JP4050318B2 - デバイスなどの物体をエピタキシャル成長させる装置用のサセプタ - Google Patents

Description

本発明および従来技術の技術的分野
本発明は、ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３Ｂ族チッ化物およびｃ）ＳｉＣと第３Ｂ族チッ化物の複合体のうちの１つの物体を、サセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）に受け入れられる基板上にエピタキシャル成長させる装置のためのサセプタであって、前記基板を受け入れるようになされており、成長のためのソース材料（ｓｏｕｒｃｅｍａｔｅｒｉａｌ）が給送されるチャネルを有しており、前記チャネルを包囲するサセプタの壁部がサセプタを包囲するようになされた加熱手段が発生する誘導によって加熱できる材料製であるサセプタ、および添付の独立装置請求の範囲の前文による、このような物体をエピタキシャル成長させる装置に関する。
したがって、本発明はＳｉＣ、第３Ｂ族チッ化物およびすべてのタイプのこれらの合金の成長に適用できるものであり、高品質のこのような結晶を成長させるのに共通した問題を、非限定的な例によって、ＳｉＣに関してさらに説明する。
ＳｉＣ結晶の良好な配列の成長を行うには高い温度が必要であり、さまざまな成長技法が考えられ、本発明の範囲内のものであるが、化学蒸着（ＣＶＤ）が特に電力デバイスの用途でＳｉＣのエピタキシャル層を成長させるためにもっとも使用されているものであるから、本発明によって解決される問題を明らかとするため、この技法を以下で検討する。化学蒸着の場合に、成長用の前記のソース材料はプレカーサ（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）・ガス、すなわちシランおよびプロパンの形態で存在しており、１４００℃を超える温度まで加熱することが、これらのＳｉおよびＣ含有プレカーサ・ガスのクラッキングによる分解を行い、原子を規則正しい態様で基板表面に堆積させることの両方に必要である。高温がさまざまなタイプの材料から不純物が発生するという問題も引き起こし、したがって、望まない不純物がＳｉＣ結晶成長層に入り込むのを防止するためには、高温に耐える適切な材料を選択することが重要である。これを防止するため、通常黒鉛製であるサセプタ壁をＳｉＣ層で被覆するのが一般的なやり方である。さらに、冒頭で述べたタイプのサセプタはいわゆるホットウォール（ｈｏｔ−ｗａｌｌ）・タイプのサセプタであり、基板を受け入れるチャネルを包囲する壁部が加熱され、ほぼ一様な温度がサセプタで達成されるが、温度勾配は低いものにすぎず、これは基板上の成長させられる結晶の品質には望ましいものである。そのようなサセプタのチャネルを包囲している異なる壁部の間の１５−２０Ｋ程度の温度差は、温度の一様性に関して成長する物体の結晶品質の大幅な差をもたらす。このタイプのサセプタは気相において、いわゆるコールドウォール・サセプタの温度よりも高い温度を生じ、これによりクラッキング効率およびすべての化学反応が高いものとなる。しかしながら、これは形状、および気体を加熱した場合の気体の膨張のためプレカーサ・ガスの枯渇という問題を引き起こし、また速度がきわめて速くなり、これは成長した層の一様性を向上させる。また本出願人のスウェーデン特許願第９５００３２６−５号により、ＳｉＣのプレートをサセプタと基板の間でサセプタに配置して、基板の下のＳｉＣコーティングがエッチングされたり、昇華したりし、また若干温度の低い基板の裏面に堆積して、サセプタの寿命を制限する問題を解決することが知られている。
このスウェーデン特許願に記載されているホットウォール・タイプのサセプタは、結晶品質が極めて高いＳｉＣのエピタキシャル層が厚い厚さまで成長し、不純物の混入が少なく、キャリアの寿命が長くなるようにする。しかしながら、このタイプの従来技術のサセプタにもある種の問題が付随している。これらの問題の１つは厚い壁によって包囲されたチャネルを有するホットウォール・サセプタを生産するのが困難なことであり、その生産はフライス削り操作により素材から材料を除去することによって行われるが、これは特に長いサセプタ・チューブの場合には実施が困難であり、また放電加工によって行われるが、これは前記のチャネルを作成するほとんどの場合にそうである、前記素材が黒鉛である場合には、使用するのが難しいものである。さらに、サセプタの他の部分よりも薄い部分はこれらの他の部分よりも若干熱くなるので、いわゆる「ホット・スポット」が生じ、サセプタの他の部分よりも深刻なエッチングが発生し、その結果その部分のＳｉＣコーティングがサセプタをある時間、たとえば約３００時間動作させた後除去されるが、これは成長層が露出した黒鉛またはサセプタの壁部に使用されるその他の材料の近くにある場合、この層に障害を引き起こすことがあり、この制限により、サセプタの寿命がこれが発生した部分のものに制限される。
発明の概要
本発明の目的は従来技術のホットウォール・タイプのサセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）について上述した問題を解決することのできる、冒頭で規定したタイプのサセプタおよび装置を提供することである。
この目的は本発明によれば、少なくとも２つの別々のサセプタ壁部分の、上記で規定したサセプタを作成し、これにサセプタの前記壁部分を互いに固定して、サセプタを形成する固定手段を設けることによって達成される。サセプタ少なくとも２つの別々の部分に分割することにより、サセプタの加工がはるかに簡単なものとなるが、これはこのような部分を、たとえばねじ止めによって各々別々に作成するのが、従来技術の機械加工よりもはるかに容易だからであり、これらのサセプタを大量に作成する場合は特に、製造コストが大幅に下がる。サセプタをいくつかの部分に分割することの他の効果は、２つのこのような部分の間の界面の両端における電気抵抗が、サセプタの壁の他の部分よりも高くなり、したがって前記の加熱手段が誘導する電流が従来技術のホットウォール・サセプタに形成される、ホットウォール・サセプタの周辺にほぼしたがっている大きいループを形成できなくなるが、これらのループはサセプタの１つの同一の壁部分に残る傾向があり、したがってサセプタ壁の薄い部分が従来技術の構造におけるほど熱くなくなり、いわゆるホットスポットによるエッチングが防止され、したがってサセプタの寿命が延びる。本発明によるサセプタのこれら２つの利点は、このタイプのサセプタに成長する物体を作成するコストを大幅に低下させる。
本発明の好ましい実施の形態によれば、サセプタは前記チャネルを包囲している少なくとも４つの独立したサセプタ壁部分、すなわち２つの横方向壁部分、頂部壁部分および底部壁部分で構成される。このように構成されたサセプタがきわめて容易に、したがって低コストで製造でき、それぞれの部分の熱断面を効率的に管理でき、したがって、ほぼ一様な温度をサセプタのほぼ全体に得ることができ、その表面のエッチングが減少し、これによりサセプタの寿命が延び、しかもこのサセプタに成長する物体の結晶品質が改善される。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、前記固定手段はねじを含んでいる。このようなサセプタはサセプタの個々の壁部分を独立して加工し、その後、これらをねじ止めすることによってきわめて容易に製造される。固定手段はサセプタの壁と同じ材料で作成するのが好ましく、したがって、黒鉛のサセプタ壁およびねじの形態の固定手段の場合には、黒鉛のねじが固定手段として使用される。このことは、成長する層に組み込まれる新しいタイプの不純物を解放するか、あるいは固定手段が構成される箇所のサセプタの壁領域の温度の一様性を劣化させることによって成長に悪影響を与える他の材料がサセプタに導入されるのを防止する。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、前記の固定手段の各々はサセプタの横方向壁、ならびにこれらの壁を互いに固定するためのサセプタのチャネルの底部および頂部のそれぞれを形成する間隔を貫通して延びている。このような構造はサセプタの組立てをきわめて容易なものとし、固定手段を最小限のものとする。「固定手段」とは本件においては、きわめて広いものと解釈されるものであり、たとえば、ねじが底部壁から横方向壁を貫通し、ナットまたはねじ山付き凹窩が配置されている頂部壁へ延びている場合、および底部壁および頂部壁の一方から横方向壁へ延びているねじとスリーブとが前記壁の他方から前記横方向壁へ延びていて、これらを互いに固定する場合などを含むものである。したがって、「固定手段」という定義は剛性の接続を確立するこのような部材の組合せを含むものである。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、サセプタは前記チャネルのａ）底部壁およびｂ）頂部壁の一方を形成し、サセプタの横方向壁から分離されている少なくとも１つの壁部分と、ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３Ｂ族チッ化物およびｃ）ＳｉＣと第３Ｂ族チッ化物の複合体の１つで作製され、前記少なくとも１つの壁部分上に、これを覆うように配置され、前記横方向壁と前記の少なくとも１つの壁部分の間に挿入されるプレートとを有している。ＳｉＣプレートをいわゆるホットウォール・サセプタに貼付するこの技法により、従来技術のサセプタにおけるＳｉＣコーティングと、ＳｉＣプレートのエッジに近いサセプタの壁の深刻なエッチングの問題が、ＳｉＣプレートのこのようなエッジがサセプタのチャネル内にもはや配置されていないことによって、完全に排除される。もちろん、このことはこのようなサセプタの寿命をさらに向上させる。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３Ｂ族チッ化物およびｃ）ＳｉＣと第３Ｂ族チッ化物の複合体の１つで作製された第１のプレートが、前記底部壁部上に、これを覆うように配置され、かつ前記２つの横方向壁部の間に挿入され、またａ）ＳｉＣ、ｂ）第３Ｂ族チッ化物およびｃ）ＳｉＣと第３Ｂ族チッ化物の複合体の１つで作製された第２のプレートが前記壁部分のすぐ下に、これを覆うように配置され、かつ前記横方向壁部と前記頂部壁部の間に挿入される。このようなサセプタにおいては、サセプタの頂部および底部の両方が深刻なエッチングに対して効率よく保護されるため、サセプタの寿命がさらに長くなる。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、サセプタには、少なくとも１つの前記物体を成長させるための少なくとも１つの基板を受け入れるようになされた少なくとも２つのチャネルが設けられ、各チャネルは２つの横方向壁部分、頂部壁部分および底部壁部分によって画定されており、２つの隣接するチャネルを分離している壁部分は一方のチャネルの底部壁部分を、また他方のチャネルの頂部壁部分を形成する。このようなサセプタには上述した簡単な製造手順および長い寿命という利点があり、さらに、同一の成長過程で少なくとも２つの結晶を生産でき、その生産コストが大幅に低くなるという利点がある。
最後に述べた実施の形態をさらに発展させた、本発明のさらに他の実施の形態によれば、前記の第１および第２のプレートが前記底部壁部分上と、前記頂部壁部分のすぐ下とにおかれ、２つの横方向壁部分と、サセプタの各チャネルのそれぞれの頂部および底部壁部分との間に挿入される。これは１つのチャネルを備えたサセプタ、ならびに少なくとも２つのチャネルを備えたサセプタに配置されたこのようなプレートにおける上述の利点につながる。
本発明による装置の利点は、本発明のサセプタの好ましい実施の形態についての上記の検討から容易に導くことができよう。
本発明によるサセプタおよび装置の他の好ましい特徴および利点は、以下の説明およびその他の従属請求の範囲から明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
添付図面を参照して、例として示す本発明の好ましい実施の形態のそれぞれを説明する。図面において、
第１図は従来技術によるサセプタの長手方向断面図であり、
第２図は第１図によるサセプタの左端面図であり、
第３図は第１図によるサセプタの右端面図であり、
第４図は本発明の第１の好ましい実施の形態によるサセプタの長手方向断面図であり、
第５図は第４図によるサセプタの右端面図であり、
第６図は第４図によるサセプタの左端面図であり、
第７図は本発明の第２の好ましい実施の形態によるサセプタの長手方向断面図であり、
第８図は第７図によるサセプタの左端面図であり、
第９図は第７図によるサセプタの右端面図である。
従来技術のサセプタおよび装置の説明
第１図〜第３図は本出願人のスウェーデン特許願第９５００３２６−５号に記載されている従来技術によるサセプタを示し、本発明をよりよく理解するために、従来技術のサセプタを簡単に検討する。このサセプタはいわゆるホットウォール・サセプタである。すなわち、チャネル１を包囲するサセプタ壁が、チャネル内に受け入れられた基板２、ならびに化学蒸着により基板上にＳｉＣ結晶をエピタキシャル成長させるためサセプタの大きい開口３に導入されるプレカーサ・ガスを加熱するために加熱される。「壁」は横方向壁、ならびにチャネルを包囲している底部および頂部壁部分を含んでいる。サセプタは黒鉛製であり、薄いＳｉＣコーティング４によって被覆されている。高結晶品質のＳｉＣプレート５を基板２と、サセプタの壁６の底部との間のチャネル１の底面に貼付して、前記スウェーデン特許出願に記載されている基板２の下のＳｉＣコーティング４の昇華およびエッチングの問題を解決する。チャネル１は入口開口３から出口開口７へ向かってテーパして、前記成長のために開口３を通して導入される、通常はシランおよびプロパンであるプレカーサ・ガスの枯渇を、チャネルの若干深いところでこれらのガスの速度を高めることによって打ち消すが、これは基板上への堆積のために浸透される滞留ガス層が薄くなり、成長速度が増加することを意味する。
このタイプのサセプタは主として高電力半導体デバイスに使用される２０−５０μｍの厚さのフィルムを成長させるのに使用される。ガス混合物がサセプタのチャネル１から導入されるが、このガス混合物はＨ₂キャリア・ガスと、プロパンおよびシランの形態が好ましいＣおよびＳｉ含有プレカーサ・ガスを含有している。図示しない加熱手段がサセプタ壁６を加熱して、基板が１５００−１７００℃、好ましくは約１５５０℃の温度を取得し、チャネルへ導入されるガス混合物がサセプタからの熱の散逸によって加熱され、これはＳｉＣ基板２の表面に堆積されるシリコンおよび炭素原子の形成のためのプレカーサ・ガスのクラッキングを引き起こす。図面には、サセプタが成長が行われるケーシングへの導入および除去中のサセプタの取り扱いを容易とするための凹窩８を有していることが示されている。典型的な寸法がチャネルについては長さが１００ｍｍ、幅が５０ｍｍ、基板については長さおよび幅が約３０ｍｍ、厚さが０．３ｍｍ、ＳｉＣプレートについては厚さが約１ｍｍであることも示されている。これらの典型的な寸法は以下で説明する本発明の好ましい実施の形態によるサセプタについても有効である。
このサセプタはしかしながら、いくつかの欠点を有している。その１つはその生産が黒鉛素材の難しく、時間のかかる機械加工を必要とすることであり、これは製造コストを高くする。他の欠点は、上述したように、ＳｉＣプレート５のエッジ近傍の領域９におけるサセプタのＳｉＣコーティングおよび黒鉛の深刻なエッチングが生じることである。サセプタの横方向壁１０がサセプタの他の壁よりも薄く、それ故これらの他の壁よりも若干熱いため、エッチングはこれらの箇所でさらに深刻なものとなる。
本発明の好ましい実施の形態の詳細な説明
第４図〜第６図は本発明の好ましい実施の形態によるサセプタを略示したものである。このサセプタもいわゆるホットウォール・サセプタであり、これは黒鉛であるのが好ましく、また薄いＳｉＣコーティングで覆われている４つの別々の壁部分、すなわち２つの横方向壁部分１１、１２、頂部壁部分１３、および底部壁部分１４によって形成されており、これらの壁部分はこれも黒鉛であるのが好ましく、頂部壁部分１３からそれぞれの横方向壁部分１１または１２を貫通して底部壁部分１４へ延びているねじ１５によって互いに固定されている。ＳｉＣ製の第１のプレート１６は底部壁部分１４上におかれて、これを覆い、また２つの横方向壁部分１１、１２と底部壁部分１４の間に挿入され、ＳｉＣ製の第２のプレート１７は頂部壁部分のすぐ下におかれて、これを覆い、また２つの横方向壁部分１１、１２と前記頂部壁部分１３の間に挿入される。プレート１６、１７はサセプタ全体を貫通して延びていて、それぞれの壁部分１１−１４を互いに分離している。それぞれの壁部分の生産が比較的単純であり、ＳｉＣプレートを挟持して、壁部分を互いにねじ止めするのが簡単であるため、サセプタは生産が容易であることが明らかである。
第５図の破線１８により、加熱手段がどのようにサセプタを包囲して、誘導電流を発生しているかが示されている。前記加熱手段１８は高周波電界放射コイルが好ましい。加熱手段が発生する誘導電流のループは正常な場合にサセプタの周辺にほぼ追随する傾向を有しているが、本発明においては、壁が分割される部分で電気抵抗が高くなり、したがって、前記の加熱手段によって誘導される電流ループが加熱される各壁部分内に維持されることになる。これはいわゆるホット・スポットによる深刻なエッチングがないこと、およびＳｉＣプレートがサセプタ・チャネル１の底部と天井の全体を覆うことを意味し、またこれらのプレートが頂部および底部壁部分と横方向壁部分との間に挿入されることは、ＳｉＣプレートのエッジがサセプタ・チャネルの外側で隠されて、これの近傍での深刻なエッチングの問題が排除されることを意味する。それ故、サセプタの寿命が周知のサセプタに比較して長くなる。
第７図〜第９図は、ねじ１５によってねじ止めされた７つの別々の壁部分によって形成される、本発明の第２の実施の形態によるサセプタを略示する。この実施の形態にも上述の実施の形態と同じタイプのＳｉＣプレート１６、１７が設けられている。このようにして作成されたサセプタはチャネル１９の底部とチャネル２０の頂部を形成する中央壁部分２１によって分離された２つのチャネル１９、２０を有している。このサセプタは本発明の第１の好ましい実施の形態によるサセプタと同じ主な特性および利点、ならびに一回の同一の成長過程で少なくとも２つの結晶を作成できるという付加的な利点を有している。
本発明はもちろんいかなる態様においても、上述のサセプタの好ましい実施の形態および装置に限定されるものではなく、これを改変するいくつかの可能性が、本発明の基本的な考えから逸脱することなく、当分野の技術者には明らかとなろう。
すでに述べたように、本発明は第３Ｂ族チッ化物、このような第３Ｂ族チッ化物の合金、またはＳｉＣと１つまたは複数のこのような第３Ｂ族チッ化物との合金にも適用でき、またサセプタおよびこのような物体を成長させる場合の装置の対応する単純化、ならびにサセプタの寿命の延長につながるものである。
基板はＳｉＣ以外の、第３Ｂ族チッ化物などの材料であってもよい。
サセプタがほぼ水平に配向されていると図面に示し、かつ説明したが、サセプタには室内でその他の所望の配向を与えることができる。
請求の範囲における「物体」という定義は、厚いブールなどの異なる厚さの層などのすべてのタイプの結晶のエピタキシャル成長を含むものとして行われている。
材料に関するすべての定義はもちろん、不可避の不純物ならびに意図的なドーピングも含むものである。
固定手段はもちろん、ねじおよび対応するねじ山付きのボアまたはナット以外のものであってもよい。
さらに、サセプタは黒鉛である必要はなく、たとえば、タンタルもこの材料として考えることができる。好ましくは、ねじまたはその他の固定手段をサセプタ壁と同じ材料として、新しいタイプの不純物の導入を回避し、壁の加熱およびその一様な温度の取得を容易とする。

Claims (16)

1. ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３Ｂ族チッ化物およびｃ）ＳｉＣと第３Ｂ族チッ化物の複合体のうちの１つの物体を、サセプタに受け入れられる基板上にエピタキシャル成長させる装置のためのサセプタであって、前記基板を受け入れるようになされており、成長のためのソース材料が給送されるチャネル（１、１９、２０）を有しており、前記チャネルを包囲するサセプタの壁部（１１〜１４、２１）が、サセプタを包囲するようになされた加熱手段（１８）が発生する誘導によって加熱できる材料製であるサセプタにおいて、
   サセプタが少なくとも２つの別々のサセプタ壁部分（１１〜１４、２１）で構成されており、
   サセプタの前記壁部分を互いに固定して、サセプタを形成する固定手段（１５）を含んでいることを特徴とするサセプタ。
2. サセプタが前記チャネル（１、１９、２０）を包囲する少なくとも４つの別々のサセプタ壁部分（１１〜１４、２１）、すなわち２つの横方向壁部分（１１、１２）、頂部壁部分（１３）および底部壁部分（１４）で構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のサセプタ。
3. 前記固定手段（１５）がねじを含んでいることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のサセプタ。
4. 前記固定手段（１５）がサセプタの壁（１１〜１４、２１）と同じ材料でできていることを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のサセプタ。
5. 前記固定手段（１５）の各々がサセプタの横方向壁（１１、１２）を貫通し、サセプタ・チャネル（１、１９、２０）の底部および頂部のそれぞれを形成する壁中へ延びて、これらの壁を互いに固定していることを特徴とする、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のサセプタ。
6. 前記サセプタ壁部分（１１〜１４、２１）が黒鉛製であることを特徴とする、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のサセプタ。
7. サセプタ壁部分（１１〜１４、２１）が保護ＳｉＣ層（４）によって覆われていることを特徴とする、請求項６に記載のサセプタ。
8. サセプタが前記チャネル（１、１９、２０）のａ）底部壁およびｂ）頂部壁の一方を形成し、サセプタの横方向壁（１１、１２）から分離されている少なくとも１つの壁部分を有しており、ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３Ｂ族チッ化物およびｃ）ＳｉＣと第３Ｂ族チッ化物の複合体のうちの１つで作製されたプレート（１６、１７）が前記の少なくとも１つの壁部分（１３、１４）上に、これを覆うようにおかれ、前記横方向壁と前記少なくとも１つの壁部分の間に挿入されていることを特徴とする、請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載のサセプタ。
9. サセプタが前記チャネル（１、１９、２０）を包囲する少なくとも４つの別々のサセプタ壁部分（１１〜１４、２１）、すなわち２つの横方向壁部分（１１、１２）、頂部壁部分（１３）および底部壁部分（１４）で構成されていること、および、
   ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３Ｂ族チッ化物およびｃ）ＳｉＣと第３Ｂ族チッ化物の複合体のうちの１つで作製された第１のプレート（１６）が前記底部壁部分（１４）上に、これを覆うようにおかれ、前記２つの横方向壁部分（１１、１２）と前記底部壁部分の間に挿入され、ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３Ｂ族チッ化物およびｃ）ＳｉＣと第３Ｂ族チッ化物の複合体のうちの１つで作製された第２のプレート（１７）が頂部壁部分（１３）のすぐ下に、これを覆うようにおかれ、前記２つの横方向壁部分と前記頂部壁部分の間に挿入されることを特徴とする、請求項１、または請求項３から請求項８までのいずれか一項に記載のサセプタ。
10. サセプタが前記チャネル（１、１９、２０）を包囲する少なくとも４つの別々のサセプタ壁部分（１１〜１４、２１）、すなわち２つの横方向壁部分（１１、１２）、頂部壁部分（１３）および底部壁部分（１４）で構成されていること、および、
    それぞれ少なくとも１つの前記物体を成長させるための少なくとも１つの基板を受け入れるようになされた少なくとも２つのチャネル（１９、２０）が設けられ、各チャネルは２つの横方向壁部分、頂部壁部分および底部壁部分によって画定されており、２つの隣接するチャネルを分離している壁部分（２１）は一方のチャネル（１９）の底部壁部分を、また他方のチャネル（２０）の頂部壁部分を形成していることを特徴とする、請求項１、または請求項３から請求項９までのいずれか一項に記載のサセプタ。
11. それぞれ少なくとも１つの前記物体を成長させるための少なくとも１つの基板を受け入れるようになされた少なくとも２つのチャネル（１９、２０）が設けられ、各チャネルは２つの横方向壁部分、頂部壁部分および底部壁部分によって画定されており、２つの隣接するチャネルを分離している壁部分（２１）は一方のチャネル（１９）の底部壁部分を、また他方のチャネル（２０）の頂部壁部分を形成していること、および、
    前記の第１および第２のプレート（１６、１７）が前記底部壁部分上と、前記頂部壁のすぐ下とにおかれ、２つの横方向壁部分と、サセプタの各チャネル（１９、２０）のそれぞれの頂部および底部壁部分との間に挿入されていることを特徴とする、請求項９に記載のサセプタ。
12. 前記プレート（１６、１７）がＳｉＣ製であることを特徴とする、請求項８または請求項９に記載のサセプタ。
13. 前記チャネル（１、１９、２０）がＳｉＣの物体がエピタキシャル成長させられる基板を受け入れるようになされていることを特徴とする、請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載のサセプタ。
14. 前記サセプタ壁部分（１１〜１４）が黒鉛でできていることを特徴とする、請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載のサセプタ。
15. ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３Ｂ族チッ化物およびｃ）ＳｉＣと第３Ｂ族チッ化物複合体のうちの１つの物体を基板上にエピタキシャル成長させる装置であって、前記基板を受け入れるよりになされたサセプタを含んでおり、前記サセプタが該基板を受け入れるようになされ、かつ成長のためのソース材料が給送されるチャネル（１、１９、２０）を有しており、前記チャネルを包囲するサセプタを、またこれにより基板と成長のためにチャネルを通して給送される前記ソース材料を加熱する手段（１８）を含んでいる装置において、
    サセプタが前記チャネルを包囲している少なくとも２つの別々のサセプタ壁部分（１１〜１４、２１）で構成されており、
    サセプタが前記サセプタ壁部分を互いに固定する固定手段（１５）を含んでいることを特徴とする装置。
16. 前記サセプタが請求項２から請求項１４までのいずれか一項に記載のサセプタであることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。

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