JP4103010B2 - 半導体ウエハ - Google Patents
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Description
強誘電体メモリ装置を含む複数の半導体チップ領域と、
試験用チップ領域と、
前記複数の半導体チップ領域と前記試験用チップ領域とを接続する配線と、
を含む。
図1は、本発明の一実施の形態の半導体ウエハ200を模式的に示す平面図である。図2は、図1に示される領域Xを模式的に示す拡大平面図である。図3は、図2に示されるA−Aに沿った断面を模式的に示す図である。図4は、図1に示される領域Yを模式的に示す拡大平面図である。
図12は、本発明の一実施の形態の強誘電体メモリ装置100の動作を示すフローチャートである。図1〜図11を参照しながら、本実施の形態の強誘電体メモリ装置100に対する疲労試験の試験方法について説明する。
図10は、図1に示される半導体ウエハ200の一変形例(半導体ウエハ300)を模式的に示す平面図である。この半導体ウエハ300は、試験用チップ領域210を複数含む。各試験用チップ領域210は、配線230,240を介して複数の半導体チップ領域220に接続されている。なお、図10において、半導体ウエハ300の左上部、左下部、右上部、および右下部に配置された試験用チップ領域210については、配線230の一部および配線240の図示が省略されているが、これらの試験用チップ領域210についても、半導体ウエハ300の中央部に配置された試験用チップ領域210と同様に、試験用チップ領域210と複数の半導体チップ領域220とを接続する配線230,240が配置されている。
Claims (7)
- 強誘電体メモリ装置を含む複数の半導体チップ領域と、
試験用チップ領域と、
前記複数の半導体チップ領域と前記試験用チップ領域とを接続する配線と、
を含み、
前記試験用チップ領域から前記複数の半導体チップ領域に、前記配線を介して試験制御信号および試験パルス信号が印加され、
前記強誘電体メモリ装置は、
データを記憶する複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルにそれぞれ接続された複数のワード線およびデータ線と、
前記複数のワード線を制御するワード線制御回路と、
前記試験制御信号および前記試験パルス信号を受け取り、前記複数のワード線の全てをオンする試験選択回路と、
前記試験制御信号を受け取る試験制御信号入力パッドと、
前記試験制御信号入力パッドと前記試験選択回路との間に接続された第1のオープン電位固定回路と、
を含む、半導体ウエハ。 - 請求項1において、
前記試験用チップ領域から前記複数の半導体チップ領域に、前記配線を介して電源電圧およびグランド電位がさらに印加される、半導体ウエハ。 - 請求項1または2において、
前記配線は、スクライブ領域に配置された、半導体ウエハ。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記配線は、少なくとも2つ以上の層で構成された、半導体ウエハ。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記試験用チップ領域を複数含む、半導体ウエハ。 - 請求項1ないし5のいずれかにおいて、
前記強誘電体メモリ装置は、
前記試験パルス信号を受け取る試験パルス信号入力パッドと、
前記試験パルス信号入力パッドと前記試験選択回路との間に接続された第2のオープン電位固定回路と、
をさらに含む、半導体ウエハ。 - 請求項1ないし6のいずれかにおいて、
前記強誘電体メモリ装置は、前記複数のメモリセルにそれぞれ接続された複数のプレート線をさらに含み、
前記データ線に入力される信号と、前記複数のプレート線に入力される信号とが相補である、半導体ウエハ。
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