JP4174779B2 - High frequency switch module - Google Patents

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Description

本発明は、高周波複合部品に関し、通過帯域の異なる送受信系を取り扱う高周波スイッチモジュールに関するものである。   The present invention relates to a high-frequency composite component, and relates to a high-frequency switch module that handles transmission / reception systems having different pass bands.

デジタル携帯電話などにおいて、アンテナANTと送信回路TXとの接続及びアンテナANTと受信回路RXとの接続を切り換えるために、高周波スイッチが用いられている。この高周波スイッチとしては、特開平6−197040号公報に開示されているものがある。   In a digital cellular phone or the like, a high frequency switch is used to switch the connection between the antenna ANT and the transmission circuit TX and the connection between the antenna ANT and the reception circuit RX. As this high-frequency switch, there is one disclosed in JP-A-6-197040.

この従来の高周波スイッチは、送信回路側にアノードが接続されアンテナ側にカソードが接続される第1のダイオード、アンテナと受信回路との間に接続されるストリップライン、および受信回路側にアノードが接続されアース側にカソードが接続される第2のダイオードを含み、ストリップラインは多層基板に内蔵され、第1のダイオード及び第2のダイオードは多層基板上に実装されたものである。また、この従来の高周波スイッチは、単に一つの送受信系(シングルバンド)に対応しているものである。   In this conventional high-frequency switch, a first diode whose anode is connected to the transmitting circuit side and whose cathode is connected to the antenna side, a strip line connected between the antenna and the receiving circuit, and an anode connected to the receiving circuit side A second diode having a cathode connected to the ground side, the strip line is built in the multilayer substrate, and the first diode and the second diode are mounted on the multilayer substrate. In addition, this conventional high-frequency switch corresponds to only one transmission / reception system (single band).

近年の携帯電話の普及には、目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られている。この新たな携帯電話として、デュアルバンド携帯電話、トリプルバンド携帯電話等の提案がなされている。このデュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り扱うのに対し、2つの送受信系を取り扱うものであり、トリプルバンド携帯電話は、3つの送受信系を取り扱うものである。これにより、利用者は都合の良い送受信系を選択して利用することができるものである。   In recent years, the spread of mobile phones has been remarkable, and the functions and services of mobile phones have been improved. As this new mobile phone, proposals such as a dual-band mobile phone and a triple-band mobile phone have been made. This dual-band mobile phone handles two transmission / reception systems, whereas a normal mobile phone handles only one transmission / reception system, and a triple-band mobile phone handles three transmission / reception systems. Thereby, the user can select and use a convenient transmission / reception system.

このデュアル、又はトリプルバンド携帯電話において、それぞれの送受信系にそれぞれ専用の回路を構成すれば、機器の大型化、高コスト化を招く。共通部分はできるだけ共通部品を用いることが、機器の小型化、低コスト化に有利となる。   In this dual or triple band mobile phone, if a dedicated circuit is configured for each transmission / reception system, the size and cost of the device will increase. Using common parts as much as possible for the common parts is advantageous in reducing the size and cost of the equipment.

本発明は、アンテナを共通とし、通過帯域の異なる送受信系の送信回路と受信回路を切り換えることが可能な高周波スイッチモジュールを提供し、また、その高周波スイッチモジュールをワンチップで構成することを目的とするものである。   An object of the present invention is to provide a high-frequency switch module that can switch between a transmission circuit and a reception circuit of a transmission / reception system having a common antenna and having different passbands, and has an object of configuring the high-frequency switch module on a single chip. To do.

第1の発明は、通過帯域の異なる送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであって、 アンテナと接続する分波回路と、前記分波回路と接続する第1のスイッチ回路と、前記分波回路に接続する第2のスイッチ回路を備え、前記第1のスイッチ回路は、第1の送受信系の送信系と受信系を切り換え、前記第2のスイッチ回路は、第2の送受信系の送信系と、受信系と、第3の送受信系の送信系と、受信系とを切り換える回路であり、前記第1のスイッチ回路は、第1送信回路と分波回路との間に接続される第1ダイオードと、前記第1送信回路と前記第1ダイオードとの間に配置され一端が直接アースに接続する伝送線路と、第1受信回路と分波回路との間に配置された伝送線路と、前記伝送線路の第1受信回路側をアースに接続する第2ダイオードを備え、前記伝送線路は第1ダイオードのアノード側と接続するとともに、第2ダイオードのカソード側と接続し、前記第2ダイオードのアノード側にはコントロール回路VC1が接続され、前記第2のスイッチ回路は、第2送信回路と分波回路との間に接続される第3ダイオードと、第2受信回路と分波回路との間に配置された伝送線路と、前記伝送線路の第2受信回路側をアースに接続する第4ダイオードと、第3受信回路と分波回路との間に接続される第5ダイオードとを備え、前記伝送線路は第3ダイオード及び第5ダイオードのカソード側と接続するとともに、第4ダイオードのアノード側と接続し、前記第3ダイオードのアノード側にはコントロール回路VC3が、前記第5ダイオードのアノード側にコントロール回路VC2が接続され各コントロール回路VC1、VC2,VC3の制御ロジックが、第1送信回路と分波回路との接続には、コントロール回路VC1がHigh状態、コントロール回路VC2、VC3がLow状態であり、第2送信回路と分波回路との接続には、コントロール回路VC3がHigh状態、コントロール回路VC1、VC2がLow状態であり、第1受信回路と分波回路との接続及び第2受信回路と分波回路との接続には、コントロール回路VC1、VC2、VC3がLow状態であり、第3受信回路と分波回路との接続には、コントロール回路VC2がHigh状態、コントロール回路VC1、VC3がLow状態であることを特徴とする高周波スイッチモジュールである。 A first invention is a high-frequency switch module that handles transmission / reception systems having different passbands, a demultiplexing circuit connected to an antenna, a first switch circuit connected to the demultiplexing circuit, and a connection to the demultiplexing circuit The first switch circuit switches between a transmission system and a reception system of the first transmission / reception system, and the second switch circuit includes a transmission system of the second transmission / reception system and a reception system. A first switching circuit connected between the first transmission circuit and the branching circuit, and a circuit for switching between the transmission system and the transmission system of the third transmission / reception system, and the reception system, A transmission line disposed between the first transmission circuit and the first diode and having one end directly connected to the ground; a transmission line disposed between the first reception circuit and the branching circuit; and A second da to connect the first receiving circuit side to the ground The transmission line is connected to the anode side of the first diode and the cathode side of the second diode, and the control circuit VC1 is connected to the anode side of the second diode , and the second switch The circuit includes a third diode connected between the second transmission circuit and the branch circuit, a transmission line disposed between the second receiver circuit and the branch circuit, and a second receiver circuit of the transmission line. A fourth diode connected to the ground and a fifth diode connected between the third receiving circuit and the demultiplexing circuit, the transmission line being connected to the cathode side of the third diode and the fifth diode And a control circuit VC3 on the anode side of the third diode and a control circuit on the anode side of the fifth diode. C2 is connected, the control logic of each control circuit VC1, VC2, VC3 is to connect the first transmission circuit and the branching circuit, the control circuit VC1 is a High state, the control circuit VC2, VC3 is in a Low state, For the connection between the second transmission circuit and the demultiplexing circuit, the control circuit VC3 is in the high state, the control circuits VC1 and VC2 are in the low state, the connection between the first receiving circuit and the demultiplexing circuit, and the second receiving circuit and the demultiplexing circuit are separated. For connection with the wave circuit, the control circuits VC1, VC2, and VC3 are in the low state. For connection between the third receiving circuit and the branching circuit, the control circuit VC2 is in the high state, and the control circuits VC1 and VC3 are in the low state. This is a high frequency switch module.

第2の発明は、通過帯域の異なる送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであって、 アンテナと接続する分波回路と、前記分波回路と接続する第1のスイッチ回路と、前記分波回路に接続する第2のスイッチ回路を備え、前記第1のスイッチ回路は、第1の送受信系の送信系と受信系を切り換え、前記第2のスイッチ回路は、第2の送受信系の送信系と、受信系と、第3の送受信系の送信系と、受信系とを切り換える回路であり、前記第1のスイッチ回路は、第1送信回路と分波回路との間に接続される第1ダイオードと、第1受信回路と分波回路との間に配置された伝送線路と、前記伝送線路の第1受信回路側をアースに接続する第2ダイオードを備え、前記伝送線路は第1ダイオードのアノード側と接続するとともに、第2ダイオードのカソード側と接続し、前記第2ダイオードのアノード側にはコントロール回路が接続され、前記第2のスイッチ回路は、第2送信回路と分波回路との間に接続される第3ダイオードと、第2受信回路と分波回路との間に配置された伝送線路と、前記伝送線路の第2受信回路側をアースに接続する第4ダイオードと、第3受信回路と分波回路との間に接続される第5ダイオードとを備え、前記伝送線路は第3ダイオード及び第5ダイオードのアノード側と接続するとともに、第4ダイオードのカソード側と接続し、前記第4ダイオードのアノード側にはコントロール回路が接続され、前記第2のスイッチ回路の第3ダイオード及び第5ダイオードのカソード側にはそれぞれコントロール回路が接続されており、前記第3ダイオードと接続するコントロール回路は、前記第1のスイッチ回路の第1送信回路と第1ダイオードとの間に配置される伝送線路を介して第1ダイオードと接続することを特徴とする高周波スイッチモジュールである。 A second invention is a high-frequency switch module that handles transmission / reception systems having different passbands, a demultiplexing circuit connected to an antenna, a first switch circuit connected to the demultiplexing circuit, and a connection to the demultiplexing circuit The first switch circuit switches between a transmission system and a reception system of the first transmission / reception system, and the second switch circuit includes a transmission system of the second transmission / reception system and a reception system. A first switching circuit connected between the first transmission circuit and the branching circuit, and a circuit for switching between the transmission system and the transmission system of the third transmission / reception system, and the reception system, A transmission line disposed between the first receiving circuit and the branching circuit; and a second diode for connecting the first receiving circuit side of the transmission line to ground, the transmission line including an anode side of the first diode; Connect and second diode A control circuit is connected to the anode side of the second diode, and the second switch circuit is a third diode connected between the second transmission circuit and the branching circuit, A transmission line disposed between the second receiving circuit and the demultiplexing circuit, a fourth diode for connecting the second receiving circuit side of the transmission line to the ground, and between the third receiving circuit and the demultiplexing circuit A fifth diode connected, and the transmission line is connected to the anode side of the third diode and the fifth diode, and is connected to the cathode side of the fourth diode, and a control circuit is connected to the anode side of the fourth diode. There are connected, said cathode side of the third diode and the fifth diode of the second switch circuit are respectively controlled circuit connection, connected to said third diode Control circuit is a high-frequency switch module, characterized by connecting to the first of the first transmission circuit of the switch circuit and the first diode through a transmission line disposed between the first diode.

本発明によれば、アンテナを共通とし、通過帯域の異なる送受信系の送信回路と受信回路を切り換えることが可能な高周波スイッチモジュールを提供し、また、その高周波スイッチモジュールをワンチップで構成することが出来る。例えばトリプルバンド携帯電話などにおいて、極めて有益となる高周波スイッチモジュールを提供することができる。本発明によれば、このトリプルバンド用高周波スイッチモジュールを、積層構造を用いることにより、小型に、しかもワンチップに構成できるものである。これにより、トリプルバンド携帯電話などにおいて、機器の小型化に有効なものとなる。   According to the present invention, it is possible to provide a high-frequency switch module that uses a common antenna and can switch between a transmission circuit and a reception circuit of transmission / reception systems having different pass bands, and that the high-frequency switch module can be configured on a single chip. I can do it. For example, it is possible to provide a high-frequency switch module that is extremely useful in a triple-band mobile phone or the like. According to the present invention, the triple-band high-frequency switch module can be configured in a small size and in one chip by using a laminated structure. As a result, it becomes effective for downsizing of devices in triple band mobile phones and the like.

本発明は、アンテナを共通とし、通過帯域の異なる送受信系の送信回路と受信回路を切り換えることが可能な高周波スイッチモジュールであり、これを積層体上にチップ部品を配置することにより、小型に構成したものである。本発明の高周波スイッチモジュールを用いて構成したトリプルバンド用高周波スイッチモジュールを基に、以下本発明の実施の形態を説明する。
このトリプルバンド用高周波スイッチモジュールは、アンテナを共用とし、第1の送受信系の送信系と受信系、その第1の送受信系と通過帯域の異なる第2の送受信系の送信系と受信系、更に異なる通過帯域の第3の送受信系の送信系と受信系と、アンテナとを接続し、適宜切り換えることができるトリプルバンド用高周波スイッチモジュールであり、例えばトリプルバンド携帯電話等において有効なものである。
The present invention is a high-frequency switch module having a common antenna and capable of switching between a transmission / reception transmission circuit and a reception circuit having different passbands, and is configured in a small size by disposing a chip component on a laminate. It is a thing. Embodiments of the present invention will be described below based on a triple-band high-frequency switch module configured using the high-frequency switch module of the present invention.
The triple-band high-frequency switch module uses an antenna in common, a first transmission / reception system transmission system and reception system, a second transmission / reception system transmission system and reception system different in pass band from the first transmission / reception system, and further, This is a triple-band high-frequency switch module in which a transmission system and a reception system of a third transmission / reception system having different passbands and an antenna can be connected and switched as appropriate, and is effective in, for example, a triple-band mobile phone.

前記トリプルバンド用高周波スイッチモジュールでは、分波回路により、第1の送受信系と、第2及び第3の送受信系とを分け、その第1の送受信系に第1のスイッチ回路を設け、第1の送受信系の送信系と受信系を分けている。また、第2及び第3の送受信系に第2のスイッチ回路を設け、第2と第3の送受信系に共通の送信系と、第2の送受信系の受信系と、第3の送受信系の受信系とを分け、第2の送受信系の送信系端子と第3の送受信系の送信端子を共用としている。   In the triple-band high-frequency switch module, the first transmission / reception system and the second and third transmission / reception systems are separated by a branching circuit, and the first switch circuit is provided in the first transmission / reception system. The transmission system and the reception system are separated. Further, the second switch circuit is provided in the second and third transmission / reception systems, the transmission system common to the second and third transmission / reception systems, the reception system of the second transmission / reception system, and the third transmission / reception system. The receiving system is separated and the transmission terminal of the second transmission / reception system and the transmission terminal of the third transmission / reception system are shared.

複数の送受信系の共通端子、各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子を積層体の側面に形成し、面実装可能としている。この側面に形成した各端子は、その上面又は下面に延長されていてもかまわない。そして、各側面には、少なくとも1つのグランド端子を形成している。この各側面にグランド端子を配置することにより、本発明のトリプルバンド用高周波スイッチモジュールの低損失化を計ることが出来る。   A common terminal of a plurality of transmission / reception systems, a transmission system terminal of each transmission / reception system, and a reception system terminal are formed on the side surface of the laminate to enable surface mounting. Each terminal formed on the side surface may be extended to the upper surface or the lower surface. At least one ground terminal is formed on each side surface. By disposing a ground terminal on each side surface, the loss of the triple-band high-frequency switch module of the present invention can be reduced.

各送受信系のスイッチ回路は、ダイオードスイッチ回路を用いることができる。このダイオードスイッチ回路では、ダイオードに所定の電圧を加えるための制御端子を用いる。この制御端子を積層体の側面に形成する。   A diode switch circuit can be used for each transmission / reception switch circuit. In this diode switch circuit, a control terminal for applying a predetermined voltage to the diode is used. This control terminal is formed on the side surface of the laminate.

送信系端子と受信系端子とは、送信系端子どうし、又受信系端子どうしが近接して配置されることが好ましい。また、積層体を積層方向にみて、長手方向に2分する中心線に対し、別々の領域に、それぞれ送信系端子、受信系端子を配置することが好ましい。このように構成することにより、高周波スイッチモジュールが実装される複数の送受信系を扱う装置において、送信系回路、受信系回路と接続し易い、又、余分な損失を防止できる。   The transmission system terminal and the reception system terminal are preferably arranged so that the transmission system terminals and the reception system terminals are close to each other. Moreover, it is preferable to arrange | position a transmission system terminal and a receiving system terminal in a respectively separate area | region with respect to the centerline which bisects a laminated body to a longitudinal direction when seeing a laminated body. With this configuration, in a device that handles a plurality of transmission / reception systems on which a high-frequency switch module is mounted, it is easy to connect to a transmission system circuit and a reception system circuit, and extra loss can be prevented.

共通端子と、それぞれの送受信系の送信端子及び受信端子とは、積層体を実装面に垂直な面で2分した場合、別領域に形成することが好ましい。つまり、積層体を積層方向にみて、短手方向に2分する中心線に対し、片側に共通端子を配置し、他方に送信端子及び受信端子を配置するものである。この高周波スイッチモジュールは、アンテナと送受信回路の間に配置されるので、この端子配置により、アンテナと高周波スイッチモジュール、及び送受信回路と高周波スイッチモジュールを最短の線路で接続することができ、余分な損失を防止できる。   The common terminal and the transmission terminal and the reception terminal of each transmission / reception system are preferably formed in different regions when the laminate is divided into two parts by a plane perpendicular to the mounting surface. That is, the common terminal is arranged on one side and the transmitting terminal and the receiving terminal are arranged on the other side with respect to the center line that is divided in the short direction when the laminated body is seen in the laminating direction. Since this high-frequency switch module is arranged between the antenna and the transmission / reception circuit, this terminal arrangement allows the antenna and the high-frequency switch module, and the transmission / reception circuit and the high-frequency switch module to be connected with the shortest line, resulting in an extra loss. Can be prevented.

積層体は、分波回路、及びスイッチ回路の伝送線路を内蔵することができる。このスイッチ回路の伝送線路は、グランド電極に挟まれた領域に形成されることが好ましい。また、分波回路は、インダクタンス成分と容量成分とにより構成することができる。この分波回路は、積層体内で、伝送線路よりも上側に配置されることが好ましい。そして、伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド電極のさらに上部に容量成分を配置し、更にその上部にインダクタンス成分を配置する構造とすることが好ましい。   The laminated body can incorporate a transmission line of a branching circuit and a switch circuit. The transmission line of this switch circuit is preferably formed in a region sandwiched between ground electrodes. Further, the branching circuit can be composed of an inductance component and a capacitance component. This branching circuit is preferably arranged above the transmission line in the laminate. And it is preferable to have a structure in which a capacitive component is disposed further above the ground electrode above the ground electrode sandwiching the transmission line, and an inductance component is disposed further above.

各送信系にローパスフィルタ機能を設けることが好ましい。このローパスフィルタ機能を設ける一手段として、ローパスフィルタ回路を積層体内に内蔵することができる。このローパスフィルタ回路は、インダクタンス成分と容量成分とにより構成することができる。そして、このローパスフィルタ回路は、積層体内で、伝送線路よりも上側に配置されることが好ましい。つまり、伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド電極のさらに上部に容量成分を配置し、更にその上部にインダクタンス成分を配置する構造とすることが好ましい。また、このローパスフィルタ回路と分波回路は、積層体の水平方向の別領域に構成されることが好ましい。   Each transmission system is preferably provided with a low-pass filter function. As one means for providing this low-pass filter function, a low-pass filter circuit can be built in the laminate. This low-pass filter circuit can be composed of an inductance component and a capacitance component. And it is preferable that this low-pass filter circuit is arrange | positioned above a transmission line within a laminated body. In other words, it is preferable to have a structure in which a capacitive component is disposed further above the ground electrode above the ground electrode that sandwiches the transmission line, and an inductance component is disposed further above. Moreover, it is preferable that the low-pass filter circuit and the branching circuit are configured in separate horizontal regions of the laminate.

この伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド電極には、切り欠き部を設け、この切り欠き部に、伝送線路に導通するスルーホールを形成し、上側の分波回路、ローパスフィルタ回路と接続することができる。   A ground electrode on the upper side of the ground electrode sandwiching the transmission line is provided with a notch, and a through hole is formed in the notch to be connected to the transmission line and connected to the upper branching circuit and the low-pass filter circuit. be able to.

積層体上に配置されたチップ部品を囲むように金属ケースを配置することが好ましい。この金属ケースは、積層体の側面の端子電極を露出させた状態で装着することが好ましい。また、金属ケースは、積層体の上面に半田付けで固定することができる。また、この金属ケースにより、マウンタ装置により、本発明の高周波スイッチモジュールを実装することができる。   It is preferable to arrange a metal case so as to surround the chip component arranged on the laminate. The metal case is preferably mounted with the terminal electrode on the side surface of the laminate exposed. The metal case can be fixed to the upper surface of the laminate by soldering. Moreover, the high frequency switch module of this invention can be mounted with a mounter apparatus by this metal case.

本発明に係る第1実施例の回路ブロック図を図1に示す。図1において、トリプルバンド用高周波スイッチモジュールは、破線で囲った部分である。また、この部分を実質的にワンチップ化したものである。例えば、第1の送受信系としてGSMシステム(送信TX.880〜915MHz、受信RX.925〜960MHz)、第2の送受信系としてDCS1800システム(送信TX.1710〜1785MHz、受信RX.1805〜1880MHz)、第3の送受信系としてPCSシステム(送信TX.1850〜1910MHz、受信RX.1930〜1990MHz)の3つのシステムに対応した構成として、トリプルバンド携帯電話のアンテナANTと、GSM系、DCS系、PCS系のそれぞれの送受信回路との振り分けに用いることができる。また、DCS系の送信系とPCS系の送信系は、共用としている。   A circuit block diagram of the first embodiment according to the present invention is shown in FIG. In FIG. 1, the triple-band high-frequency switch module is a portion surrounded by a broken line. Further, this portion is substantially made into one chip. For example, a GSM system (transmission TX.880-915 MHz, reception RX.925-960 MHz) as the first transmission / reception system, a DCS1800 system (transmission TX.1710-1785 MHz, reception RX.1805-1880 MHz) as the second transmission / reception system, As a third transmission / reception system, a configuration corresponding to three systems of a PCS system (transmission TX. 1850 to 1910 MHz, reception RX. 1930 to 1990 MHz), an antenna ANT of a triple band mobile phone, a GSM system, a DCS system, and a PCS system It can be used for sorting with the respective transmission / reception circuits. Also, the DCS transmission system and the PCS transmission system are shared.

この第1実施例は、ANTに接続される端子から第1の送受信系(GSM)と、第2、第3の送受信系(DCS、PCS)を分波する分波回路を有し、その分波回路で分波された第1の送受信系(GSM)の送信信号(GSM TX)と受信信号(GSM RX)を切り換える第1のスイッチ回路SWを有し、第1のスイッチ回路の送信ラインに接続される第1のローパスフィルタ回路(LPF)を有している。また分波回路で分波された第2、第3の送受信系(DCS、PCS)では、第2の送受信系(DCS)の受信信号(DCS RX)と、第3の送受信系(PCS)の受信信号(PCS RX)と、第2、第3の送信信号(DCS、PCS TX)を切り換える第2のスイッチ回路SWを有し、第2のスイッチ回路の送信ラインに接続される第2のローパスフィルタ回路(LPF)を有している。   This first embodiment has a demultiplexing circuit that demultiplexes the first transmission / reception system (GSM) and the second and third transmission / reception systems (DCS, PCS) from a terminal connected to the ANT. A first switch circuit SW for switching a transmission signal (GSM TX) and a reception signal (GSM RX) of the first transmission / reception system (GSM) demultiplexed by the wave circuit; A first low-pass filter circuit (LPF) to be connected is included. In the second and third transmission / reception systems (DCS, PCS) demultiplexed by the demultiplexing circuit, the reception signal (DCS RX) of the second transmission / reception system (DCS) and the third transmission / reception system (PCS) A second low-pass circuit that has a second switch circuit SW that switches between the received signal (PCS RX) and the second and third transmission signals (DCS, PCS TX) and is connected to the transmission line of the second switch circuit A filter circuit (LPF) is included.

また本発明に係る一実施例の等価回路図を図2に示す。アンテナANTに接続される分波回路部分は、2つのノッチ回路が主回路となっている。つまり、インダクタLF1とコンデンサCF1で一つのノッチ回路を構成し、インダクタLF2とコンデンサCF2でもう一つのノッチ回路を構成している。そして、一つのノッチ回路には、アースに接続されるコンデンサCF3が接続されている。このコンデンサCF3は、分波特性のローパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。また、もう一つのノッチ回路には、アースに接続されるインダクタLF3と、コンデンサCF4を直列に接続している。このインダクタLF3とコンデンサCF4は、分波特性のハイパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。   An equivalent circuit diagram of one embodiment according to the present invention is shown in FIG. The branching circuit portion connected to the antenna ANT has two notch circuits as main circuits. That is, the inductor LF1 and the capacitor CF1 constitute one notch circuit, and the inductor LF2 and the capacitor CF2 constitute another notch circuit. A capacitor CF3 connected to the ground is connected to one notch circuit. The capacitor CF3 is connected for the purpose of improving the low-pass filter characteristic of the demultiplexing characteristic. In addition, an inductor LF3 connected to the ground and a capacitor CF4 are connected in series to the other notch circuit. The inductor LF3 and the capacitor CF4 are connected for the purpose of improving the high-pass filter characteristic of the demultiplexing characteristic.

この分波回路は、2つのノッチ回路のみでも良い。また、この分波回路は、ノッチ回路以外、例えばバンドパス回路、ローパス回路、ハイパス回路などを用いてもよく、これらを適宜組み合わせて構成することも出来る。   This branching circuit may be only two notch circuits. In addition to the notch circuit, for example, a band-pass circuit, a low-pass circuit, a high-pass circuit, or the like may be used for this branching circuit, and these may be combined as appropriate.

次に、第1のスイッチ回路について説明する。第1のスイッチ回路は、図2上側のスイッチ回路であり、GSM系の送信TXと受信RXを切り換えるものである。このスイッチ回路は、2つのダイオードDG1、DG2と、2つの伝送線路LG1、LG2を主構成とし、ダイオードDG1はアンテナANT側にアノードが接続され、送信TX側にカソードが接続され、そのカソード側にアースに接続される伝送線路LG1が接続されている。そして、アンテナ側と受信RX間に伝送線路LG2が接続され、その受信側にカソードが接続されたダイオードDG2が接続され、そのダイオードDG2のアノードには、アースとの間にコンデンサCG6が接続され、その間にインダクタLG、抵抗R1の直列回路が接続され、コントロール回路VC1に接続される。   Next, the first switch circuit will be described. The first switch circuit is a switch circuit on the upper side of FIG. 2 and switches between GSM transmission TX and reception RX. This switch circuit mainly includes two diodes DG1 and DG2 and two transmission lines LG1 and LG2. The diode DG1 has an anode connected to the antenna ANT side, a cathode connected to the transmission TX side, and a cathode side thereof. A transmission line LG1 connected to the ground is connected. A transmission line LG2 is connected between the antenna side and the reception RX, a diode DG2 having a cathode connected to the reception side is connected, and a capacitor CG6 is connected between the anode of the diode DG2 and the ground, In the meantime, a series circuit of an inductor LG and a resistor R1 is connected and connected to the control circuit VC1.

そして、送信TX回路側に挿入されるローパスフィルタ回路は、インダクタLG3と、コンデンサCG3、CG4、CG7から構成され、スイッチ回路のダイオードDG1と伝送線路LG1の間に挿入されている。   The low-pass filter circuit inserted on the transmission TX circuit side includes an inductor LG3 and capacitors CG3, CG4, and CG7, and is inserted between the diode DG1 of the switch circuit and the transmission line LG1.

次に、第2のスイッチ回路について説明する。第2のスイッチ回路は、図2下側のスイッチ回路であり、DCS系の受信RXと、PCS系の受信RXと、DCS系及びPCS系の送信TXとを切り換えるものである。このスイッチ回路は、3つのダイオードDP1、DP2、DP3と、2つの伝送線路LP1、LP2を主構成とし、ダイオードDP1はアンテナANT側にカソードが接続され、DCS及びPCSの送信TX側にアノードが接続され、そのアノード側に、コンデンサCGPを介してアースに接続される伝送線路LP1が接続されている。この伝送線路LP1とコンデンサCGPとの間にコントロール回路VC3が接続される。そして、アンテナ側とDCSの受信RX間に伝送線路LP2が接続され、そのDCS受信RX側にアノードが接続されたダイオードDP2が接続され、そのダイオードDP2のカソードには、アースとの間にコンデンサCP6、抵抗R3が接続されている。そして、アンテナ側とPCSの受信RX間にダイオードDP3が接続され、そのアンテナ側にダイオードDP3のカソードが接続され、アノード側には、インダクタLP、抵抗R2を介してコントロール回路VC2が接続される。   Next, the second switch circuit will be described. The second switch circuit is a switch circuit on the lower side of FIG. 2, and switches between DCS reception RX, PCS reception RX, and DCS and PCS transmission TX. This switch circuit is composed mainly of three diodes DP1, DP2, DP3 and two transmission lines LP1, LP2. The diode DP1 has a cathode connected to the antenna ANT side and an anode connected to the transmission TX side of DCS and PCS. The transmission line LP1 connected to the ground via the capacitor CGP is connected to the anode side. A control circuit VC3 is connected between the transmission line LP1 and the capacitor CGP. A transmission line LP2 is connected between the antenna side and the DCS reception RX, and a diode DP2 having an anode connected to the DCS reception RX side is connected. A capacitor CP6 is connected between the cathode of the diode DP2 and the ground. The resistor R3 is connected. The diode DP3 is connected between the antenna side and the reception RX of the PCS, the cathode of the diode DP3 is connected to the antenna side, and the control circuit VC2 is connected to the anode side via the inductor LP and the resistor R2.

そして、DCSとPCSの送信TX回路側に挿入されるローパスフィルタ回路は、インダクタLP3と、コンデンサCP3、CP4、CP7から構成され、スイッチ回路SWのダイオードDP1と伝送線路LP1の間に挿入されている。   The low pass filter circuit inserted on the DCS and PCS transmission TX circuit side is composed of an inductor LP3 and capacitors CP3, CP4, CP7, and is inserted between the diode DP1 of the switch circuit SW and the transmission line LP1. .

この実施例のスイッチモジュールの各コントロール回路VC1、VC2、VC3の制御ロジックを表1に示す。これにより、各モードを変更する。   Table 1 shows the control logic of each control circuit VC1, VC2, VC3 of the switch module of this embodiment. Thereby, each mode is changed.

Figure 0004174779
Figure 0004174779

次に、本発明に係る一実施例の平面図を図3に、その実施例の積層体部分の斜視図を図4に、その積層体の内部構造図を図5に示す。この実施例では、分波回路、ローパスフィルタ回路、スイッチ回路の伝送線路を積層体内に構成し、ダイオード、チップコンデンサをその積層体上に搭載して、ワンチップ化されたトリプルバンド用高周波スイッチモジュールを構成したものである。図4に示す斜視部の外部端子に付与したP1〜P16は、図2の等価回路のP2、P4等のP数字と合致している。   Next, FIG. 3 is a plan view of an embodiment according to the present invention, FIG. 4 is a perspective view of a laminate portion of the embodiment, and FIG. 5 is an internal structure diagram of the laminate. In this embodiment, the transmission line of the demultiplexing circuit, the low-pass filter circuit, and the switch circuit is configured in a laminated body, and a diode and a chip capacitor are mounted on the laminated body, thereby forming a one-chip triple-band high-frequency switch module. Is configured. P1 to P16 given to the external terminals of the perspective portion shown in FIG. 4 match the P numbers such as P2 and P4 in the equivalent circuit of FIG.

この積層体の内部構造について説明する。この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート上にAgを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成させて構成される。   The internal structure of this laminate will be described. For this laminate, a green sheet made of a ceramic dielectric material that can be fired at a low temperature is prepared, and a conductive paste mainly composed of Ag is printed on the green sheet to form a desired electrode pattern. It is constructed by laminating and firing together.

この内部構造を積層順に従って説明する。まず、下層のグリーンシート11上には、グランド電極31がほぼ全面に形成されている。そして、側面に形成される端子電極81、83、87、89、91、93、95に接続するための接続部が設けられている。   This internal structure will be described according to the stacking order. First, the ground electrode 31 is formed on almost the entire surface of the lower green sheet 11. And the connection part for connecting with the terminal electrodes 81, 83, 87, 89, 91, 93, 95 formed in a side surface is provided.

次に、電極パターンの印刷されていないダミーのグリーンシート12を積層する。その上のグリーンシート13には、1つのライン電極41が形成され、その上のグリーンシート14には、4つのライン電極42、43、44、45が形成され、その上のグリーンシート15には、4つのライン電極46、47、48、49が形成されている。その上に、2つのスルーホール電極(図中、十字の印を付けたものがスルーホール電極である、以下同様)が形成されたグリーンシート16を積層し、その上に、アース電極32が形成されたグリーンシート17が積層される。   Next, a dummy green sheet 12 on which no electrode pattern is printed is laminated. One line electrode 41 is formed on the green sheet 13 thereon, four line electrodes 42, 43, 44, and 45 are formed on the green sheet 14 thereon, and the green sheet 15 is formed on the green sheet 15 thereon. Four line electrodes 46, 47, 48, 49 are formed. A green sheet 16 on which two through-hole electrodes (the one marked with a cross in the figure is a through-hole electrode, the same applies hereinafter) is laminated thereon, and a ground electrode 32 is formed thereon. The green sheets 17 are stacked.

この2つのアース電極31、32に挟まれた領域に形成されたライン電極は適宜接続され、第1及び第2のスイッチ回路SW用の伝送線路を形成している。ライン電極41と42と46はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路LG1を構成し、ライン電極45と49はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路LG2を構成し、ライン電極43と47はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路LP1を構成し、ライン電極44と48はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路LP2を構成している。   Line electrodes formed in a region sandwiched between the two ground electrodes 31 and 32 are appropriately connected to form a transmission line for the first and second switch circuits SW. The line electrodes 41, 42 and 46 are connected by through-hole electrodes to constitute a transmission line LG1 of an equivalent circuit, and the line electrodes 45 and 49 are connected by through-hole electrodes to constitute a transmission line LG2 of an equivalent circuit. 43 and 47 are connected by through-hole electrodes to constitute an equivalent circuit transmission line LP1, and line electrodes 44 and 48 are connected by through-hole electrodes to constitute an equivalent circuit transmission line LP2.

グリーンシート17の上に積層されるグリーンシート18には、コンデンサ用の電極61、62、63、64、65、66が形成されている。その上に積層されるグリーンシート19にもコンデンサ用の電極67、68、69が形成されている。その上に積層されるグリーンシート20には、コンデンサ電極70が形成されている。   Capacitor electrodes 61, 62, 63, 64, 65, 66 are formed on the green sheet 18 laminated on the green sheet 17. Capacitor electrodes 67, 68 and 69 are also formed on the green sheet 19 laminated thereon. A capacitor electrode 70 is formed on the green sheet 20 laminated thereon.

更にその上には、ライン電極50、51、52、53、54が形成されたグリーンシート21が積層され、その上に、ライン電極55、56、57、58、59が形成されたグリーンシート22が積層される。そして、最上部のグリーンシート23には、搭載素子接続用のランドが形成されている。   Furthermore, the green sheet 21 on which the line electrodes 50, 51, 52, 53, 54 are formed is laminated thereon, and the green sheet 22 on which the line electrodes 55, 56, 57, 58, 59 are formed. Are stacked. The uppermost green sheet 23 is formed with lands for connecting mounted elements.

上側のアース電極32が形成されたグリーンシート17の上に積層されたグリーンシート18のコンデンサ用電極の61、62、63、64、66は、アース電極32との間で容量を形成し、コンデンサ用電極61は、等価回路のCP3を、コンデンサ用電極62は、等価回路のCP4を、コンデンサ用電極63は、等価回路のCG4を、コンデンサ用電極64は、等価回路のCG3を、コンデンサ用電極66は、等価回路のCF3を構成している。   Capacitor electrodes 61, 62, 63, 64, 66 of the green sheet 18 laminated on the green sheet 17 on which the upper earth electrode 32 is formed form a capacitance with the earth electrode 32, and the capacitor The electrode 61 is equivalent circuit CP3, the capacitor electrode 62 is CP4 equivalent circuit, the capacitor electrode 63 is equivalent circuit CG4, the capacitor electrode 64 is equivalent circuit CG3, and the capacitor electrode 66 constitutes an equivalent circuit CF3.

またグリーンシート18、19、20に形成されたコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コンデンサ電極65と68の間で、等価回路のCF4を構成し、同様にコンデンサ電極61、62と67の間で、等価回路のCP7を構成し、コンデンサ電極69と70の間で、等価回路のCF1を構成し、コンデンサ電極68と70の間で、等価回路のCF2を構成している。このコンデンサ電極65では、コンデンサ電極68と対向して容量を形成するが、このとき、グランド電極32とは対向しないように、グランド電極32には、切り欠き部が形成されている。また、この切り欠き部を利用して、伝送線路に導通するスルーホール電極が形成されている。   The capacitor electrodes formed on the green sheets 18, 19, and 20 form a capacitance between them, and an equivalent circuit CF4 is formed between the capacitor electrodes 65 and 68. Similarly, the capacitor electrodes 61, 62, and 67 are formed. The equivalent circuit CP7 is formed between the capacitor electrodes 69 and 70, and the equivalent circuit CF1 is formed between the capacitor electrodes 69 and 70, and the equivalent circuit CF2 is formed between the capacitor electrodes 68 and 70. In this capacitor electrode 65, a capacitor is formed facing the capacitor electrode 68. At this time, a cutout portion is formed in the ground electrode 32 so as not to face the ground electrode 32. In addition, a through-hole electrode that is electrically connected to the transmission line is formed using this notch.

またグリーンシート21、22では、ライン電極52、59が等価回路のLF1を構成し、ライン電極54、58が等価回路のLF2を構成し、ライン電極53が等価回路のLF3を構成し、ライン電極51、57が等価回路のLG3を構成し、ライン電極55が等価回路のLP3を構成している。また、ライン電極50、56は配線用のラインである。また、ライン電極51、57とにより等価回路のLG3を構成しているが、このライン電極51、57とは一部対向するように形成され、その対向部分で等価回路のCG7を構成している。   In the green sheets 21 and 22, the line electrodes 52 and 59 constitute an equivalent circuit LF1, the line electrodes 54 and 58 constitute an equivalent circuit LF2, and the line electrode 53 constitutes an equivalent circuit LF3. 51 and 57 constitute an equivalent circuit LG3, and the line electrode 55 constitutes an equivalent circuit LP3. The line electrodes 50 and 56 are wiring lines. The line electrodes 51 and 57 constitute an equivalent circuit LG3, but the line electrodes 51 and 57 are formed so as to partially face each other, and the opposed portions constitute the equivalent circuit CG7. .

これらのグリーンシートを圧着し、一体焼成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、93、94、95、96を形成した。この外観図を図4に示す。   These green sheets were pressure-bonded and integrally fired to obtain a laminate. Terminal electrodes 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96 were formed on the side surface of this laminate. This external view is shown in FIG.

この積層体の上に、ダイオードDG1、DG2、DP1、DP2、DP3、チップコンデンサCG1、CG6、CGP、CP6、チップ抵抗R3を搭載した。図3に、この搭載素子を搭載した様子を示す平面図を示す。また、図3に、この高周波スイッチモジュールの実装構成(各端子の接続構造)を合わせて示す。この図3で、GRDはグランド接続される端子であることを意味する。この実施例では、図2に示す等価回路のうち、CP2、CP5、CG2、CG5、R1、LG、R2、LP、CP7は、この実施例のチップ部品の搭載される回路上に形成される。   On this laminate, diodes DG1, DG2, DP1, DP2, DP3, chip capacitors CG1, CG6, CGP, CP6, and chip resistor R3 were mounted. FIG. 3 is a plan view showing a state in which this mounting element is mounted. FIG. 3 also shows the mounting configuration (connection structure of each terminal) of the high-frequency switch module. In FIG. 3, GRD means a terminal connected to the ground. In this embodiment, among the equivalent circuit shown in FIG. 2, CP2, CP5, CG2, CG5, R1, LG, R2, LP, and CP7 are formed on the circuit on which the chip component of this embodiment is mounted.

この実施例によれば、第1及び第2のスイッチ回路の伝送線路を積層体内に形成する際に、グランド電極で挟まれた領域内に配置している。これにより、スイッチ回路と分波回路、ローパスフィルタ回路との干渉を防いでいる。そして、このグランド電極で挟まれた領域を積層体の下部に配置し、グランド電位を取り易くしている。そして、グランドとの間に接続されるコンデンサを構成する電極を、その上側のグランド電極に対向させて形成している。   According to this embodiment, when the transmission lines of the first and second switch circuits are formed in the laminated body, they are arranged in a region sandwiched between the ground electrodes. As a result, interference between the switch circuit, the branching circuit, and the low-pass filter circuit is prevented. A region sandwiched between the ground electrodes is arranged at the lower part of the stacked body to make it easy to obtain the ground potential. And the electrode which comprises the capacitor | condenser connected between ground is formed facing the upper ground electrode.

また、この実施例では、積層体の側面に各端子が形成され、面実装可能な構造となっている。側面の各端子は、それぞれANT端子、DCS系/PCS系のTX端子、GSM系TX端子、GSM系RX端子、DCS系RX端子、PCS系RX端子、グランド端子(GRD)又はコントロール端子(VC1、VC2、VC3)となっている。また、この積層体の各側面には、少なくとも1つのグランド端子が配置されている。   Further, in this embodiment, each terminal is formed on the side surface of the laminate, and has a structure capable of surface mounting. Each terminal on the side is an ANT terminal, a DCS / PCS system TX terminal, a GSM system TX terminal, a GSM system RX terminal, a DCS system RX terminal, a PCS system RX terminal, a ground terminal (GRD), or a control terminal (VC1, VC2, VC3). In addition, at least one ground terminal is disposed on each side surface of the laminate.

また、この実施例の積層体の側面に形成された端子電極において、アンテナANT端子に対して積層体を実装面に垂直な面で2分した反対側に、DCS系/PCS系のTX端子、GSM系TX端子、GSM系RX端子、DCS系RX端子、PCS系RX端子がそれぞれ形成されている。さらに、そのTX端子群、RX端子群が形成されているANT端子の反対側において、その半分の片側に、送信TX端子群が形成され、もう一方の片側に受信RX端子群が形成されている。   Further, in the terminal electrode formed on the side surface of the laminate of this embodiment, on the opposite side of the antenna ANT terminal which is divided into two by the plane perpendicular to the mounting surface, a DCS / PCS-based TX terminal, A GSM TX terminal, a GSM RX terminal, a DCS RX terminal, and a PCS RX terminal are formed. Further, on the opposite side of the ANT terminal on which the TX terminal group and the RX terminal group are formed, a transmission TX terminal group is formed on one half of the ANT terminal, and a reception RX terminal group is formed on the other side. .

また、この実施例では、アンテナANT端子はグランド端子で挟まれ、送信TX端子もグランド端子で挟まれ、受信RX端子群もグランド端子で挟まれている。また、アンテナANT端子、送信TX端子、受信RX端子のそれぞれの間にはグランド端子が形成されている。また、VC1、VC2、VC3もグランド端子で挟まれている。   In this embodiment, the antenna ANT terminal is sandwiched between ground terminals, the transmission TX terminal is sandwiched between ground terminals, and the reception RX terminal group is also sandwiched between ground terminals. A ground terminal is formed between the antenna ANT terminal, the transmission TX terminal, and the reception RX terminal. VC1, VC2, and VC3 are also sandwiched between ground terminals.

本発明の実施例によれば、GSMシステムとDCS1800システムとPCSシステムの3つのバンドを扱うトリプルバンド携帯電話において、アンテナANTと、GSM系の送信系、受信系、DCS1800系の送信系、受信系、PCS系の送信系、受信系を切り換えることができる高周波スイッチモジュールを得ることができた。また、本発明は、上記実施例に限られるものでなく、通過帯域の異なる3つの送受信系を取り扱うトリプルバンド用高周波スイッチモジュールを得ることができるものである。   According to an embodiment of the present invention, an antenna ANT, a GSM transmission system, a reception system, a DCS1800 transmission system, and a reception system in a triple band mobile phone that handles three bands of GSM system, DCS1800 system, and PCS system. In addition, a high frequency switch module capable of switching between a PCS transmission system and a reception system could be obtained. Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and a triple-band high-frequency switch module that handles three transmission / reception systems having different pass bands can be obtained.

また、DCS系の送信系とPCS系の送信も分ける回路とすると、スイッチ回路が2つ必要であるが、DCS系とPCS系の送信系の端子を共用とすることにより、スイッチ回路を2個で構成することができる。また、これにより、トリプルバンド用高周波スイッチモジュールのDCS系とPCS系の送信系の端子の前段のアンプの共用化も可能となる。   In addition, if the DCS transmission system and the PCS transmission are separated from each other, two switch circuits are required. By sharing the terminals of the DCS transmission system and the PCS transmission system, two switch circuits are provided. Can be configured. This also makes it possible to share the amplifier in the previous stage of the DCS system and PCS system transmission system terminals of the triple-band high-frequency switch module.

本発明に係る別の実施例の等価回路図を図6に、平面図を図7に、積層体の内部構造図を図8に示す。この実施例は、上記した実施例と類似する部分が多く、異なる部分を説明する。   FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of another embodiment of the present invention, FIG. 7 is a plan view, and FIG. 8 is an internal structural diagram of the laminate. This embodiment has many parts similar to the above-described embodiment, and different parts will be described.

まず、分波器部分は同一である。第一の送受信系(GSM)の第1のスイッチ回路部分もほぼ同一であり、異なるのは、伝送線路LG1がアースに接続されるのではなく、第2のスイッチ回路の伝送線路LP1とともに、コントロール回路VC3に接続されるところである。第2のスイッチ回路においては、ダイオードDP1、DP2、DP3の向きが逆となっている。そして、ダイオードDP2とコンデンサCP6との間に、インダクタLDと抵抗R3の直列回路を経て、コントロール回路VC4が接続されている。   First, the duplexer portion is the same. The first switch circuit portion of the first transmission / reception system (GSM) is also substantially the same, except that the transmission line LG1 is not connected to the ground, but is controlled together with the transmission line LP1 of the second switch circuit. This is where the circuit VC3 is connected. In the second switch circuit, the directions of the diodes DP1, DP2, and DP3 are reversed. A control circuit VC4 is connected between the diode DP2 and the capacitor CP6 via a series circuit of an inductor LD and a resistor R3.

積層構造では、グリーンシート11のグランド電極31の端子電極89への接続部を無くしている。グリーンシート15では、ライン電極46の引き出し端子が変更されている。グリーンシート17では、グランド電極32の端子電極89への接続部を無くしている。また、グリーンシート21では、ライン電極71が追加されている。ライン電極71は、配線用のラインである。グリーンシート22では、ライン電極71に接続されるスルーホールが追加されている。また、グリーンシート23では、ランド形状が適宜変更されている。   In the laminated structure, the connection part to the terminal electrode 89 of the ground electrode 31 of the green sheet 11 is eliminated. In the green sheet 15, the lead terminal of the line electrode 46 is changed. In the green sheet 17, the connection part of the ground electrode 32 to the terminal electrode 89 is eliminated. In the green sheet 21, a line electrode 71 is added. The line electrode 71 is a wiring line. In the green sheet 22, a through hole connected to the line electrode 71 is added. In the green sheet 23, the land shape is appropriately changed.

そして、積層体上には、ダイオードDG1、DG2、DP1、DP2、DP3、チップコンデンサCG1、CG6、CGP、CP6を搭載した。図7に、この搭載素子を搭載した様子を示す平面図を示す。また、図7に、この高周波スイッチモジュールの実装構成(各端子の接続構造)を合わせて示す。この図7で、GRDはグランド接続される端子であることを意味する。この実施例では、図6に示す等価回路のうち、CP2、CP5、CG2、CG5、R1、LG、R2、LP、CP7、R3、LDは、この実施例のチップ部品の搭載される回路上に形成される。   On the laminate, diodes DG1, DG2, DP1, DP2, DP3, chip capacitors CG1, CG6, CGP, CP6 were mounted. FIG. 7 is a plan view showing a state in which this mounting element is mounted. FIG. 7 also shows the mounting configuration (connection structure of each terminal) of the high-frequency switch module. In FIG. 7, GRD means a terminal connected to the ground. In this embodiment, among the equivalent circuits shown in FIG. 6, CP2, CP5, CG2, CG5, R1, LG, R2, LP, CP7, R3, and LD are on the circuit on which the chip parts of this embodiment are mounted. It is formed.

尚、この実施例のスイッチモジュールの各コントロール回路VC1、VC2、VC3、VC4の制御ロジックを表2に示す。これにより、各モードを変更する。   Table 2 shows the control logic of each control circuit VC1, VC2, VC3, VC4 of the switch module of this embodiment. Thereby, each mode is changed.

Figure 0004174779
Figure 0004174779

この実施例においても、トリプルバンド用高周波スイッチモジュールとして、上記実施例と同様の効果を有している   This embodiment also has the same effect as the above embodiment as a triple-band high-frequency switch module.

本発明によれば、アンテナを共通とし、通過帯域の異なる送受信系の送信回路と受信回路を切り換えることが可能な高周波スイッチモジュールを提供し、また、その高周波スイッチモジュールをワンチップで構成することが出来る。例えばトリプルバンド携帯電話などにおいて、極めて有益となる高周波スイッチモジュールを提供することができる。本発明によれば、このトリプルバンド用高周波スイッチモジュールを、積層構造を用いることにより、小型に、しかもワンチップに構成できるものである。これにより、トリプルバンド携帯電話などにおいて、機器の小型化に有効なものとなる。   According to the present invention, it is possible to provide a high-frequency switch module that uses a common antenna and can switch between a transmission circuit and a reception circuit of transmission / reception systems having different pass bands, and that the high-frequency switch module can be configured on a single chip. I can do it. For example, it is possible to provide a high-frequency switch module that is extremely useful in a triple-band mobile phone or the like. According to the present invention, the triple-band high-frequency switch module can be configured in a small size and in one chip by using a laminated structure. As a result, it becomes effective for downsizing of devices in triple band mobile phones and the like.

本発明に係る一実施例の回路ブロック図である。It is a circuit block diagram of one example concerning the present invention. 本発明に係る一実施例の等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram of an embodiment according to the present invention. 本発明に係る一実施例の平面図である。It is a top view of one example concerning the present invention. 本発明に係る一実施例の積層体の斜視図である。It is a perspective view of the laminated body of one Example which concerns on this invention. 本発明に係る一実施例の積層体の内部構造図である。It is an internal structure figure of the laminated body of one Example which concerns on this invention. 本発明に係る別の実施例の等価回路図である。It is an equivalent circuit schematic of another Example which concerns on this invention. 本発明に係る別の実施例の平面図である。It is a top view of another example concerning the present invention. 本発明に係る別の実施例の積層体の内部構造図である。It is an internal structure figure of the laminated body of another Example which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23 誘電体グリーンシート
128 31、32 アース電極
129 41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、57、58、59、71 ライン電極
130 61、62、63、64、65、66、67、68、69、70 コンデンサ電極
131 81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、93、94、95、96 端子電極
11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23 Dielectric green sheets 128 31, 32 Earth electrodes 129 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 71 Line electrode 130 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70 Capacitor electrode 131 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96 Terminal electrode

Claims (2)

通過帯域の異なる送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであって、
アンテナと接続する分波回路と、前記分波回路と接続する第1のスイッチ回路と、前記分波回路に接続する第2のスイッチ回路を備え、前記第1のスイッチ回路は、第1の送受信系の送信系と受信系を切り換え、前記第2のスイッチ回路は、第2の送受信系の送信系と、受信系と、第3の送受信系の送信系と、受信系とを切り換える回路であり、
前記第1のスイッチ回路は、第1送信回路と分波回路との間に接続される第1ダイオードと、前記第1送信回路と前記第1ダイオードとの間に配置され一端が直接アースに接続する伝送線路と、第1受信回路と分波回路との間に配置された伝送線路と、前記伝送線路の第1受信回路側をアースに接続する第2ダイオードを備え、前記伝送線路は第1ダイオードのアノード側と接続するとともに、第2ダイオードのカソード側と接続し、前記第2ダイオードのアノード側にはコントロール回路VC1が接続され
前記第2のスイッチ回路は、第2送信回路と分波回路との間に接続される第3ダイオードと、第2受信回路と分波回路との間に配置された伝送線路と、前記伝送線路の第2受信回路側をアースに接続する第4ダイオードと、第3受信回路と分波回路との間に接続される第5ダイオードとを備え、前記伝送線路は第3ダイオード及び第5ダイオードのカソード側と接続するとともに、第4ダイオードのアノード側と接続し、前記第3ダイオードのアノード側にはコントロール回路VC3が、前記第5ダイオードのアノード側にコントロール回路VC2が接続され
各コントロール回路VC1、VC2,VC3の制御ロジックが、
第1送信回路と分波回路との接続には、コントロール回路VC1がHigh状態、コントロール回路VC2、VC3がLow状態であり、
第2送信回路と分波回路との接続には、コントロール回路VC3がHigh状態、コントロール回路VC1、VC2がLow状態であり、
第1受信回路と分波回路との接続及び第2受信回路と分波回路との接続には、コントロール回路VC1、VC2、VC3がLow状態であり、
第3受信回路と分波回路との接続には、コントロール回路VC2がHigh状態、コントロール回路VC1、VC3がLow状態である、
ことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
A high-frequency switch module that handles transmission and reception systems with different passbands,
A demultiplexing circuit connected to an antenna, a first switch circuit connected to the demultiplexing circuit, and a second switch circuit connected to the demultiplexing circuit, wherein the first switch circuit includes a first transmission / reception circuit The second switch circuit is a circuit that switches between a second transmission / reception system transmission system, a reception system, a third transmission / reception system transmission system, and a reception system. ,
The first switch circuit is disposed between the first transmission circuit and the demultiplexing circuit, the first diode is connected between the first transmission circuit and the first diode, and one end thereof is directly connected to the ground. A transmission line disposed between the first receiving circuit and the demultiplexing circuit, and a second diode for connecting the first receiving circuit side of the transmission line to the ground, the transmission line being a first line Connected to the anode side of the diode and connected to the cathode side of the second diode, the control circuit VC1 is connected to the anode side of the second diode ,
The second switch circuit includes a third diode connected between the second transmission circuit and the branch circuit, a transmission line disposed between the second receiver circuit and the branch circuit, and the transmission line. And a fifth diode connected between the third receiving circuit and the demultiplexing circuit, and the transmission line includes a third diode and a fifth diode. Connected to the cathode side, connected to the anode side of the fourth diode, the control circuit VC3 connected to the anode side of the third diode, and the control circuit VC2 connected to the anode side of the fifth diode ,
The control logic of each control circuit VC1, VC2, VC3 is
For connection between the first transmission circuit and the branching circuit, the control circuit VC1 is in a high state, the control circuits VC2 and VC3 are in a low state,
For connection between the second transmission circuit and the branching circuit, the control circuit VC3 is in a high state, the control circuits VC1 and VC2 are in a low state,
The control circuits VC1, VC2, and VC3 are in a low state for the connection between the first receiving circuit and the branching circuit and the connection between the second receiving circuit and the branching circuit,
For connection between the third receiving circuit and the branching circuit, the control circuit VC2 is in a high state, and the control circuits VC1 and VC3 are in a low state.
A high-frequency switch module characterized by that.
通過帯域の異なる送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであって
アンテナと接続する分波回路と、前記分波回路と接続する第1のスイッチ回路と、前記分波回路に接続する第2のスイッチ回路を備え、前記第1のスイッチ回路は、第1の送受信系の送信系と受信系を切り換え、前記第2のスイッチ回路は、第2の送受信系の送信系と、受信系と、第3の送受信系の送信系と、受信系とを切り換える回路であり
前記第1のスイッチ回路は、第1送信回路と分波回路との間に接続される第1ダイオードと、第1受信回路と分波回路との間に配置された伝送線路と、前記伝送線路の第1受信回路側をアースに接続する第2ダイオードを備え、前記伝送線路は第1ダイオードのアノード側と接続するとともに、第2ダイオードのカソード側と接続し、前記第2ダイオードのアノード側にはコントロール回路が接続され、
前記第2のスイッチ回路は、第2送信回路と分波回路との間に接続される第3ダイオードと、第2受信回路と分波回路との間に配置された伝送線路と、前記伝送線路の第2受信回路側をアースに接続する第4ダイオードと、第3受信回路と分波回路との間に接続される第5ダイオードとを備え、前記伝送線路は第3ダイオード及び第5ダイオードのアノード側と接続するとともに、第4ダイオードのカソード側と接続し、前記第4ダイオードのアノード側にはコントロール回路が接続され、
前記第2のスイッチ回路の第3ダイオード及び第5ダイオードのカソード側にはそれぞれコントロール回路が接続されており、前記第3ダイオードと接続するコントロール回路は、前記第1のスイッチ回路の第1送信回路と第1ダイオードとの間に配置される伝送線路を介して第1ダイオードと接続することを特徴とする高周波スイッチモジュール
A high-frequency switch module that handles transmission and reception systems with different passbands ,
A demultiplexing circuit connected to an antenna, a first switch circuit connected to the demultiplexing circuit, and a second switch circuit connected to the demultiplexing circuit, wherein the first switch circuit includes a first transmission / reception circuit The second switch circuit is a circuit that switches between a second transmission / reception system transmission system, a reception system, a third transmission / reception system transmission system, and a reception system. ,
The first switch circuit includes a first diode connected between the first transmission circuit and the branch circuit, a transmission line disposed between the first receiver circuit and the branch circuit, and the transmission line. A second diode for connecting the first receiving circuit side to the ground, and the transmission line is connected to the anode side of the first diode, is connected to the cathode side of the second diode, and is connected to the anode side of the second diode. Is connected to the control circuit,
The second switch circuit includes a third diode connected between the second transmission circuit and the branch circuit, a transmission line disposed between the second receiver circuit and the branch circuit, and the transmission line. And a fifth diode connected between the third receiving circuit and the demultiplexing circuit, and the transmission line includes a third diode and a fifth diode. Connected to the anode side, connected to the cathode side of the fourth diode, a control circuit is connected to the anode side of the fourth diode,
A control circuit is connected to each cathode side of the third diode and the fifth diode of the second switch circuit, and the control circuit connected to the third diode is a first transmission circuit of the first switch circuit. And a first diode connected via a transmission line disposed between the first diode and the first diode .
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