JP4100962B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4100962B2 JP4100962B2 JP2002156649A JP2002156649A JP4100962B2 JP 4100962 B2 JP4100962 B2 JP 4100962B2 JP 2002156649 A JP2002156649 A JP 2002156649A JP 2002156649 A JP2002156649 A JP 2002156649A JP 4100962 B2 JP4100962 B2 JP 4100962B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- silicon film
- doped
- manufacturing
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より具体的には液晶表示装置のアクティブマトリックス等に用いられる薄膜半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置のアクティブマトリックスの製造などにおいて、基板の上に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を形成する。TFTが形成される半導体層として非晶質シリコン膜を用いると、キャリアの移動度が小さいため高速動作ができない。このため、通常、ガラス基板上に積層した非晶質シリコン膜をレーザアニールして結晶化した多結晶シリコン膜を用いる。
【0003】
多結晶シリコンの結晶粒界はキャリアの移動を妨げるので、多結晶シリコン膜を構成するシリコン結晶粒はできるだけ粗粒にして、キャリアが結晶粒界に遭遇する頻度を減らすようにする。このため、レーザアニール処理では、線状または細長い矩形状のビームプロファイルのレーザビームを用い、その矩形の短辺の方向に沿って部分的ずらしながら、非晶質シリコン膜にパルスビームを打ってゆく。このとき、非晶質シリコン膜はパルスビームからエネルギーを得て高温に加熱され、所定の部分は溶融され、粗大に結晶化した多結晶シリコン膜が形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
非晶質シリコン膜をレーザアニール処理することによって多結晶シリコン膜を形成する場合、結晶粒の成長方向は、照射されるレーザ光のエネルギー密度勾配に大きく影響を受ける。図7において、細長い矩形断面のビームプロファイル111を有するレーザビームを、短辺方向に所定のピッチPでマイナスy方向にずらしながら照射する。このレーザアニールにより、非晶質シリコン膜105は、多結晶シリコン膜108に変化する。このとき、エネルギー密度勾配の大きいレーザ光が照射されると、シリコンに大きな温度差が生じるため再結晶速度が大きくなり、そのエネルギー密度勾配に沿う方向に長い結晶粒が成長する。
【0005】
この結果、図7に示すように、シリコン粒は、エネルギー密度勾配の大きい矩形の短辺方向(y軸方向)に長い楕円形の結晶粒106aとなる(特開2000−286195号公報)。なお、シリコン粒の形状を表現する「楕円形」は、必ずしも楕円を意味せず、所定の方向に長い粒であれば、たとえ矩形状であっても楕円形と呼ぶ。以後の説明でも同様とする。
【0006】
このような楕円形の結晶粒から構成される多結晶シリコン膜を用いて薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を作製した場合、TFTのチャネルの向きが、楕円形の結晶粒の長軸方向と平行か、または短軸方向と平行かによって、TFTの性能が変動する。これは、チャネル中を移動するキャリアが遭遇する結晶粒界が多いほど、TFTの特性が低下するためである。この結果、同じTFTの中で配置するトランジスタの向きによって、トランジスタ特性がばらつくことになる。
【0007】
本発明は、レーザアニール処理によって多結晶シリコン粒に異方性を生じないようにする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法では、基板上に非晶質シリコン膜を成膜した後、固体レーザ発振装置を光源とするパルスレーザ光により、非晶質シリコン膜をレーザアニール処理する際に、パルスレーザ光を、直線偏光状態および楕円偏光状態のいずれかにして、かつ矩形断面の短辺方向にエネルギー勾配をもつレーザビームにして、その直線偏光方向または楕円偏光の長軸方向を矩形断面の長辺方向に揃えて、非晶質シリコン膜に部分的に重複させながら照射することによって、平面的に見て等方的な結晶粒の多結晶シリコン膜を形成する。
【0009】
レーザアニール対象の半導体膜を非晶質シリコン膜とした場合について説明する。シリコン結晶粒の楕円形状の扁平度(長軸長さ/短軸長さ、または長手方向長さ/短手方向長さ)を大きくする要因として、(A1)エネルギー密度勾配と、(A2)偏光方向(光の電気ベクトル方向)とがある。(A1)エネルギー密度勾配の要因からは、シリコン結晶粒は矩形断面の短辺方向に長くなることを助長する。また、(A2)電気ベクトルの方向に結晶粒を長くすることを助長する。このため、パルスレーザ光を直線偏光または楕円偏光にして、その電気ベクトルの長手方向をレーザビームの矩形断面の長辺方向に揃えるようにすると、上記2つの要因(A1)、(A2)が相殺し、平面的に見て等方的な結晶粒が生成する。この結果、トランジスタの向きによって特性が変動することを防ぐことができる。なお、上記の半導体膜は、非晶質シリコン膜に限られず、多結晶シリコン膜をレーザアニールして平面的に見て等方的なシリコン結晶粒を形成する場合であってもよい。
【0010】
また、パルスレーザ光として、NdをドープしたYAG(Y3Al5O12)レーザ、NdをドープしたYVO4レーザ、NdをドープしたYLF(LiYF4)レーザ、Ndをドープしたガラスレーザ、YbをドープしたYAG(Y3Al5O12)レーザ、YbをドープしたYVO4レーザ、YbをドープしたYLF(LiYF4)レーザ、およびYbをドープしたガラスレーザのいずれかの発振装置から出射された光の第2高調波または第3高調波を用いることができる。
【0011】
これら固体レーザ発振装置からは直線偏光が出射されるので、そのまま、または任意の形状の楕円偏光を精度よく得ることができる。また、上記第2高調波および第3高調波はエキシマレーザよりも長波長域にあり、たとえばシリコン膜をアニールする場合、エキシマレーザ光ほどシリコンによる吸収率は大きくない。このため、シリコン膜を透過した光を反射させる反射機構を設けて、シリコン膜の底部から再照射させるようにすると、シリコン膜表面のみならず底部からもエネルギーが吸収される。この結果、シリコン膜厚全体にわたって均一に、等方的に粗大化したシリコン結晶粒を得ることができる。
【0012】
上記の固体レーザ発振装置として、Qスイッチによりパルス発振する装置を用いることができる。
【0013】
パルス光を、矩形断面のビームを所定のピッチでずらしながら打ってゆくことにより、大面積のアニール対象に対して均一なアニールを効率よく行うことができる。
【0016】
固体レーザ発振装置より出射された直線偏光状態の光ビームを楕円偏光状態の光ビームに変換するために、直線偏光状態の光ビームの直交する成分間に位相差を生じさせる偏光素子を用いることができる。
【0017】
上記により、光の楕円偏光の扁平度を精度よく制御し、すなわち電気ベクトルの異方性の度合いをエネルギ密度要因と精度よく相殺するようにすることができる。
【0018】
偏光素子としては、複屈折性結晶より作製された波長板およびフレネルロムの少なくとも一方を用いることができる。
【0019】
直線偏光状態から、直交成分の間に任意の位相差を精度よくつけ、任意の扁平度の楕円偏光を精度よく形成することができる。
【0034】
【発明の実施の形態】
次に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【0035】
(実施の形態1)−本発明の原理−
非晶質シリコン膜をレーザアニールする際、多結晶シリコン膜の結晶粒は、レーザの偏光方向(電気ベクトルEの方向)により大きく成長する。そのメカニズムに関して図1を用いて説明する。図1において、非晶質シリコン膜5の中には多結晶シリコンの結晶粒の芽ともいうべき微小な結晶粒1が存在する。その微小な結晶粒1と、非晶質シリコン5との境界1aには、電気双極子モーメント2が存在する。光の吸収率は、電気双極子モーメントベクトル2と光の電気ベクトルEとの内積の2乗に比例する。図1では、レーザ光は直線偏光状態であり、電気ベクトルEはx軸方向に平行としている。
【0036】
したがって、結晶粒と非晶質シリコンの境界に対して、電気ベクトルEが直交する部分1gで、光の吸収が最も大きくなる。この結果、この部分1gで外側方向3に結晶成長が大きく進む。つまり、直線偏光のレーザ光を照射すると偏光方向に結晶粒が大きく成長する。また、これとは逆に、円偏光のレーザ光を照射すると結晶粒が等方的に成長する。
【0037】
レーザ光はコヒーレンスが良いので、その出射レーザ光は一般的に位相がきれいに揃っている。このレーザ光の偏光状態を、偏光素子を用いて、所望の結晶粒が得られるような所望の偏光状態、すなわち所望の電気ベクトルの方向分布に変換することにより、シリコン結晶粒の形状の制御が可能となる。
【0038】
図2を参照して、上述のように、非晶質シリコン膜5には結晶粒の芽ともいうべき微小な結晶粒1が混在している。この非晶質シリコン膜5にレーザアニール処理を施す。
【0039】
非晶質シリコン膜のレーザアニール処理では、一般的に線状ビームプロファイル、すなわち細長い矩形状ビームプロファイル11が用いられる。矩形ビームプロファイル11を有するパルスビームを、部分的に重複させながら所定のピッチでマイナスy方向に照射してゆく。パルスビームが照射された箇所では、非晶質シリコン膜5は多結晶シリコン膜8に変わってゆく。要因(A1)のエネルギー密度勾配に限定すると、形成される多結晶シリコン膜の結晶粒6aは、矩形状(線状)プロファイルの短辺方向、すなわちy軸方向に沿って長い楕円形となる。
【0040】
一方、偏光としてx軸方向に長軸を有する楕円偏光を用いた場合、要因(A2)の電気ベクトル方向分布(偏光状態)に限定すれば、生成するシリコン結晶粒はx軸方向に長い結晶粒6bとなる。
【0041】
2つの要因(A1)および(A2)を足し合わせると、平面的に見て等方的なシリコン結晶粒7を得ることができる。なお、レーザビームの断面形状と、偏光状態とは相互に無関係に独立に制御できる要因である。
【0042】
上記のように、エネルギー密度勾配大の方向への結晶粒成長と、偏光方向への結晶粒成長とのバランスをとることにより、平面的に見て等方的な結晶粒を得ることができる。このため、TFTに配置されたトランジスタの向きによってトランジスタの特性が変動することを防止することができる。
【0043】
(実施の形態2)
NdがドープされたYAGレーザ等の固体レーザの出射光は、一般的にコヒーレンス度が高く位相がきれいに揃っているため、非常に高い直線偏光度を有する。当然のことながら、これらの固体レーザの第2高調波および第3高調波も同様の性質を有する。また、これら第2高調波および第3高調波は、固体レーザから出射されたばかりの基本波よりも波長が短く、非晶質シリコン膜に吸収される割合が高いという性質も併せ持つ。したがって、NdをドープしたYAGレーザ等の固体レーザの第2高調波または第3高調波を用いてレーザアニールを行うことにより、偏光方向を利用した結晶粒成長方向制御を非常に効率良く行うことが可能となる。
【0044】
固体レーザ発振装置として、NdがドープされたYAGレーザの他に、NdをドープしたYVO4レーザ、NdをドープしたYLF(LiYF4)レーザ、Ndをドープしたガラスレーザ、YbをドープしたYAG(Y3Al5O12)レーザ、YbをドープしたYVO4レーザ、YbをドープしたYLF(LiYF4)レーザ、およびYbをドープしたガラスレーザのいずれかの発振装置などを用いることができる。また、これらの固体レーザ発振装置から出射された光の第2高調波または第3高調波を、パルスレーザ光として用いることができる。
【0045】
図3〜図5は、NdがドープされたYAGレーザから出射された基本波の第2高調波および第3高調波を用い、直線偏光の偏光方向を矩形状ビームプロファイルの長辺方向に揃えて照射して得られた多結晶シリコン膜を示す図である。図3に示すように、ガラス基板12の上に窒化シリコン膜13が配置され、その上に上記のレーザ光を用いてアニールされた多結晶シリコン膜8が位置している。ガラス基板12と窒化シリコン膜13との界面、および窒化シリコン膜13と多結晶シリコン膜8との界面、ガラス基板底面と他の光媒体との界面は、いずれも上記のレーザ光の反射面として機能する。この結果、多結晶シリコン膜の底面からもレーザ光の照射がなされ、非晶質シリコン膜の膜厚全体に均一にエネルギが投入される。
【0046】
図4によれば、上記のレーザアニールにより生じる多結晶シリコン膜は、厚さ方向(z方向)に膜厚一杯に成長する結晶粒を有する。また、図5によれば、平面的(x-y平面)に見て、等方的であり、径長(直径)Dが250nm以上のシリコン粒が生成する。
【0047】
上記の多結晶シリコン膜を有する半導体装置では、配置されたトランジスタの向きによってトランジスタの特性が変動しない。このため、同じTFTに配置された個々のトランジスタの特性を、所定レベルに揃えることができる。また、シリコン膜の底部からもエネルギーが投入されるので、シリコン結晶粒をより粗大化することができる。
【0048】
(実施の形態3)
図6は、本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法を示す図である。本実施の形態では、固体レーザ発振器21から、非晶質シリコン膜等の被照射物5へ、レーザビームLBを伝送するビーム伝送光学系25中に、直線偏光を楕円偏光へ変換する偏光素子23を配置する。上記のレーザビームLBの経路内には、ミラー22などを配置する。
【0049】
偏光素子23としては、複屈折性結晶より作製されたいわゆる波長板、または全反射時のs波とp波の位相ジャンプのズレを利用するフレネルロムを使用する。波長板の場合は、使用する波長に関して進相軸と遅相軸の位相遅れを調整して、任意の楕円偏光を得ることができる。また、フレネルロムの場合は全反射時のs波とp波の位相ジャンプの差を利用しているので波長には依存せず、入射角度によって位相ジャンプの差を調整して任意の楕円偏光を得ることができる。
【0050】
上記の固体レーザ発振器21の中には、基本波から第2高調波または第3高調波を得るための素子を配置することができる。
【0051】
上記のように偏光素子23を配置することにより、直線偏光を構成する一方の成分を他方に成分に対して所望の位相差、精度よくつけることが容易にできる。
【0052】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【0053】
【発明の効果】
本発明の半導体装置の製造方法を用いることにより、レーザアニール処理によって多結晶シリコン膜に異方性を生じないようにすることができ、トランジスタの向きによって特性が変動しない半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置の製造方法における偏光状態要因を説明する図である。
【図2】 本発明の製造方法の原理を説明する図である。
【図3】 本発明の実施の形態2における半導体装置を示す図である。
【図4】 図3における多結晶シリコン膜の断面図である。
【図5】 図3における多結晶シリコン膜の平面図である。
【図6】 本発明の実施の形態3における半導体装置の製造方法を示す図である。
【図7】 半導体装置の製造方法におけるエネルギー密度勾配要因を説明する図である。
【符号の説明】
1 非晶質シリコン中の微小な結晶、1a 微小な結晶の粒界、1g 電気ベクトルと直交する粒界部分、2 微小な結晶粒の粒界に生じる双極子モーメント、3 結晶粒の成長方向、5 非晶質シリコン、6a エネルギー密度勾配要因のみを考慮した成長結晶粒、6b 偏光状態要因のみ考慮した成長結晶粒、7 等方的なシリコン粒、8 多結晶シリコン膜、11 レーザビーム断面(矩形)、12 ガラス基板、13 窒化シリコン膜、21 固体レーザ発振器、22 ミラー、23 偏光素子、24 ステージ、25 レーザビーム伝送光学系、LB レーザビーム、D シリコン結晶粒径。
Claims (5)
- 基板上に非晶質シリコン膜を成膜した後、固体レーザ発振装置を光源とするパルスレーザ光により、前記非晶質シリコン膜をレーザアニール処理する際に、前記パルスレーザ光を、直線偏光状態および楕円偏光状態のいずれかにして、かつ矩形断面の短辺方向にエネルギー勾配をもつレーザビームにして、その直線偏光方向または楕円偏光の長軸方向を前記矩形断面の長辺方向に揃えて、前記非晶質シリコン膜に部分的に重複させながら照射することによって、平面的に見て等方的な結晶粒の多結晶シリコン膜を形成する、半導体装置の製造方法。
- 前記パルスレーザ光として、NdをドープしたYAG(Y3Al5O12)レーザ、NdをドープしたYVO4レーザ、NdをドープしたYLF(LiYF4)レーザ、Ndをドープしたガラスレーザ、YbをドープしたYAG(Y3Al5O12)レーザ、YbをドープしたYVO4レーザ、YbをドープしたYLF(LiYF4)レーザ、およびYbをドープしたガラスレーザのいずれかの発振装置から出射された光の第2高調波または第3高調波を用いる、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記固体レーザ発振装置として、Qスイッチによりパルス発振する装置を用いる、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記固体レーザ発振装置より出射された直線偏光状態の光ビームを前記楕円偏光状態の光ビームに変換するために、前記直線偏光状態の光ビームの直交する成分間に位相差を生じさせる偏光素子を用いる、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記偏光素子として、複屈折性結晶より作製された波長板およびフレネルロムの少なくとも一方を用いる、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002156649A JP4100962B2 (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002156649A JP4100962B2 (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003347210A JP2003347210A (ja) | 2003-12-05 |
JP4100962B2 true JP4100962B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=29772789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002156649A Expired - Fee Related JP4100962B2 (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4100962B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007036080A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | レーザアニール装置 |
JP2007110064A (ja) | 2005-09-14 | 2007-04-26 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザアニール方法及び装置 |
JP5090690B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2012-12-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、及び半導体薄膜の製造装置 |
-
2002
- 2002-05-30 JP JP2002156649A patent/JP4100962B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003347210A (ja) | 2003-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9058994B2 (en) | Laser annealing method and device | |
KR100779319B1 (ko) | 박막 반도체 장치 및 화상 표시 장치 | |
KR0153823B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
JP3562389B2 (ja) | レーザ熱処理装置 | |
KR100407748B1 (ko) | 레이저 열처리 방법, 레이저 열처리 장치 및 반도체디바이스 | |
US20070178674A1 (en) | Laser annealing device and method for producing thin-film transistor | |
TW200527544A (en) | Laser annealing apparatus and annealing method of semiconductor thin film | |
KR20060048219A (ko) | 반도체 박막의 제조 방법 및 반도체 박막 제조 장치 | |
JP4100962B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7097709B2 (en) | Laser annealing apparatus | |
JP4799825B2 (ja) | レーザ照射方法 | |
TW200423230A (en) | Manufacturing method and manufacturing apparatus of crystallized semiconductor thin film | |
JP2002158184A (ja) | レーザ熱処理用のレーザ光学系 | |
JP4363878B2 (ja) | 半導体薄膜の結晶化装置及び方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2007036080A (ja) | レーザアニール装置 | |
KAHLERT | Optics for laser crystallization technology | |
JP4467276B2 (ja) | 半導体薄膜を製造する方法と装置 | |
JP2005158943A (ja) | 半導体膜の製造方法 | |
JP2008066356A (ja) | レーザアニール方法および装置 | |
JP2005109302A (ja) | 半導体薄膜の製造方法とその薄膜を含む半導体デバイス | |
JP2005039259A (ja) | 結晶化方法、結晶化装置、薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
JP2005175380A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置および表示装置、半導体装置用基板及び表示装置用基板 | |
JP2005101311A (ja) | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070619 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070816 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071211 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080311 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080318 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |