JP4199772B2 - 光記録媒体の記録再生方法 - Google Patents
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Description
また、RAM層は、例えばMO(Magneto Optical)のような、磁気とレーザとを用いて情報(光磁気信号,RAM情報)の記録を行ない、レーザを用いて情報の再生を行なう記録媒体、所謂RAM(Random Access Memory)として機能する部分である。なお、RAM層から光磁気信号を読み出す際には、弱いレーザ光をRAM層に当てることにより、レーザ光の偏光面が記録層(RAM層)の磁化の向きに応じて極カー効果によって変わり、このときのRAM層からの反射光の偏光方向により信号が検出され、これによりRAM情報(光磁気信号)が読み出されるようになっている。
図15に示すように、ROM−RAM光ディスクには、一般的なコンパクトディスクと同様に、情報の再生もしくは記録の開始をガイドするリードイン1と情報の再生もしくは記録の終了をガイドするリードアウト2とが設けられ、リードイン1とリードイン2との間に情報が記録されるユーザエリア3が設けられている。このユーザエリア3は、図16に示すように、例えば、ポリカーボネイト等の基板10,誘電体膜11,TbFeCo(テルビウム鉄コバルト)等の光磁気記録膜12,誘電体膜13,Al(アルミニウム)膜14,保護層としてのUV(Ultraviolet)硬化膜15を積層して構成される。
なお、図17における線X−X´に沿ってROM−RAM光ディスクを切断したときの断面が図16に示す断面に対応している。また、図17に示したROM−RAM光ディスクでは、位相ピット16がトラッキングガイドとして機能するので、トラッキングガイドとしてのグルーブ等は設けられていない。
上述のようなROM−RAM光ディスクにおいて、RAM層の光磁気記録膜12上に磁気マーク17(即ち、RAM記録マーク)を記録しながらROM層の基板10上の位相ピット16(即ち、ROM記録マーク)を再生するには、図17に示すようにレーザ光をDC(Direct Current)連続光で照射することが考えられる。このように、レーザ光をDC連続光で照射しながら、磁界の方向をスイッチングすることで任意の長さの磁気マーク17を形成できる。また、DC連続光照射なのでROM情報も再生可能である。
このように、RAM層に高密度に情報を記録するとともにRAM層に記録された情報の再生時のジッタを改善することと、ROM層の再生ジッタを抑制することとは、トレードオフの関係にあり、これらを両立することが困難であった。
さらに、上記目的を達成するために、本発明の光記録媒体の記録再生方法は、予め記録された情報を再生可能なROM層と、情報を記録/再生可能なRAM層とが積層された光記録媒体の記録再生方法であって、RAM層に情報として記録されるRAM記録マークの記録単位あたり2回以上のパルスでレーザ光を発光させ、レーザ光を用いてRAM記録マークを記録し、RAM記録マークを、当該RAM記録マークの記録時に用いられたレーザ光と同一周波数且つ同一デューティのパルス光を用いて再生することを特徴としている。
なお、ROM記録マークの再生系にそなえられた低周波透過型フィルタの遮断周波数を、ROM層再生時のエラー率が最小となるように設定することが好ましい。
なお、RAM記録マークの再生系にそなえられた低周波透過型フィルタの遮断周波数を、RAM層再生時のエラー率が最小となるように設定することが好ましい。
本発明の一実施形態としての光記録媒体の記録再生方法は、上記図15〜図17に示した光記録媒体(ROM−RAM光ディスク)に対する情報の記録方法であって、例えば図6を参照しながら後述する光記録媒体の記録再生装置に適用される。なお、ROM−RAM光ディスクは、図16に示すように、ROM層上にRAM層が積層されて構成される。このROM−RAM光ディスクのROM層の基板10には、情報としてのROM記録マーク(位相ピット)が予め記録されており、ROM記録マークを再生する際には、かかる光記録媒体の記録再生装置にそなえられた半導体レーザ101(図6参照)からのレーザ光をROM記録マークに照射し、基板10からの反射光に基づいてROM記録マークが再生されるようになっている。
また、本実施形態にかかる光記録媒体の記録再生方法では、レーザ光のパルス立下り時に、磁界の方向を変更するようになっている。図2に示すように、光記録媒体の温度は、パルス発光されるレーザ光によりレーザ光のパルスに同期して、上昇と低下とを周期的に繰り返す。上述したように、光磁気記録膜12は温度が上昇することにより保磁力が低下するため、ここでは、光磁気記録膜12の温度が最も上昇するパルス立下り時(図2のタイミングt1,t2参照)に磁界の方向を変更することにより、光磁気記録膜12にRAM記録マークを確実に記録することができるのである。なお、パルスの立ち上がり時(例えば図2のタイミングt1´,t2´参照)で磁気ヘッド駆動電流を反転すると、光磁気記録膜12の温度が低い状態で磁界が反転されるため、光磁気記録膜12の磁化の反転が不十分になり、光磁気信号の記録特性が劣化する。
このようにして測定した上記の3ケースごとのROM記録マーク再生ジッタとRAM記録マーク再生ジッタとの測定結果を、下記表1に示す。
なお、本実施形態にかかる光記録媒体の記録再生方法は、ROM記録マークの記録フォーマットと、RAM記録マークの記録フォーマットとを同様の変調方式にするとともに、ROM記録マークおよびRAM記録マークのそれぞれの記録単位TO,TAがほぼ等しくなるように構成されているが、これに限定されるものではなく、ROM記録マークとRAM記録マークとの記録フォーマットが異なるように記録してもよい。上述のとおり、RAM記録マークの記録単位TAは、変調方式により異なる値を取る。また、変調方式によって、ROM記録マークの記録単位についても任意の値に設定することができる。
TA/(n+2)≦TOM ・・・(1)
ただし、n≧0とする。
次に、図6を参照しながら、本実施形態にかかる光記録媒体の記録再生方法を適用される光記録媒体の記録再生装置について説明する。図6は光記録媒体の記録再生装置の機能構成および光学系構成を模式的に示す図である。この図6に示すように、半導体レーザ101より出射された光(ここでは波長λが660nmの光)は、コリメータレンズ102により平行光となり、第1の偏光ビームスプリッタ103にP偏光で入射する。第1の偏光ビームスプリッタ103に入射した光の約30%の光が反射され、集光レンズ104によりフォトディテクタ105上に集光される。フォトディテクタ105からの電気信号は、メインコントローラ119に出力され、メインコントローラ119は、受信した電気信号に基づいて、LDドライバ120を制御して半導体レーザ101から発光されるレーザ光のパワー制御を行なう。
このように反射された光は、第2の偏光ビームスプリッタ112に入射し、入射した光のうちのP偏光成分の約50%は透過し、残りの約50%のP偏光成分は反射される。また、前記入射光のS偏光成分の95%以上は、第2の偏光ビームスプリッタ112により反射される。第2の偏光ビームスプリッタ112を透過した光は、平凸レンズ113と円筒面レンズ114とによって、4分割フォトディテクタ115上に集光される。この4分割フォトディテクタ115からの出力により、メインコントローラ119が非点収差法によりフォーカスエラー信号αを検出すると、アクチュエータ駆動回路121によって対物レンズ107を載せたアクチュエータ110を光軸方向に移動調整し、ROM−RAM光ディスク108上に回折限界まで光を集光するように構成されている。
α=(A+C)−(B+D) ・・・(2)
図7における符号126a,126b,126cは、4分割フォトディテクタ115上のビームスポット形状を示すものである。ビームスポット形状は、ROM−RAM光ディスク108上に、略回折限界まで集光した状態では符号126cのような形状となる。また、ROM−RAM光ディスク108と対物レンズ107との間で焦点を結ぶ場合は、符号126aで示すビームスポット形状となり、逆に、対物レンズ107側から観察して、ROM−RAM光ディスク108よりも対物レンズ107より遠い側に焦点を結ぶ場合は、符号126bで示すビームスポット形状になる。
β=(A+B)−(C+D) ・・・(3)
そして、メインコントローラ119はトラッキングエラー信号βに基づいて、アクチュエータ110をROM−RAM光ディスク108の記録トラックに対して垂直方向に移動調整して、トラッキングを行なう。
図8には、2分割フォトディテクタの配置摸式図を示す。メインコントローラ119は、2分割フォトディテクタ118の2つの領域118a,118bからの各出力E,Fに基づいて、下記式(4)に基づく演算により位相ピット信号γを検出する。
また、メインコントローラ119は、2分割フォトディテクタの各出力E,Fに基づいて、下記式(5)に基づく演算により光磁気信号σを検出する。
σ=E−F ・・・(5)
そして、図9を参照しながら後述するように、メインコントローラ119は、これら位相ピット信号γおよび光磁気信号σに基づいて、発光するレーザ光の周波数およびデューティを制御するように構成されている。
次に、メインコントローラ119の構成について図9を参照しながらさらに詳述する。図9はメインコントローラ119の機能構成を示すブロック図である。
このように、RAM記録マークの記録単位あたり2回パルスでレーザ光を発光させることにより、ROM層およびRAM層の再生時のブロックエラー率がともに低い値となり、ROM層の再生とRAM層の記録/再生とを良好な特性を確保しながら両立させることができる。
例えば、上述した実施形態では、レーザ光が、RAM記録マークの記録単位TAあたり2回発光されるパルス光である場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、記録単位TAあたり2回以上発光されるパルス光であってもよい。
Claims (7)
- 予め記録された情報を再生可能なROM層と、情報を記録/再生可能なRAM層とが積層された光記録媒体の記録再生方法であって、
該RAM層に情報として記録されるRAM記録マークの記録単位あたり2回以上のパルスでレーザ光を発光させ、該レーザ光を用いて該RAM記録マークを記録し、
該レーザ光を用いて、該RAM記録マークを記録すると同時に該ROM層に記録された情報を再生し、
該レーザ光のパルスデューティを変えて該RAM層の記録/再生および該ROM層の再生の試行を行ない、
該試行によって得られた該ROM層再生時のエラー率および該RAM層再生時のエラー率が最小となるように該レーザ光のパルスデューティを調整することを特徴とする、光記録媒体の記録再生方法。 - 予め記録された情報を再生可能なROM層と、情報を記録/再生可能なRAM層とが積層された光記録媒体の記録再生方法であって、
該RAM層に情報として記録されるRAM記録マークの記録単位あたり2回以上のパルスでレーザ光を発光させ、該レーザ光を用いて該RAM記録マークを記録し、
該RAM記録マークを、当該RAM記録マークの記録時に用いられた該レーザ光と同一周波数且つ同一デューティのパルス光を用いて再生することを特徴とする、光記録媒体の記録再生方法。 - 該レーザ光のパルスを一定の繰り返しで照射しながら磁界の方向を変えることにより該RAM記録マークを記録することを特徴とする、請求項1又は2記載の光記録媒体の記録再生方法。
- 該レーザ光のパルスの立下り時に、上記の磁界の方向を変えることを特徴とする、請求項3記載の光記録媒体の記録再生方法。
- 該ROM層の記録フォーマットと該RAM層の記録フォーマットとが同一であり、該ROM層に記録されるROM記録マークの記録単位と該RAM記録マークの記録単位とが等しくもしくはほぼ等しく設定され、且つ、該レーザ光を、該RAM記録マークの記録単位あたり2回のパルスで発光させることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか 1 項に記載の光記録媒体の記録再生方法。
- 該ROM記録マークの再生系にそなえられた低周波透過型フィルタの遮断周波数を、該ROM層再生時のエラー率が最小となるように設定することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか 1 項に記載の光記録媒体の記録再生方法。
- 該RAM記録マークの再生系にそなえられた低周波透過型フィルタの遮断周波数を、該RAM層再生時のエラー率が最小となるように設定することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか 1 項に記載の光記録媒体の記録再生方法。
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