JP4154816B2 - 検査装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定のデバイスパターンが形成された半導体ウェハ等の検査に用いられる検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスは、半導体ウェハ上に微細なデバイスパターンを形成することにより作製される。このようなデバイスパターンを形成するときに、半導体ウェハ上に塵埃等が付着したり、傷が付いたりして、欠陥が生じることがある。このような欠陥が生じた半導体デバイスは、不良デバイスとなり、歩留まりを低下させる。
【0003】
したがって、製造ラインの歩留まりを高い水準で安定させるためには、塵埃や傷等によって発生する欠陥を早期に発見し、その原因を突き止め、製造設備や製造プロセスに対して有効な対策を講じることが好ましい。
【0004】
そこで、欠陥が発見された場合には、検査装置を用いて、その欠陥が何であるかを調べて分類分けを行い、その欠陥の原因となった設備やプロセスを特定するようにしている。ここで、欠陥が何であるかを調べる検査装置は、いわば光学顕微鏡のようなものであり、欠陥を拡大して見ることで、その欠陥が何であるかを識別するようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、以上のような検査を行う際に半導体ウェハ上に塵埃等が付着すると、適切な検査を行うことができない。したがって、半導体ウェハの検査は、クリーンな環境の中で行う必要がある。
【0006】
半導体ウェハの検査を行う環境をクリーンに保つ方法としては、検査装置の本体部分をクリーンボックスで覆い、このクリーンボックスの内部に清浄な空気を供給することにより、クリーンボックスの内部を高いクリーン度に保つ方法が有効である。この場合、検査対象である半導体ウェハを密閉式の容器に入れて搬送し、この容器を介して半導体ウェハをクリーンボックス内に移送するようにすれば、検査装置が設置される環境全体を高いクリーン度に保たなくとも、半導体ウェハ上に塵埃等が付着することを有効に抑制して、半導体ウェハの検査を適切に行うことが可能となる。
【0007】
ところで、検査対象である半導体ウェハのデバイスパターンは、半導体デバイスの高集積化に伴って、ますます微細化してきており、近年では線幅が0.18μm以下にまでなってきている。このような微細なパターンの検査を行う上では、僅かな振動も検査の障害となる場合があるので、このような振動を検査装置の本体部分に伝えないようにすることが要求される。
【0008】
特に、クリーンボックスには、当該クリーンボックスの内部に空気を供給するための送風機からの振動が伝えられる場合が多い。また、検査者がクリーンボックスに触れることによっても、クリーンボックスに振動が生じる場合がある。このようなクリーンボックスに生じた振動が検査装置の本体部分に伝わると、適切な検査を阻害する要因となる場合があるので、このような振動を検査装置の本体部分に伝えないような対策を講じることが求められる。
【0009】
本発明は、以上のような実情に鑑みて創案されたものであり、検査を行う環境をクリーンに保つためのクリーンボックスに生じた振動が、装置本体部分に伝わることを有効に抑制して、微細なパターンの検査を適切に行うことができる検査装置を提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る複数枚の床板材が敷き詰められてなる設置スペースに設置される検査装置は、内部環境がクリーンに保たれるクリーンボックスと、上記クリーンボックスの内部に収容されて、被検査物の検査を行う装置本体部と、上記クリーンボックスを支持する支持部材とを備え、上記設置スペースは、上記床板材が、グレーチングと、該グレーチングに比べて耐荷重性及び耐振性に優れた嫌振架台とからなり、上記グレーチングには、上記クリーンボックスを指示する上記支持部材が設置され、上記嫌振架台に、上記装置本体部が設置され、上記クリーンボックスと上記装置本体部と異なる床板材上に設置される。
【0011】
この検査装置では、グレーチングには、クリーンボックスを指示する支持部材が設置され、嫌振架台には、装置本体部が設置され、クリーンボックスと装置本体部とが異なる床板材上に設置されることにより、クリーンボックスの振動が、当該クリーンボックスが設置されるグレーチングと装置本体部が設置される嫌振架台との間で遮断され、クリーンボックスの振動が装置本体部に伝わることが有効に抑制される。したがって、この検査装置によ
れば、装置本体部による被検査物の検査を適切に行うことができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0013】
まず、本発明を適用した検査装置の具体的な説明に先立ち、この検査装置が設置される設置スペースについて説明する。
【0014】
本発明を適用した検査装置が設置される設置スペース100は、図1及び図2に示すように、複数枚の床板材101が、例えばコンクリート製の基礎102上に敷き詰められてなる。床板材101は、例えば、アルミニウム等の材料がダイキャストによって、縦横寸法がそれぞれ約600mm、厚みが約50mm程度の矩形の板状に成形されてなるものである。この床板材101には、その厚み方向に貫通する多数の通気孔110が設けられており、設置スペース100に設置された検査装置からの空気を、この通気孔110から当該床板材101の下方に送って設置スペース100の外部に排出することができるようになされている。
【0015】
以上のような床板材101は、その端部が、縦横に碁盤目状に立設された基礎102の支持座102a上に、防振部材103を介して支持されたかたちで載置される。そして、複数枚の床板材101が、僅かな隙間を存して縦横に隣接して基礎102上に並べられることによって、検査装置が設置される設置スペース100が構成される。防振部材103は、床板材101に生じた振動が、隣接する床板材101に伝わることを防止するためのものであり、各床板材101の角部が突き合わされる箇所にそれぞれ配設されている。なお、図1は設置スペース100の検査装置が設置される部分の近傍を斜め上方からみた斜視図であり、図2は図1におけるA1−A2線断面図である。
【0016】
以上のような設置スペース100に設置される本発明を適用した検査装置の外観を図3に示す。この検査装置1は、所定のデバイスパターンが形成された半導体ウェハの検査を行うためのものであり、半導体ウェハに形成されたデバイスパターンに欠陥が発見された場合に、その欠陥が何であるかを調べて分類分けを行うものである。
【0017】
図3に示すように、この検査装置1は、半導体ウェハの検査を行う環境をクリーンに保つためのクリーンユニット2を備えている。このクリーンユニット2は、ステンレス鋼板等が折り曲げ加工され、中空の箱状に形成されてなるクリーンボックス3と、このクリーンボックス3の上部に一体に設けられたクリーンエアユニット4とを備えている。
【0018】
クリーンボックス3には、所定の箇所に窓部3aが設けられており、検査者がこの窓部3aからクリーンボックス3の内部を視認できるようになされている。
【0019】
クリーンエアユニット4は、クリーンボックス3内に清浄な空気を供給するためのものであり、クリーンボックス3の上部の異なる位置にそれぞれ配設された2つの送風機5a,5bと、これら送風機5a,5bとクリーンボックス3との間に配設された図示しないエアフィルタとを備えている。エアフィルタは、例えば、HEPAフィルタ(High Efficiency Particulate Air Filter)やULPAフィルタ(Ultra Low Penetration Air Filter)等の高性能エアフィルタである。そして、このクリーンエアユニット4は、送風機5a,5bにより送風される空気中の塵埃等を高性能エアフィルタによって除去し、清浄な空気として、クリーンボックス3の内部に供給するようになされている。
【0020】
検査装置1では、このクリーンエアユニット4からクリーンボックス3内に供給される清浄な空気の風量を、2つの送風機5a,5b毎に個別に制御することによって、クリーンボックス3内の気流を適切にコントロールすることができるようになされている。なお、ここでは、クリーンエアユニット4が2つの送風機5a,5bを備える例を説明するが、送風機の数はクリーンボックス3の大きさや形状に合わせて決定すればよく、3つ以上の送風機を備える構成とされていてもよい。この場合には、クリーンエアユニット4からクリーンボックス3内に供給される清浄な空気の風量が、各送風機毎に個別に制御されることになる。
【0021】
上部にクリーンエアユニット4が一体に設けられたクリーンボックス3は、その下端部に設けられた脚部6が支持部材70上に載せられた状態で、設置スペース100に設置されている。そして、設置スペース100と対向するクリーンボックス3の下端部は開放された状態とされており、クリーンエアユニット4からクリーンボックス3内に供給された空気は、主に、クリーンボックス3の下端部からクリーンボックス3の外部に排出され、設置スペース100を構成する床板材101に設けられた通気孔101aを介して、設置スペース100の下方に排出されるようになされている。また、クリーンボックス3の側面部には、所定の箇所に開口領域が設けられており、クリーンエアユニット4からクリーンボックス3内に供給された空気が、このクリーンボックス3の側面部に設けられた開口領域からも、クリーンボックス3の外部に排出されるようになされている。
【0022】
クリーンユニット2は、以上のように、クリーンボックス3内にクリーンエアユニット4からの清浄な空気を常時供給し、クリーンボックス3内を気流となって循環した空気をクリーンボックス3の外部に排出させる。これによって、クリーンボックス3内にて発生した塵埃等をこの空気と共にクリーンボックス3の外部に排出させ、クリーンボックス3の内部環境を、例えばクラス1程度の非常に高いクリーン度に保つようにしている。
【0023】
クリーンボックス3の脚部6が載置される支持部材70は、設置スペース100を構成する複数枚の床板材101の中で、後述する装置本体10が設置される床板材101とは異なる床板材101上に、クリーンボックス3を設置するためのものである。ここで、設置スペース100を構成する複数枚の床板材101の中で、装置本体100が設置される床板材101としては、例えば、嫌振架台と呼ばれる床板材101aが用いられ、その他の部分には、グレーチングと呼ばれる床板材101bが用いられる。嫌振架台101aは、グレーチング101bに比べて耐荷重性及び耐振性に優れた床板材である。
【0024】
支持部材70は、所定の厚みを有する金属板材等が折り曲げ加工されてなり、クリーンボックス3の脚部6が載置される載置部71と、この載置部71の両端部から下方に向かって延設された支持脚72とを有している。そして、この支持部材70は、設置スペース100を構成する複数枚の床板材101のうち装置本体10が設置される嫌振架台101aを跨いで、その外側に配設されたグレーチング101b上に支持脚72が位置するように、設置スペース100に配置されている。そして、このように配置された支持部材70の設置部71上にクリーンボックス3の脚部6が載置されることによって、クリーンボックス3が、装置本体10が設置される嫌振架台101aの外側に配設されたグレーチング101b上に設置されることになる。
【0025】
本発明を適用した検査装置1では、以上のように、クリーンボックス3が、支持部材70を介して、装置本体10が設置される床板材101とは異なる床板材101上に設置されることによって、クリーンボックス3に生じた振動が床板材101を介して装置本体10に伝わることが抑制されている。
【0026】
すなわち、クリーンボックス3には、その上部に当該クリーンボックス3内に清浄な空気を供給するためのクリーンエアユニット4が一体に設けられているので、クリーンエアユニット4の送風機5a,5bの動作に伴って生じる振動がクリーンボックス3に伝わって、クリーンボックス3に振動が生じる場合が多い。また、検査者がクリーンボックス3に触れることによっても、クリーンボックス3に振動が生じる場合もある。このようにクリーンボックス3に振動が生じたときに、クリーンボックス3と装置本体10とが同じ床板材101上に設置されていると、クリーンボックス3に生じた振動が床板材101を介して装置本体10に伝達され、装置本体10による適切な検査が阻害される場合がある。特に、この検査装置1では、詳細を後述するように、紫外光を用いて微細なパターンを高分解能で検査するようになされているので、振動の影響が現れやすく、僅かな振動でも検査の障害となる場合がある。そこで、この検査装置1では、支持部材70を用いて、装置本体10が設置される床板材101とは異なる床板材101上にクリーンボックス3を設置するようにして、クリーンボックス3に生じた振動を装置本体10に伝えないようにしている。
【0027】
クリーンボックス3を装置本体10が設置される床板材101とは異なる床板材101上に設置する方法としては、クリーンボックス3のサイズを装置本体10サイズに比べて十分に大きくすることが考えられるが、クリーンボックス3のサイズをあまり大きくすると、その内部部環境のクリーン度を保つために、送風機の数を増やしたり、エアフィルタを広い範囲に設けたりする必要が生じて、コストが上昇することに加え、クリーンボックス3内の気流を適切にコントロールすることが困難となり、クリーンボックス3内にて発生した塵埃等を適切にクリーンボックス3の外部に排出することができなくなる場合がある。また、クリーンボックス3のサイズをあまり大きくすると、それに応じて設置スペース100も広げる必要があり、省スペース化を図る上で不利である。
【0028】
これに比べて、装置本体10が設置される床板材101とは異なる床板材101上に配置された支持部材70によりクリーンボックス3を支持することによって、クリーンボックス3を装置本体10が設置される床板材101とは異なる床板材101上に設置するようにした場合には、クリーンボックス3の大きさを大きくする必要がないので、コストの上昇や、クリーンボックス3内の気流のコントロールが困難になるといった不都合を生じさせることなく、クリーンボックス3に生じた振動が装置本体10に伝わることを有効に抑制することができる。また、このように、支持部材70を用いて、装置本体10が設置される床板材101とは異なる床板材101上にクリーンボックス3を設置するようにした場合には、検査装置1全体をコンパクトにすることができ、省スペース化を図る上で非常に有利である。
【0029】
なお、以上は、クリーンボックス3の脚部6が支持部材70の載置部71上に載置されることによって、クリーンボックス3が支持部材70に支持されるようにした例について説明したが、本発明に係る検査装置1では、クリーンボックス3に脚部6を設けずに、支持部材70がクリーンボックス3の下端部を直接支持するようになされていてもよい。また、クリーンボックス3の脚部6と支持部材70とを一体の部材として構成し、クリーンボックス3の脚部6が、装置本体10が設置される床板材101を跨いで、この床板材101とは異なる床板材101上に設置されるようになされていてもよい。
【0030】
この検査装置1では、図4に示すように、クリーンボックス3の内部に装置本体10が収容され、クリーンボックス3の中で、この装置本体10によって、所定のデバイスパターンが形成された半導体ウェハの検査が行われるようになされている。ここで、被検査物となる半導体ウェハは、所定の密閉式の容器7に入れて搬送され、この容器7を介して、クリーンボックス3の内部に移送される。なお、図4は、クリーンボックス3の内部を図3中矢印B方向から見た様子を示している。
【0031】
容器7は、底部7aと、この底部7aに固定されたカセット7bと、底部7aに着脱可能に係合されてカセット7bを覆うカバー7cとを有している。被検査物となる半導体ウェハは、複数枚が所定間隔を存して重ね合わされるようにカセット7bに装着され、底部7aとカバー7cとで密閉される。
【0032】
そして、半導体ウェハの検査を行う際は、先ず、半導体ウェハが入れられた容器7がクリーンボックス3の所定の位置に設けられた容器設置スペース8に設置される。この容器設置スペース8には、後述するエレベータ22の昇降台22a上面がクリーンボックス3の外部に臨むように配されており、容器7は、その底部7aがこのエレベータ22の昇降台22a上に位置するように、容器設置スペース8に設置される。
【0033】
容器7が容器設置スペース8に設置されると、容器7の底部7aとカバー7cとの係合が解除される。そして、エレベータ22の昇降台22aが図2中矢印B方向に下降操作されることによって、容器7の底部7a及びカセット7bが、カバー7cから分離してクリーンボックス3の内部に移動する。これにより、被検査物である半導体ウェハが、外気に晒されることなくクリーンボックス3の内部に移送されることになる。
【0034】
半導体ウェハがクリーンボックス3内に移送されると、後述する搬送用ロボット23により、検査対象の半導体ウェハがカセット7bから取り出されて検査が行われる。
【0035】
検査装置1は、以上のように、高いクリーン度に保たれたクリーンボックス3の内部で半導体ウェハの検査を行うようにしているので、検査時に半導体ウェハに塵埃等が付着して適切な検査が阻害されるといった不都合を有効に回避することができる。しかも、被検査物となる半導体ウェハを密閉式の容器7に入れて搬送し、この容器7を介して半導体ウェハをクリーンボックス3の内部に移送するようにしているので、クリーンボックス3の内部と容器7の内部だけを十分なクリーン度に保っておけば、検査装置1が設置される環境全体のクリーン度を高めなくても、半導体ウェハへの塵埃等の付着を有効に防止することができる。
【0036】
このように必要な場所のクリーン度だけを局所的に高めるようにすることで、高いクリーン度を実現しつつ、且つ、クリーン環境を実現するためのコストを大幅に抑えることができる。なお、密閉式の容器7とクリーンボックス3との機械的なインターフェースとしては、いわゆるSMIF(standard mechanical interface)が好適であり、その場合、密閉式の容器7としては、いわゆるSMIF−PODが用いられる。
【0037】
また、この検査装置1は、図3に示すように、装置本体10を操作するためのコンピュータ等が配される外部ユニット50を備えている。この外部ユニット50は、クリーンボックス3の外部に設置されている。この外部ユニット50には、半導体ウェハを撮像した画像等を表示するための表示装置51や、検査時の各種条件等を表示するための表示装置52、装置本体10への指示入力等を行うための入力装置53等も配されている。そして、半導体ウェハの検査を行う検査者は、外部ユニット50に配された表示装置51,52を見ながら、外部ユニット50に配された入力装置53から必要な指示を入力して半導体ウェハの検査を行う。
【0038】
クリーンボックス3の内部に配設された装置本体10は、図4に示すように、支持台11を備えている。この支持台11は、装置本体10の各機構を支持するための台である。この支持台11の底部には脚部12が取り付けられており、支持台11及び支持台11上に設けられた各機構は、この脚部12によって、クリーンボックス3から独立した状態で、クリーンボックス3が設置される床板材101とは異なる床板材101上に支持される構造となっている。
【0039】
支持台11上には、除振台13を介して、被検査物となる半導体ウェハが載置される検査用ステージ14が設けられている。
【0040】
除振台13は、床からの振動や、検査用ステージ14を移動操作した際に生じる振動といったような装置本体10に生じる振動を抑制するためのものであり、検査用ステージ14が設置される石定盤13aと、この石定盤13aを支える複数の可動脚部13bとを備えている。そして、この除振台13は、装置本体10に振動が生じたときにその振動を検知して可動脚部13bを駆動し、石定盤13a及びこの石定盤13a上に設置された検査用ステージ14の振動を速やかに打ち消すようにしている。
【0041】
この検査装置1では、被検査物である半導体ウェハが設置される検査用ステージ14をこの除振台13上に設けることによって、装置本体10に振動が生じた場合であっても、この振動を速やかに打ち消し、振動の影響を抑えて、紫外光を用いて高分解能での検査を行う際の検査能力を向上させるようにしている。
【0042】
なお、除振台13上に検査用ステージ14を安定的に設置するには、除振台13の重心がある程度低い位置にあることが望ましい。そこで、この検査装置1においては、石定盤13aの下端部に切り欠き部13cを設け、可動脚部13bがこの切り欠き部13cにて石定盤13aを支えるようにして、除振台13の重心を下げるようにしている。
【0043】
なお、検査用ステージ14を移動操作した際に生じる振動等は、事前にある程度予測することができる。このような振動を事前に予測して除振台13を動作させるようにすれば、検査用ステージ14に生じる振動を未然に防止することが可能である。したがって、検査装置1は、検査用ステージ14を移動操作した際に生じる振動等を事前に予測して除振台13を動作させるようになされていることが望ましい。
【0044】
検査用ステージ14は、被検査物となる半導体ウェハを支持するためのステージである。この検査用ステージ14は、被検査物となる半導体ウェハを支持するとともに、この半導体ウェハを所定の検査対象位置へと移動させる機能も備えている。
【0045】
具体的には、検査用ステージ14は、除振台13上に設置されたXステージ15と、Xステージ15上に設置されたYステージ16と、Yステージ16上に設置されたθステージ17と、θステージ17上に設置されたZステージ18と、Zステージ18上に設置された吸着プレート19とを備えている。
【0046】
Xステージ15及びYステージ16は、水平方向に移動するステージであり、Xステージ15とYステージ16とで、被検査物となる半導体ウェハを互いに直交する方向に移動させ、検査対象のデバイスパターンを所定の検査位置へと導くようにしている。
【0047】
θステージ17は、いわゆる回転ステージであり、半導体ウェハを回転させるためのものである。半導体ウェハの検査時には、θステージ17により、例えば、半導体ウェハ上のデバイスパターンが画面に対して水平又は垂直となるように、半導体ウェハを回転させる。
【0048】
Zステージ18は、鉛直方向に移動するステージであり、ステージの高さを調整するためのものである。半導体ウェハの検査時には、Zステージ18により、半導体ウェハの検査面が適切な高さとなるように、ステージの高さを調整する。
【0049】
吸着プレート19は、検査対象の半導体ウェハを吸着して固定するためのものである。半導体ウェハの検査時に、検査対象の半導体ウェハは、この吸着プレート19上に載置され、この吸着プレート18により吸着されて、不要な動きが抑制される。
【0050】
また、除振台12上には、検査用ステージ14上に位置するようにフレーム20によって支持された光学ユニット21が配されている。この光学ユニット21は、半導体ウェハの検査時に、半導体ウェハの画像を撮像するためのものである。そして、この光学ユニット21は、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を可視光を用いて低分解能にて行う機能と、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を紫外光を用いて高分解能にて行う機能とを兼ね備えている。
【0051】
また、支持台11上には、図4及び図5に示すように、被検査物となる半導体ウェハが装着されたカセット7bを容器7から取り出してクリーンボックス3内に移動させるエレベータ22が設けられている。さらに、支持台11上には、図5に示すように、半導体ウェハを搬送するための搬送用ロボット23と、半導体ウェハを検査用ステージ14上に載置する前にそのセンター出しと位相出しとを行うプリアライナ24とが設けられている。なお、図5は装置本体10を上側から見た様子を模式的に示す平面図である。
【0052】
エレベータ22は、上昇及び下降動作される昇降台22aを有しており、容器7がクリーンボックス3の容器設置スペース8に設置されて容器7の底部7aとカバー7cとの係合が解除されたときに、昇降台22aが下降操作されることによって、容器7の底部7a及びこれに固定されたカセット7bをクリーンボックス3の内部に移動させる。
【0053】
搬送用ロボット23は、先端部に吸着機構23aが設けられた操作アーム23bを有しており、この操作アーム23bを移動操作して、その先端部に設けられた吸着機構23aにより半導体ウェハを吸着し、クリーンボックス3内における半導体ウェハの搬送を行うようになされている。
【0054】
プリアライナ24は、半導体ウェハに予め形成されているオリエンテーションフラット及びノッチを基準として、半導体ウェハの位相出し及びセンター出しを行うものである。検査装置1は、半導体ウェハを検査用ステージ14上に載置する前に、プリアライナ24によってその位相出し等を行うことにより、検査の効率を向上させるようになされている。
【0055】
半導体ウェハを検査用ステージ14上に設置する際は、先ず、エレベータ22により容器7の底部7a及びカセット7bがクリーンボックス3の内部に移動される。そして、カセット7bに装着された複数枚の半導体ウェハの中から検査対象の半導体ウェハが選択され、選択された半導体ウェハが搬送用ロボット23によりカセット7bから取り出される。
【0056】
カセット7bから取り出された半導体ウェハは、搬送用ロボット23によりプリアライナ24へと搬送される。プリアライナ24へ搬送された半導体ウェハは、このプリアライナ24によって位相出しやセンター出しが行われる。そして、位相出しやセンター出しが行われた半導体ウェハが、搬送用ロボット23により検査用ステージ14へと搬送され、吸着プレート19上に載置されて検査が行われる。
【0057】
検査対象の半導体ウェハが検査用ステージ14へと搬送されると、搬送用ロボット23によって次に検査する半導体ウェハがカセット7bから取り出され、プリアライナ24へと搬送される。そして、先に検査用ステージ14へと搬送された半導体ウェハの検査が行われている間に、次に検査する半導体ウェハの位相出しやセンター出しが行われる。そして、先に検査用ステージ14へと搬送された半導体ウェハの検査が終了すると、次に検査する半導体ウェハが検査用ステージ14へと速やかに搬送される。
【0058】
検査装置1は、以上のように、検査対象の半導体ウェハを検査用ステージ14へ搬送する前に、予めプリアライナ24により位相出しやセンター出しを行っておくことにより、検査用ステージ14による半導体ウェハの位置決めに要する時間を短縮することができる。また、検査装置1は、先に検査用ステージ14へと搬送された半導体ウェハの検査が行われている時間を利用して、次に検査する半導体ウェハをカセット7bから取り出し、プリアライナ24による位相出しやセンター出しを行うことにより、全体での時間の短縮を図ることができ、効率よく検査を行うことができる。
【0059】
ところで、この検査装置1において、エレベータ22と、搬送用ロボット23と、プリアライナ24とは、図5に示すように、それぞれが直線上に並ぶように支持台11上に設置されている。そして、エレベータ22と搬送用ロボット23との間の距離L1と、搬送用ロボット23とプリアライナ24との間の距離L2とが略等しい距離となるように、それぞれの設置位置が決定されている。さらに、搬送用ロボット23から見て、エレベータ22やプリアライナ24が並ぶ方向と略直交する方向に、検査用ステージ14が位置するような配置とされている。
【0060】
検査装置1は、各機構が以上のような配置とされていることにより、被検査物である半導体ウェハの搬送を迅速且つ正確に行うことができる。
【0061】
すなわち、この検査装置1では、エレベータ22と搬送用ロボット23との間の距離L1と、搬送用ロボット23とプリアライナ24との間の距離L2とが略等しい距離となっているので、搬送用ロボット23のアーム23bの長さを変えることなく、カセット7bから取り出した半導体ウェハをプリアライナ24に搬送することがでる。したがって、この検査装置1では、搬送用ロボット23のアーム23bの長さを変えたときに生じる誤差等が問題とならないので、半導体ウェハをプリアライナ24へと搬送する動作を正確に行うことができる。また、エレベータ22と搬送用ロボット23とプリアライナ24とが直線上に並んでいるので、搬送用ロボット23は直線的な動きのみにより、カセット7bから取り出した半導体ウェハをプリアライナ24に搬送することがでる。したがって、この検査装置1では、半導体ウェハをプリアライナ24へと搬送する動作を極めて正確に且つ迅速に行うことができる。
【0062】
さらに、この検査装置1では、搬送用ロボット23から見て、エレベータ22やプリアライナ24が並ぶ方向と略直交する方向に、検査用ステージ14が位置するような配置とされているので、搬送用ロボット23が直線的な動きをすることで、半導体ウェハを検査用ステージ14へ搬送することができる。したがって、この検査装置1では、半導体ウェハを検査用ステージ14へと搬送する動作を極めて正確に且つ迅速に行うことができる。特に、この検査装置1では、微細なデバイスパターンが形成された半導体ウェハの検査を行うため、被検査物である半導体ウェハの搬送及び位置決めを極めて正確に行う必要があるので、以上のような配置が非常に有効である。
【0063】
次に、上記検査装置1について、図6のブロック図を参照して更に詳細に説明する。
【0064】
図6に示すように、検査装置1の外部ユニット50には、表示装置51及び入力装置53aが接続された画像処理用コンピュータ60と、表示装置52及び入力装置53bが接続された制御用コンピュータ61とが配されている。なお、前掲した図1では、画像処理用コンピュータ60に接続された入力装置53aと、制御用コンピュータ61に接続された入力装置53bとをまとめて、入力装53として図示している。
【0065】
画像処理用コンピュータ60は、半導体ウェハを検査するときに、光学ユニット21の内部に設置されたCCD(charge-coupled device)カメラ30,31により半導体ウェハを撮像した画像を取り込んで処理するコンピュータである。すなわち、この検査装置1は、光学ユニット21の内部に設置されたCCDカメラ30,31により撮像した半導体ウェハの画像を、画像処理用コンピュータ60により処理して解析することにより、半導体ウェハの検査を行う。
【0066】
なお、画像処理用コンピュータ60に接続された入力装置53aは、CCDカメラ30,31から取り込んだ画像の解析等に必要な指示を、画像処理用コンピュータ30に対して入力するためのものであり、例えば、マウス等のポインティングデバイスやキーボード等からなる。また、画像処理用コンピュータ60に接続された表示装置51は、CCDカメラ30,31から取り込んだ画像の解析結果等を表示するためのものであり、例えば、CRTディスプレイや液晶ディスプレイ等からなる。
【0067】
制御用コンピュータ61は、半導体ウェハを検査するときに、検査用ステージ14、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリアライナ24、並びに光学ユニット12の内部の各機器等を制御するためのコンピュータである。すなわち、この検査装置1は、半導体ウェハの検査を行う際に、検査対象の半導体ウェハの画像が、光学ユニット21の内部に設置されたCCDカメラ30,31により撮像されるように、制御用コンピュータ61により、検査用ステージ14、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリアライナ24、並びに光学ユニット21の内部の各機器等を制御する。
【0068】
また、制御用コンピュータ61は、クリーンエアユニット4の送風機5a,5bを制御する機能を有する。すなわち、この検査装置1は、クリーンエアユニット4の送風機5a,5bを制御用コンピュータ61が制御することによって、半導体ウェハの検査を行う際に、クリーンボックス3内に清浄な空気を常時供給し、また、クリーンボックス3内の気流をコントロールできるようにしている。
【0069】
なお、制御用コンピュータ61に接続された入力装置53bは、検査用ステージ14、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリアライナ24、光学ユニット21の内部の各機器、並びにクリーンエアユニット4の送風機5a,5b等を制御するのに必要な指示を、制御用コンピュータ61に対して入力するためのものであり、例えば、マウス等のポインティングデバイスやキーボード等からなる。また、制御用コンピュータ61に接続された表示装置52は、半導体ウェハの検査時の各種条件等を表示するためのものであり、例えば、CRTディスプレイや液晶ディスプレイ等からなる。
【0070】
また、画像処理用コンピュータ60と制御用コンピュータ61とは、メモリリンク機構により、互いにデータのやり取りが可能とされている。すなわち、画像処理用コンピュータ60と制御用コンピュータ61は、それぞれに設けられたメモリリンクインターフェース60a,61aを介して互いに接続されており、画像処理用コンピュータ60と制御用コンピュータ51との間で、互いにデータのやり取りが可能となっている。
【0071】
一方、検査装置1のクリーンボックス3の内部には、密閉式の容器7に入れられて搬送されてきた半導体ウェハを、この容器7のカセット7bから取り出して検査用ステージ14に設置する機構として、上述したように、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリアライナ24が配されている。これらは、外部ユニット50に配された制御用コンピュータ61に、ロボット制御インターフェース61bを介して接続されている。そして、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリアライナ24には、制御用コンピュータ61からロボット制御インターフェース61bを介して、制御信号が送られる。
【0072】
すなわち、密閉式の容器7に入れられて搬送されてきた半導体ウェハを、この容器7のカセット7bから取り出して検査用ステージ14に設置する際は、制御用コンピュータ61からロボット制御インターフェース61bを介して、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリアライナ24に制御信号が送出される。そして、エレベータ22、搬送用ロボット23及びプリアライナ24がこの制御信号に基づいて動作し、上述したように、密閉式の容器7に入れられて搬送されてきた半導体ウェハを、この容器7のカセット7bから取り出して、プリアライナ25による位相出し及びセンター出しを行い、検査用ステージ14に設置する。
【0073】
また、検査装置1のクリーンボックス3の内部には除振台13が配されており、この除振台13上に、上述したように、Xステージ15、Yステージ16、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレート19を備えた検査用ステージ14が設置されている。
【0074】
ここで、Xステージ15、Yステージ16、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレート19は、外部ユニット50に配された制御用コンピュータ61に、ステージ制御インターフェース61cを介して接続されている。そして、Xステージ15、Yステージ16、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレート19には、制御用コンピュータ61からステージ制御インターフェース61cを介して、制御信号が送られる。
【0075】
すなわち、半導体ウェハの検査を行う際は、制御用コンピュータ61からステージ制御インターフェース61cを介して、Xステージ15、Yステージ16、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレート19に制御信号が送出される。そして、Xステージ15、Yステージ16、θステージ17、Zステージ18及び吸着プレート19が、この制御信号に基づいて動作し、吸着プレート19により検査対象の半導体ウェハを吸着して固定するとともに、Xステージ15、Yステージ16、θステージ17及びZステージ18により、半導体ウェハを所定の位置、角度及び高さとなるように移動する。
【0076】
また、除振台12上には、上述したように、光学ユニット21も設置されている。この光学ユニット21は、半導体ウェハの検査時に半導体ウェハの画像を撮像するためのものであり、上述したように、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を可視光を用いて低分解能にて行う機能と、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を紫外光を用いて高分解能にて行う機能とを兼ね備えている。
【0077】
この光学ユニット21の内部には、可視光にて半導体ウェハの画像を撮像するための機構として、可視光用CCDカメラ30と、ハロゲンランプ32と、可視光用光学系33と、可視光用対物レンズ34と、可視光用オートフォーカス制御部35とが配されている。
【0078】
そして、可視光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、ハロゲンランプ32を点灯させる。ここで、ハロゲンランプ32の駆動源は、外部ユニット50に配された制御用コンピュータ61に、光源制御インターフェース61dを介して接続されている。そして、ハロゲンランプ32の駆動源には、制御用コンピュータ61から光源制御インターフェース61dを介して制御信号が送られる。ハロゲンランプ32の点灯/消灯は、この制御信号に基づいて行われる。
【0079】
そして、可視光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、ハロゲンランプ32を点灯させ、このハロゲンランプ32からの可視光を、可視光用光学系33及び可視光用対物レンズ34を介して半導体ウェハにあてて、半導体ウェハを照明する。そして、可視光により照明された半導体ウェハの像を可視光用対物レンズ34により拡大し、その拡大像を可視光用CCDカメラ30により撮像する。
【0080】
ここで、可視光用CCDカメラ30は、外部ユニット50に配された画像処理用コンピュータ60に、画像取込インターフェース60bを介して接続されている。そして、可視光用CCDカメラ30により撮像された半導体ウェハの画像は、画像取込インターフェース60bを介して画像処理用コンピュータ60に取り込まれる。
【0081】
また、上述のように可視光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、可視光用オートフォーカス制御部35により、自動焦点位置合わせを行う。すなわち、可視光用オートフォーカス制御部35により、可視光用対物レンズ34と半導体ウェハの間隔が可視光用対物レンズ34の焦点距離に一致しているか否かを検出し、一致していない場合には、可視光用対物レンズ34又はZステージ18を動かして、半導体ウェハの検査対象面が可視光用対物レンズ34の焦点面に一致するようにする。
【0082】
ここで、可視光用オートフォーカス制御部35は、外部ユニット50に配された制御用コンピュータ61に、オートフォーカス制御インターフェース61eを介して接続されている。そして、可視光用オートフォーカス制御部35には、制御用コンピュータ61からオートフォーカス制御インターフェース61eを介して制御信号が送られる。可視光用オートフォーカス制御部35による可視光用対物レンズ34の自動焦点位置合わせは、この制御信号に基づいて行われる。
【0083】
また、光学ユニット21の内部には、紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像するための機構として、紫外光用CCDカメラ31と、紫外光レーザ光源36と、紫外光用光学系37と、紫外光用対物レンズ38と、紫外光用オートフォーカス制御部39とが配されている。
【0084】
そして、紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、紫外光レーザ光源36を点灯させる。ここで、紫外光レーザ光源36の駆動源は、外部ユニット50に配された制御用コンピュータ61に、光源制御インターフェース61dを介して接続されている。そして、紫外光レーザ光源36の駆動源には、制御用コンピュータ61から光源制御インターフェース61dを介して制御信号が送られる。紫外光レーザ光源36の点灯/消灯は、この制御信号に基づいて行われる。
【0085】
なお、紫外光レーザ光源36には、波長が266nm程度の紫外光レーザを出射するものを用いることが好ましい。波長が266nm程度の紫外光レーザは、YAGレーザの4倍波として得られる。また、レーザ光源としては、発振波長が166nm程度のものも開発されており、そのようなレーザ光源を上記紫外光レーザ光源36として用いてもよい。
【0086】
紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、紫外光レーザ光源36を点灯させ、この紫外光レーザ光源36からの紫外光を、紫外光用光学系37及び紫外光用対物レンズ38を介して半導体ウェハにあてて、半導体ウェハを照明する。そして、紫外光により照明された半導体ウェハの像を紫外光用対物レンズ38により拡大し、その拡大像を紫外光用CCDカメラ31により撮像する。
【0087】
ここで、紫外光用CCDカメラ31は、外部ユニット50に配された画像処理用コンピュータ60に、画像取込インターフェース60cを介して接続されている。そして、紫外光用CCDカメラ31により撮像された半導体ウェハの画像は、画像取込インターフェース60cを介して画像処理用コンピュータ60に取り込まれる。
【0088】
また、上述のように紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、紫外光用オートフォーカス制御部39により、自動焦点位置合わせを行う。すなわち、紫外光用オートフォーカス制御部39により、紫外光用対物レンズ38と半導体ウェハの間隔が紫外光用対物レンズ38の焦点距離に一致しているか否かを検出し、一致していない場合には、紫外光用対物レンズ38又はZステージ18を動かして、半導体ウェハの検査対象面が紫外光用対物レンズ38の焦点面に一致するようにする。
【0089】
ここで、紫外光用オートフォーカス制御部39は、外部ユニット50に配された制御用コンピュータ61に、オートフォーカス制御インターフェース61eを介して接続されている。そして、紫外光用オートフォーカス制御部39には、制御用コンピュータ61からオートフォーカス制御インターフェース61eを介して制御信号が送られる。紫外光用オートフォーカス制御部39による紫外光用対物レンズ38の自動焦点位置合わせは、この制御信号に基づいて行われる。
【0090】
また、クリーンエアユニット4には、上述したように、2つの送風機5a,5bが設けられている。これらの送風機5a,5bは、外部ユニット50に配された制御用コンピュータ61に、風量制御インターフェース61fを介して接続されている。そして、クリーンエアユニット4の送風機5a,5bには、制御用コンピュータ61から風量制御インターフェース61fを介して、制御信号が送られる。送風機5a,5bの回転数の制御やオン/オフの切り替え等は、この制御信号に基づいて行われる。
【0091】
次に、上記検査装置1の光学ユニット21の光学系について、図7を参照して更に詳細に説明する。なお、ここでは、オートフォーカス制御部35,39についての説明は省略し、検査対象の半導体ウェハを照明する光学系と、検査対象の半導体ウェハを撮像する光学系とについて説明する。
【0092】
図7に示すように、光学ユニット21は、可視光にて半導体ウェハの画像を撮像するための光学系として、ハロゲンランプ32と、可視光用光学系33と、可視光用対物レンズ34とを備えている。
【0093】
ハロゲンランプ32からの可視光は、光ファイバ40によって可視光用光学系33へと導かれる。可視光用光学系33へと導かれた可視光は、先ず、2つのレンズ41,42を透過してハーフミラー43に入射する。そして、ハーフミラー43に入射した可視光は、ハーフミラー43によって可視光用対物レンズ34へ向けて反射され、可視光用対物レンズ34を介して半導体ウェハに入射する。これにより、半導体ウェハが可視光により照明される。
【0094】
そして、可視光により照明された半導体ウェハの像は、可視光用対物レンズ34により拡大され、ハーフミラー43及び撮像用レンズ44を透過して、可視光用CCDカメラ30により撮像される。すなわち、可視光により照明された半導体ウェハからの反射光が、可視光用対物レンズ34、ハーフミラー43及び撮像用レンズ44を介して可視光用CCDカメラ30に入射し、これにより、半導体ウェハの拡大像が可視光用CCDカメラ30によって撮像される。そして、可視光用CCDカメラ30によって撮像された半導体ウェハの画像(以下、可視画像と称する。)は、画像処理用コンピュータ60へと送られる。
【0095】
また、光学ユニット21は、紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像するための光学系として、紫外光レーザ光源36と、紫外光用光学系37と、紫外光用対物レンズ38とを備えている。
【0096】
紫外光レーザ光源36からの紫外光は、光ファイバ45によって紫外光用光学系37へ導かれる。紫外光用光学系37へと導かれた紫外光は、先ず、2つのレンズ46,47を透過してハーフミラー48に入射する。そして、ハーフミラー48に入射した可視光は、ハーフミラー48によって紫外光用対物レンズ38へ向けて反射され、紫外光用対物レンズ38を介して半導体ウェハに入射する。これにより、半導体ウェハが紫外光により照明される。
【0097】
そして、紫外光により照明された半導体ウェハの像は、紫外光用対物レンズ38により拡大され、ハーフミラー48及び撮像用レンズ49を透過して、紫外光用CCDカメラ31により撮像される。すなわち、紫外光により照明された半導体ウェハからの反射光が、紫外光用対物レンズ38、ハーフミラー48及び撮像用レンズ49を介して紫外光用CCDカメラ31に入射し、これにより、半導体ウェハの拡大像が紫外光用CCDカメラ31によって撮像される。そして、紫外光用CCDカメラ31によって撮像された半導体ウェハの画像(以下、紫外画像と称する。)は、画像処理用コンピュータ60へと送られる。
【0098】
以上のような検査装置1では、可視光よりも短波長の光である紫外光により、半導体ウェハの画像を撮像して検査することができるので、可視光を用いて欠陥の検出や分類分けを行う場合に比べて、より微細な欠陥の検出や分類分けを行うことができる。
【0099】
しかも、上記検査装置1では、可視光用の光学系と紫外光用の光学系とを兼ね備えており、可視光を用いた低分解能での半導体ウェハの検査と、紫外光を用いた高分解能での半導体ウェハの検査との両方を行うことができる。したがって、上記検査装置1では、可視光を用いた低分解能での半導体ウェハの検査により、大きい欠陥の検出や分類分けを行い、且つ、紫外光を用いた高分解能での半導体ウェハの検査により、小さい欠陥の検出や分類分けを行うといったことも可能である。
【0100】
なお、上記検査装置1において、紫外光用対物レンズ40の開口数NAは、大きい方が好ましく、例えば0.9以上とする。このように、紫外光用対物レンズ40として、開口数NAの大きなレンズを用いることで、より微細な欠陥の検出が可能となる。
【0101】
ところで、半導体ウェハの欠陥が、引っ掻き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる場合、可干渉性を持たない光では、その欠陥を見ることは殆どできない。これに対して、レーザ光のように可干渉性に優れた光を用いた場合には、引っ掻き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる欠陥であっても、凹凸の段差近辺で光が干渉することにより、当該欠陥をはっきりと見ることができる。そして、上記検査装置1では、紫外光の光源として紫外域のレーザ光を出射する紫外光レーザ光源36を用いている。したがって、上記検査装置1では、引っ掻き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる欠陥であっても、当該欠陥をはっきりと検出することができる。すなわち、上記検査装置1では、ハロゲンランプ32からの可視光(インコヒーレント光)では検出が困難な位相情報を、紫外光レーザ光源36からの紫外光レーザ(コヒーレント光)を用いて、容易に検出することができる。
【0102】
次に、上記検査装置1で半導体ウェハを検査するときの手順の一例を、図8のフローチャートを参照して説明する。なお、図8のフローチャートでは、検査対象の半導体ウェハが検査用ステージ14に設置された状態以降の処理の手順を示している。また、図8に示すフローチャートは、半導体ウェハ上の欠陥の位置が予め分かっている場合に、その欠陥を上記検査装置1により検査して分類分けを行うときの手順の一例を示している。また、ここでは、半導体ウェハ上に同様なデバイスパターンが多数形成されているものとし、欠陥の検出や分類分けは、欠陥がある領域の画像(欠陥画像)と、その他の領域の画像(参照画像)とを撮像し、それらを比較することで行うものとする。
【0103】
先ず、ステップS1−1に示すように、制御用コンピュータ61に欠陥位置座標ファイルを読み込む。ここで、欠陥位置座標ファイルは、半導体ウェハ上の欠陥の位置に関する情報が記述されたファイルであり、欠陥検出装置等により、半導体ウェハ上の欠陥の位置を予め計測して作成しておく。そして、ここでは、その欠陥位置座標ファイルを制御用コンピュータ61に読み込む。
【0104】
次に、ステップS1−2において、制御用コンピュータ61によりXステージ15及びYステージ16を駆動させ、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置座標へ半導体ウェハを移動させ、半導体ウェハの検査対象領域が可視光用対物レンズ34の視野内に入るようにする。
【0105】
次に、ステップS1−3において、制御用コンピュータ61により可視光用オートフォーカス制御部35を駆動させ、可視光用対物レンズ34の自動焦点位置合わせを行う。
【0106】
次に、ステップS1−4において、可視光用CCDカメラ30により半導体ウェハの画像を撮像し、撮像した可視画像を画像処理用コンピュータ60に送る。なお、ここで撮像される可視画像は、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置座標における画像、すなわち、欠陥があるとされる領域の画像(以下、欠陥画像と称する。)である。
【0107】
次に、ステップS1−5において、制御用コンピュータ61によりXステージ15及びYステージ16を駆動させ、参照位置座標へ半導体ウェハを移動させて、半導体ウェハの参照領域が可視光用対物レンズ34の視野内に入るようにする。ここで、参照領域は、半導体ウェハの検査対象領域以外の領域であって、半導体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデバイスパターンが形成されている領域である。
【0108】
次に、ステップS1−6において、制御用コンピュータ61により可視光用オートフォーカス制御部35を駆動させ、可視光用対物レンズ34の自動焦点位置合わせを行う。
【0109】
次に、ステップS1−7において、可視光用CCDカメラ30により半導体ウェハの画像を撮像し、撮像した可視画像を画像処理用コンピュータ60に送る。なお、ここで撮像される可視画像は、半導体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデバイスパターンが形成されている領域の画像(以下、参照画像と称する。)である。
【0110】
次に、ステップS1−8において、画像処理用コンピュータ60により、ステップS1−4で取り込んだ欠陥画像と、ステップS1−7で取り込んだ参照画像とを比較し、欠陥画像から欠陥を検出する。そして、欠陥が検出できた場合には、ステップS1−9へ進み、欠陥が検出できなかった場合には、ステップS1−11へ進む。
【0111】
ステップS1−9では、画像処理用コンピュータ60により、検出された欠陥が何であるかを調べて分類分けを行う。そして、欠陥の分類分けができた場合には、ステップS1−10へ進み、欠陥の分類分けができなかった場合には、ステップS1−11へ進む。
【0112】
ステップS1−10では、欠陥の分類結果を保存する。ここで、欠陥の分類結果は、例えば、画像処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ61に接続された記憶装置に保存する。なお、欠陥の分類結果は、画像処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ61にネットワークを介して接続された他のコンピュータに転送して保存するようにしてもよい。
【0113】
ステップS1−10での処理が完了したら、半導体ウェハの欠陥の分類分けが完了したこととなるので、これで処理を終了する。ただし、半導体ウェハ上に複数の欠陥がある場合には、ステップS1−2へ戻って、他の欠陥の検出及び分類分けを行うようにしてもよい。
【0114】
一方、ステップS1−8で欠陥検出ができなかった場合や、ステップS1−9で欠陥の分類分けができなかった場合には、ステップS1−11以降へ進み、紫外光を用いて高分解能での撮像を行って欠陥の検出や分類分けを行う。
【0115】
その場合は、先ず、ステップS1−11において、制御用コンピュータ61によりXステージ15及びYステージ16を駆動させ、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置座標へ半導体ウェハを移動させて、半導体ウェハの検査対象領域が紫外光用対物レンズ38の視野内に入るようにする。
【0116】
次に、ステップS1−12において、制御用コンピュータ61により紫外光用オートフォーカス制御部39を駆動させ、紫外光用対物レンズ38の自動焦点位置合わせを行う。
【0117】
次に、ステップS1−13において、紫外光用CCDカメラ31により半導体ウェハの画像を撮像し、撮像した紫外画像を画像処理用コンピュータ60に送る。なお、ここで撮像される紫外画像は、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置座標における画像、すなわち欠陥画像である。また、ここでの欠陥画像の撮像は、可視光よりも短波長の光である紫外光を用いて、可視光を用いた場合の撮像よりも高分解能にて行う。
【0118】
次に、ステップS1−14において、制御用コンピュータ61によりXステージ15及びYステージ16を駆動させ、参照位置座標へ半導体ウェハを移動させて、半導体ウェハの参照領域が紫外光用対物レンズ38の視野内に入るようにする。ここで、参照領域は、半導体ウェハの検査対象領域以外の領域であって、半導体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデバイスパターンが形成されている領域である。
【0119】
次に、ステップS1−15において、制御用コンピュータ61により紫外光用オートフォーカス制御部39を駆動させ、紫外光用対物レンズ38の自動焦点位置合わせを行う。
【0120】
次に、ステップS1−16において、紫外光用CCDカメラ31により半導体ウェハの画像を撮像し、撮像した紫外画像を画像処理用コンピュータ60に送る。なお、ここで撮像される紫外画像は、半導体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデバイスパターンが形成されている領域の画像、すなわち参照画像である。また、ここでの参照画像の撮像は、可視光よりも短波長の光である紫外光を用いて、可視光を用いた場合よりも高分解能にて行う。
【0121】
次に、ステップS1−17において、画像処理用コンピュータ60により、ステップS1−13で取り込んだ欠陥画像と、ステップS1−16で取り込んだ参照画像とを比較し、欠陥画像から欠陥を検出する。そして、欠陥が検出できた場合には、ステップS1−18へ進み、欠陥が検出できなかった場合には、ステップS1−19へ進む。
【0122】
ステップS1−18では、画像処理用コンピュータ60により、検出された欠陥が何であるかを調べて分類分けを行う。そして、欠陥の分類分けができた場合には、ステップS1−10へ進み、上述したように、欠陥の分類結果を保存する。一方、欠陥の分類分けができなかった場合には、ステップS1−19へ進む。
【0123】
ステップS1−19では、欠陥の分類分けができなかったことを示す情報を保存する。ここで、欠陥の分類分けができなかったことを示す情報は、例えば、画像処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ61に接続された記憶装置に保存する。なお、この情報は、画像処理用コンピュータ60や制御用コンピュータ61にネットワークを介して接続された他のコンピュータに転送して保存するようにしてもよい。
【0124】
以上のような手順により、先ず、可視光用CCDカメラ30により撮像された画像を処理して解析することで低分解能にて半導体ウェハの検査を行い、可視光での欠陥の検出や分類分けができなかった場合に、次に、紫外光用CCDカメラ31により撮像された画像を処理して解析することで高分解能にて半導体ウェハの検査を行う。
【0125】
ここで、CCDカメラ30,31によって撮像された参照画像及び欠陥画像から欠陥を検出する手法について、図9を参照して説明する。
【0126】
図9(a)は、検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデバイスパターンが形成されている参照領域の画像、すなわち参照画像の一例を示している。また、図9(b)は、欠陥があるとされる検査対象領域の画像、すなわち欠陥画像の一例を示している。
【0127】
このような参照画像及び欠陥画像から欠陥を検出する際は、参照画像から色情報や濃淡情報などに基づいて、図9(c)に示すようにデバイスパターンを抽出する。また、参照画像と欠陥画像から差の画像を求め、差の大きな部分を図9(d)に示すように欠陥として抽出する。
【0128】
そして、図9(e)に示すように、図9(c)に示したデバイスパターン抽出結果の画像と、図9(d)に示した欠陥抽出結果の画像とを重ね合わせた画像を得て、欠陥がデバイスパターンに存在する割合などを、欠陥に関する特徴量として抽出する。
【0129】
以上のような手法により、CCDカメラ30,31によって撮像された参照画像及び欠陥画像を画像処理用コンピュータ60で処理し解析することで欠陥を検出し、半導体ウェハの検査を行うことができる。
【0130】
検査装置1は、上述したように、先ず、可視光用CCDカメラ30により撮像された画像を処理して解析することで低分解能にて半導体ウェハの検査を行い、可視光での欠陥の検出や分類分けができなかった場合に、次に、紫外光用CCDカメラ31により撮像された画像を処理して解析することで高分解能にて半導体ウェハの検査を行うようにしているので、可視光だけを用いて欠陥の検出や分類分けを行う場合に比べて、より微細な欠陥の検出や分類分けを行うことができる。
【0131】
ただし、可視光を用いて低分解能にて撮像した方が、一度に撮像できる領域が広いので、欠陥が十分に大きい場合には、可視光を用いて低分解能にて半導体ウェハの検査を行った方が効率が良い。したがって、最初から紫外光を用いて欠陥の検査や分類分けを行うのではなく、上述のように、最初に可視光を用いて欠陥の検査や分類分けを行うようにすることで、より効率良く半導体ウェハの検査を行うことができる。
【0132】
また、この検査装置1においては、上述したように、クリーンボックス3が支持部材70により支持された状態で設置スペース100に設置されることによって、設置スペース100を構成する複数の床板材101の中で、装置本体10が設置される床板材101とは異なる床板材101上にクリーンボックス3が設置されるようになされている。したがって、この検査装置1では、クリーンボックス3に生じた振動が装置本体10に伝わることを有効に抑制して、装置本体10による半導体ウェハの微細なパターンの検査を適切に行うことができる。
【0133】
なお、以上の説明では、本発明を適用した検査装置1を、半導体ウェハの欠陥が何であるかを調べるために用いるものとしてきた。しかし、本発明に係る検査装置1の用途は、半導体ウェハの欠陥識別以外の用途にも使用可能である。すなわち、本発明に係る検査装置1は、例えば、半導体ウェハ上に形成したデバイスパターンが、所望するパターン通りに適切な形状に形成されているか否かを検査するのに用いることもできる。更に、本発明に係る検査装置1の用途は、半導体ウェハの検査に限定されるものでもなく、本発明に係る検査装置1は、微細パターンの検査に対して広く適用可能であり、例えば、微細なパターンが形成されたフラットパネルディスプレイの検査などにも有効である。
【0134】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る検査装置では、グレーチングには、クリーンボックスを支持する支持部材が設置され、嫌振架台には、装置本体部が設置され、クリーンボックスと装置本体部とが異なる床板材上に設置されることにより、クリーンボックスの振動が装置本体部に伝わることが有効に抑制される。したがって、この検査装置によれば、装置本体部による被検査物の検査を適切に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した検査装置が設置される設置スペースの一部を斜め上方からみた様子を示す斜視図である。
【図2】図1におけるA1−A2線断面図である。
【図3】本発明を適用した検査装置の外観を示す斜視図である。
【図4】上記検査装置のクリーンボックスの内部に配設された装置本体を図3中矢印B方向から見た様子を示す図である。
【図5】上記検査装置の装置本体を上側から見た様子を模式的に示す平面図である。
【図6】上記検査装置の一構成例を示すブロック図である。
【図7】上記検査装置の光学ユニットの光学系の一構成例を示す図である。
【図8】上記検査装置で半導体ウェハの検査を行うときの手順の一例を示すフローチャートである。
【図9】参照画像と欠陥画像とから欠陥を検出する手法を説明するための図である。
【符号の説明】
1 検査装置、2 クリーンユニット、3 クリーンボックス、4 クリーンエアユニット、6 脚部、10 装置本体、12 脚部、14 検査用ステージ、21 光学ユニット、22 エレベータ、23 搬送用ロボット、24 プリアライナ、30 可視光用CCDカメラ、31 紫外光用CCDカメラ、32 ハロゲンランプ、33 可視光用光学系、34 可視光用対物レンズ、36 紫外光レーザ光源、37 紫外光用光学系、38 紫外光用対物レンズ、50 外部ユニット、70 支持部材、71 載置部、72 支持脚、100 設置スペース、101 床板材

Claims (3)

  1. 複数枚の床板材が敷き詰められてなる設置スペースに設置される検査装置であって、
    内部環境がクリーンに保たれるクリーンボックスと、
    上記クリーンボックスの内部に収容されて、被検査物の検査を行う装置本体部と、
    上記クリーンボックスを支持する支持部材とを備え、
    上記設置スペースは、上記床板材が、グレーチングと、該グレーチングに比べて耐荷重性及び耐振性に優れた嫌振架台とからなり、上記グレーチングには、上記クリーンボックスを支持する上記支持部材が設置され、上記嫌振架台に、上記装置本体部が設置され、上記クリーンボックスと上記装置本体部と異なる床板材上に設置され検査装置。
  2. 上記装置本体部は、上記被検査物に対して紫外光を照射し、その反射光又は透過光を検出することで、上記被検査物の検査を行う検査手段を備える請求項1記載の検査装置。
  3. 上記床板材は、縦横に僅かな隙間を介し縦横に隣接して、防振部材によって基礎上に支持されて並べられており、
    上記防振部材は、上記床板材の角部が突き合わされる箇所に配設されている請求項1又は請求項2記載の検査装置。
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WO2021178267A1 (en) * 2020-03-02 2021-09-10 Lam Research Corporation Pedestal including pedestal plates for semiconductor fab tools and method for orienting the pedestal plates

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160024795A (ko) * 2014-08-25 2016-03-07 가부시기가이샤 디스코 가공 장치
KR102366999B1 (ko) 2014-08-25 2022-02-24 가부시기가이샤 디스코 가공 장치
WO2021178267A1 (en) * 2020-03-02 2021-09-10 Lam Research Corporation Pedestal including pedestal plates for semiconductor fab tools and method for orienting the pedestal plates

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