JP4050318B2 - デバイスなどの物体をエピタキシャル成長させる装置用のサセプタ - Google Patents
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Description
本発明は、a)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)SiCと第3B族チッ化物の複合体のうちの1つの物体を、サセプタ(susceptor)に受け入れられる基板上にエピタキシャル成長させる装置のためのサセプタであって、前記基板を受け入れるようになされており、成長のためのソース材料(sourcematerial)が給送されるチャネルを有しており、前記チャネルを包囲するサセプタの壁部がサセプタを包囲するようになされた加熱手段が発生する誘導によって加熱できる材料製であるサセプタ、および添付の独立装置請求の範囲の前文による、このような物体をエピタキシャル成長させる装置に関する。
したがって、本発明はSiC、第3B族チッ化物およびすべてのタイプのこれらの合金の成長に適用できるものであり、高品質のこのような結晶を成長させるのに共通した問題を、非限定的な例によって、SiCに関してさらに説明する。
SiC結晶の良好な配列の成長を行うには高い温度が必要であり、さまざまな成長技法が考えられ、本発明の範囲内のものであるが、化学蒸着(CVD)が特に電力デバイスの用途でSiCのエピタキシャル層を成長させるためにもっとも使用されているものであるから、本発明によって解決される問題を明らかとするため、この技法を以下で検討する。化学蒸着の場合に、成長用の前記のソース材料はプレカーサ(precursor)・ガス、すなわちシランおよびプロパンの形態で存在しており、1400℃を超える温度まで加熱することが、これらのSiおよびC含有プレカーサ・ガスのクラッキングによる分解を行い、原子を規則正しい態様で基板表面に堆積させることの両方に必要である。高温がさまざまなタイプの材料から不純物が発生するという問題も引き起こし、したがって、望まない不純物がSiC結晶成長層に入り込むのを防止するためには、高温に耐える適切な材料を選択することが重要である。これを防止するため、通常黒鉛製であるサセプタ壁をSiC層で被覆するのが一般的なやり方である。さらに、冒頭で述べたタイプのサセプタはいわゆるホットウォール(hot−wall)・タイプのサセプタであり、基板を受け入れるチャネルを包囲する壁部が加熱され、ほぼ一様な温度がサセプタで達成されるが、温度勾配は低いものにすぎず、これは基板上の成長させられる結晶の品質には望ましいものである。そのようなサセプタのチャネルを包囲している異なる壁部の間の15−20K程度の温度差は、温度の一様性に関して成長する物体の結晶品質の大幅な差をもたらす。このタイプのサセプタは気相において、いわゆるコールドウォール・サセプタの温度よりも高い温度を生じ、これによりクラッキング効率およびすべての化学反応が高いものとなる。しかしながら、これは形状、および気体を加熱した場合の気体の膨張のためプレカーサ・ガスの枯渇という問題を引き起こし、また速度がきわめて速くなり、これは成長した層の一様性を向上させる。また本出願人のスウェーデン特許願第9500326−5号により、SiCのプレートをサセプタと基板の間でサセプタに配置して、基板の下のSiCコーティングがエッチングされたり、昇華したりし、また若干温度の低い基板の裏面に堆積して、サセプタの寿命を制限する問題を解決することが知られている。
このスウェーデン特許願に記載されているホットウォール・タイプのサセプタは、結晶品質が極めて高いSiCのエピタキシャル層が厚い厚さまで成長し、不純物の混入が少なく、キャリアの寿命が長くなるようにする。しかしながら、このタイプの従来技術のサセプタにもある種の問題が付随している。これらの問題の1つは厚い壁によって包囲されたチャネルを有するホットウォール・サセプタを生産するのが困難なことであり、その生産はフライス削り操作により素材から材料を除去することによって行われるが、これは特に長いサセプタ・チューブの場合には実施が困難であり、また放電加工によって行われるが、これは前記のチャネルを作成するほとんどの場合にそうである、前記素材が黒鉛である場合には、使用するのが難しいものである。さらに、サセプタの他の部分よりも薄い部分はこれらの他の部分よりも若干熱くなるので、いわゆる「ホット・スポット」が生じ、サセプタの他の部分よりも深刻なエッチングが発生し、その結果その部分のSiCコーティングがサセプタをある時間、たとえば約300時間動作させた後除去されるが、これは成長層が露出した黒鉛またはサセプタの壁部に使用されるその他の材料の近くにある場合、この層に障害を引き起こすことがあり、この制限により、サセプタの寿命がこれが発生した部分のものに制限される。
発明の概要
本発明の目的は従来技術のホットウォール・タイプのサセプタ(susceptor)について上述した問題を解決することのできる、冒頭で規定したタイプのサセプタおよび装置を提供することである。
この目的は本発明によれば、少なくとも2つの別々のサセプタ壁部分の、上記で規定したサセプタを作成し、これにサセプタの前記壁部分を互いに固定して、サセプタを形成する固定手段を設けることによって達成される。サセプタ少なくとも2つの別々の部分に分割することにより、サセプタの加工がはるかに簡単なものとなるが、これはこのような部分を、たとえばねじ止めによって各々別々に作成するのが、従来技術の機械加工よりもはるかに容易だからであり、これらのサセプタを大量に作成する場合は特に、製造コストが大幅に下がる。サセプタをいくつかの部分に分割することの他の効果は、2つのこのような部分の間の界面の両端における電気抵抗が、サセプタの壁の他の部分よりも高くなり、したがって前記の加熱手段が誘導する電流が従来技術のホットウォール・サセプタに形成される、ホットウォール・サセプタの周辺にほぼしたがっている大きいループを形成できなくなるが、これらのループはサセプタの1つの同一の壁部分に残る傾向があり、したがってサセプタ壁の薄い部分が従来技術の構造におけるほど熱くなくなり、いわゆるホットスポットによるエッチングが防止され、したがってサセプタの寿命が延びる。本発明によるサセプタのこれら2つの利点は、このタイプのサセプタに成長する物体を作成するコストを大幅に低下させる。
本発明の好ましい実施の形態によれば、サセプタは前記チャネルを包囲している少なくとも4つの独立したサセプタ壁部分、すなわち2つの横方向壁部分、頂部壁部分および底部壁部分で構成される。このように構成されたサセプタがきわめて容易に、したがって低コストで製造でき、それぞれの部分の熱断面を効率的に管理でき、したがって、ほぼ一様な温度をサセプタのほぼ全体に得ることができ、その表面のエッチングが減少し、これによりサセプタの寿命が延び、しかもこのサセプタに成長する物体の結晶品質が改善される。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、前記固定手段はねじを含んでいる。このようなサセプタはサセプタの個々の壁部分を独立して加工し、その後、これらをねじ止めすることによってきわめて容易に製造される。固定手段はサセプタの壁と同じ材料で作成するのが好ましく、したがって、黒鉛のサセプタ壁およびねじの形態の固定手段の場合には、黒鉛のねじが固定手段として使用される。このことは、成長する層に組み込まれる新しいタイプの不純物を解放するか、あるいは固定手段が構成される箇所のサセプタの壁領域の温度の一様性を劣化させることによって成長に悪影響を与える他の材料がサセプタに導入されるのを防止する。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、前記の固定手段の各々はサセプタの横方向壁、ならびにこれらの壁を互いに固定するためのサセプタのチャネルの底部および頂部のそれぞれを形成する間隔を貫通して延びている。このような構造はサセプタの組立てをきわめて容易なものとし、固定手段を最小限のものとする。「固定手段」とは本件においては、きわめて広いものと解釈されるものであり、たとえば、ねじが底部壁から横方向壁を貫通し、ナットまたはねじ山付き凹窩が配置されている頂部壁へ延びている場合、および底部壁および頂部壁の一方から横方向壁へ延びているねじとスリーブとが前記壁の他方から前記横方向壁へ延びていて、これらを互いに固定する場合などを含むものである。したがって、「固定手段」という定義は剛性の接続を確立するこのような部材の組合せを含むものである。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、サセプタは前記チャネルのa)底部壁およびb)頂部壁の一方を形成し、サセプタの横方向壁から分離されている少なくとも1つの壁部分と、a)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)SiCと第3B族チッ化物の複合体の1つで作製され、前記少なくとも1つの壁部分上に、これを覆うように配置され、前記横方向壁と前記の少なくとも1つの壁部分の間に挿入されるプレートとを有している。SiCプレートをいわゆるホットウォール・サセプタに貼付するこの技法により、従来技術のサセプタにおけるSiCコーティングと、SiCプレートのエッジに近いサセプタの壁の深刻なエッチングの問題が、SiCプレートのこのようなエッジがサセプタのチャネル内にもはや配置されていないことによって、完全に排除される。もちろん、このことはこのようなサセプタの寿命をさらに向上させる。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、a)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)SiCと第3B族チッ化物の複合体の1つで作製された第1のプレートが、前記底部壁部上に、これを覆うように配置され、かつ前記2つの横方向壁部の間に挿入され、またa)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)SiCと第3B族チッ化物の複合体の1つで作製された第2のプレートが前記壁部分のすぐ下に、これを覆うように配置され、かつ前記横方向壁部と前記頂部壁部の間に挿入される。このようなサセプタにおいては、サセプタの頂部および底部の両方が深刻なエッチングに対して効率よく保護されるため、サセプタの寿命がさらに長くなる。
本発明の他の好ましい実施の形態によれば、サセプタには、少なくとも1つの前記物体を成長させるための少なくとも1つの基板を受け入れるようになされた少なくとも2つのチャネルが設けられ、各チャネルは2つの横方向壁部分、頂部壁部分および底部壁部分によって画定されており、2つの隣接するチャネルを分離している壁部分は一方のチャネルの底部壁部分を、また他方のチャネルの頂部壁部分を形成する。このようなサセプタには上述した簡単な製造手順および長い寿命という利点があり、さらに、同一の成長過程で少なくとも2つの結晶を生産でき、その生産コストが大幅に低くなるという利点がある。
最後に述べた実施の形態をさらに発展させた、本発明のさらに他の実施の形態によれば、前記の第1および第2のプレートが前記底部壁部分上と、前記頂部壁部分のすぐ下とにおかれ、2つの横方向壁部分と、サセプタの各チャネルのそれぞれの頂部および底部壁部分との間に挿入される。これは1つのチャネルを備えたサセプタ、ならびに少なくとも2つのチャネルを備えたサセプタに配置されたこのようなプレートにおける上述の利点につながる。
本発明による装置の利点は、本発明のサセプタの好ましい実施の形態についての上記の検討から容易に導くことができよう。
本発明によるサセプタおよび装置の他の好ましい特徴および利点は、以下の説明およびその他の従属請求の範囲から明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
添付図面を参照して、例として示す本発明の好ましい実施の形態のそれぞれを説明する。図面において、
第1図は従来技術によるサセプタの長手方向断面図であり、
第2図は第1図によるサセプタの左端面図であり、
第3図は第1図によるサセプタの右端面図であり、
第4図は本発明の第1の好ましい実施の形態によるサセプタの長手方向断面図であり、
第5図は第4図によるサセプタの右端面図であり、
第6図は第4図によるサセプタの左端面図であり、
第7図は本発明の第2の好ましい実施の形態によるサセプタの長手方向断面図であり、
第8図は第7図によるサセプタの左端面図であり、
第9図は第7図によるサセプタの右端面図である。
従来技術のサセプタおよび装置の説明
第1図〜第3図は本出願人のスウェーデン特許願第9500326−5号に記載されている従来技術によるサセプタを示し、本発明をよりよく理解するために、従来技術のサセプタを簡単に検討する。このサセプタはいわゆるホットウォール・サセプタである。すなわち、チャネル1を包囲するサセプタ壁が、チャネル内に受け入れられた基板2、ならびに化学蒸着により基板上にSiC結晶をエピタキシャル成長させるためサセプタの大きい開口3に導入されるプレカーサ・ガスを加熱するために加熱される。「壁」は横方向壁、ならびにチャネルを包囲している底部および頂部壁部分を含んでいる。サセプタは黒鉛製であり、薄いSiCコーティング4によって被覆されている。高結晶品質のSiCプレート5を基板2と、サセプタの壁6の底部との間のチャネル1の底面に貼付して、前記スウェーデン特許出願に記載されている基板2の下のSiCコーティング4の昇華およびエッチングの問題を解決する。チャネル1は入口開口3から出口開口7へ向かってテーパして、前記成長のために開口3を通して導入される、通常はシランおよびプロパンであるプレカーサ・ガスの枯渇を、チャネルの若干深いところでこれらのガスの速度を高めることによって打ち消すが、これは基板上への堆積のために浸透される滞留ガス層が薄くなり、成長速度が増加することを意味する。
このタイプのサセプタは主として高電力半導体デバイスに使用される20−50μmの厚さのフィルムを成長させるのに使用される。ガス混合物がサセプタのチャネル1から導入されるが、このガス混合物はH2キャリア・ガスと、プロパンおよびシランの形態が好ましいCおよびSi含有プレカーサ・ガスを含有している。図示しない加熱手段がサセプタ壁6を加熱して、基板が1500−1700℃、好ましくは約1550℃の温度を取得し、チャネルへ導入されるガス混合物がサセプタからの熱の散逸によって加熱され、これはSiC基板2の表面に堆積されるシリコンおよび炭素原子の形成のためのプレカーサ・ガスのクラッキングを引き起こす。図面には、サセプタが成長が行われるケーシングへの導入および除去中のサセプタの取り扱いを容易とするための凹窩8を有していることが示されている。典型的な寸法がチャネルについては長さが100mm、幅が50mm、基板については長さおよび幅が約30mm、厚さが0.3mm、SiCプレートについては厚さが約1mmであることも示されている。これらの典型的な寸法は以下で説明する本発明の好ましい実施の形態によるサセプタについても有効である。
このサセプタはしかしながら、いくつかの欠点を有している。その1つはその生産が黒鉛素材の難しく、時間のかかる機械加工を必要とすることであり、これは製造コストを高くする。他の欠点は、上述したように、SiCプレート5のエッジ近傍の領域9におけるサセプタのSiCコーティングおよび黒鉛の深刻なエッチングが生じることである。サセプタの横方向壁10がサセプタの他の壁よりも薄く、それ故これらの他の壁よりも若干熱いため、エッチングはこれらの箇所でさらに深刻なものとなる。
本発明の好ましい実施の形態の詳細な説明
第4図〜第6図は本発明の好ましい実施の形態によるサセプタを略示したものである。このサセプタもいわゆるホットウォール・サセプタであり、これは黒鉛であるのが好ましく、また薄いSiCコーティングで覆われている4つの別々の壁部分、すなわち2つの横方向壁部分11、12、頂部壁部分13、および底部壁部分14によって形成されており、これらの壁部分はこれも黒鉛であるのが好ましく、頂部壁部分13からそれぞれの横方向壁部分11または12を貫通して底部壁部分14へ延びているねじ15によって互いに固定されている。SiC製の第1のプレート16は底部壁部分14上におかれて、これを覆い、また2つの横方向壁部分11、12と底部壁部分14の間に挿入され、SiC製の第2のプレート17は頂部壁部分のすぐ下におかれて、これを覆い、また2つの横方向壁部分11、12と前記頂部壁部分13の間に挿入される。プレート16、17はサセプタ全体を貫通して延びていて、それぞれの壁部分11−14を互いに分離している。それぞれの壁部分の生産が比較的単純であり、SiCプレートを挟持して、壁部分を互いにねじ止めするのが簡単であるため、サセプタは生産が容易であることが明らかである。
第5図の破線18により、加熱手段がどのようにサセプタを包囲して、誘導電流を発生しているかが示されている。前記加熱手段18は高周波電界放射コイルが好ましい。加熱手段が発生する誘導電流のループは正常な場合にサセプタの周辺にほぼ追随する傾向を有しているが、本発明においては、壁が分割される部分で電気抵抗が高くなり、したがって、前記の加熱手段によって誘導される電流ループが加熱される各壁部分内に維持されることになる。これはいわゆるホット・スポットによる深刻なエッチングがないこと、およびSiCプレートがサセプタ・チャネル1の底部と天井の全体を覆うことを意味し、またこれらのプレートが頂部および底部壁部分と横方向壁部分との間に挿入されることは、SiCプレートのエッジがサセプタ・チャネルの外側で隠されて、これの近傍での深刻なエッチングの問題が排除されることを意味する。それ故、サセプタの寿命が周知のサセプタに比較して長くなる。
第7図〜第9図は、ねじ15によってねじ止めされた7つの別々の壁部分によって形成される、本発明の第2の実施の形態によるサセプタを略示する。この実施の形態にも上述の実施の形態と同じタイプのSiCプレート16、17が設けられている。このようにして作成されたサセプタはチャネル19の底部とチャネル20の頂部を形成する中央壁部分21によって分離された2つのチャネル19、20を有している。このサセプタは本発明の第1の好ましい実施の形態によるサセプタと同じ主な特性および利点、ならびに一回の同一の成長過程で少なくとも2つの結晶を作成できるという付加的な利点を有している。
本発明はもちろんいかなる態様においても、上述のサセプタの好ましい実施の形態および装置に限定されるものではなく、これを改変するいくつかの可能性が、本発明の基本的な考えから逸脱することなく、当分野の技術者には明らかとなろう。
すでに述べたように、本発明は第3B族チッ化物、このような第3B族チッ化物の合金、またはSiCと1つまたは複数のこのような第3B族チッ化物との合金にも適用でき、またサセプタおよびこのような物体を成長させる場合の装置の対応する単純化、ならびにサセプタの寿命の延長につながるものである。
基板はSiC以外の、第3B族チッ化物などの材料であってもよい。
サセプタがほぼ水平に配向されていると図面に示し、かつ説明したが、サセプタには室内でその他の所望の配向を与えることができる。
請求の範囲における「物体」という定義は、厚いブールなどの異なる厚さの層などのすべてのタイプの結晶のエピタキシャル成長を含むものとして行われている。
材料に関するすべての定義はもちろん、不可避の不純物ならびに意図的なドーピングも含むものである。
固定手段はもちろん、ねじおよび対応するねじ山付きのボアまたはナット以外のものであってもよい。
さらに、サセプタは黒鉛である必要はなく、たとえば、タンタルもこの材料として考えることができる。好ましくは、ねじまたはその他の固定手段をサセプタ壁と同じ材料として、新しいタイプの不純物の導入を回避し、壁の加熱およびその一様な温度の取得を容易とする。
Claims (16)
- a)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)SiCと第3B族チッ化物の複合体のうちの1つの物体を、サセプタに受け入れられる基板上にエピタキシャル成長させる装置のためのサセプタであって、前記基板を受け入れるようになされており、成長のためのソース材料が給送されるチャネル(1、19、20)を有しており、前記チャネルを包囲するサセプタの壁部(11〜14、21)が、サセプタを包囲するようになされた加熱手段(18)が発生する誘導によって加熱できる材料製であるサセプタにおいて、
サセプタが少なくとも2つの別々のサセプタ壁部分(11〜14、21)で構成されており、
サセプタの前記壁部分を互いに固定して、サセプタを形成する固定手段(15)を含んでいることを特徴とするサセプタ。 - サセプタが前記チャネル(1、19、20)を包囲する少なくとも4つの別々のサセプタ壁部分(11〜14、21)、すなわち2つの横方向壁部分(11、12)、頂部壁部分(13)および底部壁部分(14)で構成されていることを特徴とする、請求項1に記載のサセプタ。
- 前記固定手段(15)がねじを含んでいることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のサセプタ。
- 前記固定手段(15)がサセプタの壁(11〜14、21)と同じ材料でできていることを特徴とする、請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載のサセプタ。
- 前記固定手段(15)の各々がサセプタの横方向壁(11、12)を貫通し、サセプタ・チャネル(1、19、20)の底部および頂部のそれぞれを形成する壁中へ延びて、これらの壁を互いに固定していることを特徴とする、請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載のサセプタ。
- 前記サセプタ壁部分(11〜14、21)が黒鉛製であることを特徴とする、請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載のサセプタ。
- サセプタ壁部分(11〜14、21)が保護SiC層(4)によって覆われていることを特徴とする、請求項6に記載のサセプタ。
- サセプタが前記チャネル(1、19、20)のa)底部壁およびb)頂部壁の一方を形成し、サセプタの横方向壁(11、12)から分離されている少なくとも1つの壁部分を有しており、a)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)SiCと第3B族チッ化物の複合体のうちの1つで作製されたプレート(16、17)が前記の少なくとも1つの壁部分(13、14)上に、これを覆うようにおかれ、前記横方向壁と前記少なくとも1つの壁部分の間に挿入されていることを特徴とする、請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載のサセプタ。
- サセプタが前記チャネル(1、19、20)を包囲する少なくとも4つの別々のサセプタ壁部分(11〜14、21)、すなわち2つの横方向壁部分(11、12)、頂部壁部分(13)および底部壁部分(14)で構成されていること、および、
a)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)SiCと第3B族チッ化物の複合体のうちの1つで作製された第1のプレート(16)が前記底部壁部分(14)上に、これを覆うようにおかれ、前記2つの横方向壁部分(11、12)と前記底部壁部分の間に挿入され、a)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)SiCと第3B族チッ化物の複合体のうちの1つで作製された第2のプレート(17)が頂部壁部分(13)のすぐ下に、これを覆うようにおかれ、前記2つの横方向壁部分と前記頂部壁部分の間に挿入されることを特徴とする、請求項1、または請求項3から請求項8までのいずれか一項に記載のサセプタ。 - サセプタが前記チャネル(1、19、20)を包囲する少なくとも4つの別々のサセプタ壁部分(11〜14、21)、すなわち2つの横方向壁部分(11、12)、頂部壁部分(13)および底部壁部分(14)で構成されていること、および、
それぞれ少なくとも1つの前記物体を成長させるための少なくとも1つの基板を受け入れるようになされた少なくとも2つのチャネル(19、20)が設けられ、各チャネルは2つの横方向壁部分、頂部壁部分および底部壁部分によって画定されており、2つの隣接するチャネルを分離している壁部分(21)は一方のチャネル(19)の底部壁部分を、また他方のチャネル(20)の頂部壁部分を形成していることを特徴とする、請求項1、または請求項3から請求項9までのいずれか一項に記載のサセプタ。 - それぞれ少なくとも1つの前記物体を成長させるための少なくとも1つの基板を受け入れるようになされた少なくとも2つのチャネル(19、20)が設けられ、各チャネルは2つの横方向壁部分、頂部壁部分および底部壁部分によって画定されており、2つの隣接するチャネルを分離している壁部分(21)は一方のチャネル(19)の底部壁部分を、また他方のチャネル(20)の頂部壁部分を形成していること、および、
前記の第1および第2のプレート(16、17)が前記底部壁部分上と、前記頂部壁のすぐ下とにおかれ、2つの横方向壁部分と、サセプタの各チャネル(19、20)のそれぞれの頂部および底部壁部分との間に挿入されていることを特徴とする、請求項9に記載のサセプタ。 - 前記プレート(16、17)がSiC製であることを特徴とする、請求項8または請求項9に記載のサセプタ。
- 前記チャネル(1、19、20)がSiCの物体がエピタキシャル成長させられる基板を受け入れるようになされていることを特徴とする、請求項1から請求項12までのいずれか一項に記載のサセプタ。
- 前記サセプタ壁部分(11〜14)が黒鉛でできていることを特徴とする、請求項1から請求項13までのいずれか一項に記載のサセプタ。
- a)SiC、b)第3B族チッ化物およびc)SiCと第3B族チッ化物複合体のうちの1つの物体を基板上にエピタキシャル成長させる装置であって、前記基板を受け入れるよりになされたサセプタを含んでおり、前記サセプタが該基板を受け入れるようになされ、かつ成長のためのソース材料が給送されるチャネル(1、19、20)を有しており、前記チャネルを包囲するサセプタを、またこれにより基板と成長のためにチャネルを通して給送される前記ソース材料を加熱する手段(18)を含んでいる装置において、
サセプタが前記チャネルを包囲している少なくとも2つの別々のサセプタ壁部分(11〜14、21)で構成されており、
サセプタが前記サセプタ壁部分を互いに固定する固定手段(15)を含んでいることを特徴とする装置。 - 前記サセプタが請求項2から請求項14までのいずれか一項に記載のサセプタであることを特徴とする、請求項15に記載の装置。
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