JP4136614B2 - 超撥水膜の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、超撥水膜の製造に関する。
【0002】
【従来の技術】
下記に示す特許文献1に開示されているように、一般に水との接触角が140°以上となるような膜を超撥水膜という。この特許文献1、及び下記に示す特許文献2には塗布法によって超撥水膜を製造する方法が開示されている。この製造方法によれば、基板上にコーティング液を塗布した後、この基板に対して高温の加熱処理を行って超撥水膜を製造する。例えば、この加熱処理を特許文献1では60℃〜450℃で行う例が開示されており、特許文献2では、前述した加熱処理を400℃〜600℃で行う例が開示されている。
【0003】
また、特許文献2に開示されているように、フィルムの表面に凹凸形状を形成させること等を目的として、このフィルムに対してプラズマ放電処理を行い、このフィルムの表面を活性化させて、超撥水膜としての機能を高める処理も一般によく行われている。通常、前述したプラズマ放電処理は、数10eVという非常に高いエネルギーを有するプラズマを用いて行われる。
【0004】
撥水膜における水との接触角は、下記に示す非特許文献1に開示されているように、この撥水膜の表面分子構造及び表面形態に依存する。撥水膜の表面を形成する化合物の分子構造は、この撥水膜の表面自由エネルギーを決定する。この非特許文献1によれば、表面にC−F結合及びC−H結合を多く含む膜は、表面自由エネルギーが低くなる結果、撥水性に優れる。また、この非特許文献1によれば、例えば、前述したような撥水性に優れる表面分子構造を有する膜の表面に、凹凸形状を形成させて、この膜の表面形態を変化させ、この膜の表面積を大きくした場合、さらに撥水性に優れる膜を得ることができる。すなわち、一般に、膜の表面分子構造と膜の表面形態との相乗効果により、超撥水膜を得ることができる。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−38094号公報
【特許文献2】
特開平10−259037号公報
【非特許文献1】
森田 正道、外1名、“最もよく水をはじく高分子材料は”、[online]、ダイキン工業株式会社、[平成14年1月11日検索]、インターネット<URL:http://www.daikin.co.jp
/chm/pro/sinsozai/unidyne/lit/lit−t/topics2/topics2.html>
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
超撥水膜は水をはじく膜であるため、半導体集積回路に成膜される保護膜として用いることもできる。この場合、既に説明したような塗布法及びプラズマ放電処理を行って超撥水膜を成膜させると、半導体集積回路にダメージを与える。このダメージは、例えば、塗布法における、上述した高温の加熱処理によって生じる拡散層の広がりや、プラズマ放電処理における、上述した高エネルギーのプラズマ中の帯電粒子によって、半導体素子が受けるダメージである。
【0007】
半導体集積回路が微細化されると、例えば、この集積回路に形成されたMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)の構成は、ゲート長が短くなり、かつチャネル等の拡散層は、深さが浅くなるとともに幅も狭くなる。よって、上述したダメージは、微細化された半導体集積回路では、ますます、解決しなければならない重要な課題となる。
【0008】
この発明は、以上のような問題点に鑑み成されたものであり、従って、この発明の目的は、プラズマ中の帯電粒子によるダメージを素子に与えず、超撥水膜を低温で製造する方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、この発明の超撥水膜の製造方法によれば、真空紫外光発生部と、基板を支持する支持台が設けられた反応室と、この反応室と真空紫外光発生部とを隔てる窓とを有する真空紫外光CVD(Chemical Vapor Deposition)装置を用いて超撥水膜の成膜を行う。この超撥水膜の成膜にあたり、反応室内に、プラズマ発生装置から0より大きく10eVより小さいエネルギーを有するプラズマを供給し、かつガス供給部からテトラメチルシラン(TMS)ガスを供給する。そして、反応室内に、プラズマ及び有機系材料ガスが存在する状態で、基板の温度が、既に説明したようなダメージがこの基板に発生しない程度の温度となるように、支持台に設けられた保温部によって基板を25℃(室温)〜100℃に保温しながら、窓を介して真空紫外光発生部から反応室内に真空紫外光を照射する。
【0010】
上述した、反応室内に供給されるプラズマは、従来の超撥水膜の製造で用いられたプラズマと比較してエネルギーが小さいため、既に説明したようなプラズマ帯電粒子によるダメージを基板に与える恐れはない。
【0011】
ここで、反応室内に真空紫外光が照射されると、材料ガスは分解されて、化学的に活性な励起活性種が生成されると推定される。真空紫外光CVD装置に導入されるプラズマはラジカルを含んでおり、このラジカルと、前述した反応で生成された励起活性種とが衝突を繰り返すことによって、励起活性種同士が再結合しクラスター化合物が形成されることが推定される。その結果、基板上に形成される超撥水膜は、この膜の表面にクラスター化合物が吸着して形成されたと推測される凹凸形状を有する。
【0012】
以上説明したようにこの発明によれば、既に説明したようなダメージを素子に与ることなく、超撥水膜を成膜させることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して、この発明の実施の形態について説明する。尚、以下の説明に用いる各図は、この発明を理解できる程度に概略的に示してあるに過ぎず、従って、この発明が図示例のみに限定されるものでないことは理解されたい。
【0014】
図1は、この実施の形態で用いられる真空紫外光CVD装置100の構成を示す断面図である。図1に示す真空紫外光CVD装置100は、真空紫外光発生部102と、反応室106と、この反応室106と真空紫外光発生部102とを隔てる窓104とを具えている。
【0015】
反応室106内には、基板116を支持する支持台114が設けられている。また、この支持台114には、後述する反応室106内の反応中に基板116の温度を一定に保つための保温部118が設けられている。この保温部118の具体的な構成及び動作の一例について詳細は後述する。
【0016】
また、反応室106の内部及び外部のいずれか一方に、ガス供給部112及びプラズマ発生装置122がそれぞれ設けられている。図1に示す構成によれば、ガス供給部112から反応室106に材料ガスが供給されるとともに、プラズマ発生装置122で発生するプラズマが、このプラズマ発生装置122から反応室106に導入される。これら材料ガス及びプラズマの反応室106への供給について詳細は後述する。
【0017】
また、真空紫外光発生部102は、複数のエキシマランプ108を具えている。エキシマランプ108で用いられる発光ガスは、反応室106に供給される材料ガスの種類に応じて選択されるのが好ましい。材料ガスを構成する化合物が有する複数の結合のそれぞれの結合エネルギーは、材料ガスの種類に応じて異なる。よって、エキシマランプ108から照射される光のフォトンエネルギーが、好ましくは、前述した化合物が有する複数の結合のそれぞれの結合エネルギーと同等か、それより大きくなるように、発光ガスは選択される。
【0018】
また、窓104は、真空紫外光発生部102からの真空紫外光の主波長の光を透過させるように構成される。そして、窓104にはヒータ110を設置し、後述する反応室106での反応中に、ヒータ110によって窓104を所定の温度に保温する。このように窓104を保温すると、後述する反応室106での反応の反応速度は、この窓104付近で著しく遅くなる。すなわち、窓104を保温すると、この窓104付近での、後述する反応室106での反応は起こりにくくなり、この反応によって生成する膜が窓104に堆積することによる窓104の曇りを防止することができる。
【0019】
図1に示す構成例では、真空紫外光発生部102側の窓104の上面上に、すなわち反応室106の外側の窓面上に、リング状の形状を有するヒータ110が設置されている。しかし、この実施の形態で用いられるヒータ110の設置方法、もしくは形状は図1に示す構成例に限定されない。
【0020】
次に、上述したような構成を有する真空紫外光CVD装置100において、基板116に対して行われる、この実施の形態の超撥水膜の製造方法の一例について説明する。以下に説明する製造方法では、基板116として、シリコン基板を用いる。尚、この基板116は、シリコン基板を用いる場合に限定されず、所望の構成を有する基板を用いることができる。
【0021】
既に説明したように、一般に、膜の表面分子構造と膜の表面形態との相乗効果により、超撥水膜を得ることができる。ここでは、特に、次のような超撥水膜を成膜させる。すなわち、この超撥水膜は、この膜の表面形状が凹凸形状であるとともに、この膜の表面に、分極率が低いC−H結合を多く含む。よって、この超撥水膜の表面自由エネルギーは低くなる。
【0022】
このため、真空紫外光CVD装置100に供給される材料ガスとして、C−H結合を有する有機系材料ガスであるTMS(テトラメチルシラン(Tetramethylsilane))(Si(CH3)4)(商品名同じ(大同エアプロダクツエレクトロニクス株式会社製))を用いる。
【0023】
尚、他の有機系材料ガスとしては、TMS(Si(CH3)4)の有する4つのメチル基(−CH3)のうち、所望の数のメチル基(−CH3)のかわりに、例えば、塩素(Cl)、フッ素(F)、もしくは水素(H)から選択された一種もしくは複数の元素がシリコン(Si)に結合した化合物、例えば、(CH3)3SiCl、(CH3)2SiCl2、CH3SiCl3、(CH3)3SiH、(CH3)2SiH2、CH3SiH3、(CH3)3SiF、(CH3)2SiF2、CH3SiF3、CH3SiH2Fより選択された一種の化合物を用いるのが好ましい。
【0024】
TMSは、予め、ほぼ真空状態に減圧されている反応室106内に、ガス供給部112から供給される。ここでは、25℃で蒸気圧200mTorrのTMSの蒸気を、ガス供給部112から供給する。尚、例えばベーパライザーで気化されたTMSが、ガス供給部112から反応室106へ供給される場合があってもよい。
【0025】
一方、プラズマ発生装置122(商品名:ASTRON(日本エム・ケー・エス株式会社(製造;Applied Science and Tecnology,Inc)))に、窒素(N2)ガスを流量0.25Pa(m3/s)で、及びアルゴン(Ar)ガスを流量0.3Pa(m3/s)でそれぞれ供給し、このプラズマ発生装置122で、窒素(N2)プラズマ及びアルゴン(Ar)プラズマを発生させる。そして、これら窒素(N2)プラズマ及びアルゴン(Ar)プラズマを、プラズマ発生装置122とプラズマ導入管(図示せず)で接続された反応室106に、このプラズマ導入管を介してプラズマ発生装置122から供給する。プラズマ導入管は、例えばアルミニウム(Al)配管とするのが好ましい。
【0026】
通常、プラズマ発生装置122で窒素(N2)プラズマを発生させようとする場合、予め、このプラズマ発生装置122において、供給されたアルゴン(Ar)ガスを用いてアルゴン(Ar)プラズマを発生させておく。そして、プラズマ発生装置122内でアルゴン(Ar)プラズマが発生している状態で、同じプラズマ発生装置122内に窒素(N2)ガスを供給し、この窒素(N2)ガスを用いて窒素(N2)プラズマを発生させる。従って、この場合、プラズマ発生装置122から反応室106に供給されるプラズマは、窒素(N2)プラズマ及びアルゴン(Ar)プラズマを含むプラズマとなる。このプラズマのエネルギーは、従来の超撥水膜の製造方法で用いられた数10eVのプラズマのエネルギーと比較して、数eV(0より大きく10eVより小さいエネルギー)という低いエネルギーである。
【0027】
この実施の形態では、プラズマ発生装置122から反応室106に供給されるプラズマは、エネルギーが数eVの低いエネルギーとなるようなプラズマであれば、上述したような窒素(N2)プラズマ及びアルゴン(Ar)プラズマに限られない。プラズマ発生装置122では、例えば、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)等の希ガスより選択される一種のガスを用いてプラズマを生成し、このプラズマが反応室106に供給される場合があってもよい。
【0028】
真空紫外光CVD装置100では、反応室106内に、上述したような手順によって導入されたプラズマ及び材料ガスが存在する状態で、基板116の温度が、既に説明したようなダメージがこの基板116に発生しない程度の温度となるように、支持台114に設けられた保温部118によって基板116を保温しながら、窓104を介して真空紫外光発生部102から真空紫外光を照射する。
【0029】
ここで、真空紫外光発生部102のエキシマランプ108を、発光ガスとしてキセノン(Xe)を用いた、キセノン(Xe)エキシマランプによって構成する。材料ガスであるTMSが有する複数の結合エネルギーの理論値は、Si−CH3結合が3.7eV、及びC−H結合が4.3eVである。これに対し、キセノン(Xe)エキシマランプ108によって構成された真空紫外光発生部102からの真空紫外光は、主波長が172nm、及びフォトンエネルギーが7.2eVとなる。また、窓104は厚さ20mmの合成石英窓とし、真空紫外光発生部102からの主波長172nmの光を透過させる。さらに窓104を、既に説明したように設置されたヒータ110によって90℃に保温してある。
【0030】
ここで、キセノンエキシマランプ108として、超撥水膜の生成速度を大きくするため、窓104直下における放射照度が40mW/cm2となる、高出力のランプが使用される。尚、放射照度の測定は、照度計(商品名:UIT−150/VUVS−172(ウシオ電機株式会社製))によって行われる。また、窓104の反応室106側の表面と基板116上面との距離dは40〜60mmの範囲のうちの所望の値とする。放射照度が小さくなる、もしくは窓104と基板116との間の距離dが大きくなると、材料ガスの分解効率が悪くなるため、これらの値を上述したように調整している。
【0031】
また、図1に示すように保温部118は、支持台114の内部に不凍液を循環させる構成を有するチラーとしてある。このような構成を有するチラー118が支持台114の内部に設けられることによって、支持台114が一定の温度に保温される結果、基板116も一定の温度に保温される。尚、この実施の形態では、基板116の温度は、常温(25℃)に保たれる。この実施の形態では、保温部118は、チラーを用いて構成される場合に限られず、周知の所定の手段を用いて構成することができる。
【0032】
ところで、真空紫外光発生部102からの光の照射時間を生成時間とすると、生成時間15分間で、反応室106内の反応圧力4000mTorrで反応を行ったところ、基板116上に超撥水膜が成膜された。
【0033】
超撥水膜が成膜された状態の基板116をサンプルとして用い、フーリエ変換赤外分光器(以下、FT−IRと称す)(ここでは、商品名:IR−EPOCH(ニューリーインスツルメンツ株式会社製)を用いる)において、この基板116上に成膜された超撥水膜の構造について調べた。図2には、このFT−IRの測定の結果得られたスペクトル201を、波数(cm-1)を横軸にとり、縦軸に吸光度(任意単位)をとって示してある。このスペクトル201は、2800cm-1〜3200cm-1間に吸収特性A1、1200cm-1付近に吸収特性A2、800cm-1付近にみられる2つのピークが重複した吸収特性A3の、3つの特徴的な吸収特性を有する。吸収特性A1は超撥水膜中にメチル基(−CH3)が存在することを示し、また吸収特性A2は超撥水膜中に存在するSi−CH3結合に基づく吸収であり、さらに、吸収特性A3は、超撥水膜中に存在する、Si−H結合に基づく吸収によるピーク及びSi−CH3結合に基づく吸収によるピークがそれぞれ重なったものである。よって、図2に示すスペクトル201より、基板116上に成膜された超撥水膜は、膜の表面上に存在するC−H結合により表面自由エネルギーは低くなり、よって超撥水性に優れることが予測される。
【0034】
次に、上述したような構成を有する超撥水膜に対して、純水を滴下し、この滴下された水の超撥水膜における接触角の測定を行った。この測定は、測定機器(商品名:CONTACT−ANGLE METER;型式S−150(協和界面科学株式会社製)を用いて行い、その結果、超撥水膜における水の接触角は150°以上であった。この接触角の上限値は、超撥水膜に滴下される水滴の大きさで変化するが、160°〜170°である。よって、この実施の形態において、基板116上に成膜された超撥水膜は、優れた超撥水性を有することが確認できた。
【0035】
さらに、この基板116上の超撥水膜の表面を、走査型電子顕微鏡(SEM)(日立電子顕微鏡(商品名:S4000))を用いて測定を行った。尚、比較例として、以下のサンプルについても、上述した走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて測定を行った。このサンプルは、上述した、TMSを材料ガスとする超撥水膜の製造方法において、窓104と基板116との間の距離dを25mmとして製造した、水との接触角が90°の撥水膜である。
【0036】
水との接触角が150°の超撥水膜(以下、第1サンプルと称する)のSEMの測定結果を図3に示し、水との接触角が90°の撥水膜(以下、第2サンプルと称する)のSEMの測定結果を図4に示す。図3は、第1サンプルの膜の断面におけるSEMの測定結果を示す図であり、図4は、図3に示す第1サンプルの膜の断面に対応する位置での、第2サンプルの膜の断面におけるSEMの測定結果を示す図である。
【0037】
図3中に示されたSEMの測定結果において、同図面中、下方の、符号300を付与して示した部分が基板116に相当する部分であり、さらに、同図面中、基板300上には、第1の層301aと、この第1の層301a上に積層された第2の層301bから成る、第1サンプルの超撥水膜301が形成されている。
【0038】
また、図4中に示されたSEMの測定結果において、符号400を付与して示した部分が基板116に相当する部分であり、さらに、同図面中、基板400上には、第3の層401aと、この第3の層401a上に積層された第4の層401bから成る、第2サンプルの撥水膜401が形成されている。
【0039】
図3における、第1の層301a、及び図4における第3の層401aが、基板116上に成膜された撥水膜の平坦面である。そして、図3における第2の層301b、及び図4における第4の層401bが、撥水膜の平坦面上に形成された突起物によって構成される層である。
【0040】
この突起物はクラスター化合物であると推定される。このクラスター化合物は、上述した超撥水膜の製造方法において、以下のように形成されると考えられる。
【0041】
既に説明したように、主波長172nm及びフォトンエネルギーが7.2eVの真空紫外光が、真空紫外光発生部102から窓104を介して反応室106に照射されると、反応室106に供給されたTMSは分解されると推測される。このTMSの分解により化学的に活性な励起活性種が生成すると、この励起活性種による気相反応が誘起される。この反応では、TMSに由来すると考えられるC−H結合を有する膜が、基板116上に成膜される。
【0042】
また、真空紫外光CVD装置100に導入されるプラズマはラジカルを含んでいる。反応室106では、このプラズマ中のラジカルと、TMSが分解されて生成した励起活性種とが衝突を繰り返すことによって、励起活性種同士が再結合しクラスター化合物が形成されることが推定される。
【0043】
図3に示す第1サンプルの第2の層301bと、図4に示す第2サンプルの第4の層401bとを比較すると、第1サンプルの第2の層301bのほうが多くの突起物が形成されているのが確認できる。すなわち、図3において、第1サンプルの撥水膜の表面は、第2の層301bに形成された突起物の形状に基づく凹凸形状を有している。
【0044】
既に説明したように、第1サンプルと第2サンプルとでは、撥水膜を成膜させる際の窓104と基板116との間の距離dが異なっている。上述したように、第1サンプルは、撥水膜の表面に多くの突起物を有し、この撥水膜の表面は凹凸形状に富む。従って、上述した超撥水膜の製造方法では、撥水膜を成膜させる際の窓104と基板116との間の距離dは、40〜60mmの範囲のうちの所望の値となるようにするのが好適である。すなわち、反応室106において、上述したようなクラスター化合物の形成反応は、窓104の反応室106側表面から基板116に向かって、40〜60mmの範囲の距離で最も活発に行われていることが推測される。よって、基板116は、反応室106において、上述したクラスター化合物の形成反応が活発に行われると予測される位置に配置するのが好ましい。
【0045】
また、第1サンプルは、撥水膜の表面にC−H結合を多く含む表面分子構造を有するとともに、この撥水膜は表面が凹凸形状に富む表面形態を有する。第1サンプルの撥水膜は、これら表面分子構造及び表面形態の相乗効果により、超撥水膜としての性質に優れるといえる。尚、第1サンプルにおいて、超撥水膜は、厚さ約1000Åの平坦な膜と、この膜上に形成された10000Åの突起物とを有する構成である。
【0046】
以上説明したように、この実施の形態によれば、従来の超撥水膜の製造で用いられたプラズマと比較してエネルギーが小さいプラズマを用いて、室温(25℃)で反応を行うため、既に説明したようなダメージを素子に与ることなく、超撥水膜を成膜させることができる。
【0047】
ここで、基板116の温度、すなわち反応室106における反応温度は、室温(25℃)に限定されない。参考文献(特開2001−274156号公報)には、この出願の発明者らが調べた、真空紫外光CVD装置における反応温度と成膜生成速度との関係が記載されている(参考文献中の11段落参照。)。この参考文献の記載によれば、成膜生成速度は反応温度が高温になるほど小さくなる。このことを考慮すれば、反応室106における反応温度、すなわち基板116の温度は、室温(25℃)以上100℃以下の温度範囲という低い温度にすることができると推定される。この温度範囲では、上述した、真空紫外光CVD装置100における反応の反応速度に大きな影響を与えないと考えられるためである。
【0048】
尚、この実施の形態では、反応室106には、所定の排気手段によって構成される排気部120が設けられている。そして、反応室106の排気は、排気部120によって行われる。
【0049】
[利用形態]
この発明の製造方法により製造された超撥水膜は、既に説明したように保護膜としての性質を具えている。従って、この発明は、半導体集積回路の保護膜を製造する際に用いることができるほか、高温プロセスが適用することができないディスプレイパネル等の保護膜の製造にも用いることができる。このような、この発明の利用形態の一例を以下に説明する。
【0050】
一般に用いられている液晶ディスプレイ(LCD(Liquid Crystal display))や有機エレクトロルミネッセント(EL)素子は、ガラス基板等を用いて構成された封止基板を有する。よって、これらLCDや有機EL素子を用いて構成されたパネルは折り曲げることはできない。また、一般に用いられている有機エレクトロルミネッセント(EL)素子の耐熱温度は80℃である。
【0051】
従って、封止基板を、この発明によって製造された超撥水性能を有する封止膜とすれば、軽量化及び薄膜化されたLCDや有機EL素子を提供することができる。また、このようなLCDや有機EL素子を用いて構成されたパネルは、折り曲げることも可能となる。すなわち、いわゆるフレキシビリティディスプレイとよばれるパネルの製造において、この発明を適用することができる。
【0052】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の超撥水膜の製造方法では、反応温度、すなわち基板の温度を、この基板にダメージが発生しない程度の温度とし、従来の超撥水膜の製造で用いられたプラズマと比較してエネルギーが小さいプラズマを用いる。よって、この発明によれば、高温の基板の温度、もしくはプラズマ中の帯電粒子によるダメージを基板、すなわち素子に与えることなく、超撥水膜を成膜させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態で用いる真空紫外光CVD装置の構成例を説明するための図である。
【図2】超撥水膜の吸光度スペクトルを示す図である。
【図3】第1サンプルの表面形状のSEMの測定結果を示す図である。
【図4】第2サンプルの表面形状のSEMの測定結果を示す図である。
【符号の説明】
100:真空紫外光CVD装置
102:真空紫外光発生部
104:窓
106:反応室
108:エキシマランプ
110:ヒータ
112:ガス供給部
114:支持台
116、300、400:基板
118:保温部(チラー)
120:排気部
122:プラズマ発生装置
301:超撥水膜
301a:第1の層
301b:第2の層
401:撥水膜
401a:第3の層
401b:第4の層
Claims (3)
- 真空紫外光発生部と、基板を支持する支持台が設けられた反応室と、該反応室と前記真空紫外光発生部とを隔てる窓とを有する真空紫外光CVD(Chemical Vapor Deposition)装置を用いて超撥水膜を製造するにあたり、
前記反応室内に、プラズマ発生装置から0より大きく10eVより小さいエネルギーを有するプラズマが供給され、かつガス供給部からテトラメチルシラン(TMS)ガスが供給されている状態で、
前記支持台に設けられた保温部によって該基板を25℃(室温)〜100℃に保温しながら、
前記反応室内に、前記窓を介して前記真空紫外光発生部から真空紫外光を照射することを特徴とする超撥水膜の製造方法。 - 請求項1に記載の超撥水膜の製造方法において、
前記真空紫外光CVD装置の前記窓の周辺にヒータが設置されており、
前記真空紫外光を照射している間、前記ヒータを動作させて前記窓を保温することを特徴とする超撥水膜の製造方法。 - 請求項1もしくは2に記載の超撥水膜の製造方法において、
前記プラズマは、希ガスを含むプラズマであること
を特徴とする超撥水膜の製造方法。
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