JP4102712B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等の製造工程においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
従来から、フォトレジストの塗布処理においては、ガラス基板を保持するためのチャックプレート（スピンチャック）に吸着させ、カップ内に収容し、ノズルからレジスト液をガラス基板の中央に滴下させながらガラス基板を回転させ基板全面にレジスト液を広げ、さらにその後基板を回転させることで膜厚を均一に調整して基板上にレジスト膜を形成していた（例えば、特許文献１参照）。しかし、この方法では、ガラス基板を回転させる際に、レジスト液のほぼ９割が飛散してしまうため、大量のレジスト液を要するという問題があった。
【０００４】
このような問題を解決するために、かかる従来からのノズルに代えて例えば長尺状のスリットノズルを用いる技術が提案されている。この技術は、カップ内でチャックプレートに保持された基板に対し、その基板の上方から当該長尺状のスリットノズルによりレジストを供給するものである。このように長尺状のノズルを用いることにより基板を回転させない状態でガラス基板全面にレジストを供給することができるので、その後、膜厚を均すために回転するだけでよく、それまでの塗布手法に比べレジストの使用量を低減することができるようになった（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
ところで、上記特許文献２に記載の装置において長尺状ノズルを用いる場合、ガラス基板をチャックプレート上に載置させて塗布処理している。しかしこのチャックプレートをカップ内に収容して処理する場合には、カップの大きさを非常に大きく設計しなければならなくなるという不都合が生じる。特に、最近のガラス基板の大型化に伴い、それを保持するチャックプレートも大型化しているため、そのような問題が顕著となる。カップを現状より大きく設計することは塗布処理装置全体が大型化し、設置スペースや省エネルギーの観点からも好ましくない。
【０００６】
一方、カップの現状の大きさを維持しながら、当該カップ内にチャックプレートを収容して処理しようとすると、チャックプレートを十分な大きさや厚さに設けることができないためチャックプレートを小型及び薄型に設計する必要がある。
【０００７】
【特許文献１】
特開平８−２５５７４５号公報（段落[００４６]、図１）
【特許文献２】
特開平１０−７６２０７号公報（段落[００１６]、[００１７]等、図１）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようにチャックプレートを小型化及び薄型化する場合、レジスト液を塗布する際にチャックプレートが自重により撓んでしまうという問題がある。チャックプレート自体が撓むと、チャックプレートに吸着されて保持されたガラス基板も撓むこととなり、ガラス基板上に塗布されたレジストの膜厚を均一に形成することが困難となる。
【０００９】
上記事情に鑑み、本発明は、レジストの使用量を削減しながらも、基板を保持する保持プレートの撓みを防止してレジストの膜厚を均一に形成できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、底面に貫通孔を有し、基板を収容する容器と、少なくとも前記容器内で前記基板を保持する保持プレートと、前記保持プレートに保持された前記基板に処理液を供給する供給機構と、前記容器と前記保持プレートとを同期して回転させる駆動部と、前記貫通孔を介して前記容器の底面から出没可能に設けられ、前記保持プレートの外周付近を裏面側から支持する支持部材と、前記支持部材を昇降させる第１の昇降機構とを具備する。
【００１１】
このような構成によれば、基板が保持プレートに保持されたときであっても、保持プレートの外周付近が支持部材により裏面から支持されるため、保持プレートが自重で撓むことを防止することができる。この状態で供給機構により基板に処理液が供給されても、保持プレートが撓むことがなく、保持プレート上に保持された基板が撓むこともないため、処理液の膜厚を均一にすることができる。また、保持プレートの撓みを防止することにより処理液が供給された基板の周縁から流れることがないため、処理液の使用量を削減することができる。
【００１２】
また、本発明では、保持プレートと容器とを同期して回転させることで容器内の気流を調整し、気流の最適化を図っている。容器に貫通孔を設け、その貫通孔を介して支持部材を出没させるようにすれば、回転する容器と、支持部材との干渉を回避することができる。駆動部は保持プレートと容器とを例えば一体的に回転させるようにしてもよい。
【００１３】
さらに本発明では、例えば、供給機構は処理液を吐出するノズルを備えている場合、ノズルの形状を長尺状のノズルとすることにより基板上の広範囲にわたって処理液を吐出でき、特に処理液の使用量を削減することができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、少なくとも前記容器内で前記保持プレートを昇降させる第２の昇降機構と、前記保持プレートの裏面であって前記支持部材が当接する部位に設けられた突起部とを更に具備し、前記容器は、前記貫通孔が設けられた位置であってかつ前記突起部に対向する位置に設けられ、前記保持プレートが昇降することで前記突起部が係脱可能な凹部を有する。
【００１５】
本発明では、上述したように容器を保持プレートと同期させて回転させ、容器内の気流を調整し、気流の最適化を図るため、容器にはあらかじめ適所に孔が開けられている。例えば、上記貫通孔を塞がずに容器を回転させれば、回転による気流が、あらかじめ開けられた孔のほかに貫通孔を介して容器内部に流入または流出し、あらかじめ調整されていた容器内部の気流を乱すこととなる。容器内部の気流が乱れると、基板表面上の気流が乱れ、膜厚の均一性に悪影響を及ぼすこととなる。そこで、本発明では保持プレートに突起部を設けることで、突起部を凹部に係合させて、凹部に設けられる貫通孔を塞ぐこととした。これにより、例えば容器内に予定してない空気が流入または流出することを防止することができ、容器内の気流の乱れを防止することができる。したがって、膜厚の均一性を維持することができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記保持プレートの裏面から前記突起部の先端までの距離は、前記凹部の深さより長く形成されている。
【００１７】
例えば保持プレートの裏面が容器の底面に直に接触するとすれば、保持プレートや基板に振動が起こったり、保持プレートが移動するときに埃が発生したりする。しかしながら、本発明では、突起部の高さ、すなわち突起部の厚さを前記凹部の深さより厚くしているので保持プレートが直に容器の底面に当接することを防止できる。これにより、保持プレートの振動を防止して埃の発生を抑制することができる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記突起部は、先端から前記保持プレートの裏面にかけて広がるように形成されたテーパー部を有する。
【００１９】
このような構成によれば、例えば突起部の先端を凹部に係合させることができ、テーパー部により貫通孔を塞ぐことができる。これにより、容器の回転時の気流の乱れを防ぐことができる上、保持プレートと容器底面との間隔を保つことができる。その結果、保持プレートの振動を防止して埃の発生を抑制することができる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、少なくとも前記容器内で前記保持プレートを昇降させる第２の昇降機構と、前記保持プレートの下降時に、前記保持プレートの裏面と、前記貫通孔の近傍における当該容器の底面との間の隙間を塞ぐシール部材とを更に具備する。
【００２１】
このような構成によれば、貫通孔を介した空気の流入または流出を確実に防止することができる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記貫通孔の近傍であって前記容器の底面に着脱自在に設けられ、前記支持部材が前記容器の底面から出没することで、該支持部材に支持されながら前記保持プレートを支持するとともに前記貫通孔を塞ぐ蓋部材を更に具備する。
【００２３】
このような構成によれば、第１の昇降機構により、容器の内側で蓋部材が貫通孔を塞いでいる状態から、支持部材が貫通孔から進入して蓋部材を持ち上げることができる。支持部材により持ち上げられて支持された蓋部材は、支持部材に支持されながら保持プレートを支持することができ、保持プレートの撓みを抑えることができる。一方、支持部材が容器の外に出されるとき、支持部材と蓋部材とを離間させて容器の内側から貫通孔を塞いでいる状態とすることができる。
【００２４】
保持プレートを回転させる際には、第２の移動機構により保持プレートを下降させて、蓋部材上に載置させることができる。このとき、例えば、保持プレートと容器底面との間にほぼ蓋部材の高さだけ間隔を設けることができる。これにより上述したように、容器内の気流の乱れを防止しつつ、しかも、保持プレートの振動を防止して埃の発生を抑制することができる。
【００２５】
本発明の一の形態によれば、前記容器は、当該容器の内部に気流を形成するための通気孔を有する。
【００２６】
このような構成によれば、貫通孔とは別に通気孔を設けることにより、貫通孔を塞がずに回転させた場合でも、容器内の気流の最適化を図ることができ、膜厚の均一性を維持することができる。
【００２７】
本発明の一の形態によれば、前記保持プレートは、ハニカム状に形成されサンドイッチ構造のコアを構成するコア部材と、前記サンドイッチ構造のフェーシングを構成するフェーシング部材とを有する。
【００２８】
このような構成によれば、保持プレートをサンドイッチ構造に形成し、コアをハニカム状に形成することで、保持プレートの軽量化を図ることができ、保持プレートが自重で撓まないようにすることができる。また、付加的な効果として、保持プレートが軽量化すれば、保持プレートを回転する際の消費電力を抑えることができる。
【００２９】
本発明の一の形態によれば、前記コア部材はアルミニウムからなる。
【００３０】
アルミニウムは、軽量かつ優れた剛性を有する金属である。このような構成によれば、コア部材を軽量化することができ、撓みにくくすることもできる。
【００３１】
本発明の一の形態によれば、前記フェーシング部材はアルミニウム又はカーボンからなる。
【００３２】
フェーシング部材はサンドイッチ構造の表面を形成する。表面には比較的軽量のアルミニウムやカーボンを用いることができる。これにより、保持プレートが重量化することを抑えることができ、自重による撓みを抑えることができる。
【００３３】
本発明の一の形態によれば、前記フェーシング部材の表面にニッケルがメッキされている。
【００３４】
フェーシング部材及びコア部材に例えばアルミニウムを材料として用いた場合、長期間使用しつづけると、処理液がアルミニウムに付着し、アルミニウムが腐食することがある。例えば、フェーシング部材に付着した処理液がフェーシング部材を腐食させ、腐食がコア部材に達する可能性がある。本発明よれば、処理液が付着しても腐食しないような、例えばニッケル等の材料により表面をコーティングすることで、フェーシング部材及びコア部材を保護することができる。
【００３５】
本発明に係る基板処理方法は、（ａ）底面に貫通孔を有し基板を収容する容器内で回転駆動する保持プレートに基板を保持する工程と、（ｂ）前記貫通孔を介して支持部材を前記容器の底面から突出させて保持プレートの外周付近を裏面側から支持する工程と、（ｃ）前記保持プレートが支持された状態で、前記基板に処理液を供給する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記貫通孔を介して前記支持部材を前記容器の底面から没して前記保持プレートの支持を解除する工程と、（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記保持プレートを回転させる工程とを具備する。
【００３６】
このような構成によれば、保持プレートの外周付近を裏面側から支持することで保持プレートの撓みを防止しながら、保持プレートに保持された基板に処理液を吐出させることができる。これにより、基板の撓みも防止でき、均一な膜を形成することができる。
【００３７】
本発明の他の観点に係る基板処理方法は、基板を収容する容器と、少なくとも前記容器内で前記基板を保持する保持プレートと、前記保持プレートを昇降させる昇降機構と、前記保持プレートに保持された前記基板に処理液を供給する供給機構とを備えた基板処理装置の基板処理方法であって、（ａ）前記容器の上端よりも高い第１の高さで前記基板を前記保持プレートで保持する工程と、（ｂ）前記基板を保持した前記保持プレートを前記第１の高さより低い第２の高さまで下降させて前記容器内に基板を収容する工程と、（ｃ）前記容器の底面に設けられた貫通孔を介して支持部材を該容器内に突出させ、前記保持プレートの裏面の外周付近に設けられた突起部に前記支持部材を当接させて前記第２の高さまで下降した前記保持プレートを支持する工程と、（ｄ）前記保持プレートが支持された状態で、保持された前記基板に処理液を供給する工程と、（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記保持プレートを前記第２の高さより低い第３の高さまで下降させて、前記保持プレートの裏面と前記容器の底面との間に所定の間隔をあけつつ前記貫通孔を前記突起部で塞ぐ工程と、（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記容器と前記保持プレートとを一体的に回転させる工程とを具備する。
【００３８】
このような構成によれば、基板に処理液を塗布する際には支持部材により突起部が支持されているため、保持プレートの撓みを防止しながら基板に処理液を塗布することができる。また、回転時には、貫通孔が突起部により塞がれた構造となっているため、貫通孔から空気が出入りすることなく、容器内部の気流を最適に保ったまま回転することができる。これにより膜厚を均一にすることができる。さらに、回転時には保持プレートの裏面と容器の底面とが接触することなく、埃等を発生させないようにすることができる。
本発明の他の観点に係る基板処理装置は、基板を収容する容器と、前記容器内で前記基板を保持する保持プレートと、前記保持プレートに保持された前記基板に処理液を吐出する長尺状のノズルと、前記容器と前記保持プレートとを同期して回転させる駆動部と、前記ノズルに連結され、前記保持プレートの裏面側に当接して支持する支持ローラと、前記ノズル及び前記支持ローラを一体的に移動させるノズル駆動部とを具備する。
本発明の一の形態によれば、前記容器は底面に貫通孔を有し、当該基板処理装置は、前記貫通孔を介して前記容器の底面から出没可能に設けられ、前記保持プレートの外周付近を裏面側から支持する支持部材と、前記支持部材を昇降させる第１の昇降機構とを具備する。
本発明のさらに別の観点に係る基板処理装置は、基板を収容する容器と、前記容器内で前記基板を保持する保持プレートと、前記保持プレートに保持された前記基板に処理液を供給する供給機構と、前記容器と前記保持プレートとを同期して回転させる駆動部と、前記保持プレートを昇降させる昇降機構と、前記保持プレートの側方から前記保持プレートの裏面をそれぞれ支持する支持部材と、前記容器を挟むように一対設けられ、前記支持部材を昇降移動及び水平移動させる移動機構とを具備する。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００４０】
[第１実施形態]
図１は本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布現像処理装置を示す平面図であり、図２はその正面図、また図３はその背面図である。
【００４１】
この塗布現像処理装置１は、複数のガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション２と、ガラス基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部３と、露光装置３２との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部４とを備えており、処理部３の両端にそれぞれカセットステーション２及びインターフェース部４が配置されている。
【００４２】
カセットステーション２は、カセットＣと処理部３との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション２においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部３との間でガラス基板Ｇの搬送が行われる。
【００４３】
処理部３には、Ｘ方向に沿ってレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）を含む各処理ユニットが並設された上流部３ｂ及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）を含む各処理ユニットが並設された下流部３ｃとが設けられている。
【００４４】
上流部３ｂにおいて、カセットステーション２側端部には、カセットステーション２側から、ガラス基板Ｇ上の有機物を除去するためのエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９と、ガラス基板Ｇにスクラビングブラシで洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）とが設けられている。
【００４５】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２４及び２５が配置されている。これら熱処理系ブロック２４と２５との間には、垂直搬送ユニット５が配置され、搬送アーム５ａがＺ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック２４及び２５における各熱処理系ユニットにアクセスしてガラス基板Ｇの搬送が行われるようになっている。なお、垂直搬送ユニット６、７、３０、４０についてもこの垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００４６】
図２に示すように、熱処理系ブロック２４には、ガラス基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２５には、ガラス基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。
【００４７】
熱処理系ブロック２５に隣接して垂直搬送ユニット３０が設けられ、その隣にはレジスト処理ブロック１５がＸ方向に延設されている。このレジスト処理ブロック１５は、ガラス基板Ｇにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット（ＶＤ）と、本発明に係るガラス基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）とが設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック１５には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）からエッジリムーバ（ＥＲ）にかけて移動する図示しないサブアームが設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック１５内でガラス基板Ｇが搬送されるようになっている。
【００４８】
レジスト処理ブロック１５に隣接して垂直搬送ユニット４０が設けられ、その隣には、多段構成の熱処理系ブロック２６が配設されている。この熱処理系ブロック２６には、ガラス基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。
【００４９】
下流部３ｃにおいては、図３に示すように、インターフェース部４側端部には、熱処理系ブロック２９が設けられており、これには、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００５０】
熱処理系ブロック２９に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）がＸ方向に延設されている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の隣には熱処理系ブロック２８及び２７が配置され、これら熱処理系ブロック２８と２７との間には、上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有し、両ブロック２８及び２７における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット６が設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）に隣接して、ｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３が設けられている。
【００５１】
熱処理系ブロック２８には、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ガラス基板Ｇに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２７も同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００５２】
インターフェース部４には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２が設けられ、垂直搬送ユニット７に隣接してエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５が、また背面側にはバッファカセット３４が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２とエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５とバッファカセット３４と隣接した露光装置３２との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット８が配置されている。この垂直搬送ユニット８も上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００５３】
以上のように構成された塗布現像処理装置１の処理工程について説明する。先ずカセットＣ内のガラス基板Ｇが処理部３における上流部３ｂに搬送される。上流部３ｂでは、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）において、ガラス基板Ｇが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック２４の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム５ａによりガラス基板Ｇが取り出され、同熱処理系ブロック２４のベーキングユニット（ＢＡＫＥ）にて加熱処理、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にて、ガラス基板Ｇとレジスト膜との密着性を高めるため、ガラス基板ＧにＨＭＤＳガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック２５のクーリングユニット（ＣＯＬ）による冷却処理が行われる。
【００５４】
次に、ガラス基板Ｇは搬送アーム５ａから熱処理系ブロック２５を介して搬送アーム３０ａに渡され、搬送アーム３０ａによりガラス基板Ｇがレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送される。レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ（ＥＲ）にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【００５５】
次に、ガラス基板Ｇが搬送アーム４０ａに渡され、搬送アーム４０ａは熱処理系ブロック２６に基板を渡す。そして熱処理系ブロック２６におけるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われた後、垂直搬送ユニット７を介して熱処理系ブロック２９に基板が渡され、その熱処理系ブロック２９におけるクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。続いてガラス基板Ｇはエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【００５６】
次に、ガラス基板Ｇは垂直搬送ユニット８及び７の搬送アームを介して熱処理系ブロック２９のポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そしてガラス基板Ｇは垂直搬送ユニット７の搬送アームを介して、現像処理ユニット（ＤＥＶ）においてガラス基板Ｇは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【００５７】
次に、ガラス基板Ｇは熱処理系ブロック２８における最下段から垂直搬送ユニット６の搬送アーム６ａにより受け渡され、熱処理系ブロック２８又は２７におけるポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そしてガラス基板Ｇは搬送機構１０に受け渡されカセットＣに収容される。
【００５８】
図４はレジスト処理ブロック１５の平面図である。レジスト処理ブロック１５は上述したようにレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）と、エッジリムーバ（ＥＲ）とが設けられている。この処理ブロック１５のＹ方向の長さは例えば３ｍ〜４ｍとされている。レジスト処理ブロック１５は、そのＸ方向に延設されたガイドレール６０に沿って移動可能な保持アーム４１が設けられている。保持アーム４１は複数設けられるようにしてもよい。保持アーム４１はＸ方向に伸縮自在のアーム４１ａと、Ｙ方向に伸縮自在のアーム４１ｂとを有している。これらアーム４１ａ、４１ｂの伸縮動作は保持アーム４１に設けられたエアシリンダ等により行われる。保持アーム４１は外部からガラス基板Ｇを受け取った後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）、エッジリムーバ（ＥＲ）の順に基板を搬送する。
【００５９】
図５はレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）の断面図である。レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）のほぼ中央部には固定カップ６１が配置され、固定カップ６１はフレーム９０上に設けられたカップ支持体５９に支持されて設置されている。例えば固定カップ６１は上部に開口を有し略円筒形をなしている。
【００６０】
固定カップ６１内にはガラス基板Ｇを収容する回転カップ６２が収容されている。回転カップ６２の上端部には開口６２ｅが形成され、蓋体３７が着脱自在に構成されている。回転カップ６２を回転させる際にはこの蓋体３７で開口６２ｅに蓋をして行う。蓋体３７には取っ手３７ａが設けられている。この取っ手３７ａを、昇降機構３６（図４参照）により昇降自在に設けられたロボットアーム３９が把持して蓋体３７を回転カップ６２に対して着脱するように構成されている。また、蓋体３７には図示しない通気孔が設けられ、回転カップ６２が回転する際に、回転カップ６２内の気流を調整できるようになっている。
【００６１】
回転カップ６２内には、ガラス基板Ｇを真空引きで保持する保持プレートとしてのチャックプレート６３が設けられ、チャックプレート６３には回転軸部材６８が取り付けられている。回転軸部材６８はその下部に設けられた第２の昇降機構としてのエアシリンダ７０により上下に昇降可能に設けられている。回転軸部材６８はバキュームシール部６９を介して図示しない真空ポンプに接続されている。これによりチャックプレートの表面６３ｂでガラス基板Ｇを真空チャックすることができるようになっている。エアシリンダ７０の駆動の制御は制御部１００により行われる。
【００６２】
回転軸部材６８は例えばボールスプライン等の軸受７１を介してスピンドル体６４に取り付けられている。スピンドル体６４の上部には、回転カップ６２の下部に固定された中空の回転筒体６７が取り付けられている。スピンドル体６４は内側に設けられた筒部材６４ｃと、外側の上部に設けられた上部プーリー６４ａと、外側の下部に設けられた下部プーリー６４ｂとからなっている。例えば筒部材６４ｃはスピンドル体６４の内部空間に配置された固定カラー７３に複数のベアリング７２を介して取り付けられている。上部プーリー６４ａはタイミングベルト６５ｂを介してモータ６５により回転駆動する駆動プーリー６５ａに接続されている。同様に、下部プーリー６４ｂはタイミングベルト６６ｂを介してモータ６６により回転駆動する駆動プーリー６６ａに接続されている。モータ６５、６６の回転は制御部１００により制御される。モータ６５、６６が同期して同じ回転速度で同じ方向に回転することにより、スピンドル体６４、回転筒体６７、回転カップ６２、軸受７１、回転軸部材６８及びチャックプレート６３が一体的に回転させられる。
【００６３】
固定カップ６１に隣接して、レジストを吐出する例えば長尺状のノズル４５（図４参照）を収容するノズル収容体４６が配置されている。ノズル４５はレジストを基板Ｇに供給する供給機構の一部であり、図示しないレジストタンクに接続され、ポンプ等によってレジストが供給されるようになっている。
【００６４】
このノズル４５は長手方向に沿って図示しない吐出孔またはスリットが形成されている。またノズル４５は、図４に示すノズル駆動部１４０によりＸ方向及び垂直なＺ方向に移動可能に構成されている。例えば、ノズル駆動部１４０はノズル４５を保持する保持体１４２を有し、保持体１４２はモータ１４１の駆動によってガイドレール６０に沿って移動自在となっている。これにより、ノズル４５は固定カップ６１上を移動しながらガラス基板Ｇ上にレジストを吐出するようになっている。したがってガラス基板Ｇの広範囲にわたってレジストが吐出されるのでガラス基板Ｇを回転しなくても膜厚を均一にすることができる。これにより、レジストの供給途中においてはガラス基板Ｇを回転させる必要もなく、レジストが飛散することを回避でき、レジストの使用量を削減することができる。
【００６５】
固定カップ６１の下部には、第１の昇降機構としての駆動機構７６により昇降自在な支持部材７５が複数配置されている。この支持部材７５は、後述するように、自重で撓むチャックプレート６３を下方から支持するためのものである。駆動機構７６としては例えばエアシリンダ、またはモータ等の機構を用いることができる。また、制御部１００により駆動機構７６による支持部材７５の駆動が制御される。
【００６６】
図６は、図５において破線で囲んだ部分Ａを拡大した断面図である。固定カップ６１は、底面６１ａを貫通して開けられた例えば複数の孔６１ｂを有している。回転カップ６２の底面６２ａには、固定カップ６１の孔６１ｂと対向する位置に凹部６２ｄが形成され、この凹部６２ｄには貫通孔６２ｂが設けられている。凹部６２ｄの周縁には、例えばシール部材６２ｃが設けられている。チャックプレート６３の裏面６３ｃ側には突起部６３ａが設けられており、突起部６３ａは凹部６２ｄに対向した位置に形成されている。突起部６３ａの厚さｍは、例えば凹部６２ｄの深さｎより厚く形成されている。
【００６７】
図７は、チャックプレート６３と、回転カップ６２と、固定カップ６１とを分解した状態を示す斜視図である。この図に示すように、突起部６３ａ、貫通孔６２ｂ、貫通孔６１ｂは例えばそれぞれ４つずつ設けられており、それぞれが対応して設けられている。また、４つの突起部６３ａに対応して４つの支持部材７５がそれぞれ配置されている。
【００６８】
このような構成によって、支持部材７５が駆動機構７６により昇降することで、貫通孔６１ｂ及び貫通孔６２ｂを通過して突起部６３ａに当接してチャックプレート６３を支持したり、その支持を解除したりすることができる。
【００６９】
ここで突起部６３ａは、チャックプレート６３の大きさにも依るが、例えばチャックプレート６３の周縁（端辺）から内側に５００ｍｍの間、より好ましくは周縁から内側に２００ｍｍの間に配置すればよい。これは、支持部材７５が突起部６３ａに当接して、特にチャックプレート６３の周縁部に生じる撓みを矯正するためである。
【００７０】
なお、それぞれのカップ６１、６２及びチャックプレート６３の位置調整については、以下のように行うことができる。例えばカップ６２やチャックプレート６３に図示しない掘り込みを設け、チャックプレート６３を回転カップ６２の掘り込みの位置に嵌め込むようにすることができる。カップ６１及びカップ６２の位置調整に関しても同様にすることができる。また、制御部１００によりモータ６５、６６を回転させ、チャックプレート６３と回転カップ６２との位置を微調整したりすることもできる。
【００７１】
次に、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）の動作について図８及び図９を参照しながら説明する。図８は、レジスト塗布処理工程を示すフロー図である。図９は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）が基板を処理するそれぞれの過程を示す図である。
【００７２】
図９（ａ）に示すように、ガラス基板Ｇを保持した保持アーム４１（図４参照）が固定カップ６１の直上の位置まで移動すると、エアシリンダ７０（図５参照）によりチャックプレート６３が上昇させられる。チャックプレート６３が上昇させられると、例えばチャックプレート６３の表面６３ｂが所定の第１の高さｈ１となる高さでガラス基板Ｇがチャックプレート６３により受け取られる（ステップ８０１）。この際、ロボットアーム３９によって蓋体３７は回転カップ６２から外されている。
【００７３】
次に、図９（ｂ）に示すように、エアシリンダ７０はガラス基板Ｇを吸着させたチャックプレート６３を回転カップ６２の内部の所定の高さｈ２まで下降させる。高さｈ２は、高さｈ１より低ければよく、回転カップ６２の上端開口６２ｅより上方でもよい。このとき、駆動機構７６によって支持部材７５を上昇させる（ステップ８０２）。そして支持部材７５の先端を突起部６３ａに当接させることによりチャックプレート６３の撓みを抑えることができる。支持部材７５を上昇させるタイミングはチャックプレート６３の下降中、チャックプレート６３の下降開始前、下降中、または下降終了後のいずれであってもよい。
【００７４】
次に、チャックプレート６３の高さｈ２を保ったままの状態で、図９（ｃ）に示すように、ノズル駆動部１４０の駆動によりノズル４５がガラス基板Ｇ上を移動しながら、ガラス基板Ｇに向けてレジストＲを吐出していく（ステップ８０３）。少なくともノズル４５からレジストＲが吐出されている間は、支持部材７５はチャックプレート６３を支持しつづける。
【００７５】
このようにチャックプレート６３が支持部材７５により突起部６３ａにおいて支持されるため、チャックプレート６３が自重で撓むことを防止することができる。この状態でノズル４５から基板Ｇにレジスト液が供給されても、チャックプレート６３が撓むことがなく、チャックプレート６３上に保持された基板Ｇが撓むこともないため、レジストの膜厚を均一にすることができる。また、チャックプレート６３の撓みを防止することによりレジスト液が供給された基板の周縁から流れることがないため、レジスト液の使用量を極力削減することができる。
【００７６】
レジストＲの吐出が終了すると、ノズル４５はノズル駆動部１４０の駆動によりノズルバス４６に帰還する。また、駆動機構７６は支持部材７５を下降させることで、支持部材７５が突起部６３ａを離れ、支持部材７５の先端が回転カップ６２及び固定カップ６１の外に出る。これにより、支持部材７５によるチャックプレート６３の支持が解除される（ステップ８０４）。
【００７７】
そして、図９（ｄ）に示すように、エアシリンダ７０は、チャックプレート６３を下降させることで、突起部６３ａが凹部６２ｄ上に載置される（ステップ８０５）。このときのチャックプレート６３の表面６３ｂの高さはｈ２より低いｈ３となる。
【００７８】
支持部材７５の下降開始とチャックプレート６３の下降開始のタイミングはほぼ同時であってもよく、支持部材７５がチャックプレート６３を支持しながら、チャックプレート６３と支持部材７５とが、見かけ上一体的に下降していくように制御してもよい。このような制御は、制御部１００で行うことができる。これにより、チャックプレート６３の突起部６３ａが凹部６２ｄに係合するまで常にチャックプレートの撓みを防止することができる。
【００７９】
チャックプレート６３の突起部６３ａが凹部６２ｄに載置されると、突起部６３ａにより貫通孔６２ｂが塞がれる。このとき、図６に示すようにｍ>ｎとすることで、チャックプレート６３の裏面６３ｃと回転カップ６２の底面６２ａとの間に間隔ｔが設けられる。これにより、確実に貫通孔６２ｄを塞ぐことができる。例えばｔの値は０．５ｍｍ程度に設定することが好ましい。
【００８０】
チャックプレート６３の裏面６３ｃが回転カップの底面６２ａに直に接触するとすれば、チャックプレート６３や基板Ｇに振動が起こったり、チャックプレート６３が移動するときに埃が発生したりする。しかし、本実施の形態によれば、間隔ｔを設けるようにしたのでチャックプレート６３が直に底面６２ａに当接することを防止できる。これにより、チャックプレート６３の振動を防止して埃の発生を抑制することができる。
【００８１】
この後、図９（ｄ）に示すように、支持部材７５がカップ６１、６２の外に出され、突起部６３ａが貫通孔６２ｂを塞いでいる状態で、回転カップ６２とチャックプレート６３とが一体的に回転する。この回転により、ガラス基板Ｇ上のレジストＲが基板全体に均される（ステップ８０６）。
【００８２】
このように回転するチャックプレート６３と一体的に回転カップ６２を回転させることで、回転カップ６２内の気流を調整し、気流の最適化を図っている。本実施形態では、支持部材７５を昇降させる駆動機構７６を設ける構成としたので、回転する回転カップ６２と支持部材７５との干渉を回避することができる。
【００８３】
また、本実施の形態では、回転カップ６２内の気流の最適化を図るために、上述したように回転カップ６２にはあらかじめ適所に図示しない孔が開けられている。例えば、仮に貫通孔６２ｂを塞がずに回転カップ６２を回転させれば、回転による気流が、あらかじめ開けられた孔のほかに貫通孔６２ｂを介して回転カップ６２内部に流入または流出し、あらかじめ調整されていた回転カップ６２内部の気流を乱すこととなる。そうなると、基板表面上の気流が乱れ、膜厚の均一性に悪影響を及ぼすこととなる。
【００８４】
しかしながら、本実施の形態では、チャックプレート６３に突起部６３ａを設けることで、突起部６３ａにより貫通孔６２ｂを塞ぐこととした。これにより、例えば回転カップ６２内に予定してない空気が流入または流出することを防止することができ、回転カップ６２内の気流の乱れを防止することができる。したがって、膜厚の均一性を維持することができる。
【００８５】
次に、本発明が適用されるチャックプレートの構造について説明する。図１０及び図１１は、それぞれチャックプレートの断面を模式的に示した図である。
【００８６】
図１０を参照して、チャックプレート６３は、サンドイッチ構造となっている。サンドイッチ構造のコアを構成するコア部材１０１は、軽量でしかも剛性の高い、例えばアルミニウム等によってハニカムに形成される板状の部材である。コア部材１０１の両面にはサンドイッチ構造のフェーシングを構成するフェーシング部材１０２が形成される。フェーシング部材１０２は例えば軽量でしかも剛性の高い、例えばアルミニウム等によって形成される。このような構成によれば、チャックプレート６３の軽量化を図ることができ、チャックプレート６３が自重で撓まないようにすることができる。また、付加的な効果として、チャックプレート６３が軽量化すれば、これを回転する際の消費電力を抑えることができる。ここで、フェーシング部材１０２の厚さＴ１は例えば約２ｍｍ、コア部材１０１の厚さＴ２は例えば約２５ｍｍとすることができる。
【００８７】
フェーシング部材１０２及びコア部材１０１に例えばアルミニウムを材料として用いた場合、長期間使用しつづけると、レジストがアルミニウムに付着し、アルミニウムが腐食することがある。例えば、フェーシング部材１０２に付着したレジストがフェーシング部材１０２を腐食させ、腐食がコア部材１０１に達する可能性がある。レジストが付着しても腐食しないような例えばニッケル１０３等の材料によってフェーシング部材１０２の表面をメッキ等によりコーティングすることで、フェーシング部材１０２及びコア部材１０１を保護することができる。
【００８８】
図１１を参照して、サンドイッチ構造のフェーシングを構成するフェーシング部材１０４としてカーボンを用いることも可能である。カーボンはアルミニウムとは異なり、長期間使用しレジストが付着しても腐食することがないため、表面にメッキ等の処理をする必要がなく、製造工程を短縮することができる。フェーシング部材１０４の厚さＴ３は、図１０に示したフェーシング部材１０２の厚さＴ１と同様に約２ｍｍ程度とすることができる。
【００８９】
なお、チャックプレート６３のサンドイッチ構造のコア及びフェーシングを形成する部材としては、上記例示したハニカムにするほか、例えば多孔質層にすることで密度を軽減させることもできる。
【００９０】
[第２実施形態]
次に、本発明の第２の実施形態について図１２を参照しながら説明する。図１２において、上記第１の実施形態において説明した図面の符号と同じ符号を付した構成要素については、同様の機能等を有するものとし、その説明を省略する。
【００９１】
本実施形態では、例えば図１２（ａ）を参照して、回転カップ６２の凹部６２ｄに蓋部材７７が着脱自在に係合して設けられている。蓋部材７７は例えば筒状をなしているが、この形状に限られるものではない。蓋部材７７の内部上面７７ａは支持部材７５が当接して支持される面である。蓋部材７７の外部上面７７ｂはチャックプレート１６３の裏面１６３ｃと当接してチャックプレート１６３を支持するための面である。蓋部材７７の端面７７ｃは回転カップ６２の凹部６２ｄと接する面である。
【００９２】
チャックプレート１６３は、突起部６３ａ（図５参照）が設けられていない点で上記第１の実施形態におけるチャックプレート６３と異なる。しかし、本実施形態でも上記突起部６３ａが設けられる構成であってもよい。
【００９３】
次に、このように構成された装置の動作を説明する。図１２（ａ）を参照して、チャックプレート１６３にガラス基板Ｇが載置されると、駆動機構７６により、蓋部材７７により塞がれている貫通孔６２ｂに向けて支持部材７５が上昇し始める。
【００９４】
次に、図１２（ｂ）に示すように、支持部材７５は、貫通孔６１ｂ、貫通孔６２ｂを通過して蓋部材７７の内部上面７７ａに当接し、当接した内部上面７７ａを支持して蓋部材７７を持ち上げる。支持部材７５は内部上面７７ａを支持しながらさらに上昇し、蓋部材７７の外部上面７７ｂがチャックプレート１６３に当接し、チャックプレート１６３の撓みを矯正する。この状態で図１２（ｂ）に示すように、ノズル４５が移動しながらレジストＲを吐出して行き基板上の全面にレジストが供給される。
【００９５】
レジストが供給された後、図１２（ｃ）に示すように支持部材７５を下降させる。これにより支持部材７５は、蓋部材７７を支持したまま貫通孔６２ｄを介して回転カップ６２の外側に出る。そしてさらに、チャックプレート１６３を下降させることで、蓋部材７７は端面７７ｃが凹部６２ｄに当接して蓋部材７７が凹部６２ｄに係合する。
【００９６】
支持部材７５の下降開始とチャックプレート６３の下降開始のタイミングはほぼ同時であってもよく、支持部材７５がチャックプレート１６３を支持しながら、チャックプレート１６３と支持部材７５とが、見かけ上一体的に下降していくように制御してもよい。
【００９７】
そして、蓋体３７が回転カップ６２に被せられ、回転カップ６２とチャックプレート１６３とが一体的に回転させられることでレジストＲの膜厚が均される。
【００９８】
以上のように、本実施形態でもチャックプレート１６３が自重で撓むことを防止することができ、レジストの膜厚を均一にすることができる。また、チャックプレート１６３と回転カップ６２の底面６２ａとの間に所定の間隔を設けることができる。これにより、回転カップ６２内の気流の乱れを防止しつつ、しかも、チャックプレート１６３の振動を防止して埃の発生を抑制することができる。
【００９９】
［第３実施形態］
図１３は本発明の第３の実施形態にかかるレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）の主要部を示す断面図である。図１３において、上記第１または第２の実施形態において説明した図面の符号と同じ符号を付した構成要素については、同様の機能等を有するものとし、その説明を省略する。
【０１００】
本実施形態のノズル４５には、チャックプレート１６３の裏面側に当接して支持する支持ローラ１３０が連結部材１３１によって連結されている。連結部材１３１はチャックプレート１６３の両端を迂回するようにコの字型の形状となっている。支持ローラ１３０は、連結部材１３１に対し回転自在に設けられている。このような構成により、ノズル４５が移動するに伴って支持ローラ１３０が当該ノズル４５と一体的に移動するようになっている。
【０１０１】
次に、図１４を参照して以上のように構成されたレジスト塗布処理ユニットの動作を説明する。図１４は図１３の視点より９０度角度を変えた視点の図である。例えば、まず、ノズル４５が最初にチャックプレート１６３に保持された基板Ｇに向かって進入する前に、図示するように基板Ｇを保持したチャックプレート１６３をカップ６１、６２より上方に位置するように移動させておく。そして図示するように、このようにチャックプレート１６３が配置される高さで、ノズル４５は、ガラス基板Ｇ上にレジストを吐出しながら移動する。このノズル４５の移動とともに、支持ローラ１３０はチャックプレート１６３を支持しながら同じ方向に移動する。これによりチャックプレート１６３の撓みを防止しながらレジストの吐出が行われ、吐出されたレジストはガラス基板Ｇ上に均一に形成されることとなる。
【０１０２】
また、図１５及び図１６は、チャックプレート６３を支持する手段として、支持部材７５と支持ローラ１３０とを併用した場合を示した図である。この場合、まず、ノズル４５が最初にチャックプレート６３に保持された基板Ｇに向かって進入する前に、基板Ｇを保持したチャックプレート６３を、カップ６１、６２より上方の位置に移動させておく。そしてその高さでノズル４５が移動しながらレジスト吐出していき、このノズル４５の移動に伴って支持ローラ１３０がチャックプレート６３の裏面に当接して支持する。
【０１０３】
レジストの供給が終了すると、ノズル４５はノズル収容体４６に帰還し、チャックプレート６３を下降させて回転カップ６２内に基板が収容される。このとき支持部材７５を上昇させ突起部６３ａに当接させてチャックプレート６３を支持する。その後は、例えば図９（ｄ）に示す状態と同様に回転カップ６２及びチャックプレート６３を回転させて処理する。図１５及び図１６で示す形態によればチャックプレート６３の撓みが常に抑えられているため、膜厚の均一性を向上させることができる。
【０１０４】
［第４実施形態］
図１７及び図１８は本発明の第４の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）の主要部を示す図である。
【０１０５】
本実施形態では、チャックプレート１６３を支持する支持部材１５０が図示するようにＬ字状に形成されており、その端部１５０ａでチャックプレート１６３の裏面を支持するようになっている。支持部材１５０は例えば移動機構１５１によってほぼ垂直方向に移動可能となっている。移動機構１５１は例えば図示しないエアシリンダ機構やモータ等を有しており、固定カップ６１を挟むように一対設けられている。また移動機構１５１は支持部材１５０をほぼ水平方向にも移動させるように構成されており、固定カップ６１及び回転カップ６２より上方まで上昇したチャックプレート１６３の裏面を支持するようになっている。このような構成によってもチャックプレート１６３が自重で撓むことを防止することができ、レジストの膜厚を均一にすることができる。
【０１０６】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【０１０７】
例えば、図１９に示すように、チャックプレート２６３の突起部２６３ａにテーパーを形成することも可能である。具体的には、突起部２６３ａの先端部分を狭くし、チャックプレート２６３に近づくにつれて広がるようにする。図１９（ａ）に示すチャックプレート２６３の突起部２６３ａを、回転カップ６２の貫通孔６２ｂに係合させると、図１９（ｂ）のようになる。
【０１０８】
例えば、突起部２６３ａの形状が、端部が平面なほぼ円錐状である場合、先端部の径をＬ１、貫通孔６２ｂの径をＬ２、チャックプレート２６３の底部の径をＬ３とすると、Ｌ１<Ｌ２<Ｌ３という関係を満たすようにそれぞれの径を決定すればよい。突起部６３ａを貫通孔６２ｂに係合させた場合に、テーパーの径がＬ２となるところで貫通孔６２ｂを確実に塞ぐことができる。これにより、回転カップ６２の回転時に気流の乱れを防ぐことができ、チャックプレート２６３と回転カップ６２の底面６２ａとの間隔を保つことができる。
【０１０９】
また、支持部材７５の昇降を制御することで、図２０（ａ）に示すように表面張力によってガラス基板Ｇの周縁部に偏在するレジストの膜厚を均一にすることができる。例えば、図２０（ｂ）に示すように、チャックプレート６３の周縁部が中央部より上方に撓むようにすることができる。これにより、周縁部に偏在していたレジストＲはガラス基板Ｇの中央部に流動する。すなわち、制御部１００（図５参照）によって支持部材７５の昇降を適宜制御することで、チャックプレート６３の撓みを利用してレジストＲの膜厚を均一にすることができる。
【０１１０】
なお、この場合における支持部材７５の昇降制御のタイミングは、例えば図９（ｄ）に示したカップ６２の回転の終了後に、例えば所定時間の乾燥処理を兼ねて行うことができる。
【０１１１】
また、図２１に示すように、回転カップ６２の底面６２ａに通気孔１８０を設けて回転カップ６２内の気流を調整してもよい。このように通気孔１８０が設けられたカップ６２を回転させた場合、例えば、図２２に示すように、貫通孔６２ｂから回転カップ６２内に流入した空気を、通気孔１８０を通過させて外部に流出させることができる。これにより、ガラス基板Ｇの表面側に気流が回り込むことを抑えることができる。このように、貫通孔６２ｂを塞がずとも、通気孔１８０により回転カップ６２内部の気流を調整することで、回転カップ６２内部の気流の乱れを抑えることができ、レジストの膜厚を均一に形成することができる。
【０１１２】
さらに、図２３に示すように回転カップ１６２の底面１６２ａにおける貫通孔１６２ｂの近傍に例えばＯリング等のシール部材１６２ｃを取り付けるようにしてもよい。この場合、貫通孔１６２ｂの周囲を囲むようにシール部材１６２ｃが取り付けられる。これにより、保持プレート１６３の下降時に裏面１６３ｃとシール部材１６２ｃとが密着し、回転カップ１６２の回転時のカップ１６２内の気流の乱れを確実に防止することができる。また、このシール部材１６２ｃにより、保持プレートの裏面１６３ｃと回転カップの底面１６２ａとの隙間を設けることができる。あるいは図２４に示すように、保持プレート１６３の裏面１６３ｃにシール部材１６３ｄが取り付けられるようにしても同様の効果を得ることができる。
【０１１３】
上記各実施形態では、ノズルとして長尺状のスリットノズルを例に挙げたが、これに限られない。１つのレジストの吐出孔を有する従来からの一般的なノズルを、ガラス基板Ｇ上でＸ−Ｙ方向にスキャンさせながら塗布処理するいわゆるスキャン塗布であっても本発明は適用可能である。
【０１１４】
図５に示す実施形態において、チャックプレート６３及び回転カップ６１を回転駆動する駆動部は、スピンドル体６４がそれぞれモータ６５及び６６により回転させられることにより、チャックプレート６３と回転カップ６１とが一体的に回転する機構を有するものとした。しかし、チャックプレート６３と回転カップ６１とで駆動部をそれぞれ別々に独立させて設けるようにしてもよい。
【０１１５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、レジストの使用量を削減しながらも、基板を保持する保持プレートの撓みを防止してレジストの膜厚を均一に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１に示す塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】レジスト処理ブロックを示す平面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るレジスト塗布処理ユニットを示す断面図である。
【図６】レジスト塗布処理ユニットの一部を示す断面図である。
【図７】レジスト塗布処理ユニットの一部を示す分解斜視図である。
【図８】レジスト塗布処理ユニットにおける処理工程を示すフロー図である。
【図９】レジスト塗布処理ユニットにおける処理工程を示す図である。
【図１０】一実施の形態に係るチャックプレートの構造を示す断面図である。
【図１１】図１０に示すチャックプレートの変形例を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係るレジスト塗布処理ユニットの主要部を示す断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係るレジスト塗布処理ユニットの主要部を示す断面図である。
【図１４】図１３の視点より９０度角度を変えた視点の図である。
【図１５】支持部材と支持ローラとを併用した形態を示す断面図である。
【図１６】図１５の視点より９０度角度を変えた視点の図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態に係るレジスト塗布処理ユニットの主要部を示す断面図である。
【図１８】図１７に示すレジスト塗布処理ユニットの斜視図である。
【図１９】チャックプレートの変形例を示す図である。
【図２０】支持部材７５の昇降するときの昇降制御の変形例を示す図である。
【図２１】回転カップの変形例を示す斜視図である。
【図２２】図２１に示す回転カップを含むレジスト塗布処理ユニットの主要部を示す断面図である。
【図２３】保持プレートと回転カップとのシール構造の他の形態を示す断面図である。
【図２４】図２３に示すシール構造の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
ＣＴ…レジスト塗布処理ユニット
３７…蓋体
４５…ノズル
６１ａ、６２ａ…底面
６２ｂ…貫通孔
６１…固定カップ
６２…回転カップ
６２ｃ…シール部材
６２ｄ…凹部
６３、１６３、２６３…チャックプレート
６３ａ、２６３ａ…突起部
６３ｂ…チャックプレート表面
６３ｃチャックプレート裏面
６８…回転軸部材
７０…エアシリンダ
７５…支持部材
７６…駆動機構
７７…蓋部材
１０１…コア部材
１０２、１０４…フェーシング部材
１３０…支持ローラ
１３１…連結部材
１８０…通気孔

Claims (16)

1. 底面に貫通孔を有し、基板を収容する容器と、
   少なくとも前記容器内で前記基板を保持する保持プレートと、
   前記保持プレートに保持された前記基板に処理液を供給する供給機構と、
   前記容器と前記保持プレートとを同期して回転させる駆動部と、
   前記貫通孔を介して前記容器の底面から出没可能に設けられ、前記保持プレートの外周付近を裏面側から支持する支持部材と、
   前記支持部材を昇降させる第１の昇降機構と
   を具備することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   少なくとも前記容器内で前記保持プレートを昇降させる第２の昇降機構と、
   前記保持プレートの裏面であって前記支持部材が当接する部位に設けられた突起部と
   を更に具備し、
   前記容器は、前記貫通孔が設けられた位置であってかつ前記突起部に対向する位置に設けられ、前記保持プレートが昇降することで前記突起部が係脱可能な凹部を有することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記保持プレートの裏面から前記突起部の先端までの距離は、前記凹部の深さより長く形成されていることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記突起部は、先端から前記保持プレートの裏面にかけて広がるように形成されたテーパー部を有することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   少なくとも前記容器内で前記保持プレートを昇降させる第２の昇降機構と、
   前記保持プレートの下降時に、前記保持プレートの裏面と、前記貫通孔の近傍における当該容器の底面との間の隙間を塞ぐシール部材と
   を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記貫通孔の近傍であって前記容器の底面に着脱自在に設けられ、
   前記支持部材が前記容器の底面から出没することで、該支持部材に支持されながら前記保持プレートを支持するとともに前記貫通孔を塞ぐ蓋部材を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記容器は、当該容器の内部に気流を形成するための通気孔を有することを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記保持プレートは、
   ハニカム状に形成されサンドイッチ構造のコアを構成するコア部材と、
   前記サンドイッチ構造のフェーシングを構成するフェーシング部材と
   を有することを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置であって、
   前記コア部材はアルミニウムからなることを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項８に記載の基板処理装置であって、
    前記フェーシング部材はアルミニウム又はカーボンからなることを特徴とする基板処理装置。
11. 請求項１０に記載の基板処理装置であって、
    前記フェーシング部材の表面にニッケルがメッキされていることを特徴とする基板処理装置。
12. （ａ）底面に貫通孔を有し基板を収容する容器内で回転駆動する保持プレートに基板を保持する工程と、
    （ｂ）前記貫通孔を介して支持部材を前記容器の底面から突出させて保持プレートの外周付近を裏面側から支持する工程と、
    （ｃ）前記保持プレートが支持された状態で、前記基板に処理液を供給する工程と、
    （ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記貫通孔を介して前記支持部材を前記容器の底面から没して前記保持プレートの支持を解除する工程と、
    （ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記保持プレートを回転させる工程と
    を具備することを特徴とする基板処理方法。
13. 基板を収容する容器と、少なくとも前記容器内で前記基板を保持する保持プレートと、前記保持プレートを昇降させる昇降機構と、前記保持プレートに保持された前記基板に処理液を供給する供給機構とを備えた基板処理装置の基板処理方法であって、
    （ａ）前記容器の上端よりも高い第１の高さで前記基板を前記保持プレートで保持する工程と、
    （ｂ）前記基板を保持した前記保持プレートを前記第１の高さより低い第２の高さまで下降させて前記容器内に基板を収容する工程と、
    （ｃ）前記容器の底面に設けられた貫通孔を介して支持部材を該容器内に突出させ、前記保持プレートの裏面の外周付近に設けられた突起部に前記支持部材を当接させて前記第２の高さまで下降した前記保持プレートを支持する工程と、
    （ｄ）前記保持プレートが支持された状態で、保持された前記基板に処理液を供給する工程と、
    （ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記保持プレートを前記第２の高さより低い第３の高さまで下降させて、前記保持プレートの裏面と前記容器の底面との間に所定の間隔をあけつつ前記貫通孔を前記突起部で塞ぐ工程と、
    （ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記容器と前記保持プレートとを一体的に回転させる工程と
    を具備することを特徴とする基板処理方法。
14. 基板を収容する容器と、
    前記容器内で前記基板を保持する保持プレートと、
    前記保持プレートに保持された前記基板に処理液を吐出する長尺状のノズルと、
    前記容器と前記保持プレートとを同期して回転させる駆動部と、
    前記ノズルに連結され、前記保持プレートの裏面側に当接して支持する支持ローラと、
    前記ノズル及び前記支持ローラを一体的に移動させるノズル駆動部と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
15. 請求項１４に記載の基板処理装置であって、
    前記容器は底面に貫通孔を有し、
    当該基板処理装置は、
    前記貫通孔を介して前記容器の底面から出没可能に設けられ、前記保持プレートの外周付近を裏面側から支持する支持部材と、
    前記支持部材を昇降させる第１の昇降機構と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
16. 基板を収容する容器と、
    前記容器内で前記基板を保持する保持プレートと、
    前記保持プレートに保持された前記基板に処理液を供給する供給機構と、
    前記容器と前記保持プレートとを同期して回転させる駆動部と、
    前記保持プレートを昇降させる昇降機構と、
    前記保持プレートの側方から前記保持プレートの裏面を支持する支持部材と、
    前記容器を挟むように一対設けられ、前記支持部材を昇降移動及び水平移動させる移動機構と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。

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