JP4166111B2 - 強誘電液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は強誘電液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置はブラウン管に代わる表示装置として普及し、薄型化、軽量化ができるとともに低消費電力で使用可能なためますます改良がなされてきている。ブラウン管とくらべると反応速度が遅いため、チラツキが発生する問題があったが、反応速度の速い液晶として強誘電液晶が開発されたため、その実用化が進められている。
【０００３】
強誘電液晶表示装置は液晶表示装置における上基板と下基板の間隔を１μｍ程度にしなければならず、量産技術が確立されていないのが現状であるが、最近、ビューファインダー等に使用されるような小さな強誘電液晶表示装置が量産され始めている。
【０００４】
図１は従来技術による強誘電液晶表示装置の断面図である。強誘電液晶表示素子は、上基板１と下基板２により挟持されている強誘電液晶５で構成されるが、上基板１には透明電極３（例えばＩＴＯ、ＳｎＯ２）が形成され、下基板２には画素電極４が形成されている。強誘電液晶表示素子は回路基板６に固定（例えば両面テープで）され、回路基板６に形成された電極７と上基板１に形成された透明電極３は導電媒体（例えば導電ペースト）８で接続されている。透明電極３と導電媒体８の電気的接続の信頼性が乏しいため、レーザー９により透明電極３と導電媒体８を溶着している。１０はレーザー９を照射することにより形成される穴である。
【０００５】
液晶表示素子の上基板の電極と下基板の電極の間に接点ブロック設け、レーザービームでか焼することにより導電性を持たせて電極間を電気的に接続する技術が公開されている。図２は従来技術による液晶表示素子の断面図である。液晶表示素子は、上基板１１と下基板１２により挟持されている液晶１５で構成されるが、上基板１１にはＩＴＯ１３が形成され、下基板１２には電極１４が形成されている。さらに電極１４の上には不導体化フィルム１６が形成されている。下基板１２に形成された不導体化フィルム１６と上基板１１に形成されたＩＴＯ１３の間には接点ブロック（銀ペーストブロック）１７が設けられている。レーザービーム１９を照射することにより、不導体化フィルム１６に穴１８を形成する。この時、電極１４の１箇所にも穴が形成される。このように、か焼により穴を形成することによって、ＩＴＯ１３からなる電極と、電極１４との電気的接触状態が良好に保たれる。（例えば、特許文献１参照）
【０００６】
【特許文献１】
特開平７−７２４９５号公報（第３頁、図３）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図１に示すような、上基板の透明電極と回路基板の電極を接続する導電媒体をレーザーにより穴をあけて接続する場合、穴が導電媒体内に形成されるため、レーザー照射により発生したガスがたまり、透明電極と導電媒体の接触面を侵食して剥離する可能性がある。本発明の目的は、前記課題を解決することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
一対の基板はオフセットされ、上基板には透明電極が形成され、下基板には画素電極が形成され、一対の基板間に強誘電液晶を挟持する強誘電液晶表示素子を回路基板に搭載し、上基板の透明電極と対向する回路基板の電極を導電媒体で接続する強誘電液晶表示装置において、レーザーで上基板の透明電極と導電媒体とを貫通するガス抜き穴を設けた強誘電液晶表示装置とする。
【０００９】
導電媒体は上基板と回路基板間で径小部を有し、ガス抜き穴は径小部より外周に設けた強誘電液晶表示装置とする。
【００１０】
前記ガス抜き穴は上基板の平面に対し斜めに設けた強誘電液晶表示装置とする。
【００１１】
前記ガス抜き穴を複数個設けた強誘電液晶表示装置とする。
【００１２】
少なくとも、回路基板に強誘電液晶表示素子を固定する工程と、回路基板の電極と上基板の透明電極間に導電媒体を塗布する工程と、導電媒体を硬化するキュア工程と、レーザーで上基板の透明電極と導電媒体とを貫通するガス抜き穴を設ける工程を有する強誘電液晶表示装置の製造方法とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図３は本発明による強誘電液晶装置の一実施形態を示す断面図である。従来技術と同じ構成部材には同じ符号を用いている。本実施形態では、回路基板６に形成されている電極パッド７’と上基板１に形成された透明電極３の端部３’とがずれた位置関係にある。導電媒体８は例えば導電ペーストであり、電極パッド７’からはみ出さないように塗布し、透明電極３には適当に広がるように塗布する。図に示すように上基板１と回路基板６の間で径小部８’ができるように導電ペースト８を塗布する。これは導電ペースト８の粘度を調整することで容易に実現できる。
【００１４】
レーザー９は上基板１の上部から垂直に、導電ペースト８の径大部を透過し且つ径小部８’にかからない位置に照射する。これにより、上基板１の透明電極３と導電ペースト（導電媒体）８とを貫通するガス抜き穴１０’を設けることができる。
【００１５】
図４は図３に示した強誘電液晶表示装置の上面図である。貫通穴１０’を３個設けることで信頼性を高めている。
【００１６】
図５は本発明の他の実施形態であり、上基板１の端面（即ち透明電極３の端部３’）と回路基板の電極パッド７’の端面７’ａがほぼ対向している配置構造の強誘電液晶表示装置の断面図である。レーザー９を導電ペースト８の左斜め上から照射した例であり、上基板１の透明電極３と導電ペースト（導電媒体）８とを貫通するガス抜き穴１０’は図で示すように斜めに開けられる。本構造では、導電ペースト８に径小部を形成しなくても上基板１の透明電極３と導電ペースト（導電媒体）８とを貫通するガス抜き穴１０’を設けることができる。
【００１７】
次に本発明による強誘電液晶表示装置の製造工程を説明する。
１．回路基板に強誘電液晶表示素子を固定する。固定は接着剤、両面テープ等を使用する。
２．回路基板の電極と上基板の透明電極間に導電ペーストを塗布する。回路基板に形成される導電パッドは導電ペーストが付き易くしてあり、回路基板は導電ペーストが付きにくい表面にしておくことで、導電ペーストのはみ出しを防止すると良い。最初に導電パッドに導電ペーストを塗布しそのまま上基板の透明電極に塗布する。導電ペーストの塗布には一般にディスペンサーが使用されるが、前述のように導電ペーストを塗布しやすい粘度に調整することが好ましい。
３．導電媒体を硬化するためにキュアする。キュア温度は強誘電液晶の耐熱性を考慮して決める。
４．レーザーで上基板の透明電極と導電ペーストとを貫通するガス抜き穴を設ける。レーザー光線の焦点は透明電極の位置にするのが好ましく、また、できるだけ小さなスポット径にするのが好ましい。
【００１８】
本明細書において透明電極と導電ペーストとを貫通するガス抜き穴と表現しているが、透明電極は透明であるため、穴が開く場合と開かない場合が発生する。透明電極と導電ペーストとを貫通するガス抜き穴とはいずれの場合も含まれるものとする。
【００１９】
【発明の効果】
本発明によると、上基板の透明電極と導電媒体とを貫通するガス抜き穴を設けたので、導電媒体内にレーザー照射により発生したガスがたまり、透明電極と導電媒体の接触面が侵食されることを防止できる。
【００２０】
導電媒体に径小部を設けることや、レーザーを斜めに照射することで、上基板の透明電極と導電媒体とを貫通するガス抜き穴を容易に形成することができる。
【００２１】
ガス抜き穴を複数個形成することで導通の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による強誘電液晶表示装置の断面図
【図２】従来技術による液晶表示素子の断面図
【図３】本発明による強誘電液晶装置の一実施形態を示す断面図
【図４】図３に示した強誘電液晶表示装置の上面図
【図５】本発明の他の実施形態であり、上基板１の端面（即ち透明電極３の端部３’）と回路基板の電極パッド７’の端面７’ａがほぼ対向している配置構造の強誘電液晶表示装置の断面図
【符号の説明】
１ 上基板
２ 下基板
３ 透明電極
３’ 透明電極端部
４ 画素電極
５ 強誘電液晶
６ 回路基板
７ 電極
７’ 電極パッド
７’ａ 電極パッド７’の端面
８ 導電媒体（導電ペースト）
８’ 径小部
９ レーザー
１０ 穴
１０’ 穴
１１ 上基板
１２ 下基板
１３ ＩＴＯ
１４ 電極
１５ 液晶
１６ 不動体化フィルム
１７ 接点ブロック（銀ペーストブロック）
１８ 穴
１９ レーザービーム
【発明の属する技術分野】
本発明は強誘電液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置はブラウン管に代わる表示装置として普及し、薄型化、軽量化ができるとともに低消費電力で使用可能なためますます改良がなされてきている。ブラウン管とくらべると反応速度が遅いため、チラツキが発生する問題があったが、反応速度の速い液晶として強誘電液晶が開発されたため、その実用化が進められている。
【０００３】
強誘電液晶表示装置は液晶表示装置における上基板と下基板の間隔を１μｍ程度にしなければならず、量産技術が確立されていないのが現状であるが、最近、ビューファインダー等に使用されるような小さな強誘電液晶表示装置が量産され始めている。
【０００４】
図１は従来技術による強誘電液晶表示装置の断面図である。強誘電液晶表示素子は、上基板１と下基板２により挟持されている強誘電液晶５で構成されるが、上基板１には透明電極３（例えばＩＴＯ、ＳｎＯ２）が形成され、下基板２には画素電極４が形成されている。強誘電液晶表示素子は回路基板６に固定（例えば両面テープで）され、回路基板６に形成された電極７と上基板１に形成された透明電極３は導電媒体（例えば導電ペースト）８で接続されている。透明電極３と導電媒体８の電気的接続の信頼性が乏しいため、レーザー９により透明電極３と導電媒体８を溶着している。１０はレーザー９を照射することにより形成される穴である。
【０００５】
液晶表示素子の上基板の電極と下基板の電極の間に接点ブロック設け、レーザービームでか焼することにより導電性を持たせて電極間を電気的に接続する技術が公開されている。図２は従来技術による液晶表示素子の断面図である。液晶表示素子は、上基板１１と下基板１２により挟持されている液晶１５で構成されるが、上基板１１にはＩＴＯ１３が形成され、下基板１２には電極１４が形成されている。さらに電極１４の上には不導体化フィルム１６が形成されている。下基板１２に形成された不導体化フィルム１６と上基板１１に形成されたＩＴＯ１３の間には接点ブロック（銀ペーストブロック）１７が設けられている。レーザービーム１９を照射することにより、不導体化フィルム１６に穴１８を形成する。この時、電極１４の１箇所にも穴が形成される。このように、か焼により穴を形成することによって、ＩＴＯ１３からなる電極と、電極１４との電気的接触状態が良好に保たれる。（例えば、特許文献１参照）
【０００６】
【特許文献１】
特開平７−７２４９５号公報（第３頁、図３）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図１に示すような、上基板の透明電極と回路基板の電極を接続する導電媒体をレーザーにより穴をあけて接続する場合、穴が導電媒体内に形成されるため、レーザー照射により発生したガスがたまり、透明電極と導電媒体の接触面を侵食して剥離する可能性がある。本発明の目的は、前記課題を解決することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
一対の基板はオフセットされ、上基板には透明電極が形成され、下基板には画素電極が形成され、一対の基板間に強誘電液晶を挟持する強誘電液晶表示素子を回路基板に搭載し、上基板の透明電極と対向する回路基板の電極を導電媒体で接続する強誘電液晶表示装置において、レーザーで上基板の透明電極と導電媒体とを貫通するガス抜き穴を設けた強誘電液晶表示装置とする。
【０００９】
導電媒体は上基板と回路基板間で径小部を有し、ガス抜き穴は径小部より外周に設けた強誘電液晶表示装置とする。
【００１０】
前記ガス抜き穴は上基板の平面に対し斜めに設けた強誘電液晶表示装置とする。
【００１１】
前記ガス抜き穴を複数個設けた強誘電液晶表示装置とする。
【００１２】
少なくとも、回路基板に強誘電液晶表示素子を固定する工程と、回路基板の電極と上基板の透明電極間に導電媒体を塗布する工程と、導電媒体を硬化するキュア工程と、レーザーで上基板の透明電極と導電媒体とを貫通するガス抜き穴を設ける工程を有する強誘電液晶表示装置の製造方法とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図３は本発明による強誘電液晶装置の一実施形態を示す断面図である。従来技術と同じ構成部材には同じ符号を用いている。本実施形態では、回路基板６に形成されている電極パッド７’と上基板１に形成された透明電極３の端部３’とがずれた位置関係にある。導電媒体８は例えば導電ペーストであり、電極パッド７’からはみ出さないように塗布し、透明電極３には適当に広がるように塗布する。図に示すように上基板１と回路基板６の間で径小部８’ができるように導電ペースト８を塗布する。これは導電ペースト８の粘度を調整することで容易に実現できる。
【００１４】
レーザー９は上基板１の上部から垂直に、導電ペースト８の径大部を透過し且つ径小部８’にかからない位置に照射する。これにより、上基板１の透明電極３と導電ペースト（導電媒体）８とを貫通するガス抜き穴１０’を設けることができる。
【００１５】
図４は図３に示した強誘電液晶表示装置の上面図である。貫通穴１０’を３個設けることで信頼性を高めている。
【００１６】
図５は本発明の他の実施形態であり、上基板１の端面（即ち透明電極３の端部３’）と回路基板の電極パッド７’の端面７’ａがほぼ対向している配置構造の強誘電液晶表示装置の断面図である。レーザー９を導電ペースト８の左斜め上から照射した例であり、上基板１の透明電極３と導電ペースト（導電媒体）８とを貫通するガス抜き穴１０’は図で示すように斜めに開けられる。本構造では、導電ペースト８に径小部を形成しなくても上基板１の透明電極３と導電ペースト（導電媒体）８とを貫通するガス抜き穴１０’を設けることができる。
【００１７】
次に本発明による強誘電液晶表示装置の製造工程を説明する。
１．回路基板に強誘電液晶表示素子を固定する。固定は接着剤、両面テープ等を使用する。
２．回路基板の電極と上基板の透明電極間に導電ペーストを塗布する。回路基板に形成される導電パッドは導電ペーストが付き易くしてあり、回路基板は導電ペーストが付きにくい表面にしておくことで、導電ペーストのはみ出しを防止すると良い。最初に導電パッドに導電ペーストを塗布しそのまま上基板の透明電極に塗布する。導電ペーストの塗布には一般にディスペンサーが使用されるが、前述のように導電ペーストを塗布しやすい粘度に調整することが好ましい。
３．導電媒体を硬化するためにキュアする。キュア温度は強誘電液晶の耐熱性を考慮して決める。
４．レーザーで上基板の透明電極と導電ペーストとを貫通するガス抜き穴を設ける。レーザー光線の焦点は透明電極の位置にするのが好ましく、また、できるだけ小さなスポット径にするのが好ましい。
【００１８】
本明細書において透明電極と導電ペーストとを貫通するガス抜き穴と表現しているが、透明電極は透明であるため、穴が開く場合と開かない場合が発生する。透明電極と導電ペーストとを貫通するガス抜き穴とはいずれの場合も含まれるものとする。
【００１９】
【発明の効果】
本発明によると、上基板の透明電極と導電媒体とを貫通するガス抜き穴を設けたので、導電媒体内にレーザー照射により発生したガスがたまり、透明電極と導電媒体の接触面が侵食されることを防止できる。
【００２０】
導電媒体に径小部を設けることや、レーザーを斜めに照射することで、上基板の透明電極と導電媒体とを貫通するガス抜き穴を容易に形成することができる。
【００２１】
ガス抜き穴を複数個形成することで導通の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による強誘電液晶表示装置の断面図
【図２】従来技術による液晶表示素子の断面図
【図３】本発明による強誘電液晶装置の一実施形態を示す断面図
【図４】図３に示した強誘電液晶表示装置の上面図
【図５】本発明の他の実施形態であり、上基板１の端面（即ち透明電極３の端部３’）と回路基板の電極パッド７’の端面７’ａがほぼ対向している配置構造の強誘電液晶表示装置の断面図
【符号の説明】
１ 上基板
２ 下基板
３ 透明電極
３’ 透明電極端部
４ 画素電極
５ 強誘電液晶
６ 回路基板
７ 電極
７’ 電極パッド
７’ａ 電極パッド７’の端面
８ 導電媒体（導電ペースト）
８’ 径小部
９ レーザー
１０ 穴
１０’ 穴
１１ 上基板
１２ 下基板
１３ ＩＴＯ
１４ 電極
１５ 液晶
１６ 不動体化フィルム
１７ 接点ブロック（銀ペーストブロック）
１８ 穴
１９ レーザービーム
Claims (6)
- 一対の基板はオフセットされ、上基板には透明電極が形成され、下基板には画素電極が形成され、一対の基板間に強誘電液晶を挟持する強誘電液晶表示素子を回路基板に搭載し、上基板の透明電極と対向する回路基板の電極を導電媒体で接続する強誘電液晶表示装置において、レーザーで上基板の透明電極と導電媒体とを貫通するガス抜き穴を設けたことを特徴とする強誘電液晶表示装置。
- 導電媒体は上基板と回路基板間で径小部を有し、ガス抜き穴は径小部より外周に設けたことを特徴とする請求項１記載の強誘電液晶表示装置。
- ガス抜き穴は上基板の平面に対し斜めに設けたことを特徴とする請求項１記載の強誘電液晶表示装置。
- 上基板の端面と回路基板の電極端面がほぼ対向していることを特徴とする請求項１、２又は３記載の強誘電液晶表示装置。
- ガス抜き穴を複数個設けたことを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の強誘電液晶表示装置。
- 少なくとも、回路基板に強誘電液晶表示素子を固定する工程と、回路基板の電極と上基板の透明電極間に導電媒体を塗布する工程と、導電媒体を硬化するキュア工程と、レーザーで上基板の透明電極と導電媒体とを貫通するガス抜き穴を設ける工程を有することを特徴とする強誘電液晶表示装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2003102088A JP4166111B2 (ja) | 2003-04-04 | 2003-04-04 | 強誘電液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003102088A JP4166111B2 (ja) | 2003-04-04 | 2003-04-04 | 強誘電液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004309723A JP2004309723A (ja) | 2004-11-04 |
| JP4166111B2 true JP4166111B2 (ja) | 2008-10-15 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003102088A Expired - Fee Related JP4166111B2 (ja) | 2003-04-04 | 2003-04-04 | 強誘電液晶表示装置及びその製造方法 |
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| US8105458B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display device |
| JP2011249460A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Meijo University | 白色発光ダイオード |
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2003
- 2003-04-04 JP JP2003102088A patent/JP4166111B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2004309723A (ja) | 2004-11-04 |
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