JP4028743B2 - 窒素酸化物を含む排ガスの処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む排ガスの処理方法及び装置に関し、特に半導体工業において化合物半導体の成膜工程などで排出される上記排ガスを効率よく処理する方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
各種工業処理からの排ガスには、窒素酸化物が含まれている場合が多い。窒素酸化物は、酸性雨などの自然環境問題を引き起こす一因であるので、その排出量を低減することが求められている。また、半導体メモリー用の誘電体薄膜の製造工程などにおいては、酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物が有機金属化合物用の溶媒として用いられており、この工程からの排ガスには、窒素酸化物に加えてカルボン酸アルキル化合物が含まれている。このようなカルボン酸アルキル化合物は、可燃性且つ有害であるので、窒素酸化物と同様にその排出量を低減することが求められている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術で酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物と窒素酸化物の両方を含む排ガスを処理しようとする場合には、合成ゼオライト等を使用して排ガスを吸着処理する乾式タイプの処理法が考えられる。この乾式処理法では、カルボン酸アルキル化合物と窒素酸化物の両方を含む排ガスを許容濃度以下(酢酸n−ブチル、NO及びNO2のTLV-TWA値(Threshold Limit Value-Time Weighted Average Concentration:時間荷重平均許容濃度)は、それぞれ150ppm、25ppm及び3ppmである)に処理することは可能であるが、合成ゼオライト等の処理剤の処理容量が少なく、処理剤の交換費用が高くなるという欠点があった。更に、NO2とカルボン酸アルキル化合物とを含む排ガスを合成ゼオライトを使用して吸着処理しようとした場合、副生成ガスとして発生するNOによって、温度が高くなると暴走反応を引き起こす恐れがあることが判明した。また、酢酸n−ブチルのような可燃性ガスを処理する方法としては、排ガスを燃料と共に火炎で燃焼させる燃焼式、ヒーターで排ガスを高温にして空気と共に酸化分解させる加熱式、これらの両方式よりも低温で酸化分解させるために触媒を用いる加熱触媒式、などの方法がある。しかしながら、これらの方式は、酢酸n−ブチルのような可燃性ガスの処理には有効であるが、窒素酸化物の処理ができない。即ち、窒素酸化物を除害処理するには還元処理が必要である。
【0004】
従って、従来の技術では、酢酸n−ブチルなどの可燃性ガスと窒素酸化物の両方を含む排ガスを同一方式で処理しようとする場合には、処理コストが高くなる乾式処理法しか適用することができなかった。
【0005】
そこで、本発明は、酢酸n−ブチルなどの可燃性ガスと窒素酸化物とを含む排ガスを安価で有効に処理することのできる方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上述の課題を解決すべく鋭意研究を重ねたところ、酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物と窒素酸化物とを含む排ガスを酸素不存在の還元条件下で処理した場合、カルボン酸アルキル化合物自体が窒素酸化物を還元して窒素と水とに分解する作用を発揮することを見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】
即ち、本発明の一態様は、カルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む排ガスの処理方法であって、酸素が不存在の還元条件下で排ガスを700℃以上に加熱するか、若しくは350〜550℃に加熱した窒素酸化物を還元する触媒の層に通して、窒素酸化物を還元処理し、その後、処理ガス中の可燃性ガスの酸化に必要なモル数以上の量の酸素を処理ガスに加えて350〜550℃に加熱した可燃性ガスを酸化する触媒の層に通して、処理ガス中の可燃性ガスを酸化処理することを特徴とする方法に関する。
【0008】
また、本発明は係る方法を実施するための装置をも提供する。即ち、本発明の他の態様は、カルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む排ガスを処理する装置であって、排ガスを通気可能な中空内部と、中空内部を所定温度以上に加熱する手段とを備えた酸素が不存在の還元条件下で窒素酸化物を還元処理する1段目反応槽と;1段目反応槽で処理されたガスを通気可能とする中空内部と、該中空内部に配置された可燃性ガスを酸化する触媒の層と、当該酸化触媒層を所定温度以上に加熱する手段と、酸素を導入する導入口とを備えた2段目反応槽と;を有することを特徴とする装置に関する。
【0009】
更に、本発明の更に他の態様は、カルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む排ガスを処理する装置であって、排ガスを通気可能な中空内部と、該中空内部に配置された窒素酸化物を還元する触媒の層と、当該還元触媒層を所定温度以上に加熱する手段とを備えた酸素が不存在の還元条件下で窒素酸化物を還元処理する1段目反応槽と;1段目反応槽で処理されたガスを通気可能とする中空内部と、該中空内部に配置された可燃性ガスを酸化する触媒の層と、当該酸化触媒層を所定温度以上に加熱する手段と、酸素を導入する導入口とを備えた2段目反応槽と;を有することを特徴とする装置に関する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各種態様に関して詳細に説明する。
本発明に係る方法は、カルボン酸アルキル化合物と窒素酸化物とを含む排ガスを2段処理するもので、1段目では、系に酸素を導入せずに、還元雰囲気条件下で排ガスを処理することによって、カルボン酸アルキル化合物の還元作用によって窒素酸化物を還元分解処理し、2段目では、系に酸素を加えて、1段目の処理ガス中に存在する可燃性ガスを酸化処理する。
【0011】
本発明に係る方法においては、まず1段目で、カルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む排ガスを、無酸素下で、700℃以上に加熱するか、若しくは350〜550℃に加熱した窒素酸化物を還元する触媒の層に通して、排ガス中に含まれる窒素酸化物を還元処理する。排ガス中に含まれるNO2やNOは、酸素の不存在下では、カルボン酸アルキル化合物と反応して還元される。下式に、カルボン酸アルキル化合物の具体例として酢酸n−ブチルが窒素酸化物の還元を行う反応の例を示す。
【0012】
【化1】
【0013】
この際、系中に酸素が存在すると、次式の反応により、酢酸n−ブチルはO2との反応が先に進み、NO2やNOとの反応が起こらない。そのため、窒素酸化物が未処理のまま残留することになる。
【0014】
【化2】
【0015】
なお、上記の式(1)及び(2)は酢酸n−ブチルと窒素酸化物との反応を示すものであるが、本発明によって処理される排ガス中に他のカルボン酸アルキル化合物が含まれる場合であっても、上記式と同様のメカニズムによって窒素酸化物の還元が行われると考えられる。
【0016】
上記式(1)及び(2)で示されるような無酸素条件下での酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物と窒素酸化物との反応は、排ガスを700℃以上に加熱することで進行する。この際、排ガスを750℃以上に加熱するとより好ましい。また、この際に窒素酸化物を還元する触媒を使用すると、上記の反応は無触媒のときよりも低温の350〜550℃で進行する。このような還元触媒を用いる場合の還元反応温度は、400〜500℃がより好ましい。他の窒素酸化物についても上記と同様の反応により、還元処理される。
【0017】
上記の1段目の還元処理によって、排ガス中の窒素酸化物は除去されるが、酢酸n−ブチル及び窒素酸化物の分解反応の副反応生成物として、H2、CO、NH3の可燃性ガスが生成する。これらの可燃性ガスのうち、CO、NH3などの有害ガスも許容濃度以下(例えばCO及びNH3のTLV-TWA値は、いずれも25ppm)に処理する必要がある。そこで、1段目の処理で排出されるこれら可燃性ガスを含む処理ガスを、酸素共存下で、次式の反応によって酸化処理する。
【0018】
【化3】
【0019】
この反応は、処理ガス中に含まれる可燃性ガスを酸化するために必要なモル数以上の量の酸素を系に導入し、ガスを350〜550℃に加熱したPd触媒層に通すことによって進行させることができる。なお、この際の反応温度は400〜500℃とするとより好ましい。なお、本発明によって処理すべき排ガス中に例えばn−オクタンなどのような他の可燃性ガスが含まれている場合があるが、これらの他の可燃性ガスについては1段目の工程では窒素酸化物の還元反応には供されずに未反応のまま残留するが、2段目の工程において、上述のような酸化分解処理がなされて分解処理される。従って、本発明によれば、排ガス中に他の可燃性ガスが含まれる場合であっても、当該他の可燃性ガスに関しても別工程を行うことなく分解処理することができる。
【0020】
本発明方法の1段目処理において用いることのできる窒素酸化物を還元する触媒としては、Pd触媒、Pt触媒、Ru触媒、Rh触媒などを挙げることができ、Pd触媒が好ましく用いられる。また、本発明方法の2段目処理において使用することのできる可燃性ガスを酸化する触媒としては、Pd触媒、Pt触媒、Ru触媒、Rh触媒などを挙げることができ、Pd触媒が好ましく用いられる。従って、本発明においては、1段目の窒素酸化物還元触媒及び2段目の可燃性ガス酸化触媒として、同じPd触媒を用いることができる。本発明方法において、窒素酸化物還元用の触媒及び可燃性ガス酸化用の触媒として好適に用いることのできるPd触媒としては、Al2O3を主成分とするアルミナ等の多孔質体に、Pdの含有量が0.5〜1.0wt%となるようにPdを担持させたものを用いることができる。触媒の形状は特に限定するものではないが、取り扱い易い球状のものが好ましい。また、Pd触媒の粒度は、通ガス時に通気抵抗が上昇しない範囲であれば、接触面積を大きくとるために細かい方がよく、一般に3〜6mmが好ましい。
【0021】
本発明において用いることのできるPd触媒としては、具体的には、ズードケミー触媒製のET-050、N-350などを挙げることができる。
本発明によって処理することのできる排ガスとしては、例えば、半導体メモリー用の酸化物系誘電体薄膜の製造工程から排出される排ガスのような、酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物と窒素酸化物を含み、酸素を含まない排ガスを挙げることができる。本発明によって処理される排ガスにおいては、窒素酸化物を1段目の還元処理工程で全て還元分解処理するのに十分な量の酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物が含まれている必要がある。一般に、酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物と窒素酸化物とを用いる半導体メモリー用の酸化物系誘電体薄膜の製造工程から排出される排ガスには、窒素酸化物を1段目の還元処理工程で全て還元分解処理するのに十分な量の酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物が含まれている。また、処理対象の排ガス中に、窒素酸化物の還元分解に十分な量のカルボン酸アルキル化合物が含まれていない場合には、系に対して更に必要な量のカルボン酸アルキル化合物を添加して本発明の処理を行うことができる。なお、本発明によって処理される排ガス中に含まれるカルボン酸アルキル化合物としては、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸t−ブチル、酢酸プロピル、酢酸n−アミル、酢酸エチル、酢酸メチルなどを挙げることができる。
【0022】
次に、本発明方法を実施するために用いることのできる装置について、図を参照しながら説明する。図1は、本発明に係る排ガス処理装置の一具体例を示す概略図である。図1に示す排ガス処理装置10は、前段の還元処理槽2と後段の酸化処理槽6とに区分けされている。それぞれの槽には、槽内を所期の温度に加熱保持するための加熱ジャケット3及び7が取り付けられている。
【0023】
還元処理槽2の頂部には、反応装置10に酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む処理対象の排ガスを導入する排ガス導入ライン1が接続されている。還元処理槽2は内部が中空とされていて、ここに、酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む処理対象の排ガスが導入され、槽内で700℃に加熱されることによって排ガス中の窒素酸化物の還元処理が行われる。還元処理槽2には、排ガスの加熱を促進させるために、複数の迂流板4を設けることができる。迂流板4は、還元処理槽2の内部半径よりもわずかに長い寸法の板またはフィンであり、還元処理槽2内壁にらせん状に配置されているか又は半径方向に対向するように交互に配置されている。還元処理槽2内の温度を測定するために、還元処理槽2の内部に熱電対(図示せず)を設けることができる。なお、排ガス加熱促進手段として、他の形状の迂流板を用いたり、或いは迂流板に代えて、或いはこれと組み合わせて、圧損の小さい充填材の層を予熱槽内に設置することもできる。
【0024】
還元処理槽2の下流側(図1に示す形態の装置では下側)には、酸化処理槽6が、還元処理槽2と流体連通状態に設けられており、その中空内部には可燃性ガスを酸化する触媒、例えばPd触媒8が充填されている。さらに、酸化処理槽6の外周には、当該酸化触媒を加熱するための加熱ジャケット7が設けられており、これによって酸化触媒層8が350〜450℃に加熱される。また、酸化処理槽6内に酸素を導入するための酸素導入ライン5が接続されている。なお、酸化処理槽6内部の温度を測定するために、触媒反応槽22内部に熱電対(図示せず)を設けることができる。
【0025】
排ガス処理装置の第1段の還元処理槽2で処理されたガスは、次にこの酸化処理槽6内に導入され、酸素導入ライン5より導入された酸素の存在下で、350〜450℃に加熱された酸化触媒8を通過することによって、ガス中に存在する可燃性ガスの酸化反応が行われる。酸化処理がなされたガスは、排出ライン9を通して排出される。
【0026】
本発明に係る装置において、加熱ジャケット3又は7で用いることのできる加熱装置としては、セラミックヒーターなどを挙げることができる。
なお、図1に示す構成の装置において、前段の還元処理槽2内に窒素酸化物を還元する触媒、例えばPd触媒の層を配置してもよく、この場合には、還元処理槽2は加熱ジャケット3によって350〜550℃に加熱される。
【0027】
また、本発明に係る排ガス処理装置は、前段の還元処理槽と後段の酸化処理槽とを別々の反応槽によって構成してもよい。このような態様に係る排ガス処理装置の一例を図2に示す。図2に示す排ガス処理装置は、前段の還元処理槽22と後段の酸化処理槽26とから構成される。前段の還元処理槽22は、その中空内部に窒素酸化物を還元する触媒、例えばPd触媒の層24が配置され、反応雰囲気を所定の温度に加熱する加熱ジャケット23が装着されている。また、後段の酸化処理槽26には、同様にその中空内部に可燃性ガスを酸化する触媒、例えばPd触媒の層28が配置され、反応雰囲気を所定の温度に加熱する加熱ジャケット27が装着されている。また、後段の酸化処理槽26に酸素を導入する酸素導入ライン29が接続されている。酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む処理対象の排ガスは、排ガス導入ライン21から前段の還元処理槽22内に導入され、加熱ジャケット23によって350〜550℃に加熱された窒素酸化物を還元する触媒、例えばPd触媒の層24を通過し、これにより窒素酸化物の還元反応が行われる。窒素酸化物の還元処理が行われたガスは、次に、ガス誘導ライン25によって後段の酸化処理槽26に導入され、酸素導入ライン29を通して導入された酸素と共に、加熱ジャケット27によって350〜450℃に加熱された可燃性ガスを酸化する触媒、例えばPd触媒の層28を通過することによって、ガス中に含まれる可燃性ガスの酸化反応が行われる。可燃性ガスの酸化処理が行われたガスは、排出ライン30を通して排出される。
【0028】
なお、図2に示す装置において、前段の還元処理槽22内に窒素酸化物を還元する触媒の層24を配置せずに、槽22の中空内部に迂流板などを配置してもよい。この場合には、還元処理槽22は加熱ジャケット23によって700℃以上に加熱される。
【0029】
本発明に係る排ガス処理装置においては、処理される排ガスの装置内における滞留時間は、処理される排ガスの組成、処理温度等によって変動するが、一般に、前段の還元処理槽で5秒〜20秒、後段の酸化処理槽で5秒〜20秒の時間滞留させることが好ましい。
【0030】
【実施例】
以下の実施例によって、本発明をより具体的に説明する。これら実施例は、本発明の一具体例を示すもので、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【0031】
実施例1
本実施例では、酢酸n−ブチルと窒素酸化物とを含む排ガスを酸素の不存在下で加熱処理することで、窒素酸化物及び酢酸n−ブチルの分解処理を行うことができることを確認した。内径27mm×長さ500mmのステンレス製ミニカラムを用い、これをセラミック電気管状炉内に装着した。中空内部の中心部の温度を熱電対でモニターしながら750℃に加熱した。使用した調製模擬排ガスは、酢酸n−ブチルが6900ppm、NO2が700ppm、NOが20000ppm、N2Oが20ppm、COが1100ppm、CO2が6300ppm、H2が30ppmで、残余が窒素N2であった。この調製模擬排ガスを、セラミック電気管状炉内に総流量600sccmで導入した。出口ガス中の酢酸n−ブチル、N2O、CO、CO2、H2、O2の濃度を、質量検出器付きガスクロマトグラフ装置(アネルバ製AGS-7000U)で分析し、NO、NO2の濃度をNOx分析計(島津製作所製NOA-7000)で分析した。また、NH3は、FT-IR計(マトソン製Infinity 6000)を用いて分析した。処理開始30分後の排出ガスの分析結果を表1に示す。表1より、酢酸n−ブチル、NO、NO2は検出限界以下に処理されており、CO、CO2、H2の濃度が上昇し、NH3が生成していたことが分かる。
【0032】
比較例1
実施例1の調製模擬ガスに更にO2を7.0容量%加えたガスを被処理ガスとして用いた他は、実施例1と同様に実験を行った。結果を表1に示す。
【0033】
表1の結果から、窒素酸化物の還元反応において、系中に酸素を存在させると、窒素酸化物の分解処理がなされず、NOやNO2の窒素酸化物の他にN2Oの濃度が増加したことが分かる。
【0034】
【表1】
【0035】
実施例2
本実施例では、酢酸n−ブチルと窒素酸化物とを含む排ガスを、酸素の不存在下、Pd触媒の存在下で加熱処理することで、窒素酸化物及び酢酸n−ブチルの分解処理を行うことができることを確認した。内径27mm×長さ500mmのステンレス製ミニカラムを用い、このカラム内に、ズードケミー触媒製のPd触媒(商品名ET-050、Pd含有量0.5重量%、粒径4mm)を層高140mmとなるように充填した(充填量は86mLであった)。Pd触媒を充填したカラムをセラミック電気管状炉内に装着した。中空内部の中心部の温度を熱電対でモニターしながら450℃に加熱し、ここに実施例1と同じ組成の調製模擬排ガスを通ガスした。通ガス30分後の排出ガスの分析結果を表2に示す。表2より、酢酸n−ブチル、NO、NO2は検出限界以下に処理されており、CO、CO2、H2の濃度が上昇し、NH3が生成していたことが分かる。
【0036】
比較例2
比較例2の調製模擬ガスを用いて、実施例2の装置を用いて実施例2と同様の実験を行った。結果を表2に示す。
【0037】
表2の結果から、窒素酸化物の還元反応において、系中に酸素を存在させると、窒素酸化物の分解処理がなされず、NOやNO2の窒素酸化物の他にN2Oの濃度が増加したことが分かる。
【0038】
【表2】
【0039】
実施例3
本実施例では、1段目で還元処理を行った排ガスに対して、酸素の存在下で加熱することにより可燃性ガスの酸化処理が行われることを確認した。実施例2で用いたPd触媒充填カラムを用いて、これをセラミック電気管状炉内に装着してPd触媒の温度を400℃に制御した。実施例1及び実施例2で得られた処理ガスに酸素を導入して、存在する可燃性ガスに対して等モル以上になるようにO2濃度を1.5容量%に調整した。このように調整されたガスを、上記のカラムに通ガスし、通ガス開始30分後の排出ガスの各成分の分析を実施例1と同様に行った。結果を表3に示す。表3より、本発明の2段階処理によって、酢酸n−ブチル及び窒素酸化物を含む排ガスを処理して、可燃性ガス及び窒素酸化物の濃度を検出限界以下にすることができることが分かる。
【0040】
【表3】
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、酢酸n−ブチルなどのカルボン酸アルキル化合物と窒素酸化物の両方を含む排ガスを安価に且つ有効に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一態様に係る排ガス処理装置の概要を示す図である。
【図2】 本発明の他の態様に係る排ガス処理装置の概要を示す図である。
Claims (9)
- カルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む排ガスの処理方法であって、酸素が不存在の還元条件下で排ガスを700℃以上に加熱するか、若しくは350〜550℃に加熱した窒素酸化物を還元する触媒の層に通して、窒素酸化物を還元処理し、その後、処理ガス中の可燃性ガスの酸化に必要なモル数以上の量の酸素を処理ガスに加えて350〜550℃に加熱した可燃性ガスを酸化する触媒の層に通して、処理ガス中の可燃性ガスを酸化処理することを特徴とする方法。
- 窒素酸化物を還元する触媒及び可燃性ガスを酸化する触媒が、Pd触媒である請求項1に記載の方法。
- カルボン酸アルキル化合物が酢酸n−ブチルである請求項1又は2に記載の方法。
- カルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む排ガスを処理する装置であって、排ガスを通気可能な中空内部と、中空内部を所定温度以上に加熱する手段とを備えた酸素が不存在の還元条件下で窒素酸化物を還元処理する1段目反応槽と;1段目反応槽で処理されたガスを通気可能とする中空内部と、該中空内部に配置された可燃性ガスを酸化する触媒の層と、当該酸化触媒層を所定温度以上に加熱する手段と、酸素を導入する導入口とを備えた2段目反応槽と;を有することを特徴とする装置。
- 1段目反応槽が700℃以上の温度に加熱され、2段目反応槽が350〜550℃の温度に加熱される請求項4に記載の装置。
- カルボン酸アルキル化合物及び窒素酸化物を含む排ガスを処理する装置であって、排ガスを通気可能な中空内部と、該中空内部に配置された窒素酸化物を還元する触媒の層と、当該還元触媒層を所定温度以上に加熱する手段とを備えた酸素が不存在の還元条件下で窒素酸化物を還元処理する1段目反応槽と;1段目反応槽で処理されたガスを通気可能とする中空内部と、該中空内部に配置された可燃性ガスを酸化する触媒の層と、当該酸化触媒層を所定温度以上に加熱する手段と、酸素を導入する導入口とを備えた2段目反応槽と;を有することを特徴とする装置。
- 1段目反応槽が350〜550℃の温度に加熱され、2段目反応槽が350〜550℃の温度に加熱される請求項6に記載の装置。
- 窒素酸化物を還元する触媒及び可燃性ガスを酸化する触媒が、Pd触媒である請求項4〜7のいずれかに記載の装置。
- カルボン酸アルキル化合物が酢酸n−ブチルである請求項4〜8のいずれかに記載の装置。
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