射の不透明な検出器114を用いたシステム110を示している。半透明の検出器116及び不透明な検出器118が光源112に取り付けられている。図5〜図7に関連して述べたものに類似する計算及び情報を用いて、ビーム113の見かけの動きをモニタし、構造部材111の相対的又は絶対的な動きに関する情報に変換することができる。
【0032】
当業者によって理解されるように、検出器104、106及び108(又は114、116及び118)が2次元である(測定される第2の次元が平面に対して垂直である)場合、2次元の光ビーム位置が測定可能になるため、より多くの位置情報が利用可能になる。その場合、これらに限定されないが、図5〜図8に示される構成を含む様々な検出器構成を用いてオブジェクトの6次元の位置及び配向を決定することができる。しかし、1次元又は2次元検出器を用いて、例えば機械部品の小さな動き/振動を測定するのに必要な迅速で精密な測定が可能になる。都合のよいことに、振動及び純粋に相対的な動き(速度の測定)に関しては、較正及びアラインメントは測定の精度にとって重大ではない。
【0033】
本発明において、様々な半透明又は半反射光ビーム検出器を使用することができる。例えば、断面図(図9)及び平面図(図10)で示される本発明の1つの実施の形態において、複数の透明層又は半透明層から構成される側方効果位置感知検出器130(PSD130)を使用することができる。光の捕獲を最大にするために通常不透明である従来のPSDと比較して、本発明に従ったPSDは、全ての層を透明か又は半透明にして光ビームが出入りできるように構成されなくてはならない。図9及び図10にみられるように、PSD130は、透明基板132、PSD130の2つのエッジに沿って位置される一対の底部電極147及び148、ならびに電極147及び148の上に重なる箇所を除いて基板132と直接接触する底部透明抵抗層137を含む。抵抗層137の上にある層は、nドープされた層135、真性層134及びpドープされた層133を有する従来のp−i−n光検出器である。PSD130は、上部透明抵抗層136、一対の上部電極145及び146、ならびにパッシベ−ション誘電層139によって完全になる。選択される光波長(光学、赤外線又は紫外線)に対して適用された材料が透明、半透明又はほぼ透明であれば、従来の材料及び方法を用いてPSD130を構成することができる。例えば、光学的に透明なガラス又は半透明なサファイアから基板132を構成することができる。アモルファスシリコンで真性層134を構成することができ、適切にドープされたアモルファスシリコンでp層133及びn層135を構成することができる。透明なポリマー、又はより一般的には酸化インジウム錫(ITO)層からパッシベーション誘電層139を構成することができる。電極145、146、147及び148は必要に応じて透明が可能であるが、PSD130のエッジに沿って横方向に位置されているため、付着されたアルミニウムのような従来の金属接点を用いることもできる。
【0034】
図9及び図10にみられるように、PSD130は少なくとも部分的に透明であるため、動作において光ビーム140はPSD130を通過することができ、光ビームの一部は真性層134において電流に変換され、これはエッジに位置される電極145、146、147及び148に横方向に移動する。電極の対(即ち、145−146及び147−148)の間に流れる検出された電流に基づいて、光ビーム140の重心141を非常に正確に決定することができる。上部電極145と146との間の水平位置「h」は、次の式によって与えられる。
h=(I1−I2)/(I1+I2)L
底部電極147と148との間の垂直位置は、次の式によって与えられる。
v=(I3−I4)/(I3+I4)L
式中、I1は電極145において測定される電流、I2は電極146において測定される電流、I3は電極147において測定される電流、I4は電極148において測定される電流、及びLは電極の各対間の距離の半分であり、この距離はPSD130の中心に関連して測定される。本発明の図1に関連して前述したような好適な検出器エレクトロニクスを用いて、(矢印142で示される)光ビーム140のわずかな2次元の動きでさえも相対的又は絶対的な位置の変化に確実に変換される。
【0035】
他の透明なPSD構成技術を本発明において使用することができる。断面図(図11)及び平面図(図12)で示されるように、検出器の透過性を高めるように上部及び底部抵抗層をもたずに構成される側方効果位置感知検出器150(PSD150)を使用することができる。PSD130のように、新規の非常に透明なPSD150によって光ビームの出入りが容易に可能になる。図11及び図12にみられるように、PSD150は透明基板152と、PSD150の2つのエッジに沿って位置される一対の底部電極167及び168とを含む。基板152の上の層は、nドープされた層155、真性層154及びpドープされた層153を有する従来のp−i−n光検出器である。一対の上部電極165及び166とパッシベーション誘電層159によってPSD150は完全になる。PSD130のように、選択される光波長(光学、赤外線又は紫外線)に対して適用された材料が透明、半透明又はほぼ透明であれば、従来の材料及び方法を用いてPSD150を構成することができる。ほぼ好適な広がりシート抵抗(spreading sheet resistance) のため、アモルファスシリコンで真性層154を構成することができ、適切にドープされたアモルファスシリコンでp層153及びn層155を構成することができる。透明なポリマー、又はより一般的には酸化インジウム錫(ITO)層からパッシベーション誘電層159を構成することができる。電極165、166、167及び168は必要に応じて透明が可能であるが、PSD150のエッジに沿って横方向に位置されているため、付着されたアルミニウムのような従来の金属接点を用いることもできる。PSD150の動作は、図9及び図10のPSD130に関して前述したものとほぼ同一である。
【0036】
他の光ビーム検出器システムも本発明における使用に好適である。例えば、透明又は半透明の検出器層及び基板を有するように変えられた光ダイオードの複数アレイを使用して、通過する光ビームの位置を追跡することができる。これは、断面図(図13)及び平面図(図14)に最も良く示されており、ここで、4つの検出器185、186、187及び188からなる検出器アレイ170は、共通の透明基板172に付着された複数のセグメント化された透明又は半透明の層から構成される。各検出器185、186、187及び188は透明な底部接点177を含み、この上の層はnドープされた層175、真性層174及びpドープされた層173を有する従来のp−i−n光検出器である。各検出器185、186、187及び188は、上部接点176及びパッシベーション誘電層179によって完全になる。PSD130に関連して述べたものと同様の従来の材料及び方法を用いて光ダイオード光検出器アレイ170を構成することができる。
【0037】
動作において、各検出器185、186、187及び188は検出器にあたる全積分光(total integrated light) を表す電気信号を提供する。各検出器に重なる光ビームが通過すると、光ビームの一部は各検出器において電流に変換される。各検出器185、186、187及び188から検出された電流に基づいて、光ビームの重心を非常に正確に決定することができる。水平位置「h」は、次の式によって与えられる。
h=2L[(I1+I3)−(I2+I4)]/ΣI
垂直位置は、次の式によって与えられる。
v=2L[(I1+I2)−(I3+I4)]/ΣI
式中、I1は検出器185において測定される電流、I2は検出器186において測定される電流、I3は検出器187において測定される電流、I4は検出器188において測定される電流、ΣI=I1+I2+I3+I4、及びLは検出器170を形成する検出器185、186、187及び188の集まりの直線幅の半分である。PSD130に関しては、光ビームのわずかな2次元の動きでさえも検出器からの電流に変化を生じ、図1に関連して前述したような適切な検出器エレクトロニクスを用いてこの変化を相対的又は絶対的位置の変化に置き換えることができる。
【0038】
本発明に関連して有用である更に別の可能な検出器構造は、透明又は半透明のCCDイメージングセンサアレイである。これは、断面図(図15)及び平面図(図16)において最も良く示されており、ここで、検出器エレメント204(ピクセルエレメント)の大きな2次元アレイからなるCCDイメージアレイ200は、共通の基板202に付着された複数のセグメント化された透明又は半透明の層から構成される。基板202は、サファイア、又は軍事及びスペースベースの用途のための放射硬化電子デバイスを製造するのに用いるような透明な絶縁体基板が可能である。アレイ200のデータを読み取り、これを圧縮されたデジタル位置読み取り値に変換する電子回路206(必要に応じてエッジ検出回路及びデジタル圧縮を有する)を同一のシリコン基板上に含むことができる。都合のよいことに、このようなアレイ200はノイズに対する免疫が非常に大きいデジタル信号を生成する。ピクセルエレメント毎に感知し、光ビーム210の捕獲された光スポット211のエッジを追跡するエッジ検出回路を設けることにより、周囲の光源への影響と、構造部材上で近くに取り付けられる他のセンサによって分散される可能性のあるレーザ光への影響に対する免疫を、CCDアレイ200を使用してより大きくすることができる。
【0039】
オンボード電子回路206を用いたこのデジタル圧縮/エッジ検出の動作の例は以下の通りである。典型的なCCDは、アレイの各ピクセルの強度に対応するデータのシリアルストリームを生成する。このシリアル信号にしきい値フィルタリングを行い、「エッジクロッシング(edge-crossings) 」、例えば明から暗又は暗から明の遷移のシリアルストリームを生成する。このエッジクロッシングのシリアルストリームを必要に応じて電子回路206によってフィルタリングし、エッジクロッシング同士の間の距離を検出して、各明るいスポットの幅がレーザ光の予測幅に対応するか否かを決定することができる(明るいスポットは2つのエッジクロッシングからなる)。下の表1にみられるように、このフィルタリング処理の出力は、エッジクロッシングのシーケンスか、又は単に各明るいスポットの中心の位置を反映するマーカのシーケンスでありうる。
Figure 0004234220
データストリーム内の明るいスポットの位置に対応する位置読み取り値(この場合では「48」)を生成することにより、スポットの中心のストリームを計算して結果をまとめることができる。所望の解像度に依存して、この結果をそのままか又は(光ビームが検出される象限内に集約される2ビットの数として)集約した形で送信することができる。必要であれば、電圧がCCDアレイ200の始めに対する位置に対応するアナログ信号にデジタル「位置」の結果を変えることができ、これによって梁に取り付けられる線形電位差計を効率的に刺激することができる。
【0040】
当業者によって理解されるように、CCDアレイ自体と同一か又は別個のシリコン基板に共に配置されるプログラマブルデジタルコンピュータ又はマイクロプロセッサを介して前述のフィルタリングスキームにおける変形を実施することができ、より精巧なエッジクロッシング及び(ガウス空間平均などの)ノイズ低減アルゴリズムによって強化することができる。
【0041】
図2及び図3、ならびに図5〜図8に関連して述べられるような本発明のいくつかの実施の形態において、半反射検出器は光ビームの再配向又はスプリッティングに有用である。このような検出器の1つの例が断面図(図17)及び平面図(図18)に示されており、これは、図9及び図10に関連して述べられたものに類似するが半反射層249を更に有する側方効果位置感知検出器230(PSD230)である。半反射層249は、入射する光ビーム240の一部を別の検出器(図示せず)に向かって反射させる一方で、光ビームの一部がPSD230に出入りすることを更に可能にする。図17及び図18にみられるように、PSD230は透明基板232(又は、スタックされた検出器の所与の構造にとってこれを通る光の通過が必要でない場合は必要に応じて不透明の基板)、PSD230の2つのエッジに沿って位置される一対の底部電極247及び248、ならびに電極247及び248に重なる箇所を除いて基板232に直接接触する底部の透明な抵抗層237を含む。抵抗層237の上の層は、nドープされた層235、真性層234及びpドープされた層233を有する従来のp−i−n光検出器である。PSD230は、上部の透明な抵抗層236、一対の上部電極245及び246、及び上部半反射層249によって覆われない検出器の部分を覆うパッシベーション誘電層239によって完全になる。検出器230の材料、構成及び動作は、図9及び図10に関連して前述したものに類似する。
【0042】
本発明を特定の実施の形態に関連して説明してきたが、多くの代替物、変更物及び変形物が当業者に明白であることは明らかである。従って、本文中に説明した様々な実施の形態を例示的なものとして考慮すべきであり、請求の範囲において定められる本発明の範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】部分的に透明な光ビーム検出器を用いて動きがモニタされる、屈曲又は湾曲を受けやすい構造部材の略図である。
【図2】振動を誘発するノイズを受けやすいゼログラフィックプリンタパネルの略図であり、スタック状の複数の部分的に透明な光ビーム検出器及び振動制御ユニットがパネルに取り付けられている。
【図3】図2のゼログラフィックプリンタの現像装置のより詳細な略図であり、部分的に反射する振動検出用の複数の光ビーム検出器と、引っ張られた状態に維持される電極リボンの振動を減衰するアクティブ制御ユニットとが示されている。
【図4】部分的に透明な光ビーム検出器を用いた複数の屈曲検出及び制御システムを有するタワー構造物の略図である。
【図5】動き検出器の可能な選択及び幾何学的配置を示す略図である。
【図6】動き検出器の可能な選択及び幾何学的配置を示す略図である。
【図7】更なる動き検出器の配置を示す他の略図である。
【図8】更なる動き検出器の配置を示す他の略図である。
【図9】透明なp−i−n層及び透明な基板を組み込んだ位置感知検出器の断面図である。
【図10】透明なp−i−n層及び透明な基板を組み込んだ位置感知検出器の平面図である。
【図11】透明なドープされたアモルファスシリコン及び透明な基板を組み込んだ位置感知検出器の断面図である。
【図12】透明なドープされたアモルファスシリコン及び透明な基板を組み込んだ位置感知検出器の平面図である。
【図13】透明な基板に取り付けられた複数の透明な光ダイオードの断面図である。
【図14】透明な基板に取り付けられた複数の透明な光ダイオードの平面図である。
【図15】透明な基板に取り付けられた透明なCCDイメージングセンサの断面図である。
【図16】透明な基板に取り付けられた透明なCCDイメージングセンサの平面図である。
【図17】部分的に反射する最上層を有する位置感知検出器の断面図である。
【図18】部分的に反射する最上層を有する位置感知検出器の平面図である。
【符号の説明】
10 検出及び制御システム
12 梁
14、18 基板
20 光ビーム位置検出システム
22 検出器
24 不透明な検出器
30 定方向光源
32 光ビーム
34 検出制御ユニット
38 動き制御ユニット
39 動きコントローラ

Claims (1)

  1. 振動検出システムであって、
    振動を受けやすい構造部材と、
    光ビームの位置に対応する信号を生成する複数の光ビーム検出器であって、前記複数の光ビーム検出器は、前記振動を受けやすい構造部材に取り付けられ、光ビームが通過できるように位置される少なくとも2つの部分的に透明な光ビーム検出器を含み、前記部分的に透明な光ビーム検出器に対する光ビームの相対的な検出された動きが前記振動を受けやすい構造部材の動きに対応する、複数の光ビーム検出器と、
    前記複数の光ビーム検出器に接続されると共に、前記振動を受けやすい構造部材に取り付けられ、前記複数の光ビーム検出器によって検出される振動を抑制する、振動抑制ユニットと、
    を含む振動検出システム。
JP02889298A 1997-02-10 1998-02-10 振動検出システム Expired - Fee Related JP4234220B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/798,328 US5790255A (en) 1997-02-10 1997-02-10 Transparent light beam detectors
US798328 1997-02-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10227611A JPH10227611A (ja) 1998-08-25
JP4234220B2 true JP4234220B2 (ja) 2009-03-04

Family

ID=25173124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02889298A Expired - Fee Related JP4234220B2 (ja) 1997-02-10 1998-02-10 振動検出システム

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5790255A (ja)
EP (1) EP0862225A3 (ja)
JP (1) JP4234220B2 (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6055391A (en) * 1997-02-10 2000-04-25 Xerox Corporation Vibration detection and control system for printers
US6060813A (en) * 1998-01-08 2000-05-09 Xerox Corporation Vibration suppression and electromechanical damping apparatus for electrophotographic printing structures
US6415208B1 (en) * 1999-11-18 2002-07-02 Mannesmann Ag Apparatus and method for surveying rails, in particular running rails for cranes, shelf handling units, running wheel block
US6785011B1 (en) 2000-03-16 2004-08-31 Lexmark International, Inc Optical sensor arrangement for start of scan detection and improved vertical beam alignment range
AU2001287284A1 (en) * 2000-03-20 2001-10-08 Aegis Semiconductor A semitransparent optical detector including a silicon and germanium alloy and method of making
US6879014B2 (en) * 2000-03-20 2005-04-12 Aegis Semiconductor, Inc. Semitransparent optical detector including a polycrystalline layer and method of making
AU2001250907A1 (en) * 2000-03-24 2001-10-08 Aegis Semiconductor A small aperture semitransparent optical detector including edge passivation and method of making
WO2001073855A2 (en) * 2000-03-27 2001-10-04 Aegis Semiconductor A semitransparent optical detector including edge passivation
AU2001272893A1 (en) * 2000-03-27 2001-10-08 Aegis Semiconductor A semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making
US6670599B2 (en) 2000-03-27 2003-12-30 Aegis Semiconductor, Inc. Semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making
US6697094B2 (en) 2001-05-14 2004-02-24 Lexmark International, Inc. Method and apparatus for locating the process postion of a scan line in an electrophotographic machine
KR20040035708A (ko) * 2001-08-02 2004-04-29 이지스 세미컨덕터 가변형 광학기기
JP4524281B2 (ja) * 2003-04-03 2010-08-11 エスアールアイ インターナショナル リアルタイム振動イメージング方法及び装置
JP2007524828A (ja) * 2003-06-20 2007-08-30 アイギス セミコンダクター インコーポレイテッド 熱光学フィルタ及びそれを用いた赤外線センサ
JP2007503622A (ja) * 2003-08-26 2007-02-22 レッドシフト システムズ コーポレイション 赤外線カメラシステム
US7221827B2 (en) * 2003-09-08 2007-05-22 Aegis Semiconductor, Inc. Tunable dispersion compensator
KR20070003766A (ko) * 2003-10-07 2007-01-05 이지스 세미컨덕터 인코포레이티드 Cte 매치된 투명 기판상에 히터를 구비한 가변 광학필터
US7151603B2 (en) * 2004-04-30 2006-12-19 Samsung Electronics Co. Ltd. Overhead transparency clarity simulator
TWI455326B (zh) * 2007-09-13 2014-10-01 Omnivision Tech Inc 透射式偵測器、使用該偵測器之系統及其方法
FR2923595B1 (fr) * 2007-11-09 2009-12-11 Thales Sa Capteur optique pour mesurer la deformation au cours du temps d'une structure plane deformable
US20110292406A1 (en) * 2008-10-28 2011-12-01 3Shape A/S Scanner with feedback control
CN104482874B (zh) * 2014-11-21 2017-05-03 上海卫星工程研究所 用于卫星载荷指向相对变形的在轨测量系统
EP3234500A4 (en) 2014-12-19 2018-07-04 University of Utah Research Foundation Interferometry system and associated methods
US11162781B2 (en) 2016-06-23 2021-11-02 University Of Utah Research Foundation Interferometry systems and methods
WO2017223542A1 (en) 2016-06-23 2017-12-28 University Of Utah Research Foundation Interferometry system and associated methods
CN108801169B (zh) * 2018-06-25 2020-10-09 上海卫星工程研究所 适用于卫星结构在轨变形测量的一维psd传感器组件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5856092B2 (ja) * 1977-05-09 1983-12-13 沖電気工業株式会社 振動検出装置
US4334775A (en) * 1980-04-03 1982-06-15 Western Electric Co., Inc. Method for dynamically determining the horizontal motion and twist of a microwave tower
JPS59109805A (ja) * 1982-12-16 1984-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置検出装置
US5522375A (en) * 1983-04-05 1996-06-04 New Archery Products Corp. Archery accessory adapter
DE3789505T2 (de) * 1987-09-28 1994-10-20 Kobe Steel Ltd Vorrichtung und Verfahren zum Feststellen der Richtung von einfallendem Licht.
JP2583094B2 (ja) * 1988-03-07 1997-02-19 鐘淵化学工業株式会社 半導体光位置検出器
US4870290A (en) * 1988-09-26 1989-09-26 Honeywell Inc. Object motion sensing and measuring apparatus using position sensing detectors
US5023845A (en) * 1988-10-31 1991-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Embedded fiber optic beam displacement sensor
DE4322144C2 (de) * 1992-07-03 1997-06-05 Murata Manufacturing Co Vibratoreinheit
EP0578235B1 (en) * 1992-07-10 1998-10-07 Sharp Kabushiki Kaisha Document-size detection system for use in a document reader
US5383368A (en) * 1992-11-16 1995-01-24 Southwest Research Institute Deflection sensor for robot links
US5321474A (en) * 1993-03-10 1994-06-14 Xerox Corporation Active damping of electrode wire vibration in scavengeless development in a xerographic apparatus
US5418608A (en) * 1993-05-04 1995-05-23 Harbor Branch Oceanographic Institution Inc. Three dimensional mapping systems and methods
JPH0772767A (ja) * 1993-06-15 1995-03-17 Xerox Corp 対話型ユーザ支援システム
US5347132A (en) * 1993-07-30 1994-09-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Position sensitive detector providing position information with enhanced reliability and performance
US5530548A (en) * 1994-11-07 1996-06-25 Automotive Systems Laboratory, Inc. Calibratable optical distance sensing system and method
US6055391A (en) * 1997-02-10 2000-04-25 Xerox Corporation Vibration detection and control system for printers

Also Published As

Publication number Publication date
EP0862225A3 (de) 1998-10-14
US5790255A (en) 1998-08-04
JPH10227611A (ja) 1998-08-25
EP0862225A2 (en) 1998-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4234220B2 (ja) 振動検出システム
JP4068206B2 (ja) モニタシステム、モニタ及び制御システムならびにプリンタシステム
Fu et al. Robotics: control, sensing, vision, and intelligence
US9201237B2 (en) Diffraction-based sensing of mirror position
JP2962581B2 (ja) 光距離センサ
JPS6048681B2 (ja) 測定ヘツド
US4835461A (en) Microdeflector probe for electrostatic voltmeter
US8626468B2 (en) MEMS device comprising oscillations measurements means
US7612569B2 (en) Oscillating device, electric potential measuring device, light deflecting device, and image forming apparatus
US20200081103A1 (en) Angular magnetic field sensor for a scanner
US9523625B2 (en) Detecting failure of scanning mirror
US7569805B2 (en) Apparatus and method for calibrating a reflecting mirror
KR20120007349A (ko) 압전 방식 스캔 장치 및 이를 이용한 터치 스크린 장치
JP4009390B2 (ja) ブラッグ格子型振動計
JP2005530662A (ja) 屈折率分布型光学系を有するウェブ検出
JP3114397B2 (ja) 光学装置
KR20080104058A (ko) 광 검출 장치 및 방법
KR102014782B1 (ko) 스캐닝 마이크로 미러
JP2004526999A (ja) 光ファイバと協働するトランシーバ装置
JP4636691B2 (ja) 小さい力と変位を計測するための計測装置
JP2004532987A (ja) 非侵襲的三軸振動測定のための逆コーナーキューブ
NO833733L (no) Transduser.
JP3093073B2 (ja) 光コネクタのコア位置測定装置
US20090251670A1 (en) Optical feedback for high speed scan mirror
JPH0626946A (ja) 機械的大きさの測定方法とその装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050210

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070605

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070905

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070910

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071003

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080205

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080507

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080512

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080708

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081008

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081111

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081211

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees