JP4116425B2

JP4116425B2 - 重陽子発生ターゲット及び重陽子発生ターゲット装置

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Publication number: JP4116425B2
Application number: JP2002381327A
Authority: JP
Inventors: 宏典高橋; 茂俊岡崎; 慎二大須賀
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 2002-12-27
Filing date: 2002-12-27
Publication date: 2008-07-09
Anticipated expiration: 2022-12-27
Also published as: EP1577899A1; US20060039520A1; JP2004212181A; AU2003289365A1; WO2004061865A1; EP1577899A4; EP1577899B1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高強度レーザーを照射して重陽子を発生させる重陽子発生ターゲットと、この重陽子発生ターゲットを構成要素として有する重陽子発生ターゲット装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＥＴ（Positron Emission Tomography：ポジトロン断層イメージング装置）は、ポジトロンを放出する短寿命放射性同位体を含む薬剤を体内に投与し、その薬剤の体内動態を撮影して画像化するものである。このＰＥＴに使用される短寿命放射性同位体は、高速の陽子や重陽子を別の原子に衝突させることにより生成される。このような短寿命放射性同位体を生成する核反応としては表１に示すような反応が知られている。
【０００３】
【表１】

表１に示される通り、短寿命放射性同位体を生成する核反応では、陽子を用いた場合よりも重陽子を用いた場合の方が反応のしきい値が低く、効率よく短寿命放射性同位体を生成することができる。
【０００４】
従来、ＰＥＴ装置に付設されて高速の重陽子を得るための重陽子発生装置としては、サイクロトロンが用いられてきた。また、強化ポリエステル膜上に重水素化ポリスチレンを塗布した膜に高強度レーザーを照射して高エネルギーの重陽子を生成する手法も知られている（例えば、非特許文献１）。
【０００５】
【非特許文献１】
K.Nemoto et al.,「Laser-triggered ion acceleration and table top isotope production」,APPLIED PHYSICS LETTERS(US),American Instit ute of Physics,29.JANUARY.2001,VOL.78,No.5,p.595‐597
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、サイクロトロンは装置が大型であるという問題を有する。一方、高強度レーザーを用いる手法によれば重陽子を生成する装置を小型にすることができる。しかし、強化ポリエステル膜上に重水素化ポリスチレンを塗布した膜を用いた場合には、重陽子が効率良く放出されないという問題を有する。
【０００７】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、重陽子を効率よく発生することができる重陽子発生ターゲットと、これを用いた重陽子発生ターゲット装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の問題点につき鋭意検討を重ねた結果、従来の重陽子発生ターゲットでは下地の強化ポリエステルに水素が含まれており、高強度レーザーが照射された場合、重水素の原子核（重陽子）よりも軽い水素の原子核（陽子）が先に放出されるため、重陽子が効率良く放出され難くなっている、との知見を得た。
【０００９】
そこで本発明に係る第１のタイプの重陽子発生ターゲットは、含ハロゲン有機化合物を主成分とする薄膜と、この薄膜に積層された重水素化された有機化合物を主成分とする層と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る第１のタイプの重陽子発生ターゲットによれば、含ハロゲン有機化合物を主成分とする薄膜では水素がハロゲンに置換されているため、高強度レーザーが照射されたときに重水素の原子核（重陽子）より軽い水素の原子核（陽子）が先に放出されることが無く、重陽子を効率よく発生することができる。
【００１１】
この場合、含ハロゲン有機化合物がフッ素置換炭化水素であることが好適である。このようにすれば、薄膜における水素がフッ素に置換されていることにより、高強度レーザーが照射されたときに重水素の原子核（重陽子）より軽い水素の原子核（陽子）が先に放出されることが無く、重陽子を効率よく発生することができる。
【００１２】
本発明に係る第２のタイプの重陽子発生ターゲットは、含ハロゲン有機化合物を主成分とする多孔質膜を備え、この多孔質膜は、重水素化された有機化合物を含浸している、ことを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る第２のタイプの重陽子発生ターゲットによれば、含ハロゲン有機化合物を主成分とする多孔質膜の内部に多量の重水素化された有機化合物を含浸させることができる。このため、高強度レーザーが照射されたときに重陽子より軽い陽子が先に放出されることが無く、重陽子を効率よく発生できる。
【００１４】
この場合、含ハロゲン有機化合物がフッ素置換炭化水素であることが好適である。このようにすれば、多孔質膜における水素がフッ素に置換されていることにより、高強度レーザーが照射されたときに重水素の原子核（重陽子）より軽い水素の原子核（陽子）が先に放出されることが無く、重陽子を効率よく発生することができる。
【００１５】
更に本発明者らは、第１または第２のタイプの重陽子発生ターゲットを構成要素として有する重陽子発生ターゲット装置の改良につき、鋭意検討を重ねた結果、強化ポリエステル膜上に重水素化ポリスチレンを塗布した膜に高強度レーザーが照射された場合、膜に穴が開き再度使用することが出来ないという問題を有する事を見出した。
【００１６】
そこで本発明に係る重陽子発生ターゲット装置は、第１または第２のタイプの重陽子発生ターゲットと、重陽子発生ターゲットを所定の平面上に保持する保持手段と、この保持手段を駆動することにより重陽子発生ターゲットを所定の平面に沿う方向に移動させる移動手段と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る重陽子発生ターゲット装置によれば、重陽子発生ターゲットが保持手段により保持され移動手段により移動されので、重陽子発生ターゲットにおける高強度レーザーの照射領域が種々の態様（同心円状あるいは螺旋状等の態様）で移動される。よって、同一の重陽子発生ターゲットを連続して複数回にわたり使用することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る重陽子発生ターゲット１の構成を、図１を用いて説明する。
【００２０】
重陽子発生ターゲット１は、含ハロゲン有機化合物を主成分とする薄膜１０を基材とし、この薄膜１０に重水素化された有機化合物の層２０が積層されることにより構成される。本実施形態において、重陽子発生ターゲット１は薄い略円盤形状（または円形フィルム形状）であり、基材（薄膜１０）を構成する含ハロゲン有機化合物はフッ素置換炭化水素である。
【００２１】
薄膜１０の主成分をなす含ハロゲン有機化合物とは、フッ素、臭素及び塩素等のハロゲン元素を含む有機化合物をいう。また、フッ素置換炭化水素とは、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭化水素をいう。ここで、含ハロゲン有機化合物（フッ素置換炭化水素）としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）（商品名ポリフロンＴＦＥ、テフロンＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）（商品名ダイフロンＣＴＦＥ、Ｋｅｌ−Ｆ）、テトラフルオロエチレン・エキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）（商品名ネオフロンＦＥＰ、テフロンＦＥＰ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）（商品名ＫＦポリマー、Ｋｙｎａｒ）及びテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）（商品名テフロンＰＦＡ、ネオフロンＰＦＡ）等が挙げられる。
【００２２】
また、薄膜１０に積層される層２０には、重水素化された有機化合物として、例えば、重水素化したポリスチレン等が用いられる。
【００２３】
このように、重陽子発生ターゲット１は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（商品名ポリフロンＴＦＥ、テフロンＴＦＥ）の薄膜１０を下地に用いて、その薄膜１０上に重水素化したポリスチレン等を塗布して層２０を積層したものである。重水素化ポリスチレンの薄膜のみで重陽子発生ターゲットを作成した場合には、ポリスチレンの重合が不十分であると機械的強度の高い薄膜を得ることができないため、機械的強度の高い重陽子発生ターゲットを得ることが困難である。しかし、ポリテトラフルオロエチレンの薄膜１０を下地に用いてその薄膜１０上に重水素化したポリスチレン等を塗布することによって、機械的強度の高い重陽子発生ターゲット１を得ることができる。
【００２４】
また、このように機械的強度の高い下地の上にターゲットを作成しているので、切断等によって容易に重陽子発生ターゲット１の形状を変えることができる。
【００２５】
重陽子発生ターゲット１において、ポリテトラフルオロエチレンの薄膜１０の膜厚は約６μｍ、塗布するポリスチレンの厚みは約１μｍとすることができる。ここで、ポリテトラフルオロエチレンは、ＣＦ２＝ＣＦ２の重合体であり、強化ポリエステルで問題となった水素原子を含まない。よって、高強度レーザーが照射されたときに、重水素の原子核（重陽子）より軽い水素の原子核（陽子）が先に放出されることが無く、重陽子を効率良く発生させることができる。
【００２６】
次に、図１に示す重陽子発生ターゲット１の製造方法について説明する。なお、これは薄膜１０をポリテトラフルオロエチレン、それに積層する層２０を重水素化ポリスチレンで構成する場合の製造方法である。
【００２７】
重水素化したスチレンは、例えば、シグマアルドリッチジャパン株式会社から購入することができる。そして、この重水素化したスチレンをラジカル重合等によって重合し、重水素化ポリスチレンを得る。
【００２８】
次に、例えばポリテトラフルオロエチレン（四フッ化エチレン樹脂、デュポン社の商品名テフロン）の薄膜１０上に、上記の重水素化ポリスチレンをスピンコート等によって塗布する。これにより、ポリテトラフルオロエチレンの薄膜１０上に重水素化ポリスチレンの層２０が積層された構造を有し、機械的強度の高い重陽子発生ターゲット１を得ることができる。
【００２９】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る重陽子発生ターゲット２の構成を、図２を用いて説明する。
【００３０】
重陽子発生ターゲット２は、含ハロゲン有機化合物を主成分とする多孔質膜３０を基材としており、この多孔質膜３０には重水素化された有機化合物が含浸されている。これにより、多孔質膜３０の上面の全面がターゲット領域４０とされている。本実施形態においても基材は薄い略円盤形状（または円形のフィルム形状）であり、含ハロゲン有機化合物はフッ素置換炭化水素である。
【００３１】
含ハロゲン有機化合物を主成分とする多孔質膜３０としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンを多孔質の薄いフィルタ（膜厚約７０μｍ）状に加工したもの等が挙げられる。また、この多孔質膜３０に含浸される重水素化された有機化合物としては、例えば、重水素化したポリスチレン等が用いられる。このような多孔質の薄膜状フィルタは、ＰＴＦＥメンブランフィルタとして市販されているもの（例えば、ＡＤＶＡＮＴＥＣ製ＰＴＦＥタイプメンブランフィルター等）を用いても良い。このような多孔質フィルタでは、多孔度が７０％以上であるので多量のターゲット材料を染み込ませることができる。
【００３２】
次に、図２に示す重陽子発生ターゲット２の製造方法について説明する。なお、これは多孔質膜３０をポリテトラフルオロエチレン、含浸剤を重水素化ポリスチレンとした場合の製造方法である。
【００３３】
まず、図１の場合と同様にして得た重水素化したポリスチレンを溶媒に溶かす。具体的には、重水素化ポリスチレン５０ｍｇにトルエン１ｍｌを加え、良く振って完全に溶かす。
【００３４】
次に、シャーレにこの重水素化ポリスチレン溶液を入れて均一になるように広げる。そして、ポリテトラフルオロエチレンの多孔質薄膜状フィルタ（ＡＤＶＡＮＴＥＣ製ＰＴＦＥタイプメンブランフィルター）をシャーレに入れて、この重水素化ポリスチレン溶液を染み込ませる。この時、シャーレを良く振り溶液を均一に染み込ませる。
【００３５】
次に、フィルタをシャーレから取り出してポリテトラフルオロエチレン（商品名テフロン）シート上に広げて溶媒のトルエンを気化させる。シートにポリテトラフルオロエチレン（商品名テフロン）を用いると、フィルタが貼り付かないので容易に剥がす事ができる。そして、薬包紙やポリテトラフルオロエチレン（商品名テフロン）処理された紙に上記フィルタを挟んでプレス機で圧縮し、しわを伸ばして平らにする。
【００３６】
以上により、ポリテトラフルオロエチレンの多孔質膜３０と、この多孔質膜３０に含浸された重水素化ポリスチレンとを備える重陽子発生ターゲット２を製造することができる。
【００３７】
（第３および第４実施形態）
次に、第３および第４実施形態に係る重陽子発生ターゲット３および４の構成を、図３および図４を用いて説明する。
【００３８】
いずれの実施形態においても、重陽子発生ターゲット３および４は、フッ素置換炭化水素のような含ハロゲン有機化合物を主成分とする帯状の多孔質膜５０を基材としている。この帯状の多孔質膜５０の中央部には長手方向に沿って重水素化された有機化合物が含浸されているが、第３および第４実施形態ではその含浸エリアが異なる。すなわち、図３に示す第３実施形態ではストライプ状に含浸させられており、これによりターゲット領域６０がストライプ状に形成されている。一方、図４に示す第４実施形態では一定間隔を空けた連続スポット状に含浸させられており、これによりターゲット領域７０が連続スポット状に形成されている。
【００３９】
含ハロゲン有機化合物を主成分とする多孔質膜５０としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンを多孔質の薄膜状のフィルタ（膜厚約７０μｍ）に加工したもの等が挙げられる。また、この多孔質の薄膜状フィルタが含浸している重水素化された有機化合物としては、例えば、重水素化したポリスチレン等が用いられる。このような多孔質の薄膜状フィルタは、ＰＴＦＥメンブランフィルタとして市販されているもの（例えば、ＡＤＶＡＮＴＥＣ製ＰＴＦＥタイプメンブランフィルター等）を用いても良い。このような多孔質フィルタでは、多孔度が７０％以上であるので多量のターゲット材料を染み込ませることができる。
【００４０】
次に、図５を参照して、重陽子発生ターゲット３の製造方法を説明する。図５は、重陽子発生ターゲット３の製造に用いられる装置を示す。
【００４１】
帯状の多孔質薄膜フィルタ５０は繰り出し側の回転軸１２０に巻き付けられており、多孔質薄膜フィルタ５０の他端は引き込み側の回転軸１１０に固定される。この状態で、図示しない駆動機構により回転軸１１０を矢印Ａ１方向に回転駆動させると、回転軸１２０は矢印Ａ２方向に従動して回転し、多孔質薄膜フィルタ５０は回転軸１２０から回転軸１１０方向に順次巻き取られていく。このとき、両回転軸１１０，１２０の中間部上方に設置したピペット１００より含浸剤を滴下すれば、多孔質薄膜フィルタ５０の移動速度と含浸剤の滴下量および滴下タイミングに応じた態様のターゲット領域を形成できる。なお、破線Ｌ１は、重水素化ポリスチレンが滴下される経路を表す。
【００４２】
なお、帯状の多孔質薄膜フィルタ５０としてはポリテトラフルオロエチレン（商品名テフロン）、滴下させる含浸剤としてはトルエン等の溶媒に溶かした重水素化ポリスチレンを用い得る。図５は含浸剤を連続して滴下することにより、図３に示すストライプ状のターゲット領域６０を有する重陽子発生ターゲット３を製造するプロセスを示している。この滴下のタイミングを間歇的とすれば、連続するスポット状にターゲット領域７０を有する図４の重陽子発生ターゲット４を製造できる。
【００４３】
このように、第３及び第４実施形態に係る重陽子発生ターゲット３及び４によれば、レーザー光を照射する部分のみに重水素化ポリスチレンを塗布することにより、無駄な重水素化ポリスチレンの消費を抑えることができるため、ターゲット材料を効率良く使用することが可能となる。
【００４４】
以上、重陽子発生ターゲット１〜４によれば、ポリテトラフルオロエチレン等の含ハロゲン有機化合物を主成分とする基材（薄膜１０や多孔質膜５０）は、素材を構成する水素がハロゲンに置換されているので、高強度レーザーが照射されたときに重水素の原子核（重陽子）より軽い水素の原子核（陽子）が先に放出されることが無く、重陽子を効率良く発生させることができる。
【００４５】
（重陽子発生ターゲット装置の実施形態）
図６は、回転式重陽子発生ターゲット装置５の構成を示す図であり、ここでは第１又は第２実施形態に係る円盤状の重陽子発生ターゲットが適用される。回転式重陽子発生ターゲット装置５は、例えば図１に示す重陽子発生ターゲット１と、これを所定の平面（この実施形態では回転軸と直交する平面）で保持する支持部材２１０及び重陽子発生ターゲット押え２２０と、この保持手段を回転させる回転手段として、図示しない回転機構とこれに連結された回転ロッド２３０を備えている。さらに保持手段を直線方向に移動させる移動手段として、移動機構２４０及びシャフト２５０を備えている。
【００４６】
これを具体的に説明すると、厚い円筒状の支持部材２１０にはリング状の重陽子発生ターゲット押え２２０が同軸で付設されており、支持部材２１０と重陽子発生ターゲット押え２２０との間には薄い円形のフィルム状の重陽子発生ターゲット１が同軸に挟まれて保持される。重陽子発生ターゲット１に対しては、垂直方向（図面の右方向）から高強度のレーザー光３００（詳細は後述）が照射される。
【００４７】
図示しない回転機構により矢印Ａ３方向に回転させられる回転ロッド２３０は、二股の軸受け機構２６０により回転自在に支持されており、回転ロッド２３０の先端には支持部材２１０が固定されている。よって、支持部材２１０と重陽子発生ターゲット押え２２０とに挟まれて保持された重陽子発生ターゲット１は、回転機構により矢印Ａ３の方向に回転される。
【００４８】
二股の軸受け機構２６０の基部は、矢印Ａ４方向に往復直線移動が可能なステージ２７０に固定されている。ステージ２７０を駆動する移動機構２４０にはシャフト２５０が取り付けられており、これを矢印Ａ５方向へ回動駆動することにより、支持部材２１０及び重陽子発生ターゲット押え２２０がその中心軸に対して垂直な方向Ａ４に移動させられる。
【００４９】
次に、回転式重陽子発生ターゲット装置５の動作について説明する。
【００５０】
重陽子発生ターゲット１に照射される高強度レーザー光３００は、例えば、パルスエネルギー１２０Ｊ、パルス幅０．９〜１．２ｐｓ、波長１．０５３μｍであり、図示されていない軸はずし放物面鏡（例えば、直径１８００ｍｍ、焦点距離４５０ｍｍ）により真空中（約１０^-5Ｔｏｒｒ）でスポット径６μｍ、光密度１０²⁰Ｗ／ｃｍ²に集光されて形成される。重陽子発生ターゲット１に高強度レーザー光３００が照射されると、その進行方向前方と後方へ高速重陽子が放出される。この高速重陽子が放出される方向に核反応物質（例えば、¹⁰Ｂ）が配置されていることにより、核反応（¹⁰Ｂ（ｄ，ｎ）¹¹Ｃ）によって放射性同位体（¹¹Ｃ）が生成される。ここで、¹⁰Ｂに変えて¹⁴Ｎが配置されている場合には、¹⁴Ｎ（ｄ，ｎ）¹⁵Ｏ反応によってポジトロン放出核¹⁵Ｏが生成される。
【００５１】
このように重陽子発生ターゲット１に高強度レーザー光３００が照射された場合、重陽子発生ターゲット１における高強度レーザー光３００の照射領域には穴Ｈ１が開き、同じ照射領域は再度使用することができない。よって、次に、図示しない回転機構により重陽子発生ターゲット１を所定の角度（１０度／秒）だけ矢印Ａ３方向に回転し、また、必要に応じて移動機構２４０によりステージ２７０を矢印Ａ４方向に所定の距離（１ｍｍ／秒）だけ移動させる。これにより重陽子発生ターゲット１における高強度レーザー光３００の照射領域が同心円状あるいは螺旋状に移動する。このように重陽子発生ターゲット１における高強度レーザー光３００の照射領域を同心円状又は螺旋状に移動することにより、同一の重陽子発生ターゲット１を連続して複数回にわたり使用することができる。
【００５２】
図７は、巻き取り式重陽子発生ターゲット装置６の構成を示す図であり、ここでは第３又は第４実施形態に係る帯状の重陽子発生ターゲットが適用される。巻き取り式重陽子発生ターゲット装置６は、例えば図３に示す重陽子発生ターゲット３と、これを所定の平面上（この実施形態ではガイド部４３０の長手方向に平行な平面）に保持するガイド部４３０を備えている。また、この重陽子発生ターゲット３を移動させる移動手段として、重陽子発生ターゲット３を巻き取る巻き取り機構４１０と、この巻き取り機構４１０に連結されこれを回転させるモーター４００と、重陽子発生ターゲット３を送り出す送り出し機構４２０とを備えている。
【００５３】
これを具体的に説明すると、四角い枠組みを有するフレーム４４０の上面内側及び下面内側それぞれの略中央部に互いに対向するようにＶ字型の溝部を有するガイド部４３０が取り付けられており、この双方のＶ字型の溝部により重陽子発生ターゲット３が移動可能に保持される。重陽子発生ターゲット３に対しては、垂直方向から図示しない高強度のレーザー光が照射される。
【００５４】
巻き取り機構４１０は、円筒状のシャフトを有し、このシャフトはその一端がフレーム４４０に回転自在に取り付けられており、他端がモーター４００の回転軸に同軸に連結されている。また、このシャフトには帯状の重陽子発生ターゲット３の一方の短辺が固定されており、モーター４００が駆動されることにより巻き取り機構４１０が矢印Ａ６方向に回転されて重陽子発生ターゲット３が巻き取られる。これによって、重陽子発生ターゲット３におけるレーザー光３００の照射領域は、矢印Ａ８方向に移動させられる。
【００５５】
送り出し機構４２０は、円筒状のシャフトを有し、このシャフトはその両端がフレーム４４０に回転自在に取り付けられている。また、このシャフトには帯状の重陽子発生ターゲット３の他方の短辺が固定されており、モーター４００の駆動によって巻き取り機構４１０が回転させられ重陽子発生ターゲット３が巻き取られることに従いシャフトが矢印Ａ７方向に回転させられる。これによって、重陽子発生ターゲット３が矢印Ａ８方向に送り出される。
【００５６】
図７に示す巻き取り式重陽子発生ターゲット装置６を用いた場合でも、図６の回転式重陽子発生ターゲット装置５を用いた場合と同様の作用、効果を奏することができる。
【００５７】
すなわち、図７において重陽子発生ターゲット３に高強度のレーザー光３００が照射されたとき、その照射領域には穴が開き、同じ照射領域は再度使用することができない。そこで、モーター４００を駆動し、巻き取り機構４１０を矢印Ａ６の方向に回転することにより、重陽子発生ターゲット３を所定の長さ（１ｍｍ／秒）矢印Ａ８方向に移動させる。これにより新しい照射領域がセットされる。このように重陽子発生ターゲット３を巻き取ることにより同一の重陽子発生ターゲット３を連続して使用することができる。
【００５８】
さらに、ターゲット領域７０が連続するスポット状となっている重陽子発生ターゲット４を用いた場合も、同様の作用と効果を奏する。
【００５９】
高強度レーザーを、例えば、繰返し周波数１０Ｈｚで繰返し動作をさせ、この繰返し動作の一周期の間に、連続したターゲット領域７０の中心間の長さだけ重陽子発生ターゲット４を巻き取る。このように、重陽子発生ターゲット４の巻き取り速度と高強度レーザーの繰返し周波数との同期を取ることによって、重水素化ポリスチレンを含浸したスポット状のターゲット領域７０のみに高強度レーザー光３００を照射することができる。この場合、高強度のレーザー光３００の照射が行われない部分にターゲット材料を塗布する必要が無いので、ターゲット材料を効率よく使用することができる格別の効果がある。
【００６０】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したとおり、本発明によれば、重陽子を効率よく発生することができる重陽子発生ターゲットと、これを用いた重陽子発生ターゲット装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る重陽子発生ターゲットの構成を示す模式図である。
【図２】第２実施形態に係る重陽子発生ターゲットの構成を示す模式図である。
【図３】第３実施形態に係る重陽子発生ターゲットの構成を示す模式図である。
【図４】第４実施形態に係る重陽子発生ターゲットの構成を示す模式図である。
【図５】第３実施形態に係る重陽子発生ターゲットの製造に用いられる装置を示す図である。
【図６】回転式重陽子発生ターゲット装置の構成を示す図である。
【図７】巻き取り式重陽子発生ターゲット装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
１，２，３，４…重陽子発生ターゲット、５…回転式重陽子発生ターゲット装置、６…巻き取り式重陽子発生ターゲット装置、１０…含ハロゲン有機化合物薄膜、２０…重水素化有機化合物層、３０，５０…多孔質膜、４０，６０，７０…ターゲット領域。

Claims

含ハロゲン有機化合物を主成分とする薄膜と、
前記薄膜に積層された重水素化された有機化合物を主成分とする層と、
を備える、
ことを特徴とする重陽子発生ターゲット。
含ハロゲン有機化合物を主成分とする多孔質膜を備え、
前記多孔質膜は、重水素化された有機化合物を含浸している、
ことを特徴とする重陽子発生ターゲット。
前記含ハロゲン有機化合物は、フッ素置換炭化水素である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の重陽子発生ターゲット。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の重陽子発生ターゲットと、
前記重陽子発生ターゲットを所定の平面上に保持する保持手段と、
前記保持手段を駆動することにより前記重陽子発生ターゲットを前記所定の平面に沿う方向に移動させる移動手段と、
を備えることを特徴とする重陽子発生ターゲット装置。