JP4124757B2 - 磁気デバイスの製造方法 - Google Patents
磁気デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4124757B2 JP4124757B2 JP2004230703A JP2004230703A JP4124757B2 JP 4124757 B2 JP4124757 B2 JP 4124757B2 JP 2004230703 A JP2004230703 A JP 2004230703A JP 2004230703 A JP2004230703 A JP 2004230703A JP 4124757 B2 JP4124757 B2 JP 4124757B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- mask
- thin film
- insulating
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 15
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000000996 ion projection lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SiN Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F41/308—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices lift-off processes, e.g. ion milling, for trimming or patterning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12542—More than one such component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本出願の主題は、契約番号ＭＤＡ９７２−９９−Ｃ−０００９のもとに、米国国防高等研究計画庁（ＤＡＲＰＡ）により、少なくとも部分的に資金提供を受けた。
本発明は、一般に、薄膜にパターンを形成する方法およびシステム、より詳細には気体変換（gaseoustransformation）を利用して磁気薄膜にパターンを形成する方法およびかかる方法で得られた磁気薄膜を含む磁気デバイスに関する。
薄膜ディスク・ドライブ読出しヘッドおよび磁気記憶素子のような様々なセンサやデバイス用途での磁気薄膜のパターン化は、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）、イオン・ミリングおよび他の除去技術による材料の除去（例えば、物理的除去）に頼ってきた。
このように、これらの方法は、ある領域の輪郭を磁気的にも電気的にも定めるために材料の物理的除去を利用する。通常、パターンが形成される領域は、ミクロンまたはサブミクロンの寸法のものであり、境界の粗さ（roughness）への対応感度、形状および再堆積材料が最終製品の品質を決めることが多い。
最近、材料を物理的に除去することなく（例えば、損傷により、また注入により）パターンを形成するために、いくつかの実験で（ブルエンガー他（W. H. Bruenger）他の、「磁気薄膜の無レジスト・パターン化のためのイオン投影リソグラフィ（Ion ProjectionLithography for Resistless Patterning of Thin Magnetic Films）」、マイクロおよびナノ・エンジニアリングに関する第２５回国際会議（25thInternational Conference on Micro and Nano Engineering）、イタリア（Italy）、ローマ（Rome）、１９９９年９月２１〜２３日、ならびに、MicroelectronicsEngineering（オランダ（Netherlands））、５３巻、１−４号、６月、２０００年、６０５−６０８頁；テリス（B. D. Terris）他、「イオン・ビーム照射による磁気膜のパターン化（PatterningMagnetic Films by Ion Beam Irradiation）」、Journal of Applied Physics（米国（ＵＳＡ））、８７巻、９号、１−３部、２０００年５月１日、７００４−７００６頁）、イオン・ビームが用いられた。特に、このような方法では、酸素注入法が用いられた。しかし、本発明以前には、このような方法が、磁気記憶デバイスに適用されたことはなかった。
磁気メモリ（ＭＲＡＭ）構造の場合、トンネル接合デバイスのパターン化は、前記のように、最終的な成功と高性能な製品を実現するためにこの上なく重要である。
最終製品の不具合は、主に、メモリ・チップ上の数百万にもなりうる接合の磁気スイッチング特性の不均一性による。このバラツキは多くの因子に由来するが、最も重要なものは、パターンの形成方法にある。形状の著しい相違はスイッチング磁界に変動を引き起こす。また、境界の粗さは、境界での磁化のピン止め（pinning）による変動を引き起こすことが知られている。
最後に、酸化による境界の磁気硬化（magnetic hardening）、境界薄層化（edgethinning）、および再堆積材料による磁気効果は、それぞれ、磁気性能に影響を及ぼす。材料の除去が用いられるすべてのパターン形成法（例えば、イオン・ミリング、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）など）では、パターン化された領域の境界は、これらの内の少なくとも１つの方法で欠陥を生じている。
このように、イオン・ビームによるパターンの形成（イオン・ミリングとは反対に）では、性能の向上はかなり約束されたものであるが、確かめられていない。
しかし、前記のように、従来の方法で、酸化によるパターンの形成のために酸素注入が試みられたかもしれないが、ＭＲＡＭデバイスについて、このようなことは試みられたことがなく、また、フッ素化を用いることによることは言うまでもなく、反応性プラズマへの曝露によるＭＲＡＭデバイスのパターン化もまったくなかった。
ブルエンガー他（W. H. Bruenger）他、「磁気薄膜の無レジスト・パターン化のためのイオン投影リソグラフィ（IonProjection Lithography for Resistless Patterning of Thin Magnetic Films）」、マイクロおよびナノ・エンジニアリングに関する第２５回国際会議（25thInternational Conference on Micro and Nano Engineering）、イタリア（Italy）、ローマ（Rome）、１９９９年９月２１〜２３日 ブルエンガー他（W. H. Bruenger）他、MicroelectronicsEngineering（オランダ（Netherlands））、５３巻、１−４号、６月、２０００年、６０５−６０８頁 テリス（B. D. Terris）他、「イオン・ビーム照射による磁気膜のパターン化（PatterningMagnetic Films by Ion Beam Irradiation）」、Journal of Applied Physics（米国（ＵＳＡ））、８７巻、９号、１−３部、２０００年５月１日、７００４−７００６頁
ブルエンガー他（W. H. Bruenger）他、「磁気薄膜の無レジスト・パターン化のためのイオン投影リソグラフィ（IonProjection Lithography for Resistless Patterning of Thin Magnetic Films）」、マイクロおよびナノ・エンジニアリングに関する第２５回国際会議（25thInternational Conference on Micro and Nano Engineering）、イタリア（Italy）、ローマ（Rome）、１９９９年９月２１〜２３日 ブルエンガー他（W. H. Bruenger）他、MicroelectronicsEngineering（オランダ（Netherlands））、５３巻、１−４号、６月、２０００年、６０５−６０８頁 テリス（B. D. Terris）他、「イオン・ビーム照射による磁気膜のパターン化（PatterningMagnetic Films by Ion Beam Irradiation）」、Journal of Applied Physics（米国（ＵＳＡ））、８７巻、９号、１−３部、２０００年５月１日、７００４−７００６頁
従来の方法と構造の、前記および他の典型的な問題、欠点、および不都合に鑑みて、本発明の代表的特長は、関心のある磁気薄膜材料を物理的に除去することなく磁気薄膜のパターン化が実施される方法（および結果としての構造）を提供することである。
他の代表的な本発明の特徴は、磁気薄膜材料の選択された部分を非磁性または絶縁状態あるいはその両方に転化（例えば、化学的に）することにより、磁気薄膜にパターンを形成する方法（および構造）を提供することである。さらに別の本発明の特徴は、磁気薄膜の転化にフッ素化を利用する方法（および構造）を提供することである。
本発明の第１の代表的な態様では、磁気薄膜の一部分の化学的変換を利用してその部分を非磁性で電気絶縁性である状態に変えることを含む、磁気薄膜にパターンを形成する方法（および結果としての構造）が開示される。
第２の代表的態様では、磁気薄膜は、パターン化磁気トンネル接合（magnetictunnel junction、ＭＴＪ）、ならびに、このパターン化ＭＴＪの第１および第２の側面に形成された、フッ素化された非磁性の電気絶縁性要素を含む。
第３の代表的態様では、磁気デバイスは、前記の第２の態様の磁気薄膜、ならびに、パターン化ＭＴＪに連結した導電性要素（例えば、銅のような金属など）を含む。
本発明の独特で自明でない特徴によれば、磁気薄膜の選択された部分を反応性プラズマに曝すことにより、ＭＲＡＭデバイス磁気薄膜のパターン化において、低出力プラズマによる選択的転化を実施することができる。
さらに、本発明では、フェンシング（fencing）または再堆積材料はまったく必要ないであろう。こうして、トンネル接合の上部および底部層には短絡はまったく必要ないであろう。さらに、微細表面構造（topography）の問題は、ほとんど、あるいはまったく存在しないであろう。
前記および他の代表的目的、態様および利点は、本発明の代表的実施形態の、図の参照を伴う以下の詳細な説明により、より良く理解されるであろう。
これから、図、より具体的には図１〜７を参照して、本発明による方法と構造の好ましい実施形態が示される。
ここで図１ないし４に注目すると、本発明の代表的方法（およびこの方法により形成される構造）が記載される。具体的には、膜の望ましくない部分の化学的変換を利用してその部分を非磁性に転化させる、磁気薄膜（例えば、代表的実施形態では、パーマロイ（Permalloy）（商標）薄膜）のパターン化方法が記載される。
図１は、基板１１０を備える構造１００を示している。この基板は何らかの適切な材料（例えば、シリコン、ＳｉＯ２、サファイアなど）でありうる。
基板１１０の表面（例えば、上部表面）には、磁気膜１２０（例えば、パーマロイ（商標）、ニッケル、鉄およびコバルトの合金、多数の他の磁性合金材料の何れか）が形成される。好ましくは、薄膜１２０の厚さは、約１０Åから約５０Åの範囲であるが、言うまでもなく、本発明はこのような厚さに限定されず、本発明を全体として考慮すれば、当分野の技術者によって知られているであろうような寸法設定が可能である。
磁気薄膜１２０が形成された後、マスク１３０が磁気薄膜１２０の選択された部分に被せられる。その後、磁気薄膜は反応性プラズマ１４０に曝される。比較的低温で（例えば室温で、またはそれに近い温度で）、都合よく、プラズマへの曝露を実施することができる。すなわち、プラズマによるいくらかの当然の発熱があったとしても、本発明の方法では、基板または構造内の他の材料を加熱する必要がない。言うまでもなく、加熱は転化過程にとってさらに好都合であろう。
代表的実施形態では反応性プラズマにフッ素が使用されるが、他の気体および材料もまた都合よく使用されうることが指摘される。
例えば、六フッ化イオウだけでなく、様々なフルオロカーボン・プラズマが、例えばアルゴンまたは酸素のような他の共存気体と使用されうる。
さらに、フッ素系ガス（例えば、ＮＦ３、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３など）に、予め決められた少量（例えば、５〜１０％）の臭化物含有ガスを加えることができる。プラズマについて考慮すべき要点は、前記のように、それが下にある磁気薄膜を、膜の接着はそのままにして、転化させることである。
こうして、本発明の方法の好ましい実施は、最初にフォトリソグラフィ法を用いて、通常の方法で、磁気薄膜試料１２０の上部にマスク１３０を付けることであろう。このマスク１３０は、保護されるべき磁気薄膜領域の上部に形成され、マスク材料１３０としてフォトレジスト、またはダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）、ＴｉＮ、ＴａＮ、もしくは類似の材料を含むハード・マスク・パターン層、あるいはその両方に頼る通常の方法で作製されるであろう。この場合、ハード・マスクの開口および転化は、合わせて、あるいは逐次的に実施されうるであろう。
選択されたマスク１３０の材料に関わらず、マスクが、後のプラズマへの曝露工程で、使用されるプラズマに対して不透過性であることが重要である。
磁気膜１２０の曝露部分の転化は、例えばＣＦ４などの低出力プラズマにより実現される。本出願では、「低出力」は、使用されるその出力では、認められる程の材料の除去が起るとはまったく期待されないことを意味する。選択して用いられる圧力と出力では、磁気薄膜材料（例えば、パーマロイ（商標）、ＮｉＦｅなど）は、除去されないであろうが、その代わりに、磁気薄膜はフッ素含有膜に転化されるであろう。
関心のあるフッ素化層の性質のいくつかには、それが磁気的に不活性（すなわち、非強磁性）であり、さらに電気絶縁性であるということが含まれる。さらに、フッ素化層は下の基板に強く固着している。すなわち、それは、製造工程中に受ける応力で剥がれない。したがって、フッ素化層が基板から剥がれる、剥離する、あるいは吹き飛ばされる危険性は極めて少ない。
後の加工は、知られている様に（例えば、通常実施されるように）進行して、動作する磁気デバイスが作製される。このような構造の例が、図２〜４に示されている。
すなわち、図２（例えば、前記の低出力プラズマ曝露工程の結果を示している）は、磁気薄膜を有する基板２１０をもつ構造２００を示している。
詳細には、パターン化トンネル接合２２０が、その上のマスク２３０と共に示されている。反応性プラズマ（フッ素）に曝された磁気薄膜は、パターン化トンネル接合２２０の両側に、フッ素化パーマロイ（商標）（Ｐｙ）２５０として示されている。好ましくは、低出力プラズマへの曝露は、約５ｍＴｏｒｒから約１００ｍＴｏｒｒ、より好ましくは約１０ｍＴｏｒｒから約３０ｍＴｏｒｒの範囲内で、最も好ましくは約２０ｍＴｏｒｒの圧力で実施される。最適の出力は、装置に特異的であるが、最大出力は約２００Ｗであろうということが指摘される。
図３（例えば、不活性化工程の結果を示している）は、絶縁層（例えば、ＳｉＯ２のような酸化物、ＳｉＮのような窒化物、ＳｉＣ、ＳｉＬＫ（商標）（例えば、半導体デバイスの絶縁層に用いられ、ダウ・ケミカル（Dow Chemical Corporation）により製造される低誘電率の誘電体樹脂ポリマー）など；ＳｉＯ２は、例示のためにのみ以下に記載され図３に示される）を付けた構造２００を示している。この絶縁層は、フッ素化Ｐｙ２５０およびマスクの上に形成され、次に、化学的機械研磨（ＣＭＰ）が実施されて、マスクおよびＳｉＯ２などの上位面が平坦化されたものとすることができる。
図４（例えば、接点形成の結果を示している）は、マスク２３０が選択的エッチングなどにより除去され、そして導電性材料（例えば、金属、ポリシリコンなど；銅、タングステン、および銅を含むアルミニウムが最も好ましい）が、絶縁層２６０と、マスク２３０があった領域（例えば、ビアまたはプラグ）との上に形成された構造２００を示している。こうしてデバイスが完成される。
前記の層の好ましい厚さに関して、マスクの厚さは、好ましくは約２００Åから１５００Åであり、金属の厚さは、好ましくは約１０００Åから約４０００Åである。
図５は、図２〜４に示される加工工程に対応する方法３００のフロー図を示している。
詳細には、ステップ３１０で、基板はその上に磁気薄膜が形成される。
ステップ３２０で、マスクが磁気薄膜の選択された部分の上に形成される。
ステップ３３０では、磁気膜は反応性プラズマ（例えば、フッ素など）に曝されることにより、反応性プラズマに曝される磁気膜（例えば、ＮｉＦｅ膜など）の曝された部分をフッ素含有膜へと転化させる。フッ素含有膜は磁気的に不活性であり、電気絶縁性である。
ステップ３４０では、動作する磁気デバイスが形成される（例えば、ステップ３３０で形成された構造の上部に接点を形成すること等）。
本発明では、モーメントの１００％の低減が実現される方法（および得られる構造）が提供される。したがって、本発明では、モーメントを０に低下させることができる。
図６は、サブミクロンの大きさに仕上げられた、本発明によるパターン化磁性材料のヒステリシスを示しており、図７は、両方向の遷移を考慮して、データを計算して得られた結果であり、優れたスイッチング挙動を示している。すなわち、優れたスイッチング挙動は優れたパターン形成を示唆する。
こうして、本発明では、材料は図６および７に示される磁気ヒステリシス・ループを示し、モーメントの大きさと比較的大きなスイッチング磁界から、サブミクロンのスケールでの磁性パターン化が実現されたことを示している。
図６および７をよく見ると、磁力計によるデータは、有意なスイッチング磁界が都合よくヒステリシス・ループに存在することを示しており、独立した磁性ドットの存在を示している。さらに、電気的測定により、保護されていないパーマロイ（商標）膜が、前記のように、フッ素化された状態に転化された場合に期待される１つの結果である、試料が絶縁性であるということが示された。
さらに、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）画像は、表面（例えば、残っているハード・マスク材料は別として）が平坦であることを示しており、パターン形成には、材料を実際に除去することでなく、元のパーマロイ（商標）から絶縁性で非磁性の材料への転化が含まれている。
こうして、次のことを考えると、独特で自明でない本発明の特徴により現行の加工方法がかなり改善される。すなわち、本発明では、磁気トンネル接合の境界を酸素に曝すことはまったくない。
さらに、境界は、ＲＩＥあるいはイオン・ミリングの場合より、本発明では、より明確に輪郭が定められる。最も重要なことは、境界の滑らかさはフォトレジストの境界線の粗さにより決まり、本発明の方法自体で決まるのではない。
さらに、パターン形成後に、ほとんど微細表面構造がないので、後の製造が容易になる。
本発明がいくつかの好ましい実施形態により記載されたが、当分野の技術者は、添付の請求範囲の精神と範囲内で変更して本発明を実施しうることを認めるであろう。
さらに、後の出願手続き中に補正されるとしても、出願人の意図は、すべての請求項の均等物を包含しようとするものであることが指摘される。
１００ 構造
１１０ 基板
１２０ 磁気膜
１３０ マスク
１４０ プラズマ
２００ 構造
２１０ 基板
２２０ パターン化トンネル接合（ＴＪ）
２３０ マスク
２５０ フッ素化パーマロイ（商標）（Ｐｙ)
２６０ 絶縁層
２７０ 導電性材料
１１０ 基板
１２０ 磁気膜
１３０ マスク
１４０ プラズマ
２００ 構造
２１０ 基板
２２０ パターン化トンネル接合（ＴＪ）
２３０ マスク
２５０ フッ素化パーマロイ（商標）（Ｐｙ)
２６０ 絶縁層
２７０ 導電性材料
Claims (5)
- フォトリソグラフィを用いて、基板上に設けられた磁気薄膜の保護すべき部分の上にマスクを形成するステップと、
フッ素系反応性プラズマにより前記磁気薄膜の保護されていない部分を該磁気薄膜の厚さ方向へ前記基板の表面に到達するまで転化し、前記基板に固着する非磁性で電気絶縁性を有するフッ素化層と、前記フッ素化層により画定される磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を形成するステップと、
前記フッ素化層および前記マスク上に絶縁層を形成するステップと、および
前記マスクと前記絶縁層の上位面を化学的機械研磨（ＣＭＰ）により平坦化するステップと
を含む、
磁気デバイスの製造方法。 - 前記マスクを選択的にエッチングするステップと、および
前記絶縁層と、前記マスクが選択的にエッチングされた領域との上に導電性材料を形成するステップと
をさらに含む請求項１に記載の方法。 - 前記マスクが絶縁性ハード・マスクを含み、
前記ＭＴＪの形成後に、前記絶縁性ハード・マスクを選択的にエッチングして前記絶縁性ハード・マスクにパターンを形成するステップ
をさらに含む請求項１に記載の方法。 - 前記絶縁性ハード・マスクがエッチングされた領域上に導電性材料を形成するステップをさらに含む請求項３に記載の方法。
- 前記マスクが、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）、ＴｉＮ、およびＴａＮから選択された少なくとも１つを含むハード・マスク・パターン層を備える請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/680,260 US7611911B2 (en) | 2003-10-08 | 2003-10-08 | Method and system for patterning of magnetic thin films using gaseous transformation to transform a magnetic portion to a non-magnetic portion |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005117021A JP2005117021A (ja) | 2005-04-28 |
| JP4124757B2 true JP4124757B2 (ja) | 2008-07-23 |
Family
ID=34422189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004230703A Expired - Lifetime JP4124757B2 (ja) | 2003-10-08 | 2004-08-06 | 磁気デバイスの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7611911B2 (ja) |
| JP (1) | JP4124757B2 (ja) |
| CN (1) | CN100342463C (ja) |
| TW (1) | TWI348696B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7211446B2 (en) * | 2004-06-11 | 2007-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of patterning a magnetic tunnel junction stack for a magneto-resistive random access memory |
| US7601567B2 (en) * | 2005-12-13 | 2009-10-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of preparing organic thin film transistor, organic thin film transistor, and organic light-emitting display device including the organic thin film transistor |
| US20090199768A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Steven Verhaverbeke | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation |
| US8551578B2 (en) * | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
| US8535766B2 (en) * | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| US20090201722A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Kamesh Giridhar | Method including magnetic domain patterning using plasma ion implantation for mram fabrication |
| CN102197426B (zh) * | 2008-10-22 | 2014-11-05 | 应用材料公司 | 使用能量化离子以图案化磁性薄膜的方法 |
| US9685186B2 (en) * | 2009-02-27 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | HDD pattern implant system |
| US7863060B2 (en) * | 2009-03-23 | 2011-01-04 | Magic Technologies, Inc. | Method of double patterning and etching magnetic tunnel junction structures for spin-transfer torque MRAM devices |
| SG10201401235YA (en) * | 2009-04-10 | 2014-09-26 | Applied Materials Inc | Use special ion source apparatus and implant with molecular ions to process hdd (high density magnetic disks) with patterned magnetic domains |
| CN102598131B (zh) * | 2009-11-04 | 2016-04-13 | 应用材料公司 | 用于图案化的磁盘媒体应用的等离子体离子注入工艺 |
| US8962493B2 (en) * | 2010-12-13 | 2015-02-24 | Crocus Technology Inc. | Magnetic random access memory cells having improved size and shape characteristics |
| US9234876B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-01-12 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Durable miniature gas composition detector having fast response time |
| KR102152145B1 (ko) | 2013-09-09 | 2020-09-07 | 삼성전자주식회사 | 자기 기억 소자 및 그 제조 방법 |
| JP6498968B2 (ja) | 2015-03-11 | 2019-04-10 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子および磁気メモリ |
| US10840441B2 (en) | 2018-09-14 | 2020-11-17 | International Business Machines Corporation | Diamond-like carbon hardmask for MRAM |
| CN112438962A (zh) * | 2019-08-12 | 2021-03-05 | 湖南早晨纳米机器人有限公司 | 磁性载药纳米机器人及其制备方法 |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57204186A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Hitachi Ltd | Electrode processing method for magnetic reluctance element |
| US4536520A (en) * | 1984-06-11 | 1985-08-20 | Ethyl Corporation | Polyphosphazene foam process |
| JP2769420B2 (ja) * | 1992-05-01 | 1998-06-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気モーメント低下方法及びデータ記憶装置 |
| US5607599A (en) * | 1994-11-17 | 1997-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of processing a magnetic thin film |
| US5650958A (en) * | 1996-03-18 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junctions with controlled magnetic response |
| EP0895278A3 (de) * | 1997-08-01 | 2000-08-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Strukturierungsverfahren |
| US6024885A (en) * | 1997-12-08 | 2000-02-15 | Motorola, Inc. | Process for patterning magnetic films |
| US6072718A (en) * | 1998-02-10 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory devices having multiple magnetic tunnel junctions therein |
| US6093659A (en) * | 1998-03-25 | 2000-07-25 | Texas Instruments Incorporated | Selective area halogen doping to achieve dual gate oxide thickness on a wafer |
| US5940319A (en) * | 1998-08-31 | 1999-08-17 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory and fabricating method thereof |
| US6168845B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-01-02 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic media and method of making the same using selective oxidation |
| US6165803A (en) * | 1999-05-17 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory and fabricating method thereof |
| US6440520B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic recording disk with substrate patterned by ion implantation |
| US6331364B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic recording media containing chemically-ordered FePt of CoPt |
| JP2001167432A (ja) | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Hitachi Ltd | 高密度磁気記録媒体およびその作製方法 |
| JP2001250217A (ja) | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Hitachi Maxell Ltd | 情報記録媒体及びその製造方法 |
| US6391430B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-05-21 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic recording media with discrete magnetic regions separated by regions of antiferromagnetically coupled films |
| US6383598B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic recording media with regions rendered nonmagnetic by ion irradiation |
| US6383597B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording media with magnetic bit regions patterned by ion irradiation |
| JP3852310B2 (ja) * | 2000-08-07 | 2006-11-29 | トヨタ自動車株式会社 | 筒内噴射式火花点火内燃機関 |
| US6426012B1 (en) * | 2000-08-24 | 2002-07-30 | International Business Machines Corporation | Wet chemical etch process for patterning MRAM magnetic layers |
| US6385082B1 (en) * | 2000-11-08 | 2002-05-07 | International Business Machines Corp. | Thermally-assisted magnetic random access memory (MRAM) |
| US6724674B2 (en) * | 2000-11-08 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Memory storage device with heating element |
| US6440753B1 (en) * | 2001-01-24 | 2002-08-27 | Infineon Technologies North America Corp. | Metal hard mask for ILD RIE processing of semiconductor memory devices to prevent oxidation of conductive lines |
| JP4818519B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2011-11-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 磁気記憶装置 |
| JP3886802B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-02-28 | 株式会社東芝 | 磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ |
| US6631055B2 (en) * | 2001-06-08 | 2003-10-07 | International Business Machines Corporation | Tunnel valve flux guide structure formed by oxidation of pinned layer |
| US6849349B2 (en) * | 2001-10-22 | 2005-02-01 | Carnegie Mellon University | Magnetic films having magnetic and non-magnetic regions and method of producing such films by ion irradiation |
| JP2003258129A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
| KR100434956B1 (ko) * | 2002-05-29 | 2004-06-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 마그네틱 램의 제조방법 |
| JP4400037B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2010-01-20 | 日本電気株式会社 | 磁気ランダムアクセスメモリ，及びその製造方法 |
| US6911156B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-06-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Methods for fabricating MRAM device structures |
| US6881351B2 (en) * | 2003-04-22 | 2005-04-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Methods for contacting conducting layers overlying magnetoelectronic elements of MRAM devices |
| US6798004B1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-09-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magnetoresistive random access memory devices and methods for fabricating the same |
| KR100560661B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리의 읽기 방법 |
| US7211446B2 (en) * | 2004-06-11 | 2007-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of patterning a magnetic tunnel junction stack for a magneto-resistive random access memory |
| JP5794892B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2015-10-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 磁気メモリ |
-
2003
- 2003-10-08 US US10/680,260 patent/US7611911B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-16 TW TW093121406A patent/TWI348696B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-08-06 CN CNB2004100563281A patent/CN100342463C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-08-06 JP JP2004230703A patent/JP4124757B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-08-20 US US12/544,967 patent/US20090309145A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7611911B2 (en) | 2009-11-03 |
| CN100342463C (zh) | 2007-10-10 |
| US20090309145A1 (en) | 2009-12-17 |
| TWI348696B (en) | 2011-09-11 |
| TW200514079A (en) | 2005-04-16 |
| JP2005117021A (ja) | 2005-04-28 |
| US20050079647A1 (en) | 2005-04-14 |
| CN1606107A (zh) | 2005-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20090309145A1 (en) | Method and system for patterning of magnetic thin flims using gaseous transformation | |
| US10847715B2 (en) | Magnetoresistive device and method of manufacturing same | |
| US6806546B2 (en) | Passivated magneto-resistive bit structure | |
| US20070120210A1 (en) | Spacer structure in MRAM cell and method of its fabrication | |
| JP4047794B2 (ja) | Ｃｍｐ補助のリフトオフ微細パターニング | |
| US20070020775A1 (en) | System and method for reducing shorting in memory cells | |
| WO2012015465A1 (en) | Bi-layer hard mask for the patterning and etching of nanometer size mram devices | |
| TWI228327B (en) | Method of manufacturing magnetic memory device, and magnetic memory device | |
| US9705077B2 (en) | Spin torque MRAM fabrication using negative tone lithography and ion beam etching | |
| WO2003092013A2 (en) | Self-aligned magnetic tunneling junction and via contact | |
| US20150079699A1 (en) | Method of manufacturing a magnetoresistive device | |
| US6713368B2 (en) | Etching mask and magnetic head device | |
| CN110040679A (zh) | 一种三轴磁传感器及其制备方法 | |
| US20200212298A1 (en) | Self-Aligned Magnetic Metal Shield to Enhance the Coercivity of STT-MRAM Devices | |
| KR20150112979A (ko) | 자기저항 디바이스를 제조하는 방법 | |
| CN110137345B (zh) | 一种三轴磁传感器及其制备方法 | |
| Wang et al. | Optimization on dry-etching process for high-density STT-MRAM | |
| US20220336734A1 (en) | Methods of manufacturing integrated circuit devices | |
| JP2002230720A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| US20110101476A1 (en) | Electronic device, memory device, and method of fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070807 |
|
| RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20070823 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070823 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071105 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071211 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080307 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080312 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080407 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080430 |
|
| RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20080430 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080502 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4124757 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140516 Year of fee payment: 6 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |