JP4083601B2 - 接着フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージならびに半導体装置 - Google Patents
接着フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージならびに半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4083601B2 JP4083601B2 JP2003063208A JP2003063208A JP4083601B2 JP 4083601 B2 JP4083601 B2 JP 4083601B2 JP 2003063208 A JP2003063208 A JP 2003063208A JP 2003063208 A JP2003063208 A JP 2003063208A JP 4083601 B2 JP4083601 B2 JP 4083601B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive film
- resin
- semiconductor package
- semiconductor
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2733—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in solid form
- H01L2224/27334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in solid form using preformed layer
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接着フィルム、それを用いた半導体パッケージまたは半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高機能化等の要求に伴い、これらの電子機器に使用される半導体パッケージも、従来にも増して、小型化かつ多ピン化が進んできている。
近年、プリント配線板上に半導体素子を実装する方式として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等のエリア実装型の新しいパッケージ方式が提案されている。
【０００３】
ＢＧＡやＣＳＰ方式のプリント配線板への半導体パッケージの実装には、半田ボールで形成されたバンプによる半田接合が採用されている。
また、ＢＧＡやＣＳＰの作製工程における、半導体素子の電極と半導体搭載用基板の端子との電気的接続方法にも、半田接合が使われる場合が多い。
【０００４】
一般に、半田接合の場合、半田表面と対面する電極の金属表面に付着する酸化物等を除去するため、あるいは半田接合時における金属表面での再酸化の防止するために半田付け用フラックスが使用される。
しかし、半田接合後にフラックスが残存していると、高温、多湿時に、電気絶縁性の低下やプリント配線の腐食等の問題を生じる。
そこで、現在、半田接合後、残存フラックスを洗浄除去することを行っている。しかし、洗浄剤の廃棄に関する環境問題や、洗浄工程の追加によるコストアップなどの欠点がある。
【０００５】
また、半導体パッケージの小型化、かつ多ピン化は、バンプの微細化を必要とするが、その反面、接合強度、接続信頼性の低下が懸念される。そこで、バンプ接続部分の信頼性を得るため、半導体素子と半導体素子搭載用基板、あるいは半導体パッケージとプリント配線板との間隙に、アンダーフィルと呼ばれる絶縁樹脂を充填して、バンプ接続部分を封止、補強する検討がされている。しかし、アンダーフィルを充填し、硬化させる工程が必要となるため、製造工程が複雑化し、製造コストが高くなるという問題がある（特許文献１、参照）。
【０００６】
フラックスやアンダーフィル技術の問題を解決する手段として、半田接合後の残存フラックスが除去不要で、且つ半導体素子と半導体素子搭載用基板との間隙に樹脂を流し込む工程も不要なノンフローアンダーフィルの開発も検討されている。ノンフローアンダーフィルは、樹脂中に除去不要なフラックス成分が含まれており、フラックスを必要とせず、予め半導体素子搭載基板等に供給する点でアンダーフィルと異なっている。
【０００７】
ノンフローアンダーフィルを用いた方法は、半導体素子搭載基板やプリント配線板上にノンフローアンダーフィル樹脂を予めディスペンサーなどで必要量が供給される。搭載部品を位置合わせして、搭載した後、リフロー処理することにより、半田接合すると同時に、半導体素子と半導体素子搭載用基板等の間隙を封止するものである。しかし、ノンフローアンダーフィルを用いた方法は、その性状と供給方法のために、薄型の半導体素子や半導体パッケージを搭載する場合には、裏面にノンフローアンダーフィル樹脂が付着したりすることがあった。
この裏面へのノンフローアンダーフィル樹脂への付着は、ヒートシンクの貼り付けの際や、半導体素子を積層する(実装面積の縮小化を目的とする半導体素子を積層したマルチチップパッケージなど)際に不具合が生じる原因となっていた。
【０００８】
【特許文献】
特開２００２−２９３８８３号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、フラックス機能を有し、かつ接着時の作業性が向上する接着フィルムおよびそれを用いた半導体パッケージおよび半導体装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（５）記載の本発明により達成される。
接着フィルム。
（１）半導体素子または半導体パッケージを実装する際に用いる接着フィルムであって、軟化点が１００℃以下であるフェノールノボラック樹脂（Ａ）と、造膜用樹脂（Ｂ）と、前記造膜用樹脂よりも重量平均分子量が低いエポキシ樹脂（Ｃ）と、フラックス助剤とを含み、前記フラックス助剤が、フェノール、アルキルフェノール、ビフェノール、ナフトール、ハイドロキノン、レゾルシノール、カテコール、メチリデンジフェノール、エチリデンジフェノール、イソプロピリデンジフェノール、ヒドロキシベンゾイックアシッド、ジヒドロキシベンゾイックアシッド、フェノールフタリンよりなる群から選ばれる少なくとも 1 種であることを特徴とする接着フィルム。
（２）前記エポキシ樹脂（Ｃ）の重量平均分子量が、２００〜６００である（１）に記載の接着フィルム。
請求項１または２に記載の接
（３）軟化温度が４０〜１５０℃である（１）または（２）に記載の接着フィルム。
（４）半導体素子とインターポーザとが請求項１ないし（３）のいずれかに記載の接着フィルムで実装されていることを特徴とする半導体パッケージ。
（５）半導体素子とインターポーザとが（１）ないし（４）のいずれかに記載の接着フィルムで実装されていることを特徴とする半導体パッケージ
（６）半導体パッケージとプリント配線板とが（１）ないし（５）のいずれかに記載の接着フィルムで実装されていることを特徴とする半導体装置。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の接着フィルム、それを用いた半導体パッケージまたは半導体装置について説明する。
本発明の接着フィルムは、半導体素子または半導体装置を実装する際に用いる接着フィルムであって、軟化点が１００℃以下であるフェノールノボラック樹脂（Ａ）と、造膜用樹脂（Ｂ）と、前記造膜用樹脂よりも重量平均分子量が低く、かつ常温で液状であるエポキシ樹脂（Ｃ）とを必須成分として含むことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の半導体パッケージは、半導体素子とインターポーザ（半導体素子搭載用基板）とが上述の接着フィルムで実装されているものであることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の半導体装置（半導体パッケージが実装された基板）は、半導体パッケージとプリント配線板とが上述の接着フィルムで実装されているものであることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の接着フィルムは、半導体素子または半導体パッケージを実装するために用いるものである。これにより、従来のノンフローアンダーフィル樹脂で問題となっていた半導体素子等への樹脂の付着を防止することができる。また、フィルム状態で半導体素子等に設置できるので作業性を向上することができる。
前記半導体素子を実装する場合、例えば半導体素子をインターポーザに実装する場合等が挙げられる。
また、前記半導体パッケージを実装する場合、例えば半導体パッケージをプリント配線板に実装する場合等が挙げられる。このような場合に、本発明の接着フィルムを用いることができる。
また、本発明の接着フィルムは、半田接合時にフラックスとして作用し、同時に半導体素子とインターポーザや、半導体パッケージとプリント配線板などの接合面を接着・封止するものとして機能するものである。
【００１５】
本発明の接着フィルムは、軟化点が１００℃以下であるフェノールノボラック樹脂を含む。これにより、半田及び金属表面の酸化物などの汚れを除去し、半田接合用フラックスとして作用することができる。その理由は、前記フェノール性水酸基が還元作用を有するため、半田表面や対面する電極の金属表面に付着する酸化物等を除去できるからである。
更に、フラックスとして作用したフェノールノボラック樹脂は、残存フラックスの除去を不要とすることができる。その理由は、フェノールノボラック樹脂が半田接合後の加熱過程でエポキシ樹脂（Ｃ）と硬化反応するので揮発分等が発生しないからである。残存フラックスの除去を不要とすることができると、半田接合後の洗浄工程を不要にでき、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合が可能となる。
【００１６】
前記フェノールノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は１００℃以下であり、さらに軟化点は４０〜９５℃であることが好ましい。フェノールノボラック樹脂（Ａ）の軟化点が前記下限値未満であるとボイド発生の原因になる場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００１７】
前記フェノールノボラック樹脂を構成するフェノール化合物としては、例えばフェノール、クレゾール、ビスフェノール等が挙げられる。
また、多官能フェノールノボラック樹脂を用いることにより、半田接合時間を短くすることが可能である。これらの中でもフェノールで構成されるフェノールノボラック樹脂（未変性のフェノールノボラック樹脂）が好ましい。これにより、特に膜強度を向上することができる。
【００１８】
前記フェノールノボラック樹脂（特に未変性のフェノールノボラック樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、３００〜１，０００であることが好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると半田リフロー等において該フェノールノボラック樹脂が揮発することにより、フラックス作用を向上する効果が低下する場合がある。また、重量平均分子量が前記上限値を超えると、半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００１９】
前記成分フェノールノボラック樹脂の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜５０重量％が好ましく、特に１８〜３６重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとフラックスとしての作用を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると接着・封止強度および信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２０】
本発明の接着フィルムでは、造膜用樹脂（Ｂ）を含む。これにより、フィルムへの成形性を向上することができる。
前記造膜用樹脂（Ｂ）とは、フィルムへの製膜性の向上に寄与する樹脂であり、例えばノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノール型シアネート樹脂等のシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノール型エポキシ樹脂（特に長鎖型のビスフェノール型エポキシ樹脂）が好ましい。これにより、半導体素子とインターポーザ等との接着・封止性をより向上することができる。この様な造膜用樹脂を含むことにより、フィルム状態に容易にすることができる。
【００２１】
前記造膜用樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１，０００以上が好ましく、特に２，０００〜１０，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとボイドの発生等により製膜性が低下する場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接合接続の信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２２】
前記造膜用樹脂（Ｂ）の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜６０重量％が好ましく、特に２５〜４５重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとボイドの発生等により製膜性が低下する場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接合接続の信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２３】
本発明の接着フィルムでは、前記造膜用樹脂よりも重量平均分子量が低く、かつ常温で液状であるエポキシ樹脂（Ｃ）を含む。エポキシ樹脂（Ｃ）は、造膜用樹脂（Ｂ）よりも重量平均分子量が低いことにより、本発明の接着フィルムに接着性を付与することができる。更に、接着フィルムにアンダーフィルとしての作用を付与することができる。
エポキシ樹脂（Ｃ）としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の臭素化型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアネートなどの複素環式エポキシ樹脂のほか、脂環式型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、フラックス性を特に向上することができる。
【００２４】
前記エポキシ樹脂（Ｃ）は、常温で液状である。これにより、半導体素子や半導体パッケージを実装する際の、インターポーザやプリント配線板などの回路凹凸の埋め込み性を向上することができる。更に、インターポーザやプリント配線板の成形性を向上することができる。また、フィルムの柔軟性を向上することができ、それによって作業性を向上することができる。
なお、液状とは、常温で流動性を示すものをいう。前記エポキシ樹脂（Ｃ）の粘度は、特に限定されないが、５００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、特に１〜３００Ｐａ・ｓが好ましい。前記粘度は、Ｅ型粘度計を用いて、温度２５℃、せん断速度０．５、１．０、２．５および５．０ｒｐｍの各条件で測定したものである。前記粘度は、前記各条件の中で、最も低い回転数で測定可能であった値を用いるものとする。
【００２５】
前記エポキシ樹脂（Ｃ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、２００〜６００が好ましく、特に２５０〜５００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとフィルムの表面にタックが発生する場合があり、前記上限値を超えると回路の凹凸埋め込み性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２６】
前記エポキシ樹脂（Ｃ）の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜６０重量％であることが好ましく、特に２０〜４５重量％であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると接着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると回路の凹凸埋め込み性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２７】
本発明の接着フィルムでは、特に限定されないが、更にフラックス助剤を含むことが好ましい。これにより、接着フィルムのフラックス機能をより向上させることができる。
前記フラックス助剤としては、例えばフェノール、アルキルフェノール、ビフェノール、ナフトール、ハイドロキノン、レゾルシノール、カテコール、メチリデンジフェノール、エチリデンジフェノール、イソプロピリデンジフェノール、ヒドロキシベンゾイックアシッド、ジヒドロキシベンゾイックアシッド、フェノールフタリン等が挙げられる。
【００２８】
前記フラックス助剤の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の０．５〜２０重量％が好ましく、特に１〜１０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとフラックス機能をより向上させる効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると吸湿耐熱性が低下する場合がある。
【００２９】
前記接着フィルムの軟化温度は、特に限定されないが、４０〜１５０℃が好ましく、特に５０〜１４０℃が好ましい。軟化温度が前記下限値未満であるとボイドが発生したり、しわが発生したりする場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
前記軟化温度は、例えば粘弾性測定装置（ＤＭＡ、ＴＡインスツルメンツ製）を用いて５℃／分で測定することができる（弾性率の変曲点を軟化温度とした）。
【００３０】
前記接着フィルムの溶融粘度は、特に限定されないが、１〜５，０００ｍＰａ・ｓが好ましく、特に５〜４，０００ｍＰａ・ｓが好ましい。前記溶融粘度が前記下限値未満であるとボイドが発生したり、しわが発生したりする場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
なお、前記接着フィルムの溶融粘度は、例えば動的粘弾性装置を用いて、直径２５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの円盤状の治具にフィルムを挟み、２４０℃、周波数１Ｈｚで測定することができる。
【００３１】
前記接着フィルムの厚さは、搭載する半導体素子や半導体パッケージのバンプ高さに応じて調整される。
そのため、前記接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３〜８０μｍが好ましく、特に５〜７５μｍが好ましい。これにより、従来のアンダーフィル等の方法では接着・封止が困難であった厚さの範囲内においても接着・封止を可能とすることができる。
【００３２】
次に本発明の接着フィルムを用いて、半導体素子とインターポーザとを接着する場合について説明する。
以下に半導体素子と、インターポーザとが接着している状態を図１に示す好適な実施の形態に基づいて詳細に説明する。図１は、半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
半導体素子１には、半田バンプ２が接合されている。
接着フィルム３は、半導体素子１とインターポーザ４との間に設置される。なお、接着フィルム３は、あらかじめ半導体素子１またはインターポーザ４に設置されていても構わない。接着フィルム３をあらかじめ半導体素子１に設置する場合、例えば半導体素子１と接着フィルム３とを位置合わせし、ボンダーで接合することができる。また、接着フィルム３をあらかじめインターポーザ４に設置する場合、ラミネートロールを用いて接合することができる。
【００３３】
そして、半導体素子１、接着フィルム３およびインターポーザ４は、好ましくは加熱下で圧着され、半導体パッケージの形状となる。なお、ここで接着フィルム３は、軟化して半導体素子１とインターポーザ４との間を封止する。
次に、前記半導体パッケージ形状のものを半田リフローし、半田バンプ２をインターポーザ４のビア孔５に半田接続して最終的に図２に示す様な半導体パッケージ１１を得ることができる。
また、前記半導体パッケージ１１を更に１５０〜１８０℃、１〜２時間加熱処理することが好ましい。これにより、接着フィルムを完全に硬化することができる。
【００３４】
本発明の接着フィルムは、半田接合段階ではフラックス機能を発揮して金属表面の酸化物の除去等を行う。そして、半田接合後は、熱硬化して絶縁封止接着材として機能するため、電気絶縁性の低下やインターポーザの腐食等を生じない。
また、本発明の接着フィルムは、半田接合後に半導体素子とインターポーザとの間隙に充填されアンダーフィルとしての作用（半田接続の信頼性を向上）を有するものである。
また、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるのでアンダーフィルで生じていた半導体素子への樹脂の付着が防止できるものである。
更に、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるので半導体パッケージの製造に関する作業性に優れている。
【００３５】
次に、本発明の接着フィルムを用いて、半導体パッケージとプリント配線板とを接着する場合について説明する。
以下に半導体パッケージと、プリント配線板とが接着している状態を図３に示す好適な実施の形態に基づいて詳細に説明する。図３は、半導体装置を概略的に示す断面図である。
半導体パッケージ１１には、半田バンプ２が接合されている。
接着フィルム３は、半導体パッケージ１１とプリント配線板６との間に設置される。プリント配線板６は、多層構造で所望の回路６０が形成されている。接着フィルム３は、予め半導体パッケージ１１またはプリント配線板６に設置されていても構わない。接着フィルム３をあらかじめ半導体パッケージ５に設置する場合、例えば半導体パッケージ１１と接着フィルム３とを位置合わせし、ボンダーで接合することができる。また、接着フィルム３をあらかじめプリント配線板６に設置する場合、ラミネートロールを用いて接合することができる。
そして、半導体パッケージ１１、接着フィルム３およびプリント配線板６は、好ましくは加熱下で圧着され、半導体装置の形状となる。なお、ここで接着フィルム３は、軟化して半導体パッケージ１１とプリント配線板６との間を封止する。
【００３６】
次に、前記半導体装置形状のものを半田リフローし、半田バンプ２をプリント配線板に半田接続して最終的に図５に示す様な半導体装置１２を得ることができる。
また、前記半導体装置を更に１５０〜１８０℃、１〜２時間加熱処理することが好ましい。これにより、接着フィルムを完全に硬化することができる。
【００３７】
本発明の接着フィルムは、半田接合段階ではフラックス機能を発揮して金属表面の酸化物の除去等を行う。そして、半田接合後は、熱硬化して絶縁封止接着材として機能するため、電気絶縁性の低下やプリント配線の腐食等を生じない。
また、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるのでアンダーフィルで生じていた半導体パッケージへの樹脂の付着が防止できるものである。
更に、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるので半導体装置の製造に関する作業性に優れている。
【００３８】
【実施例】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３９】
接着フィルムの製造例
（実施例１）
成分（Ａ）の樹脂としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３、軟化点８５℃、重量平均分子量８５０）を２０重量％、成分（Ｂ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ−４００７Ｐ、重量平均分子量約５，０００）を３０重量％、成分（Ｃ）の樹脂として常温で液状であるビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０Ｓ、重量平均分子量約４００、粘度（２５℃）３５００ｍＰａ・ｓ）を４０重量％、フラックス助剤としてフェノールフタリンを９．９重量％、硬化触媒として２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成社製、２ＰＨＺ）を０．１重量％用いた。
上述の各樹脂および添加剤をメチルエチルケトンにレジンコンテント約６０％になるように溶解して樹脂ワニスを得た。樹脂ワニスをコンマコーターでＰＥＴフィルム上に最高温度１２０℃で塗布して、厚さ６０μｍ（半導体パッケージ用接着フィルム）、１５０μｍ（半導体装置用接着フィルム）の接着フィルムを得た。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、１，０００ｍＰａ・ｓであった。
【００４０】
（実施例２）
成分（Ｃ）のエポキシ樹脂として、以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
常温で液状のビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８５０Ｓ、重量平均分子量約６００、粘度（２５℃）４５００ｍＰａ・ｓ）を用いた。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、２，０００ｍＰａ・ｓであった。
【００４１】
（実施例３）
成分（Ｃ）のエポキシ樹脂として、以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
常温で液状のビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ、重量平均分子量約３００、粘度（２５℃）３，０００ｍＰａ・ｓ）を用いた。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、７００ｍＰａ・ｓであった。
【００４２】
（実施例４）
成分（Ｂ）の樹脂としてフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＹＬ−６７４６、重量平均分子量約３０，０００）を用いた以外は、実施例１と同様にした。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、４，０００ｍＰａ・ｓであった。
【００４３】
（実施例５）
樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
成分（Ａ）の樹脂としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３、軟化点８５℃）を１５重量％、成分（Ｂ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ−４００７Ｐ、重量平均分子量約５，０００）を３２重量％、成分（Ｃ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０Ｓ、重量平均分子量約４００、粘度３．５Ｐａ・ｓ）を４３重量％用いた。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、１，５００ｍＰａ・ｓであった。
【００４４】
（比較例１）
成分（Ａ）のフェノールノボラック樹脂とフラックス助剤とを用いずに、成分（Ｂ）の造膜用樹脂を４５重量％、成分（Ｃ）のエポキシ樹脂を５３重量％、硬化触媒を２重量％とした以外は、実施例１と同様にした。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、２０００ｍＰａ・ｓであった。
【００４５】
（比較例２）
成分（Ａ）のフェノールノボラック樹脂として、ＰＲ―５１３９５（住友ベークライト社製、軟化温度１１０℃）を用いた以外は、実施例１と同様にした。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、６，５００ｍＰａ・ｓであった。
【００４６】
（比較例３）
成分（Ｂ）の造膜用樹脂を用いずに、成分（Ｃ）のエポキシ樹脂を７０重量％とした以外は、実施例１と同様にした。
【００４７】
各実施例および各比較例について、下記▲１▼〜▲４▼の評価を行った。各評価については、厚さ６０μｍの接着フィルムを用いて以下の方法で行った。得られた結果を樹脂組成とともに表１に示す。
▲１▼濡れ広がり率
濡れ広がり率は、半田ボール径Ｈと濡れ広がった半田の高さＤを測定し、（Ｈ−Ｄ）／Ｈで計算される値を求めた。値が大きいほどフラックス機能に優れることを表す。なお、銅板上に接着フィルム（サイズ）を設置し、２４０℃、３０秒間放置した後に測定した。比較例１における濡れずとは、半田が広がらなかったことを示す。
【００４８】
▲２▼軟化温度
軟化温度は、（ＤＭＡ、ＴＡインスツルメンツ製）を用いて５℃／分で測定した。軟化温度は、弾性率の変曲点とした。
【００４９】
▲３▼タックの有無
タックの有無は、接着フィルムを指触で評価した。各記号は、以下の通りである。
◎： タック無し。
○： タック少しあるが実用可能である。
△： タック少しあり実用不可能である。
×： タック有り。
【００５０】
▲４▼絶縁抵抗
半田メッキが施された導体間隔５０μｍのくし形パターンを有する、絶縁信頼性試験用プリント配線板を使用し、このプリント配線板に接着フィルムを設置した。
ピーク温度２４０℃に設定されたリフロー炉に上述のプリント配線板を通した後、１８０℃で６０分熱処理して接着フィルムを硬化させ、試験用プリント配線板として、絶縁抵抗を測定した（処理前）。
次に、上述のプリント配線板を８５℃／８５％の雰囲気中で、直流電圧５０Ｖを印加し、１０００時間経過後の絶縁抵抗を測定した（処理後）。測定時の印加電圧は１００Ｖで１分とした。
【００５１】
【表１】
【００５２】
表１から明らかなように実施例１〜５は、濡れ広がり率に優れており、フラックス機能が高いことが示された。
特に実施例１、２および５は、タックも無く、作業性に優れていた。
【００５３】
次に、半導体パッケージについての実施例および比較例を説明する。
半導体パッケージの製造
（実施例１Ａ〜５Ａ、比較例１Ａおよび２Ａ）
接着フィルムとして実施例１〜５、比較例１および２で得られたものを各々用いて半導体パッケージを製造した。インターポーザへの半導体素子の実装は以下のように行った。
接着フィルムは、あらかじめインターポーザに５Ｔｏｒｒで真空ラミネートした。
マウントツールで半田バンプを有するフリップチップタイプの半導体素子を吸着して移送し、半導体素子と８０℃に予熱したインターポーザ（接着フィルムを設置した）の位置合わせを行った。その後、半導体素子をインターポーザに搭載した。そして、最適温度で、３ｋｇ／ｃｍ2、１０秒間熱圧着した。次に、最高温度２４０℃、２２０℃以上で３０秒間の設定リフロー炉を通した。その後、１８０℃、６０分間アフターキュアして、半導体パッケージを得た。
【００５４】
（比較例３Ａ）
フリップチップ（テンリュウテクニクス社製 ＦＢＴ５００）にフラックス（九州松下電器株式会社製、ＭＳＰ５１１）を塗布し、インターポーザに搭載して半田接続した。フラックス洗浄後にキャピラリーフローのアンダーフィル（住友ベークライト社製 ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を流し込み、１８０℃で６０分間加熱して半導体パッケージを得た。
【００５５】
実施例１Ａ〜５Ａおよび比較例１Ａ〜３Ａについて、下記▲１▼〜▲４▼の評価を行った。各評価については、以下の方法で行った。得られた結果を表２に示す。
▲１▼ダイシェア強度
ダイシェア強度は、デイジ社製万能型ボンドテスターＰＣ２４００Ｔで測定した。
【００５６】
▲２▼導通抵抗
導通抵抗は、得られたサンプルの導通抵抗を四端子法により測定した。各記号は以下の通りである。
○： 導通抵抗が１０ｍΩ以下である。
△： 導通抵抗が１０ｍΩを超える場合である。
×： 導通しない。
【００５７】
▲３▼作業性
作業性は、比較例３Ａの作業工数を基準（１０）として、評価した。また、半導体素子への樹脂の付着については、目視で評価した。各記号は以下の通りである。
◎： 樹脂の付着全く無し。
○： 樹脂が一部付着するが実用上使用可。
△： 樹脂が一部付着し、実用上使用不可。
×： 樹脂が付着し、使用不可。
【００５８】
▲４▼ＴＣ（温度サイクル）試験
３００個のバンプを介して半導体素子とインターポーザを接続するデイジーチェーン型の評価用半導体パッケージを１０個作製した。
上述の評価用半導体パッケージの導通を確認後、−５０℃で１０分、１２５℃で１０分を１サイクルとする温度サイクル（ＴＣ）試験を実施した。ＴＣ試験１０００サイクル後の断線不良個数を評価した。
【００５９】
【表２】
【００６０】
表２から明らかなように実施例１Ａ〜５Ａは、高いダイシェア強度を有しており、パッケージ信頼性に優れることが示された。
更に、実施例１Ａ〜５Ａは、高いダイシェア強度を有した状態で、作業工数が低減されているものであった。
【００６１】
次に、半導体パッケージ実装基板についての実施例および比較例を説明する。
半導体パッケージ実装基板の製造
（実施例１Ｂ〜５Ｂ）
接着フィルムとして実施例１〜５で各々得られたものを、半導体パッケージとして実施例１Ａ〜７Ａで各々得られたものを用いて半導体装置を製造した。プリント配線板への半導体パッケージの実装は、以下のように行った。
接着フィルムは、あらかじめプリント配線板に５Ｔｏｒｒで真空ラミネートした。
実装の方法は、接着フィルム付きプリント配線板に、実施例１Ａ〜５Ａの半導体パッケージを搭載して、ピーク温度２４０℃に設定されたリフロー炉を通した後、１６０℃で６０分熱処理して接着フィルムを硬化させ、半導体パッケージ実装基板を作製した。
【００６２】
（比較例３Ｂ）
プリント配線板に前記市販のフラックスを塗布し、比較例３Ａの半導体パッケージを搭載して、ピーク温度２４０℃に設定されたリフロー炉を通した。リフロー半田接合後、イソプロピルアルコールで洗浄して使用し、さらに、前記アンダーフィルを充填した。
【００６３】
実施例１Ｂ〜５Ｂおよび比較例３Ｂについて、作業性の評価を行った。作業性は、比較例５Ｂの作業工数を基準（１０）として評価した。得られた結果を表３に示す。
【００６４】
【表３】
【００６５】
表３から明らかなように、実施例１Ｂ〜５Ｂは、作業性に優れていた。
また、実施例１Ｂ〜５Ｂは、前記温度サイクル試験の不良品個数が実質０であった。
【００６６】
【発明の効果】
本発明によれば、特に優れたフラックス機能を有し、かつ接着時の作業性を向上することができる接着フィルムおよびそれを用いた半導体パッケージおよび半導体装置を得ることができる。
また、接着フィルムに特定の樹脂を使用する場合、特に半田接続信頼性に優れる半導体パッケージおよび半導体装置を得ることができる。
また、本発明によれば、製造が容易、かつ歩留まりの少ない半導体パッケージおよび半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の接着フィルムを半導体パッケージに使用する際の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の半導体パッケージの一例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の接着フィルムを半導体装置に使用する際の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子
２ 半田バンプ
３ 接着フィルム
４ インターポーザ
５ ビア孔
６ プリント配線板
６０ 回路
１１ 半導体パッケージ
１２ 半導体装置（半導体パッケージ実装基板）
【発明の属する技術分野】
本発明は、接着フィルム、それを用いた半導体パッケージまたは半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高機能化等の要求に伴い、これらの電子機器に使用される半導体パッケージも、従来にも増して、小型化かつ多ピン化が進んできている。
近年、プリント配線板上に半導体素子を実装する方式として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等のエリア実装型の新しいパッケージ方式が提案されている。
【０００３】
ＢＧＡやＣＳＰ方式のプリント配線板への半導体パッケージの実装には、半田ボールで形成されたバンプによる半田接合が採用されている。
また、ＢＧＡやＣＳＰの作製工程における、半導体素子の電極と半導体搭載用基板の端子との電気的接続方法にも、半田接合が使われる場合が多い。
【０００４】
一般に、半田接合の場合、半田表面と対面する電極の金属表面に付着する酸化物等を除去するため、あるいは半田接合時における金属表面での再酸化の防止するために半田付け用フラックスが使用される。
しかし、半田接合後にフラックスが残存していると、高温、多湿時に、電気絶縁性の低下やプリント配線の腐食等の問題を生じる。
そこで、現在、半田接合後、残存フラックスを洗浄除去することを行っている。しかし、洗浄剤の廃棄に関する環境問題や、洗浄工程の追加によるコストアップなどの欠点がある。
【０００５】
また、半導体パッケージの小型化、かつ多ピン化は、バンプの微細化を必要とするが、その反面、接合強度、接続信頼性の低下が懸念される。そこで、バンプ接続部分の信頼性を得るため、半導体素子と半導体素子搭載用基板、あるいは半導体パッケージとプリント配線板との間隙に、アンダーフィルと呼ばれる絶縁樹脂を充填して、バンプ接続部分を封止、補強する検討がされている。しかし、アンダーフィルを充填し、硬化させる工程が必要となるため、製造工程が複雑化し、製造コストが高くなるという問題がある（特許文献１、参照）。
【０００６】
フラックスやアンダーフィル技術の問題を解決する手段として、半田接合後の残存フラックスが除去不要で、且つ半導体素子と半導体素子搭載用基板との間隙に樹脂を流し込む工程も不要なノンフローアンダーフィルの開発も検討されている。ノンフローアンダーフィルは、樹脂中に除去不要なフラックス成分が含まれており、フラックスを必要とせず、予め半導体素子搭載基板等に供給する点でアンダーフィルと異なっている。
【０００７】
ノンフローアンダーフィルを用いた方法は、半導体素子搭載基板やプリント配線板上にノンフローアンダーフィル樹脂を予めディスペンサーなどで必要量が供給される。搭載部品を位置合わせして、搭載した後、リフロー処理することにより、半田接合すると同時に、半導体素子と半導体素子搭載用基板等の間隙を封止するものである。しかし、ノンフローアンダーフィルを用いた方法は、その性状と供給方法のために、薄型の半導体素子や半導体パッケージを搭載する場合には、裏面にノンフローアンダーフィル樹脂が付着したりすることがあった。
この裏面へのノンフローアンダーフィル樹脂への付着は、ヒートシンクの貼り付けの際や、半導体素子を積層する(実装面積の縮小化を目的とする半導体素子を積層したマルチチップパッケージなど)際に不具合が生じる原因となっていた。
【０００８】
【特許文献】
特開２００２−２９３８８３号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、フラックス機能を有し、かつ接着時の作業性が向上する接着フィルムおよびそれを用いた半導体パッケージおよび半導体装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（５）記載の本発明により達成される。
接着フィルム。
（１）半導体素子または半導体パッケージを実装する際に用いる接着フィルムであって、軟化点が１００℃以下であるフェノールノボラック樹脂（Ａ）と、造膜用樹脂（Ｂ）と、前記造膜用樹脂よりも重量平均分子量が低いエポキシ樹脂（Ｃ）と、フラックス助剤とを含み、前記フラックス助剤が、フェノール、アルキルフェノール、ビフェノール、ナフトール、ハイドロキノン、レゾルシノール、カテコール、メチリデンジフェノール、エチリデンジフェノール、イソプロピリデンジフェノール、ヒドロキシベンゾイックアシッド、ジヒドロキシベンゾイックアシッド、フェノールフタリンよりなる群から選ばれる少なくとも 1 種であることを特徴とする接着フィルム。
（２）前記エポキシ樹脂（Ｃ）の重量平均分子量が、２００〜６００である（１）に記載の接着フィルム。
請求項１または２に記載の接
（３）軟化温度が４０〜１５０℃である（１）または（２）に記載の接着フィルム。
（４）半導体素子とインターポーザとが請求項１ないし（３）のいずれかに記載の接着フィルムで実装されていることを特徴とする半導体パッケージ。
（５）半導体素子とインターポーザとが（１）ないし（４）のいずれかに記載の接着フィルムで実装されていることを特徴とする半導体パッケージ
（６）半導体パッケージとプリント配線板とが（１）ないし（５）のいずれかに記載の接着フィルムで実装されていることを特徴とする半導体装置。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の接着フィルム、それを用いた半導体パッケージまたは半導体装置について説明する。
本発明の接着フィルムは、半導体素子または半導体装置を実装する際に用いる接着フィルムであって、軟化点が１００℃以下であるフェノールノボラック樹脂（Ａ）と、造膜用樹脂（Ｂ）と、前記造膜用樹脂よりも重量平均分子量が低く、かつ常温で液状であるエポキシ樹脂（Ｃ）とを必須成分として含むことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の半導体パッケージは、半導体素子とインターポーザ（半導体素子搭載用基板）とが上述の接着フィルムで実装されているものであることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の半導体装置（半導体パッケージが実装された基板）は、半導体パッケージとプリント配線板とが上述の接着フィルムで実装されているものであることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の接着フィルムは、半導体素子または半導体パッケージを実装するために用いるものである。これにより、従来のノンフローアンダーフィル樹脂で問題となっていた半導体素子等への樹脂の付着を防止することができる。また、フィルム状態で半導体素子等に設置できるので作業性を向上することができる。
前記半導体素子を実装する場合、例えば半導体素子をインターポーザに実装する場合等が挙げられる。
また、前記半導体パッケージを実装する場合、例えば半導体パッケージをプリント配線板に実装する場合等が挙げられる。このような場合に、本発明の接着フィルムを用いることができる。
また、本発明の接着フィルムは、半田接合時にフラックスとして作用し、同時に半導体素子とインターポーザや、半導体パッケージとプリント配線板などの接合面を接着・封止するものとして機能するものである。
【００１５】
本発明の接着フィルムは、軟化点が１００℃以下であるフェノールノボラック樹脂を含む。これにより、半田及び金属表面の酸化物などの汚れを除去し、半田接合用フラックスとして作用することができる。その理由は、前記フェノール性水酸基が還元作用を有するため、半田表面や対面する電極の金属表面に付着する酸化物等を除去できるからである。
更に、フラックスとして作用したフェノールノボラック樹脂は、残存フラックスの除去を不要とすることができる。その理由は、フェノールノボラック樹脂が半田接合後の加熱過程でエポキシ樹脂（Ｃ）と硬化反応するので揮発分等が発生しないからである。残存フラックスの除去を不要とすることができると、半田接合後の洗浄工程を不要にでき、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合が可能となる。
【００１６】
前記フェノールノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は１００℃以下であり、さらに軟化点は４０〜９５℃であることが好ましい。フェノールノボラック樹脂（Ａ）の軟化点が前記下限値未満であるとボイド発生の原因になる場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００１７】
前記フェノールノボラック樹脂を構成するフェノール化合物としては、例えばフェノール、クレゾール、ビスフェノール等が挙げられる。
また、多官能フェノールノボラック樹脂を用いることにより、半田接合時間を短くすることが可能である。これらの中でもフェノールで構成されるフェノールノボラック樹脂（未変性のフェノールノボラック樹脂）が好ましい。これにより、特に膜強度を向上することができる。
【００１８】
前記フェノールノボラック樹脂（特に未変性のフェノールノボラック樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、３００〜１，０００であることが好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると半田リフロー等において該フェノールノボラック樹脂が揮発することにより、フラックス作用を向上する効果が低下する場合がある。また、重量平均分子量が前記上限値を超えると、半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００１９】
前記成分フェノールノボラック樹脂の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜５０重量％が好ましく、特に１８〜３６重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとフラックスとしての作用を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると接着・封止強度および信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２０】
本発明の接着フィルムでは、造膜用樹脂（Ｂ）を含む。これにより、フィルムへの成形性を向上することができる。
前記造膜用樹脂（Ｂ）とは、フィルムへの製膜性の向上に寄与する樹脂であり、例えばノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノール型シアネート樹脂等のシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノール型エポキシ樹脂（特に長鎖型のビスフェノール型エポキシ樹脂）が好ましい。これにより、半導体素子とインターポーザ等との接着・封止性をより向上することができる。この様な造膜用樹脂を含むことにより、フィルム状態に容易にすることができる。
【００２１】
前記造膜用樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１，０００以上が好ましく、特に２，０００〜１０，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとボイドの発生等により製膜性が低下する場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接合接続の信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２２】
前記造膜用樹脂（Ｂ）の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜６０重量％が好ましく、特に２５〜４５重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとボイドの発生等により製膜性が低下する場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接合接続の信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２３】
本発明の接着フィルムでは、前記造膜用樹脂よりも重量平均分子量が低く、かつ常温で液状であるエポキシ樹脂（Ｃ）を含む。エポキシ樹脂（Ｃ）は、造膜用樹脂（Ｂ）よりも重量平均分子量が低いことにより、本発明の接着フィルムに接着性を付与することができる。更に、接着フィルムにアンダーフィルとしての作用を付与することができる。
エポキシ樹脂（Ｃ）としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の臭素化型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアネートなどの複素環式エポキシ樹脂のほか、脂環式型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、フラックス性を特に向上することができる。
【００２４】
前記エポキシ樹脂（Ｃ）は、常温で液状である。これにより、半導体素子や半導体パッケージを実装する際の、インターポーザやプリント配線板などの回路凹凸の埋め込み性を向上することができる。更に、インターポーザやプリント配線板の成形性を向上することができる。また、フィルムの柔軟性を向上することができ、それによって作業性を向上することができる。
なお、液状とは、常温で流動性を示すものをいう。前記エポキシ樹脂（Ｃ）の粘度は、特に限定されないが、５００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、特に１〜３００Ｐａ・ｓが好ましい。前記粘度は、Ｅ型粘度計を用いて、温度２５℃、せん断速度０．５、１．０、２．５および５．０ｒｐｍの各条件で測定したものである。前記粘度は、前記各条件の中で、最も低い回転数で測定可能であった値を用いるものとする。
【００２５】
前記エポキシ樹脂（Ｃ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、２００〜６００が好ましく、特に２５０〜５００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとフィルムの表面にタックが発生する場合があり、前記上限値を超えると回路の凹凸埋め込み性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２６】
前記エポキシ樹脂（Ｃ）の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜６０重量％であることが好ましく、特に２０〜４５重量％であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると接着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると回路の凹凸埋め込み性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２７】
本発明の接着フィルムでは、特に限定されないが、更にフラックス助剤を含むことが好ましい。これにより、接着フィルムのフラックス機能をより向上させることができる。
前記フラックス助剤としては、例えばフェノール、アルキルフェノール、ビフェノール、ナフトール、ハイドロキノン、レゾルシノール、カテコール、メチリデンジフェノール、エチリデンジフェノール、イソプロピリデンジフェノール、ヒドロキシベンゾイックアシッド、ジヒドロキシベンゾイックアシッド、フェノールフタリン等が挙げられる。
【００２８】
前記フラックス助剤の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の０．５〜２０重量％が好ましく、特に１〜１０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとフラックス機能をより向上させる効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると吸湿耐熱性が低下する場合がある。
【００２９】
前記接着フィルムの軟化温度は、特に限定されないが、４０〜１５０℃が好ましく、特に５０〜１４０℃が好ましい。軟化温度が前記下限値未満であるとボイドが発生したり、しわが発生したりする場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
前記軟化温度は、例えば粘弾性測定装置（ＤＭＡ、ＴＡインスツルメンツ製）を用いて５℃／分で測定することができる（弾性率の変曲点を軟化温度とした）。
【００３０】
前記接着フィルムの溶融粘度は、特に限定されないが、１〜５，０００ｍＰａ・ｓが好ましく、特に５〜４，０００ｍＰａ・ｓが好ましい。前記溶融粘度が前記下限値未満であるとボイドが発生したり、しわが発生したりする場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
なお、前記接着フィルムの溶融粘度は、例えば動的粘弾性装置を用いて、直径２５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの円盤状の治具にフィルムを挟み、２４０℃、周波数１Ｈｚで測定することができる。
【００３１】
前記接着フィルムの厚さは、搭載する半導体素子や半導体パッケージのバンプ高さに応じて調整される。
そのため、前記接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３〜８０μｍが好ましく、特に５〜７５μｍが好ましい。これにより、従来のアンダーフィル等の方法では接着・封止が困難であった厚さの範囲内においても接着・封止を可能とすることができる。
【００３２】
次に本発明の接着フィルムを用いて、半導体素子とインターポーザとを接着する場合について説明する。
以下に半導体素子と、インターポーザとが接着している状態を図１に示す好適な実施の形態に基づいて詳細に説明する。図１は、半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
半導体素子１には、半田バンプ２が接合されている。
接着フィルム３は、半導体素子１とインターポーザ４との間に設置される。なお、接着フィルム３は、あらかじめ半導体素子１またはインターポーザ４に設置されていても構わない。接着フィルム３をあらかじめ半導体素子１に設置する場合、例えば半導体素子１と接着フィルム３とを位置合わせし、ボンダーで接合することができる。また、接着フィルム３をあらかじめインターポーザ４に設置する場合、ラミネートロールを用いて接合することができる。
【００３３】
そして、半導体素子１、接着フィルム３およびインターポーザ４は、好ましくは加熱下で圧着され、半導体パッケージの形状となる。なお、ここで接着フィルム３は、軟化して半導体素子１とインターポーザ４との間を封止する。
次に、前記半導体パッケージ形状のものを半田リフローし、半田バンプ２をインターポーザ４のビア孔５に半田接続して最終的に図２に示す様な半導体パッケージ１１を得ることができる。
また、前記半導体パッケージ１１を更に１５０〜１８０℃、１〜２時間加熱処理することが好ましい。これにより、接着フィルムを完全に硬化することができる。
【００３４】
本発明の接着フィルムは、半田接合段階ではフラックス機能を発揮して金属表面の酸化物の除去等を行う。そして、半田接合後は、熱硬化して絶縁封止接着材として機能するため、電気絶縁性の低下やインターポーザの腐食等を生じない。
また、本発明の接着フィルムは、半田接合後に半導体素子とインターポーザとの間隙に充填されアンダーフィルとしての作用（半田接続の信頼性を向上）を有するものである。
また、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるのでアンダーフィルで生じていた半導体素子への樹脂の付着が防止できるものである。
更に、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるので半導体パッケージの製造に関する作業性に優れている。
【００３５】
次に、本発明の接着フィルムを用いて、半導体パッケージとプリント配線板とを接着する場合について説明する。
以下に半導体パッケージと、プリント配線板とが接着している状態を図３に示す好適な実施の形態に基づいて詳細に説明する。図３は、半導体装置を概略的に示す断面図である。
半導体パッケージ１１には、半田バンプ２が接合されている。
接着フィルム３は、半導体パッケージ１１とプリント配線板６との間に設置される。プリント配線板６は、多層構造で所望の回路６０が形成されている。接着フィルム３は、予め半導体パッケージ１１またはプリント配線板６に設置されていても構わない。接着フィルム３をあらかじめ半導体パッケージ５に設置する場合、例えば半導体パッケージ１１と接着フィルム３とを位置合わせし、ボンダーで接合することができる。また、接着フィルム３をあらかじめプリント配線板６に設置する場合、ラミネートロールを用いて接合することができる。
そして、半導体パッケージ１１、接着フィルム３およびプリント配線板６は、好ましくは加熱下で圧着され、半導体装置の形状となる。なお、ここで接着フィルム３は、軟化して半導体パッケージ１１とプリント配線板６との間を封止する。
【００３６】
次に、前記半導体装置形状のものを半田リフローし、半田バンプ２をプリント配線板に半田接続して最終的に図５に示す様な半導体装置１２を得ることができる。
また、前記半導体装置を更に１５０〜１８０℃、１〜２時間加熱処理することが好ましい。これにより、接着フィルムを完全に硬化することができる。
【００３７】
本発明の接着フィルムは、半田接合段階ではフラックス機能を発揮して金属表面の酸化物の除去等を行う。そして、半田接合後は、熱硬化して絶縁封止接着材として機能するため、電気絶縁性の低下やプリント配線の腐食等を生じない。
また、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるのでアンダーフィルで生じていた半導体パッケージへの樹脂の付着が防止できるものである。
更に、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるので半導体装置の製造に関する作業性に優れている。
【００３８】
【実施例】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３９】
接着フィルムの製造例
（実施例１）
成分（Ａ）の樹脂としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３、軟化点８５℃、重量平均分子量８５０）を２０重量％、成分（Ｂ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ−４００７Ｐ、重量平均分子量約５，０００）を３０重量％、成分（Ｃ）の樹脂として常温で液状であるビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０Ｓ、重量平均分子量約４００、粘度（２５℃）３５００ｍＰａ・ｓ）を４０重量％、フラックス助剤としてフェノールフタリンを９．９重量％、硬化触媒として２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成社製、２ＰＨＺ）を０．１重量％用いた。
上述の各樹脂および添加剤をメチルエチルケトンにレジンコンテント約６０％になるように溶解して樹脂ワニスを得た。樹脂ワニスをコンマコーターでＰＥＴフィルム上に最高温度１２０℃で塗布して、厚さ６０μｍ（半導体パッケージ用接着フィルム）、１５０μｍ（半導体装置用接着フィルム）の接着フィルムを得た。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、１，０００ｍＰａ・ｓであった。
【００４０】
（実施例２）
成分（Ｃ）のエポキシ樹脂として、以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
常温で液状のビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８５０Ｓ、重量平均分子量約６００、粘度（２５℃）４５００ｍＰａ・ｓ）を用いた。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、２，０００ｍＰａ・ｓであった。
【００４１】
（実施例３）
成分（Ｃ）のエポキシ樹脂として、以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
常温で液状のビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ、重量平均分子量約３００、粘度（２５℃）３，０００ｍＰａ・ｓ）を用いた。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、７００ｍＰａ・ｓであった。
【００４２】
（実施例４）
成分（Ｂ）の樹脂としてフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＹＬ−６７４６、重量平均分子量約３０，０００）を用いた以外は、実施例１と同様にした。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、４，０００ｍＰａ・ｓであった。
【００４３】
（実施例５）
樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
成分（Ａ）の樹脂としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３、軟化点８５℃）を１５重量％、成分（Ｂ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ−４００７Ｐ、重量平均分子量約５，０００）を３２重量％、成分（Ｃ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０Ｓ、重量平均分子量約４００、粘度３．５Ｐａ・ｓ）を４３重量％用いた。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、１，５００ｍＰａ・ｓであった。
【００４４】
（比較例１）
成分（Ａ）のフェノールノボラック樹脂とフラックス助剤とを用いずに、成分（Ｂ）の造膜用樹脂を４５重量％、成分（Ｃ）のエポキシ樹脂を５３重量％、硬化触媒を２重量％とした以外は、実施例１と同様にした。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、２０００ｍＰａ・ｓであった。
【００４５】
（比較例２）
成分（Ａ）のフェノールノボラック樹脂として、ＰＲ―５１３９５（住友ベークライト社製、軟化温度１１０℃）を用いた以外は、実施例１と同様にした。
得られた接着フィルムの溶融粘度は、６，５００ｍＰａ・ｓであった。
【００４６】
（比較例３）
成分（Ｂ）の造膜用樹脂を用いずに、成分（Ｃ）のエポキシ樹脂を７０重量％とした以外は、実施例１と同様にした。
【００４７】
各実施例および各比較例について、下記▲１▼〜▲４▼の評価を行った。各評価については、厚さ６０μｍの接着フィルムを用いて以下の方法で行った。得られた結果を樹脂組成とともに表１に示す。
▲１▼濡れ広がり率
濡れ広がり率は、半田ボール径Ｈと濡れ広がった半田の高さＤを測定し、（Ｈ−Ｄ）／Ｈで計算される値を求めた。値が大きいほどフラックス機能に優れることを表す。なお、銅板上に接着フィルム（サイズ）を設置し、２４０℃、３０秒間放置した後に測定した。比較例１における濡れずとは、半田が広がらなかったことを示す。
【００４８】
▲２▼軟化温度
軟化温度は、（ＤＭＡ、ＴＡインスツルメンツ製）を用いて５℃／分で測定した。軟化温度は、弾性率の変曲点とした。
【００４９】
▲３▼タックの有無
タックの有無は、接着フィルムを指触で評価した。各記号は、以下の通りである。
◎： タック無し。
○： タック少しあるが実用可能である。
△： タック少しあり実用不可能である。
×： タック有り。
【００５０】
▲４▼絶縁抵抗
半田メッキが施された導体間隔５０μｍのくし形パターンを有する、絶縁信頼性試験用プリント配線板を使用し、このプリント配線板に接着フィルムを設置した。
ピーク温度２４０℃に設定されたリフロー炉に上述のプリント配線板を通した後、１８０℃で６０分熱処理して接着フィルムを硬化させ、試験用プリント配線板として、絶縁抵抗を測定した（処理前）。
次に、上述のプリント配線板を８５℃／８５％の雰囲気中で、直流電圧５０Ｖを印加し、１０００時間経過後の絶縁抵抗を測定した（処理後）。測定時の印加電圧は１００Ｖで１分とした。
【００５１】
【表１】
表１から明らかなように実施例１〜５は、濡れ広がり率に優れており、フラックス機能が高いことが示された。
特に実施例１、２および５は、タックも無く、作業性に優れていた。
【００５３】
次に、半導体パッケージについての実施例および比較例を説明する。
半導体パッケージの製造
（実施例１Ａ〜５Ａ、比較例１Ａおよび２Ａ）
接着フィルムとして実施例１〜５、比較例１および２で得られたものを各々用いて半導体パッケージを製造した。インターポーザへの半導体素子の実装は以下のように行った。
接着フィルムは、あらかじめインターポーザに５Ｔｏｒｒで真空ラミネートした。
マウントツールで半田バンプを有するフリップチップタイプの半導体素子を吸着して移送し、半導体素子と８０℃に予熱したインターポーザ（接着フィルムを設置した）の位置合わせを行った。その後、半導体素子をインターポーザに搭載した。そして、最適温度で、３ｋｇ／ｃｍ2、１０秒間熱圧着した。次に、最高温度２４０℃、２２０℃以上で３０秒間の設定リフロー炉を通した。その後、１８０℃、６０分間アフターキュアして、半導体パッケージを得た。
【００５４】
（比較例３Ａ）
フリップチップ（テンリュウテクニクス社製 ＦＢＴ５００）にフラックス（九州松下電器株式会社製、ＭＳＰ５１１）を塗布し、インターポーザに搭載して半田接続した。フラックス洗浄後にキャピラリーフローのアンダーフィル（住友ベークライト社製 ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を流し込み、１８０℃で６０分間加熱して半導体パッケージを得た。
【００５５】
実施例１Ａ〜５Ａおよび比較例１Ａ〜３Ａについて、下記▲１▼〜▲４▼の評価を行った。各評価については、以下の方法で行った。得られた結果を表２に示す。
▲１▼ダイシェア強度
ダイシェア強度は、デイジ社製万能型ボンドテスターＰＣ２４００Ｔで測定した。
【００５６】
▲２▼導通抵抗
導通抵抗は、得られたサンプルの導通抵抗を四端子法により測定した。各記号は以下の通りである。
○： 導通抵抗が１０ｍΩ以下である。
△： 導通抵抗が１０ｍΩを超える場合である。
×： 導通しない。
【００５７】
▲３▼作業性
作業性は、比較例３Ａの作業工数を基準（１０）として、評価した。また、半導体素子への樹脂の付着については、目視で評価した。各記号は以下の通りである。
◎： 樹脂の付着全く無し。
○： 樹脂が一部付着するが実用上使用可。
△： 樹脂が一部付着し、実用上使用不可。
×： 樹脂が付着し、使用不可。
【００５８】
▲４▼ＴＣ（温度サイクル）試験
３００個のバンプを介して半導体素子とインターポーザを接続するデイジーチェーン型の評価用半導体パッケージを１０個作製した。
上述の評価用半導体パッケージの導通を確認後、−５０℃で１０分、１２５℃で１０分を１サイクルとする温度サイクル（ＴＣ）試験を実施した。ＴＣ試験１０００サイクル後の断線不良個数を評価した。
【００５９】
【表２】
表２から明らかなように実施例１Ａ〜５Ａは、高いダイシェア強度を有しており、パッケージ信頼性に優れることが示された。
更に、実施例１Ａ〜５Ａは、高いダイシェア強度を有した状態で、作業工数が低減されているものであった。
【００６１】
次に、半導体パッケージ実装基板についての実施例および比較例を説明する。
半導体パッケージ実装基板の製造
（実施例１Ｂ〜５Ｂ）
接着フィルムとして実施例１〜５で各々得られたものを、半導体パッケージとして実施例１Ａ〜７Ａで各々得られたものを用いて半導体装置を製造した。プリント配線板への半導体パッケージの実装は、以下のように行った。
接着フィルムは、あらかじめプリント配線板に５Ｔｏｒｒで真空ラミネートした。
実装の方法は、接着フィルム付きプリント配線板に、実施例１Ａ〜５Ａの半導体パッケージを搭載して、ピーク温度２４０℃に設定されたリフロー炉を通した後、１６０℃で６０分熱処理して接着フィルムを硬化させ、半導体パッケージ実装基板を作製した。
【００６２】
（比較例３Ｂ）
プリント配線板に前記市販のフラックスを塗布し、比較例３Ａの半導体パッケージを搭載して、ピーク温度２４０℃に設定されたリフロー炉を通した。リフロー半田接合後、イソプロピルアルコールで洗浄して使用し、さらに、前記アンダーフィルを充填した。
【００６３】
実施例１Ｂ〜５Ｂおよび比較例３Ｂについて、作業性の評価を行った。作業性は、比較例５Ｂの作業工数を基準（１０）として評価した。得られた結果を表３に示す。
【００６４】
【表３】
表３から明らかなように、実施例１Ｂ〜５Ｂは、作業性に優れていた。
また、実施例１Ｂ〜５Ｂは、前記温度サイクル試験の不良品個数が実質０であった。
【００６６】
【発明の効果】
本発明によれば、特に優れたフラックス機能を有し、かつ接着時の作業性を向上することができる接着フィルムおよびそれを用いた半導体パッケージおよび半導体装置を得ることができる。
また、接着フィルムに特定の樹脂を使用する場合、特に半田接続信頼性に優れる半導体パッケージおよび半導体装置を得ることができる。
また、本発明によれば、製造が容易、かつ歩留まりの少ない半導体パッケージおよび半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の接着フィルムを半導体パッケージに使用する際の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の半導体パッケージの一例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の接着フィルムを半導体装置に使用する際の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子
２ 半田バンプ
３ 接着フィルム
４ インターポーザ
５ ビア孔
６ プリント配線板
６０ 回路
１１ 半導体パッケージ
１２ 半導体装置（半導体パッケージ実装基板）
Claims (6)
- 半導体素子または半導体パッケージを実装する際に用いる接着フィルムであって、軟化点が１００℃以下であるフェノールノボラック樹脂（Ａ）と、造膜用樹脂（Ｂ）と、前記造膜用樹脂よりも重量平均分子量が低いエポキシ樹脂（Ｃ）と、フラックス助剤とを含み、前記フラックス助剤が、フェノール、アルキルフェノール、ビフェノール、ナフトール、ハイドロキノン、レゾルシノール、カテコール、メチリデンジフェノール、エチリデンジフェノール、イソプロピリデンジフェノール、ヒドロキシベンゾイックアシッド、ジヒドロキシベンゾイックアシッド、フェノールフタリンよりなる群から選ばれる少なくとも 1 種であることを特徴とする接着フィルム。
- 前記エポキシ樹脂（Ｃ）の重量平均分子量が、２００〜６００である請求項１に記載の接着フィルム。
- 溶融粘度が１〜５０００ｍＰａ・ｓである請求項１または２に記載の接着フィルム。
- 厚さが３〜８０μｍである請求項１ないし３のいずれかに記載の接着フィルム。
- 半導体素子とインターポーザとが請求項１ないし４のいずれかに記載の接着フィルムで実装されていることを特徴とする半導体パッケージ。
- 半導体パッケージとプリント配線板とが請求項１ないし５のいずれかに記載の接着フィルムで実装されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003063208A JP4083601B2 (ja) | 2003-03-10 | 2003-03-10 | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージならびに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003063208A JP4083601B2 (ja) | 2003-03-10 | 2003-03-10 | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージならびに半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004273809A JP2004273809A (ja) | 2004-09-30 |
| JP4083601B2 true JP4083601B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=33124842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003063208A Expired - Fee Related JP4083601B2 (ja) | 2003-03-10 | 2003-03-10 | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージならびに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4083601B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5352955B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2013-11-27 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物 |
| WO2010073583A1 (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 住友ベークライト株式会社 | 接着フィルム、多層回路基板、半導体用部品および半導体装置 |
| JP2011014717A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着フィルム、多層回路基板、電子部品及び半導体装置 |
| KR20120064701A (ko) * | 2009-09-16 | 2012-06-19 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 접착 필름, 다층 회로 기판, 전자 부품 및 반도체 장치 |
| JP2012057109A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
| JP2012146830A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングテープ一体型接着シート、電子部品及び半導体装置 |
| CN110582840A (zh) * | 2017-04-21 | 2019-12-17 | 日立化成株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3711842B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2005-11-02 | ソニーケミカル株式会社 | 異方性導電接続材料及び接続構造体 |
| US7331502B2 (en) * | 2001-03-19 | 2008-02-19 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Method of manufacturing electronic part and electronic part obtained by the method |
| JP3735059B2 (ja) * | 2001-11-06 | 2006-01-11 | 住友ベークライト株式会社 | 接着フィルム、それを用いた半導体パッケージまたは半導体装置、および半導体パッケージまたは半導体装置の製造方法 |
| JP2003231876A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージならびに半導体装置 |
| JP4083592B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2008-04-30 | 住友ベークライト株式会社 | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージならびに半導体装置 |
-
2003
- 2003-03-10 JP JP2003063208A patent/JP4083601B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004273809A (ja) | 2004-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5191627B2 (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| US7901768B2 (en) | Multilayer anisotropic conductive adhesive and connection structure using the same | |
| JPWO2008054012A1 (ja) | 接着テープ及びそれを用いてなる半導体装置 | |
| WO1996042107A1 (en) | Semiconductor device, wiring board for mounting semiconductor and method of production of semiconductor device | |
| JP4449325B2 (ja) | 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。 | |
| JP3821471B2 (ja) | 硬化性フラックス、半田接合用レジスト、該硬化性フラックスにより補強された半導体パッケージ及び半導体装置並びに該半導体パッケージ及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4206631B2 (ja) | 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置 | |
| JP3735059B2 (ja) | 接着フィルム、それを用いた半導体パッケージまたは半導体装置、および半導体パッケージまたは半導体装置の製造方法 | |
| JP4802987B2 (ja) | 接着フィルム | |
| JP2005264109A (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP4083601B2 (ja) | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージならびに半導体装置 | |
| JP4083592B2 (ja) | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージならびに半導体装置 | |
| JP2002146159A (ja) | 硬化性フラックス及びそれを用いた半田接合部 | |
| JP5712884B2 (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP4415920B2 (ja) | 接着フィルム、それを用いた半導体パッケージまたは半導体装置、および半導体パッケージまたは半導体装置の製造方法 | |
| WO2012077447A1 (ja) | 半導体素子の実装方法、及び実装体 | |
| JP5912611B2 (ja) | フィルム状接着剤 | |
| JP2003231876A (ja) | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体パッケージならびに半導体装置 | |
| JP3376968B2 (ja) | 実装方法 | |
| JP4218181B2 (ja) | 半田接合接着方法 | |
| JP7149099B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006016623A (ja) | 接着フィルム、それを用いた半導体パッケージまたは半導体装置、および半導体パッケージまたは半導体装置の製造方法 | |
| JP5925460B2 (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP4314718B2 (ja) | 硬化性フラックス | |
| JP4314760B2 (ja) | 感光性フラックス、並びに、これを用いた半田接合部、フリップチップ、半導体パッケージ、及び、プリント配線板、並びに、半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060306 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080121 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080212 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080213 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4083601 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |