JP4101509B2 - Pressing method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はフィルム状の処理対象物を打ち抜き、目的物を得る技術にかかり、特に、半導体装置が搭載されたフィルムから目的物を得る技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在では、フィルムキャリア上にIC等の半導体チップを搭載し、小型化を達成したCOF(チップオンフィルム)が盛んに用いられている。
【0003】
図11の符号150は切断前のCOFの原反であり、金属配線154が形成された樹脂フィルム153上に半導体チップ158が搭載されている。図11では、切断後は1個のCOFとなるべき複数の領域1511〜1515が示されている。
【0004】
半導体チップ158の内部回路は各金属配線154の一端に接続されており、原反150を切断し、各領域1511〜1515を分離させると金属配線154の他端を他の電気回路に接続し、半導体チップ158を動作させられるようになっている。
【0005】
図9の符号105はその切断に用いるプレス抜き装置であり、底板121上には台座131が配置されており、該台座131には、小ロッド132の下端部分が鉛直に挿通されている。小ロッド132の上端部分にはストリッパー133が配置取り付けられている。小ロッド132にはバネ137が巻き回わされており、ストリッパー133は、バネ137の弾性力によって、台座131から持ち上げられている。
【0006】
ストリッパー133の中央位置にはCOFの製品形状と等しい形状の貫通孔が設けられており、その貫通孔内には、断面形状が貫通孔と等しい形状のパンチ135が挿通されている。パンチ135の下端部は、台座131に固定されている。
【0007】
底板121には大ロッド122が立設されており、その上端部には、天板123が大ロッド122に案内された上体で上下移動可能に取り付けられている。
【0008】
天板123の裏面(底板121に向かい合う側の面)には、ダイ(打ち抜き板)136が取り付けられている。
【0009】
ダイ136のうち、パンチ135の鉛直上方に位置する部分には、パンチ135と同形状の打ち抜き孔139が形成されている。
【0010】
また、天板123の中央位置にはすり鉢状の取り出し孔125が形成されている。取り出し孔125は打ち抜き孔139よりも大きな形状に形成されており、打ち抜き孔139の上端部分は取り出し孔125の底面に露出するようになっている。
【0011】
ストリッパー133及びパンチ135とダイ136との間に原反150を配置し、天板123を降下させると、原反150はストリッパー133とダイ136とで挟まれた状態になる。そしてダイ136を更に降下させると、ストリッパー133はバネ137を圧縮しながら下方に移動し、それに伴ってパンチ135が打ち抜き孔139内に挿通され、パンチ135の先端部分は、ダイ136及び天板123に対して相対的に上方に移動する。
【0012】
パンチ135が原反150に当接し、さらに相対的に上方に移動すると、原反150はパンチ135の断面形状通りに打ち抜かれ、得られたCOFがパンチ135上に乗る。図10の符号151は、打ち抜かれたCOFを示している。このCOF150は、取り出し孔125の底面にあるので、取り出し孔125の上方から手を入れて取り出される。
【0013】
従来技術の打ち抜き工程は上記の通りであり、COF151がパンチ135上から落下したり、COF151を取り出す前に、天板123及びダイ136が元の位置に戻る等の不都合があった。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、COFの量産に適したプレス抜き装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、貫通孔が形成されたストリッパーの上方に、打ち抜き孔が形成された打ち抜き板を配置し、フィルムの片面に複数の半導体ベアチップが搭載された処理対象物を、前記半導体ベアチップが配置された表面を前記打ち抜き板側に向けて前記ストリッパーと前記打ち抜き板の間に配置し、前記貫通孔内に配置されたパンチの上端を前記打ち抜き孔内に移動させ、前記処理対象物を打ち抜くプレス抜き方法であって、前記ストリッパーの表面と前記貫通孔内に位置する前記パンチの表面を同じ高さにして、少なくとも1個の前記半導体ベアチップが前記打ち抜き孔内に位置するようにして前記処理対象物を前記ストリッパーと前記打ち抜き板とで挟み、前記パンチで前記処理対象物裏面を真空吸着した状態で、前記打ち抜き板に対して前記パンチを相対的に上方に移動させ、前記処理対象物から少なくとも1個の前記半導体ベアチップが搭載された目的物を打ち抜き、次いで、内部に真空排気経路を有し真空排気経路の下端部が底面で開放されている緩衝部材が設けられたピックアップ部の吸着部の、前記緩衝部材の下端部を目的物のフィルムに当接させ、前記緩衝部材の前記下端部に前記目的物を真空吸着した後、前記パンチの真空吸着を解除し、前記ピックアップ部を上方に移動させ、前記目的物を前記パンチ上から持ち上げるプレス抜き方法である。
請求項2記載の発明は、請求項1記載のプレス抜き方法であって、前記ピックアップ部を複数設け、前記各ピックアップ部の前記吸着部を、前記目的物の前記フィルムの前記パンチに密着した面とは反対側の面に当接させ、該目的物を真空吸着するプレス抜き方法である。
【0016】
本発明は上記のように構成されており、半導体装置が搭載されたフィルムを打ち抜き、目的物を得るプレス抜き装置であり、半導体装置を打ち抜き板側に向け、処理対象のフィルムをパンチと板の間に配置し、パンチによってフィルムを打ち抜くようになっている。
【0017】
本発明のプレス抜き装置では、パンチの真空排気経路の接続された真空ポンプを動作させ、フィルムをパンチの先端に真空吸着させながらフィルムを打ち抜くことができる。従って、打ち抜きによって得られた目的物の裏面がパンチの先端に真空吸着され、その結果、目的物がパンチ先端に保持される。
【0018】
目的物の表面には半導体装置が搭載されており、半導体装置を避け、ピックアップ部先端の吸着部をフィルムに当接させて真空吸着するようになっている。
【0019】
ピックアップ部の先端には、吸着部は複数個設けられており、目的物がピックアップ部に真空吸着された状態では、目的物に搭載された半導体装置は吸着部の間に位置するようになっている。即ち、半導体装置は真空吸着されず、フィルムが真空吸着される。
【0020】
目的物をパンチの先端からピックアップ部の先端に移動させるときには、先ず、パンチに真空吸着された目的物をピックアップ部によっても真空吸着し、次いで、パンチの真空吸着を解除し、目的物をピックアップ部に真空吸着させた状態でピックアップ部を移動させると、目的物はパンチ先端から搬出される。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
【0022】
図1を参照し、符号5は、本発明のプレス抜き装置の一例であり、装置本体20とピックアップ部10とを有している。
【0023】
装置本体20は底板21を有しており、該底板21上には台座31が配置されている。台座31の表面には、小径の深穴が複数個穿設されており、各深穴には、小ロッド32の下端部分が鉛直に挿通されている。
【0024】
小ロッド32の上端部分には、平板状のストリッパー33が水平に取り付けられている。各小ロッド32には、バネ37が巻回されており、各バネ37の下端部分と上端部分は、それぞれ台座31の表面とストリッパー33の裏面に当接され、各バネ37の弾性力によってストリッパー33が台座31の上方位置に保持されるようになっている。
【0025】
ストリッパー33の略中央位置には、製品となる目的物の形状と等しい形状の貫通孔が形成されている。台座31上には、金属製のパンチ35が、その上端部分がストリッパー33の貫通孔内に挿入された状態で立設されている。
【0026】
パンチ35と台座31の内部はくり抜かれており、気体の通路である真空排気経路45、44がそれぞれ形成されている。
【0027】
台座31内の真空排気経路44の一端は、配管43によって真空ポンプ42に接続されている。パンチ35は台座31の表面で互いに密着されており、台座31内の真空排気経路44の他端と、パンチ35内の真空排気経路45の一端とは、互いに密着された部分で接続されている。
【0028】
パンチ35内の真空排気経路45の他端は、パンチ35の上端部分に位置し、開口を形成しており、真空ポンプ42を動作させると、真空ポンプ42は、パンチ35上端の開口から大気を吸い込むように構成されている。
【0029】
また、底板21には、大ロッド22が複数本立設されており、大ロッド22の上端部分には、天板23が水平に取り付けられている。
【0030】
天板23の裏面のストリッパー33と向かい合う位置には、打ち抜き板36が取り付けられている。
【0031】
打ち抜き板36には、打ち抜き孔39が形成されている。この打ち抜き孔39は、パンチ35の鉛直上方に位置しており、その形状は、ストリッパー33の貫通孔と同形状である。
【0032】
天板23には取り出し孔25が形成されている。取り出し孔25の位置は打ち抜き孔39の上方であり、打ち抜き孔39の上端部分が取り出し孔25の底面に位置している。
【0033】
符号50はフィルム状の処理対象物を示しており、その片面にはベアチップから成る半導体装置58が複数個列設されている。
【0034】
この処理対象物50は、半導体装置58の搭載面側を上方、即ち打ち抜き板36側に向け、打ち抜き板36とストリッパー33との間に水平に配置されている。
【0035】
処理対象物50を静止させ、打ち抜き板36と共に天板23を下降させると、処理対象物50は、打ち抜き板36とストリッパー33とで挟まれる。
【0036】
パンチ35の上端部分は平面に成形されており、その平面はストリッパー33の表面と同様に、水平に配置されている。
【0037】
処理対象物50が打ち抜き板36とストリッパー33とで挟まれた直後の状態では、ストリッパー33の表面とパンチ35の上端部分とは同じ高さで静止されており、処理対象物50が打ち抜き板36とストリッパー33とで挟まれると、パンチ35の上端部分は処理対象物50の裏面に密着するようになっている。
【0038】
その状態で真空ポンプ42により、真空排気経路44、45内の気体を真空排気すると、処理対象物50のパンチ35上に位置する部分はパンチ35に真空吸着される。
【0039】
処理対象物50を真空吸着しながら天板23及び打ち抜き板36を更に下降させるとストリッパー33と小ロッド32はバネ37を圧縮しながら下降し、パンチ35が、天板23及び打ち抜き板36に対して相対的に上方に移動する。
【0040】
処理対象物50上の半導体装置58は、パンチ35の縁上には位置しないようになっており、パンチ35の相対的な移動によってパンチ35の上端部分が打ち抜き孔39内に挿入されると、それに伴い、処理対象物50のフィルム部分がパンチ35の縁によって打ち抜かれる。
【0041】
図2の符号51は、打ち抜きによって得られた目的物を示しており、目的物51上には、少なくとも1個の半導体装置58が搭載されている。この目的物51の裏面は、パンチ35の上端部上に真空吸着されている。
【0042】
天板23及び打ち抜き板36が最下端まで下降した状態では、パンチ35上の目的物51は取り出し孔25内に位置している。
【0043】
取り出し孔25の上方にはピックアップ部10が配置されている。ピックアップ部10は、棒状のロッド部11と、板状の先端部12と、複数個の吸着部13とを有している。ロッド部11は鉛直に配置されており、先端部12は、ロッド部11の下端部に密着して取り付けられている。
【0044】
図5は、先端部12付近の拡大図である。吸着部13は、金属製のブロック16と、該ブロック16に取り付けられたゴム製の緩衝部材67とを有しており、各吸着部13は、ブロック16の端部が先端部12の下面に取り付けられ、その状態では、緩衝部材67は鉛直下方に向けられている。
【0045】
ロッド部11と、先端部12と、ブロック16及び緩衝部材67の内部には、真空排気経路64〜67が形成されている。
【0046】
ロッド部11と先端部12の内部の真空排気経路64、65は連続しており、ロッド部11側では、ロッド部11の上端部において、配管63を介して真空ポンプ62に接続されている。先端部12内では、真空排気経路65は複数本に枝分かれしており、それらの真空排気経路65の先端部分は、ブロック16内の真空排気経路66の一端に接続されている。
【0047】
ブロック16内の真空排気経路66の他端は、ブロック16の下端部において、緩衝部材67内部の真空排気経路67の上端部に接続されている。この真空排気経路67の下端部は、緩衝部材67の底面で開放されており、真空ポンプ62を動作させると、真空排気経路64〜67内部を通って、緩衝部材67の下端部から大気を吸入するようになっている。
【0048】
図5の符号53は目的物51の一構成部材であるフィルムであり、ポリイミド等の樹脂フィルムや、樹脂フィルムや金属フィルムが積層された積層フィルムによって構成されている。
【0049】
このフィルム53の表面には、銅等の金属から成る配線54が引き回されている。一般に、配線54上には保護フィルムが設けられているが(図5では省略してある。)、配線54の少なくとも一部は保護フィルムから露出され、その部分に設けられたバンプ59により、半導体装置58の内部回路に電気的に接続されている。図5の符号57は接着剤であり、この接着剤57によって半導体装置58がフィルム51表面に機械的に固定されている。
【0050】
吸着部13は半導体装置58の上方位置を避けて配置されている。この例の目的物51では、半導体装置58を1個だけ有しているが、複数個を有する場合であっても同様に、吸着部13は半導体装置58の上方位置を避けて配置されている。例えば、半導体装置58がパンチ35の中央に位置する場合には、図7に示すように、複数の吸着部131〜133は、パンチ35の中央位置に対応する先端部12の中央には配置されていない。
【0051】
このように、半導体装置58の上方には吸着部13が存しないようになっており、また、吸着部13の高さはフィルム53上の半導体装置58の高さよりも高くなっている。
【0052】
そのため、目的物51をパンチ35上に真空吸着した状態でピックアップ部10を下降させると、半導体装置58が先端部12に接触することなく吸着部13の緩衝部材67の下端部が目的物51のフィルム53表面に当接される。
【0053】
図6はその状態を示しており、緩衝部材67は柔らかいため、緩衝部材67の下端部は、フィルム53が損傷することなくフィルム53表面に密着する。
【0054】
その状態で真空ポンプ62を動作させ、目的物51を緩衝部材67の下端に真空吸着した後、パンチ35側の真空吸着を解除し、ピックアップ部10を上方に移動させると、目的物51は緩衝部材67に密着したままパンチ35上から持ち上げられる。
【0055】
次いで、天板23及び打ち抜き板36を元の位置に戻すとパンチ35は打ち抜き孔39から抜去される。
【0056】
そして、処理対象物50を水平方向に移動させ、次に打ち抜くべき領域をパンチ35上に静止させて、上記と同様に打ち抜き加工によって目的物51を得る。
【0057】
ピックアップ部10に真空吸着した目的物51は、ピックアップ部10を横方向に移動させ、真空吸着を解除して所定位置に置く。
【0058】
以上は、1回のプレス操作で1個の目的物を得る場合を説明したが、本発明のプレス抜き装置5は、それに限定されるものではない。1回のプレス操作で複数個の目的物が得られる場合は、各目的物毎に吸着部13を配置すればよい。例えば2個の目的物が得られる場合であって、1個の目的物に対して3個の吸着部を配置する場合は、図8に示すように、1個の先端部12a上に、6個の吸着部131〜136を配置し、一方の目的物を3個の吸着部131〜133で真空吸着し、他方の目的物を残りの3個の吸着部134〜136で真空吸着すればよい。
【0059】
なお、上記半導体装置58はシリコンチップ等のベアチップであったが、本発明の処理対象物及び目的物には、半導体チップが樹脂モールドされた半導体装置や、半導体チップがセラミックパッケージされた半導体装置を搭載したものも含まれる。
【0060】
特に、半導体装置58が片面に搭載された処理対象物50の場合、パンチ35の先端部分が、フィルム53の面のうち、半導体装置58が搭載されていない側の面を真空吸着できるので、本発明のプレス抜き装置5を用いた処理に適している。
【0061】
【発明の効果】
目的物がパンチ上で位置ズレしないのでプレス抜き装置が停止するようなことがない。
フィルムを真空吸着しているので、半導体装置が接続不良になることはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプレス抜き装置の動作を説明するための図(1)
【図2】本発明のプレス抜き装置の動作を説明するための図(2)
【図3】本発明のプレス抜き装置の動作を説明するための図(3)
【図4】本発明のプレス抜き装置の動作を説明するための図(4)
【図5】ピックアップ部の動作を説明するための図(1)
【図6】ピックアップ部の動作を説明するための図(2)
【図7】吸着部の配置例
【図8】吸着部の他の配置例
【図9】従来のプレス抜き装置を説明するための図(1)
【図10】従来のプレス抜き装置を説明するための図(2)
【図11】処理対象物を説明するための図
【符号の説明】
5……プレス抜き装置 10……ピックアップ部 13……吸着部 35……パンチ 36……打ち抜き板 39……打ち抜き孔 45……真空排気経路 50……処理対象物 58……半導体装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a technique for punching a film-like object to be processed and obtaining a target object, and particularly relates to a technique for obtaining a target object from a film on which a semiconductor device is mounted.
[0002]
[Prior art]
At present, COF (chip-on-film), in which a semiconductor chip such as an IC is mounted on a film carrier to achieve miniaturization, is actively used.
[0003]
[0004]
The internal circuit of the
[0005]
[0006]
A through hole having a shape equal to the product shape of COF is provided at the center position of the
[0007]
A
[0008]
A die (punching plate) 136 is attached to the back surface of the top plate 123 (the surface facing the bottom plate 121).
[0009]
A
[0010]
In addition, a mortar-
[0011]
When the
[0012]
When the
[0013]
The punching process of the prior art is as described above, and there is a disadvantage that the
[0014]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention was created to solve the above-described disadvantages of the prior art, and an object thereof is to provide a press punching apparatus suitable for mass production of COF.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 is characterized in that a punching plate having punched holes is disposed above a stripper having through holes, and a plurality of semiconductor bare chips are mounted on one side of the film. The processing object is disposed between the stripper and the punching plate with the surface on which the semiconductor bare chip is disposed facing the punching plate, and the upper end of the punch disposed in the through hole is moved into the punching hole. A punching method for punching out the object to be processed, wherein the surface of the stripper and the surface of the punch located in the through hole are at the same height so that at least one of the semiconductor bare chips is in the punching hole. The processing object is sandwiched between the stripper and the punching plate so that the processing object is positioned at a position, and the back surface of the processing object is vacuum-sucked by the punch. In a state, moving the punch relative upward relative to the cutting die, stamping at least one of said object on which a semiconductor bare chip is mounted from the processing object, then, the vacuum exhaust path inside The lower end portion of the pickup member provided with the buffer member having the lower end portion of the vacuum exhaust path open at the bottom is brought into contact with the target film, and the lower end of the buffer member After the vacuum suction of the target object to the part, the vacuum suction of the punch is released, the pickup part is moved upward, and the target object is lifted from the punch.
A second aspect of the present invention is the press punching method according to the first aspect, wherein a plurality of the pickup portions are provided, and the suction portion of each pickup portion is in close contact with the punch of the target film. Is a pressing method in which the object is brought into contact with the opposite surface and the object is vacuum-sucked.
[0016]
The present invention is configured as described above, and is a press punching device that punches out a film on which a semiconductor device is mounted and obtains an object. The semiconductor device faces the punching plate, and the film to be processed is placed between the punch and the plate. It is arranged to punch the film by punching.
[0017]
In the press punching apparatus of the present invention, the film can be punched while operating the vacuum pump connected to the vacuum evacuation path of the punch and vacuum-adsorbing the film to the tip of the punch. Therefore, the back surface of the object obtained by punching is vacuum-sucked at the tip of the punch, and as a result, the object is held at the tip of the punch.
[0018]
A semiconductor device is mounted on the surface of the object. The semiconductor device is avoided, and the suction portion at the tip of the pickup portion is brought into contact with the film for vacuum suction.
[0019]
A plurality of suction units are provided at the tip of the pickup unit. When the target object is vacuum-sucked by the pickup unit, the semiconductor device mounted on the target unit is positioned between the suction units. Yes. That is, the semiconductor device is not vacuum-sucked and the film is vacuum-sucked.
[0020]
When moving the target object from the tip of the punch to the tip of the pickup unit, first, the target object vacuum-sucked by the punch is also vacuum-sucked by the pickup unit, and then the vacuum suction of the punch is released, and the target object is released by the pickup unit. When the pickup unit is moved while being vacuum-sucked, the object is carried out from the punch tip.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0022]
Referring to FIG. 1,
[0023]
The apparatus
[0024]
A
[0025]
At a substantially central position of the
[0026]
The insides of the
[0027]
One end of the
[0028]
The other end of the
[0029]
A plurality of
[0030]
A punching
[0031]
A punching hole 39 is formed in the punching
[0032]
An
[0033]
[0034]
The
[0035]
When the
[0036]
The upper end portion of the
[0037]
In a state immediately after the
[0038]
In this state, when the gas in the
[0039]
When the
[0040]
The
[0041]
A
[0042]
When the
[0043]
A
[0044]
FIG. 5 is an enlarged view of the vicinity of the
[0045]
[0046]
The
[0047]
The other end of the
[0048]
[0049]
On the surface of the
[0050]
The
[0051]
Thus, the
[0052]
Therefore, when the
[0053]
FIG. 6 shows this state. Since the
[0054]
In this state, the
[0055]
Next, when the
[0056]
Then, the object to be processed 50 is moved in the horizontal direction, the region to be punched next is stopped on the
[0057]
The
[0058]
The case where one object is obtained by one press operation has been described above, but the
[0059]
Although the
[0060]
In particular, in the case of the
[0061]
【The invention's effect】
Since the target object is not displaced on the punch, the press punching device does not stop.
Since the film is vacuum-sucked, the semiconductor device does not become poorly connected.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram for explaining the operation of a press punching apparatus according to the present invention (1).
FIG. 2 is a diagram (2) for explaining the operation of the press punching apparatus of the present invention.
FIG. 3 is a diagram (3) for explaining the operation of the press punching apparatus of the present invention.
FIG. 4 is a view for explaining the operation of the press punching apparatus of the present invention (4).
FIG. 5 is a diagram for explaining the operation of the pickup unit (1).
FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the pickup unit (2).
FIG. 7 shows an example of the arrangement of the suction part. FIG. 8 shows another example of the arrangement of the suction part. FIG. 9 is a diagram for explaining a conventional press punching device.
FIG. 10 is a diagram for explaining a conventional press punching device (2).
FIG. 11 is a diagram for explaining a processing object.
5 ...
Claims (2)
フィルムの片面に複数の半導体ベアチップが搭載された処理対象物を、前記半導体ベアチップが配置された表面を前記打ち抜き板側に向けて前記ストリッパーと前記打ち抜き板の間に配置し、
前記貫通孔内に配置されたパンチの上端を前記打ち抜き孔内に移動させ、前記処理対象物を打ち抜くプレス抜き方法であって、
前記ストリッパーの表面と前記貫通孔内に位置する前記パンチの表面を同じ高さにして、少なくとも1個の前記半導体ベアチップが前記打ち抜き孔内に位置するようにして前記処理対象物を前記ストリッパーと前記打ち抜き板とで挟み、
前記パンチで前記処理対象物裏面を真空吸着した状態で、前記打ち抜き板に対して前記パンチを相対的に上方に移動させ、前記処理対象物から少なくとも1個の前記半導体ベアチップが搭載された目的物を打ち抜き、
次いで、内部に真空排気経路を有し真空排気経路の下端部が底面で開放されている緩衝部材が設けられたピックアップ部の吸着部の、前記緩衝部材の下端部を目的物のフィルムに当接させ、前記緩衝部材の前記下端部に前記目的物を真空吸着した後、前記パンチの真空吸着を解除し、前記ピックアップ部を上方に移動させ、前記目的物を前記パンチ上から持ち上げるプレス抜き方法。Place the punched plate with the punched hole above the stripper with the through hole formed,
A processing object in which a plurality of semiconductor bare chips are mounted on one side of the film is disposed between the stripper and the punching plate with the surface on which the semiconductor bare chip is disposed facing the punching plate side,
A punching method for punching the object to be processed by moving an upper end of a punch disposed in the through hole into the punching hole,
The surface of the stripper and the surface of the punch located in the through hole are made the same height so that at least one semiconductor bare chip is located in the punching hole, and the object to be processed is placed in the stripper and the stripper. Sandwiched with punched plate,
An object in which at least one of the semiconductor bare chips is mounted from the processing object by moving the punch relatively upward with respect to the punching plate in a state where the processing object back surface is vacuum-sucked by the punch. Punched out,
Next, the lower end portion of the pickup member of the pickup portion provided with the buffer member having an evacuation passage inside and having the lower end portion of the evacuation passage open at the bottom is brought into contact with the target film. And releasing the vacuum suction of the punch, moving the pickup unit upward, and lifting the target from above the punch.
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