JP4073305B2 - 回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路装置に関し、特に各導電配線層を絶縁する層間絶縁層を熱可塑性樹脂で形成することにより、高温時に於いて層間絶縁層が応力緩和・緩衝材として機能する回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、ICパッケージは携帯機器や小型・高密度実装機器への採用が進み、従来のICパッケージとその実装概念が大きく変わろうとしている。絶縁樹脂シートの一例としてフレキシブルシートであるポリイミド樹脂シートを採用した半導体装置に関する技術がある(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
図12は、フレキシブルシート50をインターポーザー基板として採用する半導体装置を示すものである。図12(A)はこの半導体装置の平面図であり、図12(B)は、図12(A)のA−A線における断面図である。以下にてこの半導体装置の製造方法を説明する。
【0004】
先ず、フレキシブルシート50の上には、接着剤を介して銅箔パターン51が貼り合わされて用意されている。この銅箔パターン51は、実装される半導体素子がトランジスタ、ICにより、そのパターンが異なるが、一般には、ボンディングパッド51A、アイランド51Bが形成されている。また符号52は、フレキシブルシート50の裏面から電極を取り出すための開口部であり、前記銅箔パターン51が露出している。続いて、このフレキシブルシート50は、ダイボンダーに搬送され、半導体素子53が実装される。その後、このフレキシブルシート50は、ワイヤーボンダーに搬送され、ボンディングパッド51Aと半導体素子53のパッドが金属細線54で電気的に接続されている。
【0005】
最後に、図12(A)の如く、フレキシブルシート50の表面に封止樹脂55が設けられて封止される。ここでは、ボンディングパッド51A、アイランド51B、半導体素子53および金属細線54を被覆するようにトランスファーモールドされる。その後、図12(B)に示すように、半田や半田ボール等の接続手段56が設けられ、半田リフロー炉を通過することで開口部52を介してボンディングパッド51Aと融着した球状の半田56が形成される。その後、フレキシブルシート50には、半導体素子53がマトリックス状に形成されるため、ダイシングされ、個々に分離される。
【0006】
しかしながら、図12を参照して説明した半導体装置の製造方法は、フレキシブルシート50を採用しているために、様々な問題を有していた。即ち、フレキシブルシート50自身が有る程度の厚みを有しているので装置の薄型化に限界があり、製造工程に於いてフレキシブルシート50にクラックが発生したり、フレキシブルシート50に反りが発生してしまうという数々の問題を有していた。
【0007】
上記のような問題を解決するために、フレキシブルシート50等のようなインターポーザー基板を不要にした薄型の回路装置およびその製造方法が提案されている(例えば特許文献2を参照)。
【0008】
図13を参照して、この回路装置60の概要を説明する。回路装置60は、フレキシブルシート等のインターポーザを不要にして構成されている。そして、絶縁樹脂62の表裏にシート状に接着された導電膜をエッチングすることにより、第1の導電配線層63および第2の導電配線層64から成る多層配線構造が実現されている。第1の導電配線層63および第2の導電配線層64は、層間絶縁層62により絶縁され、多層接続手段72により所望の箇所で電気的に接続されている。また、第2の導電配線層64の所望の箇所には外部電極74が形成され、これは実装基板等との接続電極となる。第1の導電配線層63上には、絶縁性接着剤68を介して半導体素子67が固着されており、半導体素子67の電極と第1の導電配線層63とは金属細線71により電気的に接続されている。封止樹脂73は、半導体素子67および金属細線71を封止して全体の機械的な支持を行う働きを有する。
【0009】
上記した回路装置60は、フレキシブルシート等のインターポーザを不要にして構成されており、このことにより、装置全体が薄型化されている等の利点を有する。
【0010】
【特許文献1】
特開2000−133678号公報(第5頁、第2図)
【特許文献2】
特願2001−185420(第1図)
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上記した回路装置60では、構成要素である半導体素子67、導電配線層および熱硬化性樹脂で形成される封止樹脂73が、それぞれ熱膨張係数が異なる。特に半導体素子67と、有機性材料である封止樹脂73とでは大きく熱膨張係数が相違するので、使用状況下の温度変化で熱応力が発生し、接続信頼性に問題が発生する。
【0012】
更に、回路装置60と同様の構成で、半導体素子やその他の回路素子が複数個実装される大型の回路装置を構成した場合、上記した原理と同じ理由で、更に大きな熱応力が作用し、接続信頼性に問題が発生する。
【0013】
本発明は、上記した問題を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、回路装置の構成要素同士の熱膨張係数が異なることに起因して発生する熱応力を、内部で緩衝することができる構成を有する回路装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の回路装置は、複数の層間絶縁層を介して多層に積層された導電配線層と、最上層の前記導電配線層と電気的に接続された回路素子と、前記回路素子を被覆する封止樹脂層と、前記導電配線層同士を所望の個所で前記層間絶縁層を貫通して接続する多層接続手段とを有し、前記複数の層間絶縁層のうち、最上層の前記層間絶縁層は熱可塑性樹脂から成り、前記最上層の層間絶縁層よりも下層の前記層間絶縁層は熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする。
【0015】
層間絶縁層として熱可塑性樹脂を採用することにより、本発明では、回路装置が高温になった場合でも、各構成要素の熱膨張率の相違に起因する内部応力の発生を抑制することができる。
【0017】
複数層の層間絶縁層により多数層の導電配線層が形成された回路装置に於いても、少なくとも最上層の最上層の層間絶縁層を熱可塑性樹脂で形成することにより、内部応力の発生を抑制することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
(回路装置10の構成を説明する第1の実施の形態)
図1を参照して、本発明の回路装置10の構成を説明する。回路装置10は、層間絶縁層11を介して積層された第1の導電配線層12Aおよび第2の導電配線層12Bと、第1の導電配線層12A上に固着された回路素子13と、第1の導電配線層12Aおよび回路素子13を被覆する封止樹脂層17と、前記両導電配線層12同士を所望の個所で層間絶縁層11を貫通して接続する多層接続手段14と、第2の導電配線層12Bの所望個所に設けた外部電極16とを有し、層間絶縁層11は熱可塑性樹脂から成る構成と成っている。このような構成要素を以下にて説明する。
【0019】
図1(A)を参照して、第1の導電配線層12Aおよび第2の導電配線層12Bは、層間絶縁層11の表裏に形成された導電膜をエッチングすることにより形成されている。導電膜の材料は、好ましくは、Cuを主材料とするもの、または公知のリードフレームの材料であり、メッキ法、蒸着法またはスパッタ法で層間絶縁層11に被覆されたり、圧延法やメッキ法により形成された金属箔が貼着されても良い。また、第1の導電配線層12Aおよび第2の導電配線層12Bは、オーバーコート樹脂18で被覆されている。
【0020】
層間絶縁層11は、第1の導電配線層12Aと第2の導電配線層12Bとを絶縁する働きを有し、両導電配線層12の間の層として設けられている。層間絶縁層11の材料としては、高温時に軟化する特性を有する熱可塑性樹脂が採用される。本発明に適用可能な熱可塑性樹脂としては、例えば、ABS樹脂、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンエーテル、ナイロン、ポリアミド、ポリカーボネイト、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ウレタン樹脂およびエラストマーが挙げられる。特に液晶ポリマーは、熱膨張係数がシリコンから成る回路素子13に近く、ガスバリヤー性が高いために、層間絶縁層に採用される熱可塑性樹脂として好適な材料である。
【0021】
回路素子13は、絶縁性接着剤等を介して第1の導電配線層12A上に固着されており、第1の導電配線層12Aとは金属細線15を介して電気的に接続されている。本実施の形態では、回路素子13としては、2つの半導体素子が固着されている。また、回路素子13としては、半導体素子以外の回路素子を採用することも可能であり、チップコンデンサ、チップ抵抗またはトランジスタチップ等も回路素子13として採用することができる。
【0022】
多層接続手段14は第1の導電配線層12Aと第2の導電配線層12Bとを所望の個所で層間絶縁層11を貫通して接続している。多層配線手段14としては具体的には銅のメッキ膜が適している。また金、銀、パラジュウム等のメッキ膜でも良い。
【0023】
封止樹脂層17は第1の導電配線層12Aおよび回路素子13を被覆している。この封止樹脂層17は完成した回路装置全体の機械的支持の働きも兼用している。また、封止樹脂層17はトランスファーモールドにより形成される熱硬化性樹脂から形成されている。本発明に適用可能な熱硬化性樹脂としては、例えば、ユリア、フェノール、メラミン、フラン、アルキド、不飽和ポリエステル、ジアリルフタレート、エポキシ、ケイ素樹脂およびポリウレタンを挙げることができる。
【0024】
外部電極16は第2の導電配線層12Bの所望個所に設けられる。すなわち、第2の導電配線層12Bの大部分はオーバーコート樹脂18で被覆され、露出した第2の導電配線層12B上に半田等のロウ材で形成された外部電極16を設ける。
【0025】
図1(B)を参照して、他の形態の回路装置10の構成を説明する。同図に示す回路装置10の構成は、図1(A)に示すものと基本的な構成は同じであり、第1の導電配線層12Aに回路素子13Aが実装されている。即ち、回路装置10の中央部に半導体素子である回路素子13が固着され、最外周部の第1の導電配線層12A上に、回路素子13Aが実装されている。回路素子13Aとしては、チップ抵抗やチップコンデンサ等の受動部品や、ベアのトランジスタチップやダイオード等の能動部品を採用することができる。このように、最外周部に回路素子13Aを実装することにより、装置全体の実装密度を向上させることができる。
【0026】
図1(C)を参照して、更に他の形態の回路装置10の構成を説明する。同図に示す回路装置10の構成は、図1(A)に示すものと基本的な構成は同じであり、ここでは回路素子13がフェイスダウンで実装され、バンプ電極15Aを介して第1の導電配線層12Aに電気的に接続されている。
【0027】
上記のように回路素子13Aがフェイスダウンで実装される場合に於いて、熱可塑性樹脂から成る層間絶縁層11を用いる利点を説明する。表面に電気回路が形成された半導体素子である回路素子13Aがフェイスダウンで導電配線層12上に実装された場合、フェイスアップで回路素子13が実装された場合と比較して、その電気回路と導電配線層12との距離が近くなる。また、回路素子13Aと導電配線層との間には樹脂層が介在していることから、回路素子13Aおよび導電配線層12の両者に電気信号が流れた場合、配線容量が発生して悪影響を及ぼす。更に、この配線容量の大きさは、回路素子13Aの電気回路と導電配線層12との距離に反比例するので、フェイスダウンで回路素子13Aを実装した場合は、配線容量の問題が大きくなる。本発明では、誘電率が低い液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂から成る層間絶縁層11を、導電配線層12間に有する。従って回路素子13Aがフェイスダウンで実装された場合に於いても、配線容量の発生を抑制することができる。ここで、液晶ポリマーの誘電率は3程度である。
【0028】
図2を参照して、本発明の回路装置10の平面的な構造の一例を説明する。まず、実線で示すパターンは第1の導電配線層12Aであり、点線で示すパターンは第2の導電配線層12Bである。第1の導電配線層12Aは回路素子13を取り巻くようにボンディングパッドを形成し、一部では2段に配置されて多パッドを有する回路素子13に対応している。第1の導電配線層12Aは回路素子13の対応する電極パッドと金属細線15で接続され、ファインパターンに形成された第1の導電配線層12Aが回路素子13の下に多数延在されて、黒丸で示す多層接続手段14で第2の導電配線層12Bと接続されている。
【0029】
斯かる構造であれば、200以上パッドを有する半導体素子でも、第1の導電配線層12Aのファインパターンを利用して所望の第2の導電配線層12Bまで多層配線構造で延在でき、第2の導電配線層12Bに設けられた外部電極から外部回路への接続が行える。
【0030】
本発明の特徴は、層間絶縁層11の材料として熱可塑性樹脂を採用したことにある。本発明の回路装置10は熱硬化性樹脂から成る封止樹脂17にて装置全体が支持されている。また、有機性の素材から成る封止樹脂17と、シリコンである回路素子13とでは熱膨張係数が大きく異なるので、使用状況下の温度変化により、両者は異なる膨張量を示す。具体的には、封止樹脂17の熱膨張係数は20〜60ppm/℃であるのに対し、回路素子13の熱膨張係数は4ppm/℃である。そこで、本実施の形態では、第1の導電配線層12Aおよび第2の導電配線層12Bの間に形成される層間絶縁層11を、高温時に柔軟性を有する熱可塑性樹脂で形成することにより、回路装置10の内部に内部応力が発生するのを抑制している。具体的には、回路素子13の下方に位置する層間絶縁層11は、回路装置13の膨張量に応じて膨張し、封止樹脂17の下方に位置する層間絶縁層11は、封止樹脂19の膨張量に応じて膨張する。従って、熱応力による回路装置10の信頼性の低下を防止することができる。
【0031】
更に、本発明の特徴は、層間絶縁層11の材料である熱可塑性樹脂として液晶ポリマーを採用した点にある。液晶ポリマーの熱膨張係数は4ppm/℃に形成することが可能であり、回路素子13である半導体素子を形成するシリコンと同等であるので、高温時に於いても層間絶縁層11が回路素子13と同じ膨張量を示す。従って、回路素子13と他の構成要素との間に発生する熱応力を更に緩和することができる。また、液晶ポリマーは、ガスバリヤー性に優れた材料であるので、装置の外部から水分等が内部に侵入するのを防止することができる。
【0032】
図3を参照して、他の形態の回路装置の構成を説明する。同図に示す回路装置10は、複数の層間絶縁層11を介して多層に積層された導電配線層12と、最上層の導電配線層12上に固着された回路素子13と、最上層の導電配線層12および回路素子13を被覆する封止樹脂層17と、導電配線層12同士を所望の個所で層間絶縁層11を貫通して接続する多層接続手段14と、最下層の導電配線層12の所望個所に設けた外部電極16とを有し、少なくとも最上層の層間絶縁層11は熱可塑性樹脂から成ることを特徴としている。ここでは、一実施例として、第1の導電配線層12A〜第3の導電配線層12Cを有する3層構造の回路装置を説明する。また、導電配線層12の配線構造以外の構造は、図1に示した回路装置と同様であるので、その説明は割愛する。
【0033】
多層の配線構造を形成する第1の導電配線層12A、第2の導電配線層12Bおよび第3の導電配線層12Cは、第1の層間絶縁層11Aおよび第2の層間絶縁層11Bを層間に有している。そして、最上層の層間絶縁層である第1の層間絶縁層11Aは、熱可塑性樹脂から形成されている。このことから、回路素子13と封止樹脂層17の熱膨張係数の違いにより、高温時に両者が異なる膨張率を示しても、第1の層間絶縁層が高温時に於いては柔軟性を有するので、熱応力を緩和することができる。ここで使用する熱可塑性樹脂としては、液晶ポリマーが好ましい。
【0034】
また、多層の配線層の間に形成される層間絶縁層11の全てを熱可塑性樹脂で形成することにより、熱応力の緩和の効果を増大させることができる。具体的には、第1の層間絶縁層12Aおよび第2の層間絶縁層12Bを熱可塑性で形成することにより、封止樹脂17と回路素子13との熱膨張係数の相違に起因する内部応力を抑制できる上に、導電配線層12と層間絶縁層11との熱膨張係数の相違に起因する内部応力の発生も抑制することができる。
【0035】
更にまた、最下層の層間絶縁層である第2の層間絶縁層11Bは熱硬化性樹脂で形成することができる。ここでは、第1の層間絶縁層11Aを熱可塑性樹脂で形成し、最下層の絶縁層である第2の層間絶縁層12Bを熱硬化性樹脂で形成している。このように、第2の層間絶縁層12Bを熱硬化性樹脂で形成することにより、熱硬化性樹脂は高温時に於いても軟化しないので、装置全体の剛性を確保することができる。
【0036】
(回路装置の製造方法を説明する第2の実施の形態)
本発明の回路装置の製造方法について、図4〜図11を参照して説明する。本実施の形態では、図1に示す回路装置の製造方法を説明する。また、図3に示す回路装置の製造方法は、多層の配線を形成する工程以外の工程は同様である。
【0037】
本発明の回路装置の製造方法は、第1の導電膜23と第2の導電膜24を層間絶縁層22で接着した絶縁樹脂シート21を準備する工程と、絶縁樹脂シート21の所望個所に第1の導電膜23および層間絶縁層22に貫通孔31を形成する工程と、前記貫通孔31に多層接続手段14を形成し、第1の導電膜23と第2の導電膜24を電気的に接続する工程と、第1の導電膜23を所望のパターンにエッチングして第1の導電配線層12Aを形成する工程と、第1の導電配線層12A上に電気的に絶縁して回路素子13を固着する工程と、第1の導電配線層12Aおよび回路素子13を封止樹脂層17で被覆する工程と、第2の導電膜24を所望のパターンにエッチングして第2の導電配線層12Bを形成する工程とから構成されている。各工程を以下にて説明する。
【0038】
本発明の第1の工程は、図4に示すように、第1の導電膜23と第2の導電膜24を層間絶縁層22で接着した絶縁樹脂シート21を準備することにある。
【0039】
絶縁シート21の表面は、実質全域に第1の導電膜23が形成され、裏面にも実質全域に第2の導電膜24が形成されるものである。層間絶縁層22の材料は、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂から成る絶縁材料で成る。また、第1の導電膜23および第2の導電膜24は、好ましくは、Cuを主材料とするもの、または公知のリードフレームの材料であり、メッキ法、蒸着法またはスパッタ法で層間絶縁層22に被覆されたり、圧延法やメッキ法により形成された金属箔が貼着されても良い。また絶縁シート21は、キャスティング法で形成されても良い。以下に簡単にその製造方法を述べる。まず平膜状の第1の導電膜23の上に糊状の熱可塑性樹脂を塗布し、また平膜状の第2の導電膜24の上にも糊状の熱可塑性樹脂を塗布する。そして両者の熱可塑性樹脂を半硬化させた後に貼り合わせると絶縁シート21ができあがる。
【0040】
ペースト状のものを塗ってシートとするキャスティング法の場合、その膜厚は、10μm〜100μm程度である。またシートとして形成する場合、市販のものは25μmが最小の膜厚である。また熱伝導性が考慮され、中にフィラーが混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Si、酸化アルミニウム、窒化Al、Siカーバイド、窒化ボロン等が考えられる。
【0041】
本発明の第2の工程は、図5に示す如く、絶縁シート21の所望個所に第1の導電膜23および層間絶縁層22に貫通孔31を形成し、第2の導電膜24を選択的に露出することにある。
【0042】
第1の導電膜23の貫通孔31を形成する部分だけを露出してホトレジストで全面を被覆する。そしてこのホトレジストを介して第1の導電膜23をエッチングする。第1の導電膜23はCuを主材料とするものであるので、エッチング液は、塩化第2鉄または塩化第2銅を用いてケミカルエッチングを行う。貫通孔31の開口径は、ホトリソグラフィーの解像度により変化するが、ここでは50〜100μm程度である。またこのエッチングの際に、第2の導電膜24は接着性のシート等でカバーしてエッチング液から保護する。しかし第2の導電膜24自体が十分に厚く、エッチング後にも平坦性が維持できる膜厚であれば、少々エッチングされても構わない。
【0043】
続いて、ホトレジストを取り除いた後、第1の導電膜23をマスクにして、レーザーにより貫通孔31の真下の層間絶縁層22を取り除き、貫通孔31の底に第2の導電膜24を露出させる。レーザーとしては、炭酸ガスレーザーが好ましい。またレーザーで絶縁樹脂を蒸発させた後、開口部の底部に残査がある場合は、過マンガン酸ソーダまたは過硫酸アンモニウム等でウェットエッチングし、この残査を取り除く。
【0044】
本発明の第3の工程は、図6に示す如く、貫通孔31に多層接続手段14を形成し、第1の導電膜23と第2の導電膜24を電気的に接続することにある。
【0045】
貫通孔31を含む第1の導電膜23全面に第2の導電膜24と第1の導電膜23の電気的接続を行う多層接続手段14であるメッキ膜を形成する。このメッキ膜は無電解メッキと電解メッキの両方で形成され、ここでは、無電解メッキにより約2μmのCuを少なくとも貫通孔31を含む第1の導電膜23全面に形成する。これにより第1の導電膜23と第2の導電膜24が電気的に導通するため、再度この第1および第2導電膜3,4を電極にして電解メッキを行い、約20μmのCuをメッキする。これにより貫通孔31はCuで埋め込まれ、多層接続手段14が形成される。またメッキ膜は、ここではCuを採用したが、Au、Ag、Pd等を採用しても良い。またマスクを使用して部分メッキをしても良い。
【0046】
次に、同図を参照して、第1の導電膜23を所望のパターンにエッチングして第1の導電配線層12Aを形成する。第1の導電膜23上に所望のパターンのホトレジストで被覆し、図2に示すような配線を形成する場合は、ボンディングパッド部およびそこから中央に延在される第1の導電配線層12Aをケミカルエッチングにより形成する。第1の導電膜23はCuを主材料とするものであるので、エッチング液は、塩化第2鉄または塩化第2銅を用いれば良い。
【0047】
続いて、図7を参照して、第1の導電配線層12Aのボンディングパッドとなる部分を露出して他の部分をオーバーコート樹脂18で被覆する。オーバーコート樹脂18は溶剤で溶かしたエポキシ樹脂等をスクリーン印刷で付着し、熱硬化させる。または、樹脂から成るドライフィルムを貼り付ける。ここで使用する樹脂としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を使用することができる。また、オーバーコート樹脂18の材料としては感光性の樹脂または非感光性の樹脂を使用することができる。更に、ボンディングパッドとなる箇所の導電配線層を露出させるために、その上部のオーバーコート樹脂は部分的に除去される。
【0048】
次に、図8に示す如く、ボンディングパッド上にはボンディング性を考慮して、Au、Ag等のメッキ膜が形成される。このメッキ膜はオーバーコート樹脂18をマスクとしてボンディングパッド上に選択的に無電界メッキで付着されるか、また第2の導電膜24を電極として電界メッキで付着される。
【0049】
本発明の第4の工程は、図9に示す如く、第1の導電配線層12A上に電気的に絶縁して回路素子13を固着することにある。
【0050】
回路素子13は、ここでは半導体素子であり、ベアチップのままオーバーコート樹脂18上に絶縁性接着樹脂等を介してダイボンドされる。回路素子13とその下の第1の導電配線層12Aとはオーバーコート樹脂18で電気的に絶縁されるので、第1の導電配線層12Aは回路素子13の下でも自由に配線でき、多層配線構造を実現できる。
【0051】
また、回路素子13の各電極パッドは周辺に設けた第1の導電配線層12Aの一部であるボンデイングパッド10に金属細線15で接続されている。回路素子13はフェイスダウンで実装されても良い。この場合、回路素子13の各電極パッド表面に半田ボールやバンプが設けられ、第1の導電配線層12Aの表面には半田ボールの位置に対応した部分にボンディングパッドと同様の電極が設けられる。
【0052】
本発明の第5の工程は、図10に示す如く、第1の導電配線層12Aおよび回路素子13を封止樹脂層17で被覆することにある。
【0053】
絶縁シート21は、モールド装置にセットされて樹脂モールドを行う。モールド方法としては、トランスファーモールド、インジェクションモールド、塗布、ディピング等でも可能である。本発明では、熱可塑性樹脂を用いたトランスファーモールドで樹脂封止をおこなっている。
【0054】
図10(A)を参照して、本工程では、モールドキャビティーの下金型に絶縁シート21はフラットで当接される必要があるが、厚い第2の導電膜24がこの働きをする。しかもモールドキャビティーから取り出した後も、封止樹脂層17の収縮が完全に完了するまで、第2の導電膜24によってパッケージの平坦性を維持している。すなわち、本工程までの絶縁シート21の機械的支持の役割は第2の導電膜24により担われている。
【0055】
図10(B)を参照して、更に本工程では、絶縁シート21上にマトリックス状に多数個の回路素子13が固着されたブロックを形成しており、このブロックが1つのモールド金型で共通モールドされる。同図では、1枚の絶縁シート21に複数個(ここでは4個)のブロックが離間して設けられ、各ブロックが1つの封止樹脂層17で樹脂封止されている。従って、1つの金型を用いて多数個の回路装置をモールドすることが可能となり、製造される回路装置の大きさや形状に応じて金型を新たに作成するコストを省くことが可能となり、更に、使用する樹脂量を削減することができる。
【0056】
本発明の第6の工程は、図11に示す如く、第2の導電膜24を所望のパターンにエッチングして第2の導電配線層12Bを形成することにある。
【0057】
第2の導電膜24は、所望のパターンのホトレジストで被覆し、ケミカルエッチングで第2の導電配線層12Bを形成する。例えば、第2の導電配線層12Bは図2に示すように一定の間隔で配列され、個々は第1の導電配線層12Aと多層接続手段14を介して電気的に接続されて多層配線構造を実現している。
【0058】
次に、第2の導電配線層15は外部電極16を形成する部分を露出して溶剤で溶かしたエポキシ樹脂等をスクリーン印刷してオーバーコート樹脂18で大部分を被覆する。次に半田のリフローによりこの露出部分に外部電極16を同時に形成する。最後に、絶縁シート21には回路装置が多数マトリックス状に形成されているので、封止樹脂層17および絶縁シート21をダイシングしてそれらを個々の回路装置に分離する。上記の工程により、図1に示す回路装置の製造は行われる。
【0059】
本発明によれば、以下に示すような効果を奏することができる。
【0060】
第1に、多層配線を形成する層間絶縁層11を熱可塑性樹脂で形成することにより、使用状況下の温度上昇に起因した、熱硬化性樹脂から成る封止樹脂層17と回路素子13との熱膨張係数の差異により、高温時に内部応力が発生するのを防止することができる。
【0061】
第2に、熱可塑性樹脂からなる層間絶縁層11を液晶ポリマーで形成することにより、水分等が回路装置内に侵入するのを防止することができる。
【0062】
第3に、2層以上の層間絶縁層11を用いる場合に於いて、最上層の層間絶縁層11を熱可塑性樹脂で形成して、最下層の層間絶縁層11を熱硬化性樹脂で形成することにより、高温時の内部応力を抑制することができ、更に、装置全体の剛性を確保することができる。
【0063】
【発明の効果】
本発明に依れば、各導電配線層を絶縁する層間絶縁層を熱可塑性樹脂で形成することにより、高温時に於いて層間絶縁層が応力緩和・緩衝材として機能し、回路装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の回路装置を説明する断面図(A)、断面図(B)、断面図(C)である。
【図2】 本発明の回路装置を説明する平面図である。
【図3】 本発明の回路装置を説明する断面図である。
【図4】 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図5】 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図6】 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図7】 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図8】 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図9】 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図10】 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図(A)、平面図(B)である。
【図11】 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図12】 従来の半導体装置を説明する図である。
【図13】 従来の半導体装置を説明する図である。
【符号の説明】
10 回路装置
11 層間絶縁層
11A 第1の層間絶縁層
11B 第2の層間絶縁層
12A 第1の導電配線層
12B 第2の導電配線層
12C 第3の導電配線層
13 回路素子
14 多層接続手段
15 金属細線
16 外部電極
17 封止樹脂層
18 オーバーコート樹脂
Claims (9)
- 複数の層間絶縁層を介して多層に積層された導電配線層と、最上層の前記導電配線層と電気的に接続された回路素子と、前記回路素子を被覆する封止樹脂層と、前記導電配線層同士を所望の個所で前記層間絶縁層を貫通して接続する多層接続手段とを有し、
前記複数の層間絶縁層のうち、最上層の前記層間絶縁層は熱可塑性樹脂から成り、
前記最上層の層間絶縁層よりも下層の前記層間絶縁層は熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする回路装置。 - 前記熱可塑性樹脂は、液晶ポリマーであることを特徴とする請求項1記載の回路装置。
- 前記複数の層間絶縁層のうち、最下層の前記層間絶縁層は、熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする請求項1または請求項2記載の回路装置。
- 前記回路素子は半導体素子であることを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の回路装置。
- 前記回路素子は、フェイスダウンで実装される半導体素子であることを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の回路装置。
- 前記回路素子の発熱により、前記封止樹脂層および前記回路素子は異なる膨張量で膨張し、前記層間絶縁層が軟化することにより、内部に発生する熱応力を吸収することを特徴とする請求項1から請求項5の何れかに記載の回路装置。
- 前記封止樹脂層は、熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする請求項1から請求項6の何れかに記載の回路装置。
- 前記多層に積層された導電配線層のうち、最下層の前記導電配線層に外部電極を設けることを特徴とする請求項1から請求項7の何れかに記載の回路装置。
- 前記多層に積層された導電配線層のうち、最下層の前記導電配線層を被覆するオーバーコート樹脂を更に具備し、
前記オーバーコート樹脂は、熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする請求項1から請求項8の何れかに記載の回路装置。
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