JP4148359B2 - ディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
ディスプレイパネルの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4148359B2 JP4148359B2 JP2003010682A JP2003010682A JP4148359B2 JP 4148359 B2 JP4148359 B2 JP 4148359B2 JP 2003010682 A JP2003010682 A JP 2003010682A JP 2003010682 A JP2003010682 A JP 2003010682A JP 4148359 B2 JP4148359 B2 JP 4148359B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abrasive
- cutting
- partition wall
- material layer
- forming material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、切削加工(サンドブラスト)処理による隔壁形成工程を含むディスプレイパネルの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、プラズマディスプレイパネルなどのディスプレイパネルの隔壁(ライン状の電極間に形成されるリブ)は、サンドブラスト法を用いて形成することが一般的となっている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
このようなサンドブラスト法を用いたディスプレイパネルの隔壁形成工程では、まずガラス基板上に電極パターンを形成し、その電極形成面上に電極保護層を一様に設けた後、その上に低融点ガラス材料ペーストをコーターにて塗布して乾燥させることで隔壁形成用材料層を形成し、さらに隔壁形成用材料層上にブラスト用マスクを形成し、そのマスクを介して研磨材を用いることにより隔壁形成用材料層を切削加工し、マスクを除去した後、パターニングされた隔壁形成用材料層を焼成して隔壁を形成している。
上記の切削加工時には、1種類の研磨材を用いて加工しており、代表的な研磨材としては、炭酸カルシウム、アルミナなどの無機粉末を使用している。
【0004】
【特許文献1】
特許3110719号(図2)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来技術においては、1種類の研磨材を用いて最初から最後までブラスト処理を行っているので、隔壁を高精度に加工しようとすると、使用する研磨材の粒子径、材質、形状などが制限されてしまい、加工時間が長くかかるという問題がある。
【0006】
一方、アルミナ等の高硬度の研磨材を用いると、ブラストレートが高いため、加工時間を短くできるが、基板、保護層、電極などへのダメージが問題となる。
【0007】
また、ステンレス等の金属研磨材を用いると、比重が大きいために、ブラストレートを高くでき、加工時間を短くできるが、研磨材である金属の残留によるパネル特性への影響、特に白色リブの場合は変色の問題が起こる可能性がある。このため、残留による悪影響を無くすため、サンドブラスト後の洗浄工程を強化する必要がある。
【0008】
本発明が解決しようとうする課題としては、上述した従来技術において生じている研磨材を選定する上での制約や加工時間が長くかかるという問題、ブラストによる悪影響や研磨材の残留の問題を解消することがそれぞれ一例として挙げられる。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、 基板上に隔壁形成用材料層を形成する工程と、前記隔壁形成用材料層上に隔壁パターンに対応したマスクを形成する工程と、研磨材を用いて前記マスクを介して前記隔壁形成用材料層を切削加工する切削加工工程と、切削加工された隔壁形成用材料層を焼成して基板上に隔壁パターンを形成する工程と、を含むディスプレイパネルの製造方法において、前記切削加工工程は、粗加工として研磨速度の大きい第1研磨材を用いて切削加工する第1切削加工工程と、前記第1切削加工工程により切削加工を行った後に仕上げ加工として、前記第1研磨材より研磨速度が小さい第2研磨材を用いて切削加工する第2切削加工工程と、を含み、第1研磨材として金属研磨材を用い、前記第2研磨材として炭酸カルシウム粉末を用い、前記第2切削加工工程が終了したら、切削加工された隔壁形成用材料層を焼成して基板上に隔壁パターンを形成する工程を実行することを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は本発明の第1の実施の形態の製造工程図、図2は本発明の第2の実施の形態の製造工程図である。
【0011】
(第1の実施の形態)
本発明に係る第1の実施の形態について図1を参照して説明する。
まず、図1(a)に示すように、基板であるガラス基板1上に電極パターン2を形成し、その電極形成面上に電極保護層3を一様に設けた後、その上に低融点ガラス材料ペーストをコーターにて塗布して乾燥させることで隔壁形成用材料層4を形成し、さらに隔壁形成用材料層4上に切削用マスク5を形成しておく。
【0012】
次に、図1(b)に示すように、研磨速度の大きい第1研磨材Aを用いて隔壁形成用材料層4を切削加工する(第1切削加工工程)。
【0013】
さらに、図1(c)に示すように、第1研磨材Aよりも研磨速度が小さい第2研磨材Bを用いて、残った隔壁形成用材料層4を切削加工する(第2切削加工工程)。
【0014】
そして、第2切削加工工程が終了したら、切削用マスク5を除去し、パターニングされた隔壁形成用材料層4を焼成することにより、図1(d)に示すように、隔壁パターンが形成される。
【0015】
以上のように、本実施の形態の製造方法は、切削加工工程を、粗加工(第1切削加工工程)と仕上げ加工(第2切削加工工程)の2段階に分けて行い、これらの粗加工と仕上げ加工で使用する研磨材を異なるものを使用している。
【0016】
すなわち、図1の(b)に示す粗加工(第1切削加工工程)では、高能率で加工するために、研磨速度の大きい粗加工用の第1研磨材Aを用いて切削加工を実施する。
【0017】
次いで、図1の(c)に示す仕上げ加工(第2切削加工工程)では、第1研磨材Aよりも研磨速度が小さい仕上用の第2研磨材Bを用いて切削加工を実施する。
【0018】
従来技術での切削加工(サンドブラスト)処理においては、最終的な加工精度に合わせた1種類の研磨材のみを使用して、最後まで切削加工を実施するので加工時間が長くかかっていたが、本実施の形態における切削加工工程では、粗加工として研磨速度の速い研磨材Aを使用するので、加工時間の短縮を図ることができる。
【0019】
また、本実施の形態においては、仕上げ加工時に、残留した粗加工時の研磨材(第1研磨材A)を取り除くことができるため、粗加工時に使用する第1研磨材Aの選定は自由にできる。
これにより、これまで研磨材の残留・加工精度等の問題で使用できなっかた研磨材を使用することができるようになり、高能率で加工が行える。
【0020】
また、仕上げ加工用の第2研磨材Bとして、残留しても問題とならないものを選定することにより、切削加工工程後の洗浄工程を簡略化することもできる。
【0021】
粗加工(第1切削加工工程)用の第1研磨材Aと仕上げ加工(第2切削加工工程)の第2研磨材Bの組み合わせ例としては、以下の組み合わせ例1、2、3等が挙げられる。
【0022】
(組み合わせ例1)
第1研磨材A:平均粒子径が10〜30μmのステンレス粉末
第2研磨材B:平均粒子径が10〜30μmの炭酸カルシウム粉末
【0023】
(組み合わせ例2)
第1研磨材A:平均粒子径が50〜70μmの炭酸カルシウム粉末
第2研磨材B:平均粒子径が10〜30μmの炭酸カルシウム粉末
【0024】
(組み合わせ例3)
第1研磨材A:平均粒子径が10〜30μmのアルミナ粉末
または炭化珪素粉末
第2研磨材B:平均粒子径が10〜30μmの炭酸カルシウム粉末
【0025】
上記の組み合わせのように、金属研磨材を使用した場合、その比重の大きさからブラストレートを上げることができるので、粗加工用の第1研磨材として金属研磨材を使用することで加工時間の短縮が図れる。
【0026】
また、研磨材の粒子径を大きくすることでブラストレートを挙げることができるので、粗加工用の第1研磨材として平均粒子径の大きい研磨材を使用することで、加工時間の短縮が図れる。
【0027】
逆に、研磨材の粒子径を小さくすることで精度を上げることができるので、仕上げ加工用の第2研磨材Bとして粒子径の小さい研磨材を使用することで高精度の加工が可能となる。
【0028】
(第2の実施の形態)
次に、第2の実施の形態について説明する。
本実施の形態は、図2に示すように、切削加工工程を第1、第2、第3次工程の3段階に分けて行うものである。
【0029】
まず、図2(a)に示すように、ガラス基板1上に電極パターン2を形成し、その電極形成面上に電極保護層3を一様に設けた後、その上に低融点ガラス材料ペーストをコーターにて塗布して乾燥させることで隔壁形成用材料層4を形成し、さらに隔壁形成用材料層4上に切削用マスク5を形成しておく。
【0030】
次に、図2(b)に示すように、研磨速度の大きい第1研磨材Aを用いて隔壁形成用材料層4を切削加工する(第1切削加工工程)。
【0031】
次に、図2(c)に示すように、第1研磨材Aよりも研磨速度が小さい第2研磨材Bを用いて、さらに隔壁形成用材料層4を切削加工する(第2切削加工工程)。
【0032】
さらに、図2(d)に示すように、第1研磨材A及び第2研磨材Bよりも研磨速度が小さい第3研磨材Cを用いて、残った隔壁形成用材料層4を切削加工する(第3切削加工工程)。
【0033】
そして、第3切削加工工程が終了したら、切削用マスク5を除去し、パターニングされた隔壁形成用材料層4を焼成することにより、図2(e)に示すように、隔壁パターンが形成される。
【0034】
すなわち、切削加工工程を、第1研磨材Aによる第1切削加工工程(1次加工:粗加工)と、第1研磨材Aより研磨速度の遅い第2研磨材Bによる第2切削加工工程(2次加工:仕上げ加工1)と、第2研磨材Bよりさらに研磨速度の遅い第3研磨材Cによる第3切削工程(3次加工:仕上げ加工2)の3段階に分けて行うようにしている。
【0035】
第1研磨材Aと第2研磨材Bと第3研磨材Cの組み合わせ例としては、以下の例が挙げられる。
(組み合わせ例)
第1研磨材A:平均粒子径が10〜30μmのステンレス粉末
第2研磨材B:平均粒子径が10〜30μmの炭酸カルシウム粉末
第3研磨材C:平均粒子径が10μm以下の炭酸カルシウム粉末
【0036】
このように3段階に分けてブラスト処理を実施することにより、より高精度の加工を効率良く行うことができる。なお、さらに上記第3切削工程(3次加工)に続いて、4次加工以上の切削加工工程を追加してさらに高精度の加工を行ってもよい。
【0037】
以上のように、本発明の実施の形態に係るディスプレイパネルの製造方法によれば、基板1上に隔壁形成用材料層4を形成する工程と、隔壁形成用材料層4上に隔壁パターンに対応した切削用マスク5を形成する工程と、研磨材を用いて切削用マスク5を介して隔壁形成用材料層4を切削加工する工程と、切削加工された隔壁形成用材料層4を焼成して基板上に隔壁パターンを形成する工程とを含むディスプレイパネルの製造方法において、切削加工工程を、研磨速度の大きい第1研磨材Aを用いて切削加工する第1切削加工工程と、第1研磨材Aより研磨速度が小さい第2研磨材Bを用いて切削加工する第2切削加工工程との2段階に分けて行う(第1の実施の形態)、さらに3段階以上に分けて行う(第2の実施の形態)ようにしたので、各研磨材の選択の幅(粒子径、材質、形状など)を広げることができる。
【0038】
つまり、第1研磨材Aは研磨速度の大きいものから自由に選択することができる。また、第2研磨材B、第3の研磨材Cは、研磨速度の小さいものから自由に選択することができる。
【0039】
したがって、第1切削加工工程で研磨速度を上げ、第2切削加工工程以降では研磨精度を上げることにより、加工時間を短縮しながら、高精度の加工を行うことができる。
【0040】
また、複数の加工工程における研磨材の自由な選択の組み合わせによって、基板、保護層、電極などへのダメージの問題を解消することができる。また、研磨材の残留による悪影響の問題も解消することができる。
その結果、ブラスト処理後の洗浄工程の簡略化も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施の形態における切削加工の工程図である。
【図2】本発明の第2実施の形態における切削加工の工程図である。
【符号の説明】
1 ガラス基板
2 電極パターン
3 電極保護層
4 隔壁形成用材料層
5 切削用マスク
A 第1研磨材
B 第2研磨材
C 第3研磨材
Claims (4)
- 基板上に隔壁形成用材料層を形成する工程と、前記隔壁形成用材料層上に隔壁パターンに対応したマスクを形成する工程と、研磨材を用いて前記マスクを介して前記隔壁形成用材料層を切削加工する切削加工工程と、切削加工された隔壁形成用材料層を焼成して基板上に隔壁パターンを形成する工程と、を含むディスプレイパネルの製造方法において、
前記切削加工工程は、粗加工として研磨速度の大きい第1研磨材を用いて切削加工する第1切削加工工程と、
前記第1切削加工工程により切削加工を行った後に仕上げ加工として、前記第1研磨材より研磨速度が小さい第2研磨材を用いて切削加工する第2切削加工工程と、
を含み、第1研磨材として金属研磨材を用い、前記第2研磨材として炭酸カルシウム粉末を用い、
前記第2切削加工工程が終了したら、切削加工された隔壁形成用材料層を焼成して基板上に隔壁パターンを形成する工程を実行することを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。 - 前記第1研磨材として、ステンレス粉末を用いることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネルの製造方法。
- 基板上に隔壁形成用材料層を形成する工程と、前記隔壁形成用材料層上に隔壁パターンに対応したマスクを形成する工程と、研磨材を用いて前記マスクを介して前記隔壁形成用材料層を切削加工する切削加工工程と、切削加工された隔壁形成用材料層を焼成して基板上に隔壁パターンを形成する工程と、を含むディスプレイパネルの製造方法において、
前記切削加工工程は、粗加工として研磨速度の大きい第1研磨材として金属研磨材またはステンレス粉末を用いて切削加工する第1切削加工工程と、
前記第1切削加工工程により切削加工を行った後に仕上げ加工1として、前記第1研磨材より研磨速度が小さい第2研磨材として炭酸カルシウム粉末を用いて切削加工する第2切削加工工程と、
前記第2切削加工工程により切削加工を行った後に仕上げ加工2として、前記第2研磨材より研磨速度が小さい炭酸カルシウム粉末の第3研磨材を用いて切削加工する第3切削加工工程と、
を含み、
前記第3切削加工工程が終了したら、切削加工された隔壁形成用材料層を焼成して基板上に隔壁パターンを形成する工程を実行することを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。 - 前記第3研磨材の粒径が前記第2研磨材以下であることを特徴とする請求項3に記載のディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003010682A JP4148359B2 (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | ディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003010682A JP4148359B2 (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | ディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004227793A JP2004227793A (ja) | 2004-08-12 |
JP4148359B2 true JP4148359B2 (ja) | 2008-09-10 |
Family
ID=32899802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003010682A Expired - Fee Related JP4148359B2 (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | ディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4148359B2 (ja) |
-
2003
- 2003-01-20 JP JP2003010682A patent/JP4148359B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004227793A (ja) | 2004-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105000530B (zh) | 制造强化的钟表组件的方法和相应的钟表组件和钟表 | |
CN100565815C (zh) | 从蚀刻沟槽中移除聚合物涂层的方法 | |
KR101889523B1 (ko) | 샌드블라스팅에 의한 절삭 방법 | |
TW201343386A (zh) | 陶瓷塗佈環及塗施陶瓷塗層的製程 | |
JP5301531B2 (ja) | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット | |
JP2005123425A (ja) | 半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法 | |
JP4468302B2 (ja) | スパッタリングターゲット及び同ターゲットの表面仕上げ方法 | |
JP2001062727A (ja) | フロストガラス製品の製造法 | |
JP4148359B2 (ja) | ディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2004087266A (ja) | 薄型表示装置用基板の製造方法 | |
JPH03257158A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2004022643A (ja) | 基板の製造方法 | |
JP6526588B2 (ja) | ペリクル枠およびペリクル枠の製造方法 | |
JP2642556B2 (ja) | 溶射皮膜形成方法 | |
JP5603816B2 (ja) | シェ−ビング工具 | |
JP3894594B2 (ja) | 厚膜パターン形成方法 | |
JP3310407B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 | |
JP3229722B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法 | |
CN113119285A (zh) | 陶瓷工件激光打磨砂的方法 | |
JP2005066704A (ja) | プラズマディスプレイパネルの隔壁形成用研磨材およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2004071354A (ja) | 有機elディスプレイのガラスキャップの製造方法及び前記ガラスキャップ | |
WO2019017125A1 (ja) | ガラス成形方法及びその方法によって形成されたガラス成形品 | |
CN108381053A (zh) | 一种陶瓷3d盖板的加工方法、电子设备 | |
WO2009104585A1 (ja) | 成形型の再生方法 | |
JP7570594B2 (ja) | コーティングal含有コーティングの剥離 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071226 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080227 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080521 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080602 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080618 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080618 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |