JP4162606B2 - 光変調素子、光変調素子アレイ、及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第一実施形態を説明するための光変調素子の概略構成を示す斜視図である。本実施形態の光変調素子は、露光装置、投影装置、及び表示装置等の画像形成装置に用いるものであり、MEMS(Micro Electro Mechanical System)により製造されるものである。
波長が550nmの光を誘電体多層膜に入射すると、誘電体多層膜に入射する光の入射角が0度の場合(誘電体多層膜に光が垂直に入射した場合)、図3(a)に示すように、550nmの波長の光は透過せずに反射する。誘電体多層膜に入射する光の入射角が13度の場合、図3(b)に示すように550nmの波長の光は透過する。誘電体多層膜に入射する光の入射角が18度の場合、図3(c)に示すように550nmの波長の光は入射角が13度のときよりも多く透過する。このような入射角依存性を誘電体多層膜に持たせておくことで、誘電体多層膜への入射光の入射角を変化させることにより、光の透過及び反射を制御することが可能となる。
図4(a)は、図1の電極13と電極15に電圧が印加されていない状態における、図1のA−A断面図である。図4(b)は、図1の電極13と電極15に電圧が印加されている状態における、図1のA−A断面図である。
光学機能膜16を平面基板11に対して傾斜させて光を反射させる場合には、その反射光が平面基板11内で反射を繰り返し、迷光となってしまうが、光学機能膜16を平面基板11に対して平行にして光を反射させる場合には、その反射光が光の入射側にそのまま戻るため、迷光の発生を防ぐことができる。又、光学機能膜16を平面基板11に対して平行にする場合、光学機能膜16が不安定な状態に陥りやすいため、この状態で光を透過させようとすると、光の透過制御を正確に行えない可能性が生じる。ところが、光学機能膜16を平面基板11に対して傾斜させて光を透過させる場合は、電極12又は13と電極15とにより光学機能膜16の傾斜角の制御を精度良く行うことができるため、光の透過制御を正確に行うことが可能となる。
この場合の光学機能膜16は、ITO等からなる一対の透明電極51と、その内側に形成された配向層52と、配向層52に囲まれたコレステリック液晶層53とからなる。
コレステリック液晶層53の常光屈折率をno、異常光屈折率をne、複屈折率をΔn、平均屈折率をnとすると、複屈折率Δnは(1)式で表せる。
また、平均屈折率nは、近似的に(2)式により表せる。
n=(ne+no)/2 (2)
λ(θ)=λ(0)・cos[sin-1(sinθ/n)] (3)
λ(0)=n・P (4)
また、反射波長幅Δλ[nm]は(5)式で表せる。
Δλ=Δn・P (5)
さらに、対象とする入射光の波長域が広い場合は、コレステリック液晶層の選択反射波長域も広げる必要がある。この場合は、螺旋ピッチが厚み方向で連続的に異なるように液晶を配向させることで反射波長域を広げることができる。また、異なる選択反射波長域のコレステリック液晶層を積層することによっても反射波長域を広げることができ、本発明の光学機能膜として使用可能である。
コレステリック液晶を成膜する支持体上にポリイミド配向膜を塗布、乾燥し、ラビングによる表面処理を行う。これにより、ポリイミド配向膜が形成される。この上に、低分子コレステリック液晶、又はネマチック液晶とねじれを発現させるカイラル剤の混合物、高分子モノマー、光重合開始剤を有機溶剤で混合させた調整液により塗布した後、適当な温度で配向させる。その後、必要な部分に紫外線を露光して光重合させ、現像により不要部分を除去する。最後に高温ベークを行って安定させる。
ねじれ方向及び反射入射角度を制御するためには、コレステリック液晶、カイラル剤、及び各々の濃度を適宜変更すればよい。
以下、図1に示した光変調素子10の製造プロセスについて図面を参照して説明する。
図7は、図1に示した光変調素子10の製造プロセスを説明するための図である。光変調素子10は、以下のステップ(a)〜(i)で製造される。図7の(a)〜(i)は、それぞれステップ(a)〜(i)に対応し、各ステップで処理後の状態を示した図となっている。
ステップ(b):乾燥させたガラス基板11に蒸着やスパッタ等によりアルミニウムを成膜し、フォトリソ処理により電極12,13をパターニングし、ウエット又はドライ等のエッチング処理を行って余分なアルミニウムを除去する。
ステップ(c):ガラス基板11上にスパッタ又はCVD等によりSiO2を成膜し、絶縁膜14を形成する。尚、ここでは絶縁膜が形成できれば良いため、SiO2の代わりにSiN(窒化ケイ素)を用いても良い。
ステップ(d):絶縁膜14上に蒸着やスパッタ等によりアルミニウムを成膜し、フォトリソ処理により支持部19,20をパターニングし、塩素によるドライエッチング処理を行って余分なアルミニウムを除去する。尚、ここでは支持部19,20を導電体としているが、アルミニウムの代わりに金を成膜し、フォトリソ処理により支持部19,20をパターニングして金を除去し、支持部17,18にニッケルメッキを施しても良い。又、支持部19,20は支持部として機能すれば良いため、材料は特に限定されない。
ステップ(e):絶縁膜14上にスピンコートによりポリイミドを成膜し、ベークを行って安定させて犠牲層25を形成する。更に、犠牲層25の表面を支持部19,20の表面までCMP(Chemical Mechanical Planarization)技術により研磨する。
ステップ(f):犠牲層25上にスパッタ等によりアルミニウムを成膜し、フォトリソ処理によりヒンジ部17,18をパターニングし、塩素によるドライエッチング処理を行って余分なアルミニウムを除去する。
ステップ(g):ヒンジ部17,18上にスパッタ等によりアルミニウムを成膜し、フォトリソ処理により電極15をパターニングし、塩素によるドライエッチング処理を行って余分なアルミニウムを除去する。尚、電極15は、アルミニウム以外の導電性を持つ金属でも良い。又、絶縁膜と金属とを積層して電極15としても良い。又、金属の代わりに透明導電膜を用いても良い。
ステップ(h):犠牲層25上にスパッタ等によりTiO2とSiO2とを順に積層して誘電体多層膜を成膜し、フォトリソ処理により誘電体多層膜をパターニングし、CF4(テトラフルオロメタン)によるドライエッチング処理を行って余分な誘電体多層膜を除去する。
ステップ(i):酸素によるドライエッチング処理を行って犠牲層25を除去する。
図8は、本発明の第二実施形態を説明するための光変調素子の概略構成を示す斜視図である。図1と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する。
光変調素子20は、平面基板11と、平面基板11上に設けられる電極12,13と、電極12,13上に形成される絶縁膜14と、電極12,13の上方に一定の間隔を空けて配置される電極15と、電極15の表面に形成される光学機能膜16と、電極15を回動自在に支持するヒンジ部17,18と、ヒンジ部17,18を支持する支持部19,20と、電極21,22と、電極21,22を支持する支持部23,24とを備える。
光源からの光を透過させる場合、電極13と電極15に電圧を印加し、電極13と電極15との間の静電気力により、光学機能膜16を傾斜させる。その後、光源からの光を反射させる場合には、電極13への電圧印加を停止し、電極22に電圧を印加し、電極15と電極22との間の静電気力により、光学機能膜16を平面基板11と平行の状態にする。このようにすることで、光の透過と反射とを第一実施形態の光変調素子よりも高速に切り替えることができる。
図9は、本発明の第三実施形態を説明するための光変調素子の概略構成を示す斜視図である。本実施形態の光変調素子は、露光装置や表示装置等の画像形成装置に用いるものであり、MEMS(Micro Electro Mechanical System)により製造されるものである。
図10は、図9の光変調素子の透明電極32と透明電極33に電圧が印加された状態を示す図である。
透明電極32と透明電極33に電圧が印加されていない状態では、透明電極32と透明電極33との間に静電気力が発生しないため、図9に示すように、変形部材35の頂部は平面基板31に対して平行の状態となり、これに伴い光学機能膜36も平面基板31に対して平行の状態となる。この状態では、光学機能膜36に入射する光の入射角は0度となるため、図3(a)に示したように、光源からの光は透過せずに反射する。
光学機能膜36を平面基板31に対して傾斜させて光を反射させる場合には、その反射光が平面基板31内で反射を繰り返し、迷光となってしまうが、光学機能膜36を平面基板31に対して平行にして光を反射させる場合には、その反射光が光の入射側にそのまま戻るため、迷光の発生を防ぐことができる。又、光学機能膜36を平面基板31に対して平行にする場合、光学機能膜36が不安定な状態に陥りやすいため、この状態で光を透過させようとすると、光の透過制御を正確に行えない可能性が生じる。ところが、光学機能膜36を平面基板31に対して傾斜させて光を透過させる場合は、光学機能膜36の傾斜角の制御を透明電極32と透明電極33とにより精度良く行うことができるため、光の透過制御を正確に行うことが可能となる。
本実施形態のように、光学機能膜36を平面基板31に対して傾斜させて光を透過させ、光学機能膜36を平面基板31に対して平行にして光を反射させる構成の場合は、光変調素子30の製造精度を上げる必要がないため、製造コストの削減に繋がる。
図11は、本発明の第四実施形態を説明するための光変調素子の概略構成を示す斜視図である。図9と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する。
光変調素子40は、平面基板31と、平面基板31上に設けられる透明電極32と、透明電極32の上方に架設された薄膜梁34及び薄膜梁34の表面に形成された透明電極33を有する変形部材35と、光学機能膜36と、電極37と、電極37を支持する支持部38とを備える。
光源からの光を透過させる場合、透明電極32と透明電極33に電圧を印加し、透明電極32と透明電極33との間の静電気力により、光学機能膜36を傾斜させる。その後、光源からの光を反射させる場合には、透明電極32への電圧印加を停止し、電極37に電圧を印加し、透明電極33と電極37との間の静電気力により、光学機能膜36を平面基板31と平行の状態にする。このようにすることで、光の透過と反射とを第三実施形態の光変調素子よりも高速に切り替えることができる。
図12は、本発明の第五実施形態を説明するための光変調素子の概略構成を示す斜視図である。図11と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する。
図12の光変調素子50は、図11に示した光変調素子40の変形部材35の脚部の一方を平面基板31に立設される支持部41で置き換え、光学機能膜36の形成される傾斜面の部分を、有機膜等の柔らかいクッション膜42に置き換えたものである。このように、光学機能膜36の形成される傾斜面の部分をクッション膜42にすることにより、透明電極32と透明電極33に電圧を印加した場合に、変形部材35を撓みやすくすることができる。
本実施形態では、第一〜第五実施形態で説明した光変調素子を、同一平面状で2次元状に複数配列した光変調素子アレイを用いた画像形成装置について説明する。以下では、画像形成装置の例として露光装置について説明する。
露光装置60は、照明光源61と、照明光学系62と、第一〜第五実施形態のいずれかで説明した光変調素子を同一平面状で2次元状に複数配列した光変調素子アレイ63と、投影光学系64とを備える。
照明光源61から出射された面状の光を平行光化する手段としては、コリメートレンズ以外にも、マイクロレンズを2つ直列に配置する方法等がある。又、照明光源61としてショートアークランプ等の発光点が小さいものを使用することで、照明光源61を点光源とみなし、光変調素子アレイ63に平行光を入射するようにしても良い。又、照明光源61として光変調素子アレイ63の各光変調素子に対応するLEDを有するLEDアレイを使用し、LEDアレイと光変調素子アレイ63とを近接させて光を発光させることで、光変調素子アレイ63の各光変調素子に平行光を入射するようにしても良い。又、照明光源61としてレーザを用いた場合には、照明光学系62は省略しても良い。
照明光源61から出射された面状の光が照明光学系62に入射し、ここで平行光された光が光変調素子アレイ63に入射する。光変調素子アレイ63の各光変調素子の光学機能膜に入射される光は、画像信号に応じてその透過率が制御される。光変調素子アレイ63から出射された光は、投影光学系64により感材65の画像形成面に投影露光される。投影光は感材65に対して相対的に走査方向に移動しながら投影露光され、広い面積を高解像度で露光することができる。
本実施形態を説明するための露光装置は、図13に示した露光装置60の照明光学系62としてコリメートレンズではなく、マイクロレンズアレイを用いたものである。このマイクロレンズアレイの各マイクロレンズは、光変調素子アレイ63の各光変調素子に対応し、マイクロレンズの光軸と焦点面が光変調素子の光学機能膜の中心に合うように設計、調整される。
本実施形態では、第一〜第五実施形態で説明した光変調素子を、同一平面状で2次元状に複数配列した光変調素子アレイを用いた画像形成装置について説明する。以下では、画像形成装置の例として、投影装置について説明する。
プロジェクタ80は、照明光源61と、照明光学系62と、光変調素子アレイ63と、投影光学系74とを備える。
照明光源61からの入射光は、例えばマイクロレンズアレイにより、光変調素子の光学機能膜よりも面積が小さい領域に集光され、光変調素子アレイ63に入射する。光変調素子アレイ63の各光変調素子の光学機能膜に入射される光は、画像信号に応じてその透過率が制御される。光変調素子アレイ63から出射された光は、投影光学系74によりスクリーン75の画像形成面に投影露光される。
11 平面基板
12,13,15 電極
14 絶縁膜
16 光学機能膜
17,18,19,20 ヒンジ部
21,22 支持部
Claims (13)
- 光源から入射される入射光の透過率を変化させて光変調を行う光変調素子であって、
前記入射光に対して透明な平面基板と、
前記平面基板上に設けられる第1の電極と、
前記第1の電極の上方に間隔を空けて配置される第2の電極を含み、前記第1の電極及び第2の電極に印加される印加電圧により発生する静電気力に応じて変形する、前記平面基板上方に設けられる変形部材と、
前記変形部材に形成される光学機能膜とを備え、
前記光学機能膜は、前記光学機能膜への前記入射光の入射角に応じて当該入射光の透過率が変化する入射角依存性を有し、前記静電気力に応じて前記平面基板に対して傾斜自在なものである光変調素子。 - 請求項1記載の光変調素子であって、
前記変形部材は、前記静電気力の発生しない状態で前記平面基板に対して平行な面を有し、前記平行な面は前記静電気力の発生した状態で前記平面基板に対して傾斜する傾斜面を含むものであり、
前記光学機能膜は、前記傾斜面に形成されるものである光変調素子。 - 請求項2記載の光変調素子であって、
前記光学機能膜は、前記平面基板に対して平行な状態で前記入射光を反射させ、前記平面基板に対して傾斜した状態で前記入射光を透過させるものである光変調素子。 - 請求項2又は3記載の光変調素子であって、
前記光学機能膜は、前記傾斜面のうち前記第1の電極と重ならない位置に形成されたものである光変調素子。 - 請求項2〜4のいずれか記載の光変調素子であって、
前記変形部材は平面状の部材であり、
前記変形部材を前記静電気力の働く方向に回動可能に支持するヒンジ部を備える光変調素子。 - 請求項2〜4のいずれか記載の光変調素子であって、
前記変形部材は、前記平面基板の前記第1の電極の上方に架設されたものである光変調素子。 - 請求項1〜6のいずれか記載の光変調素子であって、
前記第2の電極に対向する第3の電極を前記第2の電極の上方に備える光変調素子。 - 請求項1〜7のいずれか記載の光変調素子であって、
前記光学機能膜は、誘電体多層膜を含むものである光変調素子。 - 請求項1〜7のいずれか記載の光変調素子であって、
前記光学機能膜は、コレステリック液晶層を用いたものを含むものである光変調素子。 - 請求項1〜9のいずれか記載の光変調素子を、同一平面上で1次元状又は2次元状に複数配列した光変調素子アレイ。
- 請求項10記載の光変調素子アレイであって、
前記入射光は前記平面基板の下方から入射してくるものであり、
前記入射光を平行光化する平行光化手段を備える光変調素子アレイ。 - 請求項10記載の光変調素子アレイであって、
前記入射光は前記平面基板の下方から入射してくるものであり、
前記平面基板の下方に、前記複数の光変調素子の各々に対応するマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイを備える光変調素子アレイ。 - 請求項10〜12のいずれか記載の光変調素子アレイと、
前記光源と、
前記光変調素子アレイから出射される光を画像形成面に投影する投影光学系とを備える画像形成装置。
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