JP4189863B2 - 表面処理方法及びそれに用いるシリコン処理液 - Google Patents
表面処理方法及びそれに用いるシリコン処理液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4189863B2 JP4189863B2 JP2003324238A JP2003324238A JP4189863B2 JP 4189863 B2 JP4189863 B2 JP 4189863B2 JP 2003324238 A JP2003324238 A JP 2003324238A JP 2003324238 A JP2003324238 A JP 2003324238A JP 4189863 B2 JP4189863 B2 JP 4189863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- treatment method
- surface treatment
- coating
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 30
- -1 silicon compound imine compound Chemical class 0.000 claims description 30
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 22
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 21
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 12
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 6
- PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N lithium metasilicate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])=O PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052912 lithium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 4
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims 2
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 41
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 13
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 10
- NJSVDVPGINTNGX-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(propyl)silyl]oxymethanamine Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OCN NJSVDVPGINTNGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 8
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-WFGJKAKNSA-N acetone d6 Chemical compound [2H]C([2H])([2H])C(=O)C([2H])([2H])[2H] CSCPPACGZOOCGX-WFGJKAKNSA-N 0.000 description 3
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 2
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 description 2
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIURKTASQJTJMG-UHFFFAOYSA-N N(C(=O)N)CCCCO[Si](OC)(OC)CCC Chemical compound N(C(=O)N)CCCCO[Si](OC)(OC)CCC KIURKTASQJTJMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIPOMPIBSOPFTG-UHFFFAOYSA-N N-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1.CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 ZIPOMPIBSOPFTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100396546 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) tif-6 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005031 thiocyano group Chemical group S(C#N)* 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000733 zeta-potential measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
実施例1では基材としてポリエチレンフタレート(以下「PET」と略す)フィルム(Yunitika エンブッレト 厚さ50μm)を用い、このPETフィルムに対して以下の表面処理を施した。
含アミノ有機シリコン化合物として3−アミノプロピルトリメトキシシラン(以下「APTMS」と略す)を用意し、これをアセトン中に1容量%となるように加えて混合し、3日間静置したものをシリコン処理液とした。
次に、混合工程で得られたシリコン処理液中にPETフィルムを液面と垂直方向から静かに浸漬した後、そのまま静かに引き上げて乾燥させる。この操作を3回繰り返す。
さらに、処理液コーティング工程が終了したPETフィルムを乾燥炉に入れ、150°Cで10分間の加熱を行う。こうして実施例1の表面処理PETフィルムを得た。
(1)密着性試験
上記工程によって得られた実施例1の表面処理PETフィルムについて、密着性試験を行った。すなわち、PETフィルムの処理面に5mm間隔で碁盤目状にカッターナイフによって切込みを入れ、粘着テープを貼り付けた後、その粘着テープを引き剥がして密着性の評価を行った。その結果、処理面の皮膜は剥がされることなくすべて残り、極めて密着性の良い皮膜が形成されていることがわかった。
また、基材のPETフィルム及び実施例1の表面処理PETフィルムについて、原子間力顕微鏡を用いて表面状態を観察した。その結果、図1及び図2に示すように、PETフィルムの表面に存在していた凹凸が実施例1の表面面処理によって平滑な表面に変化していることが分かった。このことから、実施例1の表面処理方法によって、PETフィルムの表面に極めて均一に皮膜が形成されることが分かった。
(3)NMR測定及びIR測定
混合工程におけるAPTMSのアセトン中での反応を調べるため、APTMSのd6−アセトン溶液のNMRスペクトルの経時変化を測定した。その結果、図3に示すように、APTMSのアミノ基の水素が消失し、メトキシ基のピークも時間の経過と共に減少していくことが分かった。また、APTMSのd6−アセトン溶液を所定時間毎に採取し、その乾燥物のIRを測定した。その結果、図4に示すように、時間の経過と共に、3150cm-1付近にSiに結合する水酸基の伸縮振動のピークが現れ、また1050cm-1及び1110cm-1付近にSi−O−Siの伸縮振動のピークが現れた。以上のNMR及びIRによる測定結果から、混合工程においてAPTMSのアミノ基にはアセトンが付加し、さらに脱水してイミンとなり、メトキシ基も徐々に加水分解され、さらに縮重合されてオリゴマーになることが分かった。
実施例2では、実施例1の表面処理PETフィルムに対し、さらに引き続いて以下の工程を行った。
市販のケイ酸リチウム水溶液(39%)を水で10〜20倍に希釈した溶液とし、この溶液中に実施例1の表面処理PETフィルムを液面に垂直方向から静かに浸漬し、さらにそのまま静かに引き上げる。
さらに、アルカリシリケート膜形成工程として、シリケートコーティング工程が終了したPETフィルムを乾燥炉に入れ、120°Cで10分間の加熱を行う。こうして、0.5〜3μmの膜厚のカリウムシリケート層が形成された実施例2の表面処理PETフィルムを得た。
実施例1において基材として用いたPETフィルムをそのまま比較例1とした。
上記実施例1、2の表面処理PETフィルム及び比較例1の未処理フィルムについて、酸素透過性試験を行った。酸素透過性試験にはModern Control社製のOXTRAN2/20を用い、23°C、湿度85%の測定条件下で測定を行った。
実施例3では、実施例1の表面処理PETフィルムに対し、さらに引き続いて以下に示す金属皮膜形成工程を行った。
以下に示す無電解銅めっき液を用意する。
CuCl2・・・・・・0.05mol/L
クエン酸ナトリウム・・・0.1mol/L
ホウ酸・・・・・・・・・0.1mol/L
ジメチルアミンボラン・・0.1mol/L
pH・・・・・・・・・・7.3
この無電解銅めっき液を50°Cに加温し、その中へ上記実施例1の表面処理PETフィルムを90分間浸漬した後、引き上げ、水洗及び乾燥を行い、実施例3の表面処理PETフィルムを得た。
上記実施例3の表面処理PETフィルムについて、XRD及びXPSによる分析を行ったところ、金属銅が検出された。このことから、基材をシリコン処理液で処理して皮膜を形成させれば、塩化第1スズ溶液によるセンシタイジング処理や塩化パラジウム溶液によるアクチベーティング処理等の前処理をすることなく、直接無電解めっきを行うことができることが分かった。
実施例4では、実施例1の表面処理PETフィルムに対し、さらに引き続いて以下の工程を行った。
窒素雰囲気としたグローブボックス内において、APTMSのトルエン溶液(1容量%)を調整し、次いで実施例1の表面処理PETフィルムを1時間浸漬した後、溶液より取り出した。
さらに、乾燥機中、150°Cで5分間の乾燥を行った。
そして、ポリシロキサン膜形成工程を終えたPETフィルム上に所定パターンのフォトマスクを載せ、紫外線(184.9nm)を1時間照射した。こうして紫外線を照射したPETフィルムと、紫外線を照射する前のPETフィルムの表面のXPS及びゼータ電位の測定を行ったところ、XPSにおいて−NH2の窒素が消失し、−OHの酸素が検出された。また、ゼータ電位の測定結果から、紫外線を照射する前のPETフィルムの表面の等電点が7.7であるのに対し、紫外線を照射したPETフィルムの等電点は3.0となり、ゼータ電位及び等電点が大きくシフトすることが分かった。これらXPS及びゼータ電位の測定結果から、表面にポリシロキサン膜が形成されたPETフィルムへの紫外線照射によってアミノプロピル基が脱離し、水酸基が形成されることが分かった。
無電解銅めっき液(実施例3と同じ組成)を用意し、上記パターン形成工程を終えたPETフィルムを90分間浸漬した後、引き上げた後水洗及び乾燥を行い、実施例4の表面処理PETフィルムを得た。
上記実施例4の表面処理PETフィルムについて、顕微鏡写真撮影を行ったところ、図6に示すように、フォトマスクに整合する回路が形成されていた。また、XPSによる表面分析を行ったところ、パターン形成工程において紫外線を照射しなかった部分から金属銅及び1価の銅及び2価の酸素が検出された。なお、銅めっき工程においてめっき浴中に析出した微粒子のゼータ電位を測定したところ、負であった。このことから、銅めっき工程において銅めっき浴中に析出した銅は、残留アミノ基によってゼータ電位が正となっている紫外線を照射されなかった部分へ選択的に静電引力で吸着し、銅のパターンを形成すると推定された。こうして実施例3の表面処理方法により、PET表面に銅の回路をフルアディティブで形成可能であることが分かった。しかも、この方法によれば、高価なパラジウムを含有する活性化処理剤を使用する必要はない。このため、プリント配線回路を短い工程で安価な薬剤及び簡易な装置で製造することができる。
実施例5では、基材としてポリイミドフィルム(宇部興産株式会社 Upilex(登録商標) 厚さ50μm)を用い、他の条件は実施例4と同様とした。
実施例6では、基材としてポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社 Kapton(登録商標) 厚さ50μm)を用い、他の条件は実施例4と同様とした。
上記実施例5及び実施例6の表面処理PETフィルムについて、顕微鏡写真撮影及びXPSによる定性分析を行った。その結果、図7及び図8に示すように、フォトマスクに整合するパターンが形成された。また、XPSによる表面分析の結果、実施例3の場合とは逆にパターン形成工程において紫外線を照射した部分から金属銅及び1価の銅及び2価の酸素が検出された。この原因は明らかではないが、ポリイミドフィルム表面上に銅の回路をフルアディティブで形成可能であることが分かった。このことから、ポリイミドフィルムを用いたフレキシブル回路にも応用することが可能であることが分かった。
Claims (13)
- 下記化学式(1)乃至(3)のいずれかで示される含アミノ有機シリコン化合物と、該含アミノ有機シリコン化合物のアミノ基と反応してイミン化合物を生成するカルボニル化合物との混合物からなるシリコン処理液を調製する混合工程と、
該シリコン処理液を基材の表面にコーティングする処理液コーティング工程と、
該基材の表面にコーティングされた該シリコン処理液を乾燥させることにより、該基材上に皮膜を形成させる皮膜形成工程とを備えることを特徴とする表面処理方法。
- カルボニル化合物はケトン化合物であることを特徴とする請求項1記載の表面処理方法。
- 含アミノ有機シリコン化合物は3−アミノプロピルトリアルコキシシランであり、カルボニル化合物はアセトンであることを特徴とする請求項1乃至2のいずれか1項記載の表面処理方法。
- 皮膜形成工程終了後、皮膜の表面にアルカリシリケート溶液をコーティングするシリケートコーティング工程と、
該シリケートコーティング工程終了後、該皮膜上にコーティングされた該アルカリシリケート溶液を乾燥してアルカリ金属ポリシリケート層を形成するアルカリシリケート膜形成工程とを備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の表面処理方法。 - アルカリシリケート溶液はケイ酸リチウム水溶液であることを特徴とする請求項4記載の表面処理方法。
- 皮膜形成工程終了後、皮膜が形成された基材を無電解めっき液中に浸漬して該皮膜上に金属皮膜を形成させる金属皮膜形成工程を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の表面処理方法。
- 無電解めっき液は無電解銅めっき液であることを特徴とする請求項6記載の表面処理方法。
- 皮膜形成工程終了後、加水分解によって縮重合可能な重合性有機シリコン化合物の溶液を皮膜の表面にコーティングするモノマーコーティング工程と、
該モノマーコーティング工程終了後、該皮膜の表面にコーティングされた該重合性有機シリコン化合物の溶液を乾燥してポリシロキサン膜を形成させるポリシロキサン膜形成工程と、
該ポリシロキサン膜形成工程において形成されたポリシロキサン膜の一部にエネルギー照射を行い、該エネルギー照射された部分の表面に存在する分子鎖を脱離させてパターンニングを行うパターン形成工程とを備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の表面処理方法。 - エネルギー照射は紫外線照射によることを特徴とする請求項8記載の表面処理方法。
- パターン形成工程終了後、パターン上に無電解めっきを行うめっき工程を備えることを特徴とする請求項8又は9記載の表面処理方法。
- 無電解めっきは無電解銅めっきであることを特徴とする請求項10記載の表面処理方法。
- 縮重合可能な重合性有機シリコン化合物はアミノ基を有していることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項記載の表面処理方法。
- 下記化学式(1)乃至(3)のいずれかで示される含アミノ有機シリコン化合物と、該含アミノ有機シリコン化合物のアミノ基と反応してイミン化合物を生成するカルボニル化合物との混合物からなることを特徴とするシリコン処理液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003324238A JP4189863B2 (ja) | 2003-05-28 | 2003-09-17 | 表面処理方法及びそれに用いるシリコン処理液 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003150799 | 2003-05-28 | ||
JP2003324238A JP4189863B2 (ja) | 2003-05-28 | 2003-09-17 | 表面処理方法及びそれに用いるシリコン処理液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005007379A JP2005007379A (ja) | 2005-01-13 |
JP4189863B2 true JP4189863B2 (ja) | 2008-12-03 |
Family
ID=34106724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003324238A Expired - Fee Related JP4189863B2 (ja) | 2003-05-28 | 2003-09-17 | 表面処理方法及びそれに用いるシリコン処理液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4189863B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006315364A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Univ Nagoya | 複合フィルムおよびその製造方法 |
DE102005056794A1 (de) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Saint-Gobain Isover G+H Ag | Bindemittel mit aktiviertem Silan |
JP5149529B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-02-20 | 株式会社朝日ラバー | 照明用光学部品及びそれを用いた照明器具 |
-
2003
- 2003-09-17 JP JP2003324238A patent/JP4189863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005007379A (ja) | 2005-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102034913B1 (ko) | 기판 표면의 금속화를 위한 신규 접착 촉진제 | |
Chang et al. | Facile preparation of stable superhydrophobic coatings on wood surfaces using silica-polymer nanocomposites | |
KR101463050B1 (ko) | 초소수성 표면을 포함하는 재료 및 이의 제조 방법 | |
WO2007050501A2 (en) | Polymeric organometallic films | |
JP2002206033A (ja) | 親水性表面を有するシリコーン・エラストマー・スタンプおよびそれを製造する方法 | |
US20170267532A1 (en) | Multi-functionalized carbon nanotubes | |
JP5481024B2 (ja) | 積層基板 | |
TW202244301A (zh) | 表面處理方法、表面處理劑、結合體的製造方法、具有導體被覆的物質的製造方法、形成有塗膜的物質的製造方法、樹脂基材的表面處理方法、導體被覆樹脂基材的製造方法、波導管的製造方法、電路基板或天線的製造方法、及化合物 | |
TW201823511A (zh) | 印刷配線基板之製造方法 | |
WO2012070908A2 (ko) | 유무기-하이브리드 계층적 구조체 및 이를 이용한 초소수성 또는 초친수성 표면의 제조방법 | |
US20210262095A1 (en) | Electroless nickel plating of silicone rubber | |
WO2007076233A2 (en) | Nanoparticle coating process for fuel cell components | |
CN101323675B (zh) | 一种有机/无机复合膜的制备方法 | |
JP4189863B2 (ja) | 表面処理方法及びそれに用いるシリコン処理液 | |
WO2014195271A1 (en) | Novel adhesion promoting agents for bonding dielectric material to metal layers | |
KR20190007439A (ko) | 디스플레이 디바이스 기판 가공을 위한 실세스퀴옥산 중합체 및 실란 중 적어도 하나를 포함하는 접착성 탈층화 층 | |
TWI729120B (zh) | 包括至少一氟矽化合物之離型層 | |
JP4565181B2 (ja) | 金属コーティング方法 | |
CN111501029A (zh) | 带有图案化金属层的硅基材的制造方法 | |
Souza et al. | Study of the wettability and the corrosion protection of the hybrid silane (3-aminopropyl) triethoxysilane (APTES) and (3-glycidyloxypropyl) trimethoxysilane (GPTMS) film on galvannealed steel | |
KR20130041720A (ko) | 기판의 접합 방법 | |
CN101917826B (zh) | 印刷电路板基板中,增加导电体与非导电高分子介电层之间结合力的方法 | |
WO2006057242A1 (ja) | 遷移金属の還元方法、それを用いたケイ素含有重合体の表面処理方法、遷移金属微粒子の製造方法、物品および配線基板の製造方法 | |
CN113774651A (zh) | 一种液晶高分子材料表面改性方法 | |
JP5617322B2 (ja) | 導電性粒子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080805 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080902 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080908 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926 Year of fee payment: 4 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130926 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |