JP4194728B2 - Integrated thin film solar cell - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、同一基板上に複数の発電領域を直列に接続して成る集積型薄膜太陽電池に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、薄膜太陽電池は、ガラス等の透光性の基板を使用したものと、金属基板等の非透光性の基板を使用したものとに大別される。また、別の視点から見れば、表面絶縁層を形成した金属基板やガラス等の絶縁表面を有する基板を使用したものと、ステンレスやアルミニウム等の金属基板のごとく導電表面を有する基板を使用したものとに分けられる。このうち、基板が絶縁表面を有する場合は、単一基板上に複数の光起電力素子を直列に接続することによって所望の光起電力を得る所謂集積化と呼ばれる加工が施される場合が多い。
【0003】
上記絶縁表面を有する基板上に形成される薄膜太陽電池は、下部電極層,光電変換層および上部電極層を順次積層して形成されるのであるが、これを集積化するためには、各層形成時に夫々の層をパターニングする工程が必要となる。
【0004】
また、光入射側である上部電極層としては、一般に酸化物透明導電膜が用いられる。ところが、この酸化物透明導電膜の抵抗に起因する直列抵抗によって太陽電池の電力損失が生じ、太陽電池電流‐電圧特性における曲線因子(F.F.)が低下してしまう。そこで、上述のような直列抵抗損失を抑えるために、単位セル内で電流の流れる距離を短くする(つまり集積化)を行なう必要がある。
【0005】
上記集積化のためのパターニング工程には、マスク蒸着法,フォトエッチング法およびレーザ・スクライブ法等が使用されるが、コスト上,工程上,得られる太陽電池の出力上の何れの点においてもレーザ・スクライブ法が他の方法より優れているために、レーザ・スクライブ法が重点的に開発されている。
【0006】
従来、上記レーザ・スクライブ法を用いて絶縁表面を有する基板上に集積化された薄膜太陽電池を作製する方法として、図7〜図9に示すような方法がある。この方法においては、先ず、図9(a)および図9(b)に示すように、基板1上に下部電極層2を形成する。そして、図9(c)に示すように、下部電極層2にレーザ光3を照射するレーザ・スクライブ方法によって、下部電極層2を第1のパターニングライン4で短冊状に絶縁分離する。
【0007】
次に、図9(d)に示すように、非晶質半導体で代表される光電変換層5を積層する。そうした後に、図9(e)に示すように、第1のパターニングライン4に平行な第2のパターニングライン6の位置にレーザ光7を照射して、下地の下部電極層2を損傷することなく光電変換層5のみを選択的に除去する。
【0008】
次に、図9(f)示すように、上部電極層8を積層する。そして、図9(g)示すように、第2のパターニングライン6に平行であって、第2のパターニングライン6に関して第1のパターニングライン4とは反対側に位置する第3のパターニングライン9の位置にレーザ光10を照射して、下地の光電変換層5および下部電極層2を損傷することなく、上部電極層8のみを選択的に分割除去する。こうして、図7に示すような断面構造および図8に示すような平面形状の下部電極層2を有する集積型薄膜太陽電池が形成されるのである。
【0009】
ところが、上述の方法の場合には、上記上部電極層8の分割工程の際に下地の光電変換層5にダメージを与え易く、そのために分割不良が生じて太陽電池特性の低下を招くという問題がある。
【0010】
そこで、上述の問題を解決するために、特開平2‐264480号公報においては、上部電極層8を第3のパターニングライン9の位置でレーザ光によって除去するに先立って、下地の下部電極層2における第3のパターニングライン9に対応する位置を、両端部のみを残して除去するようにしている。こうすることによって、後に第3のパターニングライン9の位置で上部電極層8を分割する際に光電変換層5へのダメージがなく、この光電変換層5へのダメージによって分割不良が生じないのである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記図9に示す従来のレーザ・スクライブ法を用いた集積型薄膜太陽電池の製造方法、および、特開平2‐264480号公報に開示された集積型太陽電池の製造方法には、以下のような問題がある。
【0012】
先ず、上記図9に示す集積型薄膜太陽電池の製造方法においては、上述した3段階のパターニング工程のうち、上部電極層8のみを選択的に除去する第3のパターニングは、上部電極層8を短冊状に絶縁分離して単位セル毎に分割するために施されるものである。したがって、複数の光起電力素子を直列に形成する集積化の工程において第3のパターニング加工が不完全であると、最終的に得られる太陽電池の発電領域内部に生じる漏れ電流によって曲線因子(F.F.)が低下し、結果として太陽電池出力の低下を招くことになる。
【0013】
従来、この第3のパターニングには、図9に示すようにレーザ・スクライブ法を用いる他に、マスク蒸着法やエッチング法が多く用いられている。
【0014】
上記レーザ・スクライブ法においては、上記上部電極層8を成膜した後に、加工対象物を載せたステージを走査しながらレーザ光10を照射し、上部電極層8を熱的または分子的に蒸発させて選択除去する。尚、その場合、加工対象物を載せたステージを固定してレーザ光10を走査してもよいし、両者を併用してもよい。
【0015】
しかしながら、その場合、下地の光電変換層5や下部電極層2を損傷すると、隣接セル間が下部電極層2まで完全に絶縁分離されてしまって、複数の光起電力素子が直列に接続されていない状態になる。または、直列抵抗損失を生じてしまう場合もある。さらには、下地の光電変換層5や下部電極層2を損傷しない場合であっても、光電変換層5にレーザ光10に起因する熱的な影響が及んで低抵抗化することによって隣接セル間の絶縁分離が不完全なものとなり、漏れ電流が生じて太陽電池特性の低下を招くこともある。
【0016】
一方、上記マスク蒸着法においては、成膜時に基板とマスクを密着させる必要があり、そのために光電変換層を損傷して漏れ電流を生じたり、太陽電池モジュールの大面積化が困難であると言う問題がある。さらに、上記マスクの位置決め精度が、レーザ・スクライブ法におけるレーザ加工に比べて低く、分離溝幅が太くなる。そのために、実際の発電には寄与しない(すなわち、発電有効面積の損失となる)直列接続部の面積を増大させる原因となる。
【0017】
また、上記エッチング法においては、上記上部電極層を成膜した後に、スクリーン印刷等によってエッチングレジストをパターニング印刷し、エッチング液によって上部電極層を溶解除去してパターニングを行なう。この方法においては、上記印刷における位置決め精度がレーザ加工の場合に比べて低く、分離溝幅が太くなる。そのために、上記マスク蒸着法の場合と同様に、損失面積の増大を招くと共に、集積型薄膜太陽電池を大面積化する場合、安定した品質でのパターニング印刷が困難であるという問題がある。また、上記上部電極層は光入射側に在るために、太陽電池で用いられるような可視光領域の透過率の高いエッチングレジストを用いるか、あるいは、エッチング後にレジストを除去する必要がある。しかしながら、何れにしても太陽電池への入射光損失を招き、太陽電池特性を低下させる。それと同時に、一般に有機溶剤を溶媒として用いるレジスト液の取り扱いやエッチング液の処理等が必要であり、工業的に大量生産する場合には生産コストの増大を招き、環境への影響も懸念される等の問題もある。
【0018】
何れにせよ、上記上部電極層8上からレーザ光10を照射して上部電極層8を選択的に除去するレーザ・スクライブ法や、成膜時にマスクを用いて上部電極層のパターニングを行なうマスク蒸着法や、エッチングレジストをパターニング印刷した後に上部電極層のエッチング処理を行なうエッチング法においては、再現性よく良好な加工を行なうことが難しく、工業的に大量生産する場合には、歩留りの低下や生産コストの増大を招く恐れがあるのである。
【0019】
また、上記特開平2‐264480号公報に開示された集積型太陽電池の製造方法においては、上部電極層8をレーザ光10によって除去するに先立って、下地の下部電極層2における第3のパターニングライン9に対応する位置を、両端部のみを残して除去するようにしている。その場合に、予め下地の下部電極層2を除去する方法としてレーザ・スクライブ法を用いる場合には、レーザ光によって幅広の加工を行なう際に複数回数の走査を必要とするために、製造タクトの大幅な低下を招くという問題がある。また、マスク蒸着法を用いる場合には、位置決め精度の低さ等の理由によって、非発電部面積の増大を招く等の問題がある。
【0020】
そこで、この発明の目的は、上部電極層の分離加工を高歩留りで高速に行うことができる集積型薄膜太陽電池を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明は、絶縁表面を有する基板上に順次積層された下部電極層,光電変換層および上部電極層をパターニング加工して形成された複数の発電領域が,上記基板上において直列に接続されて成る集積型薄膜太陽電池において、互いに隣接する発電領域間で上記上部電極層を電気的に分離するパターニングラインの直下における上記下部電極層の部分に、周囲の下部電極層とは電気的に分離された絶縁分離領域を設けたことを特徴としている。
【0022】
上記構成によれば、上部電極層を電気的に分離するパターニングラインの直下における下部電極層に、周辺と電気的に絶縁された絶縁分離領域が設けられている。したがって、上部電極層におけるパターニングラインに沿って上部電極層を絶縁分離する際の光電変換層に対するダメージは、上記絶縁分離領域の上部領域内に生ずることになり、上記発電領域として機能する部分には生じないことになる。その結果、従来のごとく上記光電変換層や下部電極層を損傷しないように慎重にレーザ光を操作する必要もなくなる。つまり、高歩留りで高速な加工を行うことが可能になるのである。
【0023】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記上部電極層分離用のパターニングラインに沿って、上記上部電極層,光電変換層および下部電極層を貫通する分離溝を設けることが望ましい。
【0024】
上記構成によれば、上記上部電極層を絶縁分離する際には、上記上部電極層,光電変換層および下部電極層を一括して溝状に除去すればよい。したがって、従来のごとく上記上部電極層のみを絶縁分離する場合に比して、再現性に優れた良好な特性の集積型薄膜太陽電池が得られる。
【0025】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記分離溝を、下部電極層の絶縁分離領域内を通過して設けることが望ましい。
【0026】
上記構成によれば、上記分離溝をレーザ光によって形成する場合、レーザ光の照射による加工溝周縁部への熱的な影響等が、上記絶縁分離領域内および上記絶縁分離領域の上部領域内に確実に制限される。その結果、上記熱的な影響等よる分離不良が防止されて、特性および歩留の向上が図られる。
【0027】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記下部電極層の絶縁分離領域を、閉ループ状の絶縁線で囲まれた領域と成すことが望ましい。
【0028】
上記構成によれば、上記絶縁分離領域をレーザ光で形成する場合は、レーザ光を1周させて閉曲線を描くだけでよい。したがって、ある幅を有する上記絶縁分離領域が、レーザ光を複数回の走査して上記下部電極層を除去して形成される場合に比して容易に形成される。こうして、全体としてレーザ光の走査回数が飛躍的に減少されて、加工時間の大幅な短縮が図られる。ここで、上記「閉ループ状の絶縁線」とは、閉ループの内側と外側とを電気的に絶縁するために閉ループ状に配設された絶縁性を有する線の概念である。
【0029】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記分離溝の長さを、上記絶縁分離領域における上記パターニングラインの延在方向への長さよりも長くすることが望ましい。
【0030】
上記構成によれば、上記分離溝の長さが上記絶縁分離領域よりも長いために、上記分離溝の両端部は上記絶縁分離領域の両端から突出することなる。したがって、上記分離溝をレーザ光で形成する場合に、レーザ加工精度にずれがあったとしても上記絶縁分離領域内において確実に絶縁分離が行われる。
【0031】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記絶縁分離領域における上記パターニングラインの延在方向と直交する方向への幅を、100μm以上且つ1mm以下にすることが望ましい。
【0032】
上記構成によれば、上記絶縁分離領域の幅が100μm以上であるため、隣接する発電領域間が良好に絶縁分離される。また、1mm以下であるため、非発電領域が実用上問題が無い程度の面積に抑えられる。
【0033】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記パターニングラインの間隔を15mm以下にすることが望ましい。
【0034】
上記構成によれば、上記上部電極層のパターニングラインの間隔が15mm以下であるため、透明導電膜で構成される上記上部電極層による抵抗損失が、実用上問題が無い程度に抑えられる。
【0035】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。尚、以下、非透光性基板上に作製した集積型薄膜太陽電池を例に説明するが、透光性基板上に作製した集積型薄膜太陽電池にも同様に適用できるものである。
【0036】
<第1実施の形態>
図1は、本実施の形態の集積型薄膜太陽電池における縦断面図(図1(a))および上面透視図(図1(b))である。また、図2は、図1における下部電極層12のパターニング形状を示す。また、図3は、図1に示す集積型薄膜太陽電池の製造プロセスを示す縦断面図である。以下、図1,図2および図3に基づいて、本実施の形態における集積型薄膜太陽電池について詳細に説明する。
【0037】
本実施の形態においては、絶縁表面を有する不透光性基板として、例えばボリイミドを主成分とする高分子樹脂等の耐熱性を有する高分子樹脂を表面にコーティングしたステンレス基板11を用いる。そして、図3(b)に示すように、基板11の片面に、スパッタリング法によって、下部電極層12として、Ag,ZnO等を連続して積層する。その場合、成膜手段はスパッタリング法のみに限られるものではなく、例えば蒸着法等によっても差し支えない。
【0038】
次に、図3(c)に示すように、レーザ光13を用いたレーザ・スクライブ法によって、下部電極層12に分割溝14を形成して短冊状のユニットセルに絶縁分割する(第1のパターニング)。さらに、図3(d)に示すように、下部電極層12における後に上部電極層に対して分離溝を加工する位置の直下に矩形溝15(図2参照)を形成し、矩形溝15で囲まれて周辺と電気的に絶縁された矩形の絶縁分離領域を形成する。本実施形態においては、分割溝14の幅を50μmとする一方、その間隔を10mmとする。また、矩形溝15の幅を50μmとする一方、その間隔(絶縁分離領域幅)を300μmとしている。尚、レーザ光13としては、Qスイッチドライブを用いた連続発振Nd:YAGレーザの第2高調波(SHG:波長λ=532nm)を使用した。
【0039】
ここで、上記分割溝14および矩形溝15の形成は、照射レーザ光13を上記絶縁分離領域の幅方向へ所定距離だけ移動する毎にオン/オフすることによって行う。本実施の形態においては、レーザ加工装置の光路中に高速メカニカルシャッタを設け、照射レーザ光13の移動距離に応じて上記高速メカニカルシャッタを開閉することによって照射レーザ光13のオン/オフを行なった。尚、照射レーザ光13のオン/オフ制御は他の方法によって行うことも可能であり、例えばレーザ光路中に電気光学効果を利用した高速シャッタを設ける方法や、レーザ発振器のQスイッチ制御信号を照射レーザ光の移動距離に応じて制御する方法等がある。
【0040】
次に、図3(e)に示すように、光電変換層16として、非晶質半導体薄膜や微結晶半導体薄膜等をプラズマCVD(化学蒸着)等の手段によって積層する。さらに、図3(f)に示すように、第1パターニングライン14に平行であって近接した位置(第2パターニングライン)に、光電変換層16上からレーザ光17を照射して光電変換層16を選択除去する。こうして、後に形成する上部電極層と下部電極層12とを電気的に接続するための加工溝18を形成する(第2のパターニング)。ここで、光電変換層16として用いる半導体薄膜としては、水素化非晶質シリコンで代表されるシリコン系半導体や化合物半導体を用いる。
【0041】
次に、図3(g)に示すように、上記上部電極層19としてITO(インジュウム錫酸化物)をスパッタリング法等によって成膜する。尚、上部電極層19の成膜は、下部電極層12の場合と同様に、蒸着法等の他の手段によって行っても差し支えない。但し、上部電極層19の成膜領域は、図1(b)に示すように、光電変換層16の領域よりも狭くする。こうして、上部電極層19と下部電極層12とが、加工溝18以外の個所で直接に接触することを防止するのである。
【0042】
次に、図3(h)に示すように、上記下部電極層12における絶縁分離領域の幅方向中間部における第1パターニングライン14に平行な位置(第3パターニングライン)に、上部電極層19上からレーザ光20を照射することによって、上部電極層19,光電変換層16および下部電極層12を一括して除去し、上部電極層19を絶縁分離するための分離溝21を50μm幅で形成する(第3のパターニング)。
【0043】
その場合、図1(b)に示すように、上記分離溝21の両端部を、下部電極層12の矩形溝15の両端よりも、発電有効領域外側に100μmずつ突出させる。こうすることによって、レーザ加工装置の加工精度のずれによる加工不良を防止するのである。
【0044】
以上の手順によって、図1(a)に示すような断面構造および図1(b)に示すような各層の平面形状を有する集積型薄膜太陽電池が形成される。尚、図1(b)から容易に分かるように、光電変換層16の幅は下部電極層12の幅よりも狭く、光電変換層16の側端が矩形溝15の両端に掛かるようにしている。したがって、分離溝21によって発電有効領域が完全に分離される。その際に、分離溝21の両端部は矩形溝15の両端よりも突出しているので、レーザ加工精度にずれがあっても、矩形溝15内で発電有効領域が完全に分離されるのである。また、上記上部電極層19の側端は、光電変換層16の側端の内側に位置している。したがって、上部電極層4と下部電極層2とが加工溝18以外の個所で接触することはないのである。
【0045】
本実施の形態によって形成した有効発電寸法300mm×300mmの集積型薄膜太陽電池の出力特性は、AM1.5(100mW/cm2)において、曲線因子=0.66,最大出力=8.3Wであった。
【0046】
上述のように、本実施の形態においては、上記レーザ光13を用いたレーザ・スクライブ法によって、下部電極層12に分割溝14を形成して短冊状のユニットセルに絶縁分割する際に、後に上部電極層19を絶縁分離するための分離溝21を形成する位置の直下に矩形溝15を形成して、周辺と電気的に絶縁された絶縁分離領域を形成する。そして、上部電極層19に分離溝21を形成する場合には、下部電極層12における上記絶縁分離領域の幅方向中間部で、レーザ光20によって、上部電極層19,光電変換層16および下部電極層12を一括して除去するようにしている。
【0047】
このように、上記下部電極層12に矩形溝15によって周辺と電気的に絶縁された絶縁分離領域を形成するので、分離溝21を上記絶縁分離領域内に形成することによって、加工ダメージの発生を絶縁分離領域内および絶縁分離領域の上部領域内に止めることができ、下地の光電変換層16における上記発電領域として機能する部分にダメージを与えることはない。したがって、従来のごとく光電変換層16や下部電極層12を損傷しないように慎重にレーザ光20を操作する必要もなく、高歩留りで高速な加工を行うことができる。さらに、レーザ光20の照射による上記絶縁分離領域の周辺部への熱的な影響等による分離不良を防止でき、特性を向上することができる。すなわち、高効率な集積型薄膜太陽電池を、低コストで作製することができるのである。
【0048】
また、上記分離溝21を形成する場合は、レーザ光20によって、上部電極層19,光電変換層16及び下部電極層12を一括して除去するようにしている。したがって、従来のごとく上部電極層19のみを絶縁分離する場合に比して、再現性に優れた良好な特性の集積型薄膜太陽電池を得ることができる。
【0049】
また、上記絶縁分離領域を矩形溝15によって矩形状に成しているので、レーザ光の複数回の走査を行った場合と同等以上の幅を有する上記絶縁分離領域を、レーザ光20を1周させて矩形溝15を形成するだけで容易に加工することができる。したがって、全体としてレーザ光の走査回数を飛躍的に減少させることができ、加工時間の大幅な短縮を図ることができるのである。
【0050】
尚、上記分割溝14の間隔(本実施の形態においては10mm)は、広くした場合には、上部電極層19としての透明導電膜(ITO)の抵抗が金属の抵抗に比べて高いために抵抗損失が増大することになる。したがって、15mm以下にすることが望ましい。さらには、上記絶縁分離領域幅(本実施形態においては300μm)は、狭い場合には、レーザ光13を照射したことによる上記絶縁分離領域の周辺部への熱的影響等のために上部電極層19の電気的分離が不十分なものとなる。また、逆に広い場合には、非発電領域である集積加工部分の面積が増大して太陽電池特性の低下を招くことになる。したがって、100μm以上且つ1mm以下にすることが望ましい。
【0051】
<第2実施の形態>
図4は、本実施の形態の集積型薄膜太陽電池における縦断面図である。また、図5は、図4における下部電極層32のパターニング形状を示す。また、図6は図4に示す集積型薄膜太陽電池の製造プロセスを示す縦断面図である。以下、図4,図5および図6に基づいて、本実施の形態における集積型薄膜太陽電池について詳細に説明する。
【0052】
本実施の形態においては、絶縁表面を有する不透光性基板として、陽極酸化によって表面をアルマイトでコーティングしたアルミニウム基板31を用いる。そして、図6(b)に示すように、基板31の片面に、スパッタリング法によって、下部電極層32として、Ag,Al,ZnO等を連続して積層する。
【0053】
次に、図6(c)に示すように、レーザ光33を用いたレーザ・スクライブ法によって、下部電極層32に分割溝34を形成して、短冊状のユニットセルに絶縁分割する(第1のパターニング)。さらに、上記第1実施の形態の場合と同様に、図6(d)に示すように、下部電極層32における後に上部電極層に対して分離溝を加工する位置の直下に矩形溝35(図5参照)を形成して、周辺と電気的に絶縁された絶縁分離領域を形成する。
【0054】
次に、図6(e)および図6(f)に示すように、光電変換層36および上部電極層37を連続して成膜する。そして、図6(g)に示すように、第1パターニングライン34に平行であって近接した位置(第2パターニングライン38)に、上部電極層37上からレーザ光39を照射して上部電極層37と下部電極層32とを電気的に接続する(第2のパターニング)。
【0055】
次に、図6(h)に示すように、上記第1実施の形態の場合と同様に、下部電極層32における上記絶縁分離領域の幅方向中間部における第1パターニングライン34に平行な位置(第3パターニングライン)に、上部電極層37上からレーザ光40を照射することによって、上部電極層37,光電変換層36および下部電極層32を一括して除去し、上部電極層37を絶縁分離するための分離溝41を形成する(第3のパターニング)。
【0056】
本実施の形態によって形成した有効発電寸法300mm×300mmの集積型薄膜太陽電池の出力特性は、AM1.5(100mW/cm2)において、曲線因子=0.64,最大出力=8.2Wであった。
【0057】
尚、上記第2のパターニングおよび第3のパターニングの順序は上記に限るものではなく、逆に上部電極層37の絶縁分離加工(第3のパターニング)を行なった後に、上部電極層37と下部電極層32の電気的接続加工(第2のパターニング)を行なってもよい。あるいは、単一のレーザ加工装置に2系統の光路を設けることによって、上記第2のパターニングと第3のパターニングを同時に行なってもよい。さらには、上記第2のパターニングと第3のパターニングを、異なる波長のレーザ光線で同時に行なうことも可能である。
【0058】
上記各実施の形態においては、不透光性基板上に作製した集積型薄膜太陽電池について説明した。しかしながら、この発明は、ガラス等の透光性基板上に作製した集積型薄膜太陽電池に関しても適用できる。その場合には、上記下部電極層として、酸化物透明導電体膜あるいはそれらの積層膜を用いる。また、上記上部電極層として、反射金属電極膜あるいはそれらと酸化物透明導電体膜との積層膜を用いる。そして、上記透光性基板側(つまり、上記下部電極層側)を光入射側とすればよい。
【0059】
【発明の効果】
以上より明らかなように、この発明の集積型薄膜太陽電池は、互いに隣接する発電領域間で上部電極層を電気的に分離するパターニングラインの直下における下部電極層の部分に、周囲とは電気的に分離された絶縁分離領域を設けたので、上記パターニングラインに沿って上部電極層を絶縁分離する際に生ずる光電変換層に対するダメージを上記絶縁分離領域の上部領域内に制限し、上記発電領域として機能する部分には及ばないようにすることが可能になる。したがって、従来のごとく上記光電変換層や下部電極層を損傷しないように慎重にレーザ光を操作する必要もなくなる。すなわち、この発明によれば、上記上部電極の絶縁分離加工を高歩留りで高速に行うことが可能になるのである。
【0060】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記上部電極層分離用のパターニングラインに沿って、上記上部電極層,光電変換層および下部電極層を貫通する分離溝を設ければ、上記上部電極層,光電変換層および下部電極層を一括して溝状に除去することによって上記上部電極層を絶縁分離できる。その場合に、加工ダメージは上記光電変換層における上記発電領域として機能する部分には及ばないようにすることが可能になる。したがって、従来のごとく上記上部電極層のみを絶縁分離する場合に比して、再現性に優れた良好な特性の集積型薄膜太陽電池を得ることができる。
【0061】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記分離溝を上記絶縁分離領域内を通過して設ければ、上記分離溝をレーザ光によって形成する場合に、加工溝周縁部への熱的な影響等を上記絶縁分離領域内および上記絶縁分離領域の上部領域内に確実に制限できる。したがって、上記熱的な影響等よる分離不良を防止して、特性および歩留の向上を図ることができる。
【0062】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記下部電極層の絶縁分離領域を閉ループ状の絶縁線で囲まれた領域とすれば、上記絶縁分離領域をレーザ光で形成する場合は、レーザ光を1周させて閉曲線を描くだけでよい。したがって、ある幅を有する絶縁分離領域を、レーザ光を複数回の走査して上記下部電極層を除去して形成する場合に比して容易に形成できる。すなわち、この発明によれば、全体としてレーザ光の走査回数を飛躍的に減少して、加工時間の大幅な短縮を図ることができるのである。
【0063】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記分離溝の長さを上記絶縁分離領域における上記パターニングラインの延在方向への長さよりも長くすれば、上記分離溝の両端部を上記絶縁分離領域の両端から突出させることができる。したがって、上記分離溝をレーザ光で形成する場合に、レーザ加工精度にずれがあっても上記絶縁分離領域内において確実に絶縁分離を行うことができる。すなわち、この発明によれば、レーザ加工装置の加工精度や位置再現性によらずに、安定した加工を行うことができる。
【0064】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記絶縁分離領域における上記パターニングラインの延在方向と直交する方向への幅を100μm以上且つ1mm以下にすれば、隣接する発電領域間を良好に絶縁分離でき、且つ、非発電領域の面積を実用上問題が無い程度に抑えることができる。
【0065】
また、この発明の集積型薄膜太陽電池は、上記パターニングラインの間隔を15mm以下にすれば、透明導電膜で構成される上記上部電極層による抵抗損失を実用上問題が無い程度に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の集積型薄膜太陽電池における縦断面図および上面透視図である。
【図2】 図1における下部電極層のパターニング形状を示す図である。
【図3】 図1に示す集積型薄膜太陽電池の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図4】 図1とは異なる集積型薄膜太陽電池における縦断面図である。
【図5】 図4における下部電極層のパターニング形状を示す図である。
【図6】 図4に示す集積型薄膜太陽電池の製造プロセスを示す縦断面図である。
【図7】 従来の集積型薄膜太陽電池における縦断面図である。
【図8】 図7における下部電極層のパターニング形状を示す図である。
【図9】 図7に示す集積型薄膜太陽電池の製造プロセスを示す縦断面図である。
【符号の説明】
11,31…基板、
12,32…下部電極層、 14,34…分割溝、
15,35…矩形溝、 16,36…光電変換層、
18…加工溝、 19,37…上部電極層、
21,41…分離溝、
38…第2パターニングライン(上部電極層/下部電極層接続ライン)。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an integrated thin film solar cell formed by connecting a plurality of power generation regions in series on the same substrate.
[0002]
[Prior art]
In general, thin film solar cells are roughly classified into those using a light-transmitting substrate such as glass and those using a non-light-transmitting substrate such as a metal substrate. From another point of view, a metal substrate having a surface insulating layer or a substrate having an insulating surface such as glass, and a substrate having a conductive surface such as a metal substrate such as stainless steel or aluminum are used. And divided. Of these, when the substrate has an insulating surface, a so-called integration process for obtaining a desired photovoltaic power by connecting a plurality of photovoltaic elements in series on a single substrate is often performed. .
[0003]
The thin film solar cell formed on the substrate having the insulating surface is formed by sequentially laminating a lower electrode layer, a photoelectric conversion layer, and an upper electrode layer. In order to integrate this, each layer is formed. Sometimes it is necessary to pattern each layer.
[0004]
Moreover, an oxide transparent conductive film is generally used as the upper electrode layer on the light incident side. However, the series resistance resulting from the resistance of the transparent oxide conductive film causes a power loss of the solar cell, and the fill factor (FF) in the solar cell current-voltage characteristic is lowered. Therefore, in order to suppress the series resistance loss as described above, it is necessary to shorten (that is, to integrate) the current flowing distance in the unit cell.
[0005]
In the patterning process for integration, mask vapor deposition, photoetching, laser scribing, and the like are used, but the laser is used at any point in terms of cost, process, and output of the resulting solar cell.・ Because the scribing method is superior to other methods, the laser scribing method has been developed intensively.
[0006]
Conventionally, as a method for manufacturing a thin film solar cell integrated on a substrate having an insulating surface by using the laser scribe method, there are methods as shown in FIGS. In this method, first, a lower electrode layer 2 is formed on a substrate 1 as shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b). Then, as shown in FIG. 9C, the lower electrode layer 2 is insulated and separated into strips by the first patterning line 4 by a laser scribing method in which the lower electrode layer 2 is irradiated with laser light 3.
[0007]
Next, as shown in FIG. 9D, a photoelectric conversion layer 5 typified by an amorphous semiconductor is laminated. After that, as shown in FIG. 9E, the laser beam 7 is irradiated to the position of the second patterning line 6 parallel to the first patterning line 4 without damaging the underlying lower electrode layer 2. Only the photoelectric conversion layer 5 is selectively removed.
[0008]
Next, as shown in FIG. 9F, the upper electrode layer 8 is laminated. Then, as shown in FIG. 9 (g), the third patterning line 9 is parallel to the second patterning line 6 and is located on the opposite side of the first patterning line 4 with respect to the second patterning line 6. The position is irradiated with the laser beam 10 to selectively remove only the upper electrode layer 8 without damaging the underlying photoelectric conversion layer 5 and the lower electrode layer 2. Thus, an integrated thin film solar cell having the cross-sectional structure as shown in FIG. 7 and the planar lower electrode layer 2 as shown in FIG. 8 is formed.
[0009]
However, in the case of the above-described method, there is a problem that the underlying photoelectric conversion layer 5 is likely to be damaged during the division process of the upper electrode layer 8, thereby causing a division defect and causing deterioration of the solar cell characteristics. is there.
[0010]
Therefore, in order to solve the above-mentioned problem, in Japanese Patent Laid-Open No. 2-264480, prior to removing the upper electrode layer 8 by laser light at the position of the third patterning line 9, the underlying lower electrode layer 2 The position corresponding to the third patterning line 9 is removed leaving only both end portions. By doing so, there is no damage to the photoelectric conversion layer 5 when the upper electrode layer 8 is divided later at the position of the third patterning line 9, and no division failure occurs due to the damage to the photoelectric conversion layer 5. .
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
However, the manufacturing method of the integrated thin film solar cell using the conventional laser scribing method shown in FIG. 9 and the manufacturing method of the integrated solar cell disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2-264480 include the following: There is a problem like this.
[0012]
First, in the manufacturing method of the integrated thin film solar cell shown in FIG. 9, the third patterning in which only the upper electrode layer 8 is selectively removed in the three-stage patterning process described above is performed by using the upper electrode layer 8. It is applied to insulate and separate into strips and divide into unit cells. Therefore, if the third patterning process is incomplete in the integration step of forming a plurality of photovoltaic elements in series, the fill factor (F) is caused by the leakage current generated inside the power generation region of the finally obtained solar cell. F.) is reduced, resulting in a decrease in solar cell output.
[0013]
Conventionally, in this third patterning, a mask vapor deposition method and an etching method are often used in addition to the laser scribe method as shown in FIG.
[0014]
In the laser scribing method, after the upper electrode layer 8 is formed, the upper electrode layer 8 is thermally or molecularly evaporated by irradiating the laser beam 10 while scanning the stage on which the workpiece is placed. Select and remove. In this case, the stage on which the workpiece is placed may be fixed and the laser beam 10 may be scanned, or both may be used in combination.
[0015]
However, in that case, if the underlying photoelectric conversion layer 5 and the lower electrode layer 2 are damaged, adjacent cells are completely insulated and separated to the lower electrode layer 2, and a plurality of photovoltaic elements are connected in series. No state. Or there may be a series resistance loss. Furthermore, even when the underlying photoelectric conversion layer 5 and the lower electrode layer 2 are not damaged, the photoelectric conversion layer 5 is thermally affected by the laser beam 10 to reduce resistance, thereby reducing the resistance between adjacent cells. Insulation separation of the solar cell becomes incomplete, and leakage current is generated, which may cause deterioration of solar cell characteristics.
[0016]
On the other hand, in the mask vapor deposition method, it is necessary to bring the substrate and the mask into close contact with each other at the time of film formation. For this reason, the photoelectric conversion layer is damaged to cause a leakage current, and it is difficult to increase the area of the solar cell module. There's a problem. Furthermore, the mask positioning accuracy is lower than that of laser processing in the laser scribing method, and the separation groove width is increased. For this reason, it does not contribute to actual power generation (that is, it causes a loss of the power generation effective area) and increases the area of the series connection portion.
[0017]
In the etching method, after forming the upper electrode layer, patterning is performed by patterning and printing an etching resist by screen printing or the like, and dissolving and removing the upper electrode layer with an etching solution. In this method, the positioning accuracy in the printing is lower than that in the case of laser processing, and the separation groove width is increased. Therefore, as in the case of the mask vapor deposition method, the loss area is increased, and when the integrated thin film solar cell is enlarged, there is a problem that it is difficult to perform patterning printing with stable quality. Further, since the upper electrode layer is on the light incident side, it is necessary to use an etching resist having a high transmittance in the visible light region as used in a solar cell, or to remove the resist after etching. However, in any case, incident light loss to the solar cell is caused, and the solar cell characteristics are deteriorated. At the same time, it is generally necessary to handle a resist solution using an organic solvent as a solvent and to treat an etching solution. When industrially mass-produced, the production cost is increased, and there is a concern about the impact on the environment. There is also a problem.
[0018]
In any case, a laser scribing method for selectively removing the upper electrode layer 8 by irradiating the laser beam 10 from the upper electrode layer 8 or mask vapor deposition for patterning the upper electrode layer using a mask during film formation. In the etching method in which the upper electrode layer is etched after patterning and printing of the etching resist, it is difficult to perform good processing with good reproducibility. There is a risk of increasing costs.
[0019]
Further, in the method of manufacturing an integrated solar cell disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-264480, the third patterning in the underlying lower electrode layer 2 is performed before the upper electrode layer 8 is removed by the laser beam 10. The position corresponding to the line 9 is removed leaving only both ends. In that case, when a laser scribing method is used as a method for removing the underlying lower electrode layer 2 in advance, a plurality of scans are required when performing wide processing with the laser beam. There is a problem of causing a significant decrease. Moreover, when using a mask vapor deposition method, there exists a problem of causing the increase in a non-electric power generation part area for reasons, such as low positioning accuracy.
[0020]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an integrated thin film solar cell that can perform separation processing of an upper electrode layer at a high yield and a high speed.
[0021]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a plurality of power generation regions formed by patterning a lower electrode layer, a photoelectric conversion layer, and an upper electrode layer sequentially stacked on a substrate having an insulating surface. In the integrated thin film solar cell connected in series in the above, the lower electrode layer and the surrounding lower electrode layer are disposed on the portion of the lower electrode layer immediately below the patterning line for electrically separating the upper electrode layer between the power generation regions adjacent to each other. Is characterized by providing an electrically isolated isolation region.
[0022]
According to the above configuration, the insulating separation region that is electrically insulated from the periphery is provided in the lower electrode layer immediately below the patterning line that electrically separates the upper electrode layer. Therefore, damage to the photoelectric conversion layer when the upper electrode layer is insulated and separated along the patterning line in the upper electrode layer is caused in the upper region of the insulating separation region, and in the portion functioning as the power generation region, It will not occur. As a result, there is no need to manipulate the laser beam carefully so as not to damage the photoelectric conversion layer and the lower electrode layer as in the prior art. That is, it becomes possible to perform high-speed processing at a high yield.
[0023]
In the integrated thin film solar cell of the present invention, it is desirable to provide a separation groove penetrating the upper electrode layer, the photoelectric conversion layer, and the lower electrode layer along the patterning line for separating the upper electrode layer.
[0024]
According to the above configuration, when the upper electrode layer is insulated and separated, the upper electrode layer, the photoelectric conversion layer, and the lower electrode layer may be collectively removed in a groove shape. Therefore, an integrated thin film solar cell with excellent characteristics and excellent reproducibility can be obtained as compared with the conventional case where only the upper electrode layer is insulated and separated.
[0025]
In the integrated thin film solar cell of the present invention, it is preferable that the separation groove is provided so as to pass through the insulating separation region of the lower electrode layer.
[0026]
According to the above configuration, when the separation groove is formed by laser light, thermal influence on the peripheral edge of the processing groove due to laser light irradiation is caused in the insulation separation region and in the upper region of the insulation separation region. Certainly limited. As a result, the poor separation due to the thermal influence is prevented, and the characteristics and yield are improved.
[0027]
In the integrated thin film solar cell of the present invention, it is desirable that the insulating separation region of the lower electrode layer is a region surrounded by a closed loop insulating wire.
[0028]
According to the above configuration, when the insulating isolation region is formed by laser light, it is only necessary to draw a closed curve by making the laser light make one round. Therefore, the insulating isolation region having a certain width is easily formed as compared with the case where the lower electrode layer is removed by scanning the laser beam a plurality of times. In this way, the number of times of laser beam scanning is drastically reduced as a whole, and the processing time can be greatly shortened. Here, the “closed loop-shaped insulated wire” is a concept of an insulated wire arranged in a closed loop shape to electrically insulate the inside and the outside of the closed loop.
[0029]
In the integrated thin film solar cell of the present invention, it is desirable that the length of the separation groove is longer than the length in the extending direction of the patterning line in the insulating separation region.
[0030]
According to the above configuration, since the length of the separation groove is longer than that of the insulation separation region, both end portions of the separation groove protrude from both ends of the insulation separation region. Therefore, when the separation groove is formed by laser light, even if there is a deviation in laser processing accuracy, insulation separation is reliably performed in the insulation separation region.
[0031]
In the integrated thin film solar cell according to the present invention, it is desirable that the width in the insulating isolation region in the direction perpendicular to the extending direction of the patterning line is 100 μm or more and 1 mm or less.
[0032]
According to the above configuration, since the width of the insulation isolation region is 100 μm or more, the adjacent power generation regions are well insulated and separated. Moreover, since it is 1 mm or less, the non-power generation region can be suppressed to an area where there is no practical problem.
[0033]
In the integrated thin film solar cell of the present invention, it is desirable that the interval between the patterning lines is 15 mm or less.
[0034]
According to the above configuration, since the interval between the patterning lines of the upper electrode layer is 15 mm or less, the resistance loss due to the upper electrode layer formed of the transparent conductive film can be suppressed to a level where there is no practical problem.
[0035]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments. Hereinafter, an integrated thin film solar cell manufactured on a non-translucent substrate will be described as an example, but the present invention can be similarly applied to an integrated thin film solar cell manufactured on a translucent substrate.
[0036]
<First embodiment>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view (FIG. 1 (a)) and a top perspective view (FIG. 1 (b)) of the integrated thin film solar cell of the present embodiment. FIG. 2 shows the patterning shape of the lower electrode layer 12 in FIG. FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a manufacturing process of the integrated thin film solar cell shown in FIG. Hereinafter, the integrated thin-film solar cell according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1, 2, and 3.
[0037]
In the present embodiment, a stainless steel substrate 11 having a surface coated with a heat-resistant polymer resin such as a polymer resin mainly composed of polyimide is used as an opaque substrate having an insulating surface. Then, as shown in FIG. 3B, Ag, ZnO or the like is continuously laminated on one surface of the substrate 11 as the lower electrode layer 12 by sputtering. In this case, the film forming means is not limited to the sputtering method, and may be a vapor deposition method, for example.
[0038]
Next, as shown in FIG. 3 (c), a dividing groove 14 is formed in the lower electrode layer 12 by a laser scribing method using a laser beam 13, and is divided into strip-like unit cells (first division). Patterning). Further, as shown in FIG. 3D, a rectangular groove 15 (see FIG. 2) is formed immediately below the position of the lower electrode layer 12 where the separation groove is processed with respect to the upper electrode layer, and is surrounded by the rectangular groove 15. As a result, a rectangular insulating isolation region that is electrically insulated from the periphery is formed. In the present embodiment, the width of the dividing groove 14 is 50 μm, and the interval is 10 mm. Further, the width of the rectangular groove 15 is set to 50 μm, and the interval (insulation isolation region width) is set to 300 μm. As the laser beam 13, a second harmonic (SHG: wavelength λ = 532 nm) of a continuous wave Nd: YAG laser using a Q switch drive was used.
[0039]
Here, the division grooves 14 and the rectangular grooves 15 are formed by turning on / off each time the irradiation laser beam 13 is moved by a predetermined distance in the width direction of the insulating isolation region. In the present embodiment, a high-speed mechanical shutter is provided in the optical path of the laser processing apparatus, and the irradiation laser beam 13 is turned on / off by opening and closing the high-speed mechanical shutter according to the moving distance of the irradiation laser beam 13. . The on / off control of the irradiation laser beam 13 can be performed by other methods. For example, a method of providing a high-speed shutter using an electro-optic effect in the laser beam path, or irradiation of a Q switch control signal of a laser oscillator. There is a method of controlling according to the moving distance of the laser beam.
[0040]
Next, as shown in FIG. 3E, as the photoelectric conversion layer 16, an amorphous semiconductor thin film, a microcrystalline semiconductor thin film, or the like is stacked by means such as plasma CVD (chemical vapor deposition). Further, as shown in FIG. 3 (f), a laser beam 17 is irradiated from above the photoelectric conversion layer 16 to a position (second patterning line) that is parallel to and close to the first patterning line 14 to irradiate the photoelectric conversion layer 16. Is selectively removed. In this way, the processed groove 18 for electrically connecting the upper electrode layer and the lower electrode layer 12 to be formed later is formed (second patterning). Here, as the semiconductor thin film used as the photoelectric conversion layer 16, a silicon-based semiconductor or a compound semiconductor typified by hydrogenated amorphous silicon is used.
[0041]
Next, as shown in FIG. 3G, ITO (indium tin oxide) is formed as the upper electrode layer 19 by sputtering or the like. It should be noted that the upper electrode layer 19 may be formed by other means such as vapor deposition as in the case of the lower electrode layer 12. However, the film formation region of the upper electrode layer 19 is narrower than the region of the photoelectric conversion layer 16 as shown in FIG. In this way, the upper electrode layer 19 and the lower electrode layer 12 are prevented from coming into direct contact at locations other than the processed grooves 18.
[0042]
Next, as shown in FIG. 3 (h), on the upper electrode layer 19 at a position parallel to the first patterning line 14 (third patterning line) in the intermediate portion in the width direction of the insulating isolation region in the lower electrode layer 12. The upper electrode layer 19, the photoelectric conversion layer 16, and the lower electrode layer 12 are collectively removed by irradiating the laser beam 20 from the laser beam 20, and a separation groove 21 for insulating and separating the upper electrode layer 19 is formed with a width of 50 μm. (Third patterning).
[0043]
In this case, as shown in FIG. 1B, both end portions of the separation groove 21 are projected by 100 μm outside the power generation effective region from both ends of the rectangular groove 15 of the lower electrode layer 12. By doing so, processing defects due to a shift in processing accuracy of the laser processing apparatus are prevented.
[0044]
By the above procedure, an integrated thin film solar cell having a cross-sectional structure as shown in FIG. 1A and a planar shape of each layer as shown in FIG. 1B is formed. As can be easily understood from FIG. 1B, the width of the photoelectric conversion layer 16 is narrower than the width of the lower electrode layer 12, and the side ends of the photoelectric conversion layer 16 are put on both ends of the rectangular groove 15. . Therefore, the power generation effective region is completely separated by the separation groove 21. At this time, since both end portions of the separation groove 21 protrude from both ends of the rectangular groove 15, even if there is a deviation in laser processing accuracy, the power generation effective region is completely separated in the rectangular groove 15. Further, the side end of the upper electrode layer 19 is located inside the side end of the photoelectric conversion layer 16. Therefore, the upper electrode layer 4 and the lower electrode layer 2 do not come into contact with each other other than the processed groove 18.
[0045]
The output characteristics of an integrated thin film solar cell having an effective power generation size of 300 mm × 300 mm formed according to the present embodiment is AM 1.5 (100 mW / cm 2 ), The fill factor was 0.66, and the maximum output was 8.3 W.
[0046]
As described above, in the present embodiment, when the dividing groove 14 is formed in the lower electrode layer 12 and insulated into strip-shaped unit cells by the laser scribing method using the laser beam 13 described above, A rectangular groove 15 is formed immediately below a position where a separation groove 21 for insulating and separating the upper electrode layer 19 is formed, thereby forming an insulating separation region electrically insulated from the periphery. When the separation groove 21 is formed in the upper electrode layer 19, the upper electrode layer 19, the photoelectric conversion layer 16, and the lower electrode are formed by the laser beam 20 at the intermediate portion in the width direction of the insulating separation region in the lower electrode layer 12. The layer 12 is removed at once.
[0047]
As described above, an insulating isolation region that is electrically insulated from the periphery by the rectangular groove 15 is formed in the lower electrode layer 12, so that the processing damage is generated by forming the isolation groove 21 in the insulating isolation region. It can be stopped in the insulating isolation region and in the upper region of the insulating isolation region, and the portion functioning as the power generation region in the underlying photoelectric conversion layer 16 is not damaged. Therefore, there is no need to carefully operate the laser beam 20 so as not to damage the photoelectric conversion layer 16 and the lower electrode layer 12 as in the conventional case, and high speed and high speed processing can be performed. Further, it is possible to prevent separation failure due to thermal influence on the peripheral portion of the insulating separation region due to the irradiation of the laser beam 20, and to improve the characteristics. That is, a highly efficient integrated thin film solar cell can be manufactured at low cost.
[0048]
When the separation groove 21 is formed, the upper electrode layer 19, the photoelectric conversion layer 16, and the lower electrode layer 12 are collectively removed by the laser beam 20. Therefore, it is possible to obtain an integrated thin film solar cell with excellent characteristics and excellent reproducibility as compared with the conventional case where only the upper electrode layer 19 is insulated and separated.
[0049]
In addition, since the insulating isolation region is formed in a rectangular shape by the rectangular groove 15, the insulating isolation region having a width equal to or larger than that obtained when the laser beam is scanned a plurality of times, Thus, it can be easily processed only by forming the rectangular groove 15. Therefore, the number of laser beam scans can be drastically reduced as a whole, and the processing time can be greatly shortened.
[0050]
When the interval between the dividing grooves 14 (10 mm in the present embodiment) is increased, the resistance of the transparent conductive film (ITO) as the upper electrode layer 19 is higher than the resistance of the metal. Loss will increase. Therefore, it is desirable to make it 15 mm or less. Furthermore, when the width of the insulating isolation region (300 μm in the present embodiment) is narrow, the upper electrode layer is formed due to thermal influence on the peripheral portion of the insulating isolation region due to the irradiation with the laser beam 13. 19 electrical separation is insufficient. On the other hand, if it is wide, the area of the integrated processing portion that is a non-power generation region increases, leading to deterioration of the solar cell characteristics. Therefore, it is desirable that the thickness be 100 μm or more and 1 mm or less.
[0051]
<Second Embodiment>
FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the integrated thin film solar cell of the present embodiment. FIG. 5 shows the patterning shape of the lower electrode layer 32 in FIG. FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a manufacturing process of the integrated thin film solar cell shown in FIG. Hereinafter, the integrated thin-film solar cell according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS.
[0052]
In the present embodiment, an aluminum substrate 31 whose surface is coated with alumite by anodic oxidation is used as an opaque substrate having an insulating surface. Then, as shown in FIG. 6B, Ag, Al, ZnO or the like is continuously laminated on the one surface of the substrate 31 as the lower electrode layer 32 by sputtering.
[0053]
Next, as shown in FIG. 6 (c), a dividing groove 34 is formed in the lower electrode layer 32 by a laser scribing method using a laser beam 33, and is divided into strip-shaped unit cells (first). Patterning). Further, as in the case of the first embodiment, as shown in FIG. 6 (d), a rectangular groove 35 (see FIG. 6) is formed immediately below the position where the separation groove is processed in the lower electrode layer 32 after the upper electrode layer. 5) to form an isolation region that is electrically insulated from the periphery.
[0054]
Next, as shown in FIGS. 6E and 6F, the photoelectric conversion layer 36 and the upper electrode layer 37 are continuously formed. Then, as shown in FIG. 6G, a laser beam 39 is irradiated from above the upper electrode layer 37 to a position (second patterning line 38) that is parallel to and close to the first patterning line 34, so that the upper electrode layer 37 and the lower electrode layer 32 are electrically connected (second patterning).
[0055]
Next, as shown in FIG. 6H, as in the case of the first embodiment, a position parallel to the first patterning line 34 in the width direction intermediate portion of the insulating isolation region in the lower electrode layer 32 ( By irradiating the third patterning line) with the laser beam 40 from above the upper electrode layer 37, the upper electrode layer 37, the photoelectric conversion layer 36, and the lower electrode layer 32 are collectively removed, and the upper electrode layer 37 is insulated and separated. A separation groove 41 is formed (third patterning).
[0056]
The output characteristics of an integrated thin film solar cell having an effective power generation size of 300 mm × 300 mm formed according to the present embodiment is AM 1.5 (100 mW / cm 2 ), The fill factor was 0.64, and the maximum output was 8.2 W.
[0057]
The order of the second patterning and the third patterning is not limited to the above, and conversely, after performing the insulating separation process (third patterning) of the upper electrode layer 37, the upper electrode layer 37 and the lower electrode Electrical connection processing (second patterning) of the layer 32 may be performed. Alternatively, the second patterning and the third patterning may be performed simultaneously by providing two optical paths in a single laser processing apparatus. Furthermore, the second patterning and the third patterning can be simultaneously performed with laser beams having different wavelengths.
[0058]
In each of the above embodiments, an integrated thin film solar cell manufactured on a light-impermeable substrate has been described. However, the present invention can also be applied to an integrated thin film solar cell manufactured on a translucent substrate such as glass. In that case, an oxide transparent conductor film or a laminated film thereof is used as the lower electrode layer. Further, as the upper electrode layer, a reflective metal electrode film or a laminated film of these and an oxide transparent conductor film is used. The light transmitting substrate side (that is, the lower electrode layer side) may be the light incident side.
[0059]
【The invention's effect】
As is clear from the above, the integrated thin film solar cell of the present invention is electrically connected to the lower electrode layer portion immediately below the patterning line that electrically separates the upper electrode layer between the power generation regions adjacent to each other. As the power generation region, the insulation separation region separated into the upper and lower regions of the insulation separation region is limited to damage to the photoelectric conversion layer that occurs when the upper electrode layer is insulated and separated along the patterning line. It is possible not to reach the functioning part. Therefore, it is not necessary to operate the laser beam carefully so as not to damage the photoelectric conversion layer and the lower electrode layer as in the conventional case. That is, according to the present invention, it is possible to perform the insulating separation processing of the upper electrode at a high yield and at a high speed.
[0060]
Further, the integrated thin film solar cell of the present invention is provided with the upper electrode by providing a separation groove penetrating the upper electrode layer, photoelectric conversion layer and lower electrode layer along the patterning line for separating the upper electrode layer. The upper electrode layer can be insulated and separated by removing the layer, the photoelectric conversion layer, and the lower electrode layer together in a groove shape. In that case, the processing damage can be prevented from reaching the portion functioning as the power generation region in the photoelectric conversion layer. Therefore, it is possible to obtain an integrated thin film solar cell with excellent characteristics and excellent reproducibility as compared with the conventional case where only the upper electrode layer is insulated and separated.
[0061]
Further, in the integrated thin film solar cell of the present invention, if the separation groove is provided so as to pass through the insulating separation region, when the separation groove is formed by laser light, the thermal treatment to the peripheral edge of the processing groove is performed. The influence or the like can be reliably limited in the insulating isolation region and in the upper region of the insulating isolation region. Therefore, it is possible to prevent separation failure due to the thermal influence and improve characteristics and yield.
[0062]
Further, the integrated thin film solar cell of the present invention provides a laser beam when the insulating isolation region of the lower electrode layer is a region surrounded by a closed loop insulating wire. It is only necessary to draw a closed curve by making one round. Therefore, an insulating isolation region having a certain width can be easily formed as compared with the case where the lower electrode layer is removed by scanning the laser beam a plurality of times. That is, according to the present invention, the number of scans of the laser beam can be drastically reduced as a whole, and the processing time can be greatly shortened.
[0063]
Further, the integrated thin film solar cell of the present invention is configured such that both ends of the separation groove are insulated and separated if the length of the separation groove is longer than the length in the extending direction of the patterning line in the insulation separation region. It can project from both ends of the region. Therefore, when the separation groove is formed with laser light, insulation separation can be reliably performed in the insulation separation region even if there is a deviation in laser processing accuracy. That is, according to the present invention, stable processing can be performed regardless of the processing accuracy and position reproducibility of the laser processing apparatus.
[0064]
In addition, the integrated thin film solar cell of the present invention provides good insulation between adjacent power generation regions if the width in the direction perpendicular to the extending direction of the patterning line in the isolation region is 100 μm or more and 1 mm or less. Separation is possible, and the area of the non-power generation region can be suppressed to such an extent that there is no practical problem.
[0065]
Further, in the integrated thin film solar cell of the present invention, if the patterning line interval is 15 mm or less, the resistance loss due to the upper electrode layer formed of the transparent conductive film can be suppressed to an extent that there is no practical problem. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view and a top perspective view of an integrated thin film solar cell of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a patterning shape of a lower electrode layer in FIG.
3 is a longitudinal sectional view showing a manufacturing process of the integrated thin film solar cell shown in FIG. 1. FIG.
4 is a longitudinal sectional view of an integrated thin film solar cell different from FIG. 1. FIG.
5 is a diagram showing a patterning shape of a lower electrode layer in FIG. 4; FIG.
6 is a longitudinal sectional view showing a manufacturing process of the integrated thin film solar cell shown in FIG. 4. FIG.
FIG. 7 is a longitudinal sectional view of a conventional integrated thin film solar cell.
8 is a diagram showing a patterning shape of a lower electrode layer in FIG. 7. FIG.
9 is a longitudinal sectional view showing a manufacturing process of the integrated thin film solar cell shown in FIG. 7. FIG.
[Explanation of symbols]
11, 31 ... substrate,
12, 32 ... lower electrode layer, 14, 34 ... dividing groove,
15, 35 ... rectangular groove, 16, 36 ... photoelectric conversion layer,
18 ... Processing groove 19, 37 ... Upper electrode layer,
21, 41 ... separation groove,
38. Second patterning line (upper electrode layer / lower electrode layer connection line).

Claims (7)

絶縁表面を有する基板上に順次積層された下部電極層,光電変換層および上部電極層をパターニング加工して形成された複数の発電領域が、上記基板上において直列に接続されて成る集積型薄膜太陽電池において、
互いに隣接する発電領域間で上記上部電極層を電気的に分離するパターニングラインの直下における上記下部電極層の部分に、周囲の下部電極層とは電気的に分離された絶縁分離領域を設けたことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
An integrated thin-film solar cell in which a plurality of power generation regions formed by patterning a lower electrode layer, a photoelectric conversion layer, and an upper electrode layer sequentially stacked on a substrate having an insulating surface are connected in series on the substrate. In batteries,
An insulating isolation region that is electrically isolated from the surrounding lower electrode layer is provided in a portion of the lower electrode layer immediately below the patterning line that electrically isolates the upper electrode layer between adjacent power generation regions. An integrated thin film solar cell.
請求項1に記載の集積型薄膜太陽電池において、
上記上部電極層分離用のパターニングラインに沿って、上記上部電極層,光電変換層および下部電極層を貫通する分離溝を設けたことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
The integrated thin film solar cell according to claim 1,
An integrated thin-film solar cell comprising a separation groove penetrating the upper electrode layer, the photoelectric conversion layer, and the lower electrode layer along the patterning line for separating the upper electrode layer.
請求項2に記載の集積型薄膜太陽電池において、
上記分離溝は、下部電極層の絶縁分離領域内を通過して設けられていることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
The integrated thin film solar cell according to claim 2,
The integrated thin film solar cell, wherein the separation groove is provided so as to pass through an insulating separation region of the lower electrode layer.
請求項1乃至請求項3の何れか一つに記載の集積型薄膜太陽電池において、
上記下部電極層の絶縁分離領域は、閉ループ状の絶縁線で囲まれた領域であることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
The integrated thin-film solar cell according to any one of claims 1 to 3,
2. The integrated thin film solar cell according to claim 1, wherein the insulating separation region of the lower electrode layer is a region surrounded by a closed loop insulating wire.
請求項2あるいは請求項3に記載の集積型薄膜太陽電池において、
上記分離溝の長さは、上記絶縁分離領域における上記パターニングラインの延在方向への長さよりも長くなっていることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
The integrated thin film solar cell according to claim 2 or claim 3,
The length of the isolation groove is longer than the length in the extending direction of the patterning line in the insulating isolation region.
請求項1乃至請求項5の何れか一つに記載の集積型薄膜太陽電池において、
上記絶縁分離領域における上記パターニングラインの延在方向と直交する方向への幅は、100μm以上且つ1mm以下であることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
The integrated thin film solar cell according to any one of claims 1 to 5,
The integrated thin film solar cell, wherein a width of the insulating isolation region in a direction perpendicular to the extending direction of the patterning line is 100 μm or more and 1 mm or less.
請求項1乃至請求項6の何れか一つに記載の集積型薄膜太陽電池において、
上記パターニングラインの間隔は15mm以下であることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
The integrated thin-film solar cell according to any one of claims 1 to 6,
The integrated thin film solar cell, wherein the patterning line interval is 15 mm or less.
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