JP4075314B2 - マイクロレンズ基板の製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロレンズ基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
スクリーン上に、画像を投影する投射型表示装置が知られている。このような投射型表示装置では、その画像形成に主として液晶パネル(液晶光シャッター)が用いられている。
【0003】
この液晶パネルは、例えば、液晶を駆動する液晶駆動基板と液晶パネル用対向基板とが、液晶層を介して接合された構成となっている。また、液晶パネルには、光の利用効率を高めるべく、液晶パネル用対向基板の各画素に対応する位置に多数の微小なマイクロレンズを設けたものがある。液晶パネル用対向基板を透過する光は、このマイクロレンズにより集光され、光の透過率が高まる。このマイクロレンズは、通常、液晶パネル用対向基板が備えるマイクロレンズ基板に設けられている。
【0004】
このようなマイクロレンズ基板としては、多数の凹部が設けられたガラス基板と、かかるガラス基板の凹部が設けられた面に樹脂層を介して接合されたガラス層とを有し、前記凹部内に充填された樹脂によりマイクロレンズが形成されたものが知られている。
【0005】
このマイクロレンズ基板は、前記ガラス基板の凹部が形成された面に未硬化の樹脂を供給し、この樹脂を介して前記ガラス基板と前記ガラス層とを接合し、前記樹脂を硬化させて前記凹部内にマイクロレンズを形成する。
【0006】
しかしながら、特に、樹脂の粘度が比較的高い場合には、未硬化の樹脂を供給し、この樹脂を介して前記ガラス基板と前記ガラス層とを接合する際に、樹脂の流動性が悪く、よって、これを硬化して得られる樹脂層の厚さにムラが生じてしまうという問題がある。なお、樹脂層の厚さが不均一であると、光学特性に悪影響を与える。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、樹脂層の厚さを均一にすることができるマイクロレンズ基板の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記(1)〜(14)の本発明により達成される。
【0009】
(1) レンズ曲面を備えた第1基板と、第2基板との間に、未硬化の樹脂を供給し、該樹脂を介して前記第1基板と前記第2基板とを接合して接合体を形成し、
前記樹脂を硬化させてマイクロレンズを形成するマイクロレンズ基板の製造方法であって、
前記第1基板と前記第2基板とを接合する前に、前記第1基板および/または前記第2基板を加熱することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
【0010】
(2) 前記樹脂を供給する前に、前記加熱を行う上記(1)に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0011】
(3) 前記加熱を、基板温度が20〜80℃となるように行う上記(1)または(2)に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0012】
(4) 前記樹脂を供給する前に、その樹脂を加熱する上記(1)ないし(3)のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0013】
(5) 前記樹脂を供給する前に、その樹脂の粘度が30〜500cPとなるように該樹脂を加熱する上記(1)ないし(3)のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0014】
(6) 前記加熱された第1基板および/または前記第2基板を保温しつつ、前記第1基板と前記第2基板とを接合する上記(1)ないし(5)のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0015】
(7) 前記接合体を加熱し、その後、前記樹脂を硬化させる上記(1)ないし(6)のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0016】
(8) 前記第1基板と前記第2基板とを減圧下または真空中で貼り合わせる上記(1)ないし(6)のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0017】
(9) 前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる前に減圧または真空にする上記(8)に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0018】
(10) 前記第1基板と前記第2基板との間に、基板間の距離を規定するスペーサーを有し、
前記第1基板と前記第2基板とが接近する方向へ加圧して前記貼り合わされた前記第1基板と前記第2基板とを接合する上記(8)または(9)に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0019】
(11) 少なくとも前記第1基板と前記第2基板とを加圧するまで、減圧または真空にした状態を維持する上記(10)に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0020】
(12) 少なくとも前記第1基板と前記第2基板とを加圧するまで、前記加熱された第1基板および/または前記第2基板を保温する上記(10)または(11)に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0021】
(13) 前記スペーサーは、粒子状であり、該スペーサーを含む未硬化の樹脂を供給することにより設けられる上記(10)ないし(12)のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0022】
(14) 前記減圧または真空にした状態における圧力は、1.3〜670Paである上記(8)ないし(13)のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のマイクロレンズ基板の製造方法を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。なお、本発明におけるマイクロレンズ基板には、個別基板およびウエハーの双方を含むものとする。
【0024】
図1は、本発明のマイクロレンズ基板の製造方法の一実施形態を説明するためのマイクロレンズ基板の製造装置の構成例を示す斜視図、図8は、本発明のマイクロレンズ基板の製造方法の一実施形態を説明するためのマイクロレンズ基板の模式的な縦断面図である。
【0025】
図8に示すように、マイクロレンズ基板1は、レンズ曲面(凹曲面)を有する凹部(マイクロレンズ用凹部)3が複数(多数)形成された第1基板(透明基板)2と、かかる第1基板2の凹部3が設けられた面に設けられた樹脂層9と、かかる樹脂層9上に設けられた第2基板(表層)8と、樹脂層9の厚みを規定(規制)するスペーサー5とを有しており、また、樹脂層9では、凹部3内に充填された樹脂によりマイクロレンズ4が形成されている。
【0026】
マイクロレンズ基板1は、2つの領域、すなわち、有効レンズ領域99と、非有効レンズ領域100とを有している。有効レンズ領域99とは、凹部3内に充填される樹脂により形成されるマイクロレンズ4が、使用時にマイクロレンズとして有効に用いられる領域をいう。一方、非有効レンズ領域100とは、有効レンズ領域99以外の領域をいう。
【0027】
このようなマイクロレンズ基板1では、非有効レンズ領域100内の樹脂層9に、樹脂層9の厚みを規定するスペーサー5が設置されている。かかるスペーサー5は、粒子状であるのが好ましく、例えば、球状粒子等で構成されている。
【0028】
マイクロレンズ基板1にスペーサー5を設置することにより、後述するように、樹脂層9の厚さを所定の厚さに設定することが容易となる。また、樹脂層9の厚みムラを抑制することができるようになる。
【0029】
また、スペーサー5を非有効レンズ領域100内に設置することにより、スペーサー5がマイクロレンズ4の光学特性に悪影響を与えにくくなる。
【0030】
また、スペーサー5が粒子状であると、樹脂層9と第2基板8との密着性が低下することが防止される。また、スペーサー5が球状粒子であると、スペーサー5が互いに重なることが好適に防止される。このため、樹脂層9の厚み規定精度をさらに高めることができ、しかも、樹脂層9の厚みムラも極めて好適に防止できる。
【0031】
スペーサー5の平均粒径は、例えば、樹脂層9の厚みとほぼ同じものとすることができる。すなわち、スペーサー5の平均粒径は、設計した樹脂層9の厚さと樹脂の硬化収縮率に応じて適宜選択することができる。一般的には、スペーサー5の平均粒径は、0.1〜100μm程度とするのが好ましく、1〜60μm程度とするのがより好ましい。スペーサー5の平均粒径をこの範囲内とすると、マイクロレンズ4を通過した出射光の焦点がマイクロレンズ基板1の表面付近に位置するように、樹脂層9の厚みを設定することが容易となる。これにより、マイクロレンズ基板1の光利用効率が高められる。
【0032】
スペーサー5の粒径分布の標準偏差は、スペーサー5の平均粒径の20%以内であることが好ましく、5%以内であることがより好ましい。これにより、樹脂層9の厚みムラがさらに好適に抑制されるようになる。
【0033】
また、スペーサー5の密度は、0.5〜2.0g/cm3程度であることが好ましく、0.7〜1.5g/cm3程度であることがより好ましい。さらには、スペーサー5の密度をρ1(g/cm3)、樹脂層9を構成する樹脂の密度(例えば硬化後の密度)をρ2(g/cm3)としたとき、ρ1/ρ2は、0.6〜1.4程度であることが好ましく、0.8〜1.2程度であることがより好ましい。これにより、後述するような効果が得られる。
【0034】
なお、マイクロレンズ基板1では、スペーサー5を球状粒子としたが、スペーサーは、球状の粒子としなくてもよい。例えば、スペーサーの粒子形状を、針状、棒状、円柱状(円柱状粒子)、卵型、長円状等としてもよい。さらには、スペーサーは、粒子状でなくてもよい。例えば、スペーサーは、シート状、繊維状等であってもよい。
【0035】
このようなマイクロレンズ基板1では、第1基板2は、例えばガラス等で構成されている。
【0036】
マイクロレンズ基板1が液晶パネルに用いられ、かかる液晶パネルが第1基板2以外にガラス基板を有する場合には、第1基板2の熱膨張係数は、かかる液晶パネルが有する他のガラス基板の熱膨張係数とほぼ等しいもの(例えば両者の熱膨張係数の比が1/10〜10程度)であることが好ましい。これにより、得られる液晶パネルでは、温度が変化したときに二者の熱膨張係数が違うことにより生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。
【0037】
かかる観点からは、第1基板2と、液晶パネルが有する他のガラス基板とは、同種類の材質で構成されていることが好ましい。これにより、温度変化時の熱膨張係数の相違によるそり、たわみ、剥離等が効果的に防止される。
【0038】
特に、マイクロレンズ基板1を高温ポリシリコンのTFT液晶パネルに用いる場合には、第1基板2は、石英ガラスで構成されていることが好ましい。TFT液晶パネルは、液晶駆動基板としてTFT基板を有している。かかるTFT基板には、製造時の環境により特性が変化しにくい石英ガラスが好ましく用いられる。このため、これに対応させて、第1基板2を石英ガラスで構成することにより、そり、たわみ等の生じにくい、安定性に優れたTFT液晶パネルを得ることができる。
【0039】
第1基板2の厚さは、第1基板2を構成する材料、屈折率等の種々の条件により異なるが、通常、0.3〜5mm程度とされ、より好ましくは0.5〜2mm程度とされる。なお、マイクロレンズ基板1が、樹脂層9側から光が入射し、第1基板2側から出射する構成の場合には、第1基板2の厚さは、好ましくは10〜1000μm程度とされ、より好ましくは20〜150μm程度とされる。
【0040】
第2基板8は、例えば、ガラス等で構成することができる。
この場合、第2基板8の熱膨張係数は、第1基板2の熱膨張係数とほぼ等しいもの(例えば両者の熱膨張係数の比が1/10〜10程度)とすることが好ましい。これにより、第1基板2と第2基板8の熱膨張係数の相違により生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。このような効果は、第1基板2と第2基板8とを同種類の材料で構成すると、より効果的に得られる。
【0041】
第2基板8の厚さは、マイクロレンズ基板1が液晶パネルに用いられる場合、必要な光学特性を得る観点からは、通常、5〜1000μm程度とされ、より好ましくは10〜150μm程度とされる。なお、液晶パネルが、光を第2基板8側から入射する構成の場合には、第2基板8の厚さは、好ましくは0.3〜5mm程度とされ、より好ましくは0.5〜2mm程度とされる。
【0042】
なお、第2基板8は、例えばセラミックスで構成することもできる。なお、セラミックスとしては、例えば、AlN、SiN、TiN、BN等の窒化物系セラミックス、Al23、TiO2等の酸化物系セラミックス、WC、TiC、ZrC、TaC等の炭化物系セラミックスなどが挙げられる。第2基板8をセラミックスで構成する場合、第2基板8の厚さは、特に限定されないが、20nm〜20μm程度とすることが好ましく、40nm〜1μm程度とすることがより好ましい。
【0043】
凹部3を覆っている樹脂層(接着剤層)9は、例えば、第1基板2の構成材料の屈折率よりも高い屈折率の樹脂(接着剤)で構成することができる。例えば、樹脂層9は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルエポキシ系樹脂等の紫外線硬化型樹脂などで好適に構成することができる。
【0044】
樹脂層9の厚さ(第1基板2が本来の厚みを有しているところ)は、0.1〜100μm程度とすることが好ましく、1〜20μm程度とすることがより好ましい。
【0045】
次に、図1に示すマイクロレンズ基板の製造装置200について説明する。
図1に示すように、マイクロレンズ基板の製造装置200は、チャンバユニット20と、樹脂供給ユニット(樹脂供給手段)30と、硬化ユニット(樹脂硬化手段)40と、4つのウエハーキャリア51、52、53および54と、真空ポンプ(減圧手段)55と、搬送ロボット56と、第1基板2を加熱(予備加熱)するホットプレート(加熱手段)57と、第2基板8を加熱(予備加熱)するホットプレート(加熱手段)58と、この製造装置200の駆動を制御する図示しない制御手段と、製造装置200を操作するための図示しない操作部と、種々の情報を表示する図示しない表示部とを有している。
【0046】
樹脂供給ユニット30は、X−Yステージ31と、先端部にシリンジ保持部321が設けられたアーム32と、ディスペンサ33とを有している。
【0047】
アーム32は、X−Yステージ31に設置され、そのX−Yステージ31により、前記ホットプレート57および58の表面(上面)と略平行なX−Y平面上において、任意の位置(X方向およびY方向)に移動し得るようになっている。
【0048】
また、アーム32の先端部に設けられたシリンジ保持部321には、図2に示す後述する2つのシリンジ34および35を、着脱自在に、かつ同時に装着することができるようになっている。
【0049】
図2は、図1に示す製造装置200の樹脂供給ユニット30のアーム32のシリンジ保持部321に装着される2つのシリンジの構成例を模式的に示す縦断面図である。
【0050】
同図に示すシリンジ34は、スペーサー5を含まない未硬化の樹脂91を供給するための器具であり、外筒340と、この外筒340内を摺動し得るガスケット343とを有している。
【0051】
外筒340の先端には、ノズル(縮径部)341が形成されている。
また、外筒340の基端部には、管路342が形成されている。この管路342は、前記ガスケット343より基端側に位置し、図示しないチューブを介してディスペンサ33に接続されている。
【0052】
また、外筒340の外周部には、円筒状の金属体345が設置され、その金属体345外周部には、ヒータ(加熱手段)344が設置されている。
【0053】
外筒340内におけるガスケット343の先端側には、樹脂91が収納される。
【0054】
このシリンジ34は、ディスペンサ33から送出される圧縮空気によって、そのガスケット343が図2中上下方向に移動するようになっている。ディスペンサ33からシリンジ34へ向けて圧縮空気が送出されると、ガスケット343が先端側へ移動してノズル341から樹脂91が吐出する。従って、X−Yステージ31を作動させてシリンジ34を移動し、樹脂91を吐出することにより、樹脂91を所定の部位(位置)へ供給することができる。
【0055】
一方、シリンジ35は、スペーサー5を含む未硬化の樹脂92を供給するための器具であり、外筒350と、この外筒350内を摺動し得るガスケット353とを有している。
【0056】
外筒350の先端には、ノズル(縮径部)351が形成されている。
また、外筒350の基端部には、管路352が形成されている。この管路352は、前記ガスケット353より基端側に位置し、図示しないチューブを介してディスペンサ33に接続されている。
【0057】
また、外筒350の外周部には、円筒状の金属体355が設置され、その金属体355の外周部には、ヒータ(加熱手段)354が設置されている。
【0058】
外筒350内におけるガスケット353の先端側には、樹脂92が収納される。
【0059】
このシリンジ35は、ディスペンサ33から送出される圧縮空気によって、そのガスケット353が図2中上下方向に移動するようになっている。ディスペンサ33からシリンジ35へ向けて圧縮空気が送出されると、ガスケット353が先端側へ移動してノズル351から樹脂92が吐出する。従って、X−Yステージ31を作動させてシリンジ35を移動し、樹脂92を吐出することにより、樹脂92を所定の部位(位置)へ供給することができる。
【0060】
前記シリンジ34とシリンジ35とは、互いに独立して作動(樹脂を吐出)させることができるようになっている。
【0061】
なお、前記シリンジ34およびシリンジ35を作動させるためにディスペンサ33からそのシリンジ34および35へ送出される気体は、それぞれ、空気に限らず、例えば、窒素等を用いてもよい。
【0062】
また、本実施形態では、樹脂供給ユニット30は、異なる2種の未硬化の樹脂91、92を供給し得るように構成されているが、本発明では、異なる3種以上の未硬化の樹脂を供給し得るように構成されていてもよい。
【0063】
次に、チャンバユニット20について説明する。
図3は、チャンバユニット20を模式的に示す縦断面図である。なお、図3中、上側を「上」、下側を「下」または「底」として説明する。
【0064】
同図に示すように、チャンバユニット20は、チャンバ(真空炉)21を有し、そのチャンバ21内には、接合装置(接合手段)22が設置されている。
【0065】
接合装置22は、基台23と、加圧板24と、一対の基板保持部25、26とを有している。
【0066】
基台23は、チャンバ21内の底部(底壁211)に固定されている。基台23の表面(図3中上側の面)、すなわち、後述する加圧板24との対向面は、水平面(水準面)に対して略平行な平面である。
【0067】
この基台23は、加圧の際、加圧板としても機能するので、その表面は、平坦であるのが好ましい。
【0068】
この場合、基台23の表面の有効加圧領域における平面度(平坦度)、すなわち、基台23の表面の有効加圧領域における最高点と最低点との高さの差(最高点と最低点との間の図3中上下方向の距離)は、10μm以下であるのが好ましく、6μm以下であるのがより好ましく、1〜5μm程度であるのがさらに好ましい。
【0069】
基台23の表面の有効加圧領域における最高点と最低点との高さの差を10μm以下とすることにより、加圧の際、均一に加圧することができ、これにより樹脂層9の厚さをより均一にすることができる。
【0070】
基台23の内部には、ヒータ(加熱手段)231と、断熱材232とが設けられている。ヒータ231は、基台23内の上側に位置し、断熱材232は、そのヒータ231の下側に位置している。
【0071】
また、加圧板24は、図3中上下方向に移動可能に、チャンバ21内の上部に設置されている。この加圧板24は、前記基台23に対向するように配置されている。
【0072】
加圧板24の表面(図3中下側の面)、すなわち、前記基台23との対向面は、平面である。この加圧板24の表面は、平坦であるのが好ましい。
【0073】
この場合、加圧板24の表面の有効加圧領域における平面度(平坦度)、すなわち、加圧板24の表面の有効加圧領域における最高点と最低点との高さの差(最高点と最低点との間の図3中上下方向の距離)は、10μm以下であるのが好ましく、6μm以下であるのがより好ましく、1〜5μm程度であるのがさらに好ましい。
【0074】
加圧板24の表面の有効加圧領域における最高点と最低点との高さの差を10μm以下とすることにより、加圧の際、均一に加圧することができ、これにより樹脂層9の厚さをより均一にすることができる。
【0075】
ここで、前記有効加圧領域とは、加圧において有効に作用する部分(領域)であり、例えば、本実施形態では、加圧板24については、その表面(図3中下側の面)全体であり、また、基台23についても、その表面(図3中上側の面)全体である。
【0076】
加圧板24の内部には、ヒータ(加熱手段)241と、断熱材242とが設けられている。ヒータ241は、加圧板24内の下側に位置し、断熱材242は、そのヒータ241の上側に位置している。
【0077】
この加圧板24は、ボールジョイント272を介して軸271の一端側(図3中下側)に連結されている。
【0078】
このボールジョイント272により、加圧板24は、軸271に対してその姿勢を自在に変更することができる。このため、加圧の際、均一に加圧することができ、これにより樹脂層9の厚さをより均一にすることができる。
【0079】
なお、前記ボールジョイント272に限らず、例えば、ユニバーサルジョイント等を用いてもよい。
【0080】
チャンバ21の上壁212には、貫通孔が形成されており、前記軸271は、この貫通孔を貫通し、チャンバ21に対して図3中上下方向に移動可能に設置されている。前記貫通孔には、図示しないパッキンが設置され、このパッキンにより、チャンバ21の内部と外部とが遮断され、チャンバ21の気密性が保持されている。
【0081】
軸271の他端側(図3中上側)には、図示しないエアーシリンダのピストンロッドが接合されている。このエアーシリンダは、図示しないエアーコンプレッサから送出される圧縮空気によって、そのピストンロッドが伸長または収縮するようになっている。このピストンロッドの伸長・収縮により、加圧板24は、上側または下側に移動する。
【0082】
また、一対の基板保持部25、26は、図3中上下方向に移動可能に、チャンバ21内の加圧板24と基台23との間に設置されている。
【0083】
これら基板保持部25、26の対向部には、それぞれ、第1段差部251および第2段差部252、第1段差部261および第2段差部262が形成されている。
【0084】
各第1段差部251および261は、それぞれ、第2段差部252および262の下側に位置しており、一方の第1段差部251と他方の第1段差部261との間の距離は、一方の第2段差部252と他方の第2段差部262との間の距離より短く設定されている。
【0085】
ここで、第1基板2の図3中横方向の長さは、一方の第1段差部251と他方の第1段差部261との間の距離より長く、かつ、一方の第2段差部252と他方の第2段差部262との間の距離より短く設定されており、この第1基板2は、一対の第1段差部251、261上に載置(保持)される。
【0086】
また、第2基板8の図3中横方向の長さは、一方の第2段差部252と他方の第2段差部262との間の距離より短く設定されており、この第2基板8は、一対の第2段差部252、262上に載置(保持)される。
【0087】
なお、前記一対の第1段差部251、261により、第1基板2を保持する保持手段が構成され、また、前記一対の第2段差部252、262により、第2基板8を保持する保持手段が構成される。
【0088】
各基板保持部25および26の下側には、それぞれ、軸281および282の一端側(図3中上側)が接続されており、これらの軸281および282の他端側(図3中下側)は、フレーム283で連結されている。
【0089】
チャンバ21の底壁211には、一対の貫通孔が形成されており、前記一対の軸281、282は、それぞれ対応する貫通孔を貫通し、チャンバ21に対して図3中上下方向に移動可能に設置されている。各貫通孔には、それぞれ、図示しないパッキンが設置され、このパッキンにより、チャンバ21の内部と外部とが遮断され、チャンバ21の気密性が保持されている。
【0090】
フレーム283の所定の部位には、図示しないエアーシリンダのピストンロッドが接合されている。このエアーシリンダは、図示しないエアーコンプレッサから送出される圧縮空気によって、そのピストンロッドが伸長または収縮するようになっている。このピストンロッドの伸長・収縮により、一対の基板保持部25、26は、一体的に、上側または下側に移動する。
【0091】
なお、前記基台23、加圧板24、基板保持部25および26は、それぞれ、第1基板2と第2基板8とを樹脂91、92を介して接合する際、互いに干渉しないような形状をなしている。
【0092】
ここで、前記基台23および加圧板24等で、加圧手段の主要部が構成される。
【0093】
次に、マイクロレンズ基板1の製造方法(製造装置200の作用)を説明する。
【0094】
前述したマイクロレンズ基板1は、例えば以下のようにして製造することができる。
【0095】
<1>マイクロレンズ基板1を製造する際には、表面に複数(多数)の凹部3が形成された第1基板(マイクロレンズ用凹部付き基板)2と、第2基板8とをまず用意する必要がある。かかる第1基板2は、例えば、以下のようにして製造、用意することができる(図9参照)。
【0096】
まず、母材として、例えば未加工の第1基板2を用意する。この第1基板2には、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。
【0097】
<1−▲1▼>まず、第1基板2の表面に、図9(a)に示すように、マスク層6を形成する。また、これとともに、第1基板2の裏面(マスク層6を形成する面と反対側の面)に裏面保護層69を形成する。
【0098】
このマスク層6は、後述する工程<1−▲3▼>における操作で耐性を有するものが好ましい。
【0099】
かかる観点からは、マスク層6を構成する材料としては、例えば、Au/Cr、Au/Ti、Pt/Cr、Pt/Ti等の金属、多結晶シリコン(ポリシリコン)、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコンなどが挙げられる。
【0100】
マスク層6の厚さは、特に限定されないが、0.01〜10μm程度とすることが好ましく、0.2〜1μm程度とすることがより好ましい。厚さがこの範囲の下限値未満であると、ピンホールなどの欠陥が多発し、第1基板2を十分に保護できない場合があり、上限値を超えると、マスク層6の内部応力によりマスク層6が剥がれ易くなる場合がある。
【0101】
マスク層6は、例えば、化学気相成膜法(CVD法)、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキなどにより形成することができる。
【0102】
なお、裏面保護層69は、次工程以降で第1基板2の裏面を保護するためのものである。この裏面保護層69により、第1基板2の裏面の侵食、劣化等が好適に防止される。この裏面保護層69は、例えば、マスク層6と同様の材料で構成されている。このため、裏面保護層69は、マスク層6の形成と同時に、マスク層6と同様に設けることができる。
【0103】
<1−▲2▼>次に、図9(b)に示すように、マスク層6に、開口61を形成する。
【0104】
開口61は、凹部3を形成する位置に設ける。また、開口61の形状は、形成する凹部3の形状(平面形状)に対応していることが好ましい。
【0105】
かかる開口61は、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、まず、マスク層6上に、開口61に対応したパターンを有するレジスト層(図示せず)を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスク層6の一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。
【0106】
なお、マスク層6の一部除去は、例えば、CFガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸+硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬(ウエットエッチング)などにより行うことができる。
【0107】
<1−▲3▼>次に、図9(c)に示すように、第1基板2上に凹部3を形成する。
【0108】
凹部3の形成方法としては、ドライエッチング法、ウエットエッチング法等のエッチング法などが挙げられる。例えばエッチングを行うことにより、第1基板2は、開口61より等方的に食刻され、レンズ形状を有する凹部3が形成される。特に、ウエットエッチング法によると、より理想的なレンズ形状に近い凹部3を形成することができる。なお、ウエットエッチングを行う際のエッチング液としては、例えばフッ酸系エッチング液などが好適に用いられる。
【0109】
<1−▲4▼>次に、図9(d)に示すように、マスク層6を除去する。また、この際、マスク層6の除去とともに裏面保護層69も除去する。
【0110】
これは、例えば、アルカリ水溶液(例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等)、塩酸+硝酸水溶液、フッ酸+硝酸水溶液等の剥離液への浸漬(ウエットエッチング)、CFガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどにより行うことができる。
【0111】
これにより、図9(d)に示すように、表面に複数(多数)の凹部3が形成された第1基板(マイクロレンズ用凹部付き基板)2が得られる。
【0112】
このような第1基板2を用い、例えば以下のようにして、マイクロレンズ基板1を製造することができる。
【0113】
<2>まず、複数の第1基板2をウエハーキャリア51内に収納するとともに、複数の第2基板8をウエハーキャリア52内に収納する。
【0114】
また、シリンジ34の外筒340内におけるガスケット343の先端側に、所定の屈折率(特に第1基板2の屈折率より高い屈折率)を有し、スペーサー5を含まない未硬化の樹脂91を収納するとともに、シリンジ35の外筒350内におけるガスケット353の先端側に、スペーサー5を含む未硬化の樹脂92を収納し、これらシリンジ34および35をそれぞれアーム32の先端部に設けられたシリンジ保持部321に装着する。
【0115】
樹脂91と、樹脂92(スペーサー5を除いた部分)とは、同種類の材料で構成することが好ましい。これにより、製造されるマイクロレンズ基板1で、樹脂91と樹脂92との熱膨張係数が相違することにより、そり、たわみ等が生じることが好適に防止される。なお、樹脂91と樹脂92とは、異なる種類の材料で構成してもよいことは言うまでもない。
【0116】
前記スペーサー5は、樹脂92中に分散していることが好ましい。スペーサー5が樹脂92中に分散していると、スペーサー5を設置する領域内にスペーサー5を均一に配設することができる。これにより、形成される樹脂層9の厚みムラがより好適に抑制される。
【0117】
特に、スペーサー5の密度を前述した範囲内とすると、スペーサー5を樹脂92中に分散させやすくなる。
【0118】
さらには、前記ρ1/ρ2が前述した範囲内であると、スペーサー5を樹脂92中に、より均一に分散させることが可能となる。このため、樹脂層9の厚みムラがさらに好適に抑制されるようになる。
【0119】
また、スペーサーが粒子状であると、スペーサー5を樹脂92中に分散させることが容易となる。特に、スペーサー5が球状粒子であると、スペーサー5が樹脂92中に、より均一に分散しやすい。
【0120】
樹脂92は、スペーサー5を1〜50重量%程度含有することが好ましく、5〜40重量%程度含有することがより好ましい。スペーサー5の含有量をこの範囲内とすると、樹脂層9と第2基板8との接着性が低下するのを抑制しつつ、なおかつ樹脂層9の厚みを高い精度で規定することができる。
以上で、準備が完了する。
【0121】
<3>次に、製造装置200を作動させる。この製造装置200は、下記のように動作する。
【0122】
まず、搬送ロボット56により、ウエハーキャリア51内に収納されている第1基板2を真空吸着して取り出す。この場合、第1基板2の貼り合わせ面(樹脂が設けられる側の面)と反対側の面を真空吸着する。そして、その搬送ロボット56により、前記第1基板2を、ホットプレート57へ搬送し、貼り合わせ面が上側になるようにホットプレート57上に載置する。第1基板2は、ホットプレート57によって加熱(予備加熱)される。
【0123】
また、搬送ロボット56により、ウエハーキャリア52内に収納されている第2基板8を真空吸着して取り出す。この場合、第2基板8の貼り合わせ面と反対側の面を真空吸着する。そして、その搬送ロボット56により、前記第2基板8を、ホットプレート58へ搬送し、貼り合わせ面が上側になるようにホットプレート58上に載置する。第2基板8は、ホットプレート58によって加熱(予備加熱)される。
【0124】
このように第1基板2、第2基板8を予め加熱することにより、供給された樹脂91および92の粘度を所定の値に調整することができる。これにより、樹脂91および92の流動性を最適にすることができ、これにより樹脂層9の厚さを均一にすることができる。
【0125】
この場合、基板温度が、20〜80℃程度となるように加熱するのが好ましく、30〜60℃程度となるように加熱するのがより好ましい。
【0126】
前記基板温度が前記上限より高いと未硬化樹脂の変質や、樹脂91および92の粘度が低くなりすぎ、例えば、樹脂92中のスペーサー5が流出して歩留りが低下することがあり、また、前記下限より低いと、樹脂91および92の粘度が高くなりすぎ、その流動性が悪化し、これにより、製造時間が長くなり、また、樹脂層9の厚さにムラが生じる場合がある。
【0127】
また、ホットプレート57および58の面内温度分布を、それぞれ、目標温度に対して±1℃以内とするのが好ましく、±0.5℃以内とするのがより好ましい。
【0128】
これにより、第1基板2および第2基板8を、それぞれ、温度分布がより均一になるように加熱することができ、供給された樹脂91および92の粘度を一定にすることができる。
【0129】
また、シリンジ34のヒータ344およびシリンジ35のヒータ354をそれぞれ作動させ、収納されている樹脂91および92をそれぞれ加熱し、樹脂91および92の粘度を所定の一定の値に調整する。
【0130】
樹脂91、92を加熱することにより、室温において粘度が比較的高い樹脂でも良好な流動性が得られる。また、第1基板2上へ樹脂91、92を供給する前に、樹脂91、92を加熱してその粘度を一定の値にすることにより、シリンジ34、35からの樹脂91、92の吐出量のばらつきを防止することができる。
【0131】
この場合、樹脂91および92の粘度は、30〜500cP程度とするのが好ましく、50〜300cP程度とするのがより好ましい。
【0132】
前記樹脂91、92の粘度が前記上限より高いと、その流動性が悪化し、これにより、製造時間が長くなり、また、樹脂層9の厚さにムラが生じる場合があり、また、前記下限より低いと、例えば、樹脂92中のスペーサー5が流出して歩留りが低下することがある。
【0133】
次に、X−Yステージ31を作動させてシリンジ34を移動させつつ、ディスペンサ33を作動させ、シリンジ34のノズル341からスペーサー5を含まない未硬化の樹脂91を吐出させ、第1基板2の凹部3が形成された面に樹脂91を供給する。かかる樹脂91は、少なくとも有効レンズ領域99に供給され、凹部3内に充填される。
【0134】
また、X−Yステージ31を作動させてシリンジ35を移動させつつ、ディスペンサ33を作動させ、シリンジ35のノズル351からスペーサー5を含む未硬化の樹脂92を吐出させ、第1基板2上に樹脂92を供給する。かかる樹脂92は、スペーサー5を設置する部位に供給される。
【0135】
この樹脂91および92を供給している期間も、ホットプレート57および58により、第1基板2および第2基板8が加熱、保温される。
【0136】
なお、樹脂92は、樹脂91を供給する前に第1基板2上に供給してもよいし、樹脂91を供給した後に供給してもよい。さらには、樹脂92は、樹脂91と同時に第1基板2上に供給してもよい。
【0137】
この製造装置200では、アーム32の保持部321にシリンジ34および35を同時に装着して、第1基板2の上に樹脂91、92を供給することができるので、シリンジ34とシリンジ35とを付け替えて樹脂91、92を供給する場合に比べ、手間がかからず、また、マイクロレンズ基板1の製造時間を短縮することができる。
【0138】
<4>次に、搬送ロボット56により、ホットプレート57上の第1基板2の下面(貼り合わせ面と反対側の面)を真空吸着し、その第1基板2を、チャンバ21へ搬送し、貼り合わせ面が上側になるようにチャンバ21内の一対の第1段差部251、261上に載置する。
【0139】
また、搬送ロボット56により、ホットプレート58上の第2基板8の下面(貼り合わせ面と反対側の面)を真空吸着し、その第2基板8を、チャンバ21へ搬送し、反転し、貼り合わせ面が下側になるようにチャンバ21内の一対の第2段差部252、262上に載置する。
【0140】
これにより、基板保持部25および26によって、第1基板2と第2基板8とが、互いの貼り合わせ面同士が向かい合い、所定距離離間した状態で保持される。
【0141】
また、第1基板2および第2基板8の貼り合わせ面側を、搬送ロボット56等が触れないようにすることで、第1基板2および第2基板8の貼り合わせ面側の汚染を防止することができる。
【0142】
<5>次に、チャンバ21の図示しないゲートバルブを閉じ、図4に示すように、基板保持部25および26を1段階下降させる。
【0143】
これにより、第1基板2が下降し、基板保持部25および26から離れ、基台23上に載置される。この段階では、第1基板2上の樹脂91、92と、第2基板8とは、接触しない。
【0144】
また、基台23内のヒータ231を作動させて、第1基板2および樹脂91、92を加熱、すなわち、第1基板2および樹脂91、92を保温する。
【0145】
<6>次に、真空ポンプ55を作動させて、チャンバ21内の空気を排気し、チャンバ21内を減圧または真空にする。
【0146】
これにより、第1基板2と第2基板8とを樹脂91、92を介して接合する際、その樹脂91、92中への気泡の混入、残存を抑制または防止することができる。
【0147】
また、第1基板2と第2基板8とを貼り合わせる直前にチャンバ21内を減圧または真空にすることにより、基台23内のヒータ231で第1基板2をより速く加熱することができ、これにより製造時間を短縮することができる。
【0148】
チャンバ21内を減圧または真空にした状態におけるチャンバ21内の圧力は、1.3〜670Pa程度であるのが好ましく、3.0〜150Pa程度であるのがより好ましい。
【0149】
前記圧力が前記上限より大きいと、第1基板2と第2基板8とを樹脂91、92を介して接合する際に、その樹脂91、92中に気泡が混入することがあり、また、前記下限より小さいと、マイクロレンズ基板1の製造時間が長くなる。
【0150】
また、ヒータ231により第1基板2を加熱した状態で所定時間待機(放置)する。これにより、前記待機中に、第1基板2および樹脂91、92の温度が目標温度となり、以降、第1基板2および樹脂91、92が保温される。
【0151】
<7>次に、図5に示すように、基板保持部25および26をさらに1段階(合計で2段階)下降させる。
【0152】
これにより、第2基板8が下降して第1基板2に接近してゆき、第1基板2と第2基板8とが貼り合わされ、第2基板8が基板保持部25および26から離れ、これらが基台23上に載置される。
【0153】
前記第1基板2と第2基板8とを貼り合わせる際の基板保持部25および26の下降速度、すなわち、第1基板2と第2基板8とが接近するときの第1基板2に対する第2基板8の相対速度は、比較的遅い速度であるのが好ましい。これにより、第1基板2と第2基板8との位置ずれを防止することができ、また、マイクロレンズ基板1の汚染を防止することができる。
【0154】
特に、前記第1基板2に対する第2基板8の相対速度は、0.1〜2mm/秒程度であるのが好ましく、0.1〜0.5mm/秒程度であるのがより好ましい。
【0155】
前記第1基板2に対する第2基板8の相対速度が前記上限より速いと、第1基板2と第2基板8とが接触したとき、その第2基板8がバウンドし、第1基板2に対する第2基板8の位置がずれることがあり、また、前記下限より遅いと、マイクロレンズ基板1の製造時間が長くなる。
【0156】
<8>次に、前記貼り合わされた第1基板2と第2基板8とを基台23上に載置した状態で、これらをヒータ231により保温しつつ、所定時間待機(放置)する。
【0157】
この際、第2基板8の自重が第1基板2上の樹脂に加わり、樹脂91、92の片寄り等が減少またはなくなるようにその樹脂91、92が広がってゆく。これにより、樹脂層9の厚さをより均一にすることができる。
【0158】
前記待機時間(放置時間)は、1〜15分程度であるのが好ましく、1〜5分程度であるのがより好ましい。
なお、この待機工程を省略してもよいことは、言うまでもない。
【0159】
<9>次に、図6に示すように、加圧板24のヒータ241を作動させるとともに、その加圧板24を下降させ、加圧板24と基台23とで、前記貼り合わされた第1基板2と第2基板8とを、第1基板2と第2基板8とが接近する方向へ加圧(押圧)して接合する。加圧の際は、ヒータ231および241により、第1基板2、第2基板8および樹脂91、92が保温される。
【0160】
この加圧により、第1基板2と第2基板8との離間距離(基板間距離)、すなわち樹脂91、92の厚さは、スペーサー5で規定された所定の厚さになり、また、樹脂91、92の厚みムラも抑制される。これにより、容易かつ確実に、樹脂層9の厚さを所定の厚さに設定することができ、しかも樹脂層9の厚さを均一にすることができる。
【0161】
前記貼り合わされた第1基板2と第2基板8とを加圧する際の圧力は、0.1〜1kgf/cm2程度であるのが好ましく、0.15〜0.5kgf/cm2程度であるのがより好ましい。
【0162】
また、加圧時間は、30秒〜5分程度であるのが好ましく、30秒〜3分程度であるのがより好ましい。
【0163】
なお、前記加圧の際の圧力調整は、例えば、空圧精密レギュレータ等で行うことができる。
【0164】
<10>次に、図7に示すように、加圧板24を上昇させる。
これにより、加圧板24が第2基板8から離間し、前記加圧が解除される。
【0165】
また、基板保持部25および26を2段階上昇させる。
これにより、第2基板8は、基板保持部25の第2段差部252と基板保持部26の第2段差部262とに引っ掛かり、基台23から離れ、第2段差部252および262上に載置される。
【0166】
このようにして、第1基板2と第2基板8とを未硬化の樹脂91、92を介して接合してなる接合体10が得られる。
【0167】
また、前記チャンバ21内を減圧または真空にした状態で前記加圧を解除することにより、接合体10が加圧板24や基台23に貼り付いてしまうのを防止することができる。
【0168】
<11>次に、チャンバ21内へ空気を導入し、チャンバ21内の圧力を大気圧に戻す。
【0169】
この第1基板2と第2基板8とを樹脂91、92を介して接合する工程中に、前記樹脂91、92を第1基板2上へ供給する工程までを行っておき、次回の接合に備える。これにより、マイクロレンズ基板1の製造時間を短縮することができる。
【0170】
<12>次に、搬送ロボット56により、接合体10を真空吸着して硬化ユニット40へ搬送し、その接合体10を硬化ユニット40の図示しない樹脂硬化室へセットする。
【0171】
<13>次に、硬化ユニット40を作動させる。
これにより、樹脂91および92に紫外線が照射され、これらが硬化して樹脂層9が形成される。
【0172】
これにより、第1基板2と第2基板8とが接着される。また、凹部3内では、樹脂層9を構成する樹脂によりマイクロレンズ4が形成される。
このようにして、図8に示すマイクロレンズ基板1を得ることができる。
【0173】
なお、樹脂の硬化は、前記紫外線の照射に限らず、例えば、樹脂に電子線を照射すること、樹脂を加熱することなどにより行うことができる。
【0174】
<14>次に、搬送ロボット56により、マイクロレンズ基板1を真空吸着してウエハーキャリア53または54へ搬送し、そのマイクロレンズ基板1をウエハーキャリア53または54内に収納する。
【0175】
ここで、前記樹脂91および92を硬化させる前に、接合体10を加熱し、その後、樹脂91および92を硬化させるのが好ましい。これにより、樹脂層9の厚さをより均一にすることができる。
【0176】
この場合、加熱温度は、20〜80℃程度であるのが好ましく、30〜60℃程度であるのがより好ましい。
【0177】
また、加熱時間は、1〜60分程度であるのが好ましく、1〜30分程度であるのがより好ましい。
【0178】
また、前記樹脂91および92を硬化させた後、必要に応じて研削、研磨等を行ない、第2基板8の厚さを調整してもよい。
【0179】
製造されたマイクロレンズ基板1は、例えば、液晶パネル用対向基板、液晶パネル、投射型表示装置、CCD用マイクロレンズ基板、光通信素子用マイクロレンズ基板等の各種基板、各種用途に用いることができることは言うまでもない。
【0180】
以上説明したように、本発明では、第1基板2と第2基板8とを接合する前、特に樹脂91および92を供給する前に、これらを加熱するので、樹脂91および92の粘度を適正な値に調整することができ、これにより樹脂層9の厚さを均一にすることができる。
【0181】
また、第1基板2と第2基板8との間に基板間の距離を規定するスペーサー5を設け、貼り合わされた第1基板2と第2基板8とを、第1基板2と第2基板8とが接近する方向へ加圧して接合するので、容易かつ確実に、樹脂層9の厚さを所定の厚さに設定することができ、しかも樹脂層9の厚さを均一にすることができる。
【0182】
また、減圧下または真空中において、第1基板2と第2基板8とを貼り合わせ、加圧して接合するので、樹脂91、92中への気泡の混入を抑制または防止することができ、これにより、マイクロレンズ基板1の樹脂層9中の気泡の残存を抑制または防止することができる。
【0183】
また、製造装置200により、樹脂91、92の供給、第1基板2と第2基板8との接合、樹脂91、92の硬化等を一連の動作で、自動的に行うことができ、これにより、マイクロレンズ基板1を容易に製造することができ、また、生産性も高く、量産に有利である。
【0184】
以上、本発明のマイクロレンズ基板の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0185】
例えば、前記実施形態におけるマイクロレンズ基板は、第1基板と第2基板との間に平凸レンズよりなるマイクロレンズを複数有するものであるが、本発明におけるマイクロレンズ基板は、これに限らず、例えば、第1基板と第2基板との間に両凸レンズよりなるマイクロレンズを複数有するものや、凸メニスカスレンズよりなるマイクロレンズを複数有するもの等であってもよい。
【0186】
なお、マイクロレンズを両凸レンズとする場合には、レンズ曲面を備えた凹部を複数有する第1基板と、レンズ曲面を備えた凹部を複数有する第2基板とを用いる。
【0187】
また、前記実施形態では、第1基板に未硬化の樹脂を供給し、その樹脂を介して第1基板と第2基板とを接合するが、本発明では、第2基板に未硬化の樹脂を供給し、その樹脂を介して第1基板と第2基板とを接合してもよく、また、第1基板および第2基板のそれぞれに未硬化の樹脂を供給し、その樹脂を介して第1基板と第2基板とを接合してもよい。
【0188】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、樹脂層の厚みムラを低減または無くすことができる。
【0189】
また、第1基板と第2基板との間に基板間の距離を規定するスペーサーを有し、貼り合わされた第1基板と第2基板とを、第1基板と第2基板とが接近する方向へ加圧して接合する場合には、マイクロレンズ基板の樹脂層の厚さを、容易かつ確実に、所定の厚さに設定することができ、しかも樹脂層の厚みムラを低減または無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマイクロレンズ基板の製造方法の一実施形態を説明するためのマイクロレンズ基板の製造装置の構成例を示す斜視図である。
【図2】図1に示すマイクロレンズ基板の製造装置の樹脂供給ユニットのアームのシリンジ保持部に装着される2つのシリンジの構成例を模式的に示す縦断面図である。
【図3】図1に示すチャンバユニットを模式的に示す縦断面図である。
【図4】図1に示すチャンバユニットを模式的に示す縦断面図である。
【図5】図1に示すチャンバユニットを模式的に示す縦断面図である。
【図6】図1に示すチャンバユニットを模式的に示す縦断面図である。
【図7】図1に示すチャンバユニットを模式的に示す縦断面図である。
【図8】本発明のマイクロレンズ基板の製造方法の一実施形態を説明するためのマイクロレンズ基板の模式的な縦断面図である。
【図9】本発明のマイクロレンズ基板の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
1 マイクロレンズ基板
99 有効レンズ領域
100 非有効レンズ領域
2 第1基板
3 凹部
4 マイクロレンズ
5 スペーサー
6 マスク層
61 開口
69 裏面保護層
8 第2基板
9 樹脂層
91、92 樹脂
10 接合体
20 チャンバユニット
21 チャンバ
211 底壁
212 上壁
22 接合装置
23 基台
231 ヒータ
232 断熱材
24 加圧板
241 ヒータ
242 断熱材
25 基板保持部
251 第1断差部
252 第2断差部
26 基板保持部
261 第1断差部
262 第2断差部
271 軸
272 ボールジョイント
281、282 軸
283 フレーム
30 樹脂供給ユニット
31 X−Yステージ
32 アーム
321 シリンジ保持部
33 ディスペンサ
34 シリンジ
340 外筒
341 ノズル
342 管路
343 ガスケット
344 ヒータ
345 金属体
35 シリンジ
350 外筒
351 ノズル
352 管路
353 ガスケット
354 ヒータ
355 金属体
40 硬化ユニット
51〜54 ウエハーキャリア
55 真空ポンプ
56 搬送ロボット
57、58 ホットプレート
200 製造装置

Claims (14)

  1. レンズ曲面を備えた第1基板の凹部が形成された面に未硬化の樹脂を供給し、該樹脂を介して前記第1基板と第2基板とを接合して接合体を形成し、
    前記樹脂を硬化させてマイクロレンズを形成するマイクロレンズ基板の製造方法であって、
    前記第1基板と前記第2基板とを接合する前に、前記第1基板および/または前記第2基板を加熱することを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
  2. 前記樹脂を供給する前に、前記加熱を行う請求項1に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  3. 前記加熱を、基板温度が20〜80℃となるように行う請求項1または2に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  4. 前記樹脂を供給する前に、その樹脂を加熱する請求項1ないし3のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  5. 前記樹脂を供給する前に、その樹脂の粘度が30〜500cPとなるように該樹脂を加熱する請求項1ないし3のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  6. 前記加熱された第1基板および/または前記第2基板を保温しつつ、前記第1基板と前記第2基板とを接合する請求項1ないし5のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  7. 前記接合体を加熱し、その後、前記樹脂を硬化させる請求項1ないし6のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  8. 前記第1基板と前記第2基板とを減圧下または真空中で貼り合わせる請求項1ないし6のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  9. 前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる前に減圧または真空にする請求項8に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  10. 前記第1基板と前記第2基板との間に、基板間の距離を規定するスペーサーを有し、
    前記第1基板と前記第2基板とが接近する方向へ加圧して前記貼り合わされた前記第1基板と前記第2基板とを接合する請求項8または9に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  11. 少なくとも前記第1基板と前記第2基板とを加圧するまで、減圧または真空にした状態を維持する請求項10に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  12. 少なくとも前記第1基板と前記第2基板とを加圧するまで、前記加熱された第1基板および/または前記第2基板を保温する請求項10または11に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  13. 前記スペーサーは、粒子状であり、該スペーサーを含む未硬化の樹脂を供給することにより設けられる請求項10ないし12のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
  14. 前記減圧または真空にした状態における圧力は、1.3〜670Paである請求項8ないし13のいずれかに記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
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