JP4170579B2 - 回折格子型偏光素子及びその製造方法 - Google Patents

回折格子型偏光素子及びその製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回折格子型偏光素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、回折格子型偏光素子として、例えばLiNbO3にプロトン交換を利用して製造するようにした回折格子型偏光素子が提案されている(例えば、特開昭63−55501号公報参照)。しかしながら、この偏光素子は高価な単結晶基板を用いる必要がある。
【0003】
この問題を解決するために、例えば、基板上に斜め蒸着法を用いて複屈折膜を形成し、さらに格子状にした偏光素子が提案されている(例えば、特開平5−289027号公報参照)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
格子状としたこの偏光素子の場合、高価な単結晶基板を用いる必要はないが、基板上に斜め蒸着法を用いて複屈折膜を形成後、エッチング等により複屈折膜を格子状に加工し、さらに誘電体材料を充填するというプロセスを経る必要があり、この誘電体材料の充填に際して空隙や欠陥が生じやすい。また、複屈折性誘電体材料と充填する誘電体材料との構造や組成の違いから残留応力や歪みが生じてしまう。さらには、充填した誘電体材料が剥離するという現象も生ずる等、種々の問題を抱えているのが現状である。
【0005】
そこで、本発明は、複屈折性を有する誘電体材料に誘電体材料(オーバーコート材料)を充填する際に生ずる残留応力や歪みを緩和し、充填した誘電体材料の剥離をも防止することができる回折格子型偏光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
請求項1記載の発明は、基板上の同一面上に2種類の誘電体領域を交互に有すことにより回折格子構造をなし、少なくとも一方の前記誘電体領域が複屈折性を有する誘電体材料により構成され、前記基板上に積層した複屈折性を有する前記誘電体材料と他方の前記誘電体領域の誘電体材料との界面に、これらの誘電体材料とは組成又は構造の異なる中間層を少なくとも1層以上挿入してなる回折格子型偏光素子の製造方法であって、複屈折性を有する誘電体材料の表面を処理することにより中間層を形成するようにしたことを特徴とする。
【0007】
従って、複屈折性を有する誘電体材料の表面を処理することにより複屈折性を有する誘電体材料と他方の誘電体領域の誘電体材料(オーバーコート材料)との界面に中間層を形成することで、残留応力もなく極めて剥離しにくい中間層を形成でき、より一層空隙や欠陥が生じにくく優れた特性を有する回折格子型偏光素子の製造方法を提供できる。
【0008】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の回折格子型偏光素子において、前記中間層が少なくとも高分子材料を含有することを特徴とする。
【0009】
従って、複屈折性を有する誘電体材料と他方の誘電体領域の誘電体材料(オーバーコート材料)との界面に中間層として高分子材料を挿入することにより、より一層空隙や欠陥が生じにくく優れた特性を有する回折格子型偏光素子を提供できる。
【0010】
請求項3記載の発明は、請求項2記載の回折格子型偏光素子において、前記高分子材料が少なくとも分子鎖の配向していない高分子材料を含有することを特徴とする。
【0011】
従って、複屈折性を有する誘電体材料と他方の誘電体領域の誘電体材料(オーバーコート材料)との界面に中間層として分子鎖の配向していない高分子材料を挿入することにより、より一層空隙や欠陥が生じにくく優れた特性を有する回折格子型偏光素子を提供できる。
【0016】
請求項記載の発明は、複屈折性を有する前記誘電体材料の表面処理に、熱処理を用いることを特徴とする
【0017】
従って、簡単で低コストな熱処理により請求項5記載の発明を容易に実現できる。
【0018】
請求項記載の発明は、複屈折性を有する前記誘電体材料の表面処理に、プラズマ処理を用いることを特徴とする。
【0019】
従って、中間層の寸法精度、膜厚制御、生産性に優れたプラズマ処理により請求項5記載の発明を容易に実現できる。
【0020】
請求項記載の発明は、複屈折性を有する前記誘電体材料の表面処理に、紫外線照射を用いることを特徴とする。
【0021】
従って、中間層の寸法精度、膜厚制御、生産性に優れた紫外線照射により請求項5記載の発明を容易に実現できる。
【0022】
請求項記載の発明は、複屈折性を有する前記誘電体材料の表面処理に、赤外線照射を用いることを特徴とする。
【0023】
従って、中間層の寸法精度、膜厚制御、生産性に優れた赤外線照射により請求項5記載の発明を容易に実現できる。
【0024】
請求項記載の発明は、複屈折性を有する前記誘電体材料の表面処理に、イオン注入を用いることを特徴とする。
【0025】
従って、中間層内部での組成及び構造の制御や傾斜制御等に適したイオン注入により請求項5記載の発明を容易に実現できる。
【0026】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態を図1に基づいて説明する。
図1(a)は、光学的に等方性な基板1上に複屈折性を有する誘電体材料2を積層した場合の断面概略図を示したものである。
【0027】
基板1上に積層する複屈折を有する誘電体材料2としては、有機物・無機物を問わず複屈折性を有するものが種々用いられているが、安定性及び量産性並びに製造コストを考慮した場合には高分子材料が好ましく、中でも、分子鎖の配向した高分子材料を用いるのが、中間層を形成する場合には有利である。分子鎖の配向した高分子材料としては、特にその分子量が限定されるわけでなく、複屈折性を有していれば問題ない。延伸、ラビング等を用いて分子鎖を配向し複屈折性を付与することができるが、分子鎖の配向に関してはこれらの方法に限ったわけではなく、他の方法を用いても差し支えない。
【0028】
図1(b)は、複屈折性を有する誘電体材料2を格子状に加工した場合の模式図である。格子状への加工は、公知の微細加工プロセス(例えば、フォトリソプロセス等)を用いることができるが、特にこの方法に限るわけではなく、他の方法を用いても差し支えない。また、格子状への加工は、図1(c)に示したような断面を有する場合、即ち、複屈折性を有する誘電体材料2を部分的に基板1に達するまで取り去ってしまう場合でも問題ない。
【0029】
ちなみに、従来にあっては、回折格子型偏光素子を形成するためには、この複屈折性を有する誘電体材料を上記のように格子状に加工した後、等方性の(複屈折性を有していない)誘電体材料(オーバーコート材料)を充填するというプロセスを経ていた。しかしながら、オーバーコート材料を、例えば、スパッタ法、蒸着法或いは塗布法といった方法を用いて充填する際には、空隙或いは欠陥等が生じやすく、格子の間隙を良好な状態で充填することが極めて困難であった。また、複屈折性を有する誘電体材料と充填するオーバーコート材料との構造や組成の違いから残留応力や歪みが生じていた。その結果、充填したオーバーコート材料が剥離するという現象も生じていた。また、オーバーコート材料として液体の樹脂等を塗布し、それを固化して充填する場合には、基板とオーバーコート材料或いは複屈折性を有する誘電体材料とオーバーコート材料との濡れ性を良好にするのが困難で、濡れ性を良好にできた場合にも、その屈折率が所望の値に調整できない等の問題が生じていたものである。
【0030】
この点、本実施の形態では、これらの問題を解決するために、複屈折性を有する誘電体材料2として分子鎖の配向した高分子材料を用い、この複屈折性を有する誘電体材料2とオーバーコート材料との界面に、両材料とは組成又は構造の異なる中間層3を少なくとも1層以上挿入するもので、特に好ましい中間層3及びその製造方法を提案するものである。この中間層3を適切に存在させることにより、欠陥の生成を防止し、残留応力や歪みを緩和でき、充填したオーバーコート材料の剥離等も防止することができる。
【0031】
図1(d)は、その一例の概略を示すもので、図1(a)(又は、図1(c))で示した複屈折性を有する誘電体材料2の表面に中間層3を構成した様子を模式的に示している。本実施の形態のように複屈折性を有する誘電体材料2として分子鎖の配向した高分子材料を用いる場合には、この中間層3は、少なくともその成分として高分子材料を含有する場合は残留応力等もなく剥離等も生じないため、好ましい。また、この高分子材料としては、少なくとも分子鎖の配向していない高分子材料をその成分として含有する場合はオーバーコート材料との間に残留応力等もなくオーバーコート材料の剥離等を抑制できるため、好ましい。
【0032】
ここで、中間層3は複屈折性を有する誘電体材料2上に積層或いは接着することにより形成できる。この場合、スパッタ或いは蒸着等の真空プロセスを用いることもできるし、塗布法等を用いてもよい。これ以外の方法を用いても問題なく、特に、複屈折性を有する誘電体材料2の表面を処理することにより、中間層3を形成する場合には、残留応力等もなく極めて剥離しにくい中間層3が形成できる。即ち、図1(a)で示した複屈折性を有する誘電体材料2の表面を処理することにより、図1(d)に示すような中間層3を形成するわけである。
【0033】
表面を処理する方法としては、方法の簡便さ並びに低コスト性を考慮した場合、熱処理が適切である。また、複屈折性を有する誘電体材料2として何を選択するかにもよるが、中間層3の寸法精度の向上及び膜厚制御性並びに生産性等を考慮した場合、プラズマ処理、紫外線照射、赤外線照射が適切である。また、中間層3の内部での組成及び構造の制御並びに傾斜等が必要な場合にはイオン注入が適切である。
【0034】
以上のような方法を用いて中間層3を形成した後、図1(e)示すようにオーバーコート材料(他の誘電体材料)4にてその表面を充填することにより、従来のようにオーバーコート材料4と複屈折性を有する誘電体材料2との界面に空隙及び各種欠陥を生じることなく、良好な回折格子型偏光素子を形成することができる。
【0035】
【実施例】
[実施例1]
1mm厚のガラス基板(コーニング7059)1上に膜厚30μmの延伸により分子鎖を配向させ複屈折性を有するポリイミド系樹脂膜(誘電体材料)2を接着した。さらにこの上に中間層3として、膜厚10μmの延伸を行わない分子鎖の配向していないポリイミド系樹脂膜を積層した。さらにオーバーコート材料(他の誘電体材料)4としてアクリル系樹脂をスピンコート法を用いて塗布し、光硬化させた。その断面構造は、図2に示した構成とした(試料A)。試料Aの断面を電子顕微鏡により観察したところ、中間層3とオーバーコート材料4であるアクリル系樹脂との界面に空隙等は生じていなかったものである。
【0036】
[比較例1]
実施例1において中間層3を形成しない以外は、実施例1と同様に試料を作製し、図2において中間層3のない構成とした(試料B)。試料Bの断面を電子顕微鏡により観察したところ複屈折性を有するポリイミド系樹脂膜(誘電体材料)2とオーバーコート材料4であるアクリル系樹脂との界面に空隙が観察されたものである。
【0037】
[実施例2]
1mm厚のガラス基板(コーニング7059)1上に膜厚10μmの複屈折性を有するポリイミド系樹脂膜(誘電体材料)2なる延伸膜を接着した。これにフォトリソグラフィー技術等を用いて格子状のマスクを積層し、エッチングによりポリイミド系樹脂膜2を格子状に加工した。これを400℃にて10分間熱処理することにより、格子状のポリイミド系樹脂膜2の表面に中間層3を形成した。さらにオーバーコート材料4としてアクリル系樹脂をスピンコート法を用いて塗布し、光硬化させることによりオーバーコート材料4をポリイミド系樹脂膜2の格子の溝に充填した。その断面構造は、図1(e)に示した構成とした(試料C)。試料Cの断面を電子顕微鏡により観察したところ中間層3とオーバーコート材料4との界面に空隙等は生じていなかったものである。また、偏光素子としての特性も良好であった。
【0038】
[比較例2]
実施例2において中間層3を形成しない(熱処理を行わない)以外は、実施例2と同様に図1(e)に示した構造の試料を作製した(試料D)。試料Dの断面を電子顕微鏡により観察したところ格子状のポリイミド系樹脂膜2とオーバーコート材料4であるアクリル系樹脂との界面に空隙が観察されたものである。
【0039】
[実施例3]
実施例2の中間層形成方法としてプラズマ処理を用いた以外は、実施例2と同様に図1(e)に示した構造の試料を作製した。ガスとしては酸素を用い、プラズマ電力は800Wとし、バイアス電力は100〜300Wまで変化させた(試料E)。試料Eの断面を電子顕微鏡により観察したところ中間層3とオーバーコート材料4との界面に空隙等は生じていなかった。比較例である試料Dと共に偏光素子としての特性を測定したところ、試料Eの方が良好となったものである。
【0040】
[実施例4]
1mm厚のガラス基板(コーニング7059)1上に膜厚20μmの複屈折性を有するポリエステル系樹脂膜2なる延伸膜を接着した。これにフォトリソグラフィー技術等を用いて格子状のマスクを積層し、エッチングによりポリエステル系樹脂膜2を格子状に加工した。これに紫外線を照射することにより、格子状のポリエステル系樹脂膜2の表面に中間層3を形成した。光源としては、308nmXeClエキシマレーザを使用し、エネルギー密度は0.02J/cm2とした。さらにオーバーコート材料4としてアクリル系樹脂をスピンコート法を用いて塗布し、光硬化させることによりオーバーコート材料4をポリエステル系樹脂膜2の格子の溝に充填した。その断面構造は、図1(e)に示した構成とした(試料F)。試料Fの断面を電子顕微鏡により観察したところ中間層3とオーバーコート材料4との界面に空隙等は生じていなかったものである。また、偏光素子としての特性も良好となったものである。
【0041】
[比較例3]
実施例4において中間層3を形成しない(紫外線照射を行わない)以外は、実施例4と同様に図1(e)に示した構造の試料を作製した(試料G)。試料Gの断面を電子顕微鏡により観察したところ比較例2と同様に格子状のポリエステル系樹脂膜2とオーバーコート材料4であるアクリル系樹脂との界面に空隙が観察されたものである。
【0042】
[比較例4]
試料Fと試料Gを恒温槽に入れ、温度を−20〜50℃で繰り返し変化させた。その結果、試料Gは、一部オーバーコート材料4であるアクリル系樹脂が剥離したが、試料Fにおいては樹脂の剥離が確認されなかったものである。
【0043】
[実施例5]
実施例4の中間層形成方法としてイオン注入を用いた以外は、実施例4と同様に図1(e)に示した構造の試料を作製した。イオン種としては酸素イオンを選択し、ドーズ量は1015〜1017/cm2で変化させ、加速エネルギーは50〜200keVまで変化させた(試料H)。試料Hの断面を電子顕微鏡により観察したところ中間層3とオーバーコート材料4との界面に空隙等は生じていなかったものである。比較例である試料Gと共に偏光素子としての特性を測定したところ、試料Hの方が良好となったものである。
【0044】
【発明の効果】
請求項1記載の発明によれば、複屈折性を有する誘電体材料の表面を処理することにより複屈折性を有する前記誘電体材料とオーバーコート材料との界面に中間層を形成するようにしたので、残留応力もなく極めて剥離しにくい中間層を形成でき、より一層空隙や欠陥が生じにくく優れた特性を有する回折格子型偏光素子の製造方法を提供することができる。
【0045】
請求項2記載の発明によれば、複屈折性を有する誘電体材料と他方の誘電体領域の誘電体材料(オーバーコート材料)との界面に中間層として高分子材料を挿入するようにしたので、より一層空隙や欠陥が生じにくく優れた特性を有する回折格子型偏光素子を提供することができる。
【0046】
請求項3記載の発明によれば、複屈折性を有する誘電体材料と他方の誘電体領域の誘電体材料(オーバーコート材料)との界面に中間層として分子鎖の配向していない高分子材料を挿入するようにしたので、より一層空隙や欠陥が生じにくく優れた特性を有する回折格子型偏光素子を提供することができる。
【0049】
請求項記載の発明によれば、簡単で低コストな熱処理により請求項5記載の発明を容易に実現することができる。
【0050】
請求項記載の発明によれば、中間層の寸法精度、膜厚制御、生産性に優れたプラズマ処理により請求項5記載の発明を容易に実現することができる。
【0051】
請求項記載の発明によれば、中間層の寸法精度、膜厚制御、生産性に優れた紫外線照射により請求項5記載の発明を容易に実現することができる。
【0052】
請求項記載の発明によれば、中間層の寸法精度、膜厚制御、生産性に優れた赤外線照射により請求項5記載の発明を容易に実現することができる。
【0053】
請求項記載の発明によれば、中間層内部での組成及び構造の制御や傾斜制御等に適したイオン注入により請求項5記載の発明を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態による偏光素子の製造過程を順に示す概略断面図である。
【図2】本発明の偏光素子の一実施例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 複屈折性を有する誘電体材料
3 中間層
4 他方の誘電体材料

Claims (8)

  1. 基板上の同一面上に2種類の誘電体領域を交互に有すことにより回折格子構造をなし、少なくとも一方の前記誘電体領域が複屈折性を有する誘電体材料により構成され、前記基板上に積層した複屈折性を有する前記誘電体材料と他方の前記誘電体領域の誘電体材料との界面に、これらの誘電体材料とは組成又は構造の異なる中間層を少なくとも1層以上挿入してなる回折格子型偏光素子の製造方法であって、
    複屈折性を有する誘電体材料の表面を処理することにより中間層を形成するようにしたことを特徴とする回折格子型偏光素子の製造方法
  2. 前記中間層が少なくとも高分子材料を含有することを特徴とする請求項1記載の回折格子型偏光素子の製造方法。
  3. 前記高分子材料が少なくとも分子鎖の配向していない高分子材料を含有することを特徴とする請求項2記載の回折格子型偏光素子の製造方法。
  4. 複屈折性を有する前記誘電体材料の表面処理に、熱処理を用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の回折格子型偏光素子の製造方法。
  5. 屈折性を有する前記誘電体材料の表面処理に、プラズマ処理を用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の回折格子型偏光素子の製造方法。
  6. 複屈折性を有する前記誘電体材料の表面処理に、紫外線照射を用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の回折格子型偏光素子の製造方法。
  7. 複屈折性を有する前記誘電体材料の表面処理に、赤外線照射を用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の回折格子型偏光素子の製造方法。
  8. 複屈折性を有する前記誘電体材料の表面処理に、イオン注入を用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の回折格子型偏光素子の製造方法。
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