JP4143005B2 - 有極性重合体、感光性組成物、レジストパターン及びその形成方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のレジストパターンは、本発明の前記レジストパターンの形成方法により製造される。該レジストパターンは、基板等との密着性、溶解性に優れ、レジスト抜きパターンの抜け性(形成性)に優れ、レジスト抜きパターンにおけるスカムの発生が生じない一方、通常濃度のアルカリ現像液を用いて現像するときでも、パターン自身の溶解、パターンの膨潤等が抑制され、パターンはがれ、パターン倒れなどの発生が効果的に抑制され、高精細に形成され、特に半導体装置の製造に好適である。
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明のレジストパターンの形成方法により下地上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチング及びリフトオフの少なくともいずれかにより前記下地をパターニングするパターニング工程とを含む。該半導体装置の製造方法では、前記レジストパターン形成工程において、下地上にレジストパターンが形成される。前記パターニング工程において、該レジストパターンをマスクとしてエッチング又はリフトオフが行われ、前記下地がパターニングされる。その結果、高精細なパターン(例えば、配線パターンなど)を有する高品質な半導体装置が製造される。
本発明の第一の形態に係る有極性重合体は、下記構造式(1)で表されるカルボン酸基含有単位ユニットと、下記構造式(2)で表されるラクトン環含有単位ユニットとを少なくとも含み、更に必要に応じて、下記構造式(3)で表されるヒドロキシル基含有単位ユニット、酸感応性を有する単位ユニット、エッチング耐性を有する単位ユニット、及びその他の単位ユニットを含んでなる。
前記割合が、3mol%未満であると、基板との密着性が十分でないことがあり、50mol%を超えると、レジストパターン形成の際に、基板との間に現像液が入り込み、パターン倒れが生じると共に、レジストパターン自身が溶解したり、膨潤を起こすことがある。
前記割合が、5mol%未満であると、基板との密着性が十分でないことがあり、50mol%を超えると、レジスト抜きパターンの抜け性(形成性)が低下し、レジスト抜きパターンにスカムが発生することがあり、また、後述するエッチング耐性を有するユニットの含有量を減らすことが必要となり、エッチング耐性に劣ることがある。
前記割合が、50mol%を超えると、パターン形成の際に、基板との間に現像液が入り込み、パターン倒れが生じることがある。
これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、第三級アルキルオキシカルボニル基、第三級アルキル基、環状アセタール残基、鎖状アセタール残基、2−アルキルアダマンチル基が、感度、解像性、レジストパターンプロフィルが優れる点で好ましい。
前記脂肪族環構造及び前記芳香族環構造の具体例としては、ベンゼン環、アダマンタン環、ノルボルナン環、ジシクロペンタン環、トリシクロデカン環、テトラシクロデカン環、ボルネン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリシクレン、モノテルペン環、セスキテルペン環、ジテルペン環、セスタテルペン環、トリテルペン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環、ビシクロオクタン環、コレステリック環、ステロイド骨格、タンジュウサン、ジキタロイド、ショウノウ環、イソショウノウ環、サントン環、ステロイドサポニンなどを含む構造、などが挙げられる。
これらは、1種単独で含まれていてもよく、2種以上含まれていてもよい。以上の中でも、アダマンタン環、ノボルナン環を含む構造が好ましい。
前記含有量が、10mol%未満であると、パターンが形成できないことがあり、70mol%を超えると、解像性に劣ることがある。
前記脂肪族環構造及び前記芳香族環構造の具体例としては、ベンゼン環、アダマンタン環、ノルボルナン環、ジシクロペンタン環、トリシクロデカン環、テトラシクロデカン環、ボルネン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリシクレン、モノテルペン環、セスキテルペン環、ジテルペン環、セスタテルペン環、トリテルペン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環、ビシクロオクタン環、コレステリック環、ステロイド骨格、タンジュウサン、ジキタロイド、ショウノウ環、イソショウノウ環、サントン環、ステロイドサポニンなどを含む構造、などが挙げられる。
これらは、1種単独で含まれていてもよく、2種以上含まれていてもよい。以上の中でも、アダマンタン環、ノボルナン環を含む構造が好ましい。
これらの単位ユニットは、前記極性重合体中に1種単独で含まれていてもよく、2種以上含まれていてもよい。これらの中でも、脂環式炭化水素部分がアダマンチル基及びノルボルニル基の少なくともいずれかである複数個又は多環式の脂環式炭化水素部分を含むエステル基を有するモノマーを単位ユニットとするものが好ましい。
前記置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルキル基、ハロゲン基、ハロゲン化アルキル基、などが挙げられる。これらの中でもアルキル基が好ましく、炭素数1〜4のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
また、前記構造式(4)で表されるモノマーと、前記ラクトン環を形成可能なラクトン環形成基を有するモノマーとを含むモノマー組成物を反応させる際に、モノマー組成物中の各モノマーの組成を制御して重合させることにより、製造される有極性重合体の組成を制御することができる。
前記酸感応性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、tert−ブトキシカルボニル基、tert−アミルオキシカルボニル基等の第三級アルキルオキシカルボニル基;tert−ブチル基、tert−アミル基等の第三級アルキル基;tert−ブトキシカルボニルメチル基、tert−アミルオキシカルボニルメチル基等の第三級アルキルオキシカルボニルアルキル基;テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等の環状アセタール残基;アルコキシアルキル基等の鎖状アセタール残基;トリメチルシリル基等のシリルエーテル基;2−アルキルアダマンチル基、2−アルキルノルボルニル基、1−アルキルシクロヘキシル基、3−オキソシクロヘキシル基、などが挙げられる。これらの中でも、第三級アルキルオキシカルボニル基、第三級アルキル基、環状アセタール残基、鎖状アセタール残基、2−アルキルアダマンチル基が感度、解像性、レジストパターンプロフィルが優れる点で好ましい。
前記エッチング耐性構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、脂肪族環化合物、芳香族環化合物等が挙げられる。前記耐エッチング性構造が脂肪族化合物である場合、ArFレーザー(ArFエキシマレーザー)のような深紫外領域の露光光の光吸収性が低く、ArFレーザーレジスト(組成物)が得られる点で有利であり、芳香環化合物である場合、ドライエッチング耐性に優れ、KrFレーザー(KrFエキシマレーザー)レジスト(組成物)が得られる点で有利である。
前記芳香族環構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセンなどが挙げられる。
これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上併用して使用してもよい。これらの中でも、脂肪族化合物がアダマンチル及びノルボルニルの少なくともいずれかである複数個又は多環式の脂肪族化合物を含むエステル基を有するモノマーが好ましい。
前記重量平均分子量が、1,000未満であると、耐熱性が十分でないことがあり、1,000,000を超えると、塗布溶媒に難溶性となることがある。
本発明の感光性組成物は、本発明の上述した有極性重合体と、酸発生剤とを含み、更に必要に応じて、酸感応性を有する成分、耐エッチング性を有する成分、及びその他の成分を含む。
前記割合が、1質量%未満であると、露光部における酸発生量が少なくなるため、反応性が劣化することがあり、感度が低下することがあり、30質量%を超えると、塗布膜形成時に析出等を生ずることがあり、感光性組成物全体の熱特性を劣化させることがある。一方、前記割合が、前記より好ましい数値範囲内であると、感度と解像度とに優れる点で有利である。
前記耐エッチング性を有する成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、上述したエッチング耐性構造を有するモノマーなどが挙げられる。
本発明のレジストパターンは、本発明の前記有極性重合体を少なくとも含んでなり、以下に説明する本発明のレジストパターンの形成方法により好適に製造することができる。
本発明のレジストパターンは、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、LCD(液晶ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプレイパネル)、SAWフィルタ(弾性表面波フィルタ)等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、高電子移動度トランジスタ、半導体装置、などに好適に使用することができる。
以下、本発明のレジストパターンの形成方法について説明を通じて本発明のレジストパターンをも説明する。
本発明のレジストパターンの形成方法は、レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜をパターニングするレジスト膜パターニング工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含む。
前記レジスト膜の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択することができるが、例えば、前記感光性組成物を塗布し、ベーク(プリベーク)を行うことによりレジスト膜を形成する方法が好適に挙げられる。
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の塗布方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法、などが好適に挙げられる。
前記ベーク(プリベーク)の条件、方法等としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、温度が40〜200℃程度であり、80〜160℃が好ましく、時間が10秒〜5分程度であり、30秒〜100秒が好ましい。
前記レジスト膜は、下地(基材)上に形成することができ、該下地(基材)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、該レジストパターンが半導体装置等に形成される場合には、該下地(基材)としては、例えば、シリコンウエハ等の半導体基板などが好適に挙げられる。
前記露光を行う条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
なお、前記レジストパターン厚肉化材料(レジストパターン膨潤化材料)、レジストパターンの形成方法等のついては、特開2003―131400号公報、特開平11−204399号公報などの記載を参照することができる。
ここで、前記レジストパターン厚肉化材料を用いた本発明の前記レジストパターンを厚肉化する方法について、以下に図面を参照しながら説明する。
この後、図1(c)に示すように、現像処理を行うことによって、塗布したレジストパターン厚肉化材料1の内、レジストパターン3とミキシングしていない部分が溶解除去され、厚肉化されたレジストパターン10が形成(現像)される。
なお、前記現像処理は、水現像であってもよいし、アルカリ現像液による現像であってもよい。
本発明の半導体装置の製造方法は、レジストパターン形成工程と、パターニング工程とを含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程とを含む。本発明の半導体装置は、本発明の前記半導体装置の製造方法により製造することができる。
以下、本発明の半導体装置の製造方法についての説明を通じて本発明の半導体装置についても説明する。
なお、前記下地としては、半導体装置における各種部材の表面層が挙げられるが、シリコンウエハ等の半導体基板乃至その表面層が好適に挙げられる。前記レジストパターンは上述した通りである。前記塗布の方法は上述した通りである。また、該塗布の後では、上述のプリベーク、架橋ベーク等を行うのが好ましい。
前記現像処理工程は、前記レジストパターン形成工程の後であって前記パターニング工程の前に、塗布したレジストパターンの現像処理を行う工程である。なお、前記現像処理は、上述した通りである。
所定の量の、ラクトン環を形成可能な前記ラクトン環形成基を有するモノマーとしてのエチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、前記構造式(4)で表されるモノマーとしてのメタクリル酸、及び、前記酸感応性基を有するモノマーであってかつ前記エッチング耐性構造を有するモノマーでもある2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートを常法により共重合させて前記有極性重合体を合成した。合成した有極性共重合体における各単位ユニットの割合を核磁気共鳴(NMR)法、及び中和滴定法により分析したところ、各単位ユニットの有極性重合体全体における割合は、下記表1に示すようになった。
得られた有極性共重合体と、溶剤としてのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートとを混合比(質量比)が、12:88になるように混合し、得られた混合物に、前記有極性重合体に対して2質量%の酸発生剤(みどり化学(株)製;TPS−105)、及び0.2質量%のクエンチャー(関東化学(株)製;ジフェニルアミン)を添加し、感光性組成物を調製した。
所定の量の、ラクトン環を形成可能な前記ラクトン環形成基を有するモノマーとしてのエチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、前記構造式(4)で表されるモノマーとしてのメタクリル酸、及び、前記酸感応性基を有するモノマーであってかつ前記エッチング耐性構造を有するモノマーでもある2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートを常法により共重合させて前記有極性重合体を合成した。合成した有極性共重合体における各単位ユニットの割合を核磁気共鳴(NMR)法、及び中和滴定法により分析したところ、各単位ユニットの有極性重合体全体における割合は、下記表1に示すようになった。
得られた有極性共重合体と、溶剤としてのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートとを混合比(質量比)が、12:88になるように混合し、得られた混合物に、前記有極性重合体に対して2質量%の酸発生剤(みどり化学(株)製;TPS−105)、及び0.2質量%のクエンチャー(関東化学(株)製;ジフェニルアミン)を添加し、感光性組成物を調製した。
所定の量の、ラクトン環を形成可能な前記ラクトン環形成基を有するモノマーとしてのエチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、前記構造式(4)で表されるモノマーとしてのメタクリル酸、及び、前記酸感応性基を有するモノマーであってかつ前記エッチング耐性構造を有するモノマーでもある2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートを常法により共重合させて前記有極性重合体を合成した。合成した有極性共重合体における各単位ユニットの割合を核磁気共鳴(NMR)法、及び中和滴定法により分析したところ、各単位ユニットの有極性重合体全体における割合は、下記表1に示すようになった。
得られた有極性共重合体と、溶剤としてのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートとを混合比(質量比)が、12:88になるように混合し、得られた混合物に、前記有極性重合体に対して2質量%の酸発生剤(みどり化学(株)製;TPS−105)、及び0.2質量%のクエンチャー(関東化学(株)製;ジフェニルアミン)を添加し、感光性組成物を調製した。
所定の量の、ラクトン環を形成可能な前記ラクトン環形成基を有するモノマーとしてのエチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、前記構造式(4)で表されるモノマーとしてのメタクリル酸、及び、前記酸感応性基を有するモノマーであってかつ前記エッチング耐性構造を有するモノマーでもある2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートを常法により共重合させて前記有極性重合体を合成した。合成した有極性共重合体における各単位ユニットの割合を核磁気共鳴(NMR)法、及び中和滴定法により分析したところ、各単位ユニットの有極性重合体全体における割合は、下記表1に示すようになった。
得られた有極性共重合体と、溶剤としてのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートとを混合比(質量比)が、12:88になるように混合し、得られた混合物に、前記有極性重合体に対して2質量%の酸発生剤(みどり化学(株)製;TPS−105)、及び0.2質量%のクエンチャー(関東化学(株)製;ジフェニルアミン)を添加し、感光性組成物を調製した。
所定の量の、ラクトン環を形成可能な前記ラクトン環形成基を有するモノマーとしてのエチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、前記構造式(4)で表されるモノマーとしてのメタクリル酸、及び、前記酸感応性基を有するモノマーであってかつ前記エッチング耐性構造を有するモノマーでもある2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートを常法により共重合させて前記有極性重合体を合成した。合成した有極性共重合体における各単位ユニットの割合を核磁気共鳴(NMR)法、及び中和滴定法により分析したところ、各単位ユニットの有極性重合体全体における割合は、下記表1に示すようになった。
得られた有極性共重合体と、溶剤としてのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートとを混合比(質量比)が、12:88になるように混合し、得られた混合物に、前記有極性重合体に対して2質量%の酸発生剤(みどり化学(株)製;TPS−105)、及び0.2質量%のクエンチャー(関東化学(株)製;ジフェニルアミン)を添加し、感光性組成物を調製した。
所定の量の、ラクトン環を形成可能な前記ラクトン環形成基を有するモノマーとしてのエチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、前記構造式(4)で表されるモノマーとしてのメタクリル酸、及び、前記酸感応性基を有するモノマーであってかつ前記エッチング耐性構造を有するモノマーでもある2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートを常法により共重合させて前記有極性重合体を合成した。合成した有極性共重合体における各単位ユニットの割合を核磁気共鳴(NMR)法、及び中和滴定法により分析したところ、各単位ユニットの有極性重合体全体における割合は、下記表1に示すようになった。
得られた有極性共重合体と、溶剤としてのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートとを混合比(質量比)が、12:88になるように混合し、得られた混合物に、前記有極性重合体に対して2質量%の酸発生剤(みどり化学(株)製;TPS−105)、及び0.2質量%のクエンチャー(関東化学(株)製;ジフェニルアミン)を添加し、感光性組成物を調製した。
所定の量の、ラクトン環を形成可能な前記ラクトン環形成基を有するモノマーとしてのエチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、前記構造式(4)で表されるモノマーとしてのメタクリル酸、及び、前記酸感応性基を有するモノマーであってかつ前記エッチング耐性構造を有するモノマーでもある2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートを常法により共重合させて前記有極性重合体を合成した。合成した有極性共重合体における各単位ユニットの割合を核磁気共鳴(NMR)法、及び中和滴定法により分析したところ、各単位ユニットの有極性重合体全体における割合は、下記表1に示すようになった。
得られた有極性共重合体と、溶剤としてのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートとを混合比(質量比)が、12:88になるように混合し、得られた混合物に、前記有極性重合体に対して2質量%の酸発生剤(みどり化学(株)製;TPS−105)、及び0.2質量%のクエンチャー(関東化学(株)製;ジフェニルアミン)を添加し、感光性組成物を調製した。
所定の量の、ラクトン環を形成可能な前記ラクトン環形成基を有するモノマーとしてのエチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、前記構造式(4)で表されるモノマーとしてのメタクリル酸、及び、前記酸感応性基を有するモノマーであってかつ前記エッチング耐性構造を有するモノマーでもある2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートを常法により共重合させて前記有極性重合体を合成した。合成した有極性共重合体における各単位ユニットの割合を核磁気共鳴(NMR)法、及び中和滴定法により分析したところ、各単位ユニットの有極性重合体全体における割合は、下記表1に示すようになった。
得られた有極性共重合体と、溶剤としてのプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートとを混合比(質量比)が、12:88になるように混合し、得られた混合物に、前記有極性重合体に対して2質量%の酸発生剤(みどり化学(株)製;TPS−105)、及び0.2質量%のクエンチャー(関東化学(株)製;ジフェニルアミン)を添加し、感光性組成物を調製した。
(b)ヒドロキシル基含有単位ユニット
(c)カルボン酸基含有単位ユニット
(d)ラクトン環含有単位ユニット
所定の量の、ラクトン環を形成可能な前記ラクトン環形成基を有するモノマーとしてのエチルα−(ヒドロキシ)メタクリレート、前記構造式(4)で表されるモノマーとしてのメタクリル酸、及び、前記酸感応性基を有するモノマーであってかつエッチング耐性構造を有するモノマーでもある2−ビニル−6−tert−ブチルエーテルナフタレンを常法により共重合させて前記有極性重合体を合成した。合成した有極性共重合体全体における各単位ユニットの割合を核磁気共鳴(NMR)法、及び中和滴定法により分析したところ、ヒドロキシル基含有単位ユニットが15mol%であり、カルボン酸基含有単位ユニットが25mol%であり、酸感応性を有する単位ユニットが45mol%であり、ラクトン環含有ユニットが15mol%であった。
得られた有極性共重合体と、溶剤としてのシクロヘキサノンとを混合比(質量比)が、12:88になるように混合し、得られた混合物に前記有極性重合体に対して2質量%の酸発生剤(みどり化学(株)製;TPS−105)、及び0.2質量%のクエンチャー(関東化学(株)製;ジフェニルアミン)を添加し、感光性組成物を調製した。
所定の量の、ラクトン環を形成可能な前記ラクトン環形成基を有するモノマーとしてのエチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、前記構造式(4)で表されるモノマーとしてのメタクリル酸、酸感応性基を有するモノマーであってかつエッチング耐性構造を有するモノマーでもある2−メチル−2−アダマンチルメタクリレート、及び、前記エッチング耐性構造を有するモノマーとしての3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレートを常法により共重合させて前記有極性重合体を合成した。合成した有極性共重合体全体における各単位ユニットの割合を核磁気共鳴(NMR)法、及び中和滴定法により分析したところ、ヒドロキシル基含有単位ユニットが10mol%であり、カルボン酸基含有単位ユニットが10mol%であり、前記酸感応性を有する単位ユニットであってかつ前記エッチング耐性を有する単位ユニットが40mol%であり、エッチング耐性を有する単位ユニットが20mol%であり、及びラクトン環含有単位ユニットが20mol%であった。
得られた有極性共重合体と、溶剤としてのシクロヘキサノンとを混合比(質量比)が、12:88になるように混合し、得られた混合物に、前記有極性重合体に対して2質量%の酸発生剤(みどり化学(株)製;TPS−105)、及び0.2質量%のクエンチャー(関東化学(株)製;ジフェニルアミン)を添加し、感光性組成物を調製した。
実施例1〜9及び比較例1で調製した各感光性組成物を、有機反射防止膜付のシリコン基板上に、2,000rpmでスピンコートした後、110℃で60秒間プリベークを行い、前記シリコン基板上にレジスト膜を形成した。該レジスト膜に対して、ArFエキシマレーザー露光装置(キヤノン社製、FPA−5000AS3)を用いて、ArFエキシマレーザー光を線幅100nmのライン・アンド・スペースパターン状に照射した。その後、前記レジスト膜が形成された前記シリコン基板を110℃で60秒間ベークし、23℃まで冷却した後、テトラメチルアンモウムヒドロキシド2.38質量%水溶液で1分間パドル現像した後、超純水で15秒間リンスすることにより、線幅100nmのライン・アンド・スペースパターン(レジストパターン)を形成した。
○・・・形成したレジストパターンにパターン倒れや、膨潤等がなく、高精細なレジスト抜きパターンが形成されている状態
△・・・形成したレジストパターンにパターン倒れや、パターンの膨潤等がほとんどなく、高精細なレジスト抜きパターンが形成されている状態
×・・・隣接するラインパターンにパターン倒れ等が生じ、互いに接触等し、パターンが不均一乃至消失している状態
図2に示すように、シリコン基板E21上に、素子分離領域E22及びゲート絶縁膜として使用される絶縁膜E23を形成し、該絶縁膜E23上にポリシリコン膜E24を形成した。
次いで、ポリシリコン膜E24上に有機又は無機の反射膜(図示せず)を形成し、該有機又は無機の反射膜上に実施例1で調製した感光性組成物による膜を形成し、露光・現像してゲート電極パターンに対応するレジストパターンE25を形成した。
次いで、ゲート電極パターンE24Aをマスクとしてp型不純物元素又はn型不純物元素をイオン注入し、ゲート電極パターンE24Aの両側にソースエクステンション領域E21a及びE21bを形成した。
以上により、本発明の前記有極性重合体を含む本発明の前記感光性組成物を用いた本発明のレジストパターンの形成方法により本発明のレジストパターンを形成し、これを用いて本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の半導体装置を製造することができた。
次に、チタン膜13をウェット処理により除去し、図9に示すように層間絶縁膜12上にTiN膜16をスパッタリング法により形成し、続いて、TiN膜16上にCu膜17を電解めっき法で成膜した。次いで、図10に示すように、CMPにて開口部15b(図7)に相当する溝部のみにバリアメタルとCu膜(第一の金属膜)を残して平坦化し、第一層の配線17aを形成した。
上述の各工程を繰り返すことにより、図13に示すように、シリコン基板11上に第一層の配線17a、第二層の配線20、及び第三層の配線21を含む多層配線構造を備えた半導体装置を製造した。なお、図13においては、各層の配線の下層に形成したバリアメタル層は、図示を省略した。
この実施例12では、レジストパターン14が、本発明の感光性組成物を用いて形成したものである。
実施例14は、本発明の感光性組成物を用いた本発明の半導体装置及びその製造方法の一例である。なお、この実施例14では、以下のレジスト膜26、27、29、32及び34が、本発明の感光性組成物を用いて形成したものである。
図14及び図15は、FLOTOX型又はETOX型と呼ばれるFLASH EPROMの上面図(平面図)であり、図16〜図24は、該FLASH EPROMの製造方法に関する一例を説明するための断面概略図であり、これらにおける、左図はメモリセル部(第1素子領域)であって、フローティングゲート電極を有するMOSトランジスタの形成される部分のゲート幅方向(図14及び図15におけるX方向)の断面(A方向断面)概略図であり、中央図は前記左図と同部分のメモリセル部であって、前記X方向と直交するゲート長方向(図14及び図15におけるY方向)の断面(B方向断面)概略図であり、右図は周辺回路部(第2素子領域)のMOSトランジスタの形成される部分の断面(図14及び図15におけるA方向断面)概略図である。
次に、前記メモリセル部(図15の左図及び中央図)にn型ディプレションタイプのチャネルを有するMOSトランジスタを形成するため、閾値電圧を制御する目的で前記周辺回路部(図15の右図)をレジスト膜26によりマスクした。そして、フローティングゲート電極直下のチャネル領域となる領域に、n型不純物としてドーズ量1×1011〜1×1014/cm2のリン(P)又は砒素(As)をイオン注入法により導入し、第1閾値制御層25aを形成した。なお、このときのドーズ量及び不純物の導電型は、ディプレッションタイプにするかアキュミレーションタイプにするかにより適宜選択することができる。
次に、前記メモリセル部(図18の左図及び中央図)のMOSトランジスタのフローティングゲート電極、及び前記周辺回路部(図18の右図)のMOSトランジスタのゲート電極として、厚みが500〜2000Å(50〜200nm)である第1ポリシリコン膜(第1導電体膜)28を全面に形成した。
次に、(図20の左図及び中央図)に示すように、レジスト膜29を除去した後、フローティングゲート電極28aを被覆するようにして、SiO2膜からなるキャパシタ絶縁膜30aを厚みが約200〜500Å(20〜50nm)となるように熱酸化にて形成した。このとき、前記周辺回路部(図20の右図)の第1ポリシリコン膜28上にもSiO2膜からなるキャパシタ絶縁膜30bが形成される。なお、ここでは、キャパシタ絶縁膜30a及び30bはSiO2膜のみで形成されているが、SiO2膜及びSi3N4膜が2〜3積層された複合膜で形成されていてもよい。
次に、図21に示すように、前記メモリセル部(図21の左図及び中央図)をレジスト膜32によりマスクし、前記周辺回路部(図21の右図)の第2ポリシリコン膜31及びキャパシタ絶縁膜30bを順次、エッチングにより除去し、第1ポリシリコン膜28を表出させた。
次に、図22に示すように、前記メモリセル部(図22の左図及び中央図)の第2ポリシリコン膜31、キャパシタ絶縁膜30a及びX方向だけパターニングされている第1ポリシリコン膜28aに対し、レジスト膜32をマスクとして、第1ゲート部33aの最終的な寸法となるようにY方向のパターニングを行い、Y方向に幅約1μmのコントロールゲート電極31a/キャパシタ絶縁膜30c/フローティングゲート電極28cによる積層を形成すると共に、前記周辺回路部(図22の右図)の第1ポリシリコン膜28に対し、レジスト膜32をマスクとして、第2ゲート部33bの最終的な寸法となるようにパターニングを行い、幅約1μmのゲート電極28bを形成した。
次に、前記メモリセル部(図24の左図及び中央図)の第1ゲート部33a及び前記周辺回路部(図24の右図)の第2ゲート部33bを、PSG膜による層間絶縁膜37を厚みが約5000Åとなるようにして被覆形成した。
その後、S/D領域層35a及び35b並びにS/D領域層36a及び36b上に形成した層間絶縁膜37に、コンタクトホール38a及び38b並びにコンタクトホール39a及び39bを形成した後、S/D電極40a及び40b並びにS/D電極41a及び41bを形成した。
このFLASH EPROMにおいては、前記周辺回路部(図16〜図24における右図)の第2ゲート絶縁膜24bが形成後から終始、第1ポリシリコン膜28又はゲート電極28bにより被覆されている(図16〜図24における右図)ので、第2ゲート絶縁膜24bは最初に形成された時の厚みを保持したままである。このため、第2ゲート絶縁膜24bの厚みの制御を容易に行うことができると共に、閾値電圧の制御のための導電型不純物濃度の調整も容易に行うことができる。
なお、上記実施例では、第1ゲート部33aを形成するのに、まずゲート幅方向(図14及び図15におけるX方向)に所定幅でパターニングした後、ゲート長方向(図14及び図15におけるY方向)にパターニングして最終的な所定幅としているが、逆に、ゲート長方向(図14及び図15におけるY方向)に所定幅でパターニングした後、ゲート幅方向(図14及び図15におけるX方向)にパターニングして最終的な所定幅としてもよい。
このFLASH EPROMにおいては、コントロールゲート電極31a及びゲート電極28b上に、高融点金属膜(第4導電体膜)42a及び42bを有するので、電気抵抗値を一層低減することができる。
なお、ここでは、高融点金属膜(第4導電体膜)として高融点金属膜(第4導電体膜)42a及び42bを用いているが、チタンシリサイド(TiSi)膜等の高融点金属シリサイド膜を用いてもよい。
このFLASH EPROMにおいては、前記周辺回路部の第2ゲート部33cは、前記メモリセル部の第1ゲート部33aと同構造であるので、前記メモリセル部を形成する際に同時に前記周辺回路部を形成することができ、製造工程を簡単にすることができ効率的である。
なお、ここでは、第3導電体膜53a又は53bと、高融点金属膜(第4導電体膜)42とをそれぞれ別々に形成しているが、共通の高融点金属膜として同時に形成してもよい。
実施例14は、本発明の感光性組成物を用いた本発明のレジストパターンの応用例としての磁気ヘッドの製造に関する。なお、この実施例14では、以下のレジストパターン102及び126が、本発明の感光性組成物を用いて形成したものである。
図31〜図34は、磁気ヘッドの製造を説明するための工程図である。
まず、図31に示すように、層間絶縁層100上に、厚みが6μmとなるようにレジスト膜を形成し、露光、現像を行って、渦巻状の薄膜磁気コイル形成用の開口パターンを有するレジストパターン102を形成した。
次に、図33に示すように、層間絶縁層100上における、レジストパターン102が形成されていない部位、即ち開口部104の露出面上に形成されたメッキ下地層106の表面に、厚みが3μmであるCuメッキ膜からなる薄膜導体108を形成した。
次に、図34に示すように、レジストパターン102を溶解除去し層間絶縁層100上からリフトオフすると、薄膜導体108の渦巻状パターンによる薄膜磁気コイル110が形成される。
以上により磁気ヘッドを製造した。
図35〜図40は、他の磁気ヘッドの製造を説明するための工程図である。
図35に示すように、セラミック製の非磁性基板112上にスパッタリング法によりギャップ層114を被覆形成した。なお、非磁性基板112上には、図示していないが予め酸化ケイ素による絶縁体層及びNi−Feパーマロイからなる導電性下地層がスパッタリング法により被覆形成され、更にNi−Feパーマロイからなる下部磁性層が形成されている。そして、図示しない前記下部磁性層の磁性先端部となる部分を除くギャップ層114上の所定領域に熱硬化樹脂により樹脂絶縁膜116を形成した。次に、樹脂絶縁膜116上にレジスト材を塗布してレジスト膜118を形成した。
次に、図36に示すように、レジスト膜118に露光、現像を行い、渦巻状パターンを形成した。そして、図37に示すように、この渦巻状パターンのレジスト膜118を数百℃で一時間程度熱硬化処理を行い、突起状の第1渦巻状パターン120を形成した。更に、その表面にCuからなる導電性下地層122を被覆形成した。
次に、図39に示すように、導電性下地層122の露出面上に、即ちレジストパターン126が形成されていない部位上に、Cu導体層128をメッキ法により形成した。その後、図40に示すように、レジストパターン126を溶解除去することにより、導電性下地層122上からリフトオフし、Cu導体層128による渦巻状の薄膜磁気コイル130を形成した。
ここで得られた磁気ヘッドは、本発明の感光性組成物を用いて形成されたレジストパターン126により、渦巻状パターンが微細に形成されているので、薄膜磁気コイル130は微細かつ精細であり、しかも量産性に優れる。
(付記1) 下記構造式(1)で表されるカルボン酸基含有単位ユニットと、下記構造式(2)で表されるラクトン環含有単位ユニットとを少なくとも含むことを特徴とする有極性重合体。
(付記2) 下記構造式(3)で表されるヒドロキシル基含有単位ユニットを更に含む付記1に記載の有極性重合体。
(付記3) 前記構造式(2)で表されるラクトン環含有単位ユニットの有極性重合体全体における割合が、5〜50mol%である付記1から2のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記4) 前記構造式(1)に示すカルボン酸含有単位ユニットの有極性重合体全体における割合が、3〜50mol%である付記1から3のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記5) 酸感応性を有する単位ユニットを更に含む付記1から4のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記6) 酸感応性を有する単位ユニットが、脂肪族環構造及び芳香族環構造の少なくともいずれかを含む付記5に記載の有極性重合体。
(付記7) 脂肪族環構造が、アダマンタン環、及びノルボルナン環から選択される少なくともいずれかを有する構造である付記6に記載の有極性重合体。
(付記8) 芳香族環構造が、ベンゼン環、ナフタレン環、及びアントラセン環から選択される少なくともいずれかを有する構造である付記6から7のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記9) エッチング耐性を有する単位ユニットを更に含む付記1から8のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記10) エッチング耐性を有する単位ユニットが、脂肪族環構造及び芳香族環構造の少なくともいずれかを含む付記9に記載の有極性重合体。
(付記11) 脂肪族環構造が、アダマンタン環、及びノルボルナン環の少なくともいずれかを有する構造から選択され、
芳香族環構造が、ベンゼン環、ナフタレン環、及びアントラセン環の少なくともいずれかを有する構造から選択される付記10に記載の有極性重合体。
(付記12) 下記構造式(4)で表されるモノマーと、ラクトン環を形成可能なラクトン環形成基を有するモノマーとを含むモノマー組成物を反応させてなることを特徴とする有極性重合体。
(付記13) ラクトン環形成基が、その一部にヒドロキシル基を有する付記12に記載の有極性重合体。
(付記14) ラクトン環形成基が、ヒドロキシアルキル基から選択される付記12から13のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記15) ラクトン環を形成可能なラクトン環形成基を有するモノマーが、下記構造式(5)で表される付記12から14のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記16) ラクトン環を形成可能なラクトン環形成基を有するモノマーが、メチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、エチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレート、及びブチルα−(ヒドロキシメチル)アクリレートから選択される少なくともいずれかである付記12から15のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記17) 構造式(4)で表されるモノマーが、アクリル酸及びメタクリル酸の少なくともいずれかである付記12から16のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記18) モノマー組成物が、酸感応性基を有するモノマーを更に含む付記12から17のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記19) 酸感応性基が、第三級アルキルオキシカルボニル基、第三級アルキル基、第三級アルキルオキシカルボニルアルキル基、環状アセタール基、鎖状アセタール基、シリルエーテル基、2−アルキルアダマンチル基、2−アルキルノルボルニル基、1−アルキルシクロヘキシル基、及び3−オキソシクロヘキシル基から選択される少なくともいずれかである付記18に記載の重合体。
(付記20) モノマー組成物が、エッチング耐性構造を有するモノマーを更に含む付記12から19のいずれかに記載の有極性重合体。
(付記21) エッチング耐性構造が、脂肪族環化合物及び芳香族環化合物の少なくともいずれかである付記20に記載の有極性重合体。
(付記22) 脂肪族化合物が、アダマンタン及びノルボルナンの少なくともいずれかから選択され、
芳香族環化合物が、ベンゼン、ナフタレン、及びアントラセンの少なくともいずれかから選択される付記21に記載の有極性重合体。
(付記23) 付記1から22のいずれかに記載の有極性重合体と、酸発生剤とを含むことを特徴とする感光性組成物。
(付記24) 酸発生剤が、露光されると酸を生ずる付記23に記載の感光性組成物。
(付記25) 付記23から24のいずれかに記載の感光性組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜をパターニングすることを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
(付記26) 付記25に記載のレジストパターンの形成方法により製造されることを特徴とするレジストパターン。
(付記27) 付記26に記載のレジストパターンを用いて形成されたパターンを少なくとも有してなることを特徴とする半導体装置。
(付記28) 付記25に記載のレジストパターンの形成方法により下地上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチング及びリフトオフの少なくともいずれかにより前記下地をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3 レジストパターン
5 下地(基材)
10 厚肉化されたレジストパターン
10a 表層
10b 内層レジストパターン(レジストパターン3)
E25,14,102,118a,126 レジストパターン
26,27,29,34,118,124 レジスト膜
Claims (5)
- 下記構造式(1)で表されるカルボン酸基含有単位ユニットと、下記構造式(2)で表されるラクトン環含有単位ユニットと、構造式(3)で表されるヒドロキシル基含有単位ユニットと、2−アルキルアダマンチル基を有する単位ユニットとを含み、前記カルボン酸基含有単位ユニットを5〜40mol%含有することを特徴とする有機極性重合体。
- 酸感応性を有する単位ユニットを更に含む請求項1に記載の有極性重合体。
- エッチング耐性を有する単位ユニットを更に含む請求項1から2のいずれかに記載の有極性重合体。
- 請求項1から3のいずれかに記載の有極性重合体と、酸発生剤とを含むことを特徴とする感光性組成物。
- 下地上に請求項4に記載の感光性組成物を用いてレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチング及びリフトオフの少なくともいずれかにより前記下地をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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