JP4148064B2 - 液晶表示装置の駆動法、液晶表示装置及び携帯型電子機器 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置の駆動法、液晶表示装置、及び携帯型電子機器に関するものであり、特にアクティブマトリクス基板を使用した液晶表示装置のコモン反転駆動に関するものである。

近年、ノートＰＣやモニター用を筆頭に薄膜トランジスターなどのアクティブ素子を用いた液晶表示装置は急速に普及している。通常のネマティック相液晶材料を用いた液晶表示装置においては、信頼性を確保するために液晶に印加する電圧を一定時間で極性反転させる交流駆動が必要である。一般的に白表示時と黒表示時で液晶にかける電圧差は３〜５Ｖであるから、交流駆動を行うためには液晶を挟み込んだのアクティブマトリクス基板と対向する基板の電極（コモン電極）を固定電位とした場合、アクティブマトリクス基板上の画素電極には６〜１０Ｖの電圧振幅の信号を入力しなくてはならない。しかし、一般的にＩＣで５Ｖ以上の電圧振幅を持つ信号を出力するためには高耐圧性に優れた特殊なプロセスで製造される必要があるためコストが高くなる。これを回避するためにコモン電極の電位を交流駆動することで入力信号を低減にするコモン反転駆動法が考案されている（特許文献１参照）。

以下、図８を用いてコモン反転ならびに液晶印加電圧極性反転を走査線選択周期（１Ｈ周期）毎に行う１Ｈコモン反転駆動について、ノーマリー・ホワイトモード、画素スイッチング素子はＮチャネル型薄膜トランジスターである液晶表示装置を例にとり説明する。

Ｖ_com（１）は前記のコモン電極電位であり、前記の通り対抗基板上の電極と、補助容量（Ｃs）を形成する場合は補助容量共通電極の電位も含む。Ｖ_COM（１）はコモン反転駆動では一定周期でＶ_COMHとＶ_COML間を反転駆動される。Ｖ_G1〜n（２−１〜２−ｎ）はｎ番目の走査線に走査線駆動回路から与えられる電位であり、Ｖ_COM（１）が反転する毎に順次、一つの走査線に画素スイッチング素子をＯＮする選択電位（Ｖ_GON）を与えられ、それ以外の時間では接続された画素スイッチング素子をＯＦＦする非選択電位としてＶ_GOFFH又はＶ_GOFFLのどちらかがＶ_COM（１）の電位に応じて印加される。なお、ここでＶ_COM（１）の電位に応じて非選択電位をＶ_GOFFHとＶ_GOFFLの二値にするのは画素スイッチング素子の信頼性確保などの理由によるもので、例えば特許文献２などに詳細が記載されている。Ｖ_S1〜m（３−１〜３−ｍ）はデータ線にデータ線駆動回路から与えられる映像信号電位であり、Ｖ_VIDEOHからＶ_VIDEOLまでの間の振幅を有する。ここで使用する液晶素子を±Ｖ_WHITEの電位差を持つ電極で挟み込んだときに白（透過）表示をし、±Ｖ_BLACKの電位差を持つ電極で挟み込んだとき黒（非透過）表示をするように液晶材料やギャップを選択すると、Ｖ_COMH≧Ｖ_VIDEOH＞Ｖ_VIDEOL≧Ｖ_COML、Ｖ_COMH−Ｖ_VIDEOH＝Ｖ_VIDEOL−Ｖ_COML＝Ｖ_WHITE、Ｖ_COMH−Ｖ_VIDEOL＝Ｖ_VIDEOH−Ｖ_COML＝Ｖ_BLACKとなるように設定する。

Ｖ_S1〜m（３−１〜３−ｍ）の電位は選択電位（Ｖ_GON）にある走査線に接続されている画素スイッチング素子を通じ、画素電極へと印加される。ここでＶ_PIX4-1-1〜Ｖ_PIX4-n-mはｍ番目のデータ線とｎ番目の走査線に接続された画素電極の電位とすると、Ｖ_PIX4-1-1、Ｖ_PIX4-1-2は走査線１が選択電位（Ｖ_GON）にある時にデータ線１，２の電位（Ｖ_s1、Ｖ_s2）に充電され、それぞれＶ_VIDEOH、Ｖ_VIDEOLの電位となる。この際、コモン電位はＶ_COMHであり、Ｖ_PIX4-1-1に対応する画素電極上の液晶にはＶ_VIDEOH−Ｖ_COMH＝−Ｖ_WHITEの電位が、Ｖ_PIX4-1-2に対応する画素電極上の液晶にはＶ_VIDEOL−Ｖ_COMH＝−Ｖ_BLACKの電位が印加されていることになる。すなわち、Ｖ_PIX4-1-1に対応する画素は透過（ホワイト）表示、Ｖ_PIX4-1-2に対応する画素は非透過（ブラック）表示となる。

次に走査線２が選択された時にはコモン電位はＶ_comLに反転しているが、Ｖ_PIX4-1-1、Ｖ_PIX4-1-2に対応する画素電極は接続されるスイッチング画素が高抵抗のためフローティング状態にあり、コモン電極と容量線との容量以外の容量が無視できるくらい小さいとすれば、容量結合によりＶ_PIX4-1-1、Ｖ_PIX4-1-2の電位はコモン電極電位の変動幅分（Ｖ_COML−Ｖ_COMH）同時に下がり、Ｖ_PIX4-1-1に対応する画素は透過（ホワイト）表示、Ｖ_PIX4-1-2に対応する画素は非透過（ブラック）表示のままとなる。このように、コモン電位が反転を繰り返しても、非選択電位の走査線につながっている画素電極との電位差は変わらず、次の走査線が選択電位になるまでの間、同じ階調表示を維持できる。

一方、Ｖ_PIX4-2-1、Ｖ_PIX4-2-2は走査線２が選択電位（Ｖ_GON）にある時にデータ線１，２の電位（Ｖ_s1、Ｖ_s2）に充電され、それぞれＶ_VIDEOL、Ｖ_VIDEOHの電位となる。この際はＶ_PIX4-2-1に対応する画素電極上の液晶にはＶ_VIDEOL−Ｖ_comL＝Ｖ_WHITEの電位が、Ｖ_PIX4-2-2に対応する画素電極上の液晶にはＶ_VIDEOH−Ｖ_comL＝Ｖ_BLACKの電位が印加されていることになり、それぞれ透過（ホワイト）、非透過（ブラック）表示となるが、Ｖ_PIX4-1-1、Ｖ_PIX4-1-2に対応する画素とは液晶にかかる電圧の極性が反転している。先ほどの説明と同様に走査線２が非選択電位となった後にコモン電位が反転しても、コモン電位と画素電位の電位差は変化せずに表示は保持される。リフレッシュ・レートに応じた書き換え時間の後、次フレームで再度走査線が選択電位になる際には、走査線１が選択電位（Ｖ_GON）になるときにはコモン電位はＶ_COML、走査線２が選択電位（Ｖ_GON）になるときにはコモン電位はＶ_COMHであり、液晶素子にかかる電位は前フレームとは極性が反転するため液晶の交流駆動が実現できる。以上が従来の１Ｈコモン反転駆動法である。

この方法によれば外部ＩＣからの入力映像信号振幅は３〜５Ｖで一般的なＣＭＯＳプロセスにより製造された安価なＩＣが使用でき、コストを低減できる。これはアクティブマトリクス基板の駆動回路を全て外付けする場合はもちろんであるし、駆動回路をアクティブマトリクス基板上に内蔵した駆動回路内蔵ＬＣＤの場合でも、映像アナログ信号を入力するアナログ駆動においては映像信号を出力するＩＣが必要であるし、ＤＡＣやデコーダーを内蔵したデジタル駆動においてもＤＡＣやデコーダーにＤＣ電源を供給する電源ＩＣが必要なので同様である。また、電源生成回路をアクティブマトリクス基板上に内蔵した駆動回路内蔵ＬＣＤの場合でも生成する電源の電圧範囲が広くなるほど、回路面積、消費電流が増大し、かつ薄膜トランジスターの信頼性に悪影響を与えるため、この場合もコモン反転駆動は有効な手法である。

特開昭６２−４９３９９号公報 特開２００１−３０６０４１号公報

しかしながら、コモン反転駆動はあまり大きなサイズあるいは高い精細度のパネルには適用できないという問題を有している。すなわち、大型化、高精細化が進むとコモン電極の電気容量（Ｃ）が大きくなり、コモン電極の抵抗（Ｒ）も高くなるため、コモン電位を反転するのに容量遅延（ＲＣ遅延）が大きくなってコモン電位の反転に時間がかかり、またコモン反転時に流れる電流も大きくなるため消費電流が増大するのである。

本発明は上記の問題点を解決するため、コモン電位を反転する際（コモン反転タイミング）にはデータ線の少なくとも一部を外部映像信号源や外部電源と高抵抗によって電気的に切り離した、いわゆるフローティング状態にすることでコモンの容量を低減するものである。コモン反転タイミングでは各画素スイッチング素子はＯＦＦされているから、コモンの電位変動と同時に容量結合によりデータ線の電位が変動しても画像への悪影響はなく、高精細化・大型化が進んでも１Ｈコモン反転あるいは他のコモン反転駆動を実施できる。また、消費電力も低減される。

しかしながら、データ線をフロートとする際に電位を直前に書き込んだ映像信号電位Ｖ_VIDEOL〜Ｖ_VIDEOHのままとすると、コモン電位（Ｖ_COM）がＶ_COMH→Ｖ_COML又はＶ_COML→Ｖ_COMH反転後、データ線の電位はΔＶ_COM＝Ｖ_COMH−Ｖ_COMLとするとＶ_VIDEOL−ΔＶ_COM〜Ｖ_VIDEOH＋ΔＶ_COMにまで変動し得る。すると、例えば画素スイッチング素子がＮチャネル型の場合、コモン反転後に画素スイッチング素子がＯＮしてしまうことを避けるため、走査線の非選択電位Ｖ_GOFFをＶ_GOFF＜Ｖ_VIDEOL−ΔＶ_COMとしなくてはならず、また走査線駆動回路ならびにデータ線駆動回路の駆動電源ＶＨ，ＶＬとして、少なくとも回路の一部をＶＬ≦Ｖ_VIDEOL−ΔＶ_COM、ＶＨ≧Ｖ_VIDEOH＋ΔＶ_COMとして駆動しなくてはデータ線への書き込みや遮断を確実に行う事ができない。すなわち、回路駆動電圧が大きなものになるため、消費電力・信頼性の点で不利になる。この現象はコモン反転タイミングでデータ線をフローティングにした時に顕著ではあるが、従来のデータ線をフローティングにしないコモン反転駆動法の場合もコモン電極の時定数とデータ線への電位書き込み時定数とのバランス次第で発生し得る問題である。

そこで、本発明ではコモン・ロー反転タイミング前にはＶ_DCHGH、コモン・ハイ反転タイミング前にはＶ_DCHGLで表される電位を各データ線に書き込んでおく（プリチャージする）ことを提案する。これによりコモン反転後のソース線の電位範囲を限定でき、駆動回路の駆動電圧を必要以上に高くしなくてすむというメリットを有する。さらに具体的には画素スイッチング素子がＮチャネル型電界効果トランジスターである場合にはＶ_DCHGH≧Ｖ_GOFF＋ΔＶＣＯＭ、Ｐチャネル型電界効果トランジスターである場合にはＶ_DCHGL≦Ｖ_GOFF−ΔＶＣＯＭとすることを提案する。これにより、Ｖ_GOFFを必要以上に小さくあるいは大きくすることなく、確実に画素スイッチング素子をＯＦＦすることができる。なお、コモン・ロー反転タイミング前のプレチャージ、コモン・ハイ反転タイミング前のプレチャージ、どちらか一方だけを実施しても効果はある。

さらに本発明では、Ｖ_DCHGH、Ｖ_DCHGLとしてそのときのコモン電極の電位を与える（プリチャージする）事をあわせて提案する。すなわち、Ｖ_DCHGH＝Ｖ_COMH、Ｖ_DCHGL＝Ｖ_COMLである。このように設定すると、コモン反転タイミング前後でのデータ線の電位はＶ_COMH〜Ｖ_COMLの範囲内にあり各種駆動電圧はさらに低減でき、またプリチャージ用電源としてコモン電極電位をそのまま使用できるので、消費電力低減・回路構成の簡素化に有効である。

さらに本発明はコモン電極電位の反転タイミングでフローティングする代わりにデータ線をコモン電極あるいはコモン電極に印加されるものと同じ電位で駆動される電源と接続されるような駆動方法を提案する。この場合、データ線をフローティング状態にするのと実質同様の効果を有し、データ線とコモン電極の容量をコモン反転タイミングでは実効的に無視することができる。この手法はデータ線にコモン電極以外の付加容量が大きい場合に特に有効であるが、コモン電極の時定数とデータ線書き込みの時定数が概略同じでなくてはならない。

さらに本発明ではコモン反転タイミングでは同時に走査線をもフローティングすることを提案する。走査線とデータ線のコモン電極に対する容量は同じレベルであり、かつ他のコモン電極との容量に比べて桁が大きいるため、どちらかのみではなく両方をフローティングする事で容量は劇的に低減できる。フローティングする走査線は全数が好ましいが、駆動タイミングの都合で一本のみ（通常、直前に選択された走査線又は直後に選択される走査線になる）がフローティングされていなくても実質的には問題にならない。

さらに本発明はこれらの駆動方法を用いた液晶表示装置を提案する。これらの駆動方法を用いる事で、大型高精細パネルにおいても低耐圧のＩＣを使用できる上に回路も簡素化されるため、安価に装置が提供できる。また、消費電流も従来の駆動方式に比べ低減される。

さらに本発明はデータ線駆動回路の少なくとも一部は前記アクティブマトリクス基板上に形成された薄膜トランジスターによって構成されている駆動回路内蔵型液晶表示装置であることを提案する。これにより、画素部からデータ線駆動回路までの走査線引き回し配線部が短くなり、この部分の容量による容量分割によりコモン電位の変動よりデータ線の電位変動が小さくなる現象が最小限におさえられる。また、外部ＩＣの大幅な変更無しにアクティブマトリクス基板の変更のみで本発明の駆動方法を実現できるというメリットも有している。
またこれらの発明は従来技術の課題で記述した通り、精細度が高く、パネルが大型化するにつれて有効になる。具体的には、前記走査線の数（＝Ｖ）の二乗に画像表示エリアの対角方向のサイズ（＝Ｓ(ｍ)）で乗じた係数（＝Ｖ×Ｖ×Ｓ）が３００００以上になるような条件を満たすパネルについて本発明を適用する事をあわせて提案する。

さらに本発明はこれらの駆動方法を用いた液晶表示装置を搭載したバッテリーで駆動される携帯電子機器を提案する。これらの駆動方法を用いた液晶表示装置を搭載することで従来より大型高精細の表示装置を備えていながら比較的安価な製品が提供でき、消費電流も従来の駆動方式に比べ低減されているためバッテリーの駆動時間が長くなる。ここでいう携帯電子機器とは、例えばノートパソコン、ＰＤＡ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、携帯テレビ、携帯電話、携帯フォトビューワー、携帯ビデオプレイヤー、携帯ＤＶＤプレイヤー、携帯オーディオプレイヤーなど液晶表示装置とバッテリーを搭載した電子機器のことである。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

図１は第一の実施例でのアクティブマトリクス基板の構成図である。

アクティブマトリクス基板（１０１）上には表示エリア（３１０）内に４８０本の走査線（２０１−１〜４８０）と１９２０本のデータ線（２０２−１〜１９２０）が直交して形成されており、４８０本の容量線（２０３―１〜４８０）は走査線（２０１−１〜４８０）と並行かつ交互に配置されている。

走査線（２０１−ｎ）とデータ線（２０２−ｍ）の各交点にはＮチャネル電界効果型薄膜トランジスターよりなる画素スイッチング素子（４０１−ｎ−ｍ）が形成されており、そのゲート電極は走査線（２０１−ｎ）に、ソース・ドレイン電極はそれぞれデータ線（２０２−ｍ）と画素電極（４０２−ｎ−ｍ）に接続されている。画素電極（４０２−ｎ−ｍ）は容量線（２０３−ｎ）と補助容量コンデンサーを形成し、また液晶表示装置として組み立てられた際には液晶素子をはさんで対抗基板電極（ＣＯＭ）とやはりコンデンサーを形成する。

走査線１〜４８０（２０１−１〜４８０）はＮチャネル型薄膜トランジスターよりなる走査線スイッチ１〜４８０（２１１−１〜４８０）を通って走査線信号端子１〜４８０（３０１−１〜４８０）に繋がる。同様にデータ線１〜１９２０（２０２−１〜１９２０）もＮチャネル型薄膜トランジスターよりなるデータ線スイッチ１〜１９２０（２１２−１〜１９２０）を通ってデータ線信号端子１〜１９２０（３０２−１〜１９２０）に繋がる。走査線スイッチ１〜４８０（２１１−１〜４８０）ならびにデータ線スイッチ１〜１９２０（２１２−１〜１９２０）のゲート電極（制御端子）はＥＮＢ信号端子（６０１）に繋がっている。

また、データ線は同時にＮチャネル型薄膜トランジスターよりなるプリチャージスイッチ１〜１９２０（２２２−１〜１９２０）のドレイン電極に接続され、ソース電極はコモン電位入力端子（３０３）に、ゲート電極はＰＲＣ信号端子（６０２）にそれぞれ接続されている。

容量線１〜４８０（２０３―１〜４８０）は相互に短絡されてコモン電位入力端子（３０３）に接続される。対向導通部（３０４）もまた、コモン電位入力端子（３０３）に接続される。

次に図２は第一の実施例における奇数フレームでの外部信号系より各端子へ与えられる各信号タイミングチャート図である。Ｖ_COM（１）はコモン電位入力端子（３０３）に与えられる電位であり、一定周期でＶ_COMHとＶ_COML間を反転駆動される。コモン電位がＶ_COMHである期間（この期間中をコモン・ハイ状態と称する）のならびにコモン電位がＶ_COMLである期間（この期間中をコモン・ロー状態と称する）の保持期間は等しくＴ_COMであり、Ｔ_COMの４８１倍周期が１フレーム期間Ｔ_frameとなる。

Ｖ_ENB（４）はＥＮＢ信号端子（６０１）に与えられるデータ線並びに走査線に電位を印加許可するタイミングを意味する制御信号電位であり、コモン反転後、ＴＥＮＢの期間ＶＨとなり、その後ＶＬに戻る周期Ｔ_COMのパルス波である。

Ｖ_PRC（５）はＰＲＣ信号端子（６０２）に与えられるデータ線にプリチャージを行うタイミングを意味する制御信号電位であり、Ｖ_ENBがＶＬになってからコモンが反転するまでの間にＴＰＲＣの期間ＶＨとなり、コモン反転前にＶＬに戻る周期Ｔ_COMのパルス波である。

Ｖ_GS1〜480（２２−１〜４８０）は走査線信号端子（３０１−１〜４８０）に与えられる信号電位であり、走査線１ならびに走査線２に対応する信号Ｖ_GS1（２２−１）、Ｖ_GS1（２２−２）のみ図示するが、Ｖ_{GS3,5,7・・・,479}（２２−３，５，７・・・，４７９）はＴ_COM×２ずつタイミングのずれたＶ_GS1（２２−１）と同様の信号波形であり、Ｖ_{GS4,6,8・・・,480}（２２−４，６，８・・・，４８０）はＴ_COM×２ずつタイミングのずれたＶ_GS2（２２−２）と同様の信号波形である。

Ｖ_SS1〜1920（２３−１〜１９２０）はデータ線信号端子（３０２−１〜１９２０）に与えられる映像信号電位であり、本実施例ではノーマリー・ホワイトモードを前提として奇数番号のデータ線につながった画素は白（透過）表示、偶数番号のデータ線につながった画素は黒（非透過）表示を行う場合の波形を示す。データ線１ならびにデータ線２に対応する信号Ｖ_SS1（２３−１）、Ｖ_SS2（２３−２）のみ図示しているが、奇数番号データ線に対応した信号Ｖ_{SS3,5,7・・・,1919}（２３−３，５，７・・・，１９１９）はＶ_SS1（２３−１）と同様であり、偶数番号データ線にＶ_{SS4,6,8・・・,1920}（２３−４，６，８・・・，１９２０）はＶ_SS2（２３−２）と同様の信号である。

図２での各電源電位はＶＨ≧Ｖ_GON＞Ｖ_VIDEOH＞Ｖ_VIDEOL＞Ｖ_GOFFH＞Ｖ_GOFFL≧ＶＬかつＶ_comH≧Ｖ_VIDEOH＞Ｖ_VIDEOL≧Ｖ_comL、Ｖ_GOFFH−Ｖ_GOFFL≒Ｖ_comH−Ｖ_comLとなるように設定することが望ましい。また、Ｖ_COMH−Ｖ_VIDEOH＝Ｖ_WHITEが使用する液晶素子、セルギャップに応じたノーマリー・ホワイト表示モードでの白（透過）表示電圧、Ｖ_VIDEOH−Ｖ_COML＝Ｖ_BLACKが同じくノーマリー・ホワイト表示モードでの黒（非透過）表示電圧になるように設定する。

本実施例での各電位の設定値として、例えばＶ_WHITE＝０．５（Ｖ）、Ｖ_BLACK＝４．０（Ｖ）となるような液晶材料並びに貼り合わせギャップを選択したとするなら、ＶＨ＝８．５（Ｖ）、Ｖ_GON＝７．５（Ｖ）、Ｖ_COMH＝６．５（Ｖ）、Ｖ_VIDEOH＝６（Ｖ）、Ｖ_VIDEOL＝２．５（Ｖ）、Ｖ_COML＝２（Ｖ）、Ｖ_GOFFH＝１（Ｖ）、Ｖ_GOFFL＝−３．５（Ｖ）、ＶＬ＝−４．５（Ｖ）などと設定すれば上記の条件を全て満たす。
次に図３を用いて奇数フレームでの走査線電位ならびにデータ線電位のタイミングチャートを説明する。実線は電位が外部電源より与えられている状態を示し、破線は各外部電源との間が高抵抗で遮断されているフローティング状態を示す。また、タイミングを示すためにＶ_COM（１）も併記している。

Ｖ_G1（２−１）は走査線１（２０１−１）に与えられる電位であり、Ｖ_ENB＝ＶＨの期間のみＶ_GS1（２２−１）と電気的に接続され、Ｖ_ENB＝ＶＬの期間はフローティングとなる。このため、Ｖ_ENB＝ＶＨになった後、一定期間Ｖ_GONになり、画素への充電が完了した後、Ｖ_GOFFHとなり、電圧（Ｖ_GON，Ｖ_GOFFH）が印加され始めてからＴ_ENB期間後にフローティング状態に戻る。その後、コモン電位がＶ_COMH→Ｖ_COMLに下がるため、コモン電極以外の容量を無視すれば電位は容量結合によりＶ_COMH−Ｖ_COML分下がり、Ｖ_GOFFH−Ｖ_GOFFL＝Ｖ_comH−Ｖ_comLであれば、Ｖ_GOFFLになる。その後、次の選択期間までコモン反転毎にＶ_GOFFHとＶ_GOFFLの間を反転し続ける。

Ｖ_G2（２−２）は走査線２（２０１−２）に与えられる電位であり、同様にＶ_ENB＝ＶＨの期間のみＶ_GS2（２２−２）と電気的に接続され、走査線１とはＴ_COMずれて一定期間Ｖ_GONになり、画素への充電が完了した後、Ｖ_GOFFLとなり、電圧（Ｖ_GON，Ｖ_GOFFH）が印加され始めてからＴ_ENB期間後にフローティング状態に戻る。その後、コモン電位がＶ_COML→Ｖ_COMHに上がるため、コモン電極以外の容量を無視すれば電位はＶ_COMH−Ｖ_COML分上がり、Ｖ_GOFFH−Ｖ_GOFFL＝Ｖ_comH−Ｖ_comLであれば、Ｖ_GOFFHになる。その後、次の選択期間までコモン反転毎にＶ_GOFFHとＶ_GOFFLの間を反転し続ける。

以下、図示しないが奇数番号走査線に対応するＶ_{G3,5,7・・・,479}（２−３，５，７・・・，４７９）はＴ_COM×２ずつタイミングのずれたＶ_G1（２−１）と同様の信号波形となり、偶数番号走査線に対応するＶ_{G4,6,8・・・,480}（２−４，６，８・・・，４８０）はＴ_COM×２ずつタイミングのずれたＶ_G2（２−２）と同様の信号波形となる。

図３のＶ_S1（３−１）はデータ線１（２０２−１）に与えられる電位であり、各コモン反転タイミング間（長さＴ_COM）期間のうちＶ_ENB（２）＝ＶＨであるＴ_ENBの期間はデータ線スイッチ１（２１２−１）と導通され、Ｖ_SS1（３−１）の電位、すなわちコモン・ハイ期間ではＶ_VIDEOHが、コモン・ロー期間ではＶ_VIDEOLが印加される。その後、コモン反転前にＶ_PRC（３）＝ＶＨであるＴ_PRCの期間、その時のコモン電位（Ｖ_COMH又はＶ_COML）がプリチャージスイッチ１（２２２−１）を通じて印加される。Ｖ_ENB（２）＝ＶＬかつＶ_PRC（３）＝ＶＬの期間はフローティングされているので、コモン・ハイ状態からコモン・ロー状態へ反転したタイミングでは容量結合によりＶ_COMH−Ｖ_COML電位が下がるため反転後は電位がＶ_COMLに概略一致する。同様にコモン・ロー状態からコモン・ハイ状態へ反転したタイミングではＶ_COMH−Ｖ_COML電位が上がり、結果としてやはりコモン電位（Ｖ_COMH）と一致していることになる。

Ｖ_S2（３−２）はデータ線２（２０２−２）に与えられる電位であり、各コモン反転タイミング間（長さＴ_COM）期間のうちＶ_ENB（２）＝ＶＨであるＴ_ENBの期間はデータ線スイッチ２（２１２−２）と導通され、Ｖ_SS2（３−２）の電位、すなわちコモン・ハイ期間ではＶ_VIDEOLが、コモン・ロー期間ではＶ_VIDEOHが印加される。その後、コモン反転前にＶ_PRC（３）＝ＶＨであるＴ_PRCの期間、その時のコモン電位（Ｖ_COMH又はＶ_COML）がプリチャージスイッチ（２２２−２）を通じて印加され、コモン反転後もＶ_COML又はＶ_COMHになることはデータ線１と同様である。

図示していないが、奇数番号データ線に対応した信号Ｖ_{S3,5,7・・・,1919}（３−３，５，７・・・，１９１９）はＶ_S1（３−１）と同様であり、偶数番号データ線にＶ_{SS4,6,8・・・,1920}（３−４，６，８・・・，１９２０）はＶ_S2（３−２）と同様の信号になる。

なお、図２、図３は奇数フレームでの図であるが、偶数フレームではコモン・ロー状態から始まり、コモン・ロー状態で終わるという点が異なる。すなわち、信号波形は偶数と奇数が入れ替わることになり、ある走査線に繋がった画素電極上の液晶素子に印加される電圧の極性は反転する。

図４は本発明に係る液晶表示装置を実現する第一の実施例を示した透過型液晶表示装置の斜視構成図（一部断面図）である。アクティブマトリクス基板（１０１）と、カラーフィルター基板上にＩＴＯを成膜することでコモン電極を形成した対抗基板（９０１）をシール材（９２０）により貼り合わせ、その中にネマティック相液晶材料（９１０）を封入している。図示しないが、アクティブマトリクス基板（１０１）、対抗基板（９０１）ともに液晶材料（９１０）と接触する面にはポリイミドなどからなる配向材料が塗布され、互いに直交する方向にラビング処理されている。また、アクティブマトリクス基板（１０１）上の対向導通部（３０４）には導通材が配置され、対抗基板（９０１）のコモン電極と短絡されている。

走査線入力端子（３０１−１〜４８０）、データ線入力端子（３０２−１〜１９２０）、コモン電位入力端子（３０３）、ＥＮＢ信号端子（６０１）、ＰＲＣ信号端子（６０２）や各種電源端子にはアクティブマトリクス基板（１０１）上に実装されたＦＰＣ（９３０）を通じて回路基板（９３５）上の１ないし複数の外部ＩＣ（９４０）に接続され、必要な電気信号・電位を供給される。

さらに対抗基板の外側には上偏向板（９５１）を、アクティブマトリクス基板の外側には下偏向板（９５２）を配置し、互いの偏光方向が直交するよう（クロスニコル状）に配置する。さらに下偏向板（９５２）下にバックライトユニット（９６０）を取り付けて完成する。バックライトユニット（９６０）は冷陰極管に導光板や散乱板をとりつけたものでも良いし、ＥＬ素子によって発光するユニットでもよい。図示しないが、さらに必要に応じ、周囲を外殻で覆うあるいは上偏向板のさらに上に保護用のガラスやアクリル版を取り付けても良いし、視野角改善のため、光学補償フィルムを貼っても良い。

このような液晶表示装置でコモン反転駆動を行った時のコモン電位遅延時間定数（＝τ_COM）はコモン電極の平均抵抗（＝Ｒ_COM）と固定電位とつながった他の導体に対する総容量（＝Ｃ_COM）の積に概略比例（τ_COM∝Ｒ_COM×Ｃ_COM）する。一般的にＲ_COMは対向電極のシート抵抗値や対向導通部・実装端子部の抵抗値などプロセス上の制約で決まり、あまりパネルサイズや精細度による変動は大きくない。一方、従来のコモン反転駆動方法では前記のとおり走査線との容量がＣ_COMの８０％以上であるため、総走査線数（＝Ｖ（本））に概略比例してＣ_COMは増加する。また、走査線の長さが長いほど走査線１本当たりの容量は増大するから、画像表示エリアの対角方向のサイズ（＝Ｓ(ｍ)）にも概略比例してＣ_COMは増加する。一方、リフレッシュ・レートが一定であれば総走査線数（＝Ｖ（本））に反比例して１走査線への書き込み時間（＝Ｔ_1H）は低下する。すなわち、従来のコモン反転駆動方法では１走査線への書き込み時間に占めるコモン反転時間の割合（τ_COM÷Ｔ_1H）は、τ_COM÷Ｔ_1H∝Ｖ×Ｖ×Ｓに概略準じ、この係数があまり大きくなると十分な画素書き込み時間が得られなくなり、表示品位や信頼性の低下につながる。

図９は一般的なガラス基板を用いたアクティブマトリクス製造プロセスを使用する場合の前記走査線の数（＝Ｖ）の二乗に画像表示エリアの対角方向のサイズ（＝Ｓ(ｍ)）で乗じた係数（＝Ｖ×Ｖ×Ｓ）と１Ｈ時間の中に占めるコモン反転時間の割合を発明者の計算した結果を示すグラフである。なお、リフレッシュレートは６０Ｈｚとしている。グラフ１（９１）がτ_COM÷Ｔ_1Hを示すグラフであり、ほぼＶ×Ｖ×Ｓに比例していることがわかる。限界線（９２）は画素書き込み時間を十分に確保するために必要な最低時間から割り出した限界ラインであり、これによると概略Ｖ×Ｖ×Ｓ≧３００００以上では従来の駆動方法では１Ｈコモン反転を行う事は困難になることがわかる。そこで、Ｖ×Ｖ×Ｓ≧３００００を満たすパネルについて本実施例を適用する事で従来方法のコモン反転駆動が不可能であった大型・高精細パネルでも安価な低耐圧ＩＣが使用できるため、モジュール価格を安く製造でき、消費電力も少なくなる。本実施例では画素数１９２０×４８０のいわゆるＶＧＡで対角１５２．４mm(６型)であれば、Ｖ×Ｖ×Ｓ＝３５１１３を得るので、このような条件を満たすことになる。

以上、本実施例の駆動方法ではコモン反転タイミングにおいて走査線並びにデータ線はフローティングしているため、コモン反転時の容量は大きく低減される。このため、従来コモン反転法が適用できなかった大型高精細パネルにおいても本特許は適用可能である。また、コモン・ハイからコモン・ローへの反転タイミング直前での全データ線の電位（Ｖ_DCHGH）はＶ_COMH（＝６．５Ｖ≧ＶＧ_OFFH＋ＶＣＯＭＨ−ＶＣＯＭＬ＝１＋６．５−２Ｖ）にプリチャージされており、コモン反転時の容量結合でデータ線の電位が下がっても画素スイッチング素子はＯＮしない。従来の駆動方法ではこのために走査線への非選択電位（ＶＧ_OFFH、ＶＧ_OFFL）をかなり低い電圧に設定する必要があり、消費電流、信頼性の面で不利であった。

また、コモン・ローからコモン・ハイへの反転タイミング直前での全データ線の電位（Ｖ_DCHGL）はＶ_COML（＝２Ｖ）にプリチャージされており、コモン反転時の容量結合でデータ線の電位が上がってもＶ_COMHであるため、画素スイッチング素子（４０１−ｎ−ｍ）やデータ線スイッチ（２１２−２）に大きな電圧がかかり信頼性が低下する心配がない。

また、走査線スイッチ（２１１−１〜４８０）、データ線スイッチ（２１２−１〜１９２０）をアクティブマトリクス基板上に作りこんでいるため、スイッチから画素部までの配線引き回しが非常に短く、この部分の容量がごく小さいためにコモン反転時、ほとんど容量分割が発生せず、コモンの振幅幅とデータ線の容量結合での電位変動幅がほぼ一致する利点を有している。

なお、本実施例ではデータ信号端子（３０２−１〜３０２−１９２０）や走査線信号端子（３０１−１〜４８０）に実装されたＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）を通じて駆動ＩＣの信号を入力しているが、データ線駆動回路や走査線駆動回路を内蔵した駆動回路内蔵型アクティブマトリクス基板であってももちろん構わない。また逆に、走査線スイッチ（２１１−１〜４８０）、データ線スイッチ（２１２−１〜１９２０）、プリチャージスイッチ（２２２−１〜１９２０）を外部ＩＣ（９４０）に内蔵してもよい。この場合、画素スイッチング素子はアモルファスシリコン薄膜トランジスターとすれば製造コストを低減できる。

また、本実施例では走査線スイッチ（２１１−１〜４８０）、データ線スイッチ（２１２−１〜４８０）、プリチャージスイッチ（２２２−１〜４８０）をＮチャネル型薄膜トランジスターで構成しているが、Ｐチャネル型薄膜トランジスターで構成してもよいし、Ｎチャネル型薄膜トランジスターとＰチャネル型薄膜トランジスターを組み合わせて相補型伝送ゲートとし、それぞれのトランジスターに極性の反転した信号線を接続しても良い。特に相補型伝送ゲートとすると、制御信号の電圧を下げられるというメリットがある。

また、本実施例で走査線スイッチ（２１１−１〜４８０）の存在による走査線の抵抗上昇などが問題なる場合は走査線スイッチ（２１１−１〜４８０）を略し、走査線はフローティングとしない構成でもデータ線の容量がなくなるためにある程度の容量削減効果は得られる。

図５は第二の実施例における奇数フレームでの外部信号系より各端子へ与えられる各信号タイミングチャート図である。図中、実線は電位が外部電源より与えられている状態を示し、破線は各外部電源との間が高抵抗で遮断されているフローティング状態を示す。

Ｖ_COM（１）はコモン電位入力端子（３０３）に与えられる電位であり、一定周期でＶ_COMHとＶ_COML間を反転駆動される。それぞれの電位である期間は等しくＴ_COMであり、Ｔ_COMの４８１倍周期が１フレーム期間Ｔ_frameとなる。

Ｖ_ENB（４）はＥＮＢ信号端子（６０１）に与えられるデータ線並びに走査線に電位出力を許可する制御信号電位であり、コモン反転後、Ｔ_ENBの期間ＶＨとなり、その後ＶＬに戻る周期Ｔ_COMのパルス波である。

Ｖ_PRC（５）はＰＲＣ信号端子（６０２）に与えられるデータ線にプリチャージを行うタイミングを意味する制御信号電位であり、Ｖ_ENBの逆極性信号となっている。Ｖ_PRC（５）がＶＨにある期間をＴ_PRCとすると、Ｔ_PRC＋Ｔ_ENB＝Ｔ_COMである。

Ｖ_GS1〜480（２２−１〜４８０）は走査線信号端子（３０１−１〜４８０）に与えられる信号電位であり、走査線１ならびに走査線２に対応する信号Ｖ_GS1（２２−１）、Ｖ_GS1（２２−２）のみ図示するが、Ｖ_{GS3,5,7・・・,479}（２２−３，５，７・・・，４７９）はＴ_COM×２ずつタイミングのずれたＶ_GS1（２２−１）と同様の信号波形であり、Ｖ_{GS4,6,8・・・,480}（２２−４，６，８・・・，４８０）はＴ_COM×２ずつタイミングのずれたＶ_GS2（２２−２）と同様の信号波形である。

Ｖ_SS1〜1920（２３−１〜１９２０）は走査線信号端子（３０２−１〜１９２０）に与えられる映像信号電位であり、本実施例でも第一の実施例と同様、奇数のデータ線につながった画素は白（透過）表示、偶数のデータ線につながった画素は黒（非透過）表示を行う場合の波形を示す。走査線１ならびに走査線２に対応する信号Ｖ_SS1（２３−１）、Ｖ_SS2（２３−２）のみ図示しているが、奇数番号データ線に対応した信号Ｖ_{SS3,5,7・・・,1919}（２３−１，５，７・・・，１９１９）はＶ_SS1（２３−１）と同様であり、偶数番号データ線にＶ_{SS4,6,8・・・,1920}（２３−４，６，８・・・，１９２０）はＶ_SS2（２３−２）と同様である。

以上、図５の各信号はＶ_PRC（５）がＶ_ENB（４）の逆極性信号となっている点を除いて第一の実施例で説明された図２と同じ信号である。

次に図６を用い、走査線ならびにデータ線の電位を示す奇数フレームでのタイミングチャートを説明する。実線は電位が外部電源より与えられている状態を示し、破線は各外部電源との間が高抵抗で遮断されているフローティング状態を示す。また、タイミングを示すためにＶ_COM（１）も併記している。

Ｖ_G1（２−１）は走査線１（２０１−１）に与えられる電位であり、Ｖ_G2（２−２）は走査線２（２０１−２）に与えられる電位である。以下、図示しないが奇数番号走査線に対応するＶ_{G3,5,7・・・,479}（２−３，５，７・・・，４７９）はＴ_COM×２ずつタイミングのずれたＶ_G1（２−１）と同様の信号波形となり、偶数番号走査線に対応するＶ_{G4,6,8・・・,480}（２−４，６，８・・・，４８０）はＴ_COM×２ずつタイミングのずれたＶ_G2（２−２）と同様の信号波形となる。走査線に与えられる信号Ｖ_Gn（２−ｎ）は第一の実施例で説明された図３と同じ信号である。

次にＶ_S1（３−１）はデータ線１（２０２−１）に与えられる電位であり、Ｖ_ENB（２）＝ＶＨであるＴ_ENBの期間はデータ線スイッチ１（２１２−１）と導通され、Ｖ_SS1（３−１）の電位、すなわちコモン・ハイ期間ではＶ_VIDEOHが、コモン・ロー期間ではＶ_VIDEOLが印加される。Ｖ_ENB（２）＝ＶＬになると逆極性信号であるＶ_PRC（３）がＶＨになり、Ｔ_PRCの期間、その時のコモン電位（Ｖ_COMH又はＶ_COML）がプリチャージスイッチ１（２２２−１）を通じて印加される。すなわち、Ｖ_SS1（３−１）又はコモン電位のいずれかの電位が常に印加され、フローティングとなるタイミングは生じない。コモン反転タイミングにおいてはＶ_PRC（３）＝ＶＨであるので、コモン電極と同時にデータ線も電位が変動し、Ｖ_COMH→Ｖ_COML又はＶ_COML→Ｖ_COMHとなる。

Ｖ_S2（３−２）はデータ線２（２０２−２）に与えられる電位であり、同様にＶ_ENB（２）＝ＶＨであるＴ_ENBの期間はデータ線スイッチ２（２１２−２）と導通され、Ｖ_SS2（３−２）の電位、すなわちコモン・ハイ期間ではＶ_VIDEOLが、コモン・ロー期間ではＶ_VIDEOHが印加される。その後、コモン反転前にＶ_PRC（３）＝ＶＨであるＴ_PRCの期間、その時のコモン電位（Ｖ_COMH又はＶ_COML）がプリチャージスイッチ（２２２−２）を通じて印加され、コモン反転後もＶ_COML又はＶ_COMHになることはデータ線１と同様である。

なお、図５、図６は奇数フレームでの図であるが、偶数フレームではコモン・ロー状態から始まり、コモン・ロー状態で終わるという点が異なる。すなわち、信号波形は偶数と奇数が入れ替わることになる。

なお、アクティブマトリクス基板の構成図、液晶表示装置のモジュール構成図は第一の実施例と同じであり、それぞれ図１、図４を参照のこと。また、各種電源電位の設定とその効果も第一の実施例と同じでよい。

以上のように、本実施例ではコモン反転タイミングにおいてデータ線をコモン電位電極と短絡させつづける事で実質的に第一の実施例と同じ波形を得る。コモン反転タイミングでデータ線はコモン電位電極と短絡しているのでフローティングしている場合と同様、コモン反転時の容量にならず、容量を大幅に低減できる。さらに走査線はコモン反転中にフローティングにしているので、容量低減効果はさらに大きくなる。

また、本実施例ではＶ_PRC（５）がＶ_ENB（４）の逆極性になっているので、ＰＲＣ信号端子（６０２）を略し、ＥＮＢ信号端子（６０１）の信号をアクティブマトリクス基板上に形成したインバーターで反転させてＶ_PRC（５）信号を得るようにすれば用意に配線や外部回路を簡素化できるというメリットを有している。あるいはプリチャージスイッチ（２２２−１〜４８０）をＰチャネル型トランジスターとし、ＥＮＢ信号端子（６０１）をそのゲート端子に繋いでも良い。後者の変形例でのアクティブマトリクス基板構成図を図７に示す。

本発明は前述の実施の形態に限定されるものではなく、画素スイッチング素子としてＰ型トランジスタや相補型伝送ゲートを用いても構わないし、絶縁基板上に薄膜トランジスターを形成するのではなく、結晶シリコンウェハー上に画素スイッチング素子や駆動回路を作りこんだアクティブマトリクス基板でも良い。

また、液晶表示装置として実施例のような透過型で無く反射型や半透過型としてもよいし、直視型で無く投影用のライトバルブとしてもよい。

本発明の実施例を説明するためのアクティブマトリクス基板構成図。 第一の実施例における奇数フレームでの外部信号系より与えられる各駆動信号タイミングチャート図。 第一の実施例における奇数フレームでの走査線、データ線信号タイミングチャート図。 本発明の実施例における液晶表示装置の斜視図（一部断面図）。 第二の実施例における奇数フレームでの外部信号系より与えられる各駆動信号タイミングチャート図。 第二の実施例における奇数フレームでの走査線、データ線信号タイミングチャート図。 第二の実施例の変形例を説明するためのアクティブマトリクス基板構成図。 従来のコモン反転駆動法を説明するための信号タイミングチャート図。 従来方法でのコモン反転駆動ができる液晶パネルのサイズ・精細度の限界を説明するためのグラフ。

符号の説明

１０１：アクティブマトリクス基板
２０１−１〜４８０：走査線１〜４８０
２０２−１〜１９２０：データ線１〜１９２０
２１１−１〜４８０：走査線スイッチ１〜４８０
２１２−１〜１９２０：データ線スイッチ１〜１９２０
２２２−１〜１９２０：プリチャージスイッチ１〜１９２０
３０１−１〜４８０：走査線信号入力端子
３０２−１〜１９２０：データ線信号入力端子
３０３：コモン電極電位入力端子
３０４：対向導通部
４０２−１〜４８０−１〜１９２０：画素電極（１〜４８０，１〜１９２０）
６０１：ＥＮＢ信号端子
６０２：ＰＲＣ信号端子
９０１：対向基板

Claims (9)

1. 一対の基板間に液晶層を封入してなり、前記一対の基板の一方は基板上に複数の走査線と前記複数の走査線に概略直交して配置される複数のデータ線と前記複数の走査線ならびに前記複数のデータ線と接続された複数の画素スイッチング素子と前記複数の画素スイッチング素子に接続された画素電極とを備えてなるアクティブマトリクス基板であり、
   前記一対の基板のもう一方は前記液晶層と接する面の少なくとも一部にコモン電極が形成されてなる対向基板である液晶表示装置の駆動方法において、
   前記コモン電極を相対的に高い電位にした状態（以降、コモン・ハイ状態と称する）と前記コモン電極の電位を相対的に低い電位にした状態 (以降、コモン・ロー状態と称する)の交互に反転駆動することを特徴とするコモン反転駆動であり、
   かつ前記コモン電極の電位が前記コモン・ハイ状態から前記コモン・ロー状態に変動される際（以降、コモン・ロー反転タイミングと称する）
   ならびに
   前記コモン・ロー状態から前記コモン・ハイ状態に変動される際（以降、コモン・ハイ反転タイミングと称する）は
   前記複数のデータ線の少なくとも一部、より望ましくは全てのデータ線が外部映像信号源や外部電源と相対的に高い電気抵抗によって電気的に分離されている状態（以降、フローティング状態と称する）であり、
   前記コモン・ロー反転タイミング直前では前記複数のデータ線が概略同じ電位（Ｖ_DCHGH）を有しており、
   前記画素スイッチング素子はＮチャネル型電界効果トランジスターであり、
   前記Ｖ_DCHGHは
   前記コモン反転駆動時のコモン電極の電位振幅をΔＶ_COM、前記走査線に画素スイッチング素子をＯＦＦする時に書き込まれる非選択電位の最高電位をＶ_GOFFHとしたときＶ_DCHGH≧Ｖ_GOFFH＋ΔＶ_COMを満たす、
   ことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
2. 一対の基板間に液晶層を封入してなり、前記一対の基板の一方は基板上に複数の走査線と前記複数の走査線に概略直交して配置される複数のデータ線と前記複数の走査線ならびに前記複数のデータ線と接続された複数の画素スイッチング素子と前記複数の画素スイッチング素子に接続された画素電極とを備えてなるアクティブマトリクス基板であり、
   前記一対の基板のもう一方は前記液晶層と接する面の少なくとも一部にコモン電極が形成されてなる対向基板である液晶表示装置の駆動方法において、
   前記コモン電極を相対的に高い電位にした状態（以降、コモン・ハイ状態と称する）と前記コモン電極の電位を相対的に低い電位にした状態 (以降、コモン・ロー状態と称する)の交互に反転駆動することを特徴とするコモン反転駆動であり、
   かつ前記コモン電極の電位が前記コモン・ハイ状態から前記コモン・ロー状態に変動される際（以降、コモン・ロー反転タイミングと称する）
   ならびに
   前記コモン・ロー状態から前記コモン・ハイ状態に変動される際（以降、コモン・ハイ反転タイミングと称する）は
   前記複数のデータ線の少なくとも一部、より望ましくは全てのデータ線が外部映像信号源や外部電源と相対的に高い電気抵抗によって電気的に分離されている状態（以降、フローティング状態と称する）であり、
   前記コモン・ハイ反転タイミング直前では前記複数のデータ線が概略同じ電位（Ｖ_DCHGL）を有しており、
   前記画素スイッチング素子はＰチャネル型電界効果トランジスターであり、
   前記Ｖ_DCHGLは
   前記コモン反転駆動時のコモン電極の電位振幅をΔＶ_COM、前記走査線に画素スイッチング素子をＯＦＦする時に書き込まれる非選択電位のうち最低電位をＶ_GOFFLとしたときＶ_DCHGL≦Ｖ_GOFFL−ΔＶ_COMを満たす、
   ことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
3. 前記コモン・ハイ反転タイミングの直前ならびに前記コモン・ロー反転タイミング直前には前記複数のデータ線が前記コモン電極の電位と概略等しい電位となっていることを特徴とした請求項１又は２に記載の液晶表示装置の駆動方法。
4. 前記コモン・ハイ反転タイミングの直前ならびに前記コモン・ロー反転タイミング直前には前記走査線の少なくとも一部、より望ましくは全走査線または一つの走査線を除く全走査線がフローティング状態となっている請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶表示装置の駆動方法。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の駆動方法を用いて画像を表示する液晶表示装置。
6. 前記複数のデータ線に電位を印加するデータ線駆動回路の少なくとも一部は前記アクティブマトリクス基板上に形成された薄膜トランジスターによって構成されている駆動回路内蔵型液晶表示装置である請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記データ線駆動回路には前記コモン電極に印加されている電位と概略等しい電位を前記複数のデータ線と適当なタイミングで比較的低い抵抗で電気的に導通させる回路が含まれる請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記走査線の数（＝Ｖ）の二乗に前記画素電極がマトリクス状に配置されている画像表示部の対角方向の長さ（＝Ｓ(ｍ)）で乗じた係数（＝Ｖ×Ｖ×Ｓ）は３００００以上であることを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
9. 請求項５から８のいずれか一項に記載の液晶表示装置を用いて画像を表示する機能を有したバッテリーで駆動される携帯電子機器。

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