JP4097148B2 - イオンビーム照射装置 - Google Patents
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Description
表1に示す数値はオングストロームであり、任意の15点について所定時間のイオンミリング操作によってミリングされた量を光学干渉計によって測定した結果を示している。図6は、この測定点を更に増加させ、得られたミリング量の相違を等高線として示したものである。図6によれば、ウエハ中央部にミリング量の特異点が存在していたものが、本発明を適用することにより、特異点が消失したことがわかる。また、ミリング量のばらつき自体が減少していることもわかる。
Claims (6)
- プラズマ生成室内部に生成されたプラズマ中のイオンを複数のグリッドに形成された小孔を介して引き出してイオンビームを形成するイオンビーム照射装置であって、
前記複数のグリッドの間またはプラズマ生成室側に配置される前記グリッドのプラズマ生成室側面表面の少なくとも何れかであって、グリッドにおける前記小孔が形成される領域に対応する部分に配置される絶縁部材を有し、
前記複数のグリッドは、前記小孔各々が所定の方向に整列するように配置されており、前記絶縁部材はその配置時において前記小孔の整列を妨げない形状を有し、
前記絶縁材料は厚さ及び材質を変化させて前記グリッド間の静電容量を設定することを特徴とするイオンビーム照射装置。 - 前記グリッドの間に配置される絶縁部材は、前記グリッドにおける小孔各々と整列する小孔を有するシート状の部材であって、前記複数のグリッド各々の間における静電容量を所定の値とすることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム照射装置。
- 前記プラズマ生成室側に配置される前記グリッドのプラズマ生成側面に配置される絶縁部材は、前記グリッドにおける小孔各々と整列する小孔を有するシート状の部材であって、プラズマ生成時において、セルフバイアスによって平坦なイオンシースを形成することを特徴とする請求項1記載のイオンビーム照射装置。
- 前記絶縁部材は、前記グリッドに対応する円盤状の形状を有することを特徴とする請求項2或いは3何れかに記載のイオンビーム照射装置。
- 前記プラズマ生成室側に配置される前記グリッドのプラズマ生成側面に配置される絶縁部材は、前記絶縁部材が配置されない状態において引き出されるイオンビームにおけるイオンの量が少ない領域に対応して配置されることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム照射装置。
- 請求項1乃至5記載のイオンビーム照射装置と、前記イオンビーム照射装置より引き出されるイオンが導入される処理室と、前記処理室内に配置されて前記引き出されたイオンが照射される位置に被加工物を保持するホルダとを有することを特徴とするイオンミリング装置。
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