JP4044743B2 - Resin sealing method for semiconductor device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、QFN(Quad Flat Non-Leaded Package)、SON(Small Outline Non-Leaded Package)と呼ばれ、パッケージの上面を樹脂封止し、かつ、その下面縁部に外部リードを露出させた半導体装置の樹脂封止方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、パッケージの側方に突出するアウターリードをなくし、その代わりにパッケージの下面縁部に母基板との電気接続を行うための外部リード101を露出させたQFNタイプの半導体装置が知られている(図5A,B)。ただし、図5A,Bは各半導体装置を切り離す前の状態を示している。
【0003】
前記半導体装置の樹脂封止は、例えば、リードフレーム100のダイパッド102に半導体チップ103をダイボンドし(図6A)、前記半導体チップ103とリードフレーム100の外部リード101とをワイヤ104でワイヤボンドした後(図6B)、前記リードフレーム100を上下金型107,108でクランプしてキャビティ109を形成し(図6C)、前記キャビティ109に樹脂を注入して行われていた。
【0004】
しかし、樹脂注入の際における樹脂圧により、前記外部リード101,ダイパッド102が持ち上げられやすい。このため、例えば、前記外部リード101の下面に樹脂が回り込み、外部リード101の下面が樹脂で覆われてしまうため、母基板に電気接続できないという不具合があった。
【0005】
前述の不具合を解消すべく、図7A,Bに示すように、リードフレーム100の下面にフィルム6を剥離可能に貼着した後、前記リードフレーム100とフィルム6とを前述と同様に上下金型でクランプして樹脂封止することが提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述の樹脂封止方法では、図7Aで示すように、ハッチングで示した領域33のみを上下金型でクランプできるにすぎない。このため、図7Bの波線で示した領域、すなわち、外部リード101の下面およびダイパッド102の下面がフィルム6に完全に密着しない。この結果、注入された樹脂が外部リード101の下面に回り込んで被覆したり、あるいは、ダイパッド102の下面に樹脂が回り込んだまま固化し、最終製品の下面に不陸が生じるおそれがあった。
【0007】
本発明は、前記問題点に鑑み、樹脂封止の際における樹脂の回り込みを完全に阻止できる半導体装置の樹脂封止方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる半導体装置の樹脂封止方法は、前記目的を達成すべく、搭載した半導体チップと外部リードとをワイヤで接続した基板の下面に、フィルムを剥離可能に貼着した後、前記半導体チップおよび前記ワイヤを樹脂封止するとともに、前記フィルムの下面全面を露出させる半導体装置の樹脂封止方法において、下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプし、前記上クランプブロックの凹部内に気体を注入して加圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させる工程からなる。
なお、前記基板は、金属単体からなるリードフレームを含むだけでなく、樹脂材からなる樹脂製基板、例えば、高精細有機パッケージ基板と呼ばれるものであってもよい。
【0009】
したがって、本発明によれば、上クランプブロックの凹部に気体を圧入することにより、半導体チップおよびワイヤ等を損傷させることなく、気圧で下クランプブロックにフィルムおよび基板を押し付けることができる。このため、フィルムおよび基板が相互に密着して強固に貼着一体化される。この結果、基板の下面に樹脂が回り込むことがなくなり、樹脂封止が良好な半導体装置を得られるという効果がある。
【0010】
また、発明にかかる他の半導体装置の樹脂封止方法では、下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプし、前記上クランプブロックの凹部内の気体を吸引して減圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させる工程からなる。
本発明によれば、減圧で基板とフィルムとを密着させることができる。このため、前述の発明と同様、基板の下面に樹脂が回り込むことがなくなり、樹脂封止が良好な半導体装置が得られる。
【0011】
さらに、発明にかかる別の半導体装置の樹脂封止方法では、加熱可能な下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプして加熱するとともに、前記上クランプブロックの凹部内に気体を注入して加圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させる工程からなる。
また、加熱可能な下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプして加熱するとともに、前記上クランプブロックの凹部内の気体を吸引して減圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させる工程であってもよい。
本発明によれば、フィルムおよび基板の両者を加熱することにより、前記フィルムの接着力が増大し、基板とフィルムとを強固に密着させることができる。このため、前述の発明と同様、基板の下面に樹脂が回り込むことがなくなり、樹脂封止が良好な半導体装置を得られる。
【0012】
本発明にかかる他の半導体装置の樹脂封止方法は、下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプし、前記上クランプブロックの凹部内に気体を注入して加圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させた後、加熱ブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を載置し、前記加熱ブロックを加熱して前記基板と前記フィルムとをより一層密着させる工程であってもよい。
【0013】
また、下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプし、前記上クランプブロックの凹部内の気体を吸引して減圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させた後、加熱ブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を載置し、前記加熱ブロックを加熱して前記基板と前記フィルムとをより一層密着させる工程からなる半導体装置の樹脂封止方法であってもよい。
【0014】
前述の発明によれば、気体による加圧あるいは減圧を利用するとともに、加熱することよってフィルムの接着力を増大させているので、フィルムおよび基板がより一層強固に接着一体化される。
【0015】
本発明にかかる別の半導体装置の樹脂封止方法は、前述の半導体装置の樹脂封止方法において、樹脂封止した基板から不要樹脂部分を除去し、さらに、前記基板からフィルムを剥ぎ取る方法であってもよい。
本発明によれば、前記フィルムを剥離することによって外部リードが露出するので、母基板に電気接続できる。
【0016】
前記フィルムは、少なくとも一端縁部に、基板の外周縁部からはみ出す形状を有する剥離用舌片を延在したものであってもよい。
本発明によれば、前記フィルムを剥離用舌片を介して剥がすことができるので、便利であるとともに、自動化が容易になるという効果がある。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる実施形態を図1ないし図4の添付図面に従って説明する。
第1実施形態にかかる樹脂封止方法を、図1に示す半導体樹脂封止装置に基づいて説明する。
【0018】
すなわち、図1に示すように、リードフレーム1を多数収納したマガジン2が、インプットマガジンバッファーユニット3に供給されている。前記リードフレーム1はダイボンド工程、ワイヤーボンド工程を終え、半導体チップと外部リードとがワイヤで既に接続されている。
【0019】
まず最初に、前記マガジン2をマガジンエレベータユニット4に搬送する。そして、フィルム6を位置決めしたフィルムステッカーユニット5の下クランプブロック5aに、前記マガジン2からリードフレーム1を一枚ずつ供給し、前記フィルム6にリードフレーム1を積み重ねて貼着一体化する。
なお、前記フィルム6は、前記リードフレーム6の大きさにカットして使用してもよく、あるいは、予めカットしたものを単に載置して使用してもよい。
【0020】
フイルムの貼着一体化方法としては、例えば、図2Aに示すように、下クランプブロック5aにフイルム6を供給した後、前記リードフレーム1を前記フィルム6に積み重ねる。ついで、下クランプブロック5aに上クランプブロック5bを位置決めし、下降させて前記フィルム6および前記リードフレーム1を上下クランプブロック5a,5bでクランプする。そして、前記上クランプブロック5bの凹部5c内に気体を注入し、気圧で下クランプブロック5aに前記フィルム6および前記リードフレーム1を押し付けて両者を密着させる。ついで、上クランプブロック5bへの加圧を解除することにより、気体が抜ける。
【0021】
フイルム6の別の貼着一体化方法としては、前述の実施形態に限らず、例えば、上クランプブロック5bの凹部5c内を吸気して減圧することにより、前記フィルム6および前記リードフレーム1を相互に吸引,密着させてもよい。
【0022】
また、フイルム6の他の貼着一体化方法としては、図3に示すように、加熱ブロック30にフィルム6を供給した後、リードフレーム1を載置して位置決めする。ついで、加熱ブロック30を加熱し、フィルム6の粘着力を増大させることにより、前記フィルム6および前記リードフレーム1を相互に吸引,密着させてもよい。
【0023】
フィルム6を密着させた前記リードフレーム7はリードフレームトランスファーユニット8に搬送される。リードフレームトランスファーユニット8はピックアンドプレイスユニット9まで移動し、前記リードフレーム7を渡す。
【0024】
ピックアンドプレイスユニット9は、渡されたリードフレーム7をプレヒーターユニット10に搬送する。プレヒーターユニット10はリードフレーム7を所定時間加熱する。
【0025】
そして、インローダーユニット11が、加熱されたリードフレーム7と、タブレットキャリア12が搬送してきたタブレット(固形樹脂材料)13とを受け取り、プレスユニット14にセットされた下金型15に搬送し、リードフレーム7とタブレット13とを下金型15の所定位置にセットする。
【0026】
下金型15を上昇させて図示しない上金型に圧接させ、リードフレーム7をクランプしてキャビティを形成し、図示しないトランスファーユニットでタブレット13を加熱,溶融し、前記キャビティ内に射出,充填し、半導体チップ16、ワイヤー17等を樹脂封止する。
【0027】
下金型15を下降させて金型を開放した後、アンローダーユニット18で樹脂封止済みリードフレーム19を下金型15から取り出し、ディゲータユニット20に搬送する。ディゲータユニット20は、搬送されてきた樹脂封止済みリードフレーム19から製品21と樹脂のみからなる不要部分22とを分離し、不要部分22を廃棄する。
【0028】
ピックアップユニット23はディゲータユニット20上の製品21をフィルムストリッパユニット24に搬送する。フィルムストリッパユニット24は、製品21のリードフレーム部分の下面に密着したフィルム6を剥がす。フィルム6の剥離作業としては、例えば、フィルム6の一端から延在した舌片をフィルムチャクハンドル(図示せず)で掴み、製品21の下面から剥がす方法が挙げられる。
【0029】
そして、ピックアップユニット23が、フィルム6を剥がした製品21をアウトプットバッファユニット25に搬送し、集積する。
【0030】
本発明にかかる第2実施形態は、図4に示すように、前述の第1実施形態とほぼ同様である。異なる点は、フィルムステッカーユニット5の次工程に加熱ブロック30を配置した点である。このため、フィルムステッカーユニット5の凹部5c内に給気あるいは吸気して密着させた前記フィルム6および前記リードフレーム1を、前記加熱ブロック30に載置して加熱することにより、フィルム6の粘着力を増大させてもよい。
第2実施形態によれば、前記フィルム6および前記リードフレーム1をより一層強固に密着させることができるという利点がある。
【0031】
前述の実施形態では、給気して加圧状態でフィルムおよびリードフレームを密着させる方法、吸気して減圧状態でフィルムおよびリードフレームを密着させる方法、加熱ブロックにフィルムおよびリードフレームを順次積み重ね、加熱だけでフィルムおよびリードフレームを密着させる方法、および、給気および吸気で密着させた後に加熱し、フィルムの粘着力を増大させることにより、フィルムおよびリードフレームをより一層強固に密着させる方法を述べた。
【0032】
なお、クランプした上下クランプブロックのうち、下クランプブロックで加熱しつつ、上クランプブロックに給気して加圧状態で両者を貼着一体化してもよく、あるいは、下クランプブロックで加熱しつつ、上クランプブロック内を吸気して減圧状態で両者を貼着一体化してもよい。この方法によれば、効率的、かつ、省スペースでフィルムおよびリードフレームを貼着一体化できるという利点がある。
【0033】
【発明の効果】
本発明によれば、上クランプブロックの凹部に気体を圧入することにより、半導体チップおよびワイヤ等を損傷させることなく、気圧で下クランプブロックにフィルムおよびリードフレームを押し付けることができる。このため、フィルムおよびリードフレームが相互に密着して強固に貼着一体化される。この結果、リードフレームの下面に樹脂が回り込むことがなくなり、樹脂封止が良好な半導体装置を得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる半導体装置の樹脂封止方法において使用される第1実施形態の樹脂封止装置の平面図である。
【図2】図2A,B,Cは本発明にかかる第1実施形態のフィルム貼付工程説明図である。
【図3】図3A,Bは他のフィルム貼付工程説明図である。
【図4】本発明にかかる半導体装置の樹脂封止方法において使用される第2実施形態の樹脂封止装置の平面図である。
【図5】図5Aは従来例にかかる樹脂封止方法を説明するためのQFNタイプ半導体装置の平面図であり、図5Bは図5AのB−B断面図である。
【図6】図6A,B,Cは従来例にかかる実施形態の半導体装置の樹脂封止工程を示す説明図である。
【図7】図7Aは上下金型でクランプできる領域をハッチングで示すリードフレームの平面図であり、図7Bは図7AをB方向からみた部分拡大図である。
【符号の説明】
1…リードフレーム、2…マガジン、3…インプットマガジンバッファユニット、4…マガジンエレベータユニット、5…フィルムステッカーユニット、5a…下クランプブロック、5b…上クランプブロック、5c…凹部、6…フィルム、7…フィルムが密着したリードフレーム、8…リードフレームトランスファーユニット、9…ピックアンドプレイスユニット、10…プレヒーターユニット、11…インローダーユニット、12…タブレットキャリア、13…タブレット(固形樹脂材料)、14…プレスユニット、15…下金型、18…アンローダユニット、19…樹脂封止済みリードフレーム、20…ディゲータユニット、21…製品、22…樹脂不要部分、23…ピックアップユニット、24…フィルムストリッパユニット、25…アウトプットバッファユニット、30…加熱ブロック。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is called QFN (Quad Flat Non-Leaded Package), SON (Small Outline Non-Leaded Package), a semiconductor in which the upper surface of the package is sealed with resin and the external leads are exposed on the lower surface edge The present invention relates to a resin sealing method for an apparatus.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, a QFN type semiconductor device is known in which an outer lead protruding to the side of a package is eliminated, and instead, an
[0003]
The resin sealing of the semiconductor device is performed by, for example, die bonding a
[0004]
However, the
[0005]
7A and 7B, the
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the resin sealing method described above, as shown in FIG. 7A, only the
[0007]
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a resin sealing method for a semiconductor device that can completely prevent a resin from wrapping around during resin sealing.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a resin sealing method for a semiconductor device according to the present invention is a method in which a film is peelably attached to a lower surface of a substrate in which a mounted semiconductor chip and an external lead are connected by a wire, and then the semiconductor In a resin sealing method of a semiconductor device in which a chip and the wire are resin-sealed and the entire lower surface of the film is exposed, the film and the substrate are sequentially stacked on an upper surface of a lower clamp block, the lower clamp block, and a lower surface The film and the substrate are clamped with an upper clamp block having a recess that does not interfere with the semiconductor chip and the wire, and the substrate and the film are injected by injecting gas into the recess of the upper clamp block. And the process of adhering.
The substrate not only includes a lead frame made of a single metal, but may be a resin substrate made of a resin material, for example, a so-called high-definition organic package substrate.
[0009]
Therefore, according to the present invention, the film and the substrate can be pressed against the lower clamp block at atmospheric pressure without damaging the semiconductor chip and the wire by pressing the gas into the concave portion of the upper clamp block. For this reason, a film and a board | substrate closely_contact | adhere and are firmly stuck and integrated. As a result, the resin does not go around the lower surface of the substrate, and there is an effect that a semiconductor device with good resin sealing can be obtained.
[0010]
Further, in another resin sealing method of a semiconductor device according to the invention, the film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of the lower clamp block, and the lower clamp block and the concave portion that does not interfere with the semiconductor chip and the wire on the lower surface. The method includes a step of clamping the film and the substrate with an upper clamp block, and bringing the substrate and the film into close contact with each other by sucking and depressurizing a gas in a recess of the upper clamp block.
According to the present invention, the substrate and the film can be brought into close contact under reduced pressure. For this reason, like the above-mentioned invention, resin does not wrap around the lower surface of the substrate, and a semiconductor device with good resin sealing can be obtained.
[0011]
Furthermore, in another resin sealing method of a semiconductor device according to the invention, the film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of the heatable lower clamp block, and the lower clamp block and the lower surface interfere with the semiconductor chip and the wire. Clamping and heating the film and the substrate with an upper clamp block having a recess that does not, and injecting and pressurizing gas into the recess of the upper clamp block, thereby bringing the substrate and the film into close contact with each other Consists of.
Further, the film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of the heatable lower clamp block, and the lower clamp block and the upper clamp block having a recess on the lower surface that does not interfere with the semiconductor chip, the wire, and the like. May be a step of bringing the substrate and the film into close contact with each other by clamping and heating, and sucking and decompressing the gas in the recess of the upper clamp block .
According to the present invention, by heating both the film and the substrate, the adhesive force of the film is increased, and the substrate and the film can be firmly adhered to each other. For this reason, as in the above-described invention, the resin does not wrap around the lower surface of the substrate, and a semiconductor device with good resin sealing can be obtained.
[0012]
In another method for sealing a resin of a semiconductor device according to the present invention, the film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of a lower clamp block, and the lower clamp block has a recess that does not interfere with the semiconductor chip, the wire, and the like on the lower surface. The film and the substrate are clamped with the upper clamp block, and the substrate and the film are brought into close contact with each other by injecting gas into the concave portion of the upper clamp block and pressurizing, and then the upper surface of the heating block. It may be a step of placing the film and the substrate and heating the heating block so that the substrate and the film are more closely attached.
[0013]
Further, the film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of the lower clamp block, and the film and the substrate are clamped by the lower clamp block and an upper clamp block having a concave portion that does not interfere with the semiconductor chip and the wire on the lower surface. The film and the substrate are placed on the upper surface of the heating block after the substrate and the film are brought into close contact with each other by sucking and depressurizing the gas in the concave portion of the upper clamp block. It may be a resin sealing method of a semiconductor device including a step of further heating and bringing the substrate and the film into closer contact.
[0014]
According to the above-described invention, since the adhesive force of the film is increased by using the pressurization or decompression by gas and heating, the film and the substrate are bonded and integrated more firmly.
[0015]
Resin sealing method of another semiconductor device according to the present invention, in the resin sealing method of the aforementioned semiconductor device, in a manner that removes unnecessary resin portion from the substrate resin-sealed, further stripping the film from the substrate There may be.
According to the present invention, since the external leads are exposed by peeling the film, it can be electrically connected to the mother board.
[0016]
The full I Lum, at least in one end edge portion, or may be extended a release tongue piece having a shape protruding from the outer peripheral edge of the substrate.
According to the present invention, since the film can be peeled off through the peeling tongue piece, there is an advantage that it is convenient and automation is facilitated.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings of FIGS.
The resin sealing method according to the first embodiment will be described based on the semiconductor resin sealing device shown in FIG.
[0018]
That is, as shown in FIG. 1, a
[0019]
First, the
The
[0020]
For example, as shown in FIG. 2A, after the
[0021]
Another method of attaching and integrating the
[0022]
Further, as another method of attaching and integrating the
[0023]
The
[0024]
The pick and place unit 9 conveys the delivered
[0025]
Then, the inloader unit 11 receives the
[0026]
The
[0027]
After lowering the
[0028]
The pick-up
[0029]
Then, the
[0030]
As shown in FIG. 4, the second embodiment according to the present invention is substantially the same as the first embodiment described above. The difference is that the
According to the second embodiment, there is an advantage that the
[0031]
In the above-described embodiment, a method of bringing the film and the lead frame into close contact with each other in a pressurized state by supplying air, a method of bringing the film and the lead frame into close contact with each other by sucking air, and sequentially stacking and heating the film and the lead frame on a heating block. The method of adhering the film and the lead frame alone, and the method of adhering the film and the lead frame more firmly by heating after adhering with air supply and intake air and increasing the adhesive strength of the film were described. .
[0032]
Of the clamped upper and lower clamp blocks, the upper clamp block may be heated while supplying air to the upper clamp block, and both may be bonded and integrated in a pressurized state, or while being heated with the lower clamp block, The inside of the upper clamp block may be sucked and both may be bonded and integrated in a reduced pressure state. According to this method, there is an advantage that the film and the lead frame can be bonded and integrated in an efficient and space-saving manner.
[0033]
【The invention's effect】
According to the present invention, the film and the lead frame can be pressed against the lower clamp block at atmospheric pressure without damaging the semiconductor chip and the wire by pressing the gas into the recess of the upper clamp block. For this reason, the film and the lead frame are in close contact with each other and firmly bonded and integrated. As a result, the resin does not go around the lower surface of the lead frame, and there is an effect that a semiconductor device with good resin sealing can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of a resin sealing apparatus according to a first embodiment used in a resin sealing method for a semiconductor device according to the present invention.
FIGS. 2A, 2B and 2C are explanatory views of a film sticking process of the first embodiment according to the present invention.
FIGS. 3A and 3B are explanatory diagrams of another film sticking process. FIGS.
FIG. 4 is a plan view of a resin sealing device according to a second embodiment used in the resin sealing method of a semiconductor device according to the present invention.
5A is a plan view of a QFN type semiconductor device for explaining a resin sealing method according to a conventional example, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 5A.
6A, 6B and 6C are explanatory views showing a resin sealing process of the semiconductor device of the embodiment according to the conventional example.
7A is a plan view of a lead frame in which a region that can be clamped by upper and lower molds is hatched, and FIG. 7B is a partially enlarged view of FIG. 7A viewed from the B direction.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (8)
下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプし、前記上クランプブロックの凹部内に気体を注入して加圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。A semiconductor in which the semiconductor chip and the wire are resin-sealed and the entire lower surface of the film is exposed after the film is detachably attached to the lower surface of the substrate in which the mounted semiconductor chip and the external lead are connected by a wire In the resin sealing method of the device,
The film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of the lower clamp block, and the film and the substrate are clamped by the lower clamp block and an upper clamp block having a recess that does not interfere with the semiconductor chip and the wire on the lower surface, A resin sealing method for a semiconductor device, wherein the substrate and the film are brought into close contact with each other by injecting gas into a recess of the upper clamp block and applying pressure.
下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプし、前記上クランプブロックの凹部内の気体を吸引して減圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。A semiconductor in which the semiconductor chip and the wire are resin-sealed and the entire lower surface of the film is exposed after the film is detachably attached to the lower surface of the substrate in which the mounted semiconductor chip and the external lead are connected by a wire In the resin sealing method of the device,
The film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of the lower clamp block, and the film and the substrate are clamped by the lower clamp block and an upper clamp block having a recess that does not interfere with the semiconductor chip and the wire on the lower surface, A resin sealing method for a semiconductor device, wherein the substrate and the film are brought into close contact with each other by sucking and depressurizing a gas in a recess of the upper clamp block.
加熱可能な下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプして加熱するとともに、前記上クランプブロックの凹部内に気体を注入して加圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。A semiconductor in which the semiconductor chip and the wire are resin-sealed and the entire lower surface of the film is exposed after the film is detachably attached to the lower surface of the substrate in which the mounted semiconductor chip and the external lead are connected by a wire In the resin sealing method of the device,
The film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of a heatable lower clamp block, and the film and the substrate are clamped by the lower clamp block and an upper clamp block having a concave portion that does not interfere with the semiconductor chip and the wire on the lower surface. A method of sealing a resin of a semiconductor device , wherein the substrate and the film are brought into close contact with each other by heating and heating and injecting gas into the concave portion of the upper clamp block .
加熱可能な下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプして加熱するとともに、前記上クランプブロックの凹部内の気体を吸引して減圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。A semiconductor in which the semiconductor chip and the wire are resin-sealed and the entire lower surface of the film is exposed after the film is detachably attached to the lower surface of the substrate in which the mounted semiconductor chip and the external lead are connected by a wire In the resin sealing method of the device,
The film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of a heatable lower clamp block, and the film and the substrate are clamped by the lower clamp block and an upper clamp block having a concave portion that does not interfere with the semiconductor chip and the wire on the lower surface. A method for sealing a resin of a semiconductor device , wherein the substrate and the film are brought into close contact with each other by heating and heating, and sucking and reducing the gas in the recess of the upper clamp block .
下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプし、前記上クランプブロックの凹部内に気体を注入して加圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させた後、加熱ブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を載置し、前記加熱ブロックを加熱して前記基板と前記フィルムとをより一層密着させることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。A semiconductor in which the semiconductor chip and the wire are resin-sealed and the entire lower surface of the film is exposed after the film is detachably attached to the lower surface of the substrate in which the mounted semiconductor chip and the external lead are connected by a wire In the resin sealing method of the device,
The film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of the lower clamp block, and the film and the substrate are clamped by the lower clamp block and an upper clamp block having a recess that does not interfere with the semiconductor chip and the wire on the lower surface, The substrate and the film are brought into close contact with each other by injecting gas into the concave portion of the upper clamp block and pressurizing, and then the film and the substrate are placed on the upper surface of the heating block, and the heating block is heated. A method for sealing a resin of a semiconductor device, wherein the substrate and the film are further brought into close contact with each other.
下クランプブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を順次積み重ね、前記下クランプブロックと、下面に前記半導体チップおよびワイヤ等に干渉しない凹部を有する上クランプブロックとで前記フィルムおよび前記基板をクランプし、前記上クランプブロックの凹部内の気体を吸引して減圧することにより、前記基板と前記フィルムとを密着させた後、加熱ブロックの上面に前記フィルムおよび前記基板を載置し、前記加熱ブロックを加熱して前記基板と前記フィルムとをより一層密着させることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。A semiconductor in which the semiconductor chip and the wire are resin-sealed and the entire lower surface of the film is exposed after the film is detachably attached to the lower surface of the substrate in which the mounted semiconductor chip and the external lead are connected by a wire In the resin sealing method of the device,
The film and the substrate are sequentially stacked on the upper surface of the lower clamp block, and the film and the substrate are clamped by the lower clamp block and an upper clamp block having a recess that does not interfere with the semiconductor chip and the wire on the lower surface, The substrate and the film are brought into close contact with each other by sucking the gas in the recess of the upper clamp block and reducing the pressure, and then the film and the substrate are placed on the upper surface of the heating block, and the heating block is heated. A method for sealing a resin of a semiconductor device, wherein the substrate and the film are further brought into close contact with each other.
樹脂封止した基板から不要樹脂部分を除去し、さらに、前記基板からフィルムを剥ぎ取ることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。 In the resin sealing method of the semiconductor device of any one of Claim 1 thru | or 6,
A resin sealing method for a semiconductor device , wherein an unnecessary resin portion is removed from a resin-sealed substrate, and the film is peeled off from the substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001244037A JP4044743B2 (en) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | Resin sealing method for semiconductor device |
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Publications (2)
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JP (1) | JP4044743B2 (en) |
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