JP4202016B2 - 電気めっき浴を準備する方法および関連した銅めっきプロセス - Google Patents
電気めっき浴を準備する方法および関連した銅めっきプロセス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4202016B2 JP4202016B2 JP2001378216A JP2001378216A JP4202016B2 JP 4202016 B2 JP4202016 B2 JP 4202016B2 JP 2001378216 A JP2001378216 A JP 2001378216A JP 2001378216 A JP2001378216 A JP 2001378216A JP 4202016 B2 JP4202016 B2 JP 4202016B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- layer
- tartrate
- electroplating bath
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅電気めっき浴を準備するための新規な方法に関する。
【0002】
本発明は、また、前記方法によって準備される電気めっき浴を使用して、基板上への銅堆積のためのプロセスに関する。
【0003】
本発明の技術分野は、集積回路と同様に能動的なたは受動的なマイクロエレクトロニクス装置の電気的接続のために使用される銅含有層または銅含有パターンの堆積である。
【0004】
【従来の技術】
現在、銅は、その低い固有抵抗およびより良いエレクトロマイグレーション抵抗のためにアルミニウムの代わりとしてULSIメタライゼーション構成において導入されている。電気めっきされた銅は、ULSIプロセスにおける二重の波形のバックエンド技術上のメタライゼーション構成のために銅層を堆積させるための選択の方法になっている。
【0005】
銅を電気めっきする1つの必要条件は、均一なめっきを得るために銅拡散バリア層の上に銅シード層(copper seed layer)を有することである。十分な銅シード層を得るために異なる技術が提案された。
【0006】
これらの技術の中に、古典的な商業銅電気めっき浴からの銅の直接のガルバニックめっきがある。しかしながら、この技術は、つかみにくく、めっきされた銅フィルム(銅塵)の非常に悪い粘着力および貧しい品質で、バリア層上の非均一な銅堆積を生じることが分かった。
【0007】
代わりとして、銅シード層は、IMP−Cu スパッタリングまたはロングスロー(long−throw) スパッタリングのようなPVD技術によって伝統的に堆積された。しかしながら、これらの技術は、銅(溝および/または通路(via))で満たされるべき機構(feature)の高いアスペクト比のために、機構の側壁上に充分な銅被覆を得るために、約150ナノメートル(nm)以上の銅シード厚みをスパッタすることを要求する。実際に、次の電気めっきステップが機構の全体にわたる現在のラインのための中断されない経路に決定的に依存するので、機構の側壁は、完全に銅でおおわれていなければならない。中断された銅シード層堆積による側壁欠陥がある場合には、大きい空所は、完全な銅層めっきの後、観察される。また、狭い溝のおよび/または機構を経た入口のPVD銅層の厚み150−200ナノメートルの典型的オーバーハングは、電気めっきされた銅で十分に充填することより少なく充填することをもたらすことができる。
【0008】
したがって、非常に狭い機構を標準のECD銅で満たすことを可能とするために、より薄くてより共形の(more conformal)銅シード層をバリア層上に堆積することが将来の技術の必要のために必要がある。
【0009】
W099/47731において、この課題の解決策は提案された。それは、PVDシード層堆積の後、完全な銅めっきの前に電気めっきプロセスステップを用いるPVDシード層修復または修繕技術に基づいている。しかしながら、元々被覆されていないバリア層(例えばTaN)に対する粘着力が非常に貧しいと期待されているのに対して、めっきの大部分は既に堆積されたPVD銅シード層上で起こる。これは、完全な金属化処理の後、信頼性の課題をもたらす可能性がある。
【0010】
バリア層上のより共形のシード層堆積のための可能なオプションは、PVD技術と比較して、実質的に改良されたステップ被覆をもたらすCu −CVDである。しかしながら、この技術は、技術の高いコストおよびこの技術によって堆積されたかなり粗い銅フィルムに起因するらしく、その分野に広くは受け入れられなかった。
【0011】
無電解銅は銅層の堆積のための他の可能性である。無電解金属めっきの原理は、適切な犠牲電子ドナーの存在下における金属イオンの溶液との接触における触媒活性または活性化表面における電子の生成に基づく。これらの電子は、活性化された表面上への金属の堆積に導かれる金属イオンを減らすことができる。しかしながら、無電解めっき浴が、しばしば限られた安定性を有し、めっき液の組成におけるわずかな変化のためにそれらを非常に感度を高くする限られたpH範囲において、事実上使われることができるだけである。そのような変化は、pHにおける小さい変化に結果としてなるが、しばしば堆積率の大きい減少をもたらす。さらに、大部分の無電解銅めっき液組成物は、対イオンとして主にナトリウムを含んでいる塩に基づく。めっき液におけるこれらハイレベルのナトリウムイオンは、半導体装置製造のキラーを生じさせる製造であるとして知られているように、特にナトリウムが半導体装置のジャンクションに届くときに、厳しい信頼性の問題をもたらすことができる。
【0012】
結論において、バリア層上に、より薄く、より共形の銅シード層を堆積する技術を満たすための要求が依然として存在する。
【0013】
本発明の目的
本発明は、銅含有層の堆積のために電気めっき浴を準備するための新規な方法を提供することをめざす。
【0014】
より正確に、本発明は、伝導性であることができる下地バリア層上に直接薄い銅シード層を堆積させるために用いられることができる電気めっき浴を準備するための新規な方法を提供することをめざす。
【0015】
本発明はまた、バリア層上に優れた質の銅シード層をもたらす電気めっき浴を準備するための方法を提供することをめざす。
【0016】
本発明の他の目的は、環境的に受け入れ可能な新規な電気めっき浴を準備するための方法を提供することである。
【0017】
本発明の更なる目的は、前記新規な方法によって準備される電気めっき浴を使用して、銅含有層の電解析出のためのプロセスを提供することである。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は、次のステップから成る、基板上の銅含有層を電気めっきするための組成物の準備のための方法に関する:
(i)少なくとも以下のものを含んでいる水溶液を提供すること:
− 銅Cu (II)イオンのソース、
− pHを所定値に調整する添加物、および
− Cu (II)イオンを錯化させるための、次の化学式を有する錯化剤:
COOR1−COHR2R3
ここで、R1はカルボン酸塩基(COO)に共有結合した有機基であリ、
R2は水素または有機基であり、そして、
R3は水素または有機基であり、
前記溶液は還元剤を含まない、
(ii)前記溶液と直接接触していないソースから、前記ソースと前記溶液との間の接触を引き受ける輸送手段を通して、電子を提供すること。
【0019】
電子を供給しているソースが前記溶液または前記溶液の外部に置かれ得る。
【0020】
好ましくは、電子を供給しているソースが電流発生器または電池であり、輸送手段がワイヤに結びつけられる電極を含んでいる。
【0021】
好ましくは、電子を供給しているソースが0.32mA/cm2から3.82mA/cm2までの間の電流密度を有する。
【0022】
第1の実施例において、錯化剤におけるR2が水素、R3が有機基、R1が炭化水素基(COO)に共有結合された有機基である。
【0023】
第2の実施例において、錯化剤におけるR2が水素、R3が−CHOH−COOR1、R1が炭化水素基(COO)に共有結合された有機基である。
【0024】
第3の実施例において、第1の実施例におけるように、R2が水素、R3が有機基であり、R1が炭化水素基である。
【0025】
第4の実施例において、第2の実施例におけるように、R2が水素、R3が−CHOH−COOR1であり、R1が炭化水素基である。
【0026】
他の好ましい実施例において、前記錯化剤が、L−ジエチルタルトレート、L−ジイソプロピルタルトレート、L−ジメチルタルトレート、L−ジブチルタルトレート、L−ジエチルラクテート、D−ジエチルタルトレート、D−ジイソプロピルタルトレート、D−ジメチルタルトレート、D−ジブチルタルトレート、D−ジエチルラクテート、または、それの混合物からなるグループから選択される。
【0027】
好ましくは、溶液中の銅Cu(II)イオンのソースがCuS04・5H20.である。
【0028】
好ましくは、組成物のpHを調整する添加物が[ Me4N]OH(TMAH)である。
【0029】
好ましくは、前記組成物のpHが11と13.5の間であり、より好ましくは12と13.5の間であり、より好ましくは12.3と13.3の間である。
【0030】
本発明はまた、基板上に少なくとも1つの銅含有層を形成するためのプロセスに関し、このプロセスは、第1の電気めっき浴において前記基板上に銅含有層を電気めっきするステップを少なくとも含み、前記電気めっき浴が本発明にしたがい、ここの上に記載された方法により準備された組成物であることを特徴とする。
【0031】
好ましくは、組成物の温度が10°Cおよび50°Cの間であり、好ましくは室温および45°Cの間である。
【0032】
銅含有層が直接基板の上に形成され得る。
【0033】
前記銅含有層が前記一次層上に形成されるように、前記基板上に一次層を形成するプレステップの後に前記銅含有層が前記基板上に間接的に形成され得る。
【0034】
好ましくは、前記一次層が銅拡散バリア層である。
【0035】
前記銅の拡散バリア層が金属伝導性またはそうでないことができる。
【0036】
好ましくは、前記銅拡散バリア層がTi層、TiN層、Ta層、WNx層、TaN層、Co層およびCo合金層からなるグループから選択される。
【0037】
結果として生じる銅含有層が銅シード層(Copper seed layer)である。
【0038】
この実施例において、本発明にしたがうプロセスは、第2電気めっき浴を使用して最後に形成された銅シード層上に他の銅含有層を形成するステップをさらに含む。
【0039】
第2電気めっき浴が銅シード層を形成するために使用される第1電気めっき浴である。
【0040】
標準電気めっき技術で既に使用されたように、第2電気めっき浴が第二銅硫酸ベースの電気めっき浴である。
【0041】
【発明の実施の形態】
添付の図面に関連して、本発明は結局詳細に記載されている。しかしながら、当業者が、本発明を実行するいくつかの他の等価の実施例またはその他の方法を想像することができることは明らかである。
【0042】
本発明の第1の態様において、基板上に銅含有層を電気めっきするための組成物の準備のための方法は、次のステップから成る:
(i)少なくとも以下のものを含んでいる水溶液を提供すること:
− 銅Cu (II)イオンのソース、
− pHを所定値に調整する添加物、および
− Cu (II)イオンを錯化させるための、次の化学式を有する錯化剤:
COOR1−COHR2R3
ここで、R1はカルボン酸塩基(COO)に共有結合した有機基であリ、
R2は水素または有機基であり、そして、
R3は水素または有機基であり、
前記溶液は還元剤を含まない、
(ii)前記溶液と直接接触していないソースから、前記ソースと前記溶液との間の接触を引き受ける輸送手段を通して、電子を提供すること。
【0043】
図2中aは、より詳細に前記化合物の構造を与える。
【0044】
電子を供給するソースは、電流生成装置であり得る。
【0045】
前記ソースは、ソースおよび溶液との直接の接触がない限り、前記溶液の外部に配置されることができ、または前記溶液内に配置されることができる。
【0046】
グループR1、R2およびR3は、銅イオンおよび化合物間の良好な錯化を保証するあらゆる有機基であり得る。前記化合物は、化合物またはラセミ混合物のD−形 またはL−形でありえる。
【0047】
本発明のこの第1の態様の実施例において、R2は水素であり、R3は有機基である。
【0048】
本発明のこの第1の態様の他の実施例において、図2中bにて図示したように、R2は水素、R3は−CHOH−COOR1である。
【0049】
本発明のこの第2の態様の他の実施例において、前記R1は、炭化水素基である。
【0050】
例えば、前記化合物は、ジエチルタルトレート、ジイソプロピルタルトレート、ジメチルタルトレート、ジブチルタルトレートおよびエチルラクテートからなるグループから選択される。それらの分子は、D−形またはL−形であり得る。図2中cは、R1がCH2CH3であるジエチルタルトレートの化学構造を与える。
【0051】
この第1の態様にて記載した組成物のpHは、11および13.5間の範囲であることができる。例えば、pHは12.3および13.3の間の範囲である。
【0052】
溶液が作用され得る温度は、10°Cから50°Cまたは45°Cまたはそれ以下、あるいは、室温から45°Cまでの範囲である。
【0053】
本発明の第2の態様において、銅含有層を基板上に形成するための本発明にしたがうプロセスは、電気めっき浴を使用して、基板上へ銅含有層を電気めっきするステップを含み、前記電気めっき浴がここの上で言及された発明にしたがう方法によって準備される組成物であることを特徴としている。
【0054】
無電解めっき浴に反して、前記電気めっき浴は、ホルムアルデヒドのような、しかしこれに限定されない、Cu2+をCuに還元することが可能な犠牲的電子提供合成物を含まない。ホルムアルデヒド蒸気が疑わしいカーシノジェニティ(carcinogenity)を原因とする潜在的な健康責任であるので、これは主要な利点である。さらに、この電気めっき浴は、ナトリウムまたはカリウムのようなアルカリ金属イオンを含まない。
【0055】
これらのイオンが高い移動度を有して、容易に接合レベルに移動することができるので、それらのイオンの存在は、例えば半導体装置の信頼性のために有害であり得る。
【0056】
本発明のプロセスは、異なる用途のために実行されることができる。
【0057】
前記プロセスが、銅含有層を伝導層上に形成するために使われることができる。
【0058】
さらに、前記プロセスはまた、銅拡散バリア層上への銅含有層の形成のために使われることができる。好ましくは、前記銅拡散バリア層は、伝導銅拡散バリア層である。
【0059】
前記プロセスが、また、銅含有シード層の形成のために使われることができる。それから、得られた銅含有シード層が、開口部を伴わないブランケットウェーハおよび0.1ミクロンまでの幅と4かそれ以上のアスペクト比(開口部の深さ/幅比)とを有する開口部を伴うウェーハの両者上への電気めっきされた銅の堆積のためのシード層として使われることができる。前記開口部は、溝、通路またはコンタクトホールであり得る。特に、前記ウェーハは、単一または二重の波形の溝構造を有するウェーハであり得る。前記銅含有層は、平坦な基板上に形成されることができ、または例えば前記基板の開口部内に形成されることができる。
【0060】
図1に図示したように、本発明のプロセスは、共形の銅層の堆積に結果としてなる。
【0061】
通常、銅含有層の堆積は、2つのめっきステップ(plating step)を含む。第1のステップにおいて、銅含有シード層は、概して、ここに限定されないが、バリア層上に形成される。今まで、シード層は、無電解めっき、PVDまたはCVDによって形成される。第2のステップにおいて、銅含有層は、古典的なめっき浴を使用する電気化学堆積によって更に堆積される。
【0062】
基板は、少なくとも、部分的に処理されたものの一部、または汚れていないウェーハ、または例えばSiかGaAsかGeかSiGeのような半導材料の薄片、または例えばガラス薄片のような絶縁材料、または伝導性材料であり得る。前記基板は、パターン絶縁層から成ることができる。
【0063】
特に、前記基板が部分的に処理されたウェーハまたは薄片である場合、能動的なおよび/または受動的な装置の少なくとも一部はすでに形成されることができ、および/または、少なくとも、これらの装置を相互接続する構造の少なくとも一部は形成されることができる。
【0064】
Cu拡散バリア層の例は、Ti、TiN、Ta、WNx、TaN、Coまたはそれの任意の組合せである。そのようなバリア層のより格別の例は、TiNである。
【0065】
水素進化(hydrogen evolution)は、バリア層上への堆積の間、実質的に制限される。これは、そのようなバリア層上に少なくとも150ナノメートルまたは少なくとも300ナノメートルの厚みを有する高品質のCu含有層が形成され得ることを意味する。また、より厚い層、例えば、1μmまたは2μmまでの範囲の厚みを有する層は形成されることができる。
【0066】
バリア層上の銅の成功した電気めっきは、銅めっきの前にバリア層表面の清掃を含む。
【0067】
例えば、TiN表面の清掃は、表面のTiOxNy種を除去するために希釈されたHF溶液で達成されることができる。他の清掃手順は、文献に記載されていた。
【0068】
通常従来技術において要求されるように、各々のプロセスステップには、好ましくは、例えばDI水で十分なすすぎが続かなければならない。
【0069】
いくつかの事例において、TiN表面の品質に依存して、事前清掃または活性化ステップの何れか、または両方のステップの後の追加の乾燥は、電気めっきされた銅含有層品質を改善することができる。
【0070】
結果として生じる銅シード層は、その分野で現在使用中の標準の商業的な硫酸第二銅ベースのめっき浴による次の電解銅充填のための要求を満たす。
【0071】
シード層めっき浴の特定の組成物および現在の設定は、この技術を機能させるために重要である。
【0072】
本発明のプロセスはいくつかの利点を提示し、それらの中にプロセスの簡単化がある。実際に、銅含有シード層を形成するステップおよび第2の銅含有層を形成するステップの双方は、既存の銅めっきツールにインプリメントされ得る。
【0073】
このプロセスの他の利点は、(i) 例えば、これに限定されないが、TiNまたはTaN、低コストの、バリア層に対する優れた粘着であり;(ii) 既存の銅めっきツールにインプリメントされ得る単純化された処理;(iii) めっき浴の簡単な保守;(iv)安価な処理;および(v)メッキ浴に環境的に受け入れ可能な成分(有害な成分でない)。
【0074】
本発明の好ましい実施例において、本発明にしたがうプロセスは、銅Cu (II)イオンのソース、前記水溶液のpHを所定値に調整する添加物、およびCu (II)イオンを錯化するための化合物から成る水溶液である電気めっき浴を使用する。前記化合物は、図2中bに示されるように、以下の化学構造を有する少なくとも一つの部分を有する:
COOR1−CHOH−CHOH COOR1
R1は、カルボン酸塩基(COO)に共有結合される有機基である。
【0075】
少なくともこの開示の目的のために、有機タルトレートは、次の化学構造を有する化合物として定義される:
COOR1−CHOH−CHOH COOR1
R1は、カルボン酸塩基(COO)に共有結合される有機基である。
【0076】
例えば、これらの有機基は、炭化水素基であり得る。
【0077】
そのような有機タルトレートの例は、ジエチルタルトレート、ジイソプロピルタルトレート、ジメチルタルトレート、またはジブチルタルトレートである。図2中cは、R1がCH2CH3であるジエチルタルトレートの化学構造を与える。
【0078】
高いpH値での銅(II)(copper(II))水酸化物堆積を避けるために、有機タルトレートはCu(II)イオンを錯化するために加えられる。特に、ジエチルタルトレートが使われる。有機タルトレートは、イオン化タルトレート、すなわちタルトレート2−イオンベース塩と比較してCu(II)イオンを伴う異なる錯化動作によって特徴づけられる。おそらく、この錯化は、主として、しかしこれに限定されることなく、有機タルトレートの少なくとも1つの水酸基、特に対応する陰イオンに基づく。
【0079】
CuS04・5H20が銅Cu (II)イオンのソースとして使われることができる、しかし、技術において知られた他の銅ソースもまた使いやすい。
【0080】
このめっき液のpHのための作動範囲は、概してpH 11.0および13.5の間である。正しいpH値は、例えばテトラ−N−メチルアンモニウム水酸化物(Me4NOH)のような添加物の添加によって調整される。他の例は、水酸化物または技術において知られている他のもののようなアルカリ化合物である。好ましくは、pH範囲は、12.3および13.5の間であり、最も好ましくは12.3および13.3の間である。より高いpHレベルは可能であるが、実質的に銅フィルム品質を改善するかまたは容量を満たすことのないベースの非常により多くの添加を必要とする。
【0081】
溶液が適用される温度は、10°Cから50°C、45°Cまたはそれ以下まで、または室温から45°Cまでの範囲である。温度は、特定の組成物に依存し、たとえば、錯化剤(例えば有機タルトレート)の濃度によって影響されることができる。
【0082】
作用される電流は、これには限定されないが、8インチウェーハのために0.01Aから4Aまでの範囲、好ましくは0.1Aおよび1.2Aの間の範囲であり、0.1Aのための0.32mA/cm2から1.2Aのための3.82mA/cm2の電流密度に対応する。
【0083】
堆積時間は、銅含有層の要求される厚みに依存する。一般的に、堆積時間は、これに限定されないが、1分および75分の間であり得る。
【0084】
本発明の好ましい実施例の説明
本発明の好ましい実施例において、銅含有層は、TiN/TiまたはTaN拡散バリア層上に堆積される。
【0085】
バリア層は、プラスマCVDが堆積された二酸化珪素(または、ポリマーベースの誘電体層、キセロゲル、…のような技術において知られた他の任意の誘電体層)のような誘電体層上に堆積される。
【0086】
それらのバリア層は、CVD− TiNバリア層上に実行される2、3の試験堆積のためを除いて、イオン化金属プラスマ(IMP)によってスパッタ堆積された。新規なプロセスの充填容量は、Si02においてドライエッチングされてIMP−TiN/TiまたはTaNによってカバーされた単一の波形の溝試験構造でパターン化された酸化物ウェーハ上で試験された。
【0087】
希釈されたHP溶液内におけるクリーニングは、TiNバリア層のために適切である。0.5%(2秒)から10%(10秒)の濃度範囲は、役立つと判明した。
【0088】
HFがTiN層自体を腐蝕することなく、僅かに酸化されたTiN表面層を除去することが可能であることを示された。
【0089】
バリア層上に薄い銅シード層をめっきするためのめっき浴は、3つの成分から成る:Cu(II)イオンのソースとしての硫酸第二銅CuS04・5H20、高いpHで溶液中にCu(II)を保つための錯化リガンドとしてのジエチルタルトレート(DET)、および、よい品質のめっきのために必要なレベルにpHを調整する[Me4N]OH(TMAH)。
【0090】
完全な8インチウェーハ上へのめっきは、めっきチャンバーのセットアップのいかなる修正もなしに市販のめっきツール(セミツール(Semitool) ECDチャンバー)上の標準の電気めっきチャンバーにおいて成し遂げられた。標準のCu(P)陽極がウェーハのための対向電極として使われた。バリア層に対する電気的接触は、めっき(4.7mmの端除外)の間、めっき液によるコンタクトのいかなる濡れをも避けるために保護リングを伴うウェーハの周辺部周辺での一連のコンタクトを伴ってなされた。
【0091】
Cu BCDめっきのための標準のディフューザプレートが、我々のめっき試験のために使われた。
【0092】
この特許のアプリケーションがこの特定のめっきツールに限定されないことが理解されなければならない。この発明は、完全なウェーハ銅めっきのための類似した容量を持つ任意の既存の、あるいは将来のめっきツールに適していなければならない。
【0093】
表1は、好ましい実施例のまっき浴のための結果の一覧を示す。堆積時間は、10分である。
【0094】
【表1】
TMAHは、要求されたpH値まで添加される。
【0095】
本実施例におけるpHは12.5である、しかし、より高いpHレベルもまた可能であるが、実質的に銅のフィルムの品質を改善するかまたは容量を満たすことのないベースの非常により多くの添加を必要とする。
【0096】
更なる実施例の説明
実験は、表2で与えられるように異なる状況のために繰り返された。
堆積時間は、全ての実験にとって10分である。
【0097】
【表2】
8.30のml/LのDET濃度のために、比較的小さい効果は、参照された実施例と比較して約5.6から4.9ナノメートル/分まで堆積速度の減少を伴う銅の堆積速度に見られる。しかしながら、堆積された銅層の特定の固有抵抗は、より高いリガンド濃度で実質的に増加する。粘着力は、類似した厚みの銅層のためのより低いDET濃度浴のために僅かによいと判明した。
【0098】
めっき浴のために:(Cu(II) 2.4g /L、DET 8.30ml/L)、めっきは、少なくとも35°Cまでかそれより高い温度であっても可能である。めっき温度が25から35°Cまで上昇されるとき、銅めっき速度は2倍以上(毎分4.9ナノメートルから毎分10.7ナノメートルまで)である。これは、堆積速度に殆ど温度効果がないことが監察される場合に、硫酸めっき浴からの標準のECD銅めっきと対照的である。
【0099】
また、めっきによる銅フィルムの特定の固有抵抗は、強くめっき温度に依存している。堆積温度の増加と共に特定の固有抵抗の相当な増加が観察される。
【0100】
1つの特定の実施例において、界面活性剤、トリトン−X、(めっき浴の20リットル中に1mL)は添加された。この界面活性剤レベルで、堆積速度においても、同一のめっき状況下で堆積された銅層の特定の固有抵抗においても、実際に何の効果も無い。銅フィルムの構造はトリトン−Xの存在によって優れている。(111)構造は、200インチウェーハのために観察されることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明によるプロセスおよび浴で得られる電気めっきされた銅層のSEM画像を表す。
【図2】 (a)は、錯化剤の一般の化学構造を表し、(b)は、本発明にしたがう方法の好ましい実施例における錯化剤として使用されるタルトレートの化学構造を与え、(c)は、本発明の方法における特に好ましい錯化剤として使用されるジエチルタルトレートの化学構造を与える。
Claims (17)
- 基板上に銅含有層を電気めっきするための組成物の準備のための方法であって、少なくとも、
− Cu(II)イオンソースと、
− pHを所定値に調整する添加物と、
− Cu(II)イオンを錯化させるための、L−ジエチルタルトレート、L−ジイソプロピルタルトレート、L−ジメチルタルトレート、L−ジブチルタルトレート、L−ジエチルラクテート、D−ジエチルタルトレート、D−ジイソプロピルタルトレート、D−ジメチルタルトレート、D−ジブチルタルトレート、D−ジエチルラクテート、または、それの混合物からなるグループから選択される錯化剤と、
を含み、かつ還元剤を含まない水溶液を提供することからなる方法。 - 溶液中の銅Cu(II)イオンソースがCuSO 4・5H2 Oであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 組成物のpHを調整する添加物が[Me4N]OH(TMAH)であることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記組成物のpHが11と13.5の間であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 基板上に少なくとも1つの銅含有層を形成するためのプロセスであって、第1の電気めっき浴において前記基板上に銅含有層を電気めっきする工程を少なくとも含み、
前記電気めっき浴が、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法により準備された組成物であり、
前記溶液と直接接触していないソースから、前記ソースと前記溶液との間の接触を引き受ける輸送手段を通して、電子を提供することを特徴とするプロセス。 - 組成物の温度が10°Cおよび50°Cの間であることを特徴とする請求項5に記載のプロセス。
- 前記銅含有層が直接前記基板の上に形成されることを特徴とする請求項5または6に記載のプロセス。
- 前記銅含有層が一次層上に形成されるように、前記基板上に前記一次層を形成するプレステップの後に前記銅含有層が前記基板上に間接的に形成されることを特徴とする請求項5または6に記載のプロセス。
- 前記一次層が、Ti層、TiN層、Ta層、WN層、TaN層、Co層およびCo合金層からなるグループから選択される銅に対する拡散バリア層であることを特徴とする請求項8に記載のプロセス。
- 結果として生じる銅含有層が銅シード層であることを特徴とする請求項5〜9のいずれか1項に記載のプロセス。
- 第2電気めっき浴を使用して最後に形成された銅シード層上に他の銅含有層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載のプロセス。
- 第2電気めっき浴が銅シード層を形成するために使用される第1電気めっき浴であることを特徴とする請求項11に記載のプロセス。
- 第2電気めっき浴が硫酸第二銅ベースの電気めっき浴であることを特徴とする請求項11に記載のプロセス。
- 電子を供給している前記ソースが、前記溶液の外部に置かれることを特徴とする請求項5に記載のプロセス。
- 電子を供給している前記ソースが、電流発生器または電池であることを特徴とする請求項14に記載のプロセス。
- 前記輸送手段が、ワイヤと、ワイヤに結びつけられた前記基板に対する対向電極を含むことを特徴とする請求項5に記載のプロセス。
- 電子を供給している前記ソースが0.32mA/cm2から3.82mA/cm2までの間の電流密度を有することを特徴とする請求項14または15に記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP00870299A EP1215305B1 (en) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | Method for preparing an electroplating bath and related copper plating process |
US25764900P | 2000-12-22 | 2000-12-22 | |
US00870299-5 | 2000-12-22 | ||
US60/257649 | 2000-12-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002285376A JP2002285376A (ja) | 2002-10-03 |
JP4202016B2 true JP4202016B2 (ja) | 2008-12-24 |
Family
ID=26074316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001378216A Expired - Fee Related JP4202016B2 (ja) | 2000-12-13 | 2001-12-12 | 電気めっき浴を準備する方法および関連した銅めっきプロセス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4202016B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050006245A1 (en) * | 2003-07-08 | 2005-01-13 | Applied Materials, Inc. | Multiple-step electrodeposition process for direct copper plating on barrier metals |
US20050274621A1 (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-15 | Zhi-Wen Sun | Method of barrier layer surface treatment to enable direct copper plating on barrier metal |
US20050211564A1 (en) * | 2004-03-29 | 2005-09-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and composition to enhance wetting of ECP electrolyte to copper seed |
FR2890984B1 (fr) * | 2005-09-20 | 2009-03-27 | Alchimer Sa | Procede d'electrodeposition destine au revetement d'une surface d'un substrat par un metal. |
JP5388191B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2014-01-15 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 貫通シリコンビアを有するめっき物及びその形成方法 |
-
2001
- 2001-12-12 JP JP2001378216A patent/JP4202016B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002285376A (ja) | 2002-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6821909B2 (en) | Post rinse to improve selective deposition of electroless cobalt on copper for ULSI application | |
US6398855B1 (en) | Method for depositing copper or a copper alloy | |
JP5346215B2 (ja) | 半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物 | |
US20020064592A1 (en) | Electroless method of seed layer depostion, repair, and fabrication of Cu interconnects | |
US6899816B2 (en) | Electroless deposition method | |
JP5203602B2 (ja) | 銅でないメッキ可能層の上への銅の直接電気メッキのための方法 | |
US7476974B2 (en) | Method to fabricate interconnect structures | |
JP6367322B2 (ja) | 湿式ウエハバックコンタクトを使用したシリコンビアを通した銅メッキのための方法 | |
TW201739959A (zh) | 電鍍矽穿孔之製程和化學作用 | |
US20030190426A1 (en) | Electroless deposition method | |
US20030189026A1 (en) | Electroless deposition method | |
US20050029662A1 (en) | Semiconductor production method | |
JP2010507263A (ja) | 超小型電子デバイスの製造におけるフィチャーを埋め込むための銅堆積 | |
US6911229B2 (en) | Structure comprising an interlayer of palladium and/or platinum and method for fabrication thereof | |
KR101170560B1 (ko) | 반도체 산업에서 사용하기 위한 3성분 물질의 무전해석출용 조성물 | |
WO2016096390A1 (en) | Trench pattern wet chemical copper metal filling using a hard mask structure | |
JP4202016B2 (ja) | 電気めっき浴を準備する方法および関連した銅めっきプロセス | |
US6872295B2 (en) | Method for preparing an electroplating bath and related copper plating process | |
US7223694B2 (en) | Method for improving selectivity of electroless metal deposition | |
EP1022355B1 (en) | Deposition of copper on an activated surface of a substrate | |
JP4343366B2 (ja) | 基質活性面上の銅析出 | |
KR100451767B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
TW202432899A (zh) | 在導電基材上薄銅膜之電沉積 | |
TWI638424B (zh) | 利用濕式晶圓背側接觸進行銅電鍍矽穿孔的方法 | |
JP2004197169A (ja) | 基板の銅配線形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070911 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071210 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071213 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080110 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080318 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080612 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080617 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080717 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080723 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080916 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121017 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121017 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131017 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |