JP4111029B2

JP4111029B2 - Terminal electrode manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor module manufacturing method

Info

Publication number: JP4111029B2
Application number: JP2003083066A
Authority: JP
Inventors: 健湯沢
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-03-25
Filing date: 2003-03-25
Publication date: 2008-07-02
Anticipated expiration: 2023-03-25
Also published as: JP2004296498A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、端子電極の製造方法、半導体装置の製造方法および半導体モジュールの製造方法に関し、特に、異方性導電シートを用いたバンプ電極の接合方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（ＣｈｉｐＯｎＦｉｌｍ）、ＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）などでは、半導体チップとマザー基板とを接続するために、特許願２００１−４４８２４号の明細書および図面に開示されているように、半導体チップ上にバンプ電極を形成する方法がある。
【０００３】
図７は、従来のバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
図７（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板７１にはパッド電極７２が設けられ、パッド電極７２を含む半導体基板７１上には絶縁膜７３が形成されている。なお、絶縁膜７３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミド膜などを用いることができる。
【０００４】
そして、絶縁膜７３が形成された半導体基板７１上に感光性樹脂層７４を形成する。なお、感光性樹脂層７４は、例えば、スピンコート、カーテンコート、スクリーン印刷、インクジェット法などを用いて形成することができる。
次に、図７（ｂ）に示すように、感光性樹脂層７４の露光・現像を行うことにより、パッド電極７２上に開口部７５を形成する。
【０００５】
次に、図７（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、開口部７５内に導電層７６を形成する。なお、導電層７６としては、例えば、ニッケルＮｉ、金Ａｕ、銅Ｃｕなどを用いることができる。
次に、図７（ｄ）に示すように、感光性樹脂層７４を除去することにより、導電層７６の周囲を露出させ、導電層７６からなるバンプ電極を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のバンプ電極は突出構造となっているため、異方性導電シートを介して半導体チップと基板とを接続すると、バンプ電極上のＡＣＦ（ＡｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ）粒子が流出し、接続信頼性が劣化するという問題があった
そこで、本発明の目的は、異方性導電層を介して突起電極の接合を行う際に、ＡＣＦ粒子を突起電極上に効率よく捕らえることが可能な端子電極の製造方法、半導体装置の製造方法および半導体モジュールの製造方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の端子電極の製造方法によれば、パッド電極が設けられた基板上に樹脂層を形成する工程と、前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電層を埋め込む工程と、前記導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、前記導電層の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電層の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する際に、導電層の厚みのばらつきと樹脂層の厚みのばらつきとの双方を均一化することができる。
このため、導電層の一部を除去する際の厚みのばらつきで、導電層と樹脂層との間の段差のばらつきを決定することが可能となり、導電層と樹脂層との間の段差のばらつきを低減させて、ＡＣＦ粒子を導電層上に安定して捕らえることが可能となる。
【００１７】
また、請求項２記載の端子電極の製造方法によれば、請求項１において、前記導電層を埋め込む工程は、インクジェット法により行われることを特徴とする。
【００１８】
これにより、様々の導電材料を用いて開口部内に導電材料を埋め込むことが可能となるとともに、導電材料が埋め込まれた樹脂層を平坦化する際に、導電材料の厚みのばらつきと樹脂層の厚みのばらつきとの双方を均一化することができる。
このため、導電材料の一部を除去する際の厚みのばらつきで、導電材料と樹脂層との間の段差のばらつきを決定することが可能となり、導電材料と樹脂層との間の段差のばらつきを低減させて、ＡＣＦ粒子を導電材料上に安定して捕らえることが可能となる。
【００１９】
また、請求項３記載の端子電極の製造方法によれば、請求項１又は２において、前記導電層は、第１導電材料及び該第１導電材料上に形成された第２導電材料を有し、前記第２導電材料は、前記第１導電材料よりも柔らかいことを特徴とする。
また、請求項４記載の端子電極の製造方法によれば、請求項３において、前記第１導電材料は、ニッケル又は銅であり、前記第２導電材料は、金又はハンダ材であることを特徴とする。
また、請求項５記載の端子電極の製造方法によれば、請求項１乃至４のいずれかにおいて、前記基板は、半導体基板、ガラス基板、プリント基板、フィルム基板又はテープ基板であることを特徴とする。
また、請求項６記載の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板に能動領域を形成する工程と、前記能動領域が形成された前記半導体基板にパッド電極を形成する工程と、前記パッド電極が形成された前記半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電層を埋め込む工程と、前記導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、前記導電層の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電層の一部を除去する工程とを備えることを特徴とする。
また、請求項７記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項６において、前記導電層を埋め込む工程は、インクジェット法により行われることを特徴とする。
また、請求項８記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項６又は７において、前記導電層は、第１導電材料及び該第１導電材料上に形成された第２導電材料を有し、前記第２導電材料は、前記第１導電材料よりも柔らかいことを特徴とする。
また、請求項９記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項８において、前記第１導電材料は、ニッケル又は銅であり、前記第２導電材料は、金又はハンダ材であることを特徴とする。
また、請求項１０記載のモジュールの製造方法によれば、パッド電極が設けられた第１基板上に樹脂層を形成する工程と、前記パッド電極上の樹脂層に開口部を形成する工程と、
前記開口部上に盛り上がるようにして前記開口部内に導電層を埋め込む工程と、前記導電層が埋め込まれた樹脂層を平坦化する工程と、前記導電層の表面が前記樹脂層の表面よりも低くなるように、前記樹脂層に埋め込まれた導電層の一部を除去する工程と、異方性導電性シートを介して、前記第１基板と第２基板とを接合する工程とを備えることを特徴とする。
また、請求項１１記載のモジュールの製造方法によれば、請求項１０において、前記導電層を埋め込む工程は、インクジェット法により行われることを特徴とする。
また、請求項１２記載のモジュールの製造方法によれば、請求項１０又は１１において、前記導電層は、第１導電材料及び該第１導電材料上に形成された第２導電材料を有し、
前記第２導電材料は、前記第１導電材料よりも柔らかいことを特徴とする。
また、請求項１３記載のモジュールの製造方法によれば、請求項１２において、前記第１導電材料は、ニッケル又は銅であり、前記第２導電材料は、金又はハンダ材であることを特徴とする。
また、請求項１４記載のモジュールの製造方法によれば、請求項１０乃至１３のいずれかにおいて、前記第１基板は、半導体基板であることを特徴とする。
また、請求項１５記載のモジュールの製造方法によれば、請求項１１乃至１４のいずれかにおいて、前記異方性導電性シートは、ＡＣＦ粒子を含み、前記導電層の表面と前記樹脂層の表面との段差は前記ＡＣＦ粒子の径より小さいことを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る電極構造について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１参考形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。なお、この第１参考形態は、導電層６の周囲を感光性樹脂層４で覆うとともに、導電層６と感光性樹脂層４との間に段差を設けるようにしたものである。
【００２７】
図１（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板１にはパッド電極２が設けられ、パッド電極２を含む半導体基板１上には絶縁膜３が形成されている。なお、絶縁膜３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミド膜などを用いることができる。
そして、絶縁膜３が形成された半導体基板１上に感光性樹脂層４を形成する。なお、感光性樹脂層４は、例えば、スピンコート、カーテンコート、スクリーン印刷、インクジェット法などを用いて形成することができる。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように、感光性樹脂層４の露光・現像を行うことにより、パッド電極２上に開口部５を形成する。そして、この開口部５が形成された感光性樹脂層４をマスクとして、絶縁膜３のエッチングを行うことにより、パッド電極２を露出させる。
次に、図１（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、パッド電極２に接続された導電層６を開口部５内の途中の高さまで形成し、感光性樹脂層４と導電層６との間に高さＤの段差を設ける。なお、段差の高さＤは、ＡＣＦ粒子の平均直径よりも小さいことが好ましい。また、導電層６としては、例えば、ニッケルＮｉ、金Ａｕ、銅Ｃｕなどを用いることができる。
【００２９】
また、無電解メッキとしては、例えば、パッド電極２がアルミニウムＡｌで構成され、導電層６としてニッケルＮｉを用いる場合、アルカリ性亜鉛溶液を用いて、パッド電極２にジンケート処理を施し、パッド電極２の表面に亜鉛Ｚｎを置換・析出させる。
そして、表面が亜鉛Ｚｎに置換されたパッド電極２を無電解ニッケルメッキ液に浸すことで、亜鉛ＺｎとニッケルＮｉとを置換させ、ニッケルＮｉで構成される導電層６をパッド電極２上に形成することができる。
【００３０】
また、ジンケート処理とは別の方法として、例えば、アルミニウムＡｌからなるパッド電極２をパラジウムなどの還元剤を含む溶液に浸した後、無電解ニッケルメッキ液に浸すことで、パラジウムなどを核として、ニッケルＮｉで構成される導電層６をパッド電極２上に析出させることもできる。
これにより、導電層６上に配置されるＡＣＦ粒子が樹脂層４上に突出することを可能としつつ、ＡＣＦ粒子を導電層６上に閉じ込めることが可能となり、ＡＣＦ粒子を導電層６上に効率よく捕らえることが可能となる。
【００３１】
このため、異方性導電層を介して導電層６の接合を行う場合においても、ＡＣＦ粒子が導電層６上から流出することを防止することができ、異方性導電層を用いたバンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
図２は、本発明の第２参考形態に係るモジュール構造の製造方法を示す断面図である。なお、この第２参考形態は、異方性導電性シート１２を介し、感光性樹脂層４との間に段差が設けられた導電層６をガラス基板１０上に実装するようにしたものである。
【００３２】
図２（ａ）において、ガラス基板１０には、例えば、ＩＴＯ電極などからなる端子１１が形成されている。そして、異方性導電性シート１２を介し、図１の半導体基板１をガラス基板１０上に実装する場合、異方性導電性シート１２を間に挟んで、感光性樹脂層４との間に段差が設けられた導電層６を端子１１に対向配置する。
【００３３】
次に、図２（ｂ）において、異方性導電性シート１２を間に挟んだ状態で、加熱・加圧下でガラス基板１０と半導体基板１とを接着することにより、導電層６とリード端子１１とを電気的に接続する。
ここで、異方性導電性シート１２を加熱すると、ＡＣＦ粒子１３は、異方性導電性シート１２内で流動できるようになるとともに、感光性樹脂層４と導電層６との間の段差が障壁となって、導電層６上に閉じ込められる。
【００３４】
このため、図２（ｃ）に示すように、ＡＣＦ粒子１３が導電層６上に集められ、感光性樹脂層４上のＡＣＦ粒子１３の密度に比べて、導電層６上のＡＣＦ粒子１３の密度が大きくなる。
この結果、導電層６の表面の高さが感光性樹脂層４の表面の高さよりも低くなるようにして、導電層６の周囲を感光性樹脂層４で覆った場合においても、感光性樹脂層４上の異方性導電性シート１２の絶縁性を維持しつつ、導電層６とリード端子１１とを電気的に接続することが可能となる。
【００３５】
従って、導電層６を硬い金属で構成した場合においても、接合時のダメージを感光性樹脂層４で吸収することが可能となり、半導体基板１に及ぶダメージを軽減しつつ、バンプ電極間の狭ピッチ化を進めて、バンプ電極の高密度化を図ることが可能となるとともに、ＡＣＦ粒子が導電層６上から流出することを防止して、異方性導電層によるバンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００３６】
図３は、本発明の第３参考形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。なお、この第３参考形態は、導電層２６の周囲を感光性樹脂層２４で覆うとともに、インクジェット法により導電層２６を形成するようにしたものである。
図３（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板２１にはパッド電極２２が設けられ、半導体基板２１上にはパッド電極２２が露出するようにして絶縁膜２３が形成されている。そして、絶縁膜２３が形成された半導体基板２１上に感光性樹脂層２４を形成する。
【００３７】
次に、図３（ｂ）に示すように、感光性樹脂層２４の露光・現像を行うことにより、パッド電極２２の周囲に感光性樹脂層２４が残るようにして、パッド電極２２上に開口部２５を形成する。
次に、図３（ｃ）に示すように、インクジェットヘッド２７を介して液滴２８を開口部２５内に吐出させ、パッド電極２２に接続された導電層２６を開口部２５内の途中の高さまで形成し、感光性樹脂層２４と導電層２６との間に段差を設ける。なお、液滴２８としては、例えば、ニッケルＮｉ、金Ａｕまたは銅Ｃｕなどの金属粉が溶媒に分散された金属スラリーあるいは金属ペーストなどを用いることができる。
【００３８】
これにより、製造工程の簡略化を図りつつ、導電層２６の周囲に感光性樹脂層２４を設けることが可能となり、ＡＣＦ粒子を導電層２６上に閉じ込めることを可能として、ＡＣＦ粒子を導電層２６上に効率よく捕らえることが可能となる。
図４は、本発明の第４参考形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。なお、この第４参考形態は、バンプ電極の周囲を感光性樹脂層４４で覆うとともに、バンプ電極を導電層４６、４７からなる２層構造としたものである。
【００３９】
図４（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板４１にはパッド電極４２が設けられ、パッド電極４２を含む半導体基板４１上には絶縁膜４３が形成されている。そして、絶縁膜４３が形成された半導体基板４１上に感光性樹脂層４４を形成する。
次に、図４（ｂ）に示すように、感光性樹脂層４４の露光・現像を行うことにより、パッド電極４２上に開口部４５を形成する。そして、この開口部４５が形成された感光性樹脂層４４をマスクとして、絶縁膜４３のエッチングを行うことにより、パッド電極４２を露出させる。
【００４０】
次に、図４（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、パッド電極４２に接続された導電層４６を開口部４５内の途中の高さまで形成する。なお、導電層４６としては、例えば、ニッケルＮｉ、銅Ｃｕなどの硬い金属を用いることができる。
次に、メッキ液を交換し、無電解メッキを用いることにより、導電層４６に接続された導電層４７を開口部４５内の途中の高さまで形成し、感光性樹脂層４４と導電層４７との間に段差を設ける。なお、段差の高さは、ＡＣＦ粒子の平均直径よりも小さいことが好ましい。また、導電層４７としては、例えば、金Ａｕなどの柔らかい金属を用いることができる。また、導電層４７としては、例えば、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｚｕなどのハンダ材を用いるようにしてもよい。
【００４１】
これにより、異なる材質の導電層４６、４７でバンプ電極を構成することを可能としつつ、ＡＣＦ粒子を導電層４７上に閉じ込めることが可能となり、接合時のダメージ吸収を導電層４７で行うことを可能としつつ、ＡＣＦ粒子を導電層４７上に効率よく捕らえることが可能となる。
このため、異方性導電層を介してパンプ電極の接合を行う場合においても、ＡＣＦ粒子がパンプ電極上から流出することを防止することが可能となるとともに、感光性樹脂層４４および導電層４７の双方を用いて接合時のダメージを緩和することが可能となり、異方性導電層を用いたバンプ電極の接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００４２】
図５は、本発明の第１実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。なお、この第１実施形態は、導電層５６が埋め込まれた感光性樹脂層５４を平坦化した後、導電層５６と感光性樹脂層５４との間に段差を設けるようにしたものである。
図５（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板５１にはパッド電極５２が設けられ、パッド電極５２を含む半導体基板５１上には絶縁膜５３が形成されている。そして、絶縁膜５３が形成された半導体基板５１上に感光性樹脂層５４を形成する。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、感光性樹脂層５４の露光・現像を行うことにより、パッド電極５２上に開口部５５を形成する。そして、この開口部５５が形成された感光性樹脂層５４をマスクとして、絶縁膜５３のエッチングを行うことにより、パッド電極５２を露出させる。
次に、図５（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、導電層５６が感光性樹脂層５４上に盛り上がるようにして、パッド電極５２に接続された導電層５６を開口部５５内に形成する。
【００４４】
なお、導電層５６を開口部５５内に形成する場合、無電解メッキの他、インクジェット法を用いるようにしてもよい。
次に、図５（ｄ）に示すように、例えば、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）などの方法を用いて、導電層５６が埋め込まれた感光性樹脂層５４の表面を研磨することにより、感光性樹脂層５４の表面を平坦化する。
【００４５】
次に、図５（ｅ）に示すように、感光性樹脂層５４に埋め込まれた導電層５６をエッチングすることにより、導電層５６の一部を除去し、感光性樹脂層５４と導電層５６との間に段差を設ける。なお、段差の高さは、ＡＣＦ粒子の平均直径よりも小さいことが好ましい。
これにより、導電層５６が埋め込まれた感光性樹脂層５４の表面を平坦化する際に、導電層５６の高さと感光性樹脂層５４の高さとを一致させることが可能となり、導電層５６の厚みのばらつきと樹脂層５４の厚みのばらつきとの双方を均一化することができる。
【００４６】
このため、導電層５６と樹脂層５４との間の段差のばらつきを、導電層５６をエッチングする際のばらつきで決定することが可能となり、導電層５６の表面が樹脂層５４の表面より低くなるように、開口部５５内に導電層５６を埋め込む方法に比べて、導電層５６と樹脂層５４との間の段差のばらつきを低減させることが可能となる。
【００４７】
図６は、本発明の第２実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。なお、この第２実施形態は、バンプ電極が埋め込まれた感光性樹脂層６４を平坦化した後、バンプ電極と感光性樹脂層６４との間に段差を設けるとともに、バンプ電極を導電層６６、６７からなる２層構造としたものである。
図６（ａ）において、能動領域が形成された半導体基板６１にはパッド電極６２が設けられ、パッド電極６２を含む半導体基板６１上には絶縁膜６３が形成されている。そして、絶縁膜６３が形成された半導体基板６１上に感光性樹脂層６４を形成する。
【００４８】
次に、図６（ｂ）に示すように、感光性樹脂層６４の露光・現像を行うことにより、パッド電極６２上に開口部６５を形成する。そして、この開口部６５が形成された感光性樹脂層６４をマスクとして、絶縁膜６３のエッチングを行うことにより、パッド電極６２を露出させる。
次に、図６（ｃ）に示すように、無電解メッキを用いることにより、パッド電極６２に接続された導電層６６を開口部６５内の途中の高さまで形成する。なお、導電層６６としては、例えば、ニッケルＮｉ、銅Ｃｕなどの硬い金属を用いることができる。
【００４９】
さらに、メッキ液を交換し、無電解メッキを行うことにより、導電層６７が感光性樹脂層６４上に盛り上がるようにして、導電層６６に接続された導電層６７を開口部６５内に形成する。なお、導電層６７としては、例えば、金Ａｕなどの柔らかい金属を用いることができる。また、導電層６７としては、例えば、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｚｕなどのハンダ材を用いるようにしてもよい。
【００５０】
なお、導電層６６、６７を開口部６５内に形成する場合、無電解メッキの他、インクジェット法を用いるようにしてもよい。
次に、図６（ｄ）に示すように、例えば、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）などの方法を用いて、導電層６６、６７が埋め込まれた感光性樹脂層６４の表面を研磨することにより、感光性樹脂層６４の表面を平坦化する。
【００５１】
次に、図６（ｅ）に示すように、感光性樹脂層６４に埋め込まれた導電層６７をエッチングすることにより、導電層６７の一部を除去し、感光性樹脂層６４と導電層６７との間に段差を設ける。なお、段差の高さは、ＡＣＦ粒子の平均直径よりも小さいことが好ましい。
これにより、導電層６６、６７が埋め込まれた感光性樹脂層６４の表面を平坦化する際に、導電層６７の高さと感光性樹脂層６４の高さとを一致させることが可能となり、導電層６６、６７の厚みのばらつきと樹脂層６４の厚みのばらつきとの双方を均一化することができる。
【００５２】
このため、異なる材質の導電層６６、６７でバンプ電極を構成することを可能としつつ、導電層６６と樹脂層６４との間の段差のばらつきを、導電層６７をエッチングする際のばらつきで決定することが可能となる。
従って、導電層６６と樹脂層６４との間の段差のばらつきを低減させることを可能としつつ、感光性樹脂層６４および導電層６７の双方を用いて接合時のダメージを緩和することが可能となり、異方性導電層を用いたバンプ電極の接続信頼性を容易に向上させることが可能となる。
【００５３】
なお、上述した実施形態では、半導体基板上にバンプ電極を形成する方法について説明したが、本発明は、半導体基板に限定されることなく、例えば、ガラス基板、プリント基板、フィルム基板、テープ基板上などにバンプ電極を形成する方法に適用してもよい。
また、上述したバンプ電極構造は、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ＭＤ（ＭｉｎｉＤｉｓｃ）プレーヤなどの電子機器に適用することができ、電子機器の信頼性を劣化させることなく、電子機器の小型・軽量化を図ることが可能となる。
【００５４】
また、上述した実施形態では、バンプ電極の周囲を感光性樹脂で覆う方法について説明したが、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などでバンプ電極の周囲を覆うようにしてもよく、この場合、フォトリソグラフィー技術を用いて、熱硬化性樹脂などの非感光性樹脂のパターニングを行うことができる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、突起電極の周囲を樹脂層で囲むことにより、突起電極を硬い金属で構成した場合においても、突起電極にかかるダメージを樹脂層で緩和することが可能となり、突起電極間の狭ピッチ化を進めて、バンプ電極の高密度化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１参考形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第２参考形態に係るモジュール構造の製造方法を示す断面図である。
面図である。
【図３】本発明の第３参考形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第４参考形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係るモジュール構造の製造方法を示す断面図である。
【図７】従来のバンプ電極の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１、２１、４１、５１、６１半導体基板、２、２２、４２、５２、６２パッド電極、３、２３、４３、５３、６３絶縁膜、４、２４、４５、５４、６４感光性樹脂層、５、２５、４６、５５、６５開口部、６、２６、５６導電層、１０ガラス基板、１１電極、１２異方性導電性シート、１３ＡＣＦ粒子、２７インクジェットヘッド、２８液滴、３４シード電極、４６、６６第１導電層、４７、６７第２導電層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a terminal electrode, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a semiconductor module , and is particularly suitable for application to a bump electrode bonding method using an anisotropic conductive sheet.
[0002]
[Prior art]
Conventional TCP (Tape Carrier Package), COF (Chip On Film), COG (Chip On Glass), etc. are disclosed in the specification and drawings of Japanese Patent Application No. 2001-44824 for connecting a semiconductor chip and a mother substrate. As described, there is a method of forming bump electrodes on a semiconductor chip.
[0003]
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional bump electrode manufacturing method.
In FIG. 7A, a pad electrode 72 is provided on a semiconductor substrate 71 on which an active region is formed, and an insulating film 73 is formed on the semiconductor substrate 71 including the pad electrode 72. As the insulating film 73, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a polyimide film, or the like can be used.
[0004]
Then, a photosensitive resin layer 74 is formed on the semiconductor substrate 71 on which the insulating film 73 is formed. The photosensitive resin layer 74 can be formed using, for example, spin coating, curtain coating, screen printing, an ink jet method, or the like.
Next, as shown in FIG. 7B, an opening 75 is formed on the pad electrode 72 by exposing and developing the photosensitive resin layer 74.
[0005]
Next, as shown in FIG. 7C, a conductive layer 76 is formed in the opening 75 by using electroless plating. As the conductive layer 76, for example, nickel Ni, gold Au, copper Cu or the like can be used.
Next, as shown in FIG. 7D, by removing the photosensitive resin layer 74, the periphery of the conductive layer 76 is exposed, and a bump electrode made of the conductive layer 76 is formed.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, since the conventional bump electrode has a protruding structure, when the semiconductor chip and the substrate are connected via the anisotropic conductive sheet, ACF (Anisotropic Conductive Film) particles on the bump electrode flow out, and the connection reliability Therefore, the object of the present invention is to provide a terminal electrode capable of efficiently capturing ACF particles on the protruding electrode when bonding the protruding electrode through the anisotropic conductive layer . A manufacturing method, a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor module manufacturing method are provided.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, according to the method for manufacturing a terminal electrode according to claim 1, a step of forming a resin layer on a substrate provided with a pad electrode, and an opening in the resin layer on the pad electrode Forming a conductive layer in the opening so as to rise above the opening, planarizing the resin layer in which the conductive layer is embedded, and the surface of the conductive layer is the resin And a step of removing a part of the conductive layer embedded in the resin layer so as to be lower than the surface of the layer.
[0016]
Thereby, when flattening the resin layer in which the conductive layer is embedded, both the variation in the thickness of the conductive layer and the variation in the thickness of the resin layer can be made uniform.
For this reason, it is possible to determine the variation in the level difference between the conductive layer and the resin layer by the variation in the thickness when removing a part of the conductive layer, and the variation in the level difference between the conductive layer and the resin layer. It is possible to stably capture the ACF particles on the conductive layer.
[0017]
Further, according to the method of manufacturing the terminal electrodes according to claim 2, in claim 1, the step of embedding the conductive layer is characterized by an ink jet method.
[0018]
Accordingly, it is possible to embed the conductive material in the opening portion using various conductive materials, and when flattening the resin layer in which the conductive material is embedded, the variation in the thickness of the conductive material and the thickness of the resin layer It is possible to equalize both of the fluctuations.
For this reason, it is possible to determine the variation in level difference between the conductive material and the resin layer by the variation in thickness when removing a part of the conductive material, and the variation in level difference between the conductive material and the resin layer. It is possible to stably capture the ACF particles on the conductive material.
[0019]
According to the method for manufacturing a terminal electrode according to claim 3, in claim 1 or 2, the conductive layer has a first conductive material and a second conductive material formed on the first conductive material. The second conductive material is softer than the first conductive material.
According to a method for manufacturing a terminal electrode according to claim 4, in claim 3, the first conductive material is nickel or copper, and the second conductive material is gold or solder material. And
In addition, according to the method for manufacturing a terminal electrode according to claim 5, in any one of claims 1 to 4, the substrate is a semiconductor substrate, a glass substrate, a printed substrate, a film substrate, or a tape substrate. To do.
According to the manufacturing method of the semi-conductor device according to claim 6, wherein the steps of forming an active region in the semiconductor substrate, forming a pad electrode on the semiconductor substrate on which the active region is formed, the pad electrode A step of forming a resin layer on the semiconductor substrate on which the conductive layer is formed, a step of forming an opening in the resin layer on the pad electrode, and a conductive layer embedded in the opening so as to rise above the opening A step of planarizing the resin layer in which the conductive layer is embedded; and a part of the conductive layer embedded in the resin layer so that a surface of the conductive layer is lower than a surface of the resin layer. And a removing step.
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a semiconductor device according to the sixth aspect, wherein the step of embedding the conductive layer is performed by an ink jet method.
According to a method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, in claim 6 or 7, the conductive layer has a first conductive material and a second conductive material formed on the first conductive material. The second conductive material is softer than the first conductive material.
According to a method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9, in claim 8, the first conductive material is nickel or copper, and the second conductive material is gold or solder material. And
According to the module manufacturing method of claim 10, the step of forming a resin layer on the first substrate provided with the pad electrode, the step of forming an opening in the resin layer on the pad electrode,
A step of embedding a conductive layer in the opening so as to rise above the opening, a step of flattening the resin layer in which the conductive layer is embedded, and the surface of the conductive layer is lower than the surface of the resin layer And a step of removing a part of the conductive layer embedded in the resin layer, and a step of bonding the first substrate and the second substrate through an anisotropic conductive sheet. Features.
The module manufacturing method according to claim 11 is characterized in that, in claim 10, the step of embedding the conductive layer is performed by an ink jet method .
According to a method for manufacturing a module according to claim 12, in claim 10 or 11, the conductive layer includes a first conductive material and a second conductive material formed on the first conductive material,
The second conductive material is softer than the first conductive material .
The module manufacturing method according to claim 13 is characterized in that, in claim 12 , the first conductive material is nickel or copper, and the second conductive material is gold or solder material. To do.
Further, according to the method of manufacturing the module according to claim 14, in any one of claims 10 to 13, wherein the first substrate is characterized by a semiconductor substrate.
Further, according to the method for manufacturing a module according to claim 15, in any one of claims 11 to 14, the anisotropic conductive sheet includes ACF particles, and the surface of the conductive layer and the surface of the resin layer The step is smaller than the diameter of the ACF particles .
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an electrode structure according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
Figure 1 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of the bump electrodes according to the first referential embodiment of the present invention. In the first reference embodiment, the periphery of the conductive layer 6 is covered with the photosensitive resin layer 4, and a step is provided between the conductive layer 6 and the photosensitive resin layer 4.
[0027]
In FIG. 1A, a pad electrode 2 is provided on a semiconductor substrate 1 on which an active region is formed, and an insulating film 3 is formed on the semiconductor substrate 1 including the pad electrode 2. As the insulating film 3, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a polyimide film, or the like can be used.
Then, a photosensitive resin layer 4 is formed on the semiconductor substrate 1 on which the insulating film 3 is formed. The photosensitive resin layer 4 can be formed by using, for example, spin coating, curtain coating, screen printing, an inkjet method, or the like.
[0028]
Next, as shown in FIG. 1B, the opening 5 is formed on the pad electrode 2 by exposing and developing the photosensitive resin layer 4. Then, the pad electrode 2 is exposed by etching the insulating film 3 using the photosensitive resin layer 4 in which the opening 5 is formed as a mask.
Next, as shown in FIG. 1C, by using electroless plating, the conductive layer 6 connected to the pad electrode 2 is formed to a height in the middle of the opening 5, and the photosensitive resin layer 4 and A step having a height D is provided between the conductive layer 6 and the conductive layer 6. The step height D is preferably smaller than the average diameter of the ACF particles. As the conductive layer 6, for example, nickel Ni, gold Au, copper Cu, or the like can be used.
[0029]
As the electroless plating, for example, when the pad electrode 2 is made of aluminum Al and nickel Ni is used as the conductive layer 6, a zincate treatment is performed on the pad electrode 2 using an alkaline zinc solution, Zinc Zn is substituted and deposited on the surface.
Then, by immersing the pad electrode 2 whose surface is replaced with zinc Zn in an electroless nickel plating solution, zinc Zn and nickel Ni are replaced, and a conductive layer 6 made of nickel Ni is formed on the pad electrode 2. can do.
[0030]
Further, as a method different from the zincate treatment, for example, by immersing the pad electrode 2 made of aluminum Al in a solution containing a reducing agent such as palladium, and then immersing it in an electroless nickel plating solution, A conductive layer 6 made of nickel Ni can be deposited on the pad electrode 2.
This makes it possible to confine the ACF particles on the conductive layer 6 while allowing the ACF particles arranged on the conductive layer 6 to protrude onto the resin layer 4, and to efficiently place the ACF particles on the conductive layer 6. It becomes possible to catch well.
[0031]
Therefore, even when the conductive layer 6 is bonded via the anisotropic conductive layer, the ACF particles can be prevented from flowing out from the conductive layer 6, and the bump electrode using the anisotropic conductive layer can be prevented. It is possible to improve the connection reliability.
Figure 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of a module structure according to a second referential embodiment of the present invention. In the second reference embodiment, the conductive layer 6 provided with a step between the photosensitive resin layer 4 and the anisotropic conductive sheet 12 is mounted on the glass substrate 10. .
[0032]
In FIG. 2A, the glass substrate 10 is formed with terminals 11 made of, for example, ITO electrodes. When the semiconductor substrate 1 of FIG. 1 is mounted on the glass substrate 10 via the anisotropic conductive sheet 12, the anisotropic conductive sheet 12 is interposed between the photosensitive resin layer 4 and the anisotropic conductive sheet 12. The conductive layer 6 provided with a step is disposed opposite to the terminal 11.
[0033]
Next, in FIG. 2B, the glass substrate 10 and the semiconductor substrate 1 are bonded under heating and pressure with the anisotropic conductive sheet 12 sandwiched therebetween, whereby the conductive layer 6 and the lead terminal are bonded. 11 is electrically connected.
Here, when the anisotropic conductive sheet 12 is heated, the ACF particles 13 can flow in the anisotropic conductive sheet 12 and a step between the photosensitive resin layer 4 and the conductive layer 6 is formed. It becomes a barrier and is confined on the conductive layer 6.
[0034]
Therefore, as shown in FIG. 2C, the ACF particles 13 are collected on the conductive layer 6, and the density of the ACF particles 13 on the conductive layer 6 is compared with the density of the ACF particles 13 on the photosensitive resin layer 4. Density increases.
As a result, even when the surface of the conductive layer 6 is lower than the height of the surface of the photosensitive resin layer 4 and the periphery of the conductive layer 6 is covered with the photosensitive resin layer 4, the photosensitive resin The conductive layer 6 and the lead terminal 11 can be electrically connected while maintaining the insulating property of the anisotropic conductive sheet 12 on the layer 4.
[0035]
Therefore, even when the conductive layer 6 is made of a hard metal, it is possible to absorb damage at the time of bonding by the photosensitive resin layer 4 and reduce the damage to the semiconductor substrate 1 while reducing the pitch between the bump electrodes. As a result, it is possible to increase the density of the bump electrode and to prevent the ACF particles from flowing out from the conductive layer 6 and to improve the connection reliability of the bump electrode by the anisotropic conductive layer. It becomes possible to make it.
[0036]
Figure 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of the bump electrodes according to a third referential embodiment of the present invention. In the third reference embodiment, the periphery of the conductive layer 26 is covered with the photosensitive resin layer 24, and the conductive layer 26 is formed by an inkjet method.
In FIG. 3A, a pad electrode 22 is provided on a semiconductor substrate 21 on which an active region is formed, and an insulating film 23 is formed on the semiconductor substrate 21 so that the pad electrode 22 is exposed. Then, a photosensitive resin layer 24 is formed on the semiconductor substrate 21 on which the insulating film 23 is formed.
[0037]
Next, as shown in FIG. 3B, the photosensitive resin layer 24 is exposed and developed to leave the photosensitive resin layer 24 around the pad electrode 22, and an opening is formed on the pad electrode 22. A portion 25 is formed.
Next, as shown in FIG. 3C, the droplet 28 is ejected into the opening 25 via the ink jet head 27, and the conductive layer 26 connected to the pad electrode 22 is formed in the middle of the opening 25. And a step is provided between the photosensitive resin layer 24 and the conductive layer 26. As the droplet 28, for example, a metal slurry or a metal paste in which a metal powder such as nickel Ni, gold Au, or copper Cu is dispersed in a solvent can be used.
[0038]
As a result, the photosensitive resin layer 24 can be provided around the conductive layer 26 while simplifying the manufacturing process, and the ACF particles can be confined on the conductive layer 26. It is possible to capture efficiently.
Figure 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of the bump electrodes according to a fourth reference embodiment of the present invention. In the fourth reference embodiment, the periphery of the bump electrode is covered with a photosensitive resin layer 44, and the bump electrode has a two-layer structure including conductive layers 46 and 47.
[0039]
In FIG. 4A, a pad electrode 42 is provided on a semiconductor substrate 41 on which an active region is formed, and an insulating film 43 is formed on the semiconductor substrate 41 including the pad electrode 42. Then, a photosensitive resin layer 44 is formed on the semiconductor substrate 41 on which the insulating film 43 is formed.
Next, as shown in FIG. 4B, the opening 45 is formed on the pad electrode 42 by exposing and developing the photosensitive resin layer 44. The pad electrode 42 is exposed by etching the insulating film 43 using the photosensitive resin layer 44 in which the opening 45 is formed as a mask.
[0040]
Next, as shown in FIG. 4C, the electroconductive layer 46 connected to the pad electrode 42 is formed to a height in the middle of the opening 45 by using electroless plating. As the conductive layer 46, for example, a hard metal such as nickel Ni or copper Cu can be used.
Next, the plating solution is replaced, and electroless plating is used to form a conductive layer 47 connected to the conductive layer 46 up to a height in the middle of the opening 45. The photosensitive resin layer 44, the conductive layer 47, A step is provided between the two. Note that the height of the step is preferably smaller than the average diameter of the ACF particles. Further, as the conductive layer 47, for example, a soft metal such as gold Au can be used. Further, as the conductive layer 47, for example, a solder material such as Sn, Sn—Pb, Sn—Ag, Sn—Cu, or Sn—Zu may be used.
[0041]
As a result, it is possible to confine the ACF particles on the conductive layer 47 while making it possible to form the bump electrodes with the conductive layers 46 and 47 made of different materials, and the conductive layer 47 can absorb damage at the time of bonding. It becomes possible to capture the ACF particles on the conductive layer 47 efficiently.
For this reason, even when the pump electrode is joined through the anisotropic conductive layer, it is possible to prevent the ACF particles from flowing out of the pump electrode, and the photosensitive resin layer 44 and the conductive layer 47. Both of them can be used to alleviate damage at the time of bonding, and the connection reliability of the bump electrode using the anisotropic conductive layer can be improved.
[0042]
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the bump electrode manufacturing method according to the first embodiment of the present invention. In the first embodiment, a level difference is provided between the conductive layer 56 and the photosensitive resin layer 54 after the photosensitive resin layer 54 in which the conductive layer 56 is embedded is planarized.
In FIG. 5A, a pad electrode 52 is provided on a semiconductor substrate 51 on which an active region is formed, and an insulating film 53 is formed on the semiconductor substrate 51 including the pad electrode 52. Then, a photosensitive resin layer 54 is formed on the semiconductor substrate 51 on which the insulating film 53 is formed.
[0043]
Next, as shown in FIG. 5B, an opening 55 is formed on the pad electrode 52 by exposing and developing the photosensitive resin layer 54. The pad electrode 52 is exposed by etching the insulating film 53 using the photosensitive resin layer 54 with the opening 55 formed as a mask.
Next, as shown in FIG. 5C, by using electroless plating, the conductive layer 56 is raised on the photosensitive resin layer 54, and the conductive layer 56 connected to the pad electrode 52 is opened. 55.
[0044]
In addition, when forming the conductive layer 56 in the opening part 55, you may make it use the inkjet method other than electroless plating.
Next, as shown in FIG. 5D, by polishing the surface of the photosensitive resin layer 54 in which the conductive layer 56 is embedded, using a method such as CMP (Chemical Mechanical Polishing), for example, The surface of the photosensitive resin layer 54 is flattened.
[0045]
Next, as shown in FIG. 5E, the conductive layer 56 embedded in the photosensitive resin layer 54 is etched to remove a part of the conductive layer 56, and the photosensitive resin layer 54 and the conductive layer 56 are removed. Provide a step between the two. Note that the height of the step is preferably smaller than the average diameter of the ACF particles.
Accordingly, when the surface of the photosensitive resin layer 54 in which the conductive layer 56 is embedded is flattened, the height of the conductive layer 56 and the height of the photosensitive resin layer 54 can be made to coincide with each other. Both the variation in thickness and the variation in thickness of the resin layer 54 can be made uniform.
[0046]
For this reason, it becomes possible to determine the variation in the level difference between the conductive layer 56 and the resin layer 54 by the variation in etching the conductive layer 56, and the surface of the conductive layer 56 becomes lower than the surface of the resin layer 54. As described above, it is possible to reduce the variation in the level difference between the conductive layer 56 and the resin layer 54 as compared with the method of embedding the conductive layer 56 in the opening 55.
[0047]
FIG. 6 is a sectional view showing a bump electrode manufacturing method according to the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, after planarizing the photosensitive resin layer 64 in which the bump electrode is embedded, a step is provided between the bump electrode and the photosensitive resin layer 64, and the bump electrode is connected to the conductive layer 66, A two-layer structure consisting of 67 is used.
In FIG. 6A, a pad electrode 62 is provided on a semiconductor substrate 61 on which an active region is formed, and an insulating film 63 is formed on the semiconductor substrate 61 including the pad electrode 62. Then, a photosensitive resin layer 64 is formed on the semiconductor substrate 61 on which the insulating film 63 is formed.
[0048]
Next, as shown in FIG. 6B, an opening 65 is formed on the pad electrode 62 by exposing and developing the photosensitive resin layer 64. The pad electrode 62 is exposed by etching the insulating film 63 using the photosensitive resin layer 64 in which the opening 65 is formed as a mask.
Next, as shown in FIG. 6C, the electroconductive layer 66 connected to the pad electrode 62 is formed to a height in the middle of the opening 65 by using electroless plating. As the conductive layer 66, for example, a hard metal such as nickel Ni or copper Cu can be used.
[0049]
Further, by replacing the plating solution and performing electroless plating, the conductive layer 67 is formed on the photosensitive resin layer 64 so that the conductive layer 67 connected to the conductive layer 66 is formed in the opening 65. . As the conductive layer 67, for example, a soft metal such as gold Au can be used. Further, as the conductive layer 67, for example, a solder material such as Sn, Sn—Pb, Sn—Ag, Sn—Cu, or Sn—Zu may be used.
[0050]
In addition, when forming the conductive layers 66 and 67 in the opening part 65, you may make it use the inkjet method other than electroless plating.
Next, as shown in FIG. 6D, the surface of the photosensitive resin layer 64 in which the conductive layers 66 and 67 are embedded is polished using a method such as CMP (Chemical Mechanical Polishing), for example. Thus, the surface of the photosensitive resin layer 64 is flattened.
[0051]
Next, as shown in FIG. 6E, a part of the conductive layer 67 is removed by etching the conductive layer 67 embedded in the photosensitive resin layer 64, and the photosensitive resin layer 64 and the conductive layer 67 are removed. Provide a step between the two. Note that the height of the step is preferably smaller than the average diameter of the ACF particles.
Accordingly, when the surface of the photosensitive resin layer 64 in which the conductive layers 66 and 67 are embedded is flattened, the height of the conductive layer 67 and the height of the photosensitive resin layer 64 can be matched. Both the variation in the thicknesses 66 and 67 and the variation in the thickness of the resin layer 64 can be made uniform.
[0052]
For this reason, it is possible to form the bump electrode with the conductive layers 66 and 67 made of different materials, and the variation in the level difference between the conductive layer 66 and the resin layer 64 is determined by the variation when the conductive layer 67 is etched. It becomes possible to do.
Accordingly, it is possible to reduce damage at the time of bonding using both the photosensitive resin layer 64 and the conductive layer 67 while making it possible to reduce the variation in the level difference between the conductive layer 66 and the resin layer 64. It is possible to easily improve the connection reliability of the bump electrode using the anisotropic conductive layer.
[0053]
In the above-described embodiment, the method of forming the bump electrode on the semiconductor substrate has been described. However, the present invention is not limited to the semiconductor substrate, and for example, on a glass substrate, a printed substrate, a film substrate, or a tape substrate. For example, it may be applied to a method of forming bump electrodes.
The bump electrode structure described above can be applied to electronic devices such as a liquid crystal display device, a mobile phone, a portable information terminal, a video camera, a digital camera, and an MD (Mini Disc) player. It is possible to reduce the size and weight of the electronic device without deteriorating the thickness.
[0054]
In the embodiment described above, the method of covering the periphery of the bump electrode with the photosensitive resin has been described. However, the periphery of the bump electrode may be covered with a thermosetting resin such as an epoxy resin. A lithography technique can be used to pattern a non-photosensitive resin such as a thermosetting resin.
[0055]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, by surrounding the protruding electrode with the resin layer, even when the protruding electrode is made of a hard metal, damage to the protruding electrode can be mitigated by the resin layer. Accordingly, it is possible to increase the density of the bump electrodes by narrowing the pitch between the protruding electrodes.
[Brief description of the drawings]
1 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of the bump electrodes according to the first referential embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of a module structure according to a second referential embodiment of the present invention.
FIG.
3 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of the bump electrodes according to a third referential embodiment of the present invention.
It is a cross-sectional view showing a manufacturing method of the bump electrodes according to a fourth reference embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the bump electrode manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a module structure manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional bump electrode manufacturing method.
[Explanation of symbols]
1, 2, 41, 51, 61 Semiconductor substrate, 2, 22, 42, 52, 62 Pad electrode, 3, 23, 43, 53, 63 Insulating film, 4, 24, 45, 54, 64 Photosensitive resin layer, 5, 25, 46, 55, 65 Opening, 6, 26, 56 Conductive layer, 10 Glass substrate, 11 electrode, 12 Anisotropic conductive sheet, 13 ACF particle, 27 Inkjet head, 28 droplet, 34 Seed electrode , 46, 66 First conductive layer, 47, 67 Second conductive layer

Claims

Forming a resin layer on a substrate provided with a pad electrode;
Forming an opening in the resin layer on the pad electrode;
Embedding a conductive layer in the opening so as to rise above the opening;
Flattening the resin layer in which the conductive layer is embedded;
And a step of removing a part of the conductive layer embedded in the resin layer so that the surface of the conductive layer is lower than the surface of the resin layer.

In claim 1,
The step of embedding the conductive layer is performed by an ink jet method.

In claim 1 or 2,
The conductive layer has a first conductive material and a second conductive material formed on the first conductive material,
The method of manufacturing a terminal electrode, wherein the second conductive material is softer than the first conductive material.

In claim 3,
The first conductive material is nickel or copper,
The method of manufacturing a terminal electrode, wherein the second conductive material is gold or a solder material.

In any one of Claims 1 thru | or 4,
The method of manufacturing a terminal electrode, wherein the substrate is a semiconductor substrate, a glass substrate, a printed substrate, a film substrate, or a tape substrate.

Forming an active region in a semiconductor substrate;
Forming a pad electrode on the semiconductor substrate in which the active region is formed;
Forming a resin layer on the semiconductor substrate on which the pad electrode is formed;
Forming an opening in the resin layer on the pad electrode;
Embedding a conductive layer in the opening so as to rise above the opening;
Flattening the resin layer in which the conductive layer is embedded;
And a step of removing a part of the conductive layer embedded in the resin layer so that the surface of the conductive layer is lower than the surface of the resin layer.

In claim 6,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the step of embedding the conductive layer is performed by an inkjet method.

In claim 6 or 7,
The conductive layer has a first conductive material and a second conductive material formed on the first conductive material,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the second conductive material is softer than the first conductive material.

In claim 8,
The first conductive material is nickel or copper,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the second conductive material is gold or a solder material.

Forming a resin layer on the first substrate provided with the pad electrode;
  Forming an opening in the resin layer on the pad electrode;
  Embedding a conductive layer in the opening so as to rise above the opening;
  Flattening the resin layer in which the conductive layer is embedded;
  Removing a part of the conductive layer embedded in the resin layer such that the surface of the conductive layer is lower than the surface of the resin layer;
  A method for manufacturing a module, comprising: bonding the first substrate and the second substrate through an anisotropic conductive sheet.

In claim 10,
Burying the conductive layer, module manufacturing method which is characterized in that an ink jet method.

In claim 10 or 11,
The conductive layer has a first conductive material and a second conductive material formed on the first conductive material,
The second conductive material, the module manufacturing method according to claim softer than the first conductive material.

In claim 12 ,
The first conductive material is nickel or copper,
The second conductive material, the module manufacturing method of which is a gold or solder material.

In any one of claims 10 to 13,
The first substrate, the module manufacturing method of which is a semiconductor substrate.

In any one of Claims 11 thru | or 14.
The anisotropic conductive sheet includes ACF particles,
Method of manufacturing a module step between the surface of the surface and the resin layer of the conductive layer, wherein the smaller diameter of the ACF particles.