JP4166754B2 - 限定再生式記憶媒体とそのデータアクセスを制限する方法 - Google Patents

限定再生式記憶媒体とそのデータアクセスを制限する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4166754B2
JP4166754B2 JP2004534234A JP2004534234A JP4166754B2 JP 4166754 B2 JP4166754 B2 JP 4166754B2 JP 2004534234 A JP2004534234 A JP 2004534234A JP 2004534234 A JP2004534234 A JP 2004534234A JP 4166754 B2 JP4166754 B2 JP 4166754B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
storage medium
polycarbonate
layer
limited
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004534234A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005538483A5 (ja
JP2005538483A (ja
Inventor
ウィスヌーデル,マーク・ブライアン
オルソン,ダニエル・ロバート
ランス,ヤン・プレーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2005538483A publication Critical patent/JP2005538483A/ja
Publication of JP2005538483A5 publication Critical patent/JP2005538483A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4166754B2 publication Critical patent/JP4166754B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • G11B7/2534Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • G11B7/2535Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polyesters, e.g. PET, PETG or PEN
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • G11B7/2585Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21Circular sheet or circular blank
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31507Of polycarbonate

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
  • Indexing, Searching, Synchronizing, And The Amount Of Synchronization Travel Of Record Carriers (AREA)
  • Management Or Editing Of Information On Record Carriers (AREA)

Description

【技術分野】
【0001】
本発明は記憶媒体に関する。さらに具体的には、本発明は限定再生式記憶媒体に関する。
【背景技術】
【0002】
光媒体、磁気媒体及び光磁気媒体は、記憶量1メガバイト当たり手頃な価格で高い記憶容量を可能にする高性能記憶技術の主要資源である。光媒体の使用は、コンパクトディスク(CD)、DVD−5やDVD−9のような多層構造及びDVD−10やDVD−18のような多面フォーマットを始めとするデジタルバーサタイルディスク(DVD)、光磁気ディスク(MO)、並びにCD−R、CD−RW、DVD−R、DVD−RW、DVD+RW、DVD−RAMなどの他の追記型及び書換型フォーマットのようなフォーマット(以下、総称して「情報記憶媒体」という。)でオーディオ、ビデオ及びコンピューターデータ用途に広く普及している。これらのフォーマットでは、データはデジタルデータ列として基板にエンコードされる。CDのような光媒体用プリレコ−ド式媒体では、データは、通例、射出成形、スタンピングなどの方法でプラスチック基板表面に形成されたピット又は溝である。
【0003】
用途によっては、光ディスクの寿命を制限するのが望ましい。例えば、ソフトウェアの購入を勧誘するため、試用コンピュータープログラムが潜在的顧客に提供される。かかるプログラムは、限られた期間内での使用を意図したものである。さらに、現在、音楽及び映画が限定期間レンタルされている。こうした各用途では、期間満了時にディスクを返却しなければならない。レンタル期間終了時に返却する必要のない機械読取可能な光ディスクに対するニーズが存在している。限定再生式ディスクは、こうした問題に対する解決策を提供する。
【0004】
限定再生式ディスクは、様々な方式で製造されている。一つの方法は、反射層が所定期間経過後に酸化されてしまうように反射層を多孔質層で保護したディスクを形成することからなる。反射層が一定の酸化レベルに達すると、ディスクは読取不能となる。上記その他の限定再生技術に関する問題は、こうした技術が無効化し得ることである。光ディスクに再生制限を付与する方法が顧客又は零細企業によって容易に無効化できれば、ディスクはもはや「限定再生式」ではなくなる。例えば、コーティング又は材料によって光ディスクを再生不能にしている場合には、そのコーティング及び/又は材料を単に除去又は変性するだけで、無制限に使用できるディスクを得ることができる。
【0005】
映画スタジオ側には、知的財産を保護する強い要望がある。簡単に無効化されて無制限に使用できる情報記憶媒体となりかねない限定再生式情報記憶媒体を商品化すれば、知的財産の損失という容認できないリスクを生じるであろう。
【特許文献】
米国特許第4906498号明細書
【特許文献】
米国特許第6343063号明細書
【特許文献】
欧州特許出願公開第385341号明細書
【特許文献】
特開昭59−124891号公報
【特許文献】
特開平02−018728号公報
【特許文献】
特開平02−037539号公報
【特許文献】
国際公開第01/93257号パンフレット
【0006】
本発明は、a)第1の基板、b)反射層、c)基板と反射層の間に設けられたデータ層、d)1種以上のキャリアと1種以上の反応性材料からなる反応性層、及びe)25℃における酸素透過率が約0.01〜約1.35Barrerの光学的に透明な第2の基板であって、反応性層とレーザー入射面の間にある第2の基板、を備えるデータ用限定再生式光記憶媒体を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
本明細書及び特許請求の範囲では多くの用語を用いるが、以下の意味を有するものと定義される。
【0008】
単数形で記載したものであっても、前後関係から明らかでない限り、複数の場合も含めて意味する。
【0009】
「適宜」という用語は、その用語に続いて記載された事象又は状況が起きても起きなくてもよいことを意味しており、かかる記載はその事象又は状況が起こる場合と起こらない場合を包含する。
【0010】
「再生時間」とは、再生装置において限定再生式情報記憶媒体を誤りなく再生できる合計時間として定義される。
【0011】
今回、25℃における酸素透過率が約0.01〜約1.35Barrerの光学的に透明な基板を用いることによって、限定再生式情報記憶媒体の再生時間を効果的に延長できることが判明した。なお、1Barrer=10−10cm(STP)・cm/cm・s・cmHgである。光学的に透明な基板は、反応性層とレーザー入射面の間に位置し、「第2基板」と呼ばれる。酸素に曝露されると、例えばロイコメチレンブルーのように基本的に無色の反応性材料が酸化されて、不透明又は半透明層(例えば、濃青色染料であるメチレンブルー)を形成する。不透明/半透明層を有する情報記憶媒体は、もはや媒体再生装置では再生できない。その不透明化に要する時間を調整することによって、色素層を用いて所定の用途に望ましい寿命をもつ限定再生式情報記憶媒体を得ることができる。色素層が当初厚さ0.5〜0.7mmの第2基板によって空気から隔離されている場合、25℃における酸素透過率が約0.01〜約1.35Barrerの基板を用いると、第二基板の酸素透過率が約1.35Barrerを上回る情報記憶媒体を用いたときに比べて、色素層が不透明になるまでの時間がかなり延びる。
【0012】
色素層の不透明化までの時間を延長する第2基板の有効性は、酸素が第2基板を通して反応性色素層中に拡散する速度にある程度依存する。第2基板を通して酸素の漏れが始まるのは、次式で概算されるラグ時間(Crank, The Mathematics ofDiffusion, 2nd ed., Oxford University Press, 1975)の後である。
【0013】
/(6D) (数式1)
式中、Lは第2基板の厚さ、Dは第2基板における酸素の拡散係数である。拡散係数Dは透過率Pと溶解度SからD=P/Sによって得ることができ、ポリカーボネート中の酸素に関してはSは典型的には6.69×10−3[cc]/([cc][cmHg])(Encyclopedia of Polymer Science,vol VI,p.568)である。なお、Dはcm/s単位である。第2基板の厚さが0.6mmで、第2基板の材料が酸素透過率1.39Barrer及び拡散係数2.1×10−8cm/sのポリカーボネートである場合、ラグ時間は約8時間である。しかし、拡散係数が0.7×10−8cm/sに低下すると、溶解度が変化しなければ透過率は約0.47Barrerとなり、ラグ時間は約24時間になる。
【0014】
ある種の光媒体フォーマットでは、第2基板の厚さはDVDに関して規定された範囲から変更されることがある。例えば、提案されているブルーレイビデオディスクでは、データ層は100μmの膜によって空気から隔離される。この場合、十分な拡散ラグ時間を得るには膜の透過率を低くする必要がある。例えば、透過率1.39Barrerの100μm厚のポリカーボネート膜を用いると、ラグ時間は13分と予想される。透過率0.013Barrerの膜では、ラグ時間は24時間と予想される。
【0015】
情報記憶媒体は、読取りレーザー波長での複屈折が低く光透過率の高い(即ち、光媒体装置で読取り可能な)第2基板を備える。通例、読取りレーザー波長は約390〜約430nmの範囲内(青色及び青紫色レーザー)又は約630〜約650nmの範囲内(赤色レーザー)にある。第2基板は、情報記憶媒体を媒体装置で読取ることができるように十分な光学的透明度(例えば、約±100nm以下の複屈折)を有する材料からなる。理論的には、こうした性質を示すものであれば、どのようなプラスチック材料でも第2基板として使用できる。
【0016】
情報記憶媒体は、第2基板、第1の基板、反応性層、データ層及び反射層を備える。情報記憶媒体は、さらに光吸収層及び接着層を含んでいてもよい。第1基板及び第2基板に用いられるプラスチック材料は、後段の加工プロセス(例えば、後続層の設層)のパラメーター、例えばほぼ室温(約25℃)から約150℃までのスパッタリング温度、後の保存条件(例えば、温度約70℃にも至る高温自動車内)に耐え得るべきである。即ち、プラスチック材料は各種の層の堆積工程及びエンドユーザーによる保存の際の変形を防ぐのに十分な熱安定性をもつことが望ましい。使用可能なプラスチック材料には、ガラス転移温度が約100℃以上、好ましくは約125℃以上、さらに好ましくは約140℃以上、さらに一段と好ましくは約200℃以上の熱可塑性樹脂(例えば、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルスルホン、ポリフェニレンエーテル、ポリイミド、ポリカーボネートなど)があるが、ガラス転移温度が約250℃を超える材料がさらに好ましく、特にm−フェニレンジアミンをスルホンジアニリン又はオキシジアニリンで置換したポリエーテルイミド、並びにポリイミド、及びこれらのプラスチック材料の1種以上を含む組合せなどが挙げられる。一般に、ポリカーボネートが用いられる。
【0017】
第1基板及び第2基板の材料として可能な例を幾つか挙げると、非晶質材料、結晶質材料及び半結晶質熱可塑性材料、例えばポリ塩化ビニル、ポリオレフィン(特に限定されないが、線状及び環状ポリオレフィンを包含し、ポリエチレン、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレンなど)、ポリエステル(特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリシクロヘキシルメチレンテレフタレートなど)、ポリアミド、ポリスルホン(特に限定されないが、水素化ポリスルホンなど)、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ABS樹脂、ポリスチレン(特に限定されないが、水素化ポリスチレン、シンジオタクチック及びアタクチックポリスチレン、ポリシクロヘキシルエチレン、スチレン−コ−アクリロニトリル、スチレン−コ−無水マレイン酸など)、ポリブタジエン、ポリアクリレート(特に限定されないが、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、メチルメタクリレート−ポリイミド共重合体など)、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル(特に限定されないが、2,6−ジメチルフェノール由来のもの、2,3,6−トリメチルフェノールとの共重合体など)、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、液晶ポリマー、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、芳香族ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン及びテトラフルオロエチレン(例えば、テフロン(登録商標))などがあるが、これらに限定されない。
【0018】
本明細書で用いる「ポリカーボネート」及び「ポリカーボネート組成物」という用語は、次の式(I)の構造単位を有する組成物を包含する。
【0019】
【化1】
【0020】
式中、R基の総数の約60%以上は芳香族有機基であり、その残部は脂肪族、脂環式又は芳香族基である。好ましくは、Rは芳香族有機基であり、さらに好ましくは次の式(II)の基である。
【0021】
【化2】
【0022】
式中、A及びAは各々単環式二価アリール基であり、YはAとAとの0、1又は2個の原子が介在する橋かけ基である。例示的な実施形態では、AとAは1個の原子で隔てられる。この種の基の非限定的な具体例には、−O−、−S−、−S(O)−、−S(O)−、−C(O)−、メチレン、シクロヘキシルメチレン、2−[2.2.1]−ビシクロヘプチリデン、エチリデン、イソプロピリデン、ネオペンチリデン、シクロヘキシリデン、シクロペンタデシリデン、シクロドデシリデン、アダマンチリデンなどがある。別の実施形態では、AとAとを隔てる原子は存在せず、その具体例はビフェノールである。橋かけ基Yは、炭化水素基又は飽和炭化水素基(例えばメチレン、シクロヘキシリデン又はイソプロピリデン)でもよいし、−O−や−S−のようなヘテロ原子でもよい。
【0023】
ポリカーボネートは、AとAが1原子のみで隔てられたジヒドロキシ化合物の反応によって製造できる。本明細書で用いる「ジヒドロキシ化合物」という用語には、例えば、次の一般式(III)を有するビスフェノール化合物が包含される。
【0024】
【化3】
【0025】
式中、R及びRは各々独立に水素、ハロゲン原子又は一価炭化水素基を表し、p及びqは各々独立に0〜4の整数であり、Xは以下の式(IV)の基のいずれかを表す。
【0026】
【化4】
【0027】
式中、R及びRは各々独立に水素原子又は一価線状若しくは環状炭化水素基を表し、Rは二価炭化水素基である。
【0028】
適当なジヒドロキシ化合物の幾つかの代表的な非限定例としては、米国特許第4217438号に名称又は式(一般式若しくは具体的式)で開示されているような二価フェノール及びジヒドロキシ置換芳香族炭化水素がある。式(III)で表されるビスフェノール化合物の具体例を例示すると、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(以下、「ビスフェノールA」又は「BPA」という。)、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)n−ブタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)フェニルメタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン(以下、「DMBPA」という。)、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−t−ブチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−ブロモフェニル)プロパンのようなビス(ヒドロキシアリール)アルカン、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、9,9′−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9′−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、4,4′−ビフェノール、並びに1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンや1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロヘキサン(以下、「DMBPC」又は「BCC」という。)のようなビス(ヒドロキシアリール)シクロアルカン、並びにこれらのビスフェノール化合物の1種以上を含む組合せが挙げられる。
【0029】
また、ホモポリマーではなくカーボネートコポリマーの使用が望まれる場合には、2種以上の二価フェノールの重合で得られるポリカーボネート、或いは二価フェノールとグリコール、ヒドロキシ末端若しくは酸末端ポリエステル、二塩基酸、ヒドロキシ酸又は脂肪族二酸との共重合体を使用することもできる。一般に、有用な脂肪族二酸は炭素原子数約2〜約40のものである。好ましい脂肪族二酸はドデカン二酸である。
【0030】
ポリアリーレート及びポリエステル−カーボネート樹脂又はこれらのブレンドも使用できる。枝分れポリカーボネート並びに線状ポリカーボネートと枝分れポリカーボネートのブレンドも有用である。枝分れポリカーボネートは、重合時に枝分れ剤を添加することによって製造できる。
【0031】
こうした枝分れ剤は周知であって、3個以上の官能基を有する多官能性有機化合物及びそれらの混合物があり、官能基としては、ヒドロキシル、カルボキシル、無水カルボキシル、ハロホルミル又はこれらの組合せがある。具体例には、トリメリト酸、トリメリト酸無水物、トリメリト酸三塩化物、トリス−p−ヒドロキシフェニルエタン、イサチン−ビス−フェノール、トリス−フェノールTC(1,3,5−トリス((p−ヒドロキシフェニル)イソプロピル)ベンゼン)、トリス−フェノールPA(4(4(1,1−ビス(p−ヒドロキシフェニル)−エチル)α,α−ジメチルベンジル)フェノール)、4−クロロホルミルフタル酸無水物、トリメシン酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸など、さらにこれらの枝分れ剤の1種以上を含む組合せがある。枝分れ剤は、基板の全重量を基準にして約0.05〜約2.0重量%のレベルで添加できる。枝分れ剤の例及び枝分れポリカーボネートの製造方法は、米国特許第3635895号及び同第4001184号に記載されている。本発明では、あらゆるタイプのポリカーボネート末端基が想定される。
【0032】
好ましいポリカーボネートは、A及びAの各々がp−フェニレンでYがイソプロピリデンであるビスフェノールAに基づくものである。好ましくは、ポリカーボネートの重量平均分子量は約5000〜約100000原子質量単位の範囲内にあり、さらに好ましくは約10000〜約65000原子質量単位の範囲内にあり、最も好ましくは約15000〜約35000原子質量単位の範囲内にある。
【0033】
ポリカーボネート合成をモニターし、評価するに当たっては、ポリカーボネート生成物中に存在するフリース生成物の濃度を測定することが特に重要である。顕著なフリース生成物の生成はポリマーの枝分れを引き起こし、溶融挙動が制御不能となりかねない。本明細書で用いる「フリース」及び「フリース生成物」という用語は、ポリカーボネート中の次の式(V)の繰返し単位を意味する。
【0034】
【化5】
【0035】
式中、R、R、p及びqは式(III)に関して記載したものであり、Xは式(III)に関して記載した二価基である。
【0036】
ポリカーボネート組成物は、この種の樹脂組成物に通常配合される各種の添加剤を含んでいてもよい。かかる添加剤としては、例えば、充填材又は補強材、熱安定剤、酸化防止剤、光安定剤、可塑剤、帯電防止剤、離型剤、追加の樹脂、発泡剤など、さらにはこれらの添加剤の1種以上を含む組合せが挙げられる。
【0037】
第2基板は25℃における酸素透過率が約0.01〜約1.35Barrerであることを条件として、通例上述の熱可塑性樹脂である。一般に、第2基板は、ポリカーボネート、ポリカーボネート共重合体又はポリカーボネートブレンドである。典型的には、25℃における酸素透過率が約0.01〜約1.35Barrerのポリカーボネートの例としては、構造式(VI)及び構造式(VII)に相当する構造単位を含むポリカーボネートが挙げられる。
【0038】
【化6】
【0039】
式中、R、R、R及びRは各々独立にH又はC−Cアルキルであり、RはC3−20脂肪族環であって、適宜ハロゲン、C1−20アルキル、C3−20シクロアルキル、C3−20アリールで置換されていてもよいし、或いはC3−6芳香族環と縮合していてもよく、R及びRは各々独立にC−Cアルキル、フェニル、C−Cアルキル置換フェニル又は水素からなる群から選択され、nは1〜4の整数であり、pは1〜4の整数であり、qは1〜4の整数であり、sは1〜4の整数である。
【0040】
構造式(VI)の単位の代表例としては、特に限定されないが、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロヘキサン(DMBPC)、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロへプタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン(DMBPI)、フルオレニリデン−9−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシベンゼン)DMBPF及びこれらの混合物の残基が挙げられる。DMBPC残基及びDMBPF残基が構造単位(VI)として最も好ましい。
【0041】
構造式(VII)の単位の代表例としては、特に限定されないが、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチル)プロパン(DMBPA)及び4,4′−(l−フェニルエチリデン)ビス(2−メチルフェニル)(DMbisAP)の残基が挙げられる。
【0042】
本発明の一実施形態では、ポリカーボネートは約10〜約100モル%のDMBPC残基を含む。DMBPCはシクロヘキサノンとオルトクレゾールから容易に合成できる。
【0043】
本発明の一実施形態では、ポリカーボネートは約10〜約100モル%のDMBPA残基を含む。DMBPAはアセトンとオルトクレゾールから容易に合成できる。
【0044】
その他、25℃における酸素透過率が約0.01〜約1.35Barrerのポリカーボネートとしては、構造式(VIII)及び構造式(IX)に相当する構造単位を含むポリカーボネートが挙げられる。
【0045】
【化7】
【0046】
式中、Rは、二価脂肪族炭化水素基、二価芳香族基及び二価脂肪族エーテル基から選択され、R及びR10は各々独立に一価炭化水素基及びハロゲン基であり、Xは三価炭化水素基であり、tは0〜4の整数であり、uは0〜4の整数である。
【0047】
構造式(VIII)の好ましい実施形態では、Rは二価アルキレン、シクロアルキレン、二価アルキレンエーテル又はシクロアルキレンエーテル基である。好ましいアルキレン基は炭素原子数約1〜約20のものであり、直鎖アルキレン基でも、枝分れアルキレン基でもよい。好ましいシクロアルキレン基は環炭素原子数約4〜約7のものである。さらに好ましくは、Rは直鎖二価エチレン基−CH−CH−又は直鎖二価ブチレン基−CH−CH−CH−CH−である。
【0048】
で表される二価脂肪族エーテル基は次の一般式を有する。
【0049】
−(R′−O)−R″−
式中、R′及びR″は各々独立にアルキレン又はシクロアルキレン基であり、vは約1〜約10の平均値を有する正の数である。R′及びR″で表される好ましいアルキレン基は炭素原子数約1〜約10のものであり、枝分れアルキレン基でも、直鎖アルキレン基でもよい。R′及びR″で表される好ましいシクロアルキレン基は環炭素原子数約4〜約7のものである。好ましくは、R′及びR″はいずれも直鎖エチレン基であり、vは1である。
【0050】
構造式(IX)の好ましい実施形態では、t及びuは0又は1であり、R及びR10は各々独立に一価脂肪族基、好ましくはアルキル及びシクロアルキル基である。好ましいアルキル基は炭素原子数約1〜約20のものである。好ましいアルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第三ブチル、ペンチル及びネオペンチルがあり、メチルが最も好ましい。好ましいシクロアルキル基は環炭素原子数約4〜約7のものである。好ましいシクロアルキル基の具体例としては、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びシクロヘプチルがある。1個以上のR及びR10置換基が存在する場合、それらは同一でも異なるものでもよい。好ましくは、R及びR10はいずれもメチル基であり、最も好ましくはメチル基は芳香族環のXに対して3,3′位にある。
【0051】
Xは、好ましくは炭素原子数約1〜約6の三価脂肪族基を表す。最も好ましくは、Xは炭素原子数5の三価脂肪族基又は炭素原子数6の三価脂肪族基である。
【0052】
一般に、構造式(IX)の芳香族環は、Xで表される炭素鎖中の同じ炭素原子と結合しており、シアノ基はXの末端炭素の1つと結合する。
【0053】
酸素透過率の低下したポリカーボネート共重合体又はブレンドを用いてもよい。例えば、モノマーをBPAと共重合して、酸素透過率の低下したポリカーボネートを合成してもよい。モノマーの例としては、脂肪族グリコール、オルト置換ビスフェノール、4,4′−[2,2′−オキシビス(エチレン−1−オキシカルボニル)ジフェノール]のようなジエステルビスフェノール、5,5′−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサンニトリルのようなシアノ置換ビスフェノール並びに芳香族二価フェノールがある。酸素透過率の低いポリマーとポリカーボネートをブレンドして、ポリカーボネートブレンド全体の酸素透過率を下げてもよい。ブレンドすることができる酸素透過率の低いポリマーの例としては、ポリアリレート、幾つかの酸素遮蔽グレードのナイロン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレートその他のポリエステルがある。さらに、本発明では、酸素透過率の低下したポリマーポリカーボネートを生成すべくBPAと構造式(VI)、(VII)、(VIII)又は(IX)との共重合体も包含される。
【0054】
本発明において、ポリカーボネートに低分子添加剤を添加することによって第2基板の酸素透過率を下げることもできる。例としては、反可塑剤、顔料、離型剤、熱安定剤、紫外線吸収剤などが挙げられる。酸素透過率を下げるためポリカーボネート基板に分散し得る反可塑剤の具体例としては、ジメチルフタレート及びジフェニルフタレート(Macromolecules 27,7041−7048,1994)、その他米国特許第3386935号に開示された反可塑剤が挙げられる。また、染料コーティングの酸化速度(及び反射率減少速度)を下げるため脱酸素剤をポリカーボネート基板に分散させてもよい。光学な透過率を落とさずにポリカーボネートに分散できる脱酸素剤の具体例としては、アスコルビン酸、トリヒドロキシ安息香酸、リノール酸のようなポリ不飽和脂肪酸、その他の酸化性ポリジエン又は酸化性ポリエーテル、不飽和炭化水素、アスコルビン酸化合物、m−キシレンジアミンとアジピン酸の縮合ポリマーであるMXD6のようなポリアミド、及びその他の酸化性有機化合物がある。例えば、国際公開第01/83318号、及び米国特許第5049624号、同第5211875号、同第5075372号、同第5529833号参照。酸素を効率よく除去するため、コバルト、銅、ロジウム化合物のような金属触媒を酸化性有機化合物と併用してもよい。最も好ましい触媒としては、ネオデカン酸コバルト(II)、N,N′−ジアリシリデンエチレンジアミンコバルト(II)(CoSalen)、その他のコバルト塩が挙げられる。
【0055】
通例、第2基板の厚さは約0.5mm〜約0.7mmである。本発明の別の実施形態では、第2基板の厚さは約0.05mm〜約0.3mmである。
【0056】
第1の基板材料又は第2基板材料の加工(例えば、溶融法によるポリカーボネートの製造)を促進するため、或いは基板材料の特性(例えば粘度)を制御するため、触媒を用いてもよい。使用し得る触媒の具体例としては、水酸化テトラアルキルアンモニウム、水酸化テトラアルキルホスホニウムなどがあり、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム及び水酸化テトラブチルホスホニウムが好ましい。触媒は単独で使用しても、酸(例えばリン酸など)のような奪活と併用してもよい。さらに、さらに、コンパウンディング時に水をポリマーメルトに注入し、ベントから水蒸気として除去して残留揮発性化合物を除去してもよい。
【0057】
情報記憶媒体は、まず最初に、単軸又は二軸押出機、混練機、ブレンダーなどの、各種前駆体を適切に混合できる従来の反応器を用いて基板材料を形成することによって製造できる。押出機は、分解を起こさずに基板材料前駆体を溶融するのに十分な高温に維持すべきである。ポリカーボネートに関しては、例えば、約220℃〜約360℃の範囲の温度、好ましくは約260℃〜約320℃の範囲の温度を用いることができる。同様に、押出機内の滞留時間は分解が最小限となるように制御すべきである。最高約2分又はそれ以上の滞留時間を用いることができるが、最高約1.5分が好ましく、最高約1分が特に好ましい。所望の形状(通例、ペレット、シート、ウェブなど)に押出す前に、適宜、溶融濾過、スクリーンパック又はその組合せなどによって混合物を濾過して、不都合な夾雑物又は分解生成物を除去してもよい。
【0058】
プラスチック樹脂組成物を製造し終わったら、これを種々の成形技術、加工技術又はそれらの組合せによって、基板に成形すればよい。使用可能な技術としては、射出成形、フィルム流延、押出、プレス成形、ブロー成形、スタンピングなどがある。基板を製造し終わったら、追加の加工、例えば電気メッキ、コーティング技術(スピンコーティング、スプレーコーティング、蒸着、スクリーン印刷、塗装、浸漬など)、積層、スパッタリングなど、並びにこれらの加工技術の1以上を含む組合せを用いて、基板に所望の層を設ければよい。通例、基板の厚さは約600μm以下である。
【0059】
限定再生式ポリカーボネートデータ記憶媒体の一例は、射出成形ポリカーボネート基板を備える。基板上に配置できるその他の層としては、データ層、誘電体層、反応性層、接着層、反射層、保護層、第2基板、光吸収層並びにこれらの層の1つ以上を含む組合せがある。
【0060】
記録型の媒体では、データはレーザーでエンコードされる。レーザー照射された活性データ層は相変化を受け、それによってデータストリームを構成する一連の高反射性又は非反射性領域を形成する。これらのフォーマットでは、レーザービームはまず基板を通過してからデータ層に達する。データ層では、ビームはエンコードされたデータに従って反射されるか或いは反射されない。次いで、レーザー光は基板を通って戻り、光検出装置に入射し、そこでデータが解釈される。したがって、データ層は基板と反射層の間に配置される。光用途のデータ層は、通例、基板層上のピット、溝又はこれらの組合せである。好ましくは、データ層は基板表面に埋め込まれる。通例、射出成形−圧縮技術で基板が成形され、本明細書中に定義したような溶融ポリマーが金型に充填される。金型はプレフォーム、インサートなどを含んでいてもよい。ポリマー系を冷却し、少なくとも部分的に溶融状態にあるうちに圧縮することで、らせん状、同心円状その他の整列状態に配列した所望の表面構造(例えば、ピット及び溝)が基板の所望部分(即ち、所望領域の片面又は両面)に刻印される。
【0061】
磁気又は光磁気用途用に使用できるデータ層は、読取り可能なデータを保存することができればどのような材料を含んでいてもよく、その例には、酸化物(例えば酸化ケイ素)、希土類元素−遷移金属合金、ニッケル、コバルト、クロム、タンタル、白金、テルビウム、ガドリニウム、鉄、ホウ素など、及びこれらの1種以上を含む合金及び組合せ、有機色素(例えばシアニン又はフタロシアニン系色素)、並びに無機相変化化合物(例えばTeSeSn、InAgSbなど)があるが、これらに限定されない。
【0062】
保護層は、ほこり、油その他の夾雑物から媒体を保護し、その厚さは約100μm超から約10Å未満とすることができ、ある実施形態では約300Å以下の厚さが好ましく、約100Å以下の厚さが特に好ましい。保護層の厚さは通常、少なくとも部分的に、使用する読取り/書込み機構の種類、例えば磁気、光又は光磁気によって決められる。使用可能な保護層としては、特に、耐食性材料、例えば金、銀、窒化物(例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウムなど)、炭化物(例えば炭化ケイ素など)、酸化物(例えば二酸化ケイ素など)、ポリマー材料(例えばポリアクリレートやポリカーボネート)、炭素フィルム(ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボンなど)、並びにこれらの材料の1種以上を含む組合せがある。
【0063】
誘電体層は、通例、データ層の片側又は両側に配置され、多くの場合熱制御層として用いられ、その厚さは通常約1000Åより大きくも小さくもすることができ、約200Å以下のように小さくすることもできる。使用可能な誘電体層には、環境に適合し、好ましくは周囲の層との反応性をもたない材料のうち、窒化物(例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなど)、酸化物(例えば、酸化アルミニウム)、硫化物(例えば、硫化亜鉛)、炭化物(例えば、炭化ケイ素)、及び上述の材料の1種以上を含む組合せがある。
【0064】
反射層は、データ取得を可能にするのに十分な量のエネルギー(例えば、光)を反射するのに十分な厚さを有するべきである。通例、反射層は約700Å程度までの厚さを有し得るが、約300〜約600Åの厚さが一般に好ましい。可能な反射層には、金属(例えば、アルミニウム、銀、金、ケイ素、チタン、及び上述の金属の1種以上を含む合金や混合物など)を始めとして、特定のエネルギー場を反射し得る材料がある。
【0065】
反応性層は、通例ポリマーマトリックスと反応性材料を共に含有する。反応性層は、当初は情報記憶媒体装置によるデータ読取りが可能な十分な透過性を有するが、後で同装置によるデータ読取りを阻止する(例えば、所定装置のレーザー波長で十分な量の入射光、反射光又はその組合せを吸収する)層を形成する必要がある。典型的には、反射層からの初期反射率を約50%以上とする層を使用でき、約65%以上の初期反射率が好ましく、約75%以上の初期反射率が特に好ましい。媒体が酸素、例えば空気に所望期間(例えば媒体の許容再生時間)曝露された後は、層の反射率が約45%以下、好ましくは約30%以下、さらに好ましくは約20%以下、特に好ましくは約10%未満となるのが望ましい。
【0066】
反応性材料はコーティング処方として記憶媒体に導入することもできるし、接着剤処方中に配合することもできる。反応性層の例としては、反射性層に隣接したPMMAコーティング中の酸素感受性染料又は基板と反射層の間の接着剤層中の反応性染料などが挙げられる。
【0067】
使用可能な反応性材料には、酸素感応性ロイコメチレンブルーもしくは還元型メチレンブルー、ブリリアントクレジルブルー、塩基性青3、トルイジン0、及びこれら反応性材料の1種以上を含む反応生成物及び組合せがある。これらの材料の構造を以下に示す。
【0068】
【化8】
【0069】
合成方法及び酸素依存性再酸化による着色型メチレンブルー染料の生成を以下に示す。
【0070】
【化9】
【0071】
通例、限定再生式情報記憶媒体が再生可能(又は再生不能)となる臨界反射率は約20%未満であり、さらに一般的には臨界反射率は約10%未満である。
【0072】
さらに、基板は、反応性層に達する光を選択的に濾過する染料を含んでもよい。基板を通って反応性層に達する光の波長を制限することによって光退色耐性が向上する。アントラキノン類、ペリレン類、ペリノン類、インダントロン類、キナクリドン類、キサンテン類、オキサジン類、オキサゾリン類、チオキサンテン類、インジゴイド類、チオインジゴイド類、ナフタルイミド類、シアニン類、キサンテン類、メチン類、ラクトン類、クマリン類、ビス−ベンゾオキサキオリルチオフェン(BBOT)類、ナフタレンテトラカルボキシル誘導体、モノアゾ系及びジアゾ系顔料、トリアリールメタン類、アミノケトン類、ビス(スチレル)ビフェニル誘導体、及びこれらの着色剤の1種以上を含む組合せの化学物質群の染料を基板に配合することによって、適当な光濾過性を得ることができる。光濾過染料は、脱酸素材料、添加剤及び酸素透過率を低減する構造(VI)、(VII)、(VIII)及び(IX)の共重合体と、適宜組合せてもよい。
【0073】
上述の酸素感受性ロイコ染料に加えて、データ記憶媒体を限定再生式とするため、その他多数の他の色素及び光遮蔽材料を合成し反応性層に導入することができる。例えば、使用可能な他の反応性材料は米国特許第4404257号及び同第5815484号に見いだされる。さらに反応性材料は、上述の反応性材料のいずれか1種以上を含有する混合物を含んでいてもよい。
【0074】
反応性層中の反応性材料の量は、情報記憶媒体の所望寿命に依存する。反応性層中の反応性材料の量は反応性層の全重量を基準にして約0.1重量%を加減とし得るが、約1重量%が好ましい。反応性材料の上限は約10重量%であり、約7重量%が好ましく、約6重量%がさらに好ましく、約5重量%がさらに一段と好ましい。
【0075】
情報記憶媒体の所望寿命は、反応性材料が酸化してレーザー光吸収染料を形成する速度に依存する。酸化速度は、反応性層中の反応性材料(例えば、ロイコ染料)と酸素の濃度に依存する。情報記憶媒体を空気に曝露した後の時間の関数としての反応性層中の酸素濃度は、基板を通過する酸素の透過率と脱酸素剤の有無に依存する。
【0076】
例えば、ロイコメチレンブルー(LMB)がメチレンブルーに酸化する場合、酸化速度は次の速度式で表される。
【0077】
d[MB]/dt=keff[O][LMB] (数式2)
式中、keffは実効速度係数であり、特に限定されないが、反応性色素層中の反応体の温度、圧力、酸性度及び移動度を始めとする環境及び化学的因子に依存する。酸素が基板に拡散するのに要する時間は、数式1で近似することができる。従って、拡散係数及び透過率が低いほど、ロイコ染料が酸化を始めるまでの拡散ラグ時間が長くなる。反応性層中の酸素濃度[O]は、媒体中の各層における適当な境界条件に付されるフィックの拡散第2法則を解くことによって酸素の拡散係数に戻すことができる(Crank, The Mathematics of Diffusion, 2nd ed., Oxford University Press, 1975)。反応性染料が接着剤中にある場合、透明基板と反応性層の界面での酸素濃度[O]は次のようになる。
【0078】
[O]=[Oerfc{L/(4Dt)^.5} (数式3)
式中、erfcは相補的誤差関数であり、Lはcm単位で表す基板の厚さであり、tは秒(s)単位で表した時間である。cm/s単位で表される酸素の拡散係数は一定であると仮定する。平衡状態での基板中の酸素濃度[Oは、mole/L単位で表す酸素の溶解度と解釈できる。
【0079】
反応性材料は、基板表面への堆積、基板表面の少なくとも一部への含浸又は堆積と含浸の組合せを行って反応性層を形成するため、好ましくはキャリアと混合される。反応性材料をコーティング処方中に配合する場合、キャリアは、コーティング処方の全重量を基準にして、典型的には約65〜85%の範囲、好ましくは約70〜80%の範囲で存在する。反応性材料を接着剤処方中に配合する場合、キャリアは接着剤処方の合計重量を基準にして、典型的には約90%〜約99.9%の範囲、さらに典型的には約95%〜約99.5%の範囲にある。使用可能なキャリアには、熱可塑性アクリルポリマー、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリチオレン、UV硬化性有機樹脂、ポリウレタン、熱硬化性アクリルポリマー、アルキド樹脂、ビニル樹脂など、並びにこれらのキャリアの1種以上を含む組合せがある。ポリエステルには、脂肪族ジカルボン酸(例えばフマル酸又はマレイン酸)とグリコール(例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコールなど)との反応生成物、並びにこれらの1種以上を含む反応生成物及び混合物がある。
【0080】
キャリアとして使用できるエポキシ樹脂には、1個以上のエポキシ官能基を有するモノマー、二量体、オリゴマー又はポリマー形態のエポキシ材料が含まれる。例えば、ビスフェノールAとエピクロロヒドリンの反応生成物、エピクロロヒドリンとフェノール−ホルムアルデヒド樹脂の反応生成物などがある。他の有機樹脂は、Kehr他の米国特許第3697395号及び同第3697402号に示されているような、ポリオレフィンとポリチオールの混合物の形態とすることができる。
【0081】
本明細書で用いる「熱可塑性アクリルポリマー」という用語は、1種以上のアクリル酸エステルモノマーもしくはメタクリル酸エステルモノマーの重合で得られる熱可塑性ポリマーを包含する。これらのモノマーは次の一般式VIIで表される。
【0082】
CH=CWCOOR (VII)
式中、Wは水素又はメチル基であり、Rはアルキル基、好ましくは炭素原子数約1〜約20のアルキル基である。Rで表されるアルキル基の非限定的な具体例を幾つか挙げると、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシルなどがある。
【0083】
式VIIで表されるアクリル酸エステルモノマーの非限定的な具体例を幾つか挙げると、アクリル酸メチル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸n−プロピル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸2−エチルヘキシルなどがある。式VIIで表されるメタクリル酸エステルモノマーの非限定的な具体例を幾つか挙げると、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸プロピルなど、並びにこれらの1種以上を含む反応生成物及び組合せがある。
【0084】
上述のアクリル酸エステルモノマー及びメタクリル酸エステルモノマーの共重合体も、本明細書中で用いる熱可塑性アクリルポリマーという用語に包含される。好ましくは、熱可塑性アクリルポリマーはポリ(メチルメタクリレート/メタクリル酸)のコポリマーである。アクリル酸エステルモノマー及びメタクリル酸エステルモノマーの重合による熱可塑性アクリルポリマーの製造は、公知の重合法で実施すればよい。熱可塑性アクリルポリマーは、典型的には約0.300cm−1未満、さらに典型的には約0.250cm−1未満、最も典型的には約0.200cm−1未満の固有粘度を有する。
【0085】
基板に対する反応性層の接着性を向上させるため、これらの間にプライマーを使用してもよい。プライマーとして有用な熱可塑性アクリルポリマーには、単一種のアクリル酸エステルモノマーから誘導されたアクリルホモポリマー、単一種のメタクリル酸エステルモノマーから誘導されたメタクリルホモポリマー、2種以上の異なるアクリル酸エステルモノマー、2種以上の異なるメタクリル酸エステルモノマー又はアクリル酸エステルモノマーとメタクリル酸エステルモノマーから誘導された共重合体など、並びにこれらのプライマーの1種以上を含む組合せがある。
【0086】
上述の熱可塑性アクリルポリマーの2種以上の混合物、例えば2種以上の異なるアクリルホモポリマー、2種以上の異なるアクリル共重合体、2種以上の異なるメタクリルホモポリマー、2種以上の異なるメタクリル共重合体、アクリルホモポリマーとメタクリルホモポリマー、アクリル共重合体とメタクリル共重合体、アクリルホモポリマーとメタクリル共重合体、アクリル共重合体とメタクリルホモポリマーの混合物、並びにこれらの反応生成物の混合物も使用できる。
【0087】
適宜、種々のコーティング技術、例えば塗装、浸漬、スプレー、スピンコート、スクリーンプリンティングなどを用いて、反応性層を基板に設層することができる。例えば、反応性層を、ポリカーボネートに実質的に不活性である(即ちポリカーボネートを攻撃したり悪影響を及ぼしたりしない)が、キャリアを溶解することができる比較的揮発性の溶剤、好ましくは有機溶剤と混合することができる。一般に、溶剤中のキャリアの濃度は、約5重量%以上であり、約10重量%以上が好ましく、ポリマーの上限は約25重量%であり、約20重量%以下が好ましい。適当な有機溶剤の例には、エチレングリコールジアセテート、ブトキシエタノール、メトキシプロパノール、低級アルカノールなどがある。一般に、コーティング液中の溶剤濃度は約70重量%以上であり、約75重量%以上が好ましく、ポリマーの上限範囲は約90重量%であり、約85重量%以下が好ましい。
【0088】
反応性層は、適宜、各種添加剤、例えば艶消剤、界面活性剤、チキソトロープ剤など、並びにこれら添加剤の1種以上を含む反応生成物及び組合せを含んでいてもよい。
【0089】
反応性層の厚さは、使用する反応性材料の種類、反応性層中の反応性材料の濃度、及び層の初期及び所望期間後の所望の吸収特性に依存する。反応性材料をコーティング処方中に加えるとき、反応性層の厚さは約1μm程度であり、約2μmが好ましく、約3μmがさらに好ましい。厚さの上限は約15μm又はそれ以上であり、約10μm以下が好ましく、約6μm以下がさらに好ましい。反応性材料を接着剤に加えるとき、反応性層は30〜80μmの範囲であり、さらに好ましくは40〜60μmである。
【0090】
反応性層が初期の光を吸収していない状態にあるコーティングなしのディスク又は限定再生式ディスク用のメタライズド反射層から反射される、光ヘッド検出器で測定される光量Iinitialは、光ディスクに入射するレーザー光の強度Iと、式Iinitial/I=Rinitialの関係にある。反射率因子Rinitialは、反射層の固有反射率と、時間0におけるすべての層内における吸収と散乱による光強度の減衰を考慮したものである。その後反応性層を酸素に曝露すると、染料は光を吸収して光ヘッド検出器に反射して戻る光量が減少する。反応性層中の吸光度Aはベール−ランバールの法則を用いて次のように計算できる。
【0091】
A=−log(I/I)=εcl (数式4)
式中、Iは反応性層への入射光、εは染料のモル吸光係数(メチレンブルーでは650nmで約54000L/mole−1cm−1)、Iは反応性層の厚さ、cは経時的に変化する染料の濃度である。従って、反射率Rは、光吸収層を通過する両経路で光を吸収する光吸収反応性層を有する限定再生式ディスクに対して、次の式で近似できる。
【0092】
R=I/I=Rinital10(−2ecl) ____(数式5)
数式5を用いて、特定の反射率を得るのに必要な染料濃度と反応性層厚さを計算できる。例えば、反応性層厚さが3μm、染料がメチレンブルーで濃度0.027mole/Lで反応性層中に存在し、光吸収染料なしのディスクの反射率が70%である場合、光吸収染料を有するディスクの反射率は10%と予測される。
【0093】
典型的には、成形基板を脱気してから、反応性層を基板上に配置する。さらに、反応性層を形成するのに用いる反応体は典型的には不活性環境中に保持される。記憶媒体を製造し終わった後、通常ディスクを使用準備が整うまで不活性環境に保持する。典型的には、脱気は不活性ガス、例えば窒素、アルゴン又はヘリウムで行うことができる。
【0094】
上記層の任意の組合せを接着することのできる接着剤層が存在してもよい。接着剤層は、酸素透過性層を形成することができ、データ読取り装置からの光が媒体を通して伝送されるのを実質的に妨害しない(例えば、該装置が使用する光の波長で実質的に透明であり、及び/又は媒体からの反射率を約50%以上、好ましくは約65%以上、さらに好ましくは約75%以上にする)材料であれば、どのような材料からなるものでもよい。適宜、接着層を反応性層としてもよく、すなわち接着層が酸素感受性染料を含んでいてもよい。
可能な接着材料には、アクリレート(例えば、架橋アクリレートなど)、シリコンハードコートなど、並びに上述の材料の1種以上を含む反応生成物及び組合せのようなUV材料がある。UV材料の他の例は、米国特許第4179548号及び同第4491508号に記載されている。有用なモノアクリレートモノマーの例としては、ブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、及びドデシルアクリレートなどがある。有用な多官能価アクリレートモノマーの例としては、ジアクリレート、トリアクリレート、テトラアクリレート、及びこれらの組合せがある。
【0095】
接着層は前記多官能性アクリレートモノマーの1種のみを含んでいてもよいし、或いは多官能性アクリレートモノマーの1種以上を含む混合物(及びそのUV光反応生成物)を含んでいてもよいが、好ましいコーティング組成物は、2種の多官能性モノマーの混合物(及びそのUV光反応生成物)、好ましくはジアクリレートとトリアクリレートの混合物(及びそのUV光反応生成物)を含み、場合によってはモノアクリレートを含有する。接着コーティングは、適宜、未硬化接着コーティングの約50重量%以下の量で、非アクリル系UV硬化性脂肪族不飽和有機モノマーを含んでいてもよい。かかる不飽和有機モノマーには、例えば、N−ビニルピロリドン、スチレンなどの材料、並びに上述の材料の1種以上を含む反応生成物及び組合せがある。
【0096】
接着剤層がアクリレートモノマーの混合物を含有する場合、ジアクリレート対トリアクリレートの重量比が約10/90〜約90/10の範囲にあるのが好ましい。ジアクリレートとトリアクリレートの混合物の例には、ヘキサンジオールジアクリレートとペンタエリトリトールトリアクリレートの混合物、ヘキサンジオールジアクリレートとトリメチロールプロパントリアクリレートの混合物、ジエチレングリコールジアクリレートとペンタエリトリトールトリアクリレートの混合物、ジエチレングリコールジアクリレートとトリメチロールプロパントリアクリレートの混合物などがある。
【0097】
接着層は、光増感量(即ち、接着コーティングの光硬化を達成するのに有効な量)の光開始剤を含んでいてもよい。一般に、その量は接着コーティングの全重量を基準にして約0.01重量%(好ましくは約0.1重量%)〜約10重量%(好ましくは約5重量%)である。可能な光開始剤には、紫外線露光時に適当な硬質皮膜を形成するケトン型及びヒンダードアミン型物質のブレンドがある。ケトン化合物とヒンダードアミン化合物の重量比は約80/20〜約20/80であるのが好ましい。通常、約50/50又は約60/40混合物が極めて満足できる。
【0098】
窒素のような非酸化性雰囲気中で使用される他の可能なケトン型光開始剤には、ベンゾフェノンその他のアセトフェノン、ベンジル、ベンズアルデヒド及びO−クロロベンズアルデヒド、キサントン、チオキサントン、2−クロロチオキサントン、9,10−フェナントレンキノン、9,10−アントラキノン、メチルベンゾインエーテル、エチルベンゾインエーテル、イソプロピルベンゾインエーテル、α,α−ジエトキシアセトフェノン、α,α−ジメトキシアセトフェノン、1−フェニル−1,2−プロパンジオール−2−o−ベンゾイルオキシム、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、ホスフィンオキシドなどがある。さらに、上述の光開始剤の1種以上を含む反応生成物及び組合せも包含される。
【0099】
接着層は、また、艶消し剤、界面活性剤、チキソトロープ剤、UV光安定剤、UV吸収剤、及び/又はレゾルシノールモノベンゾエートや2−メチルレゾルシノールジベンゾエートなどの安定剤、並びにこれらの1種以上を含む組合せ及び反応生成物を適宜含んでいてもよい。安定剤は、未硬化UV層の重量を基準にして約0.1重量%(好ましくは約3重量%)〜約15重量%の量で存在し得る。
【実施例】
【0100】
当業者が本発明を適切に実施できるように、以下に実施例を示して本発明を具体的に説明するが、実施例は本発明を限定するものではない。
【0101】
例1
ボトル内で60gのElvacite 2010ポリ(メチルメタクリレート)(Ineos Acrylics社製)を300gの1−メトキシ−2−プロパノールに添加し、ローラミルで転動して溶解させて、PMMAの1−メトキシ−2−プロパノール溶液を調製した。この溶液をフラスコに移し、窒素気流をゆっくりと溶液表面に流しながら、約80℃に加熱した。カニューレチューブを用いて、脱気溶液を窒素圧力下でゴム隔膜で閉じた脱気ボトルに移した。
【0102】
ゴム隔膜を備えた100mLフラスコ内で1.2gのメチレンブルー三水和物及び0.80gのカンファースルホン酸を40gの1−メトキシ−2−プロパノールと混合し、ロイコメチレンブルー溶液を調製した。窒素入口及び出口両方にシリンジ針を用いて、窒素気流をゆっくりとフラスコに通しながら、撹拌した混合物を90℃の水浴で加熱した。熱いうちに、シリンジで4.2mLの2−エチルヘキサン酸スズ(II)を添加してメチレンブルーを暗い琥珀色のロイコメチレンブルーに還元した。この溶液に0.6mLの流動性調整剤BYK−301(BYK Chemie社製)を添加した。PMMA/ロイコメチレンブルーコーティング溶液を調製するため、ロイコメチレンブルーコーティング液をシリンジに吸い上げ、0.2μmシリンジフィルターを通した後にPMMA溶液中に注入した。
【0103】
例2
本例では、サンドイッチ構成を用いた従来技術のディスクの製造を例示する。以下の量の原材料を用いた以外は例1と同様に溶液を調製した。
【0104】
【表1】
【0105】
スピンこーターを800rpmで60秒間用いて、0.6mmメタライズドBPA−ポリカーボネートDVD第1基板に、上記溶液を用いてPMMA/ロイコメチレンブルーベースコートを塗工した。平均塗膜厚は約3μmであった。PMMA/ロイコメチレンブルーベースコートを塗工したディスクの1枚を窒素チャンバー内で一晩保管した後、塗工メタライズドDVD第1基板の中間部にUV樹脂DaicureSD−640を薄いリング状に供給した。次に、非メタライズドBPA−ポリカーボネート第2基板を、UV樹脂のリングを有する第1基板ディスクの上面に頂部に置いた。このサンドイッチ体を1000rpmで10秒間回転させて、UV接着剤を均一に分散させた。 次に、サンドイッチ体をフラッシュキセノンUVランプの下に25秒間通した。このサンドイッチ体を窒素チャンバー中に48時間以上保管してから、空気に曝露して反射率の動特性を測定した。
【0106】
例3
本例では、本発明の限定再生式ディスクの製造を例示する。限定再生式ディスクは例2に記載の通り製造した。ただし、従来技術のBPA−PC基板に代えて、BPA/DMBPC/DDDAターポリマー(モル比49:49:2)から成形した非メタライズド第2基板を用いた。メタライズド第1基板も、BPA/DMBPC/DDDAターポリマーから成形した。ターポリカーボネートの合成は米国特許第6395364号に記載されている。
【0107】
例2及び例3の塗工ディスクを室温条件に放置し、その間に平均%反射率を測定した。%反射率の低下に伴い、ディスクの色は実質的に無色から青に変化した。BPA−PC基板(例2)及びBPA/DMBPC/DDDAターポリマー基板(例3)を用いてサンドイッチ構成で製造した限定再生式DVDの反射率の経時的動特性を図1に示す。
【0108】
例4
例2に記載の通り、限定再生式ディスクを製造した。ただし、従来技術のBPA−PC基板に代えて、DMBPCホモポリマーから成形した非メタライズド第2基板を用いた。メタライズド第1基板は、BPA/DMBPC/DDDAターポリマーから成形した。
【0109】
例5
スピンこーターを800rpmで60秒間用いて、0.6mm非メタライズドBPA−ポリカーボネートDVD半ディスクに、例2で用いた染料溶液を用いてPMMA/ロイコメチレンブルーベースコートを塗工した。平均塗膜厚は約3μmであった。PMMA/ロイコメチレンブルーベースコートを塗工したディスクの1枚を窒素チャンバー内で一晩保管した後、塗工メタライズドDVD第1基板の中間部にUV樹脂DaicureSD−640を薄いリング状に供給した。次に、PMMA/ロイコメチレンブルーベースコートを塗工したディスクの1枚を、UV樹脂のリングを有する第1基板ディスクの上面に頂部に置いた。このサンドイッチ体を1000rpmで10秒間回転させて、UV接着剤を均一に分散させた。 次に、サンドイッチ体をフラッシュキセノンUVランプの下に25秒間通した。このサンドイッチ体を窒素チャンバー中に48時間以上保管した。
【0110】
例6
例5に記載の通り、限定再生式ディスクを製造した。ただし、BPA−PC基板に代えて、BPA/DMBPC/DDDAターポリマーから成形した非メタライズド第2基板を用いた。メタライズド第1基板は、BPA−ポリカーボネートから成形した。
【0111】
例7
例5に記載の通り、限定再生式ディスクを製造した。ただし、BPA−PC基板に代えて、DMBPCホモポリカーボネートから成形した非メタライズド第2基板を用いた。メタライズド第1基板は、BPA−ポリカーボネートから成形した。例2〜7についての反射率の動特性及び遅延動特性の結果を、表1及び図1に示す。
【0112】
【表2】
【0113】
表1及び図1のデータから明らかな通り、BPA−PCに比べて酸素透過率の低減したポリカーボネート基板を使用すると、反応性染料の酸化速度が低下し、限定再生式DVDの再生時間が延びる。反射層は良好な酸素拡散障壁であり、問題とする時間尺度ではメタライズド基板から色素層に透過する酸素はほとんど或いは全くない。従って、反射率の減衰速度は、非メタライズド基板を通しての酸素の透過によってほぼ制御される。例5、例6及び例7を対比すると、酸素透過率が次第に低下するポリカーボネートを用いると酸化の開始(ここでは反射率が45%未満に落ちるまでの時間で示す。)が、BPA−PCの9時間から、BPA/DMBPC/DDDAターポリマーの32時間、さらにはDMBPC−PCホモポリマーの94時間へと遅くなる。これらのポリカーボネートの酸素透過率は、それぞれ1.38、0.36及び0.10 Barrerである(J. Applied Polym. Sci. 39, 2083−2096, 1990)。例2、例3及び例4で反射率45%となるまでの時間を対比しても、同様の効果がみられる。ただし、これらのサンプルでは、接着層によって追加の酸素拡散障壁が与えられるため、反射率45%反射率に達する時間がほぼ2倍に延びている。(例2、例3及び例4のサンプルは、反射層と接着層の間の反応性色素層と共に製造された。また、例3及び例4での初期反射率は、反射層の厚さの増加のため、他のサンプルよりも高かった。)。(1)例5、例6及び例7と同様、反応性色素層が非メタライズド基板と接着層の間にある場合、又は(2)染料が接着層とメタライズド層の間にあるが、接着層が酸素拡散に対する十分な抵抗を与えない場合、又は(3)染料が接着層中にある場合には、酸素透過率がBPA−PCよりも低い非メタライズド基板を用いることが特に重要である。ただし、酸素透過率は、目標破壊時間を超えても限定再生式DVDが再生できるほど遅くすべきではない。非メタライズド基板中の共重合体の組成を変化させることにより、拡散ラグ時間を調整して目標破壊時間を達成することができる。例えば、BPA/DMBPC共重合体を用いて、BPA−PCの9時間からDMBPC−PCホモポリマーの約100時間までラグ時間を変化させることができる。
【0114】
例8〜15
例5に記載の通り、一連の限定再生式ディスクを製造した。ただし、BPA−PC基板に代えて、種々のDMBPC−ポリカーボネート及びDMBPA−ポリカーボネート、ポリカーボネート共重合体及びポリカーボネートブレンドから成形した非メタライズド第2基板を用いた。メタライズド第1基板はBPA−PCから成形した。さらに、以下の量の原材料を用いた点以外は、例1と同様にコーティング液を調製した。
【0115】
【表3】
【0116】
例2〜7と同様、これらのサンプルは、非メタライズド基板中の共重合体の組成を変化させることによって、拡散ラグ時間を調整して目標破壊時間を達成することができることを示している。例8〜15について、反射率減衰開始に達するまでに要した時間(反射率の10%低下で測定)を、表2に示す。10%反射率に達するのに要した時間で測定された目標破壊時間も表に示す。図2は、例8〜15に対する反射率の動特性を示すグラフである。
【0117】
【表4】
【0118】
例16
数式2〜5を同時に解いて、反応性層中のロイコ染料の酸化に伴う限定再生式DVDの反射率の減少動特性を予測した。ロイコ染料の初期濃度や実効速度係数keffなどのパラメータは、例5の反射率動特性に最も合致するものを用いた。初期反射率Rは65%と仮定した。境界条件は、無限小の薄い反応性層が非メタライズド基板と接着層の間に配置されるシミュレーション条件として選択した。これらの環境下において、非メタライズド基板中を拡散する際の反応性層中の酸素濃度は、数式3を用いて予測できる。基板材料中の酸素拡散係数を2×10−8cm/sから1×10−9cm/sまで変化させた一連のシミュレーションにおいて、反射率の時間依存性を計算した。1.35〜0.067Barrerの透過率範囲に対して、酸素溶解度は6.69×10−3[cc]/([cc][cmHg])で一定であると仮定した。この一連の計算結果から得られる図3に示す反射率動特性は、酸素透過率の種々異なる非メタライズド基板の組成を用いることによって限定再生式DVDについてある範囲の破壊時間が設計できることを例示している。図3において、拡散係数(D)の単位はcm/sであり、透過率(P)の単位はBarrerである。
【0119】
以上、好ましい実施形態を例示し説明してきたが、本発明の技術思想及び技術的範囲から逸脱せずに様々な修正及び置換を行うことができる。したがって、本発明は単に例示を目的として記載されたことを理解すべきであり、本明細書中に開示した実施例及び実施形態は特許請求の範囲を限定するものと解すべきでない。
【図面の簡単な説明】
【0120】
【図1】非メタライズド基板の酸素透過率を変化させた限定再生式DVDに対する反射率動特性を示す。
【図2】非メタライズド基板が種々のDMBPC−ポリカーボネート又はDMBPA−ポリカーボネートからなる限定再生式DVDに対する反射率動特性を示す。
【図3】非メタライズド基板の酸素拡散係数を変化させた一連の限定再生式DVDに対する予想反射率動特性を示す。

Claims (10)

  1. a)第1の基板、
    b)反射層、
    c)上記基板と上記反射層の間に設けられたデータ層、
    d)1種以上のキャリアと1種以上の反応性材料を含む反応性層、及び
    e)25℃における酸素透過率が0.01〜1.35Barrerの光学的に透明な第2の基板であって、反応性層とレーザー入射面の間にある第2の基板
    を備えるデータ用限定再生式光記憶媒体。
  2. 第2の基板が、100℃以上のガラス転移温度を有するポリカーボネート、ポリカーボネート共重合体又はポリカーボネートブレンドを含む、請求項1記載の限定再生式光記憶媒体。
  3. 前記ポリカーボネート、ポリカーボネート共重合体又はポリカーボネートブレンドがさらに添加剤を含んでおり、該添加剤が、該添加剤が存在しない場合に比して、酸素が第2の基板を通して反応性層まで透過するのに要する時間を実質的に増加させる、請求項2記載の限定再生式光記憶媒体。
  4. 前記添加剤が、反可塑剤、顔料、離型剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、脱酸素剤又はこれらの混合物を含む、請求項3記載の限定再生式光記憶媒体。
  5. 前記脱酸素剤が酸化性化合物を含む、請求項4記載の限定再生式光記憶媒体。
  6. 前記酸化性化合物が、アスコルビン酸、トリヒドロキシ安息香酸、リノール酸、酸化性ポリジエン、酸化性ポリエーテル、不飽和炭化水素、アスコルビン酸化合物、ポリアミド又はこれらの組合せを含む、請求項5記載の限定再生式光記憶媒体。
  7. 前記ポリカーボネート、ポリカーボネート共重合体又はポリカーボネートブレンドがさらに金属触媒を含む、請求項4記載の限定再生式光記憶媒体。
  8. 前記金属触媒がネオデカン酸コバルトを含む、請求項7記載の限定再生式光記憶媒体。
  9. 前記ポリカーボネートが以下の構造式(VI)、(VII)、(VIII)又は(IX)に相当する構造単位を含む、請求項2記載の限定再生式光記憶媒体。
    [式中、R1及びR2は各々独立にH又はC1−C6アルキルであり、R3は、C4-13シクロアルキル基、C1-6アルキル置換アリール基又はC4-13アリール基(縮合環系も包含し、アリール基と縮合していても縮合していなくてもよい。)であり、nは1〜4の整数であり、pは1〜4の整数である。]
    [式中、R4及びR5は各々独立にH又はC1−C6アルキルであり、R6及びR7は各々独立にC1−C6アルキル、フェニル、C1−C6アルキル置換フェニル又は水素からなる群から選択され、qは1〜4の整数であり、sは1〜4の整数である。]
    [式中、R8は、二価脂肪族炭化水素基、二価芳香族基及び二価脂肪族エーテル基から選択される。]
    [式中、R9及びR10は各々独立に一価炭化水素基又はハロゲン基であり、Xは三価炭化水素基であり、tは0〜4の整数であり、uは0〜4の整数である。]
  10. 前記構造式(VI)が1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロヘキサン又はフルオレニリデン−9−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシベンゼン)からなる、請求項9記載の限定再生式光記憶媒体。
JP2004534234A 2002-09-04 2003-07-01 限定再生式記憶媒体とそのデータアクセスを制限する方法 Expired - Fee Related JP4166754B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/233,854 US6866909B2 (en) 2002-09-04 2002-09-04 Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon
PCT/US2003/020719 WO2004023469A1 (en) 2002-09-04 2003-07-01 Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005538483A JP2005538483A (ja) 2005-12-15
JP2005538483A5 JP2005538483A5 (ja) 2006-08-17
JP4166754B2 true JP4166754B2 (ja) 2008-10-15

Family

ID=31977308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004534234A Expired - Fee Related JP4166754B2 (ja) 2002-09-04 2003-07-01 限定再生式記憶媒体とそのデータアクセスを制限する方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6866909B2 (ja)
EP (1) EP1537571B1 (ja)
JP (1) JP4166754B2 (ja)
CN (1) CN1695187A (ja)
AT (1) ATE331283T1 (ja)
AU (1) AU2003253772A1 (ja)
DE (1) DE60306395T2 (ja)
ES (1) ES2266903T3 (ja)
TW (1) TWI287792B (ja)
WO (1) WO2004023469A1 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6733950B2 (en) * 2001-03-14 2004-05-11 General Electric Company Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon
WO2002099470A2 (en) * 2001-06-05 2002-12-12 Flexplay Technologies, Inc. Limited play optical devices with interstitial reactive layer and methods of making same
KR100455381B1 (ko) * 2002-02-28 2004-11-06 삼성전자주식회사 Odd 제품의 성능을 향상시키기 위한 디스크 및 그 제조방법
US20050219991A1 (en) * 2002-04-02 2005-10-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dual stack optical data storage medium
US20030198892A1 (en) * 2002-04-22 2003-10-23 General Electric Company Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon
US20030205323A1 (en) * 2002-04-22 2003-11-06 General Electric Company Method for making limited play data storage media
US20030207206A1 (en) * 2002-04-22 2003-11-06 General Electric Company Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon
US7219362B2 (en) * 2002-07-12 2007-05-15 Cryovac, Inc. Packaging for limited lifetime optical data storage media
US7750059B2 (en) * 2002-12-04 2010-07-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Polymer solution for nanoimprint lithography to reduce imprint temperature and pressure
US7223520B2 (en) * 2003-02-03 2007-05-29 General Electric Company Limited play optical media device with barrier layers
US7087282B2 (en) * 2003-07-15 2006-08-08 General Electric Company Limited play optical storage medium, method for making the same
US7202292B2 (en) * 2003-07-15 2007-04-10 General Electric Company Colored polymeric resin composition with 1,8-diaminoanthraquinone derivative, article made therefrom, and method for making the same
US7226720B2 (en) * 2003-09-08 2007-06-05 General Electric Company Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon
US7318524B2 (en) * 2003-12-24 2008-01-15 Cryovac, Inc. Oxygen scavenging form/fill/seal package for limited lifetime optical data storage media
US7682696B2 (en) * 2004-09-13 2010-03-23 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Medical article and method of making and using the same
JP2006094075A (ja) 2004-09-24 2006-04-06 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅用半導体集積回路およびこれを搭載した電子部品
CA2604437A1 (en) * 2005-04-18 2006-10-26 Veriloc, Llc Piracy-protected recording media
US7521119B2 (en) * 2005-07-07 2009-04-21 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Windows and other articles made from DMBPC polycarbonate homopolymer and copolymer
US7521505B2 (en) * 2006-06-12 2009-04-21 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Method of stabilization of dihydric phenols
US20070287796A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 General Electric Company Method of stabilization of dihydric phenols
US8674007B2 (en) 2006-07-12 2014-03-18 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Flame retardant and scratch resistant thermoplastic polycarbonate compositions
US20080254299A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 General Electric Company Scratch-resistant Layered Composite and Articles
US20090176946A1 (en) * 2008-01-03 2009-07-09 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polycarbonate blends with high scratch resistance and ductility
TWI533304B (zh) 2008-03-11 2016-05-11 艾基爾系統公司 用於儲存資料於具有跨頁區段、多頁編碼及每頁編碼之多位準單元快閃記憶體器件中之方法及裝置
US9260561B2 (en) * 2008-11-21 2016-02-16 Sabic Global Technologies B.V. Polyestercarbonate copolymers with high scratch resistance

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59124891A (ja) 1982-12-31 1984-07-19 Tdk Corp 光記録媒体
JP2553359B2 (ja) 1987-08-27 1996-11-13 藤森工業株式会社 光テ−プ
JPH0218728A (ja) 1988-07-06 1990-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光記録媒体およびその製造方法
JPH0237539A (ja) 1988-07-27 1990-02-07 Fuji Photo Film Co Ltd 情報記録媒体
DE69033550T2 (de) 1989-03-03 2001-01-18 Tdk Corp Medium für optische Datenspeicherung
US6011772A (en) 1996-09-16 2000-01-04 Spectradisc Corporation Machine-readable optical disc with reading-inhibit agent
US6441123B1 (en) 2000-05-31 2002-08-27 General Electric Company Vibration damping monolithic polymers
US6733950B2 (en) * 2001-03-14 2004-05-11 General Electric Company Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon

Also Published As

Publication number Publication date
US6866909B2 (en) 2005-03-15
DE60306395T2 (de) 2007-06-06
CN1695187A (zh) 2005-11-09
DE60306395D1 (de) 2006-08-03
ES2266903T3 (es) 2007-03-01
EP1537571B1 (en) 2006-06-21
US20040043254A1 (en) 2004-03-04
AU2003253772A1 (en) 2004-03-29
TWI287792B (en) 2007-10-01
ATE331283T1 (de) 2006-07-15
JP2005538483A (ja) 2005-12-15
WO2004023469A1 (en) 2004-03-18
EP1537571A1 (en) 2005-06-08
TW200405325A (en) 2004-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4166754B2 (ja) 限定再生式記憶媒体とそのデータアクセスを制限する方法
JP3874727B2 (ja) 限定再生型情報記憶媒体及びその上のデータへのアクセスを限定する方法
EP1671323B1 (en) Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon
JP2006516792A (ja) バリヤー層を有する限定再生型光媒体デバイス
JP2007505434A (ja) 限定再生型情報記憶媒体及びそのためのコーティング配合物
JP2007504581A (ja) ディジタルコンテンツキオスク及び選択されたディジタルコンテンツをユーザーに引き渡すための関連方法
JP2007504580A (ja) 限定再生式記録型情報記憶媒体及び関連する製造方法
JP2005523553A (ja) 限定再生型データ記憶媒体及び媒体のデータへのアクセスを制限する方法
JP2007501290A (ja) 限定再生型情報記憶媒体及び製造方法
JP2005523551A (ja) 限定再生型記憶媒体及びそのデータへのアクセスを制限する方法
AU2003228640B2 (en) Coating formulations for data storage media
EP1500098B1 (en) Method for making limited play data storage media

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060630

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060630

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071204

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080304

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080701

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080730

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees