JP4071281B2 - 光ファイバジャイロスコープの光源波長制御 - Google Patents

光ファイバジャイロスコープの光源波長制御 Download PDF

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Description

発明の背景
本発明は、サニャック効果に基づく高性能光学ジャイロスコープに関する。特に、本発明は、正確な波長制御を伴う光源を有する干渉計形の光ファイバジャイロスコープ(FOG)に関し、さらに特定すれば、ジャイロスコープのスケールファクタの精密制御のために要素許容差を緩和して波長を厳密に制御するような光源を有する干渉計形光ファイバジャイロスコープに関する。波長に直接に比例するジャイロのスケールファクタを計器が正確に動作することを期待される期間中に校正することは不可能であるので、光源の構成要素のドリフトや老化の影響があるにもかかわらず正確なスケールファクタが必要とされる。
発明の概要
光源波長の安定性はジャイロスコープのスケールファクタの安定性に直接に影響を及ぼす。干渉計形FOGで従来から使用されてきた広帯域半導体光源は、本来、精密を要する多くの用途について波長の安定性が欠けている。百万分率(ppm)程度の高度な波長安定性を実現する方法の1つは、等安定性基準を使用するものであるが、そのような基準や、ジャイロ光源へ伝達する方法は実用的な形態では利用できない。広帯域希土類添加ファイバ光源(FLS)の出現によって、興味深い新たな可能性が得られた。この場合(図1を参照)、半導体レーザーからのλPの光は、特殊ファイバに添加されている希土類イオンを光学的にポンピングするために使用される。希土類イオンは、そこで、励起状態が崩壊して、ジャイロ光源として使用される中心波長λを中心とする広い光のスペクトルを放射する。半導体光源が1ppmまでは安定しないとしても、FLSの出力波長λは単にポンプ波長λPの疎関数であり、ポンプ波長パラメータの制御が、本発明によって、より雑ではあるが、容易に利用できる基準により可能になる。その目的は、ジャイロスコープ光源の波長であるラムダ(λ)を厳密に制御し、且つスケールファクタの安定性を得ることである。λを直接に制御することに伴う問題は、λを直接に測定すること、並びにλを所望の波長正確度のより安定した基準まで安定させることを要求する。従って、光源の波長正確度を1ppmにするには、光源波長を測定し且つ制御するために1ppmの正確さをもつ波長基準が必要である。
本発明は、添加ファイバ又は添加材料光源の波長制御又は監視に関わる。ファイバ光源において、ファイバ光源の波長λを決める2つの構成要素の3つの主要パラメータは、ポンプ波長λPと、ポンプパワーPPと、添加ファイバの温度である。温度従属性は繰返し性を有し、校正可能である。光源波長のポンプ波長への従属性は小さい。すなわち、通常は1/30未満である。従って、図1に示すように、ポンプ波長を300ppmまで制御することにより、光源波長λで10ppmの安定性を実現できる。そのため、光源波長を直接に制御するために必要であると考えられるより雑な波長基準を使用できるであろう。このような方式によってコストは低減される。前述のように、光源波長を測定又は直接に制御して、波長基準において実用的な形態で1ppm未満を実現することは不可能である。しかし、そのような測定を実行するために実現可能な方法は、ポンプ波長を測定し、30ppm未満(これは可能である)に制御するというものである。さらに、ポンプ波長測定装置は、実際に実現可能な波長分割多重(WDM)溶融光ファイバカップラ又は使用可能なファイバに都合良く埋設された格子であっても良い。それら2つの装置は、光源波長を確定するときに重要な第3のパラメータであるポンプパワーを測定するために使用されると好都合であろう。この測定情報は、ポンプパワーを制御するためのサーボに供給される。
欧州特許出願第93306145.9号は、超蛍光光源(SFS)の波長安定化装置を開示している。この装置はポンプ光源の出力ではなく、SFSからの光出力のサンプルに応答する。
【図面の簡単な説明】
図1は、ポンプ波長及びパワー制御を介した光源波長制御の基本構造を示す。
図2は、波長検出ファイバカップラの使用により制御されるポンプ波長及びパワーによって決まる光源波長維持の図である。
図3は、格子が埋設された短いファイバの使用によりポンプ波長及びパワーを制御する装置の図である。
図4は、サーボフィードバック回路によりポンプ波長を格子の中心周波数に調整し且つロックすることができるように変調周波数で延伸された格子埋込みファイバの使用によりポンプ波長を制御する装置の図である。
実施形態の説明
平均光源波長λは(たとえば、エルビウム)添加ファイバ12の温度によって決まる。ファイバ光源14の利点は、その温度感度が低く且つポンプ16の波長(従って、ポンプ温度)に対する感度が低いことである。たとえば、エルビウム添加ファイバ(EDF)光源は、通常はEDF温度で7ppm/摂氏(C)度未満の変化を呈する温度係数を有する。Er:シリカのエネルギーレベルは主に(局所電界に起因する)シュタルク分割から得られるため、このような温度係数となる。従って、光ファイバ光源はそれ自体の半導体光源ポンプダイオード又は共通の超蛍光ダイオード(SLD)の400ppm/摂氏度の温度従属性に対して1〜2桁の改善を示す。残留する7ppm/度C未満のファイバ光源波長温度従属性は、ポンプ波長とポンプパワーが変化しないとすれば、ボルツマンが説明したエネルギーレベルの統計的出現にのみ依存するので、これは時間の経過に従った予測可能な関数である。詳細にいえば、上下のレーザー発光レベルをいくつかの状態のマニホルドにそれぞれ分割する。その結果として得られる特定の温度係数は、時間の経過に従った各マニホルドのエネルギーレベルの統計的占有を表わすボルツマン分布によって与えられることになる。
光源14は、例えば、エルビウム添加ファイバを有し、これにλPのポンプ光が入射し、非反射端部又は末端18に当たる。光源14は、反射を伴わずに戻りポンピングされる単一パスを利用する。光源14の他のポンピング構成には、反射端部18が順方向又は逆方向にポンピングされる2パス装置があるだろう。光源14は、非反射端部18を有し、順方向ポンピングされる単一パスであっても良いであろう。
典型的なポンプ16の波長は公称では980ナノメートル(nm)と1480nmである。光源14の波長は約1550nmであると考えられる。1480nmと980nmの双方のポンピングの場合のポンプ波長に対する光源14の波長の従属性は、厳密な休止平均ポンピング波長に伴って変化する。代表的な1480nmの場合、ファイバ光源14の定量的な利点は、ポンプ16のレーザー温度(TP)の0.1度Cの変化がポンプ16の波長の40ppm(0.06nm)の変化をもたらすが、光源14の波長を1.3ppm未満しか変化させないことである。同様に、厳密な構成に応じて、ポンプ電流の1.0ミリアンペア(mA)の変化はポンプパワーの0.1ミリワット(mW)の変化をもたらすが、光源波長の変化はわずかに0.3ppmから1ppmである。通常、ポンプレーザー温度(Tp)とポンプパワー(PP)を制御し、EDF温度を監視し且つ補正(すなわち、制御)するので、光源16の波長λを直接に測定せずに確定することができる。
エルビウムを利用する光源のような希土類添加広帯域光源の場合、エルビウム−ファイバ温度と、ポンプパワーと、ポンプ波長が一定であれば、波長の繰返し性は非常に高い。エルビウムなどの希土類イオンは、ポンプ平均波長(λP)及びパワー(PP)が一定であると仮定すれば、波長標準としてすぐれており、また、ポンプ平均波長とパワーの変化に対し低い感度を示すので、ポンプ平均波長及びパワーのおおまかな測定及び制御によって、それらのイオンは波長の高い安定性を達成する。エルビウム−ファイバの温度を適切に安定化し、波長制御基準が100ppmの安定性(ポンプ波長を安定させるため)であり且つ直接ポンプパワー制御は50マイクロワットの安定性を示すのであれば、0.3ppmの光源波長安定性が得られるであろう。ポンプダイオード16のパワー測定は標準PIN光検出器により容易に実行される。
ポンプ波長の波長従属性は、(所定のEDF組成について)λP,EDF温度及びEDF長さの公称値などの厳密な設計パラメータをどのように選択するかによって異なる。一般的な設計においては、0.3ppm未満のスケールファクタ変化をもたらすポンプ波長λPの安定性(0.015nm)を得るために、ポンプダイオード16の温度安定化を(様々な環境に対して)0.025度C以内にすることが必要である。出願人は、熱電冷却器(TEC)20を使用して、広範囲にわたる熱環境に対して半導体光源温度を0.02度C未満まで制御することを実証した。同様に、−55から+90度Cの温度範囲にわたり適切な加熱/冷却容量を有するTECを伴うポンプ光源も利用できる。尚、ポンプ波長の繰返し性に課される必要条件はその結果としてのFLCの繰返し性と比較して相対的に控え目なものであるが、最も苛酷な(<1ppm)用途においては、直接制御が必要になるであろう。たとえば、時間の経過に従ってポンプダイオード波長の変化を発生させる老化の影響が観測された場合には、ポンプ波長を直接に制御するために、ファイバブラック格子(fiber Bragg grating)などの波長制御装置を採用しなければならないであろう。
波長分割マルチプレクサ24は、光分割が波長を感知するようなカップラ又は他の種類の分割器を有する。カップラはポンプ16のλPの光が入射する入射ポート21と、ポンプ16のλPの光が射出し且つ光源14のλの光が入射する入射/射出ポート22とを有する。射出ポート23からは、光ファイバジャイロスコープ26に入射する光源14のλの光が射出する。ポンプ16の光はポート23からは射出できず、光源の光は波長分割マルチプレクサ24のポート21からは射出できない。
ポンプパワータップカップラ30は、波長基準28及びポンプパワー基準32のためにポンプ16のλPの光からパワーをタッピングする。波長基準28の出力信号はポンプ波長制御電子回路38へ送られ、ポンプ波長制御電子回路38は、ポンプレーザー光の波長λPの安定性を維持するためにポンプレーザーダイオード16の温度を制御する冷却器20へ信号を出力する。ポンプパワー基準32からの出力信号は電流制御電子回路39へ送られ、電流制御電子回路39は、ポンプ16のパワーPPの安定性を維持するためにポンプレーザーダイオード16への電流を制御する。
温度センサ40は光源14のエルビウム添加ファイバ12の温度を検出し、エルビウム添加ファイバ12による補正を実行するプロセッサ41に指示信号を供給する。
本発明は、ポンプ光源16の平均波長を測定するために、波長分割多重(WDM)溶融光ファイバカップラ34を図1の波長基準28として使用する(図2)。波長分割多重カップラ34の2つの射出ポート35及び36から射出した光パワーは、挿入の時点でスペクトル情報を取り出すために使用される。差分誤差信号を検出し且つヌル化(nulling)することにより2つのパワーI1及びI2を均衡状態に保持することで、挿入の時点でのポンプ16の平均波長λPの制御が実行される。この方式の利点は、単一のガラス構造を形成するために安定溶融シリカ材料とファイバを一体に融合して使用することによって得られる。この構造は熱ヒステリシスを非常に低く抑えて、広い温度範囲にわたって5ppm/度C未満の熱係数と、10〜12ppmの繰返し性を示す。従って、FLSがポンプ波長に影響されないことと関連して、この装置はポンプ光源を10ppmに制御して、光波14の波長のドリフトを0.35ppmにするために必要とされる正確さと安定性を与える。
ジャイロ光源14の平均波長にポンプパワーが吸収された影響によるポンプ16のミリワット(mW)単位のパワーPPは、厳密なFLS14の構成とポンプ16の波長に従って、0.3から12ppm/0.1mWの範囲に入っているべきである。WDM34の波長制御装置によりポンプパワーPPを監視しても好都合であろう。WDMカップラの2つの射出ポート35及び36のパワー差の変化は波長λPの変化を表わすが、光パワー出力の和の変化はポンプパワーPPの変化を表わす。WDM34の2つの射出ポート35及び36に2つの整合する光検出器43及び44をそれぞれ配置すると共に、それらの信号を加算増幅器45での和と、差動増幅器46での差とに組合わせることにより、図2に示すように、ポンプパワーPPとポンプ波長λPの変化を(それぞれ)観測し、制御できる。ポンプ波長λPの場合、出力差を表わす信号47を使用して、ポンプ波長サーボ電子回路38及び冷却器(TEC)20を介してポンプ光源16の温度、従って、その波長を調整することができる。ポンプ16のパワーの場合には、ポート35及び36におけるWDM出力I1及びI2の和の変化を表わす信号48を使用して、平均ポンプ電流、従って、そのパワーPPを制御できる。
先に説明したWDMカップラ装置34を原理上は実際の光源14の波長λを直接に測定し且つ制御するためにも使用できるであろうということに注意しなければならない。しかし、ジャイロのスケールファクタの同等の安定性を実現するためには、装置を0.35ppmの安定性に改善しなければならないであろう。この代替方法は、本発明において説明したポンプ波長を制御する方式より困難である。
ポンプ波長及びポンプパワーを測定し、制御するための代替装置も存在し、それらの装置は先に説明したWDMカップラ34の装置と比べて利点を有する。たとえば、ポンプ16からの光はポンプパワータップカップラ30及びパワー分割ファイバカップラ50を介して、図3に示すように格子52が埋設された短いファイバ51へ導かれる。そこで、格子52はポンプ光源16のスペクトルの中のいくつかの波長を透過又は反射する。格子52から(パワー分割器を介して)反射されて来る光(Ir)と、格子を透過した光54(IT)とを測定することにより、ポンプ16の波長λPとポンプパワーPPを測定できる。光53は光検出器55により、光Ir53を表わす電気信号56に変換される。光54は光検出器57により、光IT54を表わす電気信号58に変換される。信号56及び58は加算増幅器59により加算され、その結果、光Ir53と光IT54の和を表わす和信号60が得られる。信号60はポンプ電流制御電子回路39に供給され、ポンプ電流制御電子回路39は、ポンプ16のパワーPPを適切に維持するために制御電流をポンプダイオード16へ送る。ポンプ16の波長λPを維持するために、信号56,58及び60はポンプ波長制御電子回路38へ送信される。和Ir+IT(それぞれ、53及び54)の変化はポンプパワーPPの変化を表わし、し、一方、正規化された差
Figure 0004071281
の変化又は
Figure 0004071281
の変化(厳密な設計によって決まる)はポンプ波長λPの変化を示す。
特に興味深い構造の1つを図4に示すが、この場合、ポンプ16の波長のわずかな変移を検出するために、格子52を埋設したファイバ51は(圧電変換器61を介して)周波数fmで延伸されている。格子52の波長が公称でポンプ16の公称平均波長にあると設定されていれば、サーボによってポンプ16の波長λPを格子52の中心周波数に調整し、ロックする。この場合、格子52(ポンプ光源16の波長スペクトル幅より狭い波長共振幅を有する)の反射率は最大である。ファイバ51の長さを変調源67により周波数fmによって、従って、格子52の間隔によって変調することにより、PD162の前置増幅器63の出力64が変調される。前置増幅器信号64の変調源67からの周波数fmに従った復調の後、サーボはポンプ16の波長λPを、復調器65の入力端子に信号64(周波数fm)がほぼ存在しないようなポンプ波長に安定させる。すなわち、(応答関数とポンプ波長スペクトルが妥当な対称性を有するものと仮定すれば)有効に格子52の共振の中心に安定させることになる。
ファイバ52からの出力光は光検出器66へ送られて、電気信号68に変換され、この信号は加算増幅器69により信号64と加算されて信号70となり、信号70はポンプ16のパワーPPをポンプダイオード16に対する電流を介して維持するために光源電流制御電子回路39へ送られる。
尚、有効光波長に作用する他の影響もジャイロ26全体の設計に際して考慮しなければならない。たとえば、ジャイロスコープのスケールファクタを確定する厳密な波長は、光検出器71で観測される平均波長である。ジャイロスコープの光学素子の波長従属伝送特性は熱従属性をもつこともある。そのような誤差は、特定の温度範囲にわたるスケールファクタ補正アルゴリズムにより自動的に修正できる。
もう1つの問題は、時間の経過に伴ってポンプ波長λP又はポンプパワーPPが変化することにより起こる光源14の老化に起因する波長の変移する。それらのパラメータは直接に制御可能である。老化の影響が重大である場合、所望の必要条件に適合するようにポンプ16のパラメータを制御することにより、能動波長安定化を導入することができる。言うまでもなく、これはポンプ光源16より選択した波長基準装置において老化の影響が小さいことを仮定している。しかしながら、原理上、時間の経過に従って能動半導体素子よりも、受動波長基準のほうが安定しているべきである。この第2のトレードオフが本発明のもう1つの利点である。

Claims (2)

  1. 波長λを有する添加ファイバ光源(14)と;
    波長λPのポンプ光を発生するポンプ光源(16)と;
    前記ポンプ光源(16)の温度を制御するために該ポンプ光源に近接して配置された、入力端子を有する温度制御装置(20)と;
    前記ポンプ光源に接続する第1のポートと、第2のポートと、第3のポートとを有するカップラ(30)と;
    前記ポンプ光源(16)により発生されたポンプ光の第1のポンプ光を受けるために前記カップラ(30)の第2のポートに接続する第1のポートと、前記添加ファイバ光源(14)に接続する第2のポートと、第3のポートとを有する波長分割マルチプレクサ(24)と;
    前記ポンプ光源(16)により発生されたポンプ光の第2のポンプ光を受けるために前記カップラ(30)の第3のポートに接続する入力端子と、出力端子とを有する波長基準(28)と;
    前記ポンプ光源(16)により発生されたポンプ光の第2のポンプ光を受けるために前記カップラ(30)の第3のポートに接続する入力端子と、出力端子とを有するポンプパワー基準(32)と;
    前記ポンプパワー基準(32)の出力端子に接続する入力端子と、前記ポンプ光源(16)に接続する出力端子とを有する電流制御電子回路(39)とを具備する光源波長制御装置において、
    前記ポンプ光の前記波長λPのフィードバックに基づいて前記ポンプ光源(16)を制御するポンプ波長制御電子回路(38)を具備し、そのポンプ波長制御電子回路は前記波長基準(28)の出力端子に接続する入力端子と、前記温度制御装置(20)の入力端子に接続する出力端子とを有し、さらに、
    前記ポンプパワー基準(32)が、
    前記第2のポンプ光から第3、第4のポンプ光を生成するため、前記カップラ(30)に接続する分割手段(51)と、
    前記第3のポンプ光の第1の部分を戻り反射させるとともに第2の部分を通過させる格子(52)と、
    前記第3のポンプ光の第2の部分を第1の信号に変換する第1の光検出器(57)および、
    前記第1の光検出器(57)に接続する第1の入力端子と、第2の信号を受ける第2の入力端子、および前記電流制御電子回路(39)に接続する出力端子とを有し、かつ、前記第1、第2の信号の和を生成する加算増幅器とを有し、
    前記波長基準(28)が、
    前記第3のポンプ光の第1の部分を前記第2の信号に変換して、この第2の信号を前記加算増幅器の第2の入力端子と、前記ポンプ波長制御電子回路(38)とに供給する第2の光検出器(55)を有し、
    前記ポンプ波長制御電子回路(38)が前記第1、第2の信号およびそれらの和に基づき前記温度制御装置(20)を駆動する
    ことを特徴とする光源波長制御装置
  2. 前記第3のポンプ光の第1の部分は所定の波長を有し、前記添加ファイバー光源(14)は希土類物質を添加されたファイバと、添加ファイバー(12)に近接して設けられた温度センサ(40)とを有し、
    さらに、
    前記温度センサ(40)と通信して、前記添加ファイバ(12)の温度を補正するプロセッサ(41)と、
    前記格子に接続し、前記第3のポンプ光の第1の部分を変調する変調源(67)とを備えた
    ことを特徴とする請求項記載の光源波長制御装置。
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