JP4190776B2 - 電子放射を使用する記憶装置用のパッケージング - Google Patents
電子放射を使用する記憶装置用のパッケージング Download PDFInfo
- Publication number
- JP4190776B2 JP4190776B2 JP2002059284A JP2002059284A JP4190776B2 JP 4190776 B2 JP4190776 B2 JP 4190776B2 JP 2002059284 A JP2002059284 A JP 2002059284A JP 2002059284 A JP2002059284 A JP 2002059284A JP 4190776 B2 JP4190776 B2 JP 4190776B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information storage
- electron beam
- array
- beam emitters
- rotor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/08—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by electric charge or by variation of electric resistance or capacitance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/10—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using electron beam; Record carriers therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
- G11B19/20—Driving; Starting; Stopping; Control thereof
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B25/00—Apparatus characterised by the shape of record carrier employed but not specific to the method of recording or reproducing, e.g. dictating apparatus; Combinations of such apparatus
- G11B25/04—Apparatus characterised by the shape of record carrier employed but not specific to the method of recording or reproducing, e.g. dictating apparatus; Combinations of such apparatus using flat record carriers, e.g. disc, card
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は情報記憶ユニットの分野に関する、より詳細には、本発明は、電子ビームエミッタのアレイと、超小型電気機械システムを用いてエミッタに対して移動可能な情報記憶媒体とを用いる情報記憶ユニットを提供することに関する。
【0002】
【従来の技術】
パームトップコンピュータ、デジタルカメラおよびセルラー電話のような電子装置は、内蔵するデータ処理および記憶回路がより複雑になっているにもかかわらず、益々コンパクト、かつ小型になってきている。さらに、テキスト以外の、たとえば映像、音楽およびグラフィックスのような、内在する複雑な情報を搬送するために大量のデータを必要とするタイプのデジタル通信がますます広くおこなわれるようになってきた。これらの発展は、より複雑なデータを低コストで、非常にコンパクトなパッケージで取り扱うことができる新しい記憶技術への非常に大きな要求を生み出している。
【0003】
この要求に対する1つの反応が、1996年9月17日にGibson他に付与された米国特許第5,557,596号に記載されている装置のような、超高密度記憶装置の開発であった。このシステムは、情報を記憶し、取り出すために、可動式の回転子装置(または、ローターデバイス)上の情報記憶媒体エリアに電子のビームを生成する複数の電子エミッタを設ける。超小型電気機械システム(MEMS)技術に基づく超小型可動子が、電子エミッタに対して回転子装置を移動させ、回転子上の選択された記憶媒体エリアと並列に通信できるようにする。Gibson他の特許では、電子ビームが種々の強度で記憶媒体エリアに衝当し、たとえば、アモルファス相と結晶相との間、あるいはダイオード素子の導電性に影響を及ぼす場合がある種々の結晶相間で記憶材料の状態を変化させること等により、記憶材料のいくつかの態様を選択的に変更する。
【0004】
さらに高速に、さらにコンパクトな領域で、一層複雑なデータをより大量に処理することができる、より小型で拡張された能力が引き続き要求されている。現在、ナノメートルから数十ナノメートルのスケールにデータを記憶できるようにするために、原子分解能記憶(atomic resolution storage:ARS)と呼ばれる、Gibson他の特許に開示されている技術を適合させる努力が続けられている。
【0005】
このARSレベルでデータを格納しようと試みる際に、いくつかの難問が持ち上がっている。情報の記憶および取り出しのプロセスは困難な仕事である。エミッタからの電子ビームは、変更することなくARS記憶部位を照射するには拡散が大きすぎる。ARSスケールでは、電子ビームによる読出しおよび書込みは、益々精密な動作になり、漂遊する電子、原子あるいは分子によって影響を受ける可能性が非常に高くなる。記憶媒体エリア内を真空にし、それを保持することが重要になる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、情報処理のために電子エミッタを利用し、MEMS装置の移動による情報アクセスを提供する、ARSパッケージを提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
情報は、可動式の回転子装置の表面上に配置される記憶媒体エリア上に厳密に集束された電子ビームを与える複数のエミッタ装置(またはエミッタデバイス)によって格納される。ARSレベルで機能するために、電子ビームは電子光学装置によって集束される。複数の並列動作は、記憶媒体エリア上に選択的に同時に電子ビームを加える複数の電子エミッタによって行われる。
【0008】
回転子は、回転子(またはローター)および回転子に隣接する固定子(または、ステーター)空間上に配置されるMEMSモータによって、エミッタに対して移動する。エミッタおよび回転子のための電装系の大部分は静止した固定子上に配置され、これによって、回転子上のエミッタおよび記憶媒体エリアからの電子ビームの密度が高められる。
【0009】
回転子およびエミッタのための電子制御回路は、主に固定子上に配置される。その回路は、固定子およびエミッタ上の電気パッドに接続される回転子上の導電プラグによって、エミッタと固定子との間で通信を行う。電気リード線が、ARSパッケージから、遠隔システムへの外部接続部まで延在する。
【0010】
本発明のARSパッケージは、回転子とエミッタとの間、および、回転子と固定子との間にそれぞれスペーサを設けて、それらのコンポーネント間に重要な間隔を保持している。回転子、エミッタおよび固定子は、一体のユニットを形成するために互いに結合される。ARSパッケージは真空を形成するために封止される必要があり、こうすることによって、電子放射を、漂遊する原子あるいは分子をイオン化するという望ましくない副作用を最小にする管理された条件において行うことができる。パッケージ内を概ね真空に保持するために、ゲッターがARSパッケージ内の1つの場所に設けられるか、あるいはARSパッケージ内に分散される。
【0011】
1つの好ましい実施形態では、真空内で機能する情報記憶ユニットが設けられ、データ記憶媒体が、情報を格納し、読み出すための情報記憶エリアを有する。データ記憶媒体に向けて複数の電子ビームを選択的に送るために、電子ビームエミッタのアレイがデータ記憶媒体から間隔をおいて、かつ近接して配置される。電子ビームエミッタのアレイとデータ記憶媒体との間の集束用の光学装置が、データ記憶媒体の情報記憶エリアの一部分に、各電子ビームを集束させる。データ記憶媒体に関連する超小型電気機械モータが、データ記憶媒体を電子ビームエミッタのアレイに対して移動し、これにより、各エミッタが情報記憶エリアの一部に選択的に電子ビームを送り、情報の読出しや書込みを行う。電子ビームエミッタのアレイから離れて配置され、かつ、それと電気的に通信する電子回路が、電子ビームエミッタのアレイの動作を制御する。情報記憶ユニット内の真空装置が、データ記憶媒体と電子ビームエミッタのアレイとの間の真空を保持する。
【0012】
別の好ましい実施形態では、原子分解能情報記憶ユニットが設けられ、平坦な回転子装置が情報を格納するための情報記憶エリアを有する。回転子装置に近接して配置される電子ビームエミッタの平坦なアレイが、電子ビームを回転子装置上の情報記憶エリアに選択的に送る。電子ビームエミッタのアレイと平坦な回転子装置との間の集束用の光学装置が、複数の電子ビームを、平坦な回転子装置の情報記憶エリアの各部分に集束させる。回転子装置上の被駆動機構によって、回転子装置は、電子ビームエミッタのアレイの面に平行な面内を電子ビームエミッタのアレイに対して移動される。固定子装置(または、ステーターデバイス)は、回転子装置に近接して配置され、移動可能な回転子装置に対して静止している。固定子装置上の駆動機構は、被駆動機構と静電的に係合して、電子ビームエミッタのアレイに対して回転子装置を移動させ、それにより、電子ビームエミッタのアレイが、回転子装置上の情報記憶エリアの種々の部分に対して、読出しあるいは書込みを行えるようにする。電子制御回路が、電子ビームエミッタのアレイと電気的に通信可能な状態で固定子装置上に配置されて、電子ビームエミッタのアレイの動作を制御する。原子分解能情報記憶ユニット内の真空装置は、情報記憶エリアと電子ビームエミッタのアレイとの間に真空を保持する。
【0013】
システム動作の能力を高めるために、本発明では複数のMEMSモータを用いる場合がある。そのような場合には、MEMSモータの動作は、その用途に応じて、一定の関係を有するか、独立しているかのいずれかの場合がある。
【0014】
本発明の他の態様および利点は、添付の図面とともに、本発明の原理を例を用いて示す、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1に、本発明の好ましい実施形態の原子分解能記憶パッケージを示す。本明細書で用いる、原子分解能記憶、すなわちARSとは、記憶媒体利用可能(サポート)密度が、1平方インチ当たり約100ギガビットより大きく、電子ビームが電子光学装置によって集束される、情報の格納および取り出しのことをいう。また、必ずしも必要ではないが、記憶媒体エリアにアクセスするために精密なMEMSモータを用いることが好ましい。ビームを走査することによっても、同じ効果を達成できる。
【0016】
図1は、外部回路に相互接続するためのコンタクトパッド12を有する、組み立て後のARSパッケージすなわちモジュール10を示す。モジュール10は、3つの積層されたウェーハ、すなわち固定子ウェーハ14と、回転子ウェーハ16と、エミッタウェーハ18とを備える。ウェーハは、標準的な半導体プロセスおよびMEMS微細加工プロセスによって製造され、概ね同じx−y寸法を有することが好ましい。ARSパッケージ10は、ウェーハがある間隔をおいて配置され、一体のパッケージを形成するために互いに結合された状態で、真空封止されることが好ましい。
【0017】
1つの好ましい実施形態では、ウェーハのXおよびY寸法は約1センチメートルであり、モジュール10のZ寸法は約1ミリメートルである。XおよびY寸法は大きく変更することができ、互いに等しい必要はない。パッド12の数およびサイズは変更することもでき、外部の相互接続体にモジュール10を取り付ける際に低い応力を保持するように、パッド12をモジュールの両面に配置するのが好ましい。
【0018】
固定子ウェーハ14および回転子ウェーハ16はそれぞれ、回転子ウェーハ16を、3つのウェーハの面に平行な面において、固定子ウェーハ14およびエミッタウェーハ18に対して移動させる超小型電気機械システム(MEMS)モータを構成するよう互いに機能する1組の電極を有する。回転子ウェーハ16は、大量のデータを格納する記憶媒体エリアを含む。エミッタウェーハ18は、記憶媒体エリア上の情報の読出し、書込みおよび変更を行うために、電子ビームを記憶媒体エリアに照射する複数の電子エミッタを備える。
【0019】
固定子ウェーハ14は、信号を送信して、電子エミッタの動作を制御するための読出し/書込み電子回路を備える。制御信号は、回転子ウェーハの動きを妨害することなく、固定子ウェーハ14から回転子ウェーハ16を介してエミッタウェーハ18に伝送される。
【0020】
MEMSモータの1つの好ましい実施形態は、1999年11月16日にHoen他に付与された米国特許第5,986,381号に記載されているタイプのものである。固定子ウェーハ14は、回転子ウェーハ16上の、対応する被駆動電極に近接して配置される駆動電極を備える。駆動電極上の交流電圧信号が被駆動電極と相互作用して、回転子ウェーハ16を面内で移動させる。Hoen他による上記‘381号特許に記載されているように、電極に交流電圧パターンを印加し、かつ電極のピッチを制御することにより、面外への力を最小にするのが好ましい。
【0021】
図2に、モジュール10の組立分解断面図を示す。ARSモジュールの重要な構成要素の多くは、本明細書の開示に基づいて構成することができ、それはGibson他による‘596特許に示されている記憶装置の概念と一致する。エミッタウェーハ18は、複数の電子ビームエミッタ20、たとえばチップエミッタ(tip emitter)を支持する。チップエミッタ、および電子ビームを集束させるための関連する電子光学装置は、回転子ウェーハ16に向けて、狭く集束された電子ビームを送るために設けられる。エミッタポイントは、約1ナノメートル〜数百ナノメートルの曲率半径を有することが好ましい。各エミッタは、エミッタを包囲する環状抽出電極(circular extractor electrode)22を有しており、エミッタと抽出電極との間は、予め選択された電位差が印加される。電子ビームを集束するための付加的な電極は図示していないが、それは同時係属中の特許出願の主題である。
【0022】
電子ビームを加速するために、あるいは電子を集束するのを助けるために、回転子ウェーハ上の記憶媒体に電圧を印加することもできる。代替的には、電子エミッタを高い負の電位に保持し、記憶媒体をグランド電位に、あるいはそれに近い電位に保持することができる。
【0023】
先端電界電子エミッタに対する別の実施形態として、適切に集束される、フラットエミッタ(または平形エミッタ)を用いることができる。このフラットエミッタは、金属−絶縁体−半導体(MIS)技術あるいは金属−絶縁体−金属(MIM)技術に基づいて構成することができる。フラットエミッタの実験的な利用の細部については、フラットエミッタに関する本出願人の同時係属中の特許出願に記載されている。
【0024】
エミッタウェーハ18は、エミッタを動作させ、選択するための駆動電子機器回路27および多重化電子機器回路35も備える。以下で説明するように、駆動および多重化電子機器回路と、固定子ウェーハからのリード線とを接続するために、導電性パッド24が、回転子ウェーハ16に対面するエミッタウェーハ18の下側表面に取り付けられる。
【0025】
図2に示すように、回転子ウェーハ16上には記憶媒体28が置かれ、記憶媒体28の表面上またはその近くに、未書込みエリア30aと書込み済記憶ビット30bとがある。電子ビーム21の強度が十分に強い場合には、記憶ビット30bが書き込まれる。書込み済記憶ビット30bおよび未書込みエリア30aの両方の読み出しは、Gibson他の‘596特許にしたがって、近接した電子検出器31を用いて、記憶ビット30bと未書込みエリア30aとの間の二次電子放出の変化を検出することにより実現することができる。抽出電極22を含む適切な電子光学装置25によって、任意の所与の電子が集束される。MEMSモータの回転子部分の移動に伴い、所与の低減された強度の電子ビーム21によって、有効な記憶エリア(未書込みのエリア30aおよび書込み済みのビット30bの両方)の位置が指定され、そのエリアが関連する電子検出器31によって読み取られる。同様に、回転子の移動に従って、任意の所与のエリアに、新しいデータをその対応する電子ビーム21によって書き込んだり上書きすることができる。
【0026】
代替的には、記憶媒体エリア30は、電子ビームが衝当することにより変更されて、その1つまたは複数の電子的特性が変えられ、それによって0または1が存在することを知らせるダイオードを備える半導体構造とすることができる。選択されたダイオードの表面に、対応する電子エミッタからの電子ビームが衝突することにより、変更された領域付近に生成される少数担体の収集効率が変化する。変更された状態の存在は、ダイオードにバイアス電圧が印加される際に、ダイオード内を流れる電流の量を測定することにより読み取られる。この好ましい実施形態は、図2、図3、図5〜図8に示唆されている。この好ましい実施形態では、データは、ダイオードを流れる電流の量を測定することにより判定され、固定子装置上の電子回路によって読み取られる。
【0027】
電子光学装置25は、2000年7月17日出願の「Self-aligned Electronic Source Device」と題する同時係属中の米国特許出願第09/617,876号に記載されているような、既知のタイプのものであるのが好ましい。
【0028】
回転子ウェーハ16は、また、各MEMSモータの周辺に、回転子ウェーハとエミッタウェーハとの間の距離34を決定するスペーサ32も備える。ARSパッケージには、1つまたは複数のMEMSモータを組み込むことができることを理解されたい。電子ビームは非常に狭く集束され、許容可能な焦点深度を有し、結果として、距離34は重要ではなく、焦点深度に応じて、数百分の1マイクロメートル〜数十マイクロメートルの間で長さを変更できることが好ましい。最適な動作のために、距離34は1〜10マイクロメートルの範囲内にあることが好ましいが、距離34は、さらに複雑な電子光学装置を用いる場合には大きくすることができる。
【0029】
図5〜図6に示すように、回転子ウェーハ16は、固定子ウェーハ14上の電子回路と、エミッタウェーハ18上のエミッタ制御電子機器回路35との間の電気的接続を提供する複数の導電性プラグ36も備える。図2に示すように、各プラグ36は、絶縁性材料37によって包囲されている。電気リード線45が、固定子ウェーハ14上のコネクタパッド46から固定子ウェーハ14上の制御電子機器回路47まで延在する。同様に、電気リード線49が、エミッタウェーハ18上のコネクタパッド24からエミッタウェーハ18上のエミッタ制御電子機器回路35まで延在する。プラグ36は、導電性シリコン、あるいは200℃未満で固体であり、80℃以下で安全に動作することができる他の金属からなることが好ましい。図2に示す市松模様の矢印は、エミッタ電子機器回路と固定子電子機器回路でやりとりされる情報の流れを表す。
【0030】
被駆動電極40は、固定子ウェーハ14に面する回転子ウェーハ16の下側表面上に戦略的に配置される。図2に示すように、固定子ウェーハ14上のMEMSモータ31の部分は、回転子ウェーハ16上の電極40の組に対応するよう、固定子ウェーハ14の上側表面上に取り付けられた1組の電極42から構成される。駆動電極42および被駆動電極40は、固定子ウェーハおよびエミッタウェーハに対して回転子ウェーハの面内の動きを駆動するMEMSモータの一部である。固定子ウェーハ14は、また、回転子ウェーハ上のスペーサ32に類似のスペーサ44を備える。スペーサ44によって、回転子ウェーハと固定子ウェーハの間の距離が決まる。
【0031】
固定子ウェーハ14は、また、エミッタウェーハ上に必要とされる回路の規模を最小にすると共に、回転子ウェーハ上のCMOS回路を最小にするかまたは削除するために、電子制御および駆動回路の大部分を支持する。このアプローチは、製造プロセスを単純化すると共に、エミッタおよび記憶媒体エリアのために、それぞれエミッタウェーハおよび回転子ウェーハ上に、より広い空間を残す。固定子表面上の導電性パッド46は、回転子ウェーハ16上の導電性パッド36を位置合わせされて、固定子ウェーハ14上の回路とエミッタウェーハ18上の回路とを接続するように配置される。
【0032】
固定子ウェーハ14に接続するために、回転子ウェーハ16上に同じようなパッド33が存在する。固定子ウェーハは、MEMSモータとの通信を行うために回転子ウェーハ16の底面への接続部と、記憶媒体28に接続するために回転子ウェーハ16の上面への接続部とを有する。
【0033】
スペーサ32は、回転子ウェーハ16と一体化して製造することもでき、または、回転子ウェーハ16に別個のものとして取り付けることもできる。代替的には、スペーサ32を、エミッタウェーハ18に取り付けるか、またはそれに一体化することができる。同様に、スペーサ44は、回転子ウェーハ16の下側、あるいは固定子ウェーハ14の上側表面に一体化するか、または、それらに取り付けることができる。スペーサ32および44の数、サイズおよび場所は、1つのMEMSモータが用いられるか、モータのアレイが用いられるかを含む、いくつかの要因に応じて変更されるであろう。図6および図7に示す実施形態では、1つのモータが示される。この場合、スペーサは、回転子ウェーハ16の可動部分の周辺に配置され、回転子ウェーハの縁部の近くに取り付けられることが好ましい。複数のモータが使用される場合には、スペーサはモータと共に配置されるが、常に回転子の可動段の外側に配置される。
【0034】
本明細書に記載しているように、電子ビームが用いられるため、ARSパッケージは高真空状態に保持されなければならない。固定子ウェーハ、回転子ウェーハおよびエミッタウェーハを互いに結合し、真空封止部はARSパッケージの周辺を包囲することが好ましい。結合は、共晶(または共融)金属合金あるいは他の適切なメカニズムを形成することを通して、ケイ化パラジウム(palladium silicide)のような、安定した金属間化合物を形成することにより実現できる。封止部は、共にウェーハを結合する金属または他の材料から形成することができる。代替的には、封止部は、ウェーハ−ウェーハ結合材料とは別個のものとすることができる。
【0035】
図2では、結合部および真空封止部は組み合わせられている。固定子ウェーハ14上には、図7にも示している、封止/結合構造48が構成される。同様に、回転子ウェーハ16またはエミッタウェーハ18上には、封止/結合構造38が形成される。
【0036】
真空度は、10(−2)〜10(−7)Torrのオーダーであることが好ましく、図5に示す如き、回転子ウェーハの上側表面に付加または一体化された、真空装置であるゲッター39のような、1つまたは複数のゲッターによって維持される。代替的には、ゲッターをエミッタウェーハ18に付加または一体化することができる。ゲッターは、真空管とともに、あるいは電子放出ディスプレイにおいて用いられるゲッターと類似の、従来の構造および材料からなることが好ましい。ゲッターの数、サイズ、場所、および位置付けは、ARSパッケージ要件に応じて変更することができる。ゲッターの数は、MEMSモータを追加して実装するのに応じて増やすことができる。
【0037】
固定子ウェーハ14上の読出しおよび書込みチャネルならびに制御電子機器回路17は、図1に示すように、ARSパッケージの外側にある外部コネクタパッド12に接続される。さらに、電源接続部もパッド12に形成される。エミッタビーム選択および制御電子機器回路は、エミッタ領域の周辺に配置するのが好ましい。エミッタ駆動電子機器回路27は、チップ電子エミッタ装置のためのエミッタの背後に配置するのが好ましく、フラットエミッタのような他のタイプのエミッタ構造の場合には、エミッタから離して配置することもできる。ウェーハを貫通する導電性プラグ36、ならびに電気リード線45および49は、回転子ウェーハ16およびエミッタウェーハ18に電力および制御信号を搬送する。制御、チャネルおよびモータ電子機器回路は、標準的なMOSプロセスによって製造するのが好ましい。高電圧CMOSあるいは他の既知の技術によって、電子エミッタ用の駆動電子機器回路を製作するのが好ましい。
【0038】
空間を無駄にしないために、チャネル、制御およびモータ回路は、固定子ウェーハ上のMEMSモータ駆動電極の下に構築される。同様に、エミッタ駆動電子機器回路27は、エミッタの背後に配置するのが好ましい。
【0039】
図8は、回転子ウェーハ16aが、図5に示した1つの媒体部分28の代わりに、4つの媒体部分28aを有する別の実施形態を表す。この実施形態では、図5〜図7に示す実施形態にしたがって、部分28aのうちの1つをそれぞれが動作させる、4つのMEMSモータ(図示せず)が存在する。
【0040】
本発明の他の実施形態は、本明細書に開示した本発明の仕様または実施例について検討することにより当業者には明らかになるであろう。開示した仕様および実施例は、単なる例示であって、本発明の真の範囲および思想は特許請求の範囲に示されている。
【0041】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
1.真空中で機能する情報記憶ユニットであって、
情報を格納し、読み出すための少なくとも1つの情報記憶エリア(30a、30b)を有するデータ記憶媒体(28)と、
前記データ記憶媒体(28)に向けて、複数の電子ビーム(21)を選択的に送るために、前記データ記憶媒体(28)に近接して隔置された電子ビームエミッタ(20)のアレイと、
前記複数の電子ビーム(21)を、前記データ記憶媒体(28)の前記情報記憶エリア(30a、30b)の各部分に集束させるために、前記電子ビームエミッタ(20)のアレイと前記データ記憶媒体(28)との間にある集束用の光学装置(25)と、
前記電子ビームエミッタ(20)のアレイに対して前記データ記憶媒体(28)を移動させるために、前記データ記憶媒体(28)に関連付けられた超小型電気機械モータ(14、16、40、42)であって、前記エミッタはそれぞれ、情報の読出しまたは書込みを行うために、前記情報記憶エリア(30b)の一部分に選択的に電子ビーム(21)を送ることからなる、超小型電気機械モータと、
前記電子ビームエミッタ(20)のアレイの動作を制御するために、前記電子ビームエミッタ(20)のアレイから隔置され、それと電気的に通信する電子回路(47)と、
前記データ記憶媒体(28)と前記電子ビームエミッタ(20)のアレイとの間の真空を保持するために、前記情報記憶ユニット内に設けられた真空装置(39)
を備える、情報記憶ユニット。
2.前記超小型電気機械モータは、前記データ記憶媒体(28)が付加される回転子装置(16)と、前記データ記憶媒体(28)に近接して配置される固定子装置(14)と、前記回転子装置(16)を駆動するために前記固定子装置(14)上に取り付けられる1組の駆動電極(42)と、前記駆動電極(42)に近接して、前記回転子装置(16)上に取り付けられる1組の被駆動電極(40)を備える、上項1に記載の情報記憶ユニット。
3.前記電子ビームエミッタ(20)のアレイを備えており、かつ、その上にエミッタ制御回路(35)を有するエミッタ装置(18)をさらに備える、上項2に記載の情報記憶ユニット。
4.前記電子制御回路(47)は前記固定子装置(14)上に配置される、上項3に記載の情報記憶ユニット。
5.前記電子回路(47)は、前記回転子装置(16)を介して、前記電子制御回路(35)と通信する、上項4に記載の情報記憶ユニット。
6.前記電子制御回路(35)は、前記電子ビームエミッタ(20)のアレイに対する前記データ記憶媒体(28)の動きを制御するために、前記超小型電気機械モータ(14、16、40、42)と電気的に通信する、上項1に記載の情報記憶ユニット。
7.前記データ記憶媒体(28)は、前記電子ビームエミッタ(20)のアレイに対して移動可能である、上項1に記載の情報記憶ユニット。
8.一体型の情報記憶パッケージを形成するために、電子ビームエミッタ(20)のアレイと、回転子装置(16)と、固定子装置(14)とを接続し、かつ、それらを隔置するための結合機構(38、48)をさらに備える、上項2に記載の情報記憶ユニット。
9.前記結合機構(38、48)は、真空を保持するために、前記情報記憶パッケージの周囲に封止機構も備える、上項8に記載の情報記憶ユニット。
10.前記情報記憶パッケージから該パッケージの外部にある回路まで情報を伝達するために、前記情報記憶パッケージから前記封止機構を通って延在する電気リード線をさらに備える、上項9に記載の情報記憶ユニット。
【0042】
本発明の概要は以下のようである。真空内で機能する情報記憶ユニット(10)は、情報を記憶し、読み出すための情報記憶領域(30a、30b)を有するデータ記憶媒体(28)を備える。電子ビームエミッタ(20)のアレイは、複数の電子ビーム(21)をデータ記憶媒体(28)に向けて選択的に送るために、データ記憶媒体(28)に近接して隔置されている。電子ビームエミッタ(20)のアレイとデータ記憶媒体(28)の間にある集束用光学系(25)が、電子ビーム(21)の各々をデータ記憶媒体(28)の情報記憶領域(30a、30b)の各部分に集束させる。駆動電極(42)を備えるステーターウェーハ(14)と、非駆動電極(40)を備えるローターウェーハ(16)から構成されるマイクロ電子-機械モータが、データ記憶媒体(28)に関連付けられて、データ記憶媒体(28)を電子ビームエミッタ(20)のアレイに対して移動させ、これにより、エミッタ(20)の各々が、電子ビーム(21)を情報記憶領域(30b)の一部に向けて選択的に送り、情報を読み書きすることができる。電子機器回路(47)は、電子ビームエミッタ(20)のアレイを制御するエミッタ制御電子機器回路(35)から隔置されており、それと電気的に通信する。情報記憶ユニット内の真空装置(39)が、データ記憶媒体(28)と電子ビームエミッタ(20)のアレイとの間の真空を維持する。
【0043】
【発明の効果】
本発明によれば、ARSを利用した高速かつコンパクトな情報記憶装置において、安定かつ確実な動作を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好ましい実施形態のARSパッケージの概略的な前面斜視図である。
【図2】図1に示すARSパッケージの概略的な組立分解前面斜視図である。
【図3】図1のARSパッケージのエミッタウェーハの底面図である。
【図4】図1のARSパッケージの回転子ウェーハ上の情報記憶媒体エリアを示す図であり、記憶媒体エリアからの読出しを行う電子ビームエミッタが示されている。
【図5】図1に示すARSパッケージの回転子ウェーハの平面図である。
【図6】図1に示すARSパッケージの回転子ウェーハの底面図である。
【図7】図1に示すARSパッケージの固定子ウェーハの平面図である。
【図8】本発明によるARSパッケージの回転子ウェーハの別の実施形態の平面図である。
【符号の説明】
14 固定子装置
16 回転子装置
18 エミッタ装置
20 電子ビームエミッタ
21 電子ビーム
25 集束用光学装置
28 データ記憶媒体
30a、30b 情報記憶エリア
35 エミッタ制御回路
39 真空装置
40 被駆動電極
42 駆動電極
47 電子制御回路
Claims (17)
- 真空中で機能する情報記憶ユニットであって、
情報を格納し、読み出すための情報記憶エリアを有するデータ記憶媒体と、
前記データ記憶媒体に向けて、複数の電子ビームを選択的に送るために、前記データ記憶媒体に近接して隔置された電子ビームエミッタのアレイと、
前記複数の電子ビームの各々を、前記データ記憶媒体の前記情報記憶エリアの一部分に集束させるために、前記電子ビームエミッタのアレイと前記データ記憶媒体との間にある集束用の光学装置と、
前記電子ビームエミッタのアレイに対して前記データ記憶媒体を移動させるために、前記データ記憶媒体に関連付けられた超小型電気機械モータであって、前記エミッタはそれぞれ、情報の読出しまたは書込みを行うために、前記情報記憶エリアの一部分に選択的に電子ビームを送ることからなる、超小型電気機械モータと、
前記電子ビームエミッタのアレイの動作を制御するために、前記電子ビームエミッタのアレイから隔置され、それと電気的に通信する第1の電子制御回路と、
前記データ記憶媒体と前記電子ビームエミッタのアレイとの間の真空状態を保持するために、前記情報記憶ユニット内に設けられたゲッターと
を備え、
前記超小型電気機械モータは、前記データ記憶媒体を取り付けるための回転子装置と、前記データ記憶媒体に近接して配置された固定子装置と、前記回転子装置を駆動するために前記固定子装置上に取り付けられる1組の駆動電極と、前記1組の駆動電極に近接して、前記回転子装置上に取り付けられる1組の被駆動電極とを含み、
前記第1の電子制御回路は、前記固定子装置上に配置され、
前記固定子装置上の前記第1の電子制御回路は、前記回転子装置を通って延びる導電性デバイス(36)を介して、前記電子ビームエミッタのアレイに電気的に接続される、情報記憶ユニット。 - 前記電子ビームエミッタのアレイに対する前記データ記憶媒体の動きを制御するために、前記超小型電気機械モータと電気的に通信する第2の電子制御回路を更に含む、請求項1の情報記憶ユニット。
- 前記データ記憶媒体は、前記電子ビームエミッタのアレイに対して移動可能である、請求項1の情報記憶ユニット。
- 一体型の情報記憶パッケージを形成するために、電子ビームエミッタのアレイと、回転子装置と、固定子装置とを接続し、かつ、それらを隔置するための結合機構をさらに備える、請求項1の情報記憶ユニット。
- 真空を保持するために、前記情報記憶パッケージの周囲に封止機構をさらに備える、請求項4の情報記憶ユニット。
- 前記結合機構は、前記封止機構と一体化される、請求項5の情報記憶ユニット。
- 前記情報記憶パッケージから該パッケージの外部にある回路まで情報を伝達するために、前記情報記憶パッケージから前記封止機構を通って延在する電気リード線をさらに備える、請求項5の情報記憶ユニット。
- 前記第2の電子制御回路は、前記駆動電極の下に配置される、請求項2の情報記憶ユニット。
- 原子分解能情報記憶ユニットであって、
情報を格納するための情報記憶エリアを有する可動部と、前記可動部を取り囲む固定部とを有する平坦な回転子装置と、
前記回転子装置上の前記情報記憶エリアに向けて電子ビームを選択的に送るために、前記回転子装置に近接した位置にある電子ビームエミッタの平坦なアレイを含むエミッタ装置と、
前記電子ビームエミッタのアレイと前記平坦な回転子装置の間にあって、前記複数の電子ビームの各々を、前記平坦な回転子装置の前記情報記憶エリアの一部分に集束させるための集束用の光学装置と、
前記電子ビームエミッタのアレイの面に平行な面において、前記回転子装置の可動部を前記電子ビームエミッタのアレイに対して移動させるための、前記回転子装置の可動部上にある被駆動機構と、
前記回転子装置に近接した位置に配置され、前記回転子装置の固定部に対して静止している、固定子装置と、
前記固定子装置上の駆動機構であって、前記被駆動機構と静電的に係合して、前記電子ビームエミッタのアレイに対して前記回転子装置の可動部を移動させ、それにより、前記電子ビームエミッタのアレイが、前記回転子装置上の情報記憶エリアの種々の部分に対して、読出しあるいは書込みを行えるようにすることからなる、駆動機構と、
前記電子ビームエミッタのアレイの動作を制御するために、前記電子ビームエミッタのアレイと電気的に通信する、前記固定子装置上の第1の電子制御回路と、
前記情報記憶エリアと前記電子ビームエミッタのアレイとの間の真空状態を保持するために、前記原子分解能情報記憶ユニット内に設けられたゲッターと
を備え、
前記固定子装置上の前記第1の電子制御回路は、前記回転子装置を通って延びる導電性デバイス(36)を介して前記電子ビームエミッタのアレイに電気的に接続される、原子分解能情報記憶ユニット。 - 前記情報記憶エリアが、複数の個別の記憶媒体エリアから構成され、その個別のエリアの各々が、前記電子ビームエミッタの1つに対応する、請求項9の原子分解能情報記憶ユニット。
- 前記固定子装置上の前記駆動機構を駆動するための第2の電子制御回路を前記固定子装置上に更に含む、請求項9の原子分解能情報記憶ユニット。
- 前記平坦な回転子装置上の情報記憶エリアからデータを読み出すための電子検出器を更に含む、請求項9の原子分解能情報記憶ユニット。
- 前記導電性デバイスが、前記固定子装置上の第1の組をなすパッドと、前記電子ビームエミッタのアレイ上の第2の組をなすパッドに接続する、前記回転子装置上の導電性プラグからなる、請求項9の原子分解能情報記憶ユニット。
- 前記回転子装置と前記電子ビームエミッタのアレイとの間に適切な間隔を維持するために、それらの間に設けられる第1のスペーサと、前記回転子装置と前記固定子装置の間に適切な間隔を維持するために、それらの間に設けられる第2のスペーサをさらに備える、請求項9の原子分解能情報記憶ユニット。
- 前記第1のスペーサと第2のスペーサは、前記回転子装置が、前記電子ビームエミッタのアレイ及び前記固定子装置に対して移動できるようにするために、前記回転子装置の周辺部に配置される、請求項14の原子分解能情報記憶ユニット。
- 前記回転子装置と、前記電子ビームエミッタのアレイと、前記固定子装置とを接続して情報記憶パッケージを形成するための結合機構さらに備える請求項9の原子分解能情報記憶ユニット。
- 前記エミッタ装置を前記回転子装置に接合するための封止機構(38)と、前記回転子装置を前記固定子装置に接合し、前記電子ビームエミッタのアレイ、前記回転子装置の可動部、前記駆動機構、及び前記被駆動機構が、前記エミッタ装置と前記固定子装置の間の真空空間に密閉されるようにする封止機構(48)とを更に含む、請求項9の原子分解能情報記憶ユニット。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/800561 | 2001-03-07 | ||
US09/800,561 US6590850B2 (en) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | Packaging for storage devices using electron emissions |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002326198A JP2002326198A (ja) | 2002-11-12 |
JP2002326198A5 JP2002326198A5 (ja) | 2005-04-07 |
JP4190776B2 true JP4190776B2 (ja) | 2008-12-03 |
Family
ID=25178719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002059284A Expired - Lifetime JP4190776B2 (ja) | 2001-03-07 | 2002-03-05 | 電子放射を使用する記憶装置用のパッケージング |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6590850B2 (ja) |
EP (1) | EP1239469A3 (ja) |
JP (1) | JP4190776B2 (ja) |
CN (1) | CN1373476A (ja) |
HK (1) | HK1048880A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6738336B2 (en) * | 2001-05-16 | 2004-05-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage device |
US6975575B2 (en) | 2001-10-31 | 2005-12-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage media and methods utilizing a layer adjacent the storage layer |
US7082095B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-07-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for storing data |
US6700853B2 (en) * | 2001-07-20 | 2004-03-02 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Data storage devices with wafer alignment compensation |
US6982898B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-01-03 | Nanochip, Inc. | Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers |
ITTO20030269A1 (it) * | 2003-04-08 | 2004-10-09 | St Microelectronics Srl | Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo |
US20040213129A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-28 | Marshall Daniel R. | Emitter cluster for a data storage device |
US6930368B2 (en) * | 2003-07-31 | 2005-08-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMS having a three-wafer structure |
US7871660B2 (en) * | 2003-11-14 | 2011-01-18 | Saes Getters, S.P.A. | Preparation of getter surfaces using caustic chemicals |
US7026189B2 (en) * | 2004-02-11 | 2006-04-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Wafer packaging and singulation method |
US7422962B2 (en) * | 2004-10-27 | 2008-09-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of singulating electronic devices |
US7050320B1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-05-23 | Intel Corporation | MEMS probe based memory |
ITMI20050139A1 (it) * | 2005-01-31 | 2006-08-01 | St Microelectronics Srl | Dispositivo di memorizzazione dati rimovibile e relativo metodo di assemblaggio |
ITMI20050616A1 (it) * | 2005-04-12 | 2006-10-13 | Getters Spa | Processo per la formazione di depositi getter miniaturizzati e depositi getrter cosi'ottenuti |
ITMI20052343A1 (it) | 2005-12-06 | 2007-06-07 | Getters Spa | Processo per la produzione di dispositivi micromeccanici contenenti un materiale getter e dispositivi cosi'prodotti |
JP5011820B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2012-08-29 | オムロン株式会社 | 積層デバイス、およびその製造方法 |
US20070290282A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Nanochip, Inc. | Bonded chip assembly with a micro-mover for microelectromechanical systems |
US20070291623A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Nanochip, Inc. | Cantilever with control of vertical and lateral position of contact probe tip |
US20070121477A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-05-31 | Nanochip, Inc. | Cantilever with control of vertical and lateral position of contact probe tip |
US7808061B2 (en) * | 2006-07-28 | 2010-10-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multi-die apparatus including moveable portions |
US20080074984A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Nanochip, Inc. | Architecture for a Memory Device |
US20080074792A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Nanochip, Inc. | Control scheme for a memory device |
US7983138B2 (en) * | 2006-10-11 | 2011-07-19 | Seagate Technology Llc | Surface spacing using rigid spacers |
US7903532B2 (en) * | 2006-10-11 | 2011-03-08 | Seagate Technology Llc | Elevated electrodes for probe position sensing |
US20080290430A1 (en) * | 2007-05-25 | 2008-11-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Stress-Isolated MEMS Device and Method Therefor |
US8000214B2 (en) * | 2007-12-13 | 2011-08-16 | International Business Machines Corporation | Hermetic seal for a scanner assembly of a probe storage device |
US20150302884A1 (en) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | Battelle Memorial Institute | Apparatus and method of multi-bit and gray-scale high density data storage |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3679319D1 (de) * | 1986-05-27 | 1991-06-20 | Ibm | Speichereinheit mit direktem zugriff. |
US4906840A (en) * | 1988-01-27 | 1990-03-06 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr., University | Integrated scanning tunneling microscope |
US5289408A (en) * | 1989-02-09 | 1994-02-22 | Olympus Optical Co., Ltd. | Memory apparatus using tunnel current techniques |
EP0394995B1 (en) * | 1989-04-25 | 1997-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Information record/reproducing apparatus and information recording carrier |
US5015850A (en) * | 1989-06-20 | 1991-05-14 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Microfabricated microscope assembly |
US5216631A (en) * | 1990-11-02 | 1993-06-01 | Sliwa Jr John W | Microvibratory memory device |
US5751683A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | General Nanotechnology, L.L.C. | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
US5557596A (en) | 1995-03-20 | 1996-09-17 | Gibson; Gary | Ultra-high density storage device |
US5986381A (en) | 1997-03-14 | 1999-11-16 | Hewlett-Packard Company | Electrostatic actuator with spatially alternating voltage patterns |
US6411589B1 (en) * | 1998-07-29 | 2002-06-25 | Hewlett-Packard Company | System and method for forming electrostatically actuated data storage mechanisms |
US6288401B1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-09-11 | Etec Systems, Inc. | Electrostatic alignment of a charged particle beam |
-
2001
- 2001-03-07 US US09/800,561 patent/US6590850B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-07 CN CN01142799A patent/CN1373476A/zh active Pending
-
2002
- 2002-03-05 JP JP2002059284A patent/JP4190776B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-05 EP EP02251543A patent/EP1239469A3/en not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-02-11 HK HK03100993.4A patent/HK1048880A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK1048880A1 (zh) | 2003-04-17 |
US6590850B2 (en) | 2003-07-08 |
EP1239469A2 (en) | 2002-09-11 |
US20020126615A1 (en) | 2002-09-12 |
JP2002326198A (ja) | 2002-11-12 |
CN1373476A (zh) | 2002-10-09 |
EP1239469A3 (en) | 2004-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4190776B2 (ja) | 電子放射を使用する記憶装置用のパッケージング | |
US7585687B2 (en) | Electron emitter device for data storage applications and method of manufacture | |
JP2002326198A5 (ja) | ||
US9036229B2 (en) | MEMS device with independent rotation in two axes of rotation | |
US7709882B2 (en) | Storage device with charge trapping structure and methods | |
US20140063580A1 (en) | Via structure and method thereof | |
JP2000061900A (ja) | 静電駆動デ―タ記憶機構を形成するためのシステム及び方法 | |
JP2005052963A (ja) | 3−ウェーハ構造を有するmems | |
TW200411723A (en) | Three-dimensional integrated CMOS-MENS device and process for making the same | |
JP3050164B2 (ja) | マイクロアクチュエータおよびその製造方法 | |
JP2003270558A (ja) | 光偏向器及び電磁型アクチュエータ | |
TW563154B (en) | Focusing lens for electron emitter | |
US6436794B1 (en) | Process flow for ARS mover using selenidation wafer bonding before processing a media side of a rotor wafer | |
JPH05250734A (ja) | 情報処理装置 | |
TW575874B (en) | Data storage device | |
JP2003132685A (ja) | データ記憶装置を形成するためのシステムおよび方法 | |
JP3686109B2 (ja) | メモリ装置 | |
US6440820B1 (en) | Process flow for ARS mover using selenidation wafer bonding after processing a media side of a rotor wafer | |
US6822241B2 (en) | Emitter device with focusing columns | |
US20090190254A1 (en) | Micromachined mover | |
US6916182B2 (en) | Connection arrangements for electrical devices having a ledge on which contact terminals are provided | |
US6310794B1 (en) | Upgradable storage system | |
JP2002335683A (ja) | 静電アクチュエータおよびそれを用いた光ピックアップ | |
KR20040092485A (ko) | 데이터 저장 장치 및 저장 매체 상의 데이터 저장 위치에일렉트론 빔을 정렬시키는 방법 | |
JP2000164915A (ja) | 近接場光プローブ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040521 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070116 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070316 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080115 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080415 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080715 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080819 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080917 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926 Year of fee payment: 4 |