JP4228604B2 - パターン発生回路及び半導体装置並びに半導体装置の試験方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はパターン発生回路及び半導体装置並びに半導体装置の試験方法に関し、特に半導体装置のメモリ領域のテストに用いるテストパターンを発生させるパターン発生回路及びこのようなパターン発生回路を搭載した半導体装置並びに半導体装置の試験方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
DRAM(Dynamic Random Access Memory)や、SRAM(Static Random Access Memory)等の大規模メモリ領域を有する半導体メモリ及びこのような半導体メモリを内蔵した半導体装置では、メモリ領域の大容量化と動作クロックの高速化が進んできており、従来の外部テスタを用いた試験では対応が難しくなってきている。このため、半導体メモリに組込み自己テスト(Built In Self Test;以下、BISTとする)回路を内蔵し、自己診断させることで、テスト容易化や高速テストを可能とする手法が普及してきている。
【0003】
このようなBIST回路は、大きく分けて2つのタイプに分類することができる。1つは、テストに必要な動作パターンを実回路として組み込むタイプであり、もう1つは、動作パターンの発生をプログラムにより行なうプログラマブルタイプである。
【0004】
第1の動作パターンを実回路として組み込んだタイプのBIST回路について説明する。図23は、第1のタイプのBIST回路を構成するパターン発生回路の構成図である。このようなタイプのパターン発生回路400は、シーケンス動作をさせるためのカウンタ410とそのカウント値をデコードする動作デコーダ420とから構成されており、動作モード切換信号とパターン発生の活性化信号によって制御される。第1のタイプのパターン発生回路400では、テスト時にカウンタ410が活性化され、これに応じて動作デコーダ420は予め組み込まれたテストパターンを順次出力する。生成されたテストパターンは、テスト時、セレクタ320により選択されてメモリ200に出力される。
【0005】
次に、第2のプログラマブルタイプのBIST回路について説明する。図24は、第2のタイプのBIST回路を構成するパターン発生回路の構成図である。このようなタイプのパターン発生回路500は、パターン発生命令を記憶するパターン発生命令記憶回路510とパターン発生命令に従ってパターンを発生させる命令処理回路520とから構成され、パターンプログラムのロード信号と命令処理回路520の活性化信号により制御される。第2のタイプのパターン発生回路500では、予め所定のテストパターンを発生させるための入力の組み合わせや動作シーケンス等のパターン発生命令をプログラムとしてパターン発生命令記憶回路510にロードし、格納しておく。テスト時に命令処理回路520が活性化され、パターン発生命令記憶回路510に記憶されたプログラムコードを解析し、テストパターンを発生させる。生成されたテストパターンは、テスト時、セレクタ320により選択されてメモリ200に出力される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のBIST回路では、多種類のテストパターンを用意してテストの品質を向上させようとした場合、回路規模が大きくなってしまうという問題がある。
【0007】
第1のタイプのパターン発生回路400を備えたBIST回路では、必要なテストパターンを絞れば回路規模が小さく済むが、テストパターンを多くすれば回路規模がこれに応じて大きくなるという問題がある。また、テストパターンは、回路に組み込まれているため、テストパターンを変更することができず、フレキシブルなテストパターンを用いた高品質なテストが難しいという問題もある。さらに、搭載するテストパターンは、設計段階で明白でなければならず、かつ、生産後にテストパターンの追加が不可能であるという問題もある。
【0008】
一方、第2のタイプのパターン発生回路500を備えたBIST回路では、必要なテストパターンを後からプログラミングできるため、テストパターンの絞込みが不必要であり、多種のテストパターンを用いたテストが可能である。しかしながら、多種のテストパターンを実行させる場合には、たくさんの命令でプログラムが長くなってしまい、確保しなければならないプログラム記憶領域が大きくなってしまうという問題がある。仮に、1つのライトやリードの動作パターンをプログラムするのに、64ビット×16命令とすると、テストパターンとしては少なくともライト動作とリード動作の1対が必要であり、64×16×2ビットの記憶領域が必要となる。さらに、このようなテストパターンを8本用意するとすれば、単純計算で64×16×2×8=16,384ビットの記憶領域を確保しておく必要がある。このように、多種類のテストパターンを用意してテストの品質を向上させようとした場合、大きな記憶領域を確保しなければならず、結果として回路規模が大きくなってしまうという問題がある。
【0009】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、回路規模を大きくすることなく多種類のテストパターンを発生させ、高品質なテストを行なうことが可能なパターン発生回路及び半導体装置並びに半導体装置の試験方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、半導体装置のメモリ領域のテストに用いるテストパターンを発生させるパターン発生回路において、所定のテストパターンを発生させるための入力の組み合わせや動作シーケンスを含むパターン発生命令を記憶するパターン発生命令記憶回路と、前記パターン発生命令を編集して新たなパターン発生命令を作成するためのパターン編集命令を記憶するパターン編集命令記憶回路と、前記パターン編集命令に従って前記パターン発生命令記憶回路に記憶された前記パターン発生命令を編集し、編集が施された前記新たなパターン発生命令を前記パターン発生命令記憶回路に格納する命令編集処理回路と、前記パターン発生命令記憶回路に記憶された前記パターン発生命令の命令コードを解析して前記所定のテストパターンを発生させる命令処理回路と、を具備することを特徴とするパターン発生回路、が提供される。
【0011】
このような構成のパターン発生回路では、所定のテストパターンを発生させるための入力の組み合わせや動作シーケンスを含むパターン発生命令が必要に応じてロードされ、パターン発生命令記憶回路に記憶されている。同様に、パターン編集命令記憶回路には、パターン発生命令を編集して新たなパターン発生命令を作成するためのパターン編集命令が記憶されている。テスト時、命令編集処理回路は、パターン編集命令記憶回路に記憶されたパターン編集命令を読出し、これに従ってパターン発生命令記憶回路に記憶されたパターン発生命令に編集を施し、パターン発生命令を更新する。命令処理回路は、パターン発生命令記憶回路に記憶されたパターン発生命令の命令コードを解析して、パターン発生命令に従った所定のテストパターンを発生させる。
【0012】
また、上記課題を解決するために、メモリ領域を有し、テストパターン発生回路により発生されるテストパターンを用いて前記メモリ領域の自己テストを実施する半導体装置において、前記テストパターン発生回路が、所定のテストパターンを発生させるための入力の組み合わせや動作シーケンスを含むパターン発生命令を記憶するパターン発生命令記憶回路と、前記パターン発生命令を編集して新たなパターン発生命令を作成するためのパターン編集命令を記憶するパターン編集命令記憶回路と、前記パターン編集命令に従って前記パターン発生命令記憶回路に記憶された前記パターン発生命令を編集し、編集が施された前記新たなパターン発生命令を前記パターン発生命令記憶回路に格納する命令編集処理回路と、前記パターン発生命令記憶回路に記憶された前記パターン発生命令の命令コードを解析して前記所定のテストパターンを発生させる命令処理回路と、を具備することを特徴とする半導体装置、が提供される。
【0013】
このような構成の半導体装置では、メモリ領域の自己テストに用いるテストパターンを発生させるパターン発生回路は、パターン発生命令記憶回路にテストパターンを発生させるパターン発生命令が、パターン編集命令記憶回路にパターン発生命令を編集するためのパターン編集命令が、予め記憶されている。自己テストが開始されると、命令編集処理回路は、パターン編集命令記憶回路のパターン編集命令に従って、パターン発生命令記憶回路のパターン発生命令を編集し、違ったテストパターンを発生させるように更新する。命令処理回路は、パターン発生命令回路のパターン発生命令に従って、所定のテストパターンを発生させる。
【0014】
さらに、上記課題を解決するために、テストパターンを用いて半導体装置のメモリ領域の試験を行なう半導体装置の試験方法において、所定のテストパターンを発生させるための入力の組み合わせや動作シーケンスを含むパターン発生命令及び前記パターン発生命令を編集して新たなパターン発生命令を作成するためのパターン編集命令を所定の記憶回路にロードするステップと、前記所定の記憶回路から前記パターン編集命令を読出し、前記パターン編集命令に従って前記パターン発生命令に編集を施し、編集された新たなパターン発生命令を前記所定の記憶回路に格納するステップと、前記パターン編集命令が前記パターン発生命令の実行命令であった場合、前記所定の記憶回路から前記パターン発生命令を読出し、前記パターン発生命令に従って前記所定のテストパターンを発生させるステップと、発生された前記所定のテストパターンを用いて半導体装置のメモリ領域の良否を判定するステップと、を有し、前記メモリ領域の良否の判定終了後に前記パターン編集命令が終了したかどうかを判定し、終了していない場合は前記パターン編集命令に従って前記パターン発生命令に編集を施すステップからの処理を繰り返すことを特徴とする半導体の試験方法、が提供される。
【0015】
このような手順の半導体装置の試験方法では、まず、所定のテストパターンを発生させるパターン発生命令と、パターン発生命令を編集するパターン編集命令を所定の記憶回路にロードしておく。所定の記憶回路からパターン編集命令を読出し、パターン編集命令に従ってパターン発生命令を編集し、所定の記憶回路のパターン発生命令を新たなパターン発生命令に更新する。続いて、パターン発生命令の実行命令があった場合、所定の記憶回路からパターン発生命令を読出し、このパターン発生命令に従って所定のテストパターンを発生させる。そして、発生された所定のテストパターンを用いて半導体装置のメモリ領域の良否の判定を行なう。続くパターン編集命令がある場合、このパターン編集命令に従ってパターン発生命令の編集からの処理を繰り返す。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施の形態であるパターン発生回路を含む半導体装置の構成図である。
【0017】
本発明に係る半導体装置は、メモリ200と、メモリ200の自己テストを行なうテストパターンを発生させるパターン発生回路100、テスト処理を制御するBIST制御回路310、メモリ200への出力信号を選択するセレクタ320、及びメモリ200の良否の判定を行なう判定回路330から構成されるメモリBIST回路と、を具備し、半導体試験装置と接続されてメモリテストが実施される。
【0018】
パターン発生回路100は、BIST制御回路310に従ってテストパターンを発生させるためのアルゴリズムに基づいて所定のテストパターンを発生させ、セレクタ320を介してメモリ200に出力する。パターン発生回路100は、テストパターンを発生させるためのパターン発生命令を記憶するパターン発生命令記憶回路110、パターン発生命令を編集するためのパターン編集命令を記憶するパターン編集命令記憶回路120、パターン発生命令の編集を行なう編集命令処理回路130及びパターン発生命令を解析して所定のテストパターンを発生させる命令処理回路140から構成される。
【0019】
パターン発生命令記憶回路110には、テストパターンを発生させるための入力の組み合わせや動作シーケンスを含むパターン発生命令のアルゴリズムを表現したプログラムデータが、BIST制御回路310を介してロードされ、記憶されている。パターン発生命令には、読出しや書込み等の動作シーケンス、入出力するアドレスを順次発生させるアドレス演算や、入出力するデータを順次発生させるデータ演算等がある。
【0020】
パターン編集命令記憶回路120には、テストパターン発生命令を編集して新たなパターン発生命令を作成するためのパターン編集命令のアルゴリズムを表現したプログラムデータが、BIST制御回路310を介してロードされ、記憶されている。パターン編集命令には、パターン発生命令を編集する編集処理命令と、編集及びパターン発生処理を制御する制御命令とがある。編集処理命令には、パターン発生命令の書換だけでなく、行単位(パターン発生単位)の削除やコピー命令も含まれる。また、制御命令には、編集終了後に制御を命令処理回路140に移してパターン発生処理を実行させる等の命令が含まれる。
【0021】
編集命令処理回路130は、BIST制御回路310に従って、テストが開始されると、パターン編集命令記憶回路120に記憶されたパターン編集命令を読出し、読出したパターン編集命令の命令コードを解析し、パターン発生命令記憶回路110のパターン発生命令を編集する。パターン編集命令の編集処理命令に従った編集処理では、パターン発生命令の書換の他、行単位あるいはパターン発生単位の削除やコピー等も行なわれる。また、パターン編集命令の制御命令に従って、パターン発生処理の開始やパターンリセット等の処理を制御する。
【0022】
命令処理回路140は、BIST制御回路310に従って、テストが開始され、かつ編集命令処理回路130から制御が渡されると、パターン発生命令記憶回路110に記憶されたパターン発生命令を読出し、読出したパターン発生命令の命令コードを解析してテストパターンを発生させ、セレクタ320に出力する。同時に、テストパターンに相当する出力期待値を判定回路330へ出力する。パターン発生命令が終了すると、制御は編集命令処理回路130へ移される。
【0023】
メモリ200は、メモリセルがアレイ構造をとっており、個々のメモリセルはXアドレス及びYアドレスにより管理される。メモリ200は、セレクタ320を介して入力する入力データを記憶する。また、メモリ200から読出されたデータは、通常のシステム動作時はデータバスを介して出力データとして出力され、BIST動作時は判定回路330へと取込まれる。
【0024】
BIST制御回路310は、テスタ等の外部試験装置(図示せず)からの指示に従って、テストモードに設定されると、BISTクロックCLKに同期して動作し、パターン発生回路100を含むBIST回路全体の制御を行なう。パターン発生命令記憶回路110及びパターン編集命令記憶回路120への命令コードのロードは、ロード制御信号XLDに従って、データ信号TDIとして取込まれるデータを各記憶回路へ出力する。
【0025】
セレクタ320は、BIST制御回路310から入力するBISTテストモード信号に応じて、通常の場合にはシステムからの通常入力を選択し、BISTテストモードの場合にはパターン発生回路100から入力するテストパターンを選択し、メモリ200へ出力する。
【0026】
判定回路330は、メモリ200からのメモリ出力と、パターン発生回路100の命令処理回路140の生成する出力期待値及び判定指令を入力し、判定指令がされた場合に、メモリ出力と出力期待値とを比較してメモリ200の良(Pass)/否(Fail)を判定する。判定結果は、BIST出力として、テスタ等の外部試験装置に出力される。
【0027】
このような構成のBIST回路を具備する半導体装置におけるメモリBISTテスト動作について説明する。
テスト開始前までに、BIST制御回路310を介して、パターン発生命令記憶回路110にパターン発生命令が、パターン編集命令記憶回路120にパターン編集命令が、それぞれロードされる。すなわち、BIST制御回路310は、XLDの信号レベルが“L”のときにTDIより入力するデータを取込み、各記憶回路へ出力することにより、それぞれの命令を記憶回路に取込む。
【0028】
ロードが終了し、XLDの信号レベルが“H”になると、BIST制御回路310に従ってパターン編集・パターン発生が開始される。編集命令処理回路130は、パターン編集命令記憶回路120に記憶されたパターン編集命令を読出し、その命令コードを解析して、パターン発生命令記憶回路110に記憶されたパターン発生命令の編集を行なう。編集処理では、パターン発生命令の書換ばかりでなく、行単位での削除やコピー等が実行され、新たに作成されたパターン発生命令がパターン発生命令記憶回路110に記憶される。パターン編集命令にパターン実行を検出した場合、制御は編集命令処理回路130から命令処理回路140に移る。
【0029】
命令処理回路140は、パターン発生命令記憶回路110に記憶されている更新されたパターン発生命令を読出し、その命令コードを解析して、テストパターンを順次発生させ、セレクタ320を介してメモリ200へ出力する。同時に、テストパターンに相当する出力期待値を判定回路330に出力する。判定回路330では、メモリ出力データを取込み、取込まれたメモリ出力データと対応する出力期待値とを比較し、判定結果を出力する。この判定結果がBIST出力として出力され、メモリ200の良否が判断される。
【0030】
命令処理回路140は、パターン発生命令の終了命令を読出すと、テストパターンの発生処理を終了し、制御を編集命令処理回路130へ移す。編集命令処理回路130は、パターン実行命令に続くパターン編集命令を読出し、再びパターン編集処理を行なう。以下、パターン編集命令に従って、パターン発生命令の編集処理と、編集されたパターン発生命令に基づくパターン発生処理とを順次繰り返す。
【0031】
このように本発明に係る半導体装置のメモリテストでは、パターン発生命令の編集と、編集されたパターン発生命令に基づくテストパターンの発生とを交互に繰り返す。これにより、パターン発生命令の一部分を編集することで別の違った動作パターンとして使うことが可能となる。この結果、多種類のテストパターンを容易に作成することができるばかりでなく、パターン発生に必要な命令の記憶領域の回路規模を削減できる。
【0032】
例えば、単純にパターンを持つ場合、64ビット×16命令のライト動作とリード動作が2つで、64×16×2=2048ビットのメモリ領域が必要となる。これに対し、本発明に係る半導体装置の場合、元パターンが64ビット×16命令とすると、パターン編集命令の書換命令で4×4=16ビットの計64×16+16=1040ビットの記憶領域で同様の処理を実現することができる。この場合、半分程度の記憶領域で同様の処理が実現されることになる。
【0033】
パターン発生命令記憶回路110とパターン編集命令記憶回路120の記憶領域の配分は、そのシステムに応じて設定されるが、単純にパターンを持つ場合に比べて少ない記憶領域で多種のパターンを発生することができる。
【0034】
次に、本発明に係るパターン発生回路の具体的な構成について説明する。図2は、本発明の一実施の形態であるパターン発生回路のブロック図である。
本発明に係るパターン発生回路100は、パターン発生命令記憶回路110を構成するパターンレジスタ111、書込み回路112及び読出し回路113と、パターン編集命令記憶回路120を構成するパターン編集命令レジスタ121、書込み回路122及び読出し回路123と、編集命令処理回路130を構成するシーケンサ131及び編集命令デコーダ132と、命令処理回路140を構成するシーケンサ141及び信号生成142と、BIST制御回路310を構成するロード制御311及びテスト環境レジスタ312と、から成る。このように記憶回路をレジスタで構成することにより、高速処理が可能になる。
【0035】
パターンレジスタ111は、パターン発生命令が記憶されたレジスタで、ここでは56ビットから成るパターン発生命令を16命令記憶することが可能な記憶領域が確保されている。書込み回路112は、ロード制御311あるいは編集命令デコーダ132より入力するレジスタデータをパターンレジスタ111へ書込む制御を行なう。読出し回路113は、パターンレジスタ111からデータを読出し、信号生成142あるいは編集命令デコーダ132へ出力する。
【0036】
パターン編集命令レジスタ121は、パターン編集命令が記憶されたレジスタで、ここでは4ビットで構成されるパターン編集命令を128命令記憶することが可能な記憶領域が確保されている。書込み回路122は、ロード制御311より入力するレジスタデータをパターン編集命令レジスタ121へ書込む制御を行なう。読出し回路123は、パターン編集命令レジスタ121からデータを読出し、編集命令デコーダ132へ出力する。
【0037】
ここで、パターン編集命令について説明する。図3は、本発明の一実施の形態のパターン発生回路におけるパターン編集命令の一例である。パターン編集命令は、1セットが4ビットで構成されており、0セット目は、編集処理の実行命令を表している。実行命令には、終了、パターン実行、サブルーチンコール、サブルーチンリターン、パターンリセット等のパターン編集の制御命令と、行削除やコピー、書換等のパターン編集の編集処理命令が用意されている。1、2、3セット目は、実行命令の対象を指示するポインタやデータ等が設定されている。例えば、「セル書換行列指定」の場合、0セット目にはセル書換行列指定の命令が、1セット目には書換の対象となるパターン発生命令のパターン行が、2セット目には列が、3セット目には書換データが設定されている。
【0038】
図2に戻って説明する。
編集命令デコーダ132は、シーケンサ131に従って順次読出されたパターン編集命令レジスタ121のパターン編集命令をデコードし、解析された命令に応じてパターンレジスタ111に記憶されたパターン発生命令の編集処理を行ない、新しく作成されたパターン発生命令を書込み回路112よりパターンレジスタ111に書込む。
【0039】
信号生成142は、シーケンサ141に従って順次読出されたパターンレジスタ111のパターン発生命令の命令コードを解析し、命令に応じたパターン信号を発生させ、メモリへ供給する。
【0040】
ロード制御311は、外部から入力するパターン発生命令及びパターン編集命令をそれぞれのレジスタに記憶する制御処理を行なう。このとき、テスト環境等の情報をテスト環境レジスタ312に記憶する。
【0041】
このような構成のパターン発生回路の動作について、タイミングチャートを用いて説明する。
まず、初期化動作について説明する。図4は、本発明のパターン発生回路における初期化動作のタイミングチャートである。リセット信号XRSTの状態が“H”から“L”になり、リセット動作が行なわれる。リセットにより、パターン発生命令を記憶するパターンレジスタ111及びパターン編集命令を記憶するパターン編集命令レジスタ121の各レジスタは初期値に初期化される。メモリに供給される発生信号は、初期値になる。
【0042】
続いて、ロード制御311によるパターンレジスタ111及びパターン編集命令レジスタ121への命令データ取込み処理について説明する。図5は、本発明のパターン発生回路におけるレジスタデータの取込み動作のタイミングチャートである。ロード制御311は、ロード制御信号XLDが“L”に設定されると、データ信号TDIから入力するレジスタデータの取込みを開始する。XLDが“L”になり、1つ目のレジスタデータの取込みが開始される。TDIから入力するレジスタデータは、アドレス(A[n])とそのデータ(D[n])として取込まれ、指定されたアドレスのレジスタ(パターンレジスタ111及びパターン編集命令レジスタ121)にデータが書込まれる。順次、入力するレジスタデータが処理され、アドレスとして取込み終了を表すデータ(1、1、1、1、1)が入力されると、取込み処理を終了し、これ以降の入力アドレス及びデータを受け付けない。
【0043】
パターンレジスタ111及びパターン編集命令レジスタ121への書込み終了後、テストが開始される。図6は、本発明のパターン発生回路におけるテスト開始動作のタイミングチャートである。ロード制御信号XLDが“H”になり、テストが開始される。まず、編集処理が実行され、編集命令デコーダ132は、シーケンサ131が読出すパターン編集命令レジスタ121のパターン編集命令の命令コードを解析し、編集処理を行なう。編集処理に伴って、パターンレジスタ111のパターン発生命令が更新される。編集命令デコーダ132が、「パターン実行」のパターン編集命令コードを読込むと、制御が信号生成142に移り、パターン発生処理が実行される。この時点で実行されるパターン発生命令は、前の編集処理で更新されたものである。また、編集処理が開始され、最初のパターン編集命令が「パターン実行」であった場合、パターンレジスタ111のパターン発生命令に従ってパターン発生処理が行なわれる。パターンレジスタ111にパターン発生命令データが書込まれていれば書込まれたパターン発生命令で、書込まれていなければ初期値のパターン発生命令で実行される。シーケンサ141と信号生成142は制御を開始し、シーケンサ141に従って読出されるパターンレジスタ111のパターン発生命令に応じたテストパターンが生成され、メモリへ供給される。信号生成142によるパターン発生処理が終了すると、制御は再び編集命令デコーダ132に移り、編集命令デコーダ132は次のパターン編集命令を読出して編集処理を行なう。このように、パターン発生命令の編集と、編集されたパターン発生命令によるパターン発生という手順を繰り返すことにより、異なるテストパターンを次々に発生させることが可能となる。
【0044】
続いて、終了時の動作について説明する。図7は、本発明のパターン発生回路におけるテスト終了動作のタイミングチャートである。信号生成142によりパターンレジスタ111のパターン発生命令に応じたテストパターンが生成され、メモリへ供給される。このパターン発生処理が終了し、制御が再び編集命令デコーダ132に移る。編集命令デコーダ132が、次のパターン編集命令レジスタ121から編集終了を読出した場合、編集処理を終了し、必要に応じてレジスタをリセットして初期値に戻す。
【0045】
次に、本発明に係る半導体装置の試験方法について説明する。図8は、本発明の一実施の形態である半導体装置の試験方法のフローチャートである。
パターンレジスタ111にパターン発生命令、及びパターン編集命令レジスタ121にパターン編集命令がロードされた後、処理が開始される(S01)。
【0046】
パターン編集命令レジスタ121の編集命令がポインタに従って読出され、編集命令デコーダ132により命令の解析が行なわれる(S02)。ここで、編集命令が「編集終了」であるかどうかが判定され(S03)、「編集終了」であれば処理を終了する(S04)。「編集終了」でなければ、S05へ処理を進める。「編集終了」でない場合、パターン編集命令が「サブルーチン終了」であるかどうかが判定され(S05)、終了であればポインタを「サブルーチン終了」命令処理時に設定された編集命令の戻り先に戻し(S06)、S02の編集命令デコードからの処理を行なう。終了でなければ、パターン編集命令が「サブルーチン実行(コール)」であるかどうかが判定され(S07)、実行であればポインタを「サブルーチン実行(コール)」命令に指定された指定先に移し(S08)、S02の編集命令デコードからの処理を行なう。また、「サブルーチン実行(コール)」でなければ、「パターン実行」命令であるかどうかが判定される(S09)。「パターン実行」命令であれば、制御を信号生成142に移し、パターンレジスタ111のパターン発生命令に基づくパターン発生処理を実行し(S10)、S12へ処理を進める。「パターン実行」命令でなければ、パターン編集命令は、編集処理命令であるので、編集処理命令に従ってセルに設定されたパターン発生命令の書換、削除及びコピー等の編集処理を行ない(S11)、S12へ処理を進める。S12では、読出しを行なうパターン編集命令のポインタを+1し、S02の編集命令デコードからの処理を行なう。
【0047】
このように、パターン編集命令を順次読出し、パターン編集命令が制御命令であれば、これに応じてサブルーチン処理、パターン実行処理、編集命令終了等の制御処理を行なう。また、パターン編集命令が制御命令でなく編集処理命令である場合、これに応じてパターン発生命令の編集を行なう。この処理を繰り返し行なうことにより、多種類のテストパターンを容易に作り出し、高品質なメモリテストを実行することが可能となる。
【0048】
次に、上記の説明の半導体試験装置によるメモリテストの一例を具体例で説明する。図9は、半導体装置におけるメモリテストの実施例である。
図に示したメモリテストでは、テストが開始され(S101)、最初にメモリの全領域に0を書込む「全ライト0」のテストパターンが発生し(S102)、続いてメモリの全領域から0を読出して1を書込む「全リード0ライト1」のテストパターンが実行される(S103)。次に、メモリの全領域から0を読出す「全リード1」のテストパターンが実行され(S104)、テスト処理を終了する(S105)。
【0049】
このような手順のメモリテストを本発明の半導体装置で実現する場合のパターン発生命令及びパターン編集命令について説明する。図10は、実施例のメモリテストを実現するパターン編集命令の一例である。
【0050】
テスト開始前に、図10に示したパターン編集命令をパターン編集命令レジスタに、全メモリ領域に0を書込む「全ライト0」のテストパターンを発生させるパターン発生命令をパターンレジスタにロードしておく。
【0051】
テストが開始され、第0行目の「パターン実行」(1021)が実行される。すなわち、初期値としてパターンレジスタに記憶されている「全ライト0」(図9のステップS102)が実行される。
【0052】
次に、制御が編集命令デコーダに戻り、第1行目からの編集処理(1031)が順次実行される。ここでは、パターンレジスタの「全ライト0」を動作させるパターン発生命令が、「全リード0ライト1」のテストパターンを発生させるパターン発生命令に編集される。続いて、第9行目の「パターン実行」(1032)が実行される。すなわち、編集後の「全リード0ライト1」(図9のステップS103)が実行される。
【0053】
次に、制御が編集命令デコーダに戻り、第10行目からの編集処理(1041)が順次実行される。ここでは、パターンレジスタの「全リード0ライト1」を動作させるパターン発生命令が、「全リード1」のテストパターンを発生させるパターン発生命令に編集される。続いて、第13行目の「パターン実行」(1042)が実行される。すなわち、編集後の「全リード1」(図9のステップS104)が実行される。
【0054】
次に、制御が編集命令デコーダに戻り、第14行目の「終了」(1051)(図9のステップS105)が実行される。
ここで、上記の説明の手順で行なわれる編集処理の詳細について説明する。
【0055】
まず、パターン編集命令第0行目の「パターン実行」が実行される。図11は、パターン編集命令(0行目)実行時のパターンレジスタの状態である。「パターン実行」(1021)処理時、パターンレジスタ111には、「全ライト0」を発生させるパターン発生命令がロードされている。
【0056】
次に、パターン編集命令第1行目の「行コピー挿入 行指定 4(元行) 5(先行)」が実行される。図12は、パターン編集命令(1行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「行コピー挿入 行指定 4(元行) 5(先行)」(1031−1)により、パターン発生命令の元の4行目がコピーされ、5行目に挿入される。すなわち、4行目の「PRE」命令が5行目にコピーされて挿入される。後ろの行番号のレジスタデータは、後方に移る。
【0057】
次に、第2行目の「行コピー挿入 行参照 3(元行)」が実行される。図13は、パターン編集命令(2行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「行コピー挿入 行参照 3(元行)」(1031−2)により、元の3行目の「NOP」命令が、前の処理で挿入された5行目の「PRE」の前に挿入される。これにより5行目は「NOP」になり、後ろの番号のレジスタデータは後方に順次移って、5行目の「PRE」は6行目に移動する。
【0058】
次に、パターン編集命令第3行目の「行コピー挿入 行参照 2(元行)」が実行される。図14は、パターン編集命令(3行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「行コピー挿入 行参照 2(元行)」(1031−3)により、元の2行目の「WT」命令が、前の処理で挿入された5行目の「NOP」の前に挿入される。これにより5行目は「WT」になり、後ろの番号のレジスタデータは後方に順次移って、5行目の「NOP」は6行目に移動する。
【0059】
次に、パターン編集命令第4行目の「行コピー挿入 行参照 1(元行)」が実行される。図15は、パターン編集命令(4行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「行コピー挿入 行参照 1(元行)」(1031−4)により、元の1行目の「NOP」命令が、前の処理で挿入された5行目の「WT」の前に挿入される。これにより5行目は「NOP」になり、後ろの番号のレジスタデータは後方に順次移って、5行目の「WT」は6行目に移動する。
【0060】
次に、パターン編集命令第5行目の「行コピー挿入 行参照 0(元行)」が実行される。図16は、パターン編集命令(5行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「行コピー挿入 行参照 0(元行)」(1031−5)により、元の0行目の「ACT」命令が、前の処理で挿入された5行目の「NOP」の前に挿入される。これにより5行目は「ACT」になり、後ろの番号のレジスタデータは順次後方に移って、5行目の「NOP」は6行目に移動する。
【0061】
これまでの編集処理で、ライトの一連の動作であるパターン発生命令の0行目から4行目までが、5行目から9行目に挿入されたことになる。すなわち、5行目から9行目の命令が付加されたことにより、パターンレジスタのパターン発生命令は、「全ライト0全ライト0」に編集されたことになる。
【0062】
続いて、パターン編集命令第6行目の「行コピー挿入 行参照 1(元行)」が実行される。図17は、パターン編集命令(6行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「行コピー挿入 行参照 1(元行)」(1031−6)により、元の1行目の「NOP」命令が、前の処理で挿入された5行目の「ACT」の前に挿入される。これにより5行目は「NOP」になり、後ろの番号のレジスタデータは順次後方に移って、5行目の「ACT」は6行目に移動する。
【0063】
次に、パターン編集命令第7行目の「セル書換 行列指定 2(行) 5(列) 1101(RD)」が実行される。図18は、パターン編集命令(7行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「セル書換 行列指定 2(行) 5(列) 1101(RD)」(1031−7)により、パターンレジスタの2行目5列のセルが「WT」命令から「RD」命令に書き換わる。すなわち、パターンレジスタは、「全リード0全ライト0」に書き換えられたことになる。
【0064】
次に、パターン編集命令第8行目の「セル書換 行列指定 8(行) E(列) 4(d反転)」及び9行目の「パターン実行」が実行される。図19は、パターン編集命令(8行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「セル書換行列指定 8(行) E(列) 4(d反転)」(1031−8)により、パターンレジスタの8行目14(E)列のセルが「0」から「4」に書き換わる。すなわち、8行目のパターン編集命令は、反転データの書込み命令に変更され、「全リード0全ライト0」が「全リード0全ライト1」に書き換えられたことになる。
【0065】
上記の手順の編集により、パターン発生命令は、「全ライト1」から「全リード0全ライト1」に書き換わる。続いて、「パターン実行」(1032)の命令により、書き換わった「全リード0全ライト1」のテストパターンが発生する。
【0066】
さらに、パターン編集により、パターン発生命令を「全リード0全ライト1」から「全リード1」に書き換える。
続いて、パターン編集命令第10行目の「パターンリセット」が実行される。図20は、パターン編集命令(10行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「パターンリセット」(1041−1)により、パターンレジスタのレジスタデータが初期値に戻る。ここでは、パターンレジスタのパターン発生命令が、「全ライト0」に戻る。
【0067】
次に、パターン編集命令第11行目の「セル書換 行列指定 2(行) 5(列) 1101(RD)」が実行される。図21は、パターン編集命令(11行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「セル書換 行列指定 2(行)5(列) 1101(RD)」(1041−2)により、パターンレジスタの2行目5列のセルが「WT」命令から「RD」命令に書き換わる。
【0068】
次に、パターン編集命令第12行目の「セル書換 列指定 行参照 E(行)4(d反転)」及び「パターン実行」が実行される。図22は、パターン編集命令(12行目)実行後のパターンレジスタの状態である。「セル書換 列指定行参照 E(行) 4(d反転)」(1041−3)により、パターンレジスタの2行目14(E)列のセルが「0」から「4」に書き換わる。すなわち、2行目のパターン編集命令は、反転データの読出し命令に変更される。
【0069】
上記の手順の編集により、パターン発生命令は、「全リード0全ライト1」から「全リード1」に書き換わる。続いて、「パターン実行」(1042)の命令により、書き換わった「全リード1」のテストパターンが発生する。
【0070】
次に、パターン編集命令第14行目の「終了」が実行され、パターン編集処理は終了する。
上記説明の手順のようにパターン発生命令の実行と編集を繰り返すことにより、この場合は「全ライト0」の初期パターンを用いて、「全ライト0」、「全リード0全ライト1」、「全リード0」の3種類のパターンを発生させることができる。このように本発明によれば、多種類のテストパターンを容易に作成することができるばかりでなく、パターンレジスタを変更しながらテストパターンを発生させていくため、記憶回路の規模増大を抑えることが可能となる。
【0071】
例えば、上記の説明のテストパターンを発生させるパターン発生命令を全てパターンレジスタに記憶するとすれば、56ビット×16命令×3の計2,688ビットの記憶領域が必要になる。一方、本発明においては、56ビット×16命令×1の計896ビットのパターンレジスタと、4ビット×33命令の計132ビットのパターン編集命令レジスタと、合計1028ビットの記憶領域で同じ処理を行なうことが可能となる。
【0072】
また、上記の説明では、発生テストパターンを「全ライト0」、「全リード0全ライト1」、「全リード0」、としたが、例えば、パターン編集命令の8行目を「セル書換 行列指定 8(行) E(列) 4(d反転)」のd反転を他のデータに変更することにより、任意のデータによるメモリテストが可能となる。ここで、パターン編集命令の8行目の設定に応じて12行目の設定が変更される。パターン発生命令のバリエーションにアドレスを参照してデータを反転させるような命令があれば、この命令に書き換えることにより、アドレス参照でデータ反転させることも可能である。
【0073】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のパターン発生回路では、テストパターンを発生させるためのパターン発生命令をパターン編集命令に従って順次編集し、編集された新たなパターン発生命令に従ってテストパターンを順次発生させる。このように、テストパターンを発生させるためのパターン発生命令を順次編集していくことにより、発生させる全てのテストパターンに対応するパターン発生命令を全て記憶しておく必要がなくなる。従って、記憶領域の回路規模を大きくすることなく、多種類のテストパターンを発生させることが可能となる。
【0074】
また、本発明の半導体装置では、メモリ領域の自己テスト時、パターン発生命令をパターン編集命令に従って編集し、更新されたパターン発生命令に従ってパターンを発生させる処理を繰り返してテストパターンを発生させてメモリの診断を行なう。このように、パターン発生命令を順次編集していくことにより、高品質なテストが実施できるとともに、回路規模の増大を抑えることが可能となる。
【0075】
また、本発明の半導体装置の試験方法では、テストパターンを発生させるパターン発生命令をパターン編集命令に従って編集し、更新されたパターン発生命令に従ってテストパターンを発生させてメモリ領域の良否の判定を行なう。続くパターン編集命令があれば、パターン発生命令の編集からの処理を繰り返し行なう。このように、パターン発生命令を順次編集して新たなパターン発生命令を作成し、このパターン発生命令により発生された新たなテストパターンでメモリ領域の良否の判定を行なう手順を繰り返すことにより、様々な種類のテストパターンを用いた高品質な半導体装置のメモリ試験を容易に実施することが可能となる。また、記憶回路に記憶する元のパターン発生命令は最小限にすることが可能で、回路規模の増大を抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるパターン発生回路を含む半導体装置の構成図である。
【図2】本発明の一実施の形態であるパターン発生回路のブロック図である。
【図3】本発明の一実施の形態のパターン発生回路におけるパターン編集命令の一例である。
【図4】本発明のパターン発生回路における初期化動作のタイミングチャートである。
【図5】本発明のパターン発生回路におけるレジスタデータの取込み動作のタイミングチャートである。
【図6】本発明のパターン発生回路におけるテスト開始動作のタイミングチャートである。
【図7】本発明のパターン発生回路におけるテスト終了動作のタイミングチャートである。
【図8】本発明の一実施の形態である半導体装置の試験方法のフローチャートである。
【図9】半導体装置におけるメモリテストの実施例である。
【図10】実施例のメモリテストを実現するパターン編集命令の一例である。
【図11】パターン編集命令(0行目)実行時のパターンレジスタの状態である。
【図12】パターン編集命令(1行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図13】パターン編集命令(2行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図14】パターン編集命令(3行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図15】パターン編集命令(4行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図16】パターン編集命令(5行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図17】パターン編集命令(6行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図18】パターン編集命令(7行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図19】パターン編集命令(8行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図20】パターン編集命令(10行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図21】パターン編集命令(11行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図22】パターン編集命令(12行目)実行後のパターンレジスタの状態である。
【図23】第1のタイプのBIST回路を構成するパターン発生回路の構成図である。
【図24】第2のタイプのBIST回路を構成するパターン発生回路の構成図である。
【符号の説明】
100・・・パターン発生回路、110・・・パターン発生命令記憶回路、120・・・パターン編集命令記憶回路、130・・・命令編集処理回路、140・・・命令処理回路、200・・・メモリ、310・・・BIST制御回路、320・・・セレクタ、330・・・判定回路
Claims (5)
- 半導体装置のメモリ領域のテストに用いるテストパターンを発生させるパターン発生回路において、
所定のテストパターンを発生させるための入力の組み合わせや動作シーケンスを含むパターン発生命令を記憶するパターン発生命令記憶回路と、
前記パターン発生命令を編集して新たなパターン発生命令を作成するためのパターン編集命令を記憶するパターン編集命令記憶回路と、
前記パターン編集命令に従って前記パターン発生命令記憶回路に記憶された前記パターン発生命令を編集し、編集が施された前記新たなパターン発生命令を前記パターン発生命令記憶回路に格納する命令編集処理回路と、
前記パターン発生命令記憶回路に記憶された前記パターン発生命令の命令コードを解析して前記所定のテストパターンを発生させる命令処理回路と、
を具備することを特徴とするパターン発生回路。 - 前記パターン編集命令記憶回路に記憶される前記パターン編集命令は、前記パターン発生命令記憶回路に記憶された前記パターン発生命令の編集処理命令とともに、前記命令処理回路によるパターン発生処理の開始を制御するパターン実行命令を含むパターン発生処理を制御する制御命令を有し、
前記命令編集処理回路は、前記パターン実行命令に従って前記命令処理回路による前記所定のテストパターンの発生処理を制御することを特徴とする請求項1記載のパターン発生回路。 - 前記パターン発生命令記憶回路及び前記パターン編集命令記憶回路は、レジスタにより構成されることを特徴とする請求項1記載のパターン発生回路。
- メモリ領域を有し、テストパターン発生回路により発生されるテストパターンを用いて前記メモリ領域の自己テストを実施する半導体装置において、
前記テストパターン発生回路が、所定のテストパターンを発生させるための入力の組み合わせや動作シーケンスを含むパターン発生命令を記憶するパターン発生命令記憶回路と、前記パターン発生命令を編集して新たなパターン発生命令を作成するためのパターン編集命令を記憶するパターン編集命令記憶回路と、前記パターン編集命令に従って前記パターン発生命令記憶回路に記憶された前記パターン発生命令を編集し、編集が施された前記新たなパターン発生命令を前記パターン発生命令記憶回路に格納する命令編集処理回路と、前記パターン発生命令記憶回路に記憶された前記パターン発生命令の命令コードを解析して前記所定のテストパターンを発生させる命令処理回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - テストパターンを用いて半導体装置のメモリ領域の試験を行なう半導体装置の試験方法において、
所定のテストパターンを発生させるための入力の組み合わせや動作シーケンスを含むパターン発生命令及び前記パターン発生命令を編集して新たなパターン発生命令を作成するためのパターン編集命令を所定の記憶回路にロードするステップと、
前記所定の記憶回路から前記パターン編集命令を読出し、前記パターン編集命令に従って前記パターン発生命令に編集を施し、編集された新たなパターン発生命令を前記所定の記憶回路に格納するステップと、
前記パターン編集命令が前記パターン発生命令の実行命令であった場合、前記所定の記憶回路から前記パターン発生命令を読出し、前記パターン発生命令に従って前記所定のテストパターンを発生させるステップと、
発生された前記所定のテストパターンを用いて半導体装置のメモリ領域の良否を判定するステップと、
を有し、前記メモリ領域の良否の判定終了後に前記パターン編集命令が終了したかどうかを判定し、終了していない場合は前記パターン編集命令に従って前記パターン発生命令に編集を施すステップからの処理を繰り返すことを特徴とする半導体の試験方法。
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