JP3824229B2 - High frequency switch module for multiband - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波複合部品に関し、通過帯域の異なる複数の送受信系を取り扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
デジタル携帯電話などにおいて、アンテナANTと送信回路TXとの接続及びアンテナANTと受信回路RXとの接続を切り換えるために、高周波スイッチが用いられている。この高周波スイッチとしては、特開平6−197040号公報に開示されているものがある。
【0003】
この従来の高周波スイッチは、送信回路側にアノードが接続されアンテナ側にカソードが接続される第1のダイオード、アンテナと受信回路との間に接続されるストリップライン、および受信回路側にアノードが接続されアース側にカソードが接続される第2のダイオードを含み、ストリップラインは多層基板に内蔵され、第1のダイオード及び第2のダイオードは多層基板上に実装されたものである。また、この従来の高周波スイッチは、単に一つの送受信系(シングルバンド)に対応しているものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
近年の携帯電話の普及には、目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られている。この新たな携帯電話として、デュアルバンド携帯電話の提案がなされている。このデュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り扱うのに対し、2つの送受信系を取り扱うものである。これにより、利用者は都合の良い送受信系を選択して利用することができるものである。
【0005】
このデュアルバンド携帯電話において、それぞれの送受信系にそれぞれ専用の回路を構成すれば、機器の大型化、高コスト化を招く。共通可能な部分はできるだけ共通部品を用いることが、機器の小型化、低コスト化に有利となる。
【0006】
本発明は、アンテナを共通とし、第1の送受信系の送信回路と受信回路、第2の送受信系の送信回路と受信回路を切り換えることが可能なマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供するものであり、通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供し、また、そのマルチバンド用高周波スイッチモジュールをワンチップで構成することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、 アンテナを共用し、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信回路又は受信回路と前記アンテナとの接続を適宜切り換えるマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、アンテナに接続され、複数の送受信系に信号を分波する分波回路、前記分波回路を介して前記アンテナと接続され各送受信系の送信系と受信系を切り換えるスイッチ回路と、前記送受信系の送信系に前記スイッチ回路と接続するローパスフィルタ回路を有し、前記分波回路はインダクタンス成分と容量成分で構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記アンテナ側と送信回路側との間に接続された第一のダイオードと、受信回路側とアース側との間に接続された第二のダイオードと、前記アンテナ側と前記受信回路側との間に配置され、前記第一のダイオードと前記第二のダイオードとを直列に接続する伝送線路を備え、前記ローパスフィルタ回路はインダクタンス成分と容量成分で構成され、前記分波回路のインダクタンス成分と容量成分、前記ローパスフィルタ回路のインダクタンス成分と容量成分及び前記スイッチ回路の伝送線路は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成され、前記ダイオードは、前記積層体上に配置して構成され、前記積層体において、複数の誘電体層の一面上には、前記分波回路の電極パターンと前記ローパスフィルタ回路の電極パターンが、前記積層体の水平方向の別領域に別れて形成されており、かつ、異なる誘電体層に形成された前記分波回路のインダクタンス成分の電極パターンと前記ローパスフィルタ回路のインダクタンス成分の電極パターンとが、積層方向に重なり合わないマルチバンド用高周波スイッチモジュールである。
【0008】
また本発明は、前記積層体内にはグランド電極を有し、このグランド電極が形成された誘電体層にスルーホールが形成され、該スルーホールを介して当該グランド電極より上側に配置された回路素子(ダイオード)と下側に配置された回路素子(伝送線路)を接続することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュールである。前記スルーホールは、前記グランド電極に設けた切り欠き部に位置するように構成するのが好ましい。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明は、通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールであり、このマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、分波回路、及びダイオードスイッチ回路とを備え、
前記分波回路はインダクタンス成分と容量成分で構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波回路及び前記ダイオードスイッチ回路を構成するインダクタンス成分と容量成分の少なくとも一部を、電極パターンと誘電体層との積層体に内蔵し、ダイオード等のチップ素子を前記積層体上に配置して構成されているものである。これにより、小型に構成でき、例えば、アンテナを共用とし、第1の送受信系の送信系と受信系、その第1の送受信系と通過帯域の異なる第2の送受信系の送信系と受信系と、アンテナとを接続し、適宜切り換える高周波スイッチモジュールを得ることが出来、例えばデュアルバンド携帯電話等において有効なものである。
【0010】
本発明では、複数の送受信系の共通端子、各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子を積層体の側面に形成し、面実装可能とすることができる。この側面に形成した各端子は、その上面又は下面に延長されていてもかまわない。そして、各側面に、少なくとも1つのグランド端子を形成し、低損失化を計ることが出来る。
【0011】
本発明では、複数の送受信系の共通端子、各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子は高周波信号用の端子であり、これを高周波端子と呼ぶ。この高周波端子は、積層体の側面に形成され、しかもこの高周波端子どうしが隣り合わないように配置してある。この高周波端子間には、グランド端子又はスイッチ回路制御端子が配置される。また、この高周波端子間には、少なくとも1つのグランド端子が配置されることが好ましい。このように、高周波端子間を隣り合わないようにすること、又高周波端子間にグランド端子を配置することにより、高周波端子間の干渉を抑え、又低損失化を計ることができる。
【0012】
また本発明は、前記積層体において、前記分波回路の第1の送受信系と第2の送受信系の共通端子と、前記第1の送受信系の送信端子と、受信端子と、前記第2の送受信系の送信端子と、受信端子の各端子は、前記積層体の側面に形成され、該各端子の間にはアース端子が形成されている。各入出力端子は、アース端子に挟まれた配置となっている。これにより、各端子間の信号の漏洩が遮断され、干渉が無くなり、信号端子間のアイソレーションが確実なものとなる。
【0013】
本発明の積層体は、分波回路、及びダイオードスイッチ回路の伝送線路を内蔵することができる。このダイオードスイッチ回路の伝送線路は、グランド電極に挟まれた領域に形成されることが好ましい。また、分波回路は、インダクタンス成分と容量成分とにより構成することができる。この分波回路は、積層体内で、伝送線路よりも上側に配置されることが好ましい。そして、伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド電極のさらに上部に容量成分を配置し、その上部にインダクタンス成分を配置する構造とすることが好ましい。
【0014】
本発明では、各送信系にローパスフィルタ機能を設けることが好ましい。このローパスフィルタ機能を設ける一手段として、ローパスフィルタ回路を内蔵することができる。このローパスフィルタ回路は、インダクタンス成分と容量成分とにより構成することができる。そして、このローパスフィルタ回路は、積層体内で、伝送線路よりも上側に配置されることが好ましい。つまり、伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド電極のさらに上部に容量成分を配置し、その上部にインダクタンス成分を配置する構造とすることが好ましい。また、このローパスフィルタ回路と分波回路は、積層体の水平方向の別領域に構成されることが好ましい。
【0015】
この伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド電極には、切り欠き部を設け、この切り欠き部に、伝送線路に導通するスルーホールを形成し、上側の分波回路、ローパスフィルタ回路と接続することができる。
【0016】
本発明では、積層体上に配置されたチップ部品を囲むように金属ケースを配置することが好ましい。この金属ケースは、積層体の側面の端子電極を露出させた状態で装着することが好ましい。また、金属ケースは、積層体の上面に半田付けで固定することができる。また、この金属ケースにより、マウンタ装置により、本発明の高周波スイッチモジュールを実装することができる。
【0017】
本発明は、通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うものであるが、以下2つの送受信系を扱う場合をもとに図面を用いて、詳細に説明する。
【0018】
本発明に係る第1実施例の回路ブロック図を図1に示す。図1において、本発明のマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、破線で囲った部分である。また、この部分をワンチップ化したものである。本発明のマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、例えば、第1の送受信系としてGSMシステム、第2の送受信系としてDCS1800システムの2つのシステムに対応した構成として、デュアルバンド携帯電話のアンテナANTと、GSM系、DCS系のそれぞれの送受信回路との振り分けに用いることができる。
【0019】
この第1実施例は、通過帯域の異なる第1の送受信系(GSM)と第2の送受信系(DCS)を扱う高周波スイッチモジュールであり、第1の送受信系(GSM)の送信信号と受信信号を切り換える第1のダイオードスイッチ回路、第1のダイオードスイッチ回路の送信ラインに接続される第1のローパスフィルタ回路、第2の送受信系(DCS)の送信信号と受信信号を切り換える第2のダイオードスイッチ回路、第2のダイオードスイッチ回路の送信ラインに接続される第2のローパスフィルタ回路、第1の送受信系と第2の送受信系を分波する分波回路から構成されている。
【0020】
また本発明に係る一実施例の等価回路図を図2に示す。アンテナANTに接続される分波回路部分は、2つのノッチ回路が主回路となっている。つまり、インダクタLF1とコンデンサCF1を並列接続して一つのノッチ回路を構成し、インダクタLF2とコンデンサCF2を並列接続してもう一つのノッチ回路を構成している。そして、一つのノッチ回路には、アースに接続されるコンデンサCF3が接続されている。このコンデンサCF3は、分波特性のローパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。また、もう一つのノッチ回路には、アースに接続されるインダクタLF3と、コンデンサCF4を直列に接続している。このインダクタLF3とコンデンサCF4は、分波特性のハイパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。この分波回路は、2つのノッチ回路のみでも良い。
【0021】
次に、第1のダイオードスイッチ回路について説明する。第1のダイオードスイッチ回路は、図2上側のスイッチ回路であり、GSM系の送信TXと受信RXを切り換えるものである。このスイッチ回路SWは、2つのダイオードDG1、DG2と、2つの伝送線路LG1、LG2からなり、ダイオードDG1はアンテナANT側にアノードが接続され、送信TX側にカソードが接続され、そのカソード側にアースに接続される伝送線路LG1が接続されている。そして、アンテナ側と受信RX間に伝送線路LG2が接続され、その受信側にカソードが接続されたダイオードDG2が接続され、そのダイオードDG2のアノードには、アースとの間にコンデンサCG6が接続され、その間に抵抗RG、インダクタLGの直列回路が接続され、コントロール回路VC1に接続される。
【0022】
そして、送信TX回路側に挿入されるローパスフィルタ回路は、インダクタLG3と、コンデンサCG3、CG4、CG7から構成され、スイッチ回路SWのダイオードDG1と伝送線路LG1の間に挿入されている。
【0023】
次に、第2のダイオードスイッチ回路について説明する。第2のダイオードスイッチ回路は、図2下側のスイッチ回路であり、DCS系の送信TXと受信RXを切り換えるものである。このスイッチ回路SWは、2つのダイオードDP1、DP2と、2つの伝送線路LP1、LP2からなり、ダイオードDP1はアンテナANT側にアノードが接続され、送信TX側にカソードが接続され、そのカソード側にアースに接続される伝送線路LP1が接続されている。そして、アンテナ側と受信RX間に伝送線路LP2が接続され、その受信RX側にカソードが接続されたダイオードDP2が接続され、そのダイオードDP2のアノードには、アースとの間にコンデンサCP6が接続され、その間に抵抗RP、インダクタLPの直列回路が接続され、コントロール回路VC2に接続される。
【0024】
そして、送信TX回路側に挿入されるローパスフィルタ回路は、インダクタLP3と、コンデンサCP3、CP4、CP7から構成され、スイッチ回路SWのダイオードDP1と伝送線路LP1の間に挿入されている。
【0025】
次に、本発明に係る一実施例の平面図を図3に、その実施例の積層体部分の斜視図を図4に、その積層体の内部構造を図5に示す。この実施例では、分波回路、ローパスフィルタ回路、ダイオードスイッチ回路の伝送線路を積層体内に構成し、ダイオード、チップコンデンサをその積層体上に搭載して、ワンチップ化されたマルチバンド用高周波スイッチモジュールを構成したものである。
【0026】
この積層体の内部構造について説明する。この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート上にAgを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成させて構成される。
【0027】
この内部構造を積層順に従って説明する。まず、下層のグリーンシート11上には、グランド電極31がほぼ全面に形成されている。そして、側面に形成される端子電極81、83、85、87、89、91、93、94、95に接続するための接続部が設けられている。
【0028】
次に、電極パターンの印刷されていないダミーのグリーンシート12を積層する。その上のグリーンシート13には、3つのライン電極41、42、43が形成され、その上のグリーンシート14には、4つのライン電極44、45、46、47が形成されている。その上に、2つのスルーホール電極(図中丸に十字の印を付けたものがスルーホール電極である、以下同様)が形成されたグリーンシート15を積層し、その上に、アース電極32が形成されたグリーンシート16が積層される。
【0029】
この2つのアース電極31、32に挟まれた領域に形成されたライン電極は適宜接続され、第1及び第2のダイオードスイッチ回路SW用の伝送線路を形成している。ライン電極42と46はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路LG1を構成し、ライン電極41と45はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路LG2を構成し、ライン電極43と47はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路LP1を構成し、ライン電極44は等価回路の伝送線路LP2を構成している。
【0030】
グリーンシート16の上に積層されるグリーンシート17には、コンデンサ用の電極61、62、63、64、65、66が形成されている。その上に積層されるグリーンシート18にもコンデンサ用の電極67、68、69、70が形成されている。その上に積層されるグリーンシート19には、コンデンサ電極71が形成されている。
【0031】
更にその上には、ライン電極48、49が形成されたグリーンシート20が積層され、その上に、ライン電極50、51、52、53、54、55が形成されたグリーンシート21が積層される。そして、最上部のグリーンシート22には、搭載素子接続用のランド23、24、25、26、27、28、29、33、34、35、36、37が形成されている。
【0032】
上側のアース電極32が形成されたグリーンシート16の上に積層されたグリーンシート17のコンデンサ用電極の61、62、63、64、65は、アース電極32との間で容量を形成し、コンデンサ用電極61は、等価回路のCG4を、コンデンサ用電極62は、等価回路のCG3を、コンデンサ用電極63は、等価回路のCP4を、コンデンサ用電極64は、等価回路のCP3を、コンデンサ用電極65は、等価回路のCF3を構成している。
【0033】
またグリーンシート17、18、19に形成されたコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コンデンサ電極66と70の間で、等価回路のCF4を構成し、同様にコンデンサ電極64と69の間で、等価回路のCP7を構成し、コンデンサ電極62と67の間で、等価回路のCG7を構成し、コンデンサ電極70と71の間で、等価回路のCF2を構成し、コンデンサ電極68と71の間で、等価回路のCF1を構成している。このコンデンサ電極66では、コンデンサ電極70と対向して容量を形成するが、このとき、グランド電極32とは対向しないように、グランド電極32には、切り欠き部が形成されている。また、この切り欠き部を利用して、伝送線路に導通するスルーホール電極が形成されている。
【0034】
またグリーンシート20、21では、ライン電極48、55が等価回路のLF1を構成し、ライン電極54、56が等価回路のLF2を構成し、ライン電極49、53が等価回路のLF3を構成し、ライン電極50が等価回路のLG3を構成し、ライン電極52が等価回路のLP3を構成している。なお、ライン電極51はDCラインである。
【0035】
これらのグリーンシートを圧着し、一体焼成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、93、94、95、96を形成した。この外観図を図4に示す。
【0036】
この積層体の上に、ダイオードDG1、DG2、DP1、DP2、チップコンデンサCG1、CG6、CP1、CP6を搭載した。また、チップインダクタLP4、チップコンデンサCP8を搭載している。このLC直列回路は、このスイッチ回路の送信TXとアンテナANT間のダイオードOFF時のアイソレーション特性を良好とするために接続されているが、必ずしも搭載しなくとも良い。図3に、この搭載素子を搭載した様子を示す平面図を示す。また、図3に、この高周波スイッチモジュールの実装構成を合わせて示す。この図3で、GRDはグランド接続される端子であることを意味する。この実施例では、図2に示す等価回路のうち、CP2、CP5、CG2、CG5、RG、LG、RP、LPは、この実施例のチップ部品の搭載される回路上に形成される。また、コンデンサCP1は無くしても良い。
【0037】
この実施例によれば、第1及び第2のダイオードスイッチ回路の伝送線路を積層体内に形成する際に、グランド電極で挟まれた領域内に配置している。これにより、ダイオードスイッチ回路と分波回路、ローパスフィルタ回路との干渉を防いでいる。そして、このグランド電極で挟まれた領域を積層体の下部に配置し、グランド電位を取り易くしている。そして、グランドとの間に接続されるコンデンサを構成する電極を、その上側のグランド電極に対向させて形成している。
【0038】
また、この実施例では、積層体の側面に各端子が形成され、面実装可能な構造となっている。また高周波端子であるANT端子、DCS系TX端子、GSM系TX端子、GSM系RX端子、DCS系RX端子は、互いに隣り合わないように配置してあり、その高周波端子間には、グランド端子(GRD)又はコントロール端子(VC1、VC2)が配置されている。また、高周波端子間には、グランド端子が少なくとも1つ配置されている。また、この積層体の各側面には、少なくとも1つのグランド端子が配置されている。
【0039】
また、この実施例の積層体の側面に形成された端子電極において、アンテナANT端子に対して積層体を実装面に垂直な面で2分した反対側に、GSM系の送信TX端子、受信RX端子、DCS系の送信TX端子、受信RX端子がそれぞれ形成されている。さらに、その反対側において、その半分の片側に、GSM系の送信TX端子、DCS系の送信TX端子が形成され、もう一方の片側に、GSM系の受信RX端子、DCS系の受信RX端子が形成されている。
【0040】
また、この実施例の積層体では、側面に形成されたアンテナANT端子、GSM系の送信TX端子、受信RX端子、DCS系の送信TX端子、受信RX端子の高周波端子はいずれも、側面の周回方向で見た場合、グランド端子で挟まれている。
【0041】
本発明の実施例によれば、GSMシステムとDCS1800システムとの両バンドを扱うデュアルバンド携帯電話において、アンテナANTと、GSM系の送信系、受信系、DCS1800系の送信系、受信系を切り換えることができるマルチバンド用高周波スイッチモジュールを得ることができた。また、本発明は、上記実施例に限られるものでなく、通過帯域の異なる複数の送受信系を取り扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールを得ることができるものである。
【0042】
【発明の効果】
本発明によれば、例えばデュアルバンド携帯電話などにおいて、極めて有益となるマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供することができる。本発明によれば、このマルチバンド用高周波スイッチモジュールを、積層構造を用いることにより、小型に、しかもワンチップに構成できるものである。これにより、デュアルバンド携帯電話などにおいて、機器の小型化に有効なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る一実施例の回路ブロック図である。
【図2】 本発明に係る一実施例の等価回路図である。
【図3】 本発明に係る一実施例の平面図である。
【図4】 本発明に係る一実施例の積層体の斜視図である。
【図5】 本発明に係る一実施例の積層体の内部構造図である。
【符号の説明】
11、12、13、14、15、1、17、18、19、20、21、22:誘電体グリーンシート
31、32:アース電極
41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56:ライン電極
61、62、63、64、65、66、67、68、69、70、71:コンデンサ用電極
81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、93、94、95、96:端子電極
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency composite component, and more particularly to a multi-band high-frequency switch module that handles a plurality of transmission / reception systems having different pass bands.
[0002]
[Prior art]
In a digital cellular phone or the like, a high frequency switch is used to switch the connection between the antenna ANT and the transmission circuit TX and the connection between the antenna ANT and the reception circuit RX. As this high-frequency switch, there is one disclosed in JP-A-6-197040.
[0003]
In this conventional high-frequency switch, a first diode whose anode is connected to the transmitting circuit side and whose cathode is connected to the antenna side, a strip line connected between the antenna and the receiving circuit, and an anode connected to the receiving circuit side A second diode having a cathode connected to the ground side, the strip line is built in the multilayer substrate, and the first diode and the second diode are mounted on the multilayer substrate. In addition, this conventional high-frequency switch corresponds to only one transmission / reception system (single band).
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In recent years, the spread of mobile phones has been remarkable, and the functions and services of mobile phones have been improved. As this new mobile phone, a dual band mobile phone has been proposed. This dual-band mobile phone handles two transmission / reception systems, whereas an ordinary mobile phone handles only one transmission / reception system. Thereby, the user can select and use a convenient transmission / reception system.
[0005]
In this dual-band mobile phone, if a dedicated circuit is configured for each transmission / reception system, the size and cost of the device increase. Use of common parts as much as possible is advantageous for downsizing and cost reduction of equipment.
[0006]
The present invention provides a multiband high-frequency switch module having a common antenna and capable of switching between a first transmission / reception system transmission circuit and reception circuit and a second transmission / reception system transmission circuit and reception circuit. An object of the present invention is to provide a multiband high-frequency switch module that handles a plurality of transmission / reception systems having different passbands, and to construct the multiband high-frequency switch module on a single chip.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention relates to a multiband high-frequency switch module that appropriately switches the connection between a plurality of transmission / reception transmission / reception circuits that share an antenna and have different passbands and the antenna, and is connected to the antenna, A demultiplexing circuit for demultiplexing a signal to a system, a switch circuit connected to the antenna via the demultiplexing circuit , for switching between a transmission system and a reception system of each transmission / reception system, and a switch circuit for the transmission system of the transmission / reception system ; A low-pass filter circuit to be connected, the branching circuit is composed of an inductance component and a capacitance component, and the switch circuit is mainly composed of a diode and a transmission line, and is connected between the antenna side and the transmission circuit side A first diode, a second diode connected between the receiving circuit side and the ground side, and between the antenna side and the receiving circuit side And a transmission line that connects the first diode and the second diode in series, and the low-pass filter circuit includes an inductance component and a capacitance component, and an inductance component and a capacitance component of the branching circuit, An inductance component and a capacitance component of the low-pass filter circuit and a transmission line of the switch circuit are configured by the electrode pattern in a laminate of an electrode pattern and a dielectric layer, and the diode is disposed on the laminate. In the stacked body, the electrode pattern of the branching circuit and the electrode pattern of the low-pass filter circuit are separately formed on one surface of a plurality of dielectric layers in separate regions in the horizontal direction of the stacked body. and, and, the the electrode pattern of the inductance component of the branching circuit formed on different dielectric layers pass The electrode pattern of the inductance component of the filter circuit is a high-frequency switch module for multi-band not overlapping in the stacking direction.
[0008]
Further, the present invention provides a circuit element having a ground electrode in the laminated body, a through hole formed in a dielectric layer in which the ground electrode is formed, and disposed above the ground electrode through the through hole. A multiband high-frequency switch module characterized in that a ( diode ) and a circuit element ( transmission line ) arranged on the lower side are connected. It is preferable that the through hole is configured to be located in a notch provided in the ground electrode.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention is a multiband high-frequency switch module that handles a plurality of transmission / reception systems having different passbands, and the multiband high-frequency switch module includes a branching circuit and a diode switch circuit ,
The branching circuit includes an inductance component and a capacitance component, the switch circuit mainly includes a diode and a transmission line, and at least a part of the inductance component and the capacitance component constituting the branching circuit and the diode switch circuit, It is built in a laminate of electrode patterns and dielectric layers, and a chip element such as a diode is arranged on the laminate. Accordingly, the antenna can be shared, for example, the transmission system and the reception system of the first transmission / reception system, and the transmission system and the reception system of the second transmission / reception system having different pass bands from the first transmission / reception system. A high-frequency switch module can be obtained by connecting to an antenna and switching as appropriate, and is effective in, for example, a dual-band mobile phone.
[0010]
In the present invention, a common terminal of a plurality of transmission / reception systems, a transmission system terminal of each transmission / reception system, and a reception system terminal can be formed on the side surface of the laminated body to enable surface mounting. Each terminal formed on the side surface may be extended to the upper surface or the lower surface. Further, at least one ground terminal can be formed on each side surface to reduce the loss.
[0011]
In the present invention, a common terminal for a plurality of transmission / reception systems, a transmission system terminal for each transmission / reception system, and a reception system terminal are terminals for high-frequency signals, which are called high-frequency terminals. The high-frequency terminals are formed on the side surfaces of the laminate, and are arranged so that the high-frequency terminals are not adjacent to each other. A ground terminal or a switch circuit control terminal is disposed between the high frequency terminals. Moreover, it is preferable that at least one ground terminal is disposed between the high-frequency terminals. In this way, by preventing the high frequency terminals from being adjacent to each other and arranging the ground terminal between the high frequency terminals, it is possible to suppress interference between the high frequency terminals and reduce the loss.
[0012]
According to the present invention, in the stacked body, a common terminal of the first transmission / reception system and the second transmission / reception system of the branching circuit, a transmission terminal of the first transmission / reception system, a reception terminal, and the second terminal The transmission terminal of the transmission / reception system and each terminal of the reception terminal are formed on the side surface of the laminate, and a ground terminal is formed between the terminals. Each input / output terminal is disposed between ground terminals. As a result, signal leakage between the terminals is blocked, interference is eliminated, and isolation between the signal terminals is ensured.
[0013]
The laminate of the present invention can incorporate a transmission line of a branching circuit and a diode switch circuit. The transmission line of this diode switch circuit is preferably formed in a region sandwiched between ground electrodes. Further, the branching circuit can be composed of an inductance component and a capacitance component. This branching circuit is preferably arranged above the transmission line in the laminate. And it is preferable to have a structure in which a capacitive component is disposed further above the ground electrode on the upper side of the ground electrode sandwiching the transmission line, and an inductance component is disposed thereon.
[0014]
In the present invention, each transmission system is preferably provided with a low-pass filter function. As one means for providing this low-pass filter function, a low-pass filter circuit can be incorporated. This low-pass filter circuit can be composed of an inductance component and a capacitance component. And it is preferable that this low-pass filter circuit is arrange | positioned above a transmission line within a laminated body. In other words, it is preferable to have a structure in which a capacitive component is disposed further above the ground electrode on the upper side of the ground electrode sandwiching the transmission line, and an inductance component is disposed thereon. Moreover, it is preferable that the low-pass filter circuit and the branching circuit are configured in separate horizontal regions of the laminate.
[0015]
A ground electrode on the upper side of the ground electrode sandwiching the transmission line is provided with a notch, and a through hole is formed in the notch to be connected to the transmission line and connected to the upper branching circuit and the low-pass filter circuit. be able to.
[0016]
In the present invention, it is preferable to dispose a metal case so as to surround the chip component disposed on the laminate. The metal case is preferably mounted with the terminal electrode on the side surface of the laminate exposed. The metal case can be fixed to the upper surface of the laminate by soldering. Moreover, the high frequency switch module of this invention can be mounted with a mounter apparatus by this metal case.
[0017]
The present invention deals with a plurality of transmission / reception systems having different passbands, and will be described in detail below with reference to the drawings based on the case of handling two transmission / reception systems.
[0018]
A circuit block diagram of the first embodiment according to the present invention is shown in FIG. In FIG. 1, the multiband high-frequency switch module of the present invention is a portion surrounded by a broken line. Further, this part is made into one chip. The multiband high-frequency switch module according to the present invention has, for example, a dual-band mobile phone antenna ANT and GSM as a configuration corresponding to two systems: a GSM system as a first transmission / reception system and a DCS1800 system as a second transmission / reception system It can be used for distribution with the transmission / reception circuits of the system and the DCS system.
[0019]
The first embodiment is a high-frequency switch module that handles a first transmission / reception system (GSM) and a second transmission / reception system (DCS) having different passbands, and a transmission signal and a reception signal of the first transmission / reception system (GSM). First diode switch circuit for switching, a first low-pass filter circuit connected to the transmission line of the first diode switch circuit, and a second diode switch for switching the transmission signal and reception signal of the second transmission / reception system (DCS) A circuit, a second low-pass filter circuit connected to the transmission line of the second diode switch circuit, and a demultiplexing circuit for demultiplexing the first transmission / reception system and the second transmission / reception system.
[0020]
An equivalent circuit diagram of one embodiment according to the present invention is shown in FIG. The branching circuit portion connected to the antenna ANT has two notch circuits as main circuits. That is, the inductor LF1 and the capacitor CF1 are connected in parallel to form one notch circuit, and the inductor LF2 and the capacitor CF2 are connected in parallel to form another notch circuit. A capacitor CF3 connected to the ground is connected to one notch circuit. The capacitor CF3 is connected for the purpose of improving the low-pass filter characteristic of the demultiplexing characteristic. In addition, an inductor LF3 connected to the ground and a capacitor CF4 are connected in series to the other notch circuit. The inductor LF3 and the capacitor CF4 are connected for the purpose of improving the high-pass filter characteristic of the demultiplexing characteristic. This branching circuit may be only two notch circuits.
[0021]
Next, the first diode switch circuit will be described. The first diode switch circuit is a switch circuit on the upper side of FIG. 2 and switches between GSM transmission TX and reception RX. The switch circuit SW includes two diodes DG1 and DG2 and two transmission lines LG1 and LG2. The diode DG1 has an anode connected to the antenna ANT side, a cathode connected to the transmission TX side, and a ground connected to the cathode side. Is connected to the transmission line LG1. A transmission line LG2 is connected between the antenna side and the reception RX, a diode DG2 having a cathode connected to the reception side is connected, and a capacitor CG6 is connected between the anode of the diode DG2 and the ground, In the meantime, a series circuit of a resistor RG and an inductor LG is connected and connected to the control circuit VC1.
[0022]
The low-pass filter circuit inserted on the transmission TX circuit side includes an inductor LG3 and capacitors CG3, CG4, and CG7, and is inserted between the diode DG1 of the switch circuit SW and the transmission line LG1.
[0023]
Next, the second diode switch circuit will be described. The second diode switch circuit is a switch circuit on the lower side of FIG. 2 and switches between DCS transmission TX and reception RX. The switch circuit SW includes two diodes DP1 and DP2 and two transmission lines LP1 and LP2. The diode DP1 has an anode connected to the antenna ANT side, a cathode connected to the transmission TX side, and a ground connected to the cathode side. Is connected to the transmission line LP1. A transmission line LP2 is connected between the antenna side and the reception RX, a diode DP2 having a cathode connected to the reception RX side is connected, and a capacitor CP6 is connected between the anode of the diode DP2 and the ground. In between, a series circuit of a resistor RP and an inductor LP is connected and connected to the control circuit VC2.
[0024]
The low-pass filter circuit inserted on the transmission TX circuit side includes an inductor LP3 and capacitors CP3, CP4, and CP7, and is inserted between the diode DP1 of the switch circuit SW and the transmission line LP1.
[0025]
Next, FIG. 3 is a plan view of an embodiment according to the present invention, FIG. 4 is a perspective view of a laminate portion of the embodiment, and FIG. 5 is an internal structure of the laminate. In this embodiment, a transmission line for a demultiplexing circuit, a low-pass filter circuit, and a diode switch circuit is configured in a laminated body, and a diode and a chip capacitor are mounted on the laminated body, thereby forming a one-chip high-frequency switch for multiband. This is a module.
[0026]
The internal structure of this laminate will be described. For this laminate, a green sheet made of a ceramic dielectric material that can be fired at a low temperature is prepared, and a conductive paste mainly composed of Ag is printed on the green sheet to form a desired electrode pattern. It is constructed by laminating and firing together.
[0027]
This internal structure will be described according to the stacking order. First, the ground electrode 31 is formed on almost the entire surface of the lower green sheet 11. And the connection part for connecting with the terminal electrodes 81, 83, 85, 87, 89, 91, 93, 94, 95 formed in a side surface is provided.
[0028]
Next, a dummy green sheet 12 on which no electrode pattern is printed is laminated. Three line electrodes 41, 42, 43 are formed on the green sheet 13 thereon, and four line electrodes 44, 45, 46, 47 are formed on the green sheet 14 thereon. On top of that, a green sheet 15 on which two through-hole electrodes (the one with a cross mark in the figure is a through-hole electrode, the same applies hereinafter) is laminated, and a ground electrode 32 is formed thereon. The green sheets 16 are stacked.
[0029]
Line electrodes formed in a region sandwiched between the two ground electrodes 31 and 32 are appropriately connected to form a transmission line for the first and second diode switch circuits SW. The line electrodes 42 and 46 are connected by through-hole electrodes to constitute an equivalent circuit transmission line LG1, and the line electrodes 41 and 45 are connected by through-hole electrodes to constitute an equivalent circuit transmission line LG2, Reference numeral 47 is connected by a through-hole electrode, and constitutes an equivalent circuit transmission line LP1, and the line electrode 44 constitutes an equivalent circuit transmission line LP2.
[0030]
Capacitor electrodes 61, 62, 63, 64, 65, 66 are formed on the green sheet 17 laminated on the green sheet 16. Capacitor electrodes 67, 68, 69 and 70 are also formed on the green sheet 18 laminated thereon. Capacitor electrodes 71 are formed on the green sheet 19 laminated thereon.
[0031]
Furthermore, the green sheet 20 on which the line electrodes 48 and 49 are formed is laminated thereon, and the green sheet 21 on which the line electrodes 50, 51, 52, 53, 54, and 55 are formed is laminated thereon. . On the uppermost green sheet 22, lands 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 33, 34, 35, 36, and 37 for connecting mounted elements are formed.
[0032]
Capacitor electrodes 61, 62, 63, 64, and 65 of the green sheet 17 laminated on the green sheet 16 on which the upper earth electrode 32 is formed form a capacitance with the earth electrode 32, and the capacitor The electrode 61 is an equivalent circuit CG4, the capacitor electrode 62 is an equivalent circuit CG3, the capacitor electrode 63 is an equivalent circuit CP4, the capacitor electrode 64 is an equivalent circuit CP3, and the capacitor electrode 65 constitutes CF3 of an equivalent circuit.
[0033]
The capacitor electrodes formed on the green sheets 17, 18, 19 form a capacitance between them, and an equivalent circuit CF 4 is formed between the capacitor electrodes 66 and 70, and similarly between the capacitor electrodes 64 and 69. The equivalent circuit CP7 is formed, the equivalent circuit CG7 is formed between the capacitor electrodes 62 and 67, the equivalent circuit CF2 is formed between the capacitor electrodes 70 and 71, and the capacitor electrodes 68 and 71 are connected. Between them, an equivalent circuit CF1 is formed. In this capacitor electrode 66, a capacitance is formed facing the capacitor electrode 70, but at this time, a cutout portion is formed in the ground electrode 32 so as not to face the ground electrode 32. In addition, a through-hole electrode that is electrically connected to the transmission line is formed using this notch.
[0034]
In the green sheets 20 and 21, the line electrodes 48 and 55 constitute an equivalent circuit LF1, the line electrodes 54 and 56 constitute an equivalent circuit LF2, and the line electrodes 49 and 53 constitute an equivalent circuit LF3. The line electrode 50 constitutes an equivalent circuit LG3, and the line electrode 52 constitutes an equivalent circuit LP3. The line electrode 51 is a DC line.
[0035]
These green sheets were pressure-bonded and integrally fired to obtain a laminate. Terminal electrodes 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96 were formed on the side surface of this laminate. This external view is shown in FIG.
[0036]
On this laminate, diodes DG1, DG2, DP1, DP2, and chip capacitors CG1, CG6, CP1, CP6 were mounted. A chip inductor LP4 and a chip capacitor CP8 are mounted. The LC series circuit is connected to improve the isolation characteristic when the diode between the transmission TX of the switch circuit and the antenna ANT is OFF, but it is not always necessary to mount the LC series circuit. FIG. 3 is a plan view showing a state in which this mounting element is mounted. FIG. 3 also shows the mounting configuration of the high-frequency switch module. In FIG. 3, GRD means a terminal connected to the ground. In this embodiment, among the equivalent circuits shown in FIG. 2, CP2, CP5, CG2, CG5, RG, LG, RP, and LP are formed on the circuit on which the chip component of this embodiment is mounted. Further, the capacitor CP1 may be omitted.
[0037]
According to this embodiment, when the transmission lines of the first and second diode switch circuits are formed in the laminated body, they are arranged in a region sandwiched between the ground electrodes. As a result, interference between the diode switch circuit, the branching circuit, and the low-pass filter circuit is prevented. A region sandwiched between the ground electrodes is arranged at the lower part of the stacked body to make it easy to obtain the ground potential. And the electrode which comprises the capacitor | condenser connected between ground is formed facing the upper ground electrode.
[0038]
Further, in this embodiment, each terminal is formed on the side surface of the laminate, and has a structure capable of surface mounting. The ANT terminal, DCS TX terminal, GSM TX terminal, GSM RX terminal, and DCS RX terminal, which are high frequency terminals, are arranged so as not to be adjacent to each other. Between the high frequency terminals, a ground terminal ( GRD) or control terminals (VC1, VC2) are arranged. Further, at least one ground terminal is disposed between the high frequency terminals. In addition, at least one ground terminal is disposed on each side surface of the laminate.
[0039]
In addition, in the terminal electrode formed on the side surface of the laminate of this embodiment, the GSM transmission TX terminal and the reception RX are arranged on the opposite side of the antenna ANT terminal which is divided into two by the plane perpendicular to the mounting surface. A terminal, a DCS transmission TX terminal, and a reception RX terminal are formed. Further, on the opposite side, a GSM transmission TX terminal and a DCS transmission TX terminal are formed on one side of the half, and a GSM reception RX terminal and a DCS reception RX terminal are formed on the other side. Is formed.
[0040]
In the laminated body of this embodiment, the antenna ANT terminal formed on the side surface, the GSM transmission TX terminal, the reception RX terminal, the DCS transmission TX terminal, and the high frequency terminal of the reception RX terminal are all turned around the side surface. When viewed in the direction, it is sandwiched between ground terminals.
[0041]
According to an embodiment of the present invention, in a dual-band mobile phone that handles both bands of the GSM system and the DCS1800 system, the antenna ANT, the GSM transmission system, the reception system, the DCS1800 transmission system, and the reception system are switched. A multi-band high-frequency switch module capable of achieving the above has been obtained. Further, the present invention is not limited to the above embodiment, and a multiband high-frequency switch module that handles a plurality of transmission / reception systems having different passbands can be obtained.
[0042]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a multiband high-frequency switch module that is extremely useful in, for example, a dual-band mobile phone. According to the present invention, this multiband high-frequency switch module can be configured in a small size and in one chip by using a laminated structure. Thereby, in a dual band mobile phone etc., it becomes effective for size reduction of an apparatus.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit block diagram of an embodiment according to the present invention.
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of one embodiment according to the present invention.
FIG. 3 is a plan view of an embodiment according to the present invention.
FIG. 4 is a perspective view of a laminate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an internal structural view of a laminate according to one embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
11, 12, 13, 14, 15, 1, 17, 18, 19, 20, 21, 22: Dielectric green sheets 31, 32: Earth electrodes 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56: Line electrodes 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71: Capacitor electrodes 81, 82, 83, 84 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96: terminal electrodes

Claims (3)

アンテナを共用し、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信回路又は受信回路と前記アンテナとの接続を適宜切り換えるマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、
アンテナに接続され、複数の送受信系に信号を分波する分波回路、前記分波回路を介して前記アンテナと接続され各送受信系の送信系と受信系を切り換えるスイッチ回路と、前記送受信系の送信系に前記スイッチ回路と接続するローパスフィルタ回路を有し、
前記分波回路はインダクタンス成分と容量成分で構成され、
前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記アンテナ側と送信回路側との間に接続された第一のダイオードと、受信回路側とアース側との間に接続された第二のダイオードと、前記アンテナ側と前記受信回路側との間に配置され、前記第一のダイオードと前記第二のダイオードとを直列に接続する伝送線路を備え、
前記ローパスフィルタ回路はインダクタンス成分と容量成分で構成され、
前記分波回路のインダクタンス成分と容量成分、前記ローパスフィルタ回路のインダクタンス成分と容量成分及び前記スイッチ回路の伝送線路は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成され、
前記ダイオードは、前記積層体上に配置して構成され、
前記積層体において、複数の誘電体層の一面上には、前記分波回路の電極パターンと前記ローパスフィルタ回路の電極パターンが、前記積層体の水平方向の別領域に別れて形成されており、かつ、異なる誘電体層に形成された前記分波回路のインダクタンス成分の電極パターンと前記ローパスフィルタ回路のインダクタンス成分の電極パターンとが、積層方向に重なり合わないことを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
A multiband high-frequency switch module that switches the connection between the antenna and a plurality of transmission / reception systems of transmission / reception systems having different passbands and appropriately connecting the antenna,
Is connected to the antenna, a demultiplexer for demultiplexing the signal into a plurality of transmission and reception system, is connected to the antenna via the branching circuit and a switch circuit for switching the reception system and the transmission system of each transmission and reception system, the transceiver system A low-pass filter circuit connected to the switch circuit in the transmission system of
The branching circuit is composed of an inductance component and a capacitance component,
The switch circuit mainly includes a diode and a transmission line, and a first diode connected between the antenna side and the transmission circuit side, and a second diode connected between the reception circuit side and the ground side. And a transmission line disposed between the antenna side and the receiving circuit side, and connecting the first diode and the second diode in series,
The low-pass filter circuit is composed of an inductance component and a capacitance component,
An inductance component and a capacitance component of the branching circuit, an inductance component and a capacitance component of the low-pass filter circuit, and a transmission line of the switch circuit are configured by the electrode pattern in a laminate of an electrode pattern and a dielectric layer,
The diode is configured by being disposed on the stacked body,
In the stacked body, on one surface of a plurality of dielectric layers, the electrode pattern of the branching circuit and the electrode pattern of the low-pass filter circuit are formed separately in separate regions in the horizontal direction of the stacked body, and different formed in the dielectric layer was an electrode pattern of the inductance component of the branching circuit and the electrode pattern of the inductance component of the low-pass filter circuit, a high frequency switch for multi-band, wherein the non-overlapping in the lamination direction module.
前記積層体内にはグランド電極を有し、このグランド電極が形成された誘電体層にスルーホールが形成され、該スルーホールを介して当該グランド電極より上側に配置された回路素子(ダイオード)と下側に配置された回路素子(伝送線路)を接続することを特徴とする請求項1記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。The laminated body has a ground electrode, a through hole is formed in the dielectric layer on which the ground electrode is formed, and a circuit element ( diode ) disposed above the ground electrode through the through hole and the lower layer. 2. The multiband high-frequency switch module according to claim 1, wherein circuit elements ( transmission lines ) arranged on the side are connected. 前記スルーホールは、前記グランド電極に設けた切り欠き部に位置することを特徴とする請求項2記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。  3. The multiband high-frequency switch module according to claim 2, wherein the through hole is located in a notch provided in the ground electrode.
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