JP4188672B2 - フォトクロミック体、フォトクロミック材料及びその製造方法 - Google Patents

フォトクロミック体、フォトクロミック材料及びその製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、紫外線照射によってその光学透過係数が変化する複合酸化物からなるフォトクロミック体及びフォトクロミック材料の製造方法に係り、特に印刷、光学機器、記録材料、表示材料、調光材料、感光素子、衣料、装飾用に好適なフォトクロミック体に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の光を照射することにより、光学透過特性が変化する材料として、クロメン系フォトクロミック材料等の有機材料が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
【特許文献1】
特開平6−192651号公報(第2〜7頁)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、クロメン系フォトクロミック材料等の有機材料では、光を照射することにより数秒で不透明化し、暗所に放置すると数秒から数分で透明状態に戻るが、光を照射して不透明化した後で、安定した光学透過特性が得られないという問題点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点に鑑み、発明者らは、透明導電材料と無機材料の複合酸化物とを積層した積層膜が紫外線照射によってその光学透過特性が変化するフォトクロミック体を発明するに至った。
【0006】
請求項1の発明では、Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素の複合酸化物からなる複合酸化物膜と透明導電膜とを積層した膜からなり、紫外線照射によって光学透過特性が変化することを特徴とするフォトクロミック体である。
【0007】
請求項2の発明では、Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素の複合酸化物からなる複合酸化物膜と透明導電膜の少なくとも一方の膜を他方の膜の両面に形成した積層膜からなり、紫外線照射によって光学透過特性が変化することを特徴とするフォトクロミック体である。
【0008】
請求項3の発明では、Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素の複合酸化物中に透明導電性粒子とが含まれた膜からなることを特徴とするフォトクロミック体である。
【0009】
請求項4の発明では、複合酸化物が錫とマグネシウムとからなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のフォトクロミック体である。
【0010】
請求項5の発明では、複合酸化物の錫とマグネシウムの含有原子数比率が3:7乃至7:3の範囲であることを特徴とするフォトクロミック体である。
【0011】
請求項6の発明では、複合酸化物における酸素原子の欠陥量が1%乃至70%であることを特徴とするフォトクロミック体である。
【0012】
請求項7の発明では、透明導電膜の主成分が酸化インジウムであることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のフォトクロミック体である。
【0013】
請求項8の発明では、透明導電性粒子の主成分が酸化インジウムであることを特徴とするフォトクロミック体である。
【0014】
請求項9の発明では、Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素の複合酸化物中に透明導電性粒子とが含まれた粉体からなることを特徴とするフォトクロミック材料である。
【0015】
請求項10の発明では、複合酸化物が錫とマグネシウムとからなることを特徴とするフォトクロミック材料である。
【0016】
請求項11の発明では、複合酸化物の錫とマグネシウムの含有原子数比率が3:7乃至7:3の範囲であることを特徴とするフォトクロミック材料である。
【0017】
請求項12の発明では、複合酸化物における酸素原子の欠陥量が1%乃至70%であることを特徴とするフォトクロミック材料である。
【0018】
請求項13の発明では、透明導電性粒子の主成分が酸化インジウムであることを特徴とするフォトクロミック材料である。
【0019】
請求項14の発明では、請求項1または2記載の積層膜を粉砕して粉状のフォトクロミック材料を形成することを特徴とするフォトクロミック材料の製造方法である。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明に係るフォトクロミック体の紫外線照射による光学透過特性が変化する動作原理を酸化錫ドープの酸化インジウム(以下ITOと記す)膜と錫とマグネシウムの複合酸化物膜との接合の場合について図1に示す。動作原理は、完全に解明された状態ではないが、以下のように考えられる。
【0021】
ITOと錫・マグネシウムの複合酸化物との接合のバンド図は図1(a)のようになっていると考えられる。図の左側よりITO、中間結晶、錫・マグネシウム複合酸化物膜の順である。ITOの伝導帯11と価電子帯13間のバンドギャップは3. 75eV(実測値)であり、錫・マグネシウムの複合酸化物のバンドギャップは4. 25eVである。ITOのフェルミレベル12は伝導帯11の近くにあり、錫・マグネシウムの複合酸化物のフェルミレベルは、伝導帯11と価電子帯13の中間にあると考えられる。
【0022】
図1(b)に示した紫外線照射中の状態では、紫外線16の照射によって、中間結晶の部分の価電子帯13の電子15が伝導帯11に励起され、励起された電子15は伝導帯11の傾斜によりITOの伝導帯に収容される。一方、価電子帯13には電子の抜けた正孔14が残る。
【0023】
図1(c)の紫外線照射後では、中間結晶の部分の正孔14は、再結合までに時間があるため、この間に原子配列が構造変化し、正孔14のあった順位がバンドギャップ間に移動して新準位17を形成し、着色順位として出現する。
【0024】
上記のメカニズムにより、複合酸化物とITOとの界面の複合酸化物側で着色反応が起こるため、複合酸化物とITOの界面が多いほど、本発明のフォトクロミックの効果が大きくなる。
【0025】
ここでは、錫とマグネシウムの複合酸化物とITOからなるフォトクロミック体を例に取って説明を行ったが、複合酸化物は、同様の動作原理でTi、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素の複合酸化物とITOとでも同様の効果が得られる。また、透明導電体は、ITOに限らずn型半導体の特性を示す透明導電材料であれば、酸化錫、酸化亜鉛等の材料を用いても構わない。
【0026】
[ 実施例1]
図2は上記した本発明のフォトクロミック体の製造方法を説明するための図で、錫とマグネシウムの複合酸化物膜を塗布熱分解法で形成する工程図を示す。
【0027】
まず、図2の工程(a)に示すように、支持体からなるガラス基板1上にスパッタ法で膜厚0.2μmのITO膜2を形成する。
【0028】
次に、図2の工程(b)に示すように、各10gのカプロン酸錫とカプロン酸マグネシウムをエチルアルコール10gに溶解し、この液を塗布液3として回転数1200rpmのスピナー4でITO膜上に塗布する。塗布後、60℃の乾燥炉中で10分間乾燥させる。
【0029】
ITO膜2上に塗布された塗布液の乾燥後、ガラス基板1を焼成炉中で400℃・1時間の焼成を行うことで図2の工程(c)に示すように膜厚0. 4μmの錫とマグネシウムの複合酸化物膜5がITO膜2上に形成される。複合酸化物の酸素原子の欠陥量は、焼成温度が低い方が欠陥量が多く、焼成温度を高くすると欠陥量が少なくなる。また、焼成雰囲気中の酸素濃度が低い方が欠陥量が多く、酸素濃度を高くすると欠陥量が少なくなる。すなわち、複合酸化物の酸素原子の欠陥量は、焼成温度と焼成雰囲気の酸素濃度で調整することができる。酸素原子の欠陥量は1%〜70%の範囲が好ましく、この範囲外では、紫外線照射による光学透過特性が変化しなくなる。
【0030】
このようにして作成したITO膜2と錫・マグネシウムの複合酸化物膜5との積層膜からなるフォトクロミック体に30mW/cm2 の光量の365nmの波長の水銀ランプを5分間照射することにより、可視光透過率を95%から30%に変化させることが出来た。また、紫外線を照射させて透過率を変化させた後で、室内光下で12ヶ月放置を行ったが可視光透過率は変化しなかった。
【0031】
なお、原材料としてカプロン酸錫とカプロン酸マグネシウムを例示したが、特に脂肪酸錫、脂肪酸マグネシウムであれば構わないが、カプロン酸錫とカプロン酸マグネシウム以外の原材料を用いる場合には、溶解させる原材料の重量が変わってくる。また、エチルアルコールに溶解させるこれらの原材料の重量比を変えることで、複合酸化膜中の含有原子比率を調整することができる。錫とマグネシウムの含有原子数比率は3:7〜7:3の間であることが好ましく、この範囲外では、紫外線照射によって光学透過特性が変化しなくなる。
【0032】
なお、複合酸化物膜の形成方法として、上記では塗布熱分解法を説明したが、ゾルゲル法、CVD法、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法を用いても構わない。その場合CVD法では、原材料ガスとして(CH3 2 SnCl2 とMg(C5 7 2 2 を気化させて、酸素と窒素とを混合してプラズマを発生させ、500℃に加熱したガラス基板上に堆積させる。また、蒸着法を採用する場合は、蒸着源として酸化錫と酸化マグネシウムを用いても良いし、金属の錫と金属のマグネシウムを酸素雰囲気で蒸着しても構わない。スパッタ法を採用する場合では、スパッタターゲットとして酸化錫と酸化マグネシウムを用いて、スパッタ雰囲気と基板温度を調節して成膜を行う。
【0033】
なお、この透明導電材料はITOに限定されず、酸化錫、酸化亜鉛等の材料を用いても構わないし、成膜方法もスパッタ法に限らず蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法等の方法を用いて成膜しても構わない。
【0034】
[ 実施例2]
図3に示す実施例2では、ITO膜を2つの複合酸化物膜でサンドイッチした積層膜構造のフォトクロミック体を形成する。先ず図3の工程(1)に示すように、支持体となるガラス基板1上に、実施例1の図2に示した工程(b)および(c)で説明した方法で酸化錫と酸化マグネシウムの膜厚0.4μmの第1の複合酸化物膜5aを形成する。次に図3の工程(2)に示すように、その複合酸化物膜5aの上にスパッタ法を用いてITO膜2を0.2μmの膜厚で形成する。次いで図3の工程(3)に示すように、そのITO膜2上に酸化錫と酸化マグネシウムの膜厚0.4μmの第2の複合酸化物膜5bを上記第1の複合酸化物膜5aと同じ製法で形成する。かくして2つの複合酸化物膜5a、5bでITO膜2をサンドイッチした積層膜からなるフォトクロミック体が得られる。
【0035】
因みにこれの変形例として、図4に示したように、ガラス基板1上にまず膜厚0.2μmのITO膜2aを形成し、そのITO膜2aの上に膜厚0.4μmの複合酸化物膜5を形成し、その上に0.2μmのITO膜2bを形成した、図3で示した構造とは、逆に複合酸化物膜をITO膜でサンドイッチした積層膜構造のフォトクロミック体が考えられる。
【0036】
複合酸化物膜とITO膜の積層膜構造よりも、図3、図4に示した実施例2の複合酸化物膜とITO膜をサンドイッチした積層膜構造の方が、複合酸化物とITOの界面が多くなるので、より好ましい構造である。
【0037】
なお、これらのフォトクロミック体を図3の工程(4)に示すように、金属製のスクレッパ6を用いて、ガラス基板1から剥離し、粉砕して微粉末すれば、後述の実施例3で示すフォトクロミック材料と同じようなフォトクロミック材料が得られる。因みに実施例1のフォトクロミック体もこのような方法で微粉末にすればフォトクロミック材料となる。
【0038】
図6は実施例2で得られたフォトクロミック体の透過率を示す図で、365nmの紫外線を30mW/cm2 の光量で5分間照射する前後のフォトクロミック体の透過率のデータである。この図で縦軸は空気を100%とした透過率(%)、横軸は光の波長(nm)である。測定は、島津製作所製UV−3100Sを用いて測定を行った。太線が紫外線照射前の透過率、細線が紫外線照射後の透過率を示している。波長550nmにおける透過率は、紫外線照射前が86%、照射後が4. 7%に変化し、変化後、室内光下で6ヶ月放置を行ったが透過率に変化は見られなかった。
【0039】
〔実施例3〕
図5に示す実施例3では単一膜からフォトクロミック体を形成する。すなわち、まず各10gのカプロン酸錫とカプロン酸マグネシウムをエチルアルコール10gに溶解した液に、さらに粒径0.04μmのITO粉末0.1gを分散させて塗布液作る。この塗布液を図2の工程(b)と同様の方法で図5の工程(1)に示すように、支持体となるガラス基板1上に塗布膜を形成する。塗布液の乾燥後、ガラス基板1を焼成炉中で400℃・1時間の焼成を行うことで膜厚0.4μmのITOを含有した錫とマグネシウムの複合酸化物膜からなるフォトクロミック体8が形成される。こうして形成したフォトクロミック体8に紫外線を照射した結果、実施例2のフォトクロミック体で示した透過率特性と同等の特性を得ることができた。
【0040】
また、各10gのカプロン酸錫とカプロン酸マグネシウムをエチルアルコール10gに溶解した塗布液を図2の工程(b)と同様の方法でガラス基板上に塗布膜を形成し、塗布液の乾燥後、ガラス基板を焼成炉中で400℃・1時間の焼成を行い成膜した複合酸化物膜をガラス基板から掻き取って、大きさ1μm程度の鱗片状にした材料に、カプロン酸錫とカプロン酸インジウムをエチルアルコールに溶解した塗布液を作成し、図2の工程(b)と同様の方法でガラス基板上に塗布膜を形成し、塗布膜の乾燥後、ガラス基板を焼成炉中で400℃・1時間の焼成を行った。こうして成膜した複合酸化物膜に紫外線を照射した結果、実施例2で示した透過率特性と同等の特性を得ることができた。
【0041】
なお、これらのフォトクロミック体を図5の工程(2)に示すように、金属製のスクレッパ6を用いて、ガラス基板1から剥離し、粉砕して微粉末にすれば、実施例1,2同様にフォトクロミック材料が得られる。
【0042】
[ 実施例4]
実施例4は実施例1乃至実施例3によって得られた大きさ1μm程度の鱗片状のフォトクロミック材料の用途例である。
【0043】
すなわち、鱗片状にしたフォトクロミック材料をフォトクロミック材料と反応しない溶媒と混合し、紙21に塗布した後に乾燥させる。この際にフォトクロミック材料が剥離しないように結着材を適宜混合しても構わない。このようにして作成した紙を、図7に示すように、紫外線光源22からの光をレンズ23で集光してスキャンすることで紙21上に模様(文字、図形など)24を描くことが出来る。紫外線光源はレーザダイオードアレイでも構わないし、それ以外の短波長の光源を用いても構わない。これにより、従来のトナーを使用したカールソン法に比べて工程が簡略化されるために、印刷装置のサイズ、重さ、コスト、消費電力等が大幅に低減される。
【0044】
図8に示すように、図7で描いた模様を加熱した熱ローラ31間に通すことで描いた模様を消去することができる上に、再度、図7の工程で模様を書き込むことができるために、紙のリサイクルが容易になるという長所も持っている。また、描いた模様を消去するために赤外線レーザを照射しても構わない。これを紙に代えて織物に塗布しても同様の模様を描くことが可能である。
【0045】
また、鱗片状の複合酸化物からなるフォトクロミック材料を有機樹脂に混合し、それをシート状に成形して用いても構わないし、金属、ガラス、セラミックス、樹脂シート等に貼りあわせても構わない。
【0046】
[ 実施例5]
ソーダライムガラス板上に実施例1乃至3のフォトクロミック体を形成して、紫外線を照射して光が任意量透過するように照射量をコントロールすることで建築用の遮光ガラスを製作することができる。
【0047】
また、ガラス板ではなくて薬品用の瓶に実施例3のフォトクロミック体による遮光膜を形成することにより、光を嫌う物質の保存容器に使用することができる。さらに、塗布液中に酸化鉄、酸化コバルト、フタロシアニン等の顔料を添加しておけば、任意の色調とグラデーションを持ったガラス製品を作ることができる。塗布時に塗布膜をエチルアルコールを用いてパターニングすれば、さらに複雑な色調整も可能になる。このように本発明を適用した調光ガラスは、従来から使用されている樹脂+顔料塗装ガラスに比べて、機械的強度、対溶媒性、耐熱性に優れた製品を得ることができる。
【0048】
(付記1) Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素の複合酸化物からなる複合酸化物膜と透明導電膜とを積層した膜からなり、紫外線照射によって光学透過特性が変化することを特徴とするフォトクロミック体。
【0049】
(付記2) Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素の複合酸化物からなる複合酸化物膜と透明導電膜の少なくとも一方の膜を他方の膜の両面に形成した積層膜からなり、紫外線照射によって光学透過特性が変化することを特徴とするフォトクロミック体。
【0050】
(付記3) Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素の複合酸化物中に透明導電性粒子とが含まれた膜からなることを特徴とするフォトクロミック体。
【0051】
(付記4) 前記複合酸化物が錫とマグネシウムとからなることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載のフォトクロミック体。
【0052】
(付記5) 前記複合酸化物の錫とマグネシウムの含有原子数比率が3:7乃至7:3の範囲であることを特徴とする付記4記載のフォトクロミック体。
【0053】
(付記6) 前記複合酸化物における酸素原子の欠陥量が1%乃至70%であることを特徴とする付記5記載のフォトクロミック体。
【0054】
(付記7) 前記透明導電膜の主成分が酸化インジウムであることを特徴とする付記1または付記2のいずれかに記載のフォトクロミック体。
【0055】
(付記8) 前記透明導電性粒子の主成分が酸化インジウムであることを特徴とする付記3または付記4のいずれかに記載のフォトクロミック体。
【0056】
(付記9) Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素の複合酸化物中に透明導電性粒子とが含まれた粉体からなることを特徴とするフォトクロミック材料。
【0057】
(付記10) 前記複合酸化物が錫とマグネシウムとからなることを特徴とする付記9記載のフォトクロミック材料。
【0058】
(付記11) 前記複合酸化物の錫とマグネシウムの含有原子数比率が3:7乃至7:3の範囲であることを特徴とする付記10記載のフォトクロミック材料。
【0059】
(付記12) 前記複合酸化物における酸素原子の欠陥量が1%乃至70%であることを特徴とする付記11記載のフォトクロミック材料。
【0060】
(付記13) 前記透明導電性粒子の主成分が酸化インジウムであることを特徴とする付記9または付記10のいずれかに記載のフォトクロミック材料。
【0061】
(付記14) 付記1または2記載の積層膜を粉砕して粉状のフォトクロミック材料を形成することを特徴とするフォトクロミック材料の製造方法。
【0062】
(付記15) 付記1または付記2記載の複合酸化物を塗布熱分解法、ゾルゲル法、CVD法、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法の内から選ばれる一種類の方法によって形成することを特徴とするフォトクロミック体の製造方法。
【0063】
(付記16) 前記複合酸化物が脂肪酸塩もしくは脂肪酸塩誘導体を原料として塗布熱分解法で形成されたことを特徴とする付記15記載のフォトクロミック体の製造方法。
【0064】
(付記17) 付記3記載の複合酸化物を塗布熱分解法、ゾルゲル法の内から選ばれる一種類の方法によって形成することを特徴とするフォトクロミック体の製造方法。
【0065】
(付記18) 前記複合酸化物が脂肪酸塩もしくは脂肪酸塩誘導体を原料として塗布熱分解法で形成されたことを特徴とする付記17記載のフォトクロミック体の製造方法。
【0066】
(付記19) 波長500nm以下の光を照射することにより、照射部分を不透明にすることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載のフォトクロミック体。
【0067】
(付記20) 紫外線照射によって不透明化した後に、加熱することによって透明化することを特徴とする付記19記載のフォトクロミック体。
【0068】
【発明の効果】
以上詳細に述べたごとくこの発明によれば、透明導電体とともに2種類以上の元素の複合酸化物を形成することで、紫外線照射によって透明から不透明に変化し、加熱によって不透明から透明に変化するとともに、室内光下では変化しないフォトクロミック体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るフォトクロミック体の紫外線照射による光学透過特性が変化する動作原理図。
【図2】 本発明の実施例1に係るフォトクロミック体の製造方法を示す図。
【図3】 本発明の実施例2に係るフォトクロミック体の製造方法を示す図。
【図4】 本発明の実施例2に係るフォトクロミック体の変形例を示す図。
【図5】 本発明の実施例3に係るフォトクロミック体製造方法を示す図。
【図6】 紫外線照射前後の本発明のフォトクロミック体の透過率特性を示す図。
【図7】 本発明のフォトクロミック材料を紙に塗布して文字を描いた例を示す図。
【図8】 図7で描いた文字の消去例を示す図。
【符号の説明】
1 ガラス基板
2 ITO膜
2a ITO膜
2b ITO膜
3 塗布液
4 スピナー
5 複合酸化物膜
5a 複合酸化物膜
5b 複合酸化物膜
6 スクレッパ
7 複合酸化物膜
8 フォトクロミック体
11 伝導帯
12 フェルミレベル
13 価電子帯
14 正孔
15 電子
16 紫外線
17 新準位
21 紙
22 紫外線光源
23 レンズ
31 熱ローラ

Claims (11)

  1. Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素(SnとAlの組み合わせを除く)の複合酸化物からなる複合酸化物膜と、主成分が酸化インジウムである透明導電膜とを積層した膜からなり、紫外線照射によって光学透過特性が変化することを特徴とするフォトクロミック体。
  2. Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素(SnとAlの組み合わせを除く)の複合酸化物からなる複合酸化物膜と、主成分が酸化インジウムである透明導電膜の少なくとも一方の膜を他方の膜の両面に形成した積層膜からなり、紫外線照射によって光学透過特性が変化することを特徴とするフォトクロミック体。
  3. Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素(SnとAlの組み合わせを除く)複合酸化物中に、主成分が酸化インジウムである透明導電性粒子が含まれた膜からなることを特徴とするフォトクロミック体。
  4. 前記複合酸化物は、錫とマグネシウムとからなる請求項1〜3の何れか1つに記載のフォトクロミック体。
  5. 前記複合酸化物の錫とマグネシウムの含有原子数比率が3:7乃至7:3の範囲であることを特徴とする請求項4記載のフォトクロミック体。
  6. 前記複合酸化物における酸素原子の欠陥量が1%乃至70%であることを特徴とする請求項5記載のフォトクロミック体。
  7. Ti、Mn、Co、Ni、Zn、Snの群とMg、Al、Siの群からそれぞれ選ばれる少なくとも2種類の元素(SnとAlの組み合わせを除く)複合酸化物中に、主成分が酸化インジウムである透明導電性粒子が含まれた粉体からなることを特徴とするフォトクロミック材料。
  8. 前記複合酸化物は、錫とマグネシウムとからなる請求項7に記載のフォトクロミック体。
  9. 前記複合酸化物の錫とマグネシウムの含有原子数比率が3:7乃至7:3の範囲であることを特徴とする請求項8記載のフォトクロミック材料。
  10. 前記複合酸化物における酸素原子の欠陥量が1%乃至70%であることを特徴とする請求項9に記載のフォトクロミック材料。
  11. 請求項1または2記載の積層膜を粉砕して粉状のフォトクロミック材料を形成することを特徴とするフォトクロミック材料の製造方法。
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