JP2001249224A - 回折格子型偏光素子及びその製造方法 - Google Patents
回折格子型偏光素子及びその製造方法Info
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- JP2001249224A JP2001249224A JP2000061714A JP2000061714A JP2001249224A JP 2001249224 A JP2001249224 A JP 2001249224A JP 2000061714 A JP2000061714 A JP 2000061714A JP 2000061714 A JP2000061714 A JP 2000061714A JP 2001249224 A JP2001249224 A JP 2001249224A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 歩留まりが高く、かつ量産的に優れた安価な
偏光素子およびその製造方法の提供。 【解決手段】 基板１上の同一面上に交互に二種類の誘
電体膜領域が形成された回折格子構造を有し、かつ、前
記二種類の誘電体膜領域の少なくとも一方の領域が複屈
折性を有する誘電体膜材料２である回折格子型偏光素子
であって、前記回折格子構造が基板上に積層した複屈折
性を有する誘電体膜材料２に、光を照射し複屈折性を消
失させた領域３を形成することにより、二種類の誘電体
膜領域を交互に形成し回折格子構造を形成したものであ
ることを特徴とする回折格子型偏光素子、および基板上
に積層した複屈折率を有する誘電体膜材料に、光を照射
し複屈折率を消失させた領域を形成することにより、二
種類の誘電体膜領域を交互に形成し、回折格子構造を形
成することを特徴とする前記回折格子型偏光素子の製造
方法。
偏光素子およびその製造方法の提供。 【解決手段】 基板１上の同一面上に交互に二種類の誘
電体膜領域が形成された回折格子構造を有し、かつ、前
記二種類の誘電体膜領域の少なくとも一方の領域が複屈
折性を有する誘電体膜材料２である回折格子型偏光素子
であって、前記回折格子構造が基板上に積層した複屈折
性を有する誘電体膜材料２に、光を照射し複屈折性を消
失させた領域３を形成することにより、二種類の誘電体
膜領域を交互に形成し回折格子構造を形成したものであ
ることを特徴とする回折格子型偏光素子、および基板上
に積層した複屈折率を有する誘電体膜材料に、光を照射
し複屈折率を消失させた領域を形成することにより、二
種類の誘電体膜領域を交互に形成し、回折格子構造を形
成することを特徴とする前記回折格子型偏光素子の製造
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術】本発明は、回折格子型偏光素子及
びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、回折格子型偏光素子として、例えば
ＬｉＮｂＯ３にプロトン交換を利用して製造された回折
格子型偏光素子が提案されている（例えば特開昭６３−
５５５０１）。しかしながら、この偏光素子は高価な単
結晶基板を用いる必要があった。この問題を解決するた
めに、例えば、基板上に斜め蒸着法を用いて複屈折膜を
形成し、格子状にした偏光素子が提案されている（例え
ば特開平５−２８９０２７）。
ＬｉＮｂＯ３にプロトン交換を利用して製造された回折
格子型偏光素子が提案されている（例えば特開昭６３−
５５５０１）。しかしながら、この偏光素子は高価な単
結晶基板を用いる必要があった。この問題を解決するた
めに、例えば、基板上に斜め蒸着法を用いて複屈折膜を
形成し、格子状にした偏光素子が提案されている（例え
ば特開平５−２８９０２７）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の偏光素子は、高
価な単結晶基板を用いる必要はないが、基板上に斜め蒸
着法を用いて複屈折膜を形成後、エッチング等により複
屈折膜を格子状に加工し、さらに誘電体膜を充填すると
いう行程を経なければならず、その作製は容易なもので
はなかった。さらに、誘電体膜の充填に際して空隙や欠
陥が生じやすく、歩留まりの向上が困難であるという欠
点を有しているのが現状である。そこで本発明の目的
は、歩留まりが高く量産性に優れた安価な偏光素子及び
その製造方法を提供することにある。
価な単結晶基板を用いる必要はないが、基板上に斜め蒸
着法を用いて複屈折膜を形成後、エッチング等により複
屈折膜を格子状に加工し、さらに誘電体膜を充填すると
いう行程を経なければならず、その作製は容易なもので
はなかった。さらに、誘電体膜の充填に際して空隙や欠
陥が生じやすく、歩留まりの向上が困難であるという欠
点を有しているのが現状である。そこで本発明の目的
は、歩留まりが高く量産性に優れた安価な偏光素子及び
その製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１は、基板上
の同一面上に交互に二種類の誘電体膜領域が形成された
回折格子構造を有し、かつ、前記二種類の誘電体膜領域
の少なくとも一方の領域が複屈折性を有する誘電体膜材
料である回折格子型偏光素子であって、前記回折格子構
造が基板上に積層した複屈折性を有する誘電体膜材料
に、光を照射し複屈折性を消失させた領域を形成するこ
とにより、二種類の誘電体膜領域を交互に形成し回折格
子構造を形成したものであることを特徴とする回折格子
型偏光素子にある。本発明の第２は、誘電体膜材料が金
属酸化物であることを特徴とする前記第１の回折格子型
偏光素子にある。本発明の第３は、誘電体膜材料が高分
子材料であることを特徴とする前記第１〜２の回折格子
型偏光素子にある。本発明の第４は、光を照射すること
により複屈折性を消失させた領域の屈折率が、該複屈折
性を有する誘電体膜材料の常光屈折率あるいは異常光屈
折率のいずれかに等しい屈折率であることを特徴とする
前記第１〜３の回折格子型偏光素子にある。本発明の第
５は、基板上に積層した複屈折率を有する誘電体膜材料
に、光を照射し複屈折率を消失させた領域を形成するこ
とにより、二種類の誘電体膜領域を交互に形成し回折格
子構造を形成することを特徴とする前記第１〜４の回折
格子型偏光素子にある。本発明の第６は、金属酸化物誘
電体膜材料が斜め蒸着法により形成されたことを特徴と
する前記第５の回折格子型偏光素子の製造方法にある。
本発明の第７は、光の照射を行いながら斜め蒸着法によ
り金属酸化物誘電体膜材料を形成することにより、基板
上の同一面上に二種類の誘電体膜領域を交互に形成し回
折格子構造を形成することを特徴とする前記第６の回折
格子型偏光素子の製造方法にある。本発明の第８は、光
の照射と斜め蒸着を交互に行い金属酸化物誘電体膜材料
を形成することにより、基板上の同一面上に二種類の誘
電体膜領域を交互に形成し回折格子構造を形成すること
を特徴とする前記第６または７の回折格子型偏光素子の
製造方法にある。
の同一面上に交互に二種類の誘電体膜領域が形成された
回折格子構造を有し、かつ、前記二種類の誘電体膜領域
の少なくとも一方の領域が複屈折性を有する誘電体膜材
料である回折格子型偏光素子であって、前記回折格子構
造が基板上に積層した複屈折性を有する誘電体膜材料
に、光を照射し複屈折性を消失させた領域を形成するこ
とにより、二種類の誘電体膜領域を交互に形成し回折格
子構造を形成したものであることを特徴とする回折格子
型偏光素子にある。本発明の第２は、誘電体膜材料が金
属酸化物であることを特徴とする前記第１の回折格子型
偏光素子にある。本発明の第３は、誘電体膜材料が高分
子材料であることを特徴とする前記第１〜２の回折格子
型偏光素子にある。本発明の第４は、光を照射すること
により複屈折性を消失させた領域の屈折率が、該複屈折
性を有する誘電体膜材料の常光屈折率あるいは異常光屈
折率のいずれかに等しい屈折率であることを特徴とする
前記第１〜３の回折格子型偏光素子にある。本発明の第
５は、基板上に積層した複屈折率を有する誘電体膜材料
に、光を照射し複屈折率を消失させた領域を形成するこ
とにより、二種類の誘電体膜領域を交互に形成し回折格
子構造を形成することを特徴とする前記第１〜４の回折
格子型偏光素子にある。本発明の第６は、金属酸化物誘
電体膜材料が斜め蒸着法により形成されたことを特徴と
する前記第５の回折格子型偏光素子の製造方法にある。
本発明の第７は、光の照射を行いながら斜め蒸着法によ
り金属酸化物誘電体膜材料を形成することにより、基板
上の同一面上に二種類の誘電体膜領域を交互に形成し回
折格子構造を形成することを特徴とする前記第６の回折
格子型偏光素子の製造方法にある。本発明の第８は、光
の照射と斜め蒸着を交互に行い金属酸化物誘電体膜材料
を形成することにより、基板上の同一面上に二種類の誘
電体膜領域を交互に形成し回折格子構造を形成すること
を特徴とする前記第６または７の回折格子型偏光素子の
製造方法にある。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。図１は、光学的に等方性な基板１上
に複屈折性を有する誘電体膜材料２を積層した場合の断
面概略図を示したものである。基板１上に積層する複屈
折を有する誘電体膜材料２としては、有機物、無機物を
問わず複屈折性を有するもので有れば問題ないが、安定
性及び量産性を考慮すると金属酸化物あるいは高分子材
料が好ましい。金属酸化物としては、例えば、Ｔａ、
Ｗ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｓｎ等の酸化物を用いることができる
が特にこれらに限定されるものではなく、複屈折性を有
するものであれば問題ない。また、複数の金属の酸化物
（化合物）であっても良い。
を用いて説明する。図１は、光学的に等方性な基板１上
に複屈折性を有する誘電体膜材料２を積層した場合の断
面概略図を示したものである。基板１上に積層する複屈
折を有する誘電体膜材料２としては、有機物、無機物を
問わず複屈折性を有するもので有れば問題ないが、安定
性及び量産性を考慮すると金属酸化物あるいは高分子材
料が好ましい。金属酸化物としては、例えば、Ｔａ、
Ｗ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｓｎ等の酸化物を用いることができる
が特にこれらに限定されるものではなく、複屈折性を有
するものであれば問題ない。また、複数の金属の酸化物
（化合物）であっても良い。
【０００６】前記金属酸化物膜の形成も特に限定されな
いが、斜め蒸着法を用いて形成することにより複屈折性
を付与することが生産性の面からも好ましい。またこの
金属酸化物の形成は、行程全体を真空プロセスとするこ
とが可能で不純物も混入しにくいことから、さらに歩留
まりの向上が期待できる。高分子材料を誘電体膜材料と
して使用する場合についても、特にその分子量が限定さ
れるわけでなく、複屈折性を有していれば問題ない。も
ちろん、延伸、ラビング等を用いて複屈折性を付与した
材料を使用しても良いことはいうまでもない。前記高分
子材料としては、例えばポリイミド系材料、ポリエステ
ル系材料等の材料を用いることができるが、特にこれら
に限定されるものではない。
いが、斜め蒸着法を用いて形成することにより複屈折性
を付与することが生産性の面からも好ましい。またこの
金属酸化物の形成は、行程全体を真空プロセスとするこ
とが可能で不純物も混入しにくいことから、さらに歩留
まりの向上が期待できる。高分子材料を誘電体膜材料と
して使用する場合についても、特にその分子量が限定さ
れるわけでなく、複屈折性を有していれば問題ない。も
ちろん、延伸、ラビング等を用いて複屈折性を付与した
材料を使用しても良いことはいうまでもない。前記高分
子材料としては、例えばポリイミド系材料、ポリエステ
ル系材料等の材料を用いることができるが、特にこれら
に限定されるものではない。
【０００７】誘電体膜材料を、微細加工プロセスを用い
て格子状に加工した後、誘電体膜を充填するという行程
を経る従来法によると、例えばスパッタ法あるいは蒸着
法といった真空プロセスを用いる場合は、空隙あるいは
欠陥等が生じやすく、格子の間隙を良好な状態で充填す
ることが極めて困難であり、また、樹脂等の液相系を用
いて塗布し、それを固化して充填する場合には、基板及
び誘電体膜材料と樹脂との濡れ性を良好にするのが困難
で、濡れ性を良好にできた場合にも、その屈折率が所望
の値に調整できない等の問題が生じていた。本発明は、
前記従来技術で採用する誘電体膜材料を格子状に加工し
た後、誘電体膜を充填する、といったプロセスを用いる
ことなく、回折格子型偏光素子を製造できるものであ
る。
て格子状に加工した後、誘電体膜を充填するという行程
を経る従来法によると、例えばスパッタ法あるいは蒸着
法といった真空プロセスを用いる場合は、空隙あるいは
欠陥等が生じやすく、格子の間隙を良好な状態で充填す
ることが極めて困難であり、また、樹脂等の液相系を用
いて塗布し、それを固化して充填する場合には、基板及
び誘電体膜材料と樹脂との濡れ性を良好にするのが困難
で、濡れ性を良好にできた場合にも、その屈折率が所望
の値に調整できない等の問題が生じていた。本発明は、
前記従来技術で採用する誘電体膜材料を格子状に加工し
た後、誘電体膜を充填する、といったプロセスを用いる
ことなく、回折格子型偏光素子を製造できるものであ
る。
【０００８】図２は、図１の等方性基板１上に積層した
複屈折性を有する誘電体膜材料２に光照射を行うことに
よる、その複屈折性を消失した（等方性）領域３の形成
を模式的に示したものである。また、等方性基板１上に
複屈折性を有する誘電体膜材料２を積層後、光を照射す
る場合は、光の照射により、等方性となる誘電体膜の膜
厚は、誘電体膜の種類及び光照射の条件により変化す
る。特にエネルギー密度の大きい光を照射する場合に
は、自己破壊あるいはアブレーションが生じないように
光照射の条件を適切に調節しなければならない。
複屈折性を有する誘電体膜材料２に光照射を行うことに
よる、その複屈折性を消失した（等方性）領域３の形成
を模式的に示したものである。また、等方性基板１上に
複屈折性を有する誘電体膜材料２を積層後、光を照射す
る場合は、光の照射により、等方性となる誘電体膜の膜
厚は、誘電体膜の種類及び光照射の条件により変化す
る。特にエネルギー密度の大きい光を照射する場合に
は、自己破壊あるいはアブレーションが生じないように
光照射の条件を適切に調節しなければならない。
【０００９】本発明の偏光素子を作製する場合、複屈折
膜の常光および異常光に対する屈折率、膜厚、ならびに
等方性膜の屈折率を適切に調整する必要があるが、等方
性基板上に複屈折性を有する誘電体膜材料を積層後、光
を照射するだけでは、膜厚が適切に調整できない場合が
ある。その場合は、光を照射しながら斜め蒸着を行って
酸化物誘電体材料を積層する、または、光の照射と斜め
蒸着を交互に行うことにより酸化物誘電体材料を積層す
る手法が有効である。これにより任意に膜厚を調整する
ことが可能になり、偏光素子としての特性を向上するこ
とができる。
膜の常光および異常光に対する屈折率、膜厚、ならびに
等方性膜の屈折率を適切に調整する必要があるが、等方
性基板上に複屈折性を有する誘電体膜材料を積層後、光
を照射するだけでは、膜厚が適切に調整できない場合が
ある。その場合は、光を照射しながら斜め蒸着を行って
酸化物誘電体材料を積層する、または、光の照射と斜め
蒸着を交互に行うことにより酸化物誘電体材料を積層す
る手法が有効である。これにより任意に膜厚を調整する
ことが可能になり、偏光素子としての特性を向上するこ
とができる。
【００１０】図３は、図２で示した異方性膜の格子の上
面をも等方性誘電体材料３で覆った場合を模式的に示し
たものである。前記のような手法を採用することによ
り、従来のような等方性膜と異方性膜の間に空隙及び各
種欠陥を生じることなく、良好な偏光素子としての特性
が得られる。また、基板上に積層した複屈折性を有する
誘電体膜に光を照射することにより複屈折率を消失させ
た領域の屈折率が、常光屈折率あるいは異常光屈折率の
いずれかと等しくなるように調整することにより、偏光
素子としてより優れた特性を得ることができる。また、
これにより格子状部分のサイズに対する許容幅も大きく
なり、さらに歩留まりが向上し、量産性に富んだ製造方
法となる。
面をも等方性誘電体材料３で覆った場合を模式的に示し
たものである。前記のような手法を採用することによ
り、従来のような等方性膜と異方性膜の間に空隙及び各
種欠陥を生じることなく、良好な偏光素子としての特性
が得られる。また、基板上に積層した複屈折性を有する
誘電体膜に光を照射することにより複屈折率を消失させ
た領域の屈折率が、常光屈折率あるいは異常光屈折率の
いずれかと等しくなるように調整することにより、偏光
素子としてより優れた特性を得ることができる。また、
これにより格子状部分のサイズに対する許容幅も大きく
なり、さらに歩留まりが向上し、量産性に富んだ製造方
法となる。
【００１１】
【実施例】実施例１ １ｍｍ厚のガラス基板（コーニング７０５９）上に複屈
折性を有するＴａ２Ｏ ５を３μｍ斜め蒸着法を用いて積
層した（試料Ａ）。試料Ａに光の照射を行うことにより
複屈折性を消失し、Ｔａ２Ｏ５の複屈折領域と等方性領
域を交互に形成し格子状とした。光源としては、３０８
ｎｍＸｅＣｌエキシマレーザーを使用し、エネルギー密
度は、０．２Ｊ／ｃｍ２とした。光照射後さらに通常の
蒸着を行うことにより、等方性のＴａ２Ｏ５を積層し図
３に示した構成とした（試料Ｂ）。試料Ｂの断面を電子
顕微鏡により観察したところ空隙等は生じていなかっ
た。また、偏光素子としての特性も良好であった。
折性を有するＴａ２Ｏ ５を３μｍ斜め蒸着法を用いて積
層した（試料Ａ）。試料Ａに光の照射を行うことにより
複屈折性を消失し、Ｔａ２Ｏ５の複屈折領域と等方性領
域を交互に形成し格子状とした。光源としては、３０８
ｎｍＸｅＣｌエキシマレーザーを使用し、エネルギー密
度は、０．２Ｊ／ｃｍ２とした。光照射後さらに通常の
蒸着を行うことにより、等方性のＴａ２Ｏ５を積層し図
３に示した構成とした（試料Ｂ）。試料Ｂの断面を電子
顕微鏡により観察したところ空隙等は生じていなかっ
た。また、偏光素子としての特性も良好であった。
【００１２】比較例１ 実施例１の試料Ａ上にフォトリソグラフィー技術等を用
いて格子状のマスクを積層し、エッチングによりＴａ２
Ｏ５を格子状に加工した。これにさらに通常の蒸着法を
用いて等方性のＴａ２Ｏ５を格子の溝が充分埋まるまで
積層した（試料Ｃ）。上記の試料Ｃにおいて、蒸着法の
変わりにスパッタ法を用いて等方性のＴａ２Ｏ５を積層
した以外は、試料Ｃと同様の製造法でを作製した（試料
Ｄ）。上記の試料Ｃにおいて、等方性のＴａ２Ｏ５を積
層する変わりに、屈折率が１．７２のアクリル系樹脂を
スピンコート法を用いて塗布し、さらに紫外線照射によ
って樹脂を硬化させることによりＴａ２Ｏ５の格子の溝
を充填した（試料Ｅ）。試料ＢからＥのそれぞれにおい
て空隙の有無、表面の平坦性、偏光素子としての特性を
評価した結果を下表１に示す。
いて格子状のマスクを積層し、エッチングによりＴａ２
Ｏ５を格子状に加工した。これにさらに通常の蒸着法を
用いて等方性のＴａ２Ｏ５を格子の溝が充分埋まるまで
積層した（試料Ｃ）。上記の試料Ｃにおいて、蒸着法の
変わりにスパッタ法を用いて等方性のＴａ２Ｏ５を積層
した以外は、試料Ｃと同様の製造法でを作製した（試料
Ｄ）。上記の試料Ｃにおいて、等方性のＴａ２Ｏ５を積
層する変わりに、屈折率が１．７２のアクリル系樹脂を
スピンコート法を用いて塗布し、さらに紫外線照射によ
って樹脂を硬化させることによりＴａ２Ｏ５の格子の溝
を充填した（試料Ｅ）。試料ＢからＥのそれぞれにおい
て空隙の有無、表面の平坦性、偏光素子としての特性を
評価した結果を下表１に示す。
【００１３】
【表１】 前表中、○は、偏光素子としての特性が非常に優れてい
る、△は、偏光素子としては機能しているが、その特性
は優れたものではない、という評価を示す。このように
本発明の製造方法で形成した偏光素子は、空隙が無く、
表面も平坦で、偏光素子としての特性も良好であること
がわかる。
る、△は、偏光素子としては機能しているが、その特性
は優れたものではない、という評価を示す。このように
本発明の製造方法で形成した偏光素子は、空隙が無く、
表面も平坦で、偏光素子としての特性も良好であること
がわかる。
【００１４】実施例２ 実施例１における試料Ｂの製造法において最後に通常の
蒸着を行う変わりに、さらに複屈折性を有する領域（光
を照射していない部分）の表面に光を照射することによ
り図３に示した構成とした（試料Ｆ）。試料Ｆの断面を
電子顕微鏡により観察したところ空隙等は生じていなか
った。また、偏光素子としての特性も良好であった。
蒸着を行う変わりに、さらに複屈折性を有する領域（光
を照射していない部分）の表面に光を照射することによ
り図３に示した構成とした（試料Ｆ）。試料Ｆの断面を
電子顕微鏡により観察したところ空隙等は生じていなか
った。また、偏光素子としての特性も良好であった。
【００１５】実施例３ １ｍｍ厚のガラス基板（コーニング７０５９）上に複屈
折性を有するＴａ２Ｏ ５を０．３μｍ斜め蒸着法を用い
て積層し、これに光照射を行うという行程を１０回繰り
返し、３μｍ厚とした。光照射の条件は実施例１と同様
にした。これによりＴａ２Ｏ５の複屈折領域と等方性領
域が交互に形成され格子状となった。さらに実施例３と
同様に複屈折性を有する領域（光を照射していない部
分）の表面に光を照射することにより図３に示した構成
とした（試料Ｇ）。試料Ｇの断面を電子顕微鏡により観
察したところ空隙等は生じていなかった。また、偏光素
子としての特性も良好であった。
折性を有するＴａ２Ｏ ５を０．３μｍ斜め蒸着法を用い
て積層し、これに光照射を行うという行程を１０回繰り
返し、３μｍ厚とした。光照射の条件は実施例１と同様
にした。これによりＴａ２Ｏ５の複屈折領域と等方性領
域が交互に形成され格子状となった。さらに実施例３と
同様に複屈折性を有する領域（光を照射していない部
分）の表面に光を照射することにより図３に示した構成
とした（試料Ｇ）。試料Ｇの断面を電子顕微鏡により観
察したところ空隙等は生じていなかった。また、偏光素
子としての特性も良好であった。
【００１６】実施例４ １ｍｍ厚のガラス基板（コーニング７０５９）上に複屈
折性を有するポリイミド系樹脂（膜厚１０μｍ）を積層
した。これに光の照射を行うことにより複屈折性を消失
し、ポリイミド系樹脂の複屈折領域と等方性領域を交互
に形成し格子状とした。光源としては、３０８ｎｍＸｅ
Ｃｌエキシマレーザーを使用し、エネルギー密度は有機
物であることを考慮し、０．０２Ｊ／ｃｍ２とした。さ
らに複屈折性を有する領域（光を照射していない部分）
の表面にも光を照射することにより図４に示した構成と
した（試料Ｈ）。試料Ｈの断面を電子顕微鏡により観察
したところ空隙等は生じていなかった。また、偏光素子
としての特性も良好であった。
折性を有するポリイミド系樹脂（膜厚１０μｍ）を積層
した。これに光の照射を行うことにより複屈折性を消失
し、ポリイミド系樹脂の複屈折領域と等方性領域を交互
に形成し格子状とした。光源としては、３０８ｎｍＸｅ
Ｃｌエキシマレーザーを使用し、エネルギー密度は有機
物であることを考慮し、０．０２Ｊ／ｃｍ２とした。さ
らに複屈折性を有する領域（光を照射していない部分）
の表面にも光を照射することにより図４に示した構成と
した（試料Ｈ）。試料Ｈの断面を電子顕微鏡により観察
したところ空隙等は生じていなかった。また、偏光素子
としての特性も良好であった。
【００１７】
【発明の効果】１．請求項１ 空隙や欠陥が生じにくいため歩留まりが高く且つ量産性
に優れた偏光素子が提供できた。 ２．請求項２ 全て真空プロセスとすることが可能で不純物が混入しに
くく、空隙や欠陥が生じにくいため歩留まりが高く且つ
量産性に優れた偏光素子が提供できた。 ３．請求項３ 空隙や欠陥が生じにくいため歩留まりが高く且つ量産性
に優れた偏光素子が提供できた。 ４．請求項４ さらに、歩留まりが高く且つ量産性に優れた偏光素子が
提供できた。 ５．請求項５ 空隙や欠陥が生じにくいため歩留まりが高く且つ量産性
に優れた偏光素子の製造方法が提供できた。 ６．請求項６ 全て真空プロセスとすることが可能で不純物が混入しに
くく、空隙や欠陥が生じにくいため歩留まりが高く且つ
量産性に優れた偏光素子の製造方法が提供できた。 ７．請求項７〜８ 誘電体の膜厚すなわち格子の深さが任意に調整でき優れ
た特性を有する偏光素子の製造方法が提供できた。
に優れた偏光素子が提供できた。 ２．請求項２ 全て真空プロセスとすることが可能で不純物が混入しに
くく、空隙や欠陥が生じにくいため歩留まりが高く且つ
量産性に優れた偏光素子が提供できた。 ３．請求項３ 空隙や欠陥が生じにくいため歩留まりが高く且つ量産性
に優れた偏光素子が提供できた。 ４．請求項４ さらに、歩留まりが高く且つ量産性に優れた偏光素子が
提供できた。 ５．請求項５ 空隙や欠陥が生じにくいため歩留まりが高く且つ量産性
に優れた偏光素子の製造方法が提供できた。 ６．請求項６ 全て真空プロセスとすることが可能で不純物が混入しに
くく、空隙や欠陥が生じにくいため歩留まりが高く且つ
量産性に優れた偏光素子の製造方法が提供できた。 ７．請求項７〜８ 誘電体の膜厚すなわち格子の深さが任意に調整でき優れ
た特性を有する偏光素子の製造方法が提供できた。
【図１】本発明の偏光素子製造過程の一例の概略断面図
である。
である。
【図２】本発明の偏光素子製造過程の一例の概略断面図
である。
である。
【図３】本発明の偏光素子製造過程の一例の概略断面図
である。
である。
【図４】本発明の偏光素子製造過程の一例の概略断面図
である。
である。
１ 等方性基板 ２ 複屈折性誘電体膜材料 ３ 等方性誘電体膜材料
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上の同一面上に交互に二種類の誘電
体膜領域が形成された回折格子構造を有し、かつ、前記
二種類の誘電体膜領域の少なくとも一方の領域が複屈折
性を有する誘電体膜材料である回折格子型偏光素子であ
って、前記回折格子構造が基板上に積層した複屈折性を
有する誘電体膜材料に、光を照射し複屈折性を消失させ
た領域を形成することにより、二種類の誘電体膜領域を
交互に形成し回折格子構造を形成したものであることを
特徴とする回折格子型偏光素子。 - 【請求項２】 誘電体膜材料が金属酸化物であることを
特徴とする請求項１記載の回折格子型偏光素子。 - 【請求項３】 誘電体膜材料が高分子材料であることを
特徴とする請求項１記載の回折格子型偏光素子。 - 【請求項４】 光を照射することにより複屈折性を消失
させた領域の屈折率が、該複屈折性を有する誘電体膜材
料の常光屈折率あるいは異常光屈折率のいずれかに等し
い屈折率であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
かに記載の回折格子型偏光素子。 - 【請求項５】 基板上に積層した複屈折率を有する誘電
体膜材料に、光を照射し複屈折率を消失させた領域を形
成することにより、二種類の誘電体膜領域を交互に形成
し、回折格子構造を形成することを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載の回折格子型偏光素子の製造方
法。 - 【請求項６】 金属酸化物誘電体膜材料が斜め蒸着法に
より形成されたことを特徴とする請求項５記載の回折格
子型偏光素子の製造方法。 - 【請求項７】 光の照射を行いながら斜め蒸着法により
金属酸化物誘電体膜材料を形成することにより、基板上
の同一面上に二種類の誘電体膜領域を交互に形成し回折
格子構造を形成することを特徴とする請求項６記載の回
折格子型偏光素子の製造方法。 - 【請求項８】 光の照射と斜め蒸着を交互に行い金属酸
化物誘電体膜材料を形成することにより、基板上の同一
面上に二種類の誘電体膜領域を交互に形成し回折格子構
造を形成することを特徴とする請求項６または７記載の
回折格子型偏光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000061714A JP2001249224A (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 回折格子型偏光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000061714A JP2001249224A (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 回折格子型偏光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001249224A true JP2001249224A (ja) | 2001-09-14 |
Family
ID=18581815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000061714A Pending JP2001249224A (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 回折格子型偏光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001249224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012185499A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Vusense Corp | マイクロリターダフィルムを形成するための方法 |
-
2000
- 2000-03-07 JP JP2000061714A patent/JP2001249224A/ja active Pending
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