JP4133705B2 - 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、大型の汎用コンピュータ（メインフレーム）などに備えられる磁気ディスク装置（ＨＤＤ）の磁気ディスクに対して情報の記録（書き込み）／再生（読み取り）をおこなう磁気抵抗効果型ヘッドに関し、特に、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を構成する素子部の局所部を対象とする熱処理により情報の読み取り時の出力変動を抑止できるようにした磁気抵抗効果型ヘッドに関する。

近年では、コンピューターの外部記憶装置として使用される磁気ディスク装置（ＨＤＤ）の大容量化に伴い、高密度化に対応するとともに高性能、高信頼性を備えた磁気ヘッドの要求が高まっている。このような高密度化に好適な再生用の磁気ヘッドとしては、磁気抵抗効果作用を利用した磁気抵抗効果型ヘッドとしてＭＲヘッド（Magneto Resistive Head）が知られている（例えば、特許文献１参照）。

ＭＲヘッド（Magneto Resistive Head）は、磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗効果型素子部を再生用のヘッドとして使用しており、薄膜ヘッドと比べて、磁気に対する感度を上げることができるため、記録媒体（磁気ディスク）の速度に依存することなく、記録密度を高めた状態でも出力の高い読み出し信号を得ることができる。

ＭＲヘッドは、このＭＲヘッドを固定するスライダおよび板ばね（サスペンション）とにより組み付けられ、ＨＧＡ（HEAD GIMBAL ASSEMBLY）として構成された後、磁気ディスク装置に装着されるものとなる。なお、このＭＲヘッドは、データの読み取り専用として機能するため、書き込み用の薄膜ヘッドと併用して使用される。

また、従来では、上述したＭＲヘッドを製造する際には、ＭＲヘッドに対するアニール処理（熱処理）を最初におこない、このＭＲヘッドをサスペンションなどと組み付けてＨＧＡとした後（ＨＧＡの完成後）、このＨＧＡに対して、さらに磁界印加処理（100〜3000Oe）をおこなうようにしている。この磁界印加処理をおこなうのは、ＭＲヘッドの磁化容易化方向を同一方向とすることにより、磁力方向のズレを修正するためである。すなわち、磁気ディスク（記録媒体）に対するデータの書き込み時、この書き込み信号に変動（書き込み信号の強弱）が生じた場合には、データの読み出し（再生）が正確におこなわれないなどの不具合を生じる恐れがあるため、出力変動のない一定の出力信号での書き込みが必要となる。このため、従来では、アニール処理（熱処理）およびＨＧＡに対する磁界印加処理をおこなうことで出力（読み取り時の信号の大きさの変位）の安定化を図っている。

特開平１０−２４１３３３号公報

しかしながら、上述した従来技術における磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の場合、以下のような問題がある。すなわち、上述した磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法によると、ＭＲヘッドの製造工程において、ＭＲヘッドに対するアニール処理（熱処理）およびＨＧＡとして完成した後に、磁界印加処理をおこなうことで出力の安定化を図っている。

ところが、このようなアニール処理（熱処理）および磁界印加処理を実施しても、結果として出力が変動するＭＲヘッド多発しているのが現状である。この出力変動に対する解決策として、ＨＧＡの完成後、磁界印加処理をおこないながら、同時に熱処理を施す方法もあるが、この処理方法の場合、ＭＲヘッドを構成する素子部以外の全てに対する熱処理がおこなわれてしまうため、ＨＧＡを構成するサスペンションの変形やＭＲヘッドを固定している接着剤の劣化（加熱）などによるＭＲヘッドの剥がれが発生する原因となる。この結果、ＨＧＡに対する熱処理温度を高く設定できないことから、不十分な熱処理しかおこなうことができないため、出力変動の安定化を図ることができないという問題がある。

そこで、この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を構成する素子部を対象とする局所的な熱処理をおこなうことにより出力変動を抑止できる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項１に係る発明は、磁気抵抗効果型の素子部を有するとともに、当該素子部により記録媒体からの読み取り信号の再生をおこなう磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であって、前記素子部に対して所定のＤＣ電流を印加して、前記素子部の一部を熱膨張で突出させるＤＣ電流印加処理工程と、前記ＤＣ電流印加処理工程により熱膨張で突出した前記素子部の一部を、バンプディスクのバンプ部に衝突させて熱処理をおこなう熱処理工程と、を含むことを特徴とする。

したがって、本発明によれば、磁気抵抗効果型ヘッドを構成する磁気抵抗効果型の素子部に対して所定のＤＣ電流を印加して、素子部の一部を熱膨張で突出させるＤＣ電流印加処理工程と、ＤＣ電流印加処理工程により熱膨張で突出した素子部の一部を、バンプディスクのバンプ部に衝突させる熱処理工程により熱処理とをおこなうので、素子部に対する熱処理を局所的におこなうことができるうえ、これにより、磁気抵抗効果型ヘッドに対する充分な熱処理をおこなうことができる。また、熱処理工程は、バンプディスクの表面部を前記磁気抵抗効果型の素子部の一部に衝突させる熱処理としたので、この素子部とパンプディスクとの衝突に伴い発生する熱（ジュール熱）により素子部を対象とする局所的なアニール処理（熱処理）をおこなうことができる。

また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の発明において、前記バンプディスクには、レーザーバンプディスクが使用されることを特徴とする。

したがって、本発明によれば、バンプディスクには、レーザーバンプディスクを利用することとしたので、レーザーバンプディスクに形成されたバンプ部の環状突部と磁気抵抗効果型の素子部との衝突により局所的なアニール（熱処理）を確実におこなうことができる。

また、請求項３に係る発明は、請求項２に記載の発明において、前記レーザーバンプディスクと磁気抵抗効果型の素子部との衝突時間は５分間に設定されていることを特徴とする。

したがって、本発明によれば、レーザーバンプディスクと磁気抵抗効果型の素子部との衝突時間は５分間に設定することとしたので、磁気抵抗効果型ヘッドに対する熱処理を短時間（５分間）で効率的におこなうことができ、磁気抵抗効果型ヘッドの製造工程を短縮することができる。

また、請求項４に係る発明は、請求項２または３に記載の発明において、前記レーザーバンプディスクには、環状突部と窪み部とから成る複数のバンプ部がスパイラル状に形成されていることを特徴とする。

したがって、本発明によれば、レーザーバンプディスクに設ける複数のバンプ部はスパイラル状に形成することとしたので、ＤＣ電流の印加により、熱変形された磁気抵抗効果型ヘッドの素子部を、磁気抵抗効果型ヘッドの位置にか拘らず確実にバンプ部の環状突部に衝突させることができる。

本発明にかかる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法によれば、磁気抵抗効果型ヘッドを構成する磁気抵抗効果型の素子部に対して所定のＤＣ電流を印加して、素子部の一部を熱膨張で突出させるＤＣ電流印加処理工程と、ＤＣ電流印加処理工程により熱膨張で突出した素子部の一部を、バンプディスクのバンプ部に衝突させる熱処理工程と、を含むこととしたので、素子部に対する熱処理を局所的におこなうことができることから、磁気抵抗効果型ヘッドに対する十分な熱処理により高密度化に対応するとともに、良好な再生特性（高信頼性）を維持し得る磁気抵抗効果型ヘッドを実現できるという効果を奏する。

また、本発明によれば、前記熱処理工程による前記磁気抵抗効果型の素子部の一部に対する熱処理は、ＤＣ電流印加処理工程により熱膨張で突出した素子部の一部を、バンプディスクのバンプ部に衝突させる処理工程としたので、素子部を対象とする局所的なアニール処理（熱処理）により、ＨＧＡを構成するサスペンション及びスライダへに対するダメージを軽減することができ、これにともない、信頼性の高いＭＲヘッドをＨＧＡとして組み付けることができるため、不良品の発生を回避することができ、高歩留り化への寄与を実現できるという効果を奏する。

また、本発明によれば、バンプディスクにはレーザーバンプディスクを利用することとしたので、レーザーバンプディスクに形成されているバンプ部の環状縁部により素子部に対する局所的なアニールを確実におこなうことができるという効果を奏する。

また、本発明によれば、前記レーザーバンプディスクと磁気抵抗効果型の素子部との衝突時間は５分間に設定されているので、磁気抵抗効果型ヘッドに対する熱処理を短時間（５分間）で効率的におこなうことができるうえ、製造工程の短縮化および大幅なコスト削減を実現することができるという効果を奏する。

また、本発明によれば、レーザーバンプディスクに設ける複数のバンプ部はスパイラル状に形成することとしたので、ＤＣ電流の印加により、熱変形により突き出された磁気抵抗効果型ヘッドの素子部を位置合わせなどの操作をおこなうことなく、確実にレーザーバンプディスクのバンプ部に衝突させ、熱処理をおこなうことができるという効果を奏する。

以下に添付図面を参照して、この発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の好適な実施例を詳細に説明する。図１は、本実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を実現するための磁気出力安定化装置１０の構成を示す全体構成図である。なお、以下では、本実施例に係る磁気出力安定化装置の概要および磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の特徴を説明した後に、この磁気出力安定化装置による磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を説明することとする。なお、以下に示す実施例によりこの発明が限定されるものではない。

（磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の特徴）
本発明の特徴は、ＭＲヘッド（磁気ヘッド）を構成する素子部（磁気抵抗効果型素子部）にＤＣ電流を印加（通電）した際に、この素子部（一部）が通電による熱膨張（熱変形）で突出する現象（図３に示す『素子部突き出し現象』参照）に着目したものであり、この素子部の突き出し部に対して、レーザーバンプディスクのバンプ部（環状突部）を衝突させることにより、局所的（部分的）なアニール処理（熱処理）を可能とすることにある。

具体的に説明すると、ＭＲヘッドをＨＧＡ（HEAD GIMBAL ASSEMBLY）として完成した後に、回転するレーザーバンプディスク上にＨＧＡを浮上させ、ＭＲヘッドを構成するライトコイルに対して、ＤＣ電流を印加（通電）させ、この通電により素子部を熱変形（熱膨張）させ、この熱変形により突き出した局所部に対してレーザーバンプディスクに形成されたバンプ部（環状突部）を衝突させ、この衝突した際に発生する熱（ジュール熱）により素子部に対する熱処理をおこなうようにしている。

すなわち、これによって、素子部のみを局所的に熱処理することが可能となり、サスペンションの変形やＭＲヘッドの剥がれなどの不具合を回避するとともに、ＭＲヘッドに対する熱処理を充分におこなうことができ、この結果、出力変動を抑止できるうえ、信頼性の高いＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）を製造することができる。

ここで、図２、３を参照して、素子部の突き出し現象について簡単に説明する。すなわち、図２は、ＤＣ電流の印加（通電）によるＭＲヘッドにおける素子部Ｐの拡大図を示しており、図３は、図２のＡ−Ｂ断面であって素子部Ｐの突き出し現象を示し、このうち縦軸は、素子部Ｐ断面の高さ（μｍ）を横軸は素子部Ｐ断面の位置（μｍ）をそれぞれ示している。この素子部Ｐとは、実際に情報の読み書きおこなう部分である。そして、本例の試験実験では、素子部Ｐに印加する印加電流値（０ｍＡ、２０ｍＡ、４０ｍＡ、６０ｍＡ）を徐々に増加させ、この印加電流の増大により、素子部Ｐが熱膨張（熱変形）により突き出す現象を確認したものである。

すなわち、同図に示すように、素子部Ｐに対する印加電流を０ｍＡ〜６０ｍＡまで徐々に増大させた際には、素子部Ｐの位置（６０μｍ〜７０μｍの位置）に３μｍ程度の突き出し部が発生したことがわかる。そして、前述したように、本実施例では、このＤＣ電流の印加により素子部Ｐの一部が突き出す現象を利用して、この突き出し部に対して熱処理をおこなうこととしている。すなわち、この素子部Ｐに生じた突出部とレーザーバンプディスク９０に形成されたバンプ部９１（環状突部９３）とを衝突させ、この衝突した際に発生する熱（ジュール熱）により素子部Ｐに対する熱処理をおこなうようにしている。そして、この磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法は、図１に示す磁気出力安定化装置１０により実現することができる。

（磁気出力安定化装置の構成）
図１に示すように、磁気出力安定化装置１０は、磁気抵抗効果型素子部に対してＤＣ電流を印加するためのＤＣ電源部２０と、デジタル計測部３０と、印加電源部４０と、制御部５０とを備えている。６０は、計測された電流値（電圧値）を表示するためのオシロスコープである。

７０は、本発明の対象となる再生用の磁気ヘッドとして使用されるＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）で、このＭＲヘッド７０は記録用の薄膜ヘッドと組み合わされて記録／再生用の磁気ヘッドとして構成されている。また、このＭＲヘッド７０には、磁気抵抗効果型ヘッド用のリード端子と、記録ヘッド用のライト端子がそれぞれ設けられ、このＭＲヘッド７０を先端に固定するスライダ（１ｍｍ〜２ｍｍ角程度のチップ）と、ジンバルなどの可動部分を有したサスペンション７１（特殊な板ばね）とによりＨＧＡ８０として構成されている。また、９０は、複数のバンプ部９１が形成されているレーザーバンプディスクである。なお、このレーザーバンプディスク９０の詳細については、後述する。

ＤＣ電源部２０は、ＭＲヘッド７０のライトコイルに対してＤＣ電流（ライト電流Ｉｗ）を印加（Ｉｗ＝ＤＣ１００ｍＡ）する機能を備えている。デジタル計測部３０は、電圧（電位差）および抵抗値の計測によりＭＲヘッドを構成するライトコイルの温度をモニタにより検出（監視）する機能を備えている。具体的には、ＤＣ電流の印加により熱膨張する素子部Ｐの温度を監視するようにしている。

印加電源部４０は、ＭＲヘッド７０を構成するリード素子部に対して増幅用のトランジスタ電流Ｉｓ（Head Ic）を印加する機能を備えており、この場合の印加電流は、リード素子部の予熱をモニタリングするため微弱な電流（Ｉｓ＝２.９ｍＡ程度）の電流値としている。ここで、レーザーバンプディスク９０のバンプ部９１とＭＲヘッド７０の素子部Ｐ（ライト素子部）との衝突により、所謂サーマルアスペリティ（Thermal Asperity）が発生するが、この場合の、衝撃に応じたリード素子の温度変位をオシロスコープ６０により監視するようにしている。なお、サーマルアスペリティ（Thermal Asperity）とは、衝突により、衝突エネルギーや摩擦による発熱で素子抵抗が増加し、再生信号のベースライン変動により、出力変動が検出される現象を言う。制御部５０は、印加電源部４０によるリード素子に印加するトランジスタ電流（Head Ic）を制御する機能を備えている。

次に、図１に示したレーザーバンプディスク９０の詳細について説明する。図４は、レーザーバンプディスク９０の表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察した拡大斜視図を示している。前述したように、レーザーバンプディスク９０は、このレーザーバンプディスク９０の表面部に対して、ＭＲヘッド７０の素子部Ｐに生じた突き出し部を衝突させ、局所的な熱処理をおこなうために使用するため、レーザーバンプディスク９０の表面部には、複数のクレータ状のバンプ部９１が形成されている。このバンプ部９１は、レーザーバンプディスク９０の公称表面よりも低い中心部に設けられた窪み部９２と、その窪み部９２を取り囲む盛り上がった環状縁部９３とから構成されている（高さ７nm、径７μｍ、R20〜45ｍｍ内に100μピッチで形成）。

環状突部９３の高さは、バンプディスクの公称表面よりも僅かに高くなるように設定されている。また、本実施例において、バンプ部９１は、レーザーバンプディスク９０の全域にわたってスパイラル状に形成されているため、ＤＣ電流の印加により、熱変形されたＭＲヘッド７０の素子部Ｐを位置に拘らず確実にバンプ部に衝突させることができる。なお、このバンプ部９１の形成方法としては、例えば、データの読み書きの終了時にＭＲヘッドを待機させておくＣＳＳ（Contact start stopzone）領域に形成されているバンプ部と同様の方法でおこなうことができる。

（磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法）
次に、本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法について詳細に説明する。図５は、磁気抵抗効果型ヘッドの製造工程を示すフローチャートである。すなわち、図５のフローチャートに示すように、先ず、ＭＲヘッド７０（磁気抵抗効果型ヘッド）を備えたＨＧＡ８０（HEAD GIMBAL ASSEMBLY）の完成品をレーザーバンプディスク９０の上面（表面部）と対向する位置に配置し、セットする（ステップＳ５１０）。なお、ＭＲヘッド７０をＨＧＡ８０として完成させるまでの製造工程は、従来による周知の製造工程をそのまま採用する。次いで、レーザーバンプディスク９０の回転を開始する（ステップＳ５２０）。このレーザーバンプディスク９０の回転により、ＨＧＡ８０は、レーザーバンプディスク９０の上方に浮上する。なお、レーザーバンプディスク９０に対するＨＧＡ８０との摺動条件は、所定の条件（周速４１m/s、Yaw angle１５°）でおこなう。

次いで、ＭＲヘッド７０のライトコイルに対してＤＣ電流（ライト電流Ｉｗ）の印加をおこなう（ステップＳ５３０）。具体的には、ＤＣ電源部２０からＭＲヘッド７０のライト素子（ライトコイル）に対してＤＣ１００ｍＡの電流を通電する。なお、この時、デジタル計測部３０によりライトコイルの温度及びＴＡ出力（Thermal Asperity）の計測およびオシロスコープ６０によるモニタリングをおこなう。

前述したように、ＭＲヘッド７０の素子部ＰはＤＣ電流の印加（通電）により熱膨張する特性を有するため（図３参照）、この通電によりＭＲヘッド７０の素子部Ｐ（素子部の一部）が熱変形により突き出す、これにより、素子部Ｐの突き出し部が回転しているレーザーバンプディスク９０の環状突部９３と衝突する。そして、この衝突により、ＭＲヘッド７０の素子部Ｐに対して局所的な熱処理をおこなうことができる。この場合、従来のように、ＭＲヘッド７０に対する熱処理は、このＭＲヘッド７０の全域ではなく、素子部Ｐを対象とする局所部の一部にであるため、熱処理に伴うＭＲヘッド７０の剥がれやサスペンションの変形などの不具合を回避することができる。

以下、本実施例においては、レーザーバンプディスク９０の環状突部７３と素子部Ｐとの衝突時間が５分経過したか否かの判定をおこない（ステップＳ５４０）、このステップＳ５４０の判定により環状突部７３と素子部Ｐとの衝突時間が５分経過した場合には（ステップＳ５４０肯定）、ＤＣ電源部２０によるライトコイルに対する通電（印加）を停止し（ステップＳ５５０）、次いで、レーザーバンプディスク９０の回転を停止させる（ステップＳ５６０）。

ここで、ステップＳ５４０において、レーザーバンプディスク９０のバンプ部９１（環状突部７３）と素子部Ｐとの衝突時間を「５分間」と設定しているが、この衝突時間の設定（根拠）について、図６を参照して説明する。図６は、ＭＲヘッド７０による出力値の経時変化を示す特性図である。この図６において、縦軸に出力変化率（％）を、横軸にレーザーバンプディスク９０の環状突部９３と素子部Ｐとの衝突時間（min）を示している。

そして、同図に示すように、本試験実験では、３個の試験用のＭＲヘッド（ＭＲヘッドＡ、ＭＲヘッドＢ、ＭＲヘッドＣ）を使用し、衝突時間に対応したそれぞれのＭＲヘッドＡ〜Ｃによる出力変化率を経時変化として測定している。そして、同図で明らかなように、５分程度経過後（衝突時間＝５分間）に３個全てのＭＲヘッドＡ〜Ｃの出力変化率（出力変動の安定化）が安定しているのが判る（ピーク−ピーク間の出力変化率の収束）。以上説明したように、本例では、レーザーバンプディスク９０の環状突部７３と素子部Ｐとの衝突時間を５分間と設定しており、この短時間（５分間）での熱処理により、効率的な製造工程（時間）の大幅な短縮を図ることが可能となる。

再度、図５のフローチャートに戻り、磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法による処理手順を説明する。すなわち、上述したステップＳ５１０〜ステップＳ５６０の製造処理手順により完成したＨＧＡ８０に対して、ＡＣ通電試験を実施し（ステップＳ５７０）、磁気抵抗効果型ヘッドの製造工程が終了となる（エンド）。以下、図７を参照して、本実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法による作用効果を説明する。

図７は、上述した磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法による作用効果を説明する特性図である。すなわち、図７は、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法によるＭＲヘッドと通常のＭＲヘッドを対象とするＡＣ通電試験による検査結果を表した図である。同図において縦軸は、ＡＣ通電試験後のＭＲヘッドの出力値（μVp-p）を横軸は、ＡＣ通電試験を実施する以前のＭＲヘッドの出力値（iVp-p）をそれぞれプロットしたものである。

また、図中の黒丸は本実施例の製造方法によるＭＲヘッドの出力値の変位を、白丸は、従来の製造方法による通常のＭＲヘッドの出力値の変位をそれぞれ示している。ＡＣ通電試験による設定条件は、書き込み時のライト電流４５ｍＡ、ライト周波数４５０ＭＨｚ、連続ライトは一周おき、印加時間５分、センス電流値は、３ｍＡとしている。ここでＡＣ通電試験とは、完成したＭＲヘッドに対してＡＣ電流を印加させることにより、出力値（μVp-p）の変化変動を測定する試験である。このＡＣ通電試験により、出力変動が検出されたＭＲヘッドは不良品として排除されることとなる。

そして、この図７から明らかなように、本実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法により製造されたＭＲヘッドは、従来のＭＲヘッド（磁気ヘッド）に比べ、出力変動が小さい事が判る。この結果、信頼性の高いＭＲヘッドをＨＧＡとして組み付けることができるため、不良品の発生を回避することができ、製造工程の短縮化および大幅なコスト削減を実現することができる。ここで、衝突後の素子部Ｐの観察をおこなったが、レーザーバンプディスク９０のバンプ部９１との衝突に起因する素子部Ｐに対する傷や汚れなどは、存在しないことが判明している。

以上説明したように、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法では、ＭＲヘッドをＨＧＡ（HEAD GIMBAL ASSEMBLY）として完成した後に、ＭＲヘッドを構成するライトコイルに対して、ＤＣ電流を印加（通電）させるとともに、この通電により素子部を熱変形（熱膨張）させ、この熱変形により突き出た部分に対してレーザーバンプディスクのバンプ部（環状突部）を衝突させ、この衝突により発生する熱（ジュール熱）により素子部に対する局所的な熱処理をおこなうようにいしているので、出力変動が少ないうえ、高密度化に対応するとともに、高信頼性を備えた磁気抵抗効果型ヘッドを製造することができる。

なお、前述した実施例では、ＨＧＡを構成する磁気ヘッドとしてＭＲヘッド（Magneto Resistive Head）を使用するものとしているが、このＭＲヘッド以外でも、例えば、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド（Giant Magneto Resistive ）或いは、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲヘッド（Anisotropic Magneto Resistive Head）に対しても、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を適用することができる。

（付記１）磁気抵抗効果型の素子部を有するとともに、当該素子部により記録媒体からの読み取り信号の再生をおこなう磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であって、
前記素子部に対して所定のＤＣ電流を印加するＤＣ電流印加処理工程と、
前記ＤＣ電流印加処理工程により熱変形した素子部の一部を対象として熱処理をおこなう熱処理工程と
を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。

（付記２）前記熱処理工程による前記素子部の一部に対する熱処理は、バンプディスクの表面部を前記素子部の一部に衝突させる処理工程であることを特徴とする付記１に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。

（付記３）前記バンプディスクには、レーザーバンプディスクが使用されることを特徴とする付記２に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。

（付記４）前記レーザーバンプディスクと前記磁気抵抗効果型の素子部との衝突時間は５分間に設定されていることを特徴とする付記３に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。

（付記５）前記バンプディスクには、環状突部と窪み部とから成る複数のバンプ部がスパイラル状に形成されていることを特徴とする付記２、３または４に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。

（付記６）前記磁気抵抗効果型ヘッドを構成するライト素子部とリード素子部のうちのリード素子部に対して微弱な電流を印加する電流印加工程をさらに含むことを特徴とする付記１〜５のいずれか一つに記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。

以上のように、本発明に係る磁気効果型ヘッドの製造方法は、特に大型の汎用コンピュータ（メインフレーム）などに備えられる磁気ディスク装置（ＨＤＤ）に使用される高密度化に対応できる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に適している。

本実施例に係る磁気出力安定化装置の概略を示す全体構成図である。 図１に示したＭＲヘッドの素子部を示す拡大図である。 ＤＣ電流の印加による素子部の突き出し現象を説明する特性図である。 図１に示したレーザーバンプディスクの要部を示す拡大斜視図である。 本実施例に係る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を示すフローチャートである。 ＭＲヘッドによる磁気出力の経時変化を示す特性図である。 ＡＣ通電試験による試験結果を示す特性図である。

符号の説明

１０ 磁気出力安定化装置
２０ ＤＣ電源部
３０ デジタル計測部
４０ 印加電源部
５０ 制御部
６０ オシロスコープ
７０ ＭＲヘッド
７１ サスペンション
８０ ＨＧＡ
９０ レーザーバンプディスク
９１ バンプ部
９２ 窪み部
９３ 環状突部
Ｐ 素子部

Claims (4)

1. 磁気抵抗効果型の素子部を有するとともに、当該素子部により記録媒体からの読み取り信号の再生をおこなう磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であって、
   前記素子部に対して所定のＤＣ電流を印加して、前記素子部の一部を熱膨張で突出させるＤＣ電流印加処理工程と、
   前記ＤＣ電流印加処理工程により熱膨張で突出した前記素子部の一部を、バンプディスクのバンプ部に衝突させて熱処理をおこなう熱処理工程と、
   を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
2. 前記バンプディスクには、レーザーバンプディスクが使用されることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
3. 前記レーザーバンプディスクと前記磁気抵抗効果型の素子部との衝突時間は５分間に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
4. 前記レーザーバンプディスクには、環状突部と窪み部とから成る複数のバンプ部がスパイラル状に形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。

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