JP2001118895A - 検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハ等の検査を行う環境を高いクリ
ーン度に保ち、微細なパターンの検査を適切に行うこと
を可能にする。 【解決手段】 半導体ウェハ等の検査を行う装置本体１
０をクリーンボックス３の内部に収容し、この装置本体
１０が収容されたクリーンボックス３の内部に、クリー
ンエアユニット４から清浄な空気を供給する。クリーン
エアユニット４には、複数の送風機５ａ，５ｂを設け、
クリーンボックス３の内部に供給する清浄な空気の風量
を、これら複数の送風機５ａ，５ｂ毎に個別に制御でき
るようにする。これにより、クリーンボックス３内の気
流を自在にコントロールすることが可能となり、クリー
ンボックス３内に発生した塵埃等をクリーンボックス３
の外部に効果的に排出し、クリーンボックス３の内部を
高いクリーン度に保つことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、所定のデバイスパ
ターンが形成された半導体ウェハ等の検査に用いられる
検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスは、半導体ウェハ上に微
細なデバイスパターンを形成することにより作製され
る。このようなデバイスパターンを形成するときに、半
導体ウェハ上に塵埃等が付着したり、傷が付いたりし
て、欠陥が生じることがある。このような欠陥が生じた
半導体デバイスは、不良デバイスとなり、歩留まりを低
下させる。

【０００３】したがって、製造ラインの歩留まりを高い
水準で安定させるためには、塵埃や傷等によって発生す
る欠陥を早期に発見し、その原因を突き止め、製造設備
や製造プロセスに対して有効な対策を講じることが好ま
しい。

【０００４】そこで、欠陥が発見された場合には、検査
装置を用いて、その欠陥が何であるかを調べて分類分け
を行い、その欠陥の原因となった設備やプロセスを特定
するようにしている。ここで、欠陥が何であるかを調べ
る検査装置は、いわば光学顕微鏡のようなものであり、
欠陥を拡大して見ることで、その欠陥が何であるかを識
別するようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のよう
な検査を行う際に半導体ウェハ上に塵埃等が付着する
と、適切な検査を行うことができない。したがって、半
導体ウェハの検査は、クリーンな環境の中で行う必要が
ある。

【０００６】半導体ウェハの検査を行う環境をクリーン
に保つ方法としては、検査装置の本体部分をクリーンボ
ックスで覆い、このクリーンボックスの内部を高いクリ
ーン度に保つ方法が有効である。この場合、検査対象で
ある半導体ウェハを密閉式の容器に入れて搬送し、この
容器を介して半導体ウェハをクリーンボックス内に移送
するようにすれば、検査装置が設置される環境全体を高
いクリーン度に保たなくとも、半導体ウェハ上に塵埃等
が付着することを有効に抑制して、半導体ウェハの検査
を適切に行うことが可能となる。

【０００７】ところで、検査対象である半導体ウェハの
デバイスパターンは、半導体デバイスの高集積化に伴っ
て、ますます微細化しており、近年では線幅が０．１８
μｍ以下にまでなってきている。このような微細なパタ
ーンの検査を行う上では、従来あまり問題とされていな
かったような非常に微細な塵埃等も適切な検査を阻害す
る要因となる。したがって、このような微細なパターン
の検査を適切に行うために、検査を行う環境を更に高い
クリーン度に保ち、検査の過程で非常に微細な塵埃等が
生じても、これが半導体ウェハ上に付着することを有効
に防止する必要が生じてきている。

【０００８】本発明は、以上のような実情に鑑みて創案
されたものであり、高いクリーン環境を実現し、微細な
パターンの検査を適切に行う検査装置を提供することを
目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意検討を重ねた結果、クリーンボックス内
に清浄な空気を供給し、このクリーンボックス内に供給
された清浄な空気の気流を適切にコントロールすること
によって、微細な塵埃等が被検査物に付着することを有
効に防止して、微細なパターンの検査を適切に行うこと
ができることを見出すに至った。

【００１０】本発明に係る検査装置は、以上のような知
見に基づいて創案されたものであって、被検査物の検査
を行う装置本体部と、この装置本体部を内部に収容する
クリーンボックスと、このクリーンボックスの上部に設
けられ、クリーンボックスの内部に清浄なエアを供給す
るエア供給部とを備え、空気供給部が、クリーンボック
ス上部の異なる位置に配設された複数の送風機を有し、
クリーンボックスの内部に供給する清浄な空気の風量
を、複数の送風機毎に個別に制御可能とされていること
を特徴とするものである。

【００１１】この検査装置によれば、装置本体部を収容
するクリーンボックスの内部は、空気供給部からの清浄
な空気が供給されることにより、クリーンな環境に保た
れる。そして、この検査装置においては、空気供給部か
らクリーンボックスの内部に供給される清浄な空気の風
量が、複数の送風機毎に個別に制御可能とされているの
で、クリーンボックス内の気流を自在にコントロールす
ることができる。これにより、検査の過程で生じた微細
な塵埃等が被検査物に付着することを有効に防止して、
装置本体部による被検査物の検査を適切に行うことがで
きる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１３】本発明を適用した検査装置の外観を図１に
示す。この検査装置１は、所定のデバイスパターンが形
成された半導体ウェハの検査を行うためのものであり、
半導体ウェハに形成されたデバイスパターンに欠陥が発
見された場合に、その欠陥が何であるかを調べて分類分
けを行うものである。

【００１４】図１に示すように、この検査装置１は、半
導体ウェハの検査を行う環境をクリーンに保つためのク
リーンユニット２を備えている。このクリーンユニット
２は、ステンレス鋼板等が折り曲げ加工され、中空の箱
状に形成されてなるクリーンボックス３と、このクリー
ンボックス３の上部に一体に設けられたクリーンエアユ
ニット４とを備えている。

【００１５】クリーンボックス３には、所定の箇所に窓
部３ａが設けられており、検査者がこの窓部３ａからク
リーンボックス３の内部を視認できるようになされてい
る。

【００１６】クリーンエアユニット４は、クリーンボッ
クス３内に清浄な空気を供給するためのものであり、ク
リーンボックス３の上部の異なる位置にそれぞれ配設さ
れた２つの送風機５ａ，５ｂと、これら送風機５ａ，５
ｂとクリーンボックス３との間に配設された図示しない
エアフィルタとを備えている。エアフィルタは、例え
ば、ＨＥＰＡフィルタ（High Efficiency Particulate
Air Filter）やＵＬＰＡフィルタ（Ultra Low Penetrat
ion Air Filter)等の高性能エアフィルタである。そし
て、このクリーンエアユニット４は、送風機５ａ，５ｂ
により送風される空気中の塵埃等を高性能エアフィルタ
によって除去し、清浄な空気として、クリーンボックス
３の内部に供給するようになされている。

【００１７】本発明を適用した検査装置１では、このク
リーンエアユニット４からクリーンボックス３内に供給
される清浄な空気の風量を、２つの送風機５ａ，５ｂ毎
に個別に制御することによって、クリーンボックス３内
の気流を適切にコントロールすることができるようにな
されているが、これについては詳細を後述する。なお、
ここでは、クリーンエアユニット４が２つの送風機５
ａ，５ｂを備える例を説明するが、送風機の数はクリー
ンボックス３の大きさや形状に合わせて決定すればよ
く、３つ以上の送風機を備える構成とされていてもよ
い。この場合には、クリーンエアユニット４からクリー
ンボックス３内に供給される清浄な空気の風量が、各送
風機毎に個別に制御されることになる。

【００１８】クリーンボックス３は、支持脚６によって
床板上に支持されており、その下端部が開放された構造
となっている。そして、クリーンエアユニット４からク
リーンボックス３内に供給された空気は、主にこのクリ
ーンボックス３の下端部からクリーンボックス３の外部
に排出されるようになされている。また、クリーンボッ
クス３の側面部には、詳細を後述するが、所定の箇所に
開口領域が設けられており、クリーンエアユニット４か
らクリーンボックス３内に供給された空気が、このクリ
ーンボックス３の側面部に設けられた開口領域からも外
部に排出されるようになされている。

【００１９】クリーンユニット２は、以上のように、ク
リーンボックス３内にクリーンエアユニット４からの清
浄な空気を常時供給し、クリーンボックス３内を気流と
なって循環した空気をクリーンボックス３の外部に排出
させる。これによって、クリーンボックス３内にて発生
した塵埃等をこの空気と共にクリーンボックス３の外部
に排出させ、クリーンボックス３の内部環境を、例えば
クラス１程度の非常に高いクリーン度に保つようにして
いる。

【００２０】また、クリーンボックス３は、外部から塵
埃等を含んだ空気が内部に進入する事を防止するため
に、内部の気圧が常に陽圧に保たれている。

【００２１】そして、この検査装置１は、図２に示すよ
うに、クリーンボックス３の内部に装置本体１０が収容
され、クリーンボックス３の中で、この装置本体１０に
よって、所定のデバイスパターンが形成された半導体ウ
ェハの検査が行われるようになされている。ここで、被
検査物となる半導体ウェハは、所定の密閉式の容器７に
入れて搬送され、この容器７を介して、クリーンボック
ス３の内部に移送される。なお、図２は、クリーンボッ
クス３の内部を図１中矢印Ａ１方向から見た様子を示し
ている。

【００２２】容器７は、底部７ａと、この底部７ａに固
定されたカセット７ｂと、底部７ａに着脱可能に係合さ
れてカセット７ｂを覆うカバー７ｃとを有している。被
検査物となる半導体ウェハは、複数枚が所定間隔を存し
て重ね合わされるようにカセット７ｂに装着され、底部
７ａとカバー７ｃとで密閉される。

【００２３】そして、半導体ウェハの検査を行う際は、
先ず、半導体ウェハが入れられた容器７がクリーンボッ
クス３の所定の位置に設けられた容器設置スペース８に
設置される。この容器設置スペース８には、後述するエ
レベータ２２の昇降台２２ａ上面がクリーンボックス３
の外部に臨むように配されており、容器７は、その底部
７ａがこのエレベータ２２の昇降台２２ａ上に位置する
ように、容器設置スペース８に設置される。

【００２４】容器７が容器設置スペース８に設置される
と、容器７の底部７ａとカバー７ｃとの係合が解除され
る。そして、エレベータ２０の昇降台２０ａが図２中矢
印Ｂ方向に下降操作されることによって、容器７の底部
７ａ及びカセット７ｂが、カバー７ｃから分離してクリ
ーンボックス３の内部に移動する。これにより、被検査
物である半導体ウェハが、外気に晒されることなくクリ
ーンボックス３の内部に移送されることになる。

【００２５】半導体ウェハがクリーンボックス３内に移
送されると、後述する搬送用ロボット２３により、検査
対象の半導体ウェハがカセット７ｂから取り出されて検
査が行われる。

【００２６】検査装置１は、以上のように、高いクリー
ン度に保たれたクリーンボックス３の内部で半導体ウェ
ハの検査を行うようにしているので、検査時に半導体ウ
ェハに塵埃等が付着して適切な検査が阻害されるといっ
た不都合を有効に回避することができる。しかも、被検
査物となる半導体ウェハを密閉式の容器７に入れて搬送
し、この容器７を介して半導体ウェハをクリーンボック
ス３の内部に移送するようにしているので、クリーンボ
ックス３の内部と容器７の内部だけを十分なクリーン度
に保っておけば、検査装置１が設置される環境全体のク
リーン度を高めなくても、半導体ウェハへの塵埃等の付
着を有効に防止することができる。

【００２７】このように必要な場所のクリーン度だけを
局所的に高めるようにすることで、高いクリーン度を実
現しつつ、且つ、クリーン環境を実現するためのコスト
を大幅に抑えることができる。なお、密閉式の容器７と
クリーンボックス３との機械的なインターフェースとし
ては、いわゆるＳＭＩＦ（standard mechanical interf
ace）が好適であり、その場合、密閉式の容器７として
は、いわゆるＳＭＩＦ−ＰＯＤが用いられる。

【００２８】また、この検査装置１は、図１に示すよう
に、装置本体１０を操作するためのコンピュータ等が配
される外部ユニット５０を備えている。この外部ユニッ
ト５０は、クリーンボックス３の外部に設置されてい
る。この外部ユニット５０には、半導体ウェハを撮像し
た画像等を表示するための表示装置５１や、検査時の各
種条件等を表示するための表示装置５２、装置本体１０
への指示入力等を行うための入力装置５３等も配されて
いる。そして、半導体ウェハの検査を行う検査者は、外
部ユニット５０に配された表示装置５１，５２を見なが
ら、外部ユニット５０に配された入力装置５３から必要
な指示を入力して半導体ウェハの検査を行う。

【００２９】次に、クリーンボックス３の内部に配設さ
れた装置本体１０について、詳細に説明する。

【００３０】装置本体１０は、図２に示すように、支持
台１１を備えている。この支持台１１は、装置本体１０
の各機構を支持するための台である。この支持台１１の
底部には支持脚１２が取り付けられており、支持台１１
及び支持台１１上に設けられた各機構は、この支持脚１
２によってクリーンボックス３とは独立に床板上に支持
される構造となっている。

【００３１】支持台１１上には、除振台１３を介して、
被検査物となる半導体ウェハが載置される検査用ステー
ジ１４が設けられている。

【００３２】除振台１３は、床からの振動や、検査用ス
テージ１４を移動操作した際に生じる振動等を抑制する
ためのものであり、検査用ステージ１４が設置される石
定盤１３ａと、この石定盤１３ａを支える複数の可動脚
部１３ｂとを備えている。そして、この除振台１３は、
振動が生じたときにその振動を検知して可動脚部１３ｂ
を駆動し、石定盤１３ａ及びこの石定盤１３ａ上に設置
された検査用ステージ１４の振動を速やかに打ち消すよ
うにしている。

【００３３】この検査装置１では、微細なデバイスパタ
ーンが形成された半導体ウェハの検査を行うため、僅か
な振動でも検査の障害となる場合がある。特に、この検
査装置１では、紫外光を用いて高分解能での検査を行う
ため、振動の影響が大きく現れやすい。そこで、この検
査装置１では、除振台１３上に検査用ステージ１４を設
置することによって、検査用ステージ１４に僅かな振動
が生じた場合であっても、この振動を速やかに打ち消
し、振動の影響を抑えて、紫外光を用いて高分解能での
検査を行う際の検査能力を向上させるようにしている。

【００３４】なお、除振台１３上に検査用ステージ１４
を安定的に設置するには、除振台１３の重心がある程度
低い位置にあることが望ましい。そこで、この検査装置
１においては、石定盤１３ａの下端部に切り欠き部１３
ｃを設け、可動脚部１３ｂがこの切り欠き部１３ｃにて
石定盤１３ａを支えるようにして、除振台１３の重心を
下げるようにしている。

【００３５】なお、検査用ステージ１４を移動操作した
際に生じる振動等は、事前にある程度予測することがで
きる。このような振動を事前に予測して除振台１３を動
作させるようにすれば、検査用ステージ１４に生じる振
動を未然に防止することが可能である。したがって、検
査装置１は、検査用ステージ１４を移動操作した際に生
じる振動等を事前に予測して除振台１３を動作させるよ
うになされていることが望ましい。

【００３６】検査用ステージ１４は、被検査物となる半
導体ウェハを支持するためのステージである。この検査
用ステージ１４は、被検査物となる半導体ウェハを支持
するとともに、この半導体ウェハを所定の検査対象位置
へと移動させる機能も備えている。

【００３７】具体的には、検査用ステージ１４は、除振
台１３上に設置されたＸステージ１５と、Ｘステージ１
５上に設置されたＹステージ１６と、Ｙステージ１６上
に設置されたθステージ１７と、θステージ１７上に設
置されたＺステージ１８と、Ｚステージ１８上に設置さ
れた吸着プレート１９とを備えている。

【００３８】Ｘステージ１５及びＹステージ１６は、水
平方向に移動するステージであり、Ｘステージ１５とＹ
ステージ１６とで、被検査物となる半導体ウェハを互い
に直交する方向に移動させ、検査対象のデバイスパター
ンを所定の検査位置へと導くようにしている。

【００３９】θステージ１７は、いわゆる回転ステージ
であり、半導体ウェハを回転させるためのものである。
半導体ウェハの検査時には、θステージ１７により、例
えば、半導体ウェハ上のデバイスパターンが画面に対し
て水平又は垂直となるように、半導体ウェハを回転させ
る。

【００４０】Ｚステージ１８は、鉛直方向に移動するス
テージであり、ステージの高さを調整するためのもので
ある。半導体ウェハの検査時には、Ｚステージ１８によ
り、半導体ウェハの検査面が適切な高さとなるように、
ステージの高さを調整する。

【００４１】吸着プレート１９は、検査対象の半導体ウ
ェハを吸着して固定するためのものである。半導体ウェ
ハの検査時に、検査対象の半導体ウェハは、この吸着プ
レート１９上に載置され、この吸着プレート１８により
吸着されて、不要な動きが抑制される。

【００４２】また、除振台１２上には、検査用ステージ
１４上に位置するように支持部材２０によって支持され
た光学ユニット２１が配されている。この光学ユニット
２１は、半導体ウェハの検査時に、半導体ウェハの画像
を撮像するためのものである。そして、この光学ユニッ
ト２１は、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を可視
光を用いて低分解能にて行う機能と、検査対象の半導体
ウェハの画像の撮像を紫外光を用いて高分解能にて行う
機能とを兼ね備えている。

【００４３】また、支持台１１上には、図２及び図３に
示すように、被検査物となる半導体ウェハが装着された
カセット７ｂを容器７から取り出してクリーンボックス
３内に移動させるエレベータ２２が設けられている。さ
らに、支持台１１上には、図３に示すように、半導体ウ
ェハを搬送するための搬送用ロボット２３と、半導体ウ
ェハを検査用ステージ１４上に載置する前にそのセンタ
ー出しと位相出しとを行うプリアライナ２４とが設けら
れている。なお、図３は装置本体１０を上側から見た様
子を模式的に示す平面図である。

【００４４】エレベータ２２は、上昇及び下降動作され
る昇降台２２ａを有しており、容器７がクリーンボック
ス３の容器設置スペース８に設置されて容器７の底部７
ａとカバー７ｃとの係合が解除されたときに、昇降台２
２ａが下降操作されることによって、容器７の底部７ａ
及びこれに固定されたカセット７ｂをクリーンボックス
３の内部に移動させる。

【００４５】搬送用ロボット２３は、先端部に吸着機構
２３ａが設けられた操作アーム２３ｂを有しており、こ
の操作アーム２３ｂを移動操作して、その先端部に設け
られた吸着機構２３ａにより半導体ウェハを吸着し、ク
リーンボックス３内における半導体ウェハの搬送を行う
ようになされている。

【００４６】プリアライナ２４は、半導体ウェハに予め
形成されているオリエンテーションフラット及びノッチ
を基準として、半導体ウェハの位相出し及びセンター出
しを行うものである。検査装置１は、半導体ウェハを検
査用ステージ１４上に載置する前に、プリアライナ２４
によってその位相出し等を行うことにより、検査の効率
を向上させるようになされている。

【００４７】半導体ウェハを検査用ステージ１４上に設
置する際は、先ず、エレベータ２２により容器７の底部
７ａ及びカセット７ｂがクリーンボックス３の内部に移
動される。そして、カセット７ｂに装着された複数枚の
半導体ウェハの中から検査対象の半導体ウェハが選択さ
れ、選択された半導体ウェハが搬送用ロボット２３によ
りカセット７ｂから取り出される。

【００４８】カセット７ｂから取り出された半導体ウェ
ハは、搬送用ロボット２３によりプリアライナ２４へと
搬送される。プリアライナ２４へ搬送された半導体ウェ
ハは、このプリアライナ２４によって位相出しやセンタ
ー出しが行われる。そして、位相出しやセンター出しが
行われた半導体ウェハが、搬送用ロボット２３により検
査用ステージ１４へと搬送され、吸着プレート１９上に
載置されて検査が行われる。

【００４９】検査対象の半導体ウェハが検査用ステージ
１４へと搬送されると、搬送用ロボット２３によって次
に検査する半導体ウェハがカセット７ｂから取り出さ
れ、プリアライナ２４へと搬送される。そして、先に検
査用ステージ１４へと搬送された半導体ウェハの検査が
行われている間に、次に検査する半導体ウェハの位相出
しやセンター出しが行われる。そして、先に検査用ステ
ージ１４へと搬送された半導体ウェハの検査が終了する
と、次に検査する半導体ウェハが検査用ステージ１４へ
と速やかに搬送される。

【００５０】検査装置１は、以上のように、検査対象の
半導体ウェハを検査用ステージ１４へ搬送する前に、予
めプリアライナ２４により位相出しやセンター出しを行
っておくことにより、検査用ステージ１４による半導体
ウェハの位置決めに要する時間を短縮することができ
る。また、検査装置１は、先に検査用ステージ１４へと
搬送された半導体ウェハの検査が行われている時間を利
用して、次に検査する半導体ウェハをカセット７ｂから
取り出し、プリアライナ２４による位相出しやセンター
出しを行うことにより、全体での時間の短縮を図ること
ができ、効率よく検査を行うことができる。

【００５１】ところで、この検査装置１において、エレ
ベータ２２と、搬送用ロボット２３と、プリアライナ２
４とは、図３に示すように、それぞれが直線上に並ぶよ
うに支持台１１上に設置されている。そして、エレベー
タ２２と搬送用ロボット２３との間の距離Ｌ１と、搬送
用ロボット２３とプリアライナ２４との間の距離Ｌ２と
が略等しい距離となるように、それぞれの設置位置が決
定されている。さらに、搬送用ロボット２３から見て、
エレベータ２２やプリアライナ２４が並ぶ方向と略直交
する方向に、検査用ステージ１４が位置するような配置
とされている。

【００５２】検査装置１は、各機構が以上のような配置
とされていることにより、被検査物である半導体ウェハ
の搬送を迅速且つ正確に行うことができる。

【００５３】すなわち、この検査装置１では、エレベー
タ２２と搬送用ロボット２３との間の距離Ｌ１と、搬送
用ロボット２３とプリアライナ２４との間の距離Ｌ２と
が略等しい距離となっているので、搬送用ロボット２３
のアーム２３ｂの長さを変えることなく、カセット７ｂ
から取り出した半導体ウェハをプリアライナ２４に搬送
することがでる。したがって、この検査装置１では、搬
送用ロボット２３のアーム２３ｂの長さを変えたときに
生じる誤差等が問題とならないので、半導体ウェハをプ
リアライナ２４へと搬送する動作を正確に行うことがで
きる。また、エレベータ２２と搬送用ロボット２３とプ
リアライナ２４とが直線上に並んでいるので、搬送用ロ
ボット２３は直線的な動きのみにより、カセット７ｂか
ら取り出した半導体ウェハをプリアライナ２４に搬送す
ることがでる。したがって、この検査装置１では、半導
体ウェハをプリアライナ２４へと搬送する動作を極めて
正確に且つ迅速に行うことができる。

【００５４】さらに、この検査装置１では、搬送用ロボ
ット２３から見て、エレベータ２２やプリアライナ２４
が並ぶ方向と略直交する方向に、検査用ステージ１４が
位置するような配置とされているので、搬送用ロボット
２３が直線的な動きをすることで、半導体ウェハを検査
用ステージ１４へ搬送することができる。したがって、
この検査装置１では、半導体ウェハを検査用ステージ１
４へと搬送する動作を極めて正確に且つ迅速に行うこと
ができる。特に、この検査装置１では、微細なデバイス
パターンが形成された半導体ウェハの検査を行うため、
被検査物である半導体ウェハの搬送及び位置決めを極め
て正確に行う必要があるので、以上のような配置が非常
に有効である。

【００５５】次に、上記検査装置１について、図４のブ
ロック図を参照して更に詳細に説明する。

【００５６】図４に示すように、検査装置１の外部ユニ
ット５０には、表示装置５１及び入力装置５３ａが接続
された画像処理用コンピュータ６０と、表示装置５２及
び入力装置５３ｂが接続された制御用コンピュータ６１
とが配されている。なお、前掲した図１では、画像処理
用コンピュータ６０に接続された入力装置５３ａと、制
御用コンピュータ６１に接続された入力装置５３ｂとを
まとめて、入力装５３として図示している。

【００５７】画像処理用コンピュータ６０は、半導体ウ
ェハを検査するときに、光学ユニット２１の内部に設置
されたＣＣＤ（charge-coupled device）カメラ３０，
３１により半導体ウェハを撮像した画像を取り込んで処
理するコンピュータである。すなわち、この検査装置１
は、光学ユニット２１の内部に設置されたＣＣＤカメラ
３０，３１により撮像した半導体ウェハの画像を、画像
処理用コンピュータ６０により処理して解析することに
より、半導体ウェハの検査を行う。

【００５８】なお、画像処理用コンピュータ６０に接続
された入力装置５３ａは、ＣＣＤカメラ３０，３１から
取り込んだ画像の解析等に必要な指示を、画像処理用コ
ンピュータ３０に対して入力するためのものであり、例
えば、マウス等のポインティングデバイスやキーボード
等からなる。また、画像処理用コンピュータ６０に接続
された表示装置５１は、ＣＣＤカメラ３０，３１から取
り込んだ画像の解析結果等を表示するためのものであ
り、例えば、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ等
からなる。

【００５９】制御用コンピュータ６１は、半導体ウェハ
を検査するときに、検査用ステージ１４、エレベータ２
２、搬送用ロボット２３及びプリアライナ２４、並びに
光学ユニット１２の内部の各機器等を制御するためのコ
ンピュータである。すなわち、この検査装置１は、半導
体ウェハの検査を行う際に、検査対象の半導体ウェハの
画像が、光学ユニット２１の内部に設置されたＣＣＤカ
メラ３０，３１により撮像されるように、制御用コンピ
ュータ６１により、検査用ステージ１４、エレベータ２
２、搬送用ロボット２３及びプリアライナ２４、並びに
光学ユニット２１の内部の各機器等を制御する。

【００６０】また、制御用コンピュータ６１は、クリー
ンエアユニット４の送風機５ａ，５ｂを制御する機能を
有する。すなわち、この検査装置１は、クリーンエアユ
ニット４の送風機５ａ，５ｂを制御用コンピュータ６１
が制御することによって、半導体ウェハの検査を行う際
に、クリーンボックス３内に清浄な空気を常時供給し、
また、クリーンボックス３内の気流をコントロールでき
るようにしている。

【００６１】なお、制御用コンピュータ６１に接続され
た入力装置５３ｂは、検査用ステージ１４、エレベータ
２２、搬送用ロボット２３及びプリアライナ２４、光学
ユニット２１の内部の各機器、並びにクリーンエアユニ
ット４の送風機５ａ，５ｂ等を制御するのに必要な指示
を、制御用コンピュータ６１に対して入力するためのも
のであり、例えば、マウス等のポインティングデバイス
やキーボード等からなる。また、制御用コンピュータ６
１に接続された表示装置５２は、半導体ウェハの検査時
の各種条件等を表示するためのものであり、例えば、Ｃ
ＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ等からなる。

【００６２】また、画像処理用コンピュータ６０と制御
用コンピュータ６１とは、メモリリンク機構により、互
いにデータのやり取りが可能とされている。すなわち、
画像処理用コンピュータ６０と制御用コンピュータ６１
は、それぞれに設けられたメモリリンクインターフェー
ス６０ａ，６１ａを介して互いに接続されており、画像
処理用コンピュータ６０と制御用コンピュータ５１との
間で、互いにデータのやり取りが可能となっている。

【００６３】一方、検査装置１のクリーンボックス３の
内部には、密閉式の容器７に入れられて搬送されてきた
半導体ウェハを、この容器７のカセット７ｂから取り出
して検査用ステージ１４に設置する機構として、上述し
たように、エレベータ２２、搬送用ロボット２３及びプ
リアライナ２４が配されている。これらは、外部ユニッ
ト５０に配された制御用コンピュータ６１に、ロボット
制御インターフェース６１ｂを介して接続されている。
そして、エレベータ２２、搬送用ロボット２３及びプリ
アライナ２４には、制御用コンピュータ６１からロボッ
ト制御インターフェース６１ｂを介して、制御信号が送
られる。

【００６４】すなわち、密閉式の容器７に入れられて搬
送されてきた半導体ウェハを、この容器７のカセット７
ｂから取り出して検査用ステージ１４に設置する際は、
制御用コンピュータ６１からロボット制御インターフェ
ース６１ｂを介して、エレベータ２２、搬送用ロボット
２３及びプリアライナ２４に制御信号が送出される。そ
して、エレベータ２２、搬送用ロボット２３及びプリア
ライナ２４がこの制御信号に基づいて動作し、上述した
ように、密閉式の容器７に入れられて搬送されてきた半
導体ウェハを、この容器７のカセット７ｂから取り出し
て、プリアライナ２５による位相出し及びセンター出し
を行い、検査用ステージ１４に設置する。

【００６５】また、検査装置１のクリーンボックス３の
内部には除振台１３が配されており、この除振台１３上
に、上述したように、Ｘステージ１５、Ｙステージ１
６、θステージ１７、Ｚステージ１８及び吸着プレート
１９を備えた検査用ステージ１４が設置されている。

【００６６】ここで、Ｘステージ１５、Ｙステージ１
６、θステージ１７、Ｚステージ１８及び吸着プレート
１９は、外部ユニット５０に配された制御用コンピュー
タ６１に、ステージ制御インターフェース６１ｃを介し
て接続されている。そして、Ｘステージ１５、Ｙステー
ジ１６、θステージ１７、Ｚステージ１８及び吸着プレ
ート１９には、制御用コンピュータ６１からステージ制
御インターフェース６１ｃを介して、制御信号が送られ
る。

【００６７】すなわち、半導体ウェハの検査を行う際
は、制御用コンピュータ６１からステージ制御インター
フェース６１ｃを介して、Ｘステージ１５、Ｙステージ
１６、θステージ１７、Ｚステージ１８及び吸着プレー
ト１９に制御信号が送出される。そして、Ｘステージ１
５、Ｙステージ１６、θステージ１７、Ｚステージ１８
及び吸着プレート１９が、この制御信号に基づいて動作
し、吸着プレート１９により検査対象の半導体ウェハを
吸着して固定するとともに、Ｘステージ１５、Ｙステー
ジ１６、θステージ１７及びＺステージ１８により、半
導体ウェハを所定の位置、角度及び高さとなるように移
動する。

【００６８】また、除振台１２上には、上述したよう
に、光学ユニット２１も設置されている。この光学ユニ
ット２１は、半導体ウェハの検査時に半導体ウェハの画
像を撮像するためのものであり、上述したように、検査
対象の半導体ウェハの画像の撮像を可視光を用いて低分
解能にて行う機能と、検査対象の半導体ウェハの画像の
撮像を紫外光を用いて高分解能にて行う機能とを兼ね備
えている。

【００６９】この光学ユニット２１の内部には、可視光
にて半導体ウェハの画像を撮像するための機構として、
可視光用ＣＣＤカメラ３０と、ハロゲンランプ３２と、
可視光用光学系３３と、可視光用対物レンズ３４と、可
視光用オートフォーカス制御部３５とが配されている。

【００７０】そして、可視光にて半導体ウェハの画像を
撮像する際は、ハロゲンランプ３２を点灯させる。ここ
で、ハロゲンランプ３２の駆動源は、外部ユニット５０
に配された制御用コンピュータ６１に、光源制御インタ
ーフェース６１ｄを介して接続されている。そして、ハ
ロゲンランプ３２の駆動源には、制御用コンピュータ６
１から光源制御インターフェース６１ｄを介して制御信
号が送られる。ハロゲンランプ３２の点灯／消灯は、こ
の制御信号に基づいて行われる。

【００７１】そして、可視光にて半導体ウェハの画像を
撮像する際は、ハロゲンランプ３２を点灯させ、このハ
ロゲンランプ３２からの可視光を、可視光用光学系３３
及び可視光用対物レンズ３４を介して半導体ウェハにあ
てて、半導体ウェハを照明する。そして、可視光により
照明された半導体ウェハの像を可視光用対物レンズ３４
により拡大し、その拡大像を可視光用ＣＣＤカメラ３０
により撮像する。

【００７２】ここで、可視光用ＣＣＤカメラ３０は、外
部ユニット５０に配された画像処理用コンピュータ６０
に、画像取込インターフェース６０ｂを介して接続され
ている。そして、可視光用ＣＣＤカメラ３０により撮像
された半導体ウェハの画像は、画像取込インターフェー
ス６０ｂを介して画像処理用コンピュータ６０に取り込
まれる。

【００７３】また、上述のように可視光にて半導体ウェ
ハの画像を撮像する際は、可視光用オートフォーカス制
御部３５により、自動焦点位置合わせを行う。すなわ
ち、可視光用オートフォーカス制御部３５により、可視
光用対物レンズ３４と半導体ウェハの間隔が可視光用対
物レンズ３４の焦点距離に一致しているか否かを検出
し、一致していない場合には、可視光用対物レンズ３４
又はＺステージ１８を動かして、半導体ウェハの検査対
象面が可視光用対物レンズ３４の焦点面に一致するよう
にする。

【００７４】ここで、可視光用オートフォーカス制御部
３５は、外部ユニット５０に配された制御用コンピュー
タ６１に、オートフォーカス制御インターフェース６１
ｅを介して接続されている。そして、可視光用オートフ
ォーカス制御部３５には、制御用コンピュータ６１から
オートフォーカス制御インターフェース６１ｅを介して
制御信号が送られる。可視光用オートフォーカス制御部
３５による可視光用対物レンズ３４の自動焦点位置合わ
せは、この制御信号に基づいて行われる。

【００７５】また、光学ユニット２１の内部には、紫外
光にて半導体ウェハの画像を撮像するための機構とし
て、紫外光用ＣＣＤカメラ３１と、紫外光レーザ光源３
６と、紫外光用光学系３７と、紫外光用対物レンズ３８
と、紫外光用オートフォーカス制御部３９とが配されて
いる。

【００７６】そして、紫外光にて半導体ウェハの画像を
撮像する際は、紫外光レーザ光源３６を点灯させる。こ
こで、紫外光レーザ光源３６の駆動源は、外部ユニット
５０に配された制御用コンピュータ６１に、光源制御イ
ンターフェース６１ｄを介して接続されている。そし
て、紫外光レーザ光源３６の駆動源には、制御用コンピ
ュータ６１から光源制御インターフェース６１ｄを介し
て制御信号が送られる。紫外光レーザ光源３６の点灯／
消灯は、この制御信号に基づいて行われる。

【００７７】なお、紫外光レーザ光源３６には、波長が
２６６ｎｍ程度の紫外光レーザを出射するものを用いる
ことが好ましい。波長が２６６ｎｍ程度の紫外光レーザ
は、ＹＡＧレーザの４倍波として得られる。また、レー
ザ光源としては、発振波長が１６６ｎｍ程度のものも開
発されており、そのようなレーザ光源を上記紫外光レー
ザ光源３６として用いてもよい。

【００７８】紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像する
際は、紫外光レーザ光源３６を点灯させ、この紫外光レ
ーザ光源３６からの紫外光を、紫外光用光学系３７及び
紫外光用対物レンズ３８を介して半導体ウェハにあて
て、半導体ウェハを照明する。そして、紫外光により照
明された半導体ウェハの像を紫外光用対物レンズ３８に
より拡大し、その拡大像を紫外光用ＣＣＤカメラ３１に
より撮像する。

【００７９】ここで、紫外光用ＣＣＤカメラ３１は、外
部ユニット５０に配された画像処理用コンピュータ６０
に、画像取込インターフェース６０ｃを介して接続され
ている。そして、紫外光用ＣＣＤカメラ３１により撮像
された半導体ウェハの画像は、画像取込インターフェー
ス６０ｃを介して画像処理用コンピュータ６０に取り込
まれる。

【００８０】また、上述のように紫外光にて半導体ウェ
ハの画像を撮像する際は、紫外光用オートフォーカス制
御部３９により、自動焦点位置合わせを行う。すなわ
ち、紫外光用オートフォーカス制御部３９により、紫外
光用対物レンズ３８と半導体ウェハの間隔が紫外光用対
物レンズ３８の焦点距離に一致しているか否かを検出
し、一致していない場合には、紫外光用対物レンズ３８
又はＺステージ１８を動かして、半導体ウェハの検査対
象面が紫外光用対物レンズ３８の焦点面に一致するよう
にする。

【００８１】ここで、紫外光用オートフォーカス制御部
３９は、外部ユニット５０に配された制御用コンピュー
タ６１に、オートフォーカス制御インターフェース６１
ｅを介して接続されている。そして、紫外光用オートフ
ォーカス制御部３９には、制御用コンピュータ６１から
オートフォーカス制御インターフェース６１ｅを介して
制御信号が送られる。紫外光用オートフォーカス制御部
３９による紫外光用対物レンズ３８の自動焦点位置合わ
せは、この制御信号に基づいて行われる。

【００８２】また、クリーンエアユニット４には、上述
したように、２つの送風機５ａ，５ｂが設けられてい
る。これらの送風機５ａ，５ｂは、外部ユニット５０に
配された制御用コンピュータ６１に、風量制御インター
フェース６１ｆを介して接続されている。そして、クリ
ーンエアユニット４の送風機５ａ，５ｂには、制御用コ
ンピュータ６１から風量制御インターフェース６１ｆを
介して、制御信号が送られる。送風機５ａ，５ｂの回転
数の制御やオン／オフの切り替え等は、この制御信号に
基づいて行われる。

【００８３】次に、上記検査装置１の光学ユニット２１
の光学系について、図５を参照して更に詳細に説明す
る。なお、ここでは、オートフォーカス制御部３５，３
９についての説明は省略し、検査対象の半導体ウェハを
照明する光学系と、検査対象の半導体ウェハを撮像する
光学系とについて説明する。

【００８４】図５に示すように、光学ユニット２１は、
可視光にて半導体ウェハの画像を撮像するための光学系
として、ハロゲンランプ３２と、可視光用光学系３３
と、可視光用対物レンズ３４とを備えている。

【００８５】ハロゲンランプ３２からの可視光は、光フ
ァイバ４０によって可視光用光学系３３へと導かれる。
可視光用光学系３３へと導かれた可視光は、先ず、２つ
のレンズ４１，４２を透過してハーフミラー４３に入射
する。そして、ハーフミラー４３に入射した可視光は、
ハーフミラー４３によって可視光用対物レンズ３４へ向
けて反射され、可視光用対物レンズ３４を介して半導体
ウェハに入射する。これにより、半導体ウェハが可視光
により照明される。

【００８６】そして、可視光により照明された半導体ウ
ェハの像は、可視光用対物レンズ３４により拡大され、
ハーフミラー４３及び撮像用レンズ４４を透過して、可
視光用ＣＣＤカメラ３０により撮像される。すなわち、
可視光により照明された半導体ウェハからの反射光が、
可視光用対物レンズ３４、ハーフミラー４３及び撮像用
レンズ４４を介して可視光用ＣＣＤカメラ３０に入射
し、これにより、半導体ウェハの拡大像が可視光用ＣＣ
Ｄカメラ３０によって撮像される。そして、可視光用Ｃ
ＣＤカメラ３０によって撮像された半導体ウェハの画像
（以下、可視画像と称する。）は、画像処理用コンピュ
ータ６０へと送られる。

【００８７】また、光学ユニット２１は、紫外光にて半
導体ウェハの画像を撮像するための光学系として、紫外
光レーザ光源３６と、紫外光用光学系３７と、紫外光用
対物レンズ３８とを備えている。

【００８８】紫外光レーザ光源３６からの紫外光は、光
ファイバ４５によって紫外光用光学系３７へ導かれる。
紫外光用光学系３７へと導かれた紫外光は、先ず、２つ
のレンズ４６，４７を透過してハーフミラー４８に入射
する。そして、ハーフミラー４８に入射した可視光は、
ハーフミラー４８によって紫外光用対物レンズ３８へ向
けて反射され、紫外光用対物レンズ３８を介して半導体
ウェハに入射する。これにより、半導体ウェハが紫外光
により照明される。

【００８９】そして、紫外光により照明された半導体ウ
ェハの像は、紫外光用対物レンズ３８により拡大され、
ハーフミラー４８及び撮像用レンズ４９を透過して、紫
外光用ＣＣＤカメラ３１により撮像される。すなわち、
紫外光により照明された半導体ウェハからの反射光が、
紫外光用対物レンズ３８、ハーフミラー４８及び撮像用
レンズ４９を介して紫外光用ＣＣＤカメラ３１に入射
し、これにより、半導体ウェハの拡大像が紫外光用ＣＣ
Ｄカメラ３１によって撮像される。そして、紫外光用Ｃ
ＣＤカメラ３１によって撮像された半導体ウェハの画像
（以下、紫外画像と称する。）は、画像処理用コンピュ
ータ６０へと送られる。

【００９０】以上のような検査装置１では、可視光より
も短波長の光である紫外光により、半導体ウェハの画像
を撮像して検査することができるので、可視光を用いて
欠陥の検出や分類分けを行う場合に比べて、より微細な
欠陥の検出や分類分けを行うことができる。

【００９１】しかも、上記検査装置１では、可視光用の
光学系と紫外光用の光学系とを兼ね備えており、可視光
を用いた低分解能での半導体ウェハの検査と、紫外光を
用いた高分解能での半導体ウェハの検査との両方を行う
ことができる。したがって、上記検査装置１では、可視
光を用いた低分解能での半導体ウェハの検査により、大
きい欠陥の検出や分類分けを行い、且つ、紫外光を用い
た高分解能での半導体ウェハの検査により、小さい欠陥
の検出や分類分けを行うといったことも可能である。

【００９２】なお、上記検査装置１において、紫外光用
対物レンズ４０の開口数ＮＡは、大きい方が好ましく、
例えば０．９以上とする。このように、紫外光用対物レ
ンズ４０として、開口数ＮＡの大きなレンズを用いるこ
とで、より微細な欠陥の検出が可能となる。

【００９３】ところで、半導体ウェハの欠陥が、引っ掻
き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる場合、可干
渉性を持たない光では、その欠陥を見ることは殆どでき
ない。これに対して、レーザ光のように可干渉性に優れ
た光を用いた場合には、引っ掻き傷のように色情報が無
く凹凸だけからなる欠陥であっても、凹凸の段差近辺で
光が干渉することにより、当該欠陥をはっきりと見るこ
とができる。そして、上記検査装置１では、紫外光の光
源として紫外域のレーザ光を出射する紫外光レーザ光源
３６を用いている。したがって、上記検査装置１では、
引っ掻き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる欠陥
であっても、当該欠陥をはっきりと検出することができ
る。すなわち、上記検査装置１では、ハロゲンランプ３
２からの可視光（インコヒーレント光）では検出が困難
な位相情報を、紫外光レーザ光源３６からの紫外光レー
ザ（コヒーレント光）を用いて、容易に検出することが
できる。

【００９４】次に、上記検査装置１で半導体ウェハを検
査するときの手順の一例を、図６のフローチャートを参
照して説明する。なお、図６のフローチャートでは、検
査対象の半導体ウェハが検査用ステージ１４に設置され
た状態以降の処理の手順を示している。また、図６に示
すフローチャートは、半導体ウェハ上の欠陥の位置が予
め分かっている場合に、その欠陥を上記検査装置１によ
り検査して分類分けを行うときの手順の一例を示してい
る。また、ここでは、半導体ウェハ上に同様なデバイス
パターンが多数形成されているものとし、欠陥の検出や
分類分けは、欠陥がある領域の画像（欠陥画像）と、そ
の他の領域の画像（参照画像）とを撮像し、それらを比
較することで行うものとする。

【００９５】先ず、ステップＳ１−１に示すように、制
御用コンピュータ６１に欠陥位置座標ファイルを読み込
む。ここで、欠陥位置座標ファイルは、半導体ウェハ上
の欠陥の位置に関する情報が記述されたファイルであ
り、欠陥検出装置等により、半導体ウェハ上の欠陥の位
置を予め計測して作成しておく。そして、ここでは、そ
の欠陥位置座標ファイルを制御用コンピュータ６１に読
み込む。

【００９６】次に、ステップＳ１−２において、制御用
コンピュータ６１によりＸステージ１５及びＹステージ
１６を駆動させ、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置
座標へ半導体ウェハを移動させ、半導体ウェハの検査対
象領域が可視光用対物レンズ３４の視野内に入るように
する。

【００９７】次に、ステップＳ１−３において、制御用
コンピュータ６１により可視光用オートフォーカス制御
部３５を駆動させ、可視光用対物レンズ３４の自動焦点
位置合わせを行う。

【００９８】次に、ステップＳ１−４において、可視光
用ＣＣＤカメラ３０により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した可視画像を画像処理用コンピュータ６０に
送る。なお、ここで撮像される可視画像は、欠陥位置座
標ファイルが示す欠陥位置座標における画像、すなわ
ち、欠陥があるとされる領域の画像（以下、欠陥画像と
称する。）である。

【００９９】次に、ステップＳ１−５において、制御用
コンピュータ６１によりＸステージ１５及びＹステージ
１６を駆動させ、参照位置座標へ半導体ウェハを移動さ
せて、半導体ウェハの参照領域が可視光用対物レンズ３
４の視野内に入るようにする。ここで、参照領域は、半
導体ウェハの検査対象領域以外の領域であって、半導体
ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様
なデバイスパターンが形成されている領域である。

【０１００】次に、ステップＳ１−６において、制御用
コンピュータ６１により可視光用オートフォーカス制御
部３５を駆動させ、可視光用対物レンズ３４の自動焦点
位置合わせを行う。

【０１０１】次に、ステップＳ１−７において、可視光
用ＣＣＤカメラ３０により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した可視画像を画像処理用コンピュータ６０に
送る。なお、ここで撮像される可視画像は、半導体ウェ
ハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデ
バイスパターンが形成されている領域の画像（以下、参
照画像と称する。）である。

【０１０２】次に、ステップＳ１−８において、画像処
理用コンピュータ６０により、ステップＳ１−４で取り
込んだ欠陥画像と、ステップＳ１−７で取り込んだ参照
画像とを比較し、欠陥画像から欠陥を検出する。そし
て、欠陥が検出できた場合には、ステップＳ１−９へ進
み、欠陥が検出できなかった場合には、ステップＳ１−
１１へ進む。

【０１０３】ステップＳ１−９では、画像処理用コンピ
ュータ６０により、検出された欠陥が何であるかを調べ
て分類分けを行う。そして、欠陥の分類分けができた場
合には、ステップＳ１−１０へ進み、欠陥の分類分けが
できなかった場合には、ステップＳ１−１１へ進む。

【０１０４】ステップＳ１−１０では、欠陥の分類結果
を保存する。ここで、欠陥の分類結果は、例えば、画像
処理用コンピュータ６０や制御用コンピュータ６１に接
続された記憶装置に保存する。なお、欠陥の分類結果
は、画像処理用コンピュータ６０や制御用コンピュータ
６１にネットワークを介して接続された他のコンピュー
タに転送して保存するようにしてもよい。

【０１０５】ステップＳ１−１０での処理が完了した
ら、半導体ウェハの欠陥の分類分けが完了したこととな
るので、これで処理を終了する。ただし、半導体ウェハ
上に複数の欠陥がある場合には、ステップＳ１−２へ戻
って、他の欠陥の検出及び分類分けを行うようにしても
よい。

【０１０６】一方、ステップＳ１−８で欠陥検出ができ
なかった場合や、ステップＳ１−９で欠陥の分類分けが
できなかった場合には、ステップＳ１−１１以降へ進
み、紫外光を用いて高分解能での撮像を行って欠陥の検
出や分類分けを行う。

【０１０７】その場合は、先ず、ステップＳ１−１１に
おいて、制御用コンピュータ６１によりＸステージ１５
及びＹステージ１６を駆動させ、欠陥位置座標ファイル
が示す欠陥位置座標へ半導体ウェハを移動させて、半導
体ウェハの検査対象領域が紫外光用対物レンズ３８の視
野内に入るようにする。

【０１０８】次に、ステップＳ１−１２において、制御
用コンピュータ６１により紫外光用オートフォーカス制
御部３９を駆動させ、紫外光用対物レンズ３８の自動焦
点位置合わせを行う。

【０１０９】次に、ステップＳ１−１３において、紫外
光用ＣＣＤカメラ３１により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した紫外画像を画像処理用コンピュータ６０に
送る。なお、ここで撮像される紫外画像は、欠陥位置座
標ファイルが示す欠陥位置座標における画像、すなわち
欠陥画像である。また、ここでの欠陥画像の撮像は、可
視光よりも短波長の光である紫外光を用いて、可視光を
用いた場合の撮像よりも高分解能にて行う。

【０１１０】次に、ステップＳ１−１４において、制御
用コンピュータ６１によりＸステージ１５及びＹステー
ジ１６を駆動させ、参照位置座標へ半導体ウェハを移動
させて、半導体ウェハの参照領域が紫外光用対物レンズ
３８の視野内に入るようにする。ここで、参照領域は、
半導体ウェハの検査対象領域以外の領域であって、半導
体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同
様なデバイスパターンが形成されている領域である。

【０１１１】次に、ステップＳ１−１５において、制御
用コンピュータ６１により紫外光用オートフォーカス制
御部３９を駆動させ、紫外光用対物レンズ３８の自動焦
点位置合わせを行う。

【０１１２】次に、ステップＳ１−１６において、紫外
光用ＣＣＤカメラ３１により半導体ウェハの画像を撮像
し、撮像した紫外画像を画像処理用コンピュータ６０に
送る。なお、ここで撮像される紫外画像は、半導体ウェ
ハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデ
バイスパターンが形成されている領域の画像、すなわち
参照画像である。また、ここでの参照画像の撮像は、可
視光よりも短波長の光である紫外光を用いて、可視光を
用いた場合よりも高分解能にて行う。

【０１１３】次に、ステップＳ１−１７において、画像
処理用コンピュータ６０により、ステップＳ１−１３で
取り込んだ欠陥画像と、ステップＳ１−１６で取り込ん
だ参照画像とを比較し、欠陥画像から欠陥を検出する。
そして、欠陥が検出できた場合には、ステップＳ１−１
８へ進み、欠陥が検出できなかった場合には、ステップ
Ｓ１−１９へ進む。

【０１１４】ステップＳ１−１８では、画像処理用コン
ピュータ６０により、検出された欠陥が何であるかを調
べて分類分けを行う。そして、欠陥の分類分けができた
場合には、ステップＳ１−１０へ進み、上述したよう
に、欠陥の分類結果を保存する。一方、欠陥の分類分け
ができなかった場合には、ステップＳ１−１９へ進む。

【０１１５】ステップＳ１−１９では、欠陥の分類分け
ができなかったことを示す情報を保存する。ここで、欠
陥の分類分けができなかったことを示す情報は、例え
ば、画像処理用コンピュータ６０や制御用コンピュータ
６１に接続された記憶装置に保存する。なお、この情報
は、画像処理用コンピュータ６０や制御用コンピュータ
６１にネットワークを介して接続された他のコンピュー
タに転送して保存するようにしてもよい。

【０１１６】以上のような手順により、先ず、可視光用
ＣＣＤカメラ３０により撮像された画像を処理して解析
することで低分解能にて半導体ウェハの検査を行い、可
視光での欠陥の検出や分類分けができなかった場合に、
次に、紫外光用ＣＣＤカメラ３１により撮像された画像
を処理して解析することで高分解能にて半導体ウェハの
検査を行う。

【０１１７】ここで、ＣＣＤカメラ３０，３１によって
撮像された参照画像及び欠陥画像から欠陥を検出する手
法について、図７を参照して説明する。

【０１１８】図７（ａ）は、検査対象領域におけるデバ
イスパターンと同様なデバイスパターンが形成されてい
る参照領域の画像、すなわち参照画像の一例を示してい
る。また、図７（ｂ）は、欠陥があるとされる検査対象
領域の画像、すなわち欠陥画像の一例を示している。

【０１１９】このような参照画像及び欠陥画像から欠陥
を検出する際は、参照画像から色情報や濃淡情報などに
基づいて、図７（ｃ）に示すようにデバイスパターンを
抽出する。また、参照画像と欠陥画像から差の画像を求
め、差の大きな部分を図７（ｄ）に示すように欠陥とし
て抽出する。

【０１２０】そして、図７（ｅ）に示すように、図７
（ｃ）に示したデバイスパターン抽出結果の画像と、図
７（ｄ）に示した欠陥抽出結果の画像とを重ね合わせた
画像を得て、欠陥がデバイスパターンに存在する割合な
どを、欠陥に関する特徴量として抽出する。

【０１２１】以上のような手法により、ＣＣＤカメラ３
０，３１によって撮像された参照画像及び欠陥画像を画
像処理用コンピュータ６０で処理し解析することで欠陥
を検出し、半導体ウェハの検査を行うことができる。

【０１２２】検査装置１は、上述したように、先ず、可
視光用ＣＣＤカメラ３０により撮像された画像を処理し
て解析することで低分解能にて半導体ウェハの検査を行
い、可視光での欠陥の検出や分類分けができなかった場
合に、次に、紫外光用ＣＣＤカメラ３１により撮像され
た画像を処理して解析することで高分解能にて半導体ウ
ェハの検査を行うようにしているので、可視光だけを用
いて欠陥の検出や分類分けを行う場合に比べて、より微
細な欠陥の検出や分類分けを行うことができる。

【０１２３】ただし、可視光を用いて低分解能にて撮像
した方が、一度に撮像できる領域が広いので、欠陥が十
分に大きい場合には、可視光を用いて低分解能にて半導
体ウェハの検査を行った方が効率が良い。したがって、
最初から紫外光を用いて欠陥の検査や分類分けを行うの
ではなく、上述のように、最初に可視光を用いて欠陥の
検査や分類分けを行うようにすることで、より効率良く
半導体ウェハの検査を行うことができる。

【０１２４】ところで、この検査装置１では、上述した
ように、半導体ウェハの検査を行う装置本体１０をクリ
ーンボックス３の内部に設置し、クリーンボックス３の
内部に清浄な空気を供給して高いクリーン度に保つこと
によって、検査が行われる環境のクリーン度のみを局所
的に高め、クリーンな環境の中で検査が行えるようにし
ている。

【０１２５】しかしながら、このような構造の検査装置
１では、半導体ウェハの検査を行う際に、検査用ステー
ジ１４や搬送用ロボット２３等が動作されることに伴っ
て、クリーンボックス３内に摩耗粉等の塵埃が発生する
場合がある。そして、この湯にクリーンボックス３内に
発生した塵埃等が検査用ステージ１４上に設置された半
導体ウェハや、容器７を介してクリーンボックス３内に
搬送されてきた半導体ウェハに付着すると、適切な検査
が阻害されてしまう。したがって、検査装置１において
は、クリーンボックス３内で発生した塵埃等を半導体ウ
ェハに付着させることなく速やかにクリーンボックス３
の外部に排出することが重要である。

【０１２６】特に、この検査装置１では、紫外光レーザ
光源３６や紫外光用ＣＣＤカメラ３１等を用いて、例え
ば、線幅が０．１８μｍ以下とされた非常に微細なデバ
イスパターンを高分解能にて検査するようになされてい
るので、これまであまり問題とならなかったような微細
な塵埃等も適切な検査を阻害する要因となる。

【０１２７】そこで、この検査装置１では、クリーンボ
ックス３内の気流を適切にコントロールすることによっ
て、クリーンボックス３内で発生した塵埃等を、非常に
微細なものも含めてクリーンボックス３の外部に効果的
に排出し、半導体ウェハに付着させないようにしてい
る。

【０１２８】具体的には、この検査装置１では、クリー
ンエアユニット４からクリーンボックス３内に供給され
る清浄な空気の風量を、送風機５ａ，５ｂ毎に個別に制
御することによって、クリーンボックス３内の気流を自
在にコントロールできるようにしている。

【０１２９】クリーンエアユニット４からクリーンボッ
クス３内に供給される清浄な空気の風量を、送風機５
ａ，５ｂ毎に個別に制御する方法としては、例えば、送
風機５ａ，５ｂの回転数を個別に調整することが考えら
れる。検査装置１では、上述したように、送風機５ａ，
５ｂが、風量制御インターフェース６１ｆを介して制御
用コンピュータ６１に接続されている。そして、制御用
コンピュータ６１から風量制御インターフェース６１ｆ
を介して送風機５ａ，５ｂに制御信号を送出することに
よって、送風機５ａ，５ｂの回転数を制御することがで
きるようになされている。

【０１３０】したがって、この検査装置１では、検査者
が入力装置５３ｂを介して制御用コンピュータ６１に必
要な指示を入力することによって、送風機５ａ，５ｂの
回転数を個別に調整し、クリーンエアユニット４からク
リーンボックス３内に供給される清浄な空気の風量を、
送風機５ａ，５ｂ毎に個別に制御することができる。

【０１３１】送風機５ａ，５ｂから送風される空気は、
高性能エアフィルタを通過することによって塵埃等が除
去された清浄な空気とされ、これら送風機５ａ，５ｂの
下方に位置するクリーンボックス３内の各領域に、ダウ
ンフローとしてそれぞれ送られることになる。ここで、
送風機５ａ，５ｂからの空気の風量がそれぞれ同じであ
るとすると、これら送風機５ａ，５ｂの下方に位置する
クリーンボックス３内の各領域における風速が、クリー
ンボックス３の形状やクリーンボックス３内における装
置本体１０の配置等に依存する各領域の広さに応じてそ
れぞれ異なったものとなる。そして、この各領域におけ
る風速の違いに起因して、予期しない乱気流が生じ、ク
リーンボックス３内に発生した塵埃等を巻き上げて半導
体ウェハに付着させてしまう場合がある。

【０１３２】検査装置１では、送風機５ａ，５ｂの回転
数を個別に調整して、クリーンエアユニット４からクリ
ーンボックス３内に供給される清浄な空気の風量を、送
風機５ａ，５ｂ毎に個別に制御することによって、例え
ば、クリーンボックス３内の各領域における風速を均一
にすることができるので、半導体ウェハへの塵埃等の付
着を有効に防止することが可能である。

【０１３３】また、半導体ウェハへの塵埃等の付着を防
止するには、クリーンボックス３内に供給された清浄な
空気を、半導体ウェハが設置される検査用ステージ１４
上や半導体ウェハが装着されたカセット７ｂ内に導くこ
とが非常に有効である。このように、半導体ウェハが設
置される検査用ステージ１４上や半導体ウェハが装着さ
れたカセット７ｂ内に清浄な空気を導くようにすれば、
塵埃等を巻き上げた乱気流が検査用ステージ１４上やカ
セット７ｂ内に進入してくることを有効に防止すること
ができるばかりでなく、仮に、検査ステージ１４上に設
置された半導体ウェハやカセット７ｂ内に装着された半
導体ウェハに塵埃等が付着した場合にも、これを除去し
て、クリーンボックス３の外部に効果的に排出すること
ができる。

【０１３４】検査装置１では、送風機５ａ，５ｂの回転
数を個別に調整し、クリーンエアユニット４からクリー
ンボックス３内に供給される清浄な空気の風量を、送風
機５ａ，５ｂ毎に個別に制御することによって、クリー
ンボックス３内の気流を適切にコントロールすることが
できるので、清浄な空気を半導体ウェハが設置される検
査用ステージ１４上や半導体ウェハが装着されたカセッ
ト７ｂ内に導いて、半導体ウェハへの塵埃等の付着を有
効に防止することが可能である。

【０１３５】なお、クリーンボックス３内の気流は、気
流可視化装置を用いれば目視により確認することができ
る。したがって、検査者は、クリーンボックス３内の気
流を目視により確認しながら、クリーンエアユニット４
からクリーンボックス３内に供給される清浄な空気の風
量を、送風機５ａ，５ｂ毎に個別に制御して、クリーン
ボックス３内の気流が適切なものとなるようにコントロ
ールすることができる。

【０１３６】また、クリーンエアユニット４からクリー
ンボックス３内に供給される清浄な空気の風量を、送風
機５ａ，５ｂ毎に個別に制御する方法としては、図８に
示すように、クリーンエアユニット４のクリーンボック
ス３と対向する側に、開口部を有する仕切板７０を設
け、この仕切板７０の開口部の開口率を、送風機５ａ，
５ｂに対応した位置毎に個別に調整することが考えられ
る。換言すると、送風機５ａに対応した位置の仕切板７
０の開口部の開口率と、送風機５ｂに対応した位置の仕
切板７０の開口部の開口率とを個別に調整するようにす
れば、クリーンエアユニット４からクリーンボックス３
内に供給される清浄な空気の風量を、送風機５ａ，５ｂ
毎に個別に制御することができる。

【０１３７】クリーンエアユニット４とクリーンボック
ス３とを仕切る仕切板７０は、例えば、所定の開口率を
有するパンチングメタル７１，７２が重ね合わされてな
る。仕切板７０は、これらパンチングメタル７１，７２
の重ね方を変えることにより、その開口率を変化させる
ことができる。検査装置１では、これら２枚のパンチン
グメタル７１，７２の重ね方を、送風機５ａに対応した
位置と送風機５ｂに対応した位置とでそれぞれ個別に調
整し、仕切板７０の開口部の開口率を、送風機５ａ，５
ｂに対応した位置毎に個別に調整するようにしている。

【０１３８】なお、送風機５ａに対応した位置からクリ
ーンボックス３内に供給する清浄な空気の風量の好まし
い値と、送風機５ｂに対応した位置からクリーンボック
ス３内に供給する清浄な空気の風量の好ましい値とが予
め分かっている場合には、送風機５ａに対応した位置と
送風機５ｂに対応した位置とに、それぞれ好ましい風量
が確保できる開口率のパンチングメタルを配設し、これ
を仕切板７０としてもよい。

【０１３９】なお、以上は、クリーンエアユニット４が
２つの送風機５ａ，５ｂを備える例を説明したが、送風
機の数はクリーンボックス３の大きさや形状に合わせて
決定すればよく、３つ以上の送風機を備える構成とされ
ていてもよい。この場合には、クリーンエアユニット４
からクリーンボックス３内に供給される清浄な空気の風
量が、各送風機毎に個別に制御されることになる。

【０１４０】また、この検査装置１では、クリーンボッ
クス３内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが設置
される検査用ステージ１４上に導くために、図２及び図
９に示すように、検査用ステージ１４の側方に位置する
クリーンボックス３の側面部に開口領域８０が設けられ
ている。なお、図９は、クリーンユニット２を図２中矢
印Ａ２方向から見た様子を示す側面図である。

【０１４１】具体的には、例えば、検査用ステージ１４
の側方に位置するクリーンボックス３の側面部に所定の
開口率を有するパンチングメタルがはめ込まれ、このパ
ンチングメタルがはめ込まれた部分が開口領域８０とさ
れている。検査装置１は、以上のように、検査用ステー
ジ１４の側方に位置するクリーンボックス３の側面部に
開口領域８０が設けられることにより、クリーンエアユ
ニット４からダウンフローとしてクリーンボックス３内
に供給された清浄な空気の一部を、検査用ステージ１４
上を通過させて、その側方に設けられた開口領域８０に
導き、この開口領域８０からクリーンボックス３の外部
に排出させることができる。

【０１４２】また、この検査装置１では、クリーンボッ
クス３内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが設置
される検査用ステージ１４上に適切に導くために、図２
及び図９に示すように、クリーンボックス３の側面部に
内方に向かって張り出す張出部８１が設けられ、クリー
ンボックス３内の気室が、検査用ステージ１４の下端部
を境に分離されている。この張出部８１は、所定の開口
率のパンチングメタルよりなり、クリーンユニット４か
らダウンフローとしてクリーンボックス３内に供給され
た清浄な空気の一部をクリーンボックス３の下端部に導
くと共に、他の一部を横方向に流し、検査テーブル１４
上に導く。なお、この張出部８１の先端部は、装置本体
１０から僅かな隙間を存して離間した状態とされてい
る。これは、クリーンボックス３に生じた振動を装置本
体１０に伝えないためである。この検査装置１では、上
述したように、僅かな振動も検査の障害となるので、こ
のような振動対策が非常に有効である。

【０１４３】以上のように、クリーンエアユニット４か
ら供給された清浄な空気を半導体ウェハが設置される検
査用ステージ１４上に導き、この検査用ステージ１４上
を通過させるようにすれば、クリーンボックス３内の塵
埃等を巻き上げた乱気流が検査用ステージ１４上に進入
してくることを有効に防止することができる。

【０１４４】また、クリーンエアユニット４から供給さ
れた清浄な空気を半導体ウェハが設置される検査用ステ
ージ１４上に導き、この検査用ステージ１４上を通過さ
せるようにすれば、検査ステージ１４上に設置された半
導体ウェハに塵埃等が付着した場合であっても、清浄な
空気によってこの塵埃等を半導体ウェハから除去し、開
口領域８０を介してクリーンボックス３の外部に適切に
排出させることができる。

【０１４５】なお、この検査装置１において、検査用ス
テージ１４の側方に設けられた開口領域８０及び張出部
８１は、上述した仕切板７０と同様に、２枚のパンチン
グメタルを重ね合わせ、一方のパンチングメタルを可動
にした構成とされていてもよい。この場合には、開口領
域８０及び張出部８１の開口率を自在に変化させること
ができるので、クリーンボックス３内の気流をコントロ
ールする上で非常に有利である。

【０１４６】また、この検査装置１では、クリーンボッ
クス３内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着
されたカセット７ｂ内に導くために、図１に示すよう
に、クリーンボックス３のカセット７ｂが収容される箇
所の側方に位置する側面部に、開口領域９０が設けられ
ている。

【０１４７】具体的には、例えば、クリーンボックス３
のカセット７ｂが収容される箇所の側方に位置する側面
部に所定の開口率を有するパンチングメタルがはめ込ま
れ、このパンチングメタルがはめ込まれた部分が開口領
域９０とされている。検査装置１は、以上のように、ク
リーンボックス３のカセット７ｂが収容される箇所の側
方に位置する側面部に開口領域９０が設けられることに
より、クリーンエアユニット４からダウンフローとして
クリーンボックス３内に供給された清浄な空気の一部
を、クリーンボックス３内に移送されたカセット７ｂ内
を通過させて、その側方に設けられた開口領域９０に導
き、この開口領域９０からクリーンボックス３の外部に
排出させることができる。

【０１４８】また、この検査装置１では、クリーンボッ
クス３内に供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着
されたカセット７ｂ内に適切に導くために、図１０に示
すように、クリーンボックス３内のカセット７ｂが収容
される箇所の近傍に、カセット７ｂが収容される箇所に
向かって傾斜する傾斜ガイド部９１が設けられている。

【０１４９】具体的には、装置本体１０の支持台１１上
に、搬送用ロボット２３やプリアライナ２４が設置され
る設置板９２が、クリーンボックス３に設けられた張出
部８１と同じ高さ位置で設けられ、この設置板９２の一
端側に、カセット７ｂが収容される箇所に向かって傾斜
する傾斜ガイド部９１が設けられている。なお、図１０
は、クリーンボックス３内の装置本体１０を、エレベー
タ２２や搬送用ロボット２３、プリアライナ２４等が配
設された側から見た様子を示す斜視図である。

【０１５０】このように、クリーンボックス３内のカセ
ット７ｂが収容される箇所の近傍に、カセット７ｂが収
容される箇所に向かって傾斜する傾斜ガイド部９１が設
けられることにより、クリーンボックス３内に供給され
た清浄な空気を傾斜ガイド部９１により案内し、半導体
ウェハが装着されたカセット７ｂ内に適切に導くことが
できる。

【０１５１】以上のように、クリーンエアユニット４か
ら供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着されたカ
セット７ｂ内に導き、このカセット７ｂ内を通過させる
ようにすれば、クリーンボックス３内の塵埃等を巻き上
げた乱気流がカセット７ｂ内に進入してくることを有効
に防止することができる。

【０１５２】また、クリーンエアユニット４から供給さ
れた清浄な空気を半導体ウェハが装着されたカセット７
ｂ内に導き、このカセット７ｂ内を通過させるようにす
れば、カセット７ｂ内に装着された半導体ウェハに塵埃
等が付着した場合であっても、清浄な空気によってこの
塵埃等を半導体ウェハから除去し、開口領域９０を介し
てクリーンボックス３の外部に適切に排出させることが
できる。

【０１５３】なお、この検査装置１において、クリーン
ボックス３のカセット７ｂが収容される箇所の側方に設
けられた開口領域９０は、上述した仕切板７０と同様
に、２枚のパンチングメタルを重ね合わせ、一方のパン
チングメタルを可動にした構成とされていてもよい。こ
の場合には、開口領域９０の開口率を自在に変化させる
ことができるので、クリーンボックス３内の気流をコン
トロールする上で非常に有利である。

【０１５４】また、この検査装置１では、図１０に示す
ように、装置本体１０の検査用ステージ１４が配設され
た領域と、エレベータ２２や搬送用ロボット２３、プリ
アライナ２４等が配設された領域との間に、これらの領
域を仕切る仕切壁９３が設けられている。

【０１５５】この仕切壁９３は、検査用ステージ１４が
配設された領域に生じた微細な塵埃等が、エレベータ２
２や搬送用ロボット２３、プリアライナ２４等が配設さ
れた領域に進入することを防止するためのものであり、
具体的には、光学ユニット２１を支持する支持部材２０
の下端部に、所定の高さで上側に立ち上げられた立ち上
げ片が一体形成され、この立ち上げ片が仕切壁９３とさ
れている。

【０１５６】検査装置１は、以上のように、装置本体１
０の検査用ステージ１４が配設された領域と、エレベー
タ２２や搬送用ロボット２３、プリアライナ２４等が配
設された領域との間に、これらの領域を仕切る仕切壁９
３が設けられることにより、クリーンエアユニット４か
ら供給された清浄な空気を半導体ウェハが装着されたカ
セット７ｂ内に導くときに、検査用ステージ１４が配設
された領域に生じた微細な塵埃等が清浄な空気と共にカ
セット７内に進入してしまうといった不都合を有効に防
止することができる。

【０１５７】なお、以上の説明では、本発明を適用した
検査装置１を、半導体ウェハの欠陥が何であるかを調べ
るために用いるものとしてきた。しかし、本発明に係る
検査装置１の用途は、半導体ウェハの欠陥識別以外の用
途にも使用可能である。すなわち、本発明に係る検査装
置１は、例えば、半導体ウェハ上に形成したデバイスパ
ターンが、所望するパターン通りに適切な形状に形成さ
れているか否かを検査するのに用いることもできる。更
に、本発明に係る検査装置１の用途は、半導体ウェハの
検査に限定されるものでもなく、本発明に係る検査装置
１は、微細パターンの検査に対して広く適用可能であ
り、例えば、微細なパターンが形成されたフラットパネ
ルディスプレイの検査などにも有効である。

【０１５８】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る検査装置では、空気供給部からクリーンボックスの内
部に供給される清浄な空気の風量が、複数の送風機毎に
個別に制御可能とされているので、クリーンボックス内
の気流を自在にコントロールして、検査の過程で生じた
微細な塵埃等が被検査物に付着することを有効に防止
し、被検査物の検査を適切に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した検査装置の外観を示す斜視図
である。

【図２】上記検査装置のクリーンボックスの内部に配設
された装置本体を図１中矢印Ａ１方向から見た様子を示
す図である。

【図３】上記検査装置の装置本体を上側から見た様子を
模式的に示す平面図である。

【図４】上記検査装置の一構成例を示すブロック図であ
る。

【図５】上記検査装置の光学ユニットの光学系の一構成
例を示す図である。

【図６】上記検査装置で半導体ウェハの検査を行うとき
の手順の一例を示すフローチャートである。

【図７】参照画像と欠陥画像とから欠陥を検出する手法
を説明するための図である。

【図８】上記検査装置のクリーンボックスとクリーンエ
アユニットとを分離した状態を模式的に示す斜視図であ
る。

【図９】上記検査装置のクリーンボックスを図２中矢印
Ａ２方向から見た様子を示す側面図である。

【図１０】上記検査装置の装置本体の斜視図である。

【符号の説明】

１ 検査装置、２ クリーンユニット、３ クリーンボ
ックス、４ クリーンエアユニット、５ａ，５ｂ 送風
機、１０ 装置本体、１４ 検査用ステージ、２１ 光
学ユニット、２２ エレベータ、２３ 搬送用ロボッ
ト、２４ プリアライナ、３０ 可視光用ＣＣＤカメ
ラ、３１ 紫外光用ＣＣＤカメラ、３２ ハロゲンラン
プ、３３ 可視光用光学系、３４ 可視光用対物レン
ズ、３６ 紫外光レーザ光源、３７ 紫外光用光学系、
３８ 紫外光用対物レンズ、５０ 外部ユニット、５
１，５２ 表示装置、５３ 入力装置、６０ 画像処理
用コンピュータ、６１ 制御用コンピュータ、７０ 仕
切板、７１，７２ パンチングメタル、８０ 開口領
域、８１ 張出部、９０ 開口領域、９１ 傾斜ガイド
部、９２ 設置板、９３ 仕切壁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA49 AA61 BB02 CC19 DD13 DD14 DD15 FF01 FF04 GG02 GG04 GG21 JJ03 JJ05 JJ26 PP12 QQ25 QQ31 SS01 SS13 TT04 2G051 AA51 AB01 AB02 BA01 BA05 BA10 BA20 CA04 CB01 CB02 DA03 DA08 DA17 EA08 EA11 EB09 EC01 4M106 AA01 BA05 BA07 CA41 DB04 DB07 DB08 DB30 DJ02 DJ04 DJ05 DJ06 DJ07 DJ11 DJ23

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被検査物の検査を行う装置本体部と、 上記装置本体部を内部に収容するクリーンボックスと、 上記クリーンボックスの上部に設けられ、上記クリーン
   ボックスの内部に清浄な空気を供給する空気供給部とを
   備え、 上記空気供給部は、上記クリーンボックス上部の異なる
   位置に配設された複数の送風機を有し、上記クリーンボ
   ックスの内部に供給する清浄な空気の風量を、上記複数
   の送風機毎に個別に制御可能とされていることを特徴と
   する検査装置。
2. 【請求項２】 上記空気供給部は、上記複数の送風機の
   回転数が個別に調整されることにより、上記クリーンボ
   ックスの内部に供給する清浄な空気の風量を、上記複数
   の送風機毎に個別に制御可能とされていることを特徴と
   する請求項１記載の検査装置。
3. 【請求項３】 上記空気供給部は、上記クリーンボック
   スとの間に、少なくとも上記複数の送風機に対応した位
   置に開口部が設けられた仕切板を有し、 上記仕切板の上記複数の送風機に対応した位置に設けら
   れた開口部の開口率が個別に調整されることにより、上
   記クリーンボックスの内部に供給する清浄な空気の風量
   を、上記複数の送風機毎に個別に制御可能とされている
   ことを特徴とする請求項１記載の検査装置。
4. 【請求項４】 上記装置本体部は、上記被検査物に対し
   て紫外光を照射し、その反射光又は透過光を検出するこ
   とで、上記被検査物の検査を行う検査部を備えることを
   特徴とする請求項１記載の検査装置。