JP4196090B2 - 誘導加熱装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施例について図面を参照しながら説明する。図1は本実施例の誘導加熱装置の構成を示す図である。商用電源やフィルタを含む電源部3は、高周波発振部11に接続され、高周波発振部11は加熱コイル1に接続される。加熱コイル1は上部に鍋などの負荷15が加熱コイル1と磁気結合する形で設置され、下部には負荷15との磁気結合を高める防磁フェライト13が配置される。また、高周波発振部11は電源部3に接続される整流手段4と、整流手段4と直列に接続されるインダクタ5と平滑コンデンサ6の直列接続と、平滑コンデンサ6に並列に接続される共振コンデンサ7と半導体スイッチ8の直列接続からなり、共振コンデンサ7は加熱コイル1と並列に接続される。一方、インダクタ5の配線は加熱コイルの外周部近傍でフェライトの下部に加熱コイル1の巻き方向とは逆に複数回巻かれ、低周波打ち消し手段を構成する。
になったときに電源部1→整流手段4→加熱コイル1→半導体スイッチ8のループで生じる商用周波数の2倍の成分をもつ低周波電流と、半導体スイッチ8の周波数に従って加熱コイル1に流れる高周波成分が重畳した電流I11が流れる。
本発明の第2の実施例について図面を参照しながら説明する。本実施例の構成を図3に示す。本実施例が実施例1と異なるのは、低周波磁界低減手段12をインダクタ5の逆相に位置する配線を用いている点である。
本発明の第1の参考例について図面を参照しながら説明する。本参考例の構成を図4に示す。本参考例が実施例1と異なるのは、低周波磁界低減手段12を半導体スイッチ8のエミッタラインから取っている点である。
ッチ8のエミッタライン配線を利用して低周波磁界打ち消し手段12を構成している。このようにすることで、低周波磁界に加え高周波の漏れ磁界も低減することが可能になる。そうすることで、電磁シールド環2をなくすことが可能になり、簡易な構成で低周波及び高周波の漏れ磁界を低減することが可能にある。
本発明の第3の実施例について図面を参照しながら説明する。本実施例の構成を図5に示す。本実施例が実施例1と異なるのは、加熱コイル1が内側に位置する内加熱コイル1aと半導体スイッチa8aの直列回路と外加熱コイル1bと半導体スイッチ8bの直列回路が並列に接続され、更に内加熱コイル1aには並列に共振コンデンサ7aが外加熱コイルには並列に共振コンデンサ7bが接続されている点である。
2 電磁シールド環
3 電源部
4 整流手段
5 インダクタ
6 平滑コンデンサ
7 共振コンデンサ
8 半導体スイッチ
11 高周波発振部
12 低周波磁界打ち消し手段
13 防磁フェライト
15 負荷
1a 内加熱コイル
1b 外加熱コイル
7a 共振コンデンサa
7b 共振コンデンサb
8a 半導体スイッチa
8b 半導体スイッチb
Claims (5)
- 電源部に接続され商用周波数の電力を整流し商用周波数の2倍の周波数の低周波成分を持った電力に変換する整流手段と、前記整流手段と直列に接続されるインダクタと平滑コンデンサの直列接続回路と、被加熱物を誘導加熱するための高周波磁界を発生する加熱コイルと、前記低周波成分を持った電力を高周波電力に変換し前記加熱コイルに前記低周波成分と高周波成分が重畳した高周波電流を供給する高周波発振部とを備え、前記高周波発振部内にあり前記低周波成分を持つ低周波電流が流れる前記直列接続回路の配線を、前記加熱コイル近傍に環状に施しかつ前記配線より発生する低周波磁界と前記加熱コイルより発生する低周波磁界が互いに打ち消す方向となるように配置しさらに外部に漏洩する前記低周波磁界を低減するように1回または複数回巻いて構成した低周波磁界打ち消し手段を有する誘導加熱装置。
- 複数に分割された加熱コイルを有し、低周波磁界打ち消し手段は、整流手段と直列に接続されるインダクタと平滑コンデンサの直列接続回路の配線を前記複数の加熱コイルのうち外周側に配置された加熱コイル近傍に環状に施して構成した請求項1に記載の誘導加熱装置。
- 低周波磁界打ち消し手段は、整流手段と直列に接続されるインダクタと平滑コンデンサの直列接続回路の配線を複数回環状に施して構成した請求項1または2に記載の誘導加熱装置。
- 低周波磁界打ち消し手段は、加熱コイル近傍に配置される防磁フェライトの外側に環状に施して構成される請求項1〜3のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。
- 内側に位置する内加熱コイルと第1の半導体スイッチの直列回路と、外側に位置する外加熱コイルと第2の半導体スイッチの直列回路が並列に接続された誘導加熱装置であって、前記内加熱コイルと前記外加熱コイルを同方向に巻く構成とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の誘導加熱装置。
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