JP4005388B2 - Substrate processing system - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、それぞれが半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)に異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置とホストコンピュータとを通信ラインにて接続した基板処理システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、イオン注入、レジスト剥離、層間絶縁膜の形成、熱処理などの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これら諸処理のうち、例えばレジスト剥離はプラズマ化したガスとレジストを反応させ、レジストを気化させて取り除くプラズマアッシャによって行われることが多い。レジストは炭素、酸素、水素からなる有機物質であって、プラズマアッシャはこれと酸素プラズマとを化学反応させるアッシング(灰化処理)によってレジスト除去を行う。
【0003】
実際のレジストには重金属などの気化しない不純物も多少含まれており、アッシング後の基板にはこれらの残存物質がパーティクルとして付着している。このため、一般にはアッシング後の基板に対して洗浄処理を行うことにより、パーティクルを完全に除去している。
【0004】
従来より、プラズマアッシャには複数の未処理基板がキャリアに収納された状態で搬入され、そのキャリアから未処理基板が順次に取り出されてアッシングが行われる。アッシングが施された基板は一旦元のキャリアに戻され、該キャリアに複数のアッシング後の基板が収納された状態でプラズマアッシャから洗浄装置に搬送される。そして、洗浄装置にてキャリアから取り出された基板に順次に洗浄処理が行われていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、以上のようにしてアッシングから洗浄処理を行うと一旦キャリアに複数枚のアッシング後基板を収納した後にそのキャリアをプラズマアッシャから洗浄装置に搬送することとなるため、装置間搬送のための無駄な時間が生じることとなる。
【0006】
また、アッシングの後にある程度時間が経過してから洗浄処理を行うと、アッシング後に残ったパーティクルが基板に強固に付着することとなるため、洗浄処理性能が低下することにもなる。
【0007】
このため、本発明者は洗浄装置にプラズマアッシャを組み込んで一体化した装置を検討しているが、このように異なる処理を行う2種類以上の装置を一体化した場合、装置を制御するためのソフトウェアの再構築が必要となる。すなわち、従来においては、洗浄装置は洗浄処理のための専用の制御ソフトウェアによって運用されている一方でプラズマアッシャはアッシングのための専用の制御ソフトウェアによって運用されていたのであるが、例えば洗浄装置にプラズマアッシャを搭載する場合には、洗浄装置側にプラズマアッシャのソフト情報を開示して一体化した装置全体を運用するための統合制御ソフトウェアを再構築する必要があった。
【0008】
また、最近のφ300mm対応の基板処理装置においては、全ての装置をホストコンピュータに接続し、各装置の装置情報をホストコンピュータに伝達することが規格によって義務付けられているが、ホストコンピュータに設けられている接続ポートは各装置に対して1つずつであり、洗浄装置にプラズマアッシャを組み込んで一体化した装置にてそれぞれを個別に制御していたのではホストコンピュータとの接続が出来ない。このような規格に対応するためにも統合制御ソフトウェアを再構築する必要がある。
【0009】
ところが、既に実績のある洗浄処理用およびアッシングのための専用の制御ソフトウェアを廃止して新たな統合制御ソフトウェアの再構築には多大な労力と時間を要するという問題がある。
【0010】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡易な構成にて異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置を運用することができる基板処理技術を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、灰化処理が行われた基板に対して洗浄処理を行う基板処理装置とホストコンピュータとを通信ラインにて接続した基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に、基板の表面を洗浄する表面洗浄部と、基板の裏面を洗浄する裏面洗浄部と、洗浄処理の直前処理工程としてレジスト剥離のための灰化処理を行う灰化処理部と、灰化処理後の基板を冷却する冷却処理部と、基板の上面を表裏反転させる反転部と、前記表面洗浄部、前記裏面洗浄部、前記灰化処理部、前記冷却処理部および前記反転部に対して基板の搬出入を行う搬送手段と、前記表面洗浄部、前記裏面洗浄部、前記反転部および前記搬送手段を制御する第1制御部と、前記灰化処理部および前記冷却処理部を制御する第2制御部と、を含ませ、前記ホストコンピュータから指示を受けて前記第1制御部および前記第2制御部に指示を与える中間コントローラと、前記中間コントローラと前記ホストコンピュータとを接続し、前記中間コントローラと前記ホストコンピュータとの間でデータ通信を行わせるホスト通信ラインと、前記中間コントローラと前記第1制御部および前記第2制御部とを個別に接続し、前記中間コントローラと前記第1制御部および前記第2制御部との間でデータ通信を行わせる2本のローカル通信ラインと、を備える。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明にかかる基板処理システムの構成の概要を示す図である。また、図2はこの基板処理システムの構成を示すブロック図である。この基板処理システムは、1台のホストコンピュータ3と3台の基板処理装置1とを通信ラインにて接続して構成されている。そして、ホストコンピュータ(HOST)3とそれぞれの基板処理装置1との間にはインラインコントローラ(ILC)2が設けられている。ホストコンピュータ3とインラインコントローラ2とはホスト通信ライン4によって接続されている。また、インラインコントローラ2と基板処理装置1とはローカル通信ライン5によって接続されており、より正確にはローカル通信ライン5aによって基板処理装置1の洗浄処理部10とインラインコントローラ2とが接続され、ローカル通信ライン5bによって基板処理装置1の灰化処理部20とインラインコントローラ2とが接続されている。なお、図1においては、ホストコンピュータ3に3台の基板処理装置1を接続しているが、ホストコンピュータ3に接続する基板処理装置1の数は任意である。また、ローカル通信ライン5a,5bを特に区別する必要のないときは、単にローカル通信ライン5と記載する。
【0018】
ホストコンピュータ3は、通常のコンピュータを用いて構成されており、その本体部であって演算処理を行うCPU91と、読み出し専用メモリーであるROM92と、読み書き自在のメモリーであるRAM93と、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク94と、外部との間で通信を行うインターフェイス95とを備えている。CPU91と磁気ディスク94やインターフェイス95等とはバスライン99を介して電気的に接続されている。そして、インターフェイス95にはホスト通信ライン4が接続されている。
【0019】
インラインコントローラ2も通常のコンピュータを用いて構成された制御ユニットであり、その本体部であって演算処理を行うCPU81と、読み出し専用メモリーであるROM82と、読み書き自在のメモリーであるRAM83と、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク84と、外部との間で通信を行うインターフェイス85,86とを備えている。CPU81と磁気ディスク84やインターフェイス85,86等とはバスライン89を介して電気的に接続されている。インターフェイス86は、ホストコンピュータ3と接続するためのインターフェイスであって、ホスト通信ライン4と接続されている。一方、インターフェイス85は、基板処理装置1と接続するためのインターフェイスであって、ローカル通信ライン5a,5bと接続されている。また、磁気ディスク84には、基板処理装置1における処理手順や処理条件を記述したレシピが格納されている。
【0020】
図3は、基板処理装置1の構成を示す平面図である。図4は、図3のV−V線に沿って見た断面図である。なお、図3から図5にはそれらの方向関係を明確にするため必要に応じてZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を付している。この基板処理装置1は、基板にアッシングを行った後、引き続いてその基板に対して洗浄処理を行う装置である。基板処理装置1は、インデクサIDと、洗浄処理部10と、灰化処理部20と、搬送ロボットTRと、反転部50とを備えている。
【0021】
インデクサIDは、複数枚の基板を収納可能なキャリアCを載置するとともに移載ロボットTFを備え、未処理基板を当該キャリアCから取り出して搬送ロボットTRに払い出すとともに処理済基板を搬送ロボットTRから受け取ってキャリアCに収容する。それぞれのキャリアCには、多段の収納溝が刻設されており、それぞれの溝には1枚の基板Wを水平姿勢にて(主面を水平面に沿わせて)収容することができる。従って、各キャリアCには、複数の基板W(例えば25枚)を水平姿勢かつ多段に所定の間隔を隔てて積層した状態にて収納することができる。なお、本実施形態のキャリアCの形態としては、基板Wを密閉空間に収納するFOUP(front opening unified pod)を採用しているが、これに限定されるものではなく、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)であっても良い。
【0022】
各キャリアCの正面側(図中(−X)側)には蓋が設けられており、当該蓋は基板Wの出し入れを行えるように着脱可能とされている。キャリアCの蓋の着脱は、図示を省略するポッドオープナーによって行われる。キャリアCから蓋を取り外すことにより当該蓋部分が基板通過可能な開口部となる。キャリアCに対する基板Wの搬入搬出はこの開口部を介して行われる。なお、キャリアCのインデクサIDへの載置およびインデクサIDからの搬出は、通常AGV(Automatic Guided Vehicle)やOHT(over-head hoist transport)等によって自動的に行うようにしている。
【0023】
移載ロボットTFは、後述する搬送ロボットTR(図5)と類似する構成を備えている。移載ロボットTFが後述の搬送ロボットTRと異なるのは、2本の搬送アーム41a,41bではなくそれらと形状の異なる1本の移載アーム75を備えている点と、ボールネジとガイドレールとからなる図示省略のY軸方向駆動機構を有することによって図3中矢印AR1にて示すようにY軸方向に沿った水平移動が可能である点であり、残余の点については同じである。従って、移載ロボットTFは、移載アーム75を高さ方向に昇降動作させること、Y軸方向に沿って水平移動させること、回転動作させることおよび水平方向に進退移動させることができる。つまり、移載ロボットTFは、移載アーム75を3次元的に移動させることができるのである。
【0024】
このような構成により、移載ロボットTFは、各キャリアCから未処理の基板Wを取り出して搬送ロボットTRに渡すことと、処理済みの基板Wを搬送ロボットTRから受け取っていずれかのキャリアCに収容することができる。
【0025】
洗浄処理部10と灰化処理部20とは搬送ロボットTRが配置された搬送路9を挟んで対向配置されている。また、搬送路9の一端部はインデクサIDと接触し、他端部には反転部50が配置されている。
【0026】
洗浄処理部10は、表面スクラバーSSおよび裏面スクラバーSSRをそれぞれ一つずつ備える。表面スクラバーSSは、基板Wの表面(デバイス面)を上側に向けて水平面内にて基板Wを回転させつつその表面にリンス液(純水)を吐出して洗浄ブラシを当接または近接させることによって表面洗浄処理を行う。表面スクラバーSSは、基板Wの裏面(デバイス面とは反対側の面)を真空吸着するいわゆるバキュームチャックを採用している。
【0027】
一方、裏面スクラバーSSRは、基板Wの裏面を上側に向けて水平面内にて基板Wを回転させつつその裏面にリンス液(純水)を吐出して洗浄ブラシを当接または近接させることによって裏面洗浄処理を行う。裏面スクラバーSSRは、デバイス面を吸着保持することができないため、基板Wの周縁部を把持するいわゆるメカチャックを採用している。
【0028】
図4には裏面スクラバーSSRの一部構成を示している。回転ベース11の上面には複数のピン12が立設されている。ピン12は保持される基板Wの外周に沿って配置されており、図示を省略する開閉機構によって基板Wに対して開閉することができるようにされている。すなわち、ピン12が基板Wの周縁に対して接離するように構成されている。複数のピン12が基板Wの周縁部に接して押圧することにより、当該基板Wは回転ベース11に水平姿勢にて保持される。一方、複数のピン12が基板Wの周縁部から離間した開放姿勢をとることにより、回転ベース11から基板Wを取り出すことが出来るとともに、回転ベース11に新たな基板Wを渡すことができる。
【0029】
回転ベース11は鉛直方向に沿った回転軸を中心として回転自在にモータ13に支持されている。回転ベース11に基板Wを保持させた状態にてモータ13が回転ベース11を回転させることにより基板Wは水平面内にて回転することとなる。
【0030】
また、裏面スクラバーSSRには洗浄ブラシ14と純水吐出ノズル16とが設けられている。純水吐出ノズル16は、図外の純水供給源と連通接続されている。洗浄ブラシ14はブラシアーム15の先端に取り付けられている。ブラシアーム15は図外の駆動機構によって昇降することと、水平面内にて揺動することとが可能とされている。基板Wの裏面洗浄処理を行うときには、基板Wを回転させるとともに、その基板Wの上面(裏面)に純水吐出ノズル16からリンス液として純水を吐出しつつ洗浄ブラシ14を基板Wの裏面に当接または近接させた状態で、ブラシアーム15を揺動させることによって、基板Wの裏面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する。なお、表面スクラバーSSもバキュームチャックを採用している点を除いては裏面スクラバーSSRと同様の構成を有している。なお、表面スクラバーにおいてもいわゆるメカチャックを採用してもかまわない。
【0031】
灰化処理部20は、アッシングユニットASHにクールプレートCPを内蔵させて構成されている。アッシングユニットASHは、プレート21(図4)を内包する処理室と、その処理室内を真空排気する真空システムと、処理室に酸素等の処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、高周波電界を印加してプラズマを形成するプラズマ形成機構とを備えている。このような構成により、アッシングユニットASHは、プレート21上に基板Wを載置した状態でその周辺を真空にして酸素プラズマによりアッシング(灰化処理)を行うことができる。なお、既述したように、アッシングとは有機物であるレジストを酸素プラズマによって気化する処理である。
【0032】
アッシングユニットASHに内蔵されたクールプレートCPは、プレートに載置した基板Wをペルチェ素子または恒温水循環によって所定温度まで冷却する。ここでのクールプレートCPは、アッシングによって昇温した基板Wを洗浄処理可能な温度にまで冷却するためのものである。
【0033】
図4に示すように、本実施形態においては、搬送路9を挟んで洗浄処理部10と灰化処理部20とが同一の高さ位置に対向配置されている。なお、搬送路9、洗浄処理部10および灰化処理部20の下方空間は液配管や電気配線を収納するキャビネットとして機能している。
【0034】
洗浄処理部10と灰化処理部20とに挟み込まれた搬送路9の中央部には搬送ロボットTRが配置されている。図5は、搬送ロボットTRの外観斜視図である。搬送ロボットTRは、伸縮体40の上部に2本の搬送アーム41a,41bを備えたアームステージ45を設けるとともに、伸縮体40によってテレスコピック型の多段入れ子構造を実現している。
【0035】
伸縮体40は、上から順に4つの分割体40a,40b,40c,40dによって構成されている。分割体40aは分割体40bに収容可能であり、分割体40bは分割体40cに収容可能であり、分割体40cは分割体40dに収容可能である。そして、分割体40a〜40dを順次に収納していくことによって伸縮体40は収縮し、逆に分割体40a〜40dを順次に引き出していくことによって伸縮体40は伸張する。すなわち、伸縮体40の収縮時においては、分割体40aが分割体40bに収容され、分割体40bが分割体40cに収容され、分割体40cが分割体40dに収容される。一方、伸縮体40の伸張時においては、分割体40aが分割体40bから引き出され、分割体40bが分割体40cから引き出され、分割体40cが分割体40dから引き出される。
【0036】
伸縮体40の伸縮動作は、その内部に設けられた伸縮昇降機構によって実現される。伸縮昇降機構としては、例えば、ベルトとローラとを複数組み合わせたものをモータによって駆動する機構を採用することができる。搬送ロボットTRは、このような伸縮昇降機構によって搬送アーム41a,41bの昇降動作を行うことができる。
【0037】
また、搬送ロボットTRは、搬送アーム41a,41bの水平進退移動および回転動作を行うこともできる。具体的には、分割体40aの上部にアームステージ45が設けられており、そのアームステージ45によって搬送アーム41a,41bの水平進退移動および回転動作を行う。すなわち、アームステージ45が搬送アーム41a,41bのそれぞれのアームセグメントを屈伸させることにより搬送アーム41a,41bが水平進退移動を行い、アームステージ45自体が伸縮体40に対して回転動作を行うことにより搬送アーム41a,41bが回転動作を行う。
【0038】
従って、搬送ロボットTRは、搬送アーム41a,41bを高さ方向に昇降動作させること、回転動作させることおよび水平方向に進退移動させることができる。つまり、搬送ロボットTRは、搬送アーム41a,41bを3次元的に移動させて洗浄処理部10と灰化処理部20との双方に対して基板Wの搬出入を行うことができる。そして、基板Wを保持した搬送アーム41a,41bが3次元的に移動してインデクサID、洗浄処理部10、灰化処理部20および反転部50の間で基板Wの受け渡しを行うことにより当該基板Wにアッシングおよび洗浄処理を行わせることができる。なお、既述したように、インデクサIDの移載ロボットTFは、アームの形状、個数およびY軸方向に沿って移動可能である点を除いては搬送ロボットTRと同様の構成を有する。
【0039】
搬送路9の端部に配置された反転部50は、2つの反転ユニットREV1,REV2を2段に積層して構成されている。反転ユニットREV1,REV2は、いずれも基板Wの周縁部を把持して基板の上下面を反転させることが可能に構成されている。反転ユニットREV1,REV2は同様の機能を有するものであるが、本実施形態では反転ユニットREV1が基板Wの裏面を上面に向けるために使用され、反転ユニットREV2が基板Wの表面を上面に向けるために使用される。
【0040】
以上のように、本実施形態では、洗浄処理部10および灰化処理部20を1つの基板処理装置1に一体化して組み込んでいる。すなわち、基板処理装置1は従来別個独立した装置であった洗浄装置とプラズマアッシャとを一体化したものである。機械的なハードウェア構成を一体化しても、ソフトウェアの一体化、つまり統合制御ソフトウェアの再構築が困難であることは既述した通りである。このため基板処理装置1では、図2に示すように、洗浄処理部10および灰化処理部20のそれぞれに制御部31,32を設けている。
【0041】
洗浄処理部10の制御部31は基板処理装置1に内蔵されたコンピュータによって構成されており、演算処理を行うためのCPU、メモリ、磁気ディスク等を備えている。制御部31は洗浄処理部10を構成する各機構、例えば裏面スクラバーSSRのモータ13を制御する。また、制御部31はインデクサID、搬送ロボットTRおよび反転部50とも電気的に接続されており、それらの各機構も制御部31によって制御されている。換言すれば、制御部31は、従来の洗浄装置(いわゆるスピンスクラバー)に設けられていた制御ユニットと同じであり、従来の洗浄装置用の制御ソフトウェアを実行することによって機能するものである。
【0042】
一方、灰化処理部20の制御部32も基板処理装置1に内蔵されたコンピュータによって構成されており、演算処理を行うためのCPU、メモリ、磁気ディスク等を備えている。制御部32は灰化処理部20を構成する各機構、例えば上述した真空システムや処理ガス供給機構等を制御する。換言すれば、制御部32は、従来のプラズマアッシャに設けられていた制御ユニットと同じであり、従来のプラズマアッシャ用の制御ソフトウェアを実行することによって機能するものである。
【0043】
洗浄処理部10の制御部31はローカル通信ライン5aを介してインラインコントローラ2と接続されている。また、灰化処理部20の制御部32はローカル通信ライン5bを介してインラインコントローラ2と接続されている。
【0044】
ホストコンピュータ3とインラインコントローラ2とはホスト通信ライン4を介して接続され、ホスト通信ライン4によってホストコンピュータ3とインラインコントローラ2との間でデータ通信が行われる。一方、インラインコントローラ2と基板処理装置1の洗浄処理部10、灰化処理部20とはローカル通信ライン5a,5bを介して接続され、ローカル通信ライン5a,5bによってインラインコントローラ2と洗浄処理部10、灰化処理部20のそれぞれとの間でデータ通信が行われる。
【0045】
以上のようにして、ホストコンピュータ3と基板処理装置1との間にインラインコントローラ2を設けるという本発明にかかる基板処理システムが構成される。次に、上記構成を有する基板処理システムにおける基板処理装置1の処理内容について説明する。ここではまず、半導体等の製造工程の一部について簡単に説明する。図6は、半導体製造工程の一部を示すフローチャートである。図6においては、露光処理以前の工程については省略している。酸化膜の成膜、レジスト塗布、露光処理が終了した基板には、露光された部分(または露光されなかった部分)を現像液で溶かす現像処理が行われる(ステップS1)。現像処理の後、エッチングによってパターン形状に酸化膜を溶かす(ステップS2)。エッチングには、フッ酸等の薬液を使用するウェットエッチングとイオンを使用するドライエッチングとがある。特にドライエッチングは微細回路に適しているが、反応性イオンによってレジストの一部がポリマーに変質して基板に付着するため、ポリマー除去のための洗浄を行うことが多い(ステップS3)。
【0046】
次に、基板のシリコン部分へのイオン注入を行う(ステップS4)。イオン注入後、レジスト膜は不要となるためレジスト剥離処理が行われる。このようなレジスト剥離のための処理がアッシング(ステップS5)である。既述したように、アッシング後の基板にはレジスト膜の残存物質がパーティクルとして付着しているため、アッシング後の基板に対しては洗浄処理を行う(ステップS6)。この後、保護膜の形成等を行い、最終的な製品として仕上げる。
【0047】
以上の製造工程のうち本実施形態の基板処理装置1が行うのはアッシング(ステップS5)および洗浄処理(ステップS6)である。つまり、基板処理装置1は、洗浄処理とその直前の処理工程である灰化処理とを連続して行うものである。
【0048】
次に、基板処理装置1における処理についてさらに説明する。上述したように、基板処理装置1はアッシングとその直後の洗浄処理とを行う装置であり、イオン注入後の不要なレジスト膜が付着したままの基板Wが未処理基板として複数枚キャリアCに収容された状態で基板処理装置1のインデクサIDに搬入される。図7は、基板処理装置1における基板Wの搬送手順の例を示すフローチャートである。また、図8は、基板処理時における上記基板処理システム内のデータ通信の内容を示す図である。
【0049】
図8に示すように、この基板処理システムにおいて基板処理装置1に基板処理を実行させるときには、まずあるロットについて適用するレシピをホストコンピュータ3がインラインコントローラ2に指定する。具体的には、ホストコンピュータ3がインラインコントローラ2にレシピ番号を送信したり新たに作成されたレシピデータそのものを送信したりする。なお、「レシピ」とは基板Wの処理手順および処理条件を記述したものである。また、ホストコンピュータ3からのレシピの指定がホスト通信ライン4を経由したデータ通信によって行われることは勿論である。
【0050】
次に、ホストコンピュータ3によって指定されたレシピに基づいてインラインコントローラ2が洗浄処理部10の制御部31および灰化処理部20の制御部32のそれぞれに指示を与えるとともに、洗浄処理部10と灰化処理部20との同期調整を行う。この内容について図7を参照しつつ説明する。
【0051】
図7(a)に示す例では、インデクサIDの移載ロボットTFがキャリアCから1枚の未処理基板Wを取り出して搬送ロボットTRに渡す。搬送ロボットTRは、インデクサIDから渡された基板Wを灰化処理部20のアッシングユニットASHに搬入する。このときに搬送ロボットTRが基板WをアッシングユニットASHに搬入する旨の報告が洗浄処理部10の制御部31からインラインコントローラ2になされる。その報告を受けたインラインコントローラ2は、灰化処理部20の制御部32にアッシングの開始を指示する。アッシングユニットASHは、プレート21上に枚葉状態で基板Wを載置してアッシングを行う。アッシングが終了すると、灰化処理部20の制御部32からアッシングが完了した旨の報告がインラインコントローラ2になされる。その報告を受けたインラインコントローラ2は、洗浄処理部10の制御部31に搬送ロボットTRによって灰化処理部20内のクールプレートCPに基板を搬送するように指示する。アッシング後の基板はそのまま洗浄するには温度が高すぎるため、搬送ロボットTRによってクールプレートCPに移され、冷却されるのである。
【0052】
その後、灰化処理部20内のクールプレートCPでの基板の冷却処理が完了すると、灰化処理部20の制御部32から基板の冷却処理が完了した旨の報告がインラインコントローラ2になされる。その報告を受けたインラインコントローラ2は、洗浄処理部10の制御部31に搬送ロボットTRによって灰化処理部20内のクールプレートCPから基板を搬出し、反転部50の反転ユニットREV1に搬送するように指示する。この指示を受けて、基板Wは搬送ロボットTRによって灰化処理部20から反転部50の反転ユニットREV1に搬入される。このときに搬送ロボットTRが基板Wを反転部50に搬入する旨の報告が洗浄処理部10の制御部31からインラインコントローラ2になされる。その報告を受けたインラインコントローラ2は、洗浄処理部10の制御部31に洗浄処理の開始を指示する。
【0053】
反転ユニットREV1は基板Wの上下面を反転させて裏面を上面にする。上下反転された基板Wは枚葉状態のまま搬送ロボットTRによって洗浄処理部10の裏面スクラバーSSRに搬入される。裏面スクラバーSSRは、基板Wの裏面のスクラブ洗浄を行う。アッシング時に生じたパーティクルが基板Wの裏面に回り込んで付着することがあり、裏面スクラバーSSRはそのようなパーティクルを除去するのである。
【0054】
裏面洗浄の後、基板Wは搬送ロボットTRによって洗浄処理部10から反転部50の反転ユニットREV2に搬入される。反転ユニットREV2は基板Wの上下面を反転させて表面を上面にする。上下反転された基板Wは枚葉状態のまま搬送ロボットTRによって洗浄処理部10の表面スクラバーSSに搬入される。表面スクラバーSSは、基板Wの表面のスクラブ洗浄を行う。基板Wの表面にはアッシング後の残存物質がパーティクルとして付着しており、表面スクラバーSSはそのようなパーティクルを除去する。
【0055】
表面洗浄の後、基板Wは搬送ロボットTRによって洗浄処理部10から再びインデクサIDに戻される。すなわち、処理済の基板Wは搬送ロボットTRからインデクサIDの移載ロボットTFに渡され、移載ロボットTFがその基板WをキャリアCに収納する。やがて、複数枚の処理済の基板Wが収納されたキャリアCは基板処理装置1のインデクサIDから搬出されることとなる。
【0056】
また、基板処理装置1における基板Wの処理手順は図7(b)のようにしても良い。図7(b)に示す例では、インデクサIDの移載ロボットTFがキャリアCから1枚の未処理基板Wを取り出して搬送ロボットTRに渡す。搬送ロボットTRは、インデクサIDから渡された基板Wを灰化処理部20のアッシングユニットASHに搬入する。このときに搬送ロボットTRが基板WをアッシングユニットASHに搬入する旨の報告が洗浄処理部10の制御部31からインラインコントローラ2になされる。その報告を受けたインラインコントローラ2は、灰化処理部20の制御部32にアッシングの開始を指示する。アッシングユニットASHは、プレート21上に基板Wを載置してアッシングを行う。アッシングが終了すると、灰化処理部20の制御部32からアッシングが完了した旨の報告がインラインコントローラ2になされる。その報告を受けたインラインコントローラ2は、洗浄処理部10の制御部31に搬送ロボットTRによって灰化処理部20内のクールプレートCPに基板を搬送するように指示する。これによってアッシング後の基板Wは搬送ロボットTRによってクールプレートCPに移され、冷却される。
【0057】
その後、灰化処理部20内のクールプレートCPでの基板の冷却処理が完了すると、灰化処理部20の制御部32から基板の冷却処理が完了した旨の報告がインラインコントローラ2になされる。その報告を受けたインラインコントローラ2は、洗浄処理部10の制御部31に搬送ロボットTRによって灰化処理部20内のクールプレートCPから基板を搬出し、洗浄処理部10の表面スクラバーSSに搬送するように指示する。この指示を受けて、枚葉状態の基板Wは搬送ロボットTRによって灰化処理部20から洗浄処理部10の表面スクラバーSSに搬入される。このときに搬送ロボットTRが基板Wを表面スクラバーSSに搬入する旨の報告が洗浄処理部10の制御部31からインラインコントローラ2になされる。その報告を受けたインラインコントローラ2は、洗浄処理部10の制御部31に洗浄処理の開始を指示する。
【0058】
表面スクラバーSSは、基板Wの表面のスクラブ洗浄を行う。表面洗浄の後、基板Wは搬送ロボットTRによって洗浄処理部10から反転部50の反転ユニットREV1に搬入される。反転ユニットREV1は基板Wの上下面を反転させて裏面を上面にする。上下反転された基板Wは枚葉状態のまま搬送ロボットTRによって洗浄処理部10の裏面スクラバーSSRに搬入される。裏面スクラバーSSRは、基板Wの裏面のスクラブ洗浄を行う。
【0059】
その後、基板Wは搬送ロボットTRによって洗浄処理部10から反転部50の反転ユニットREV2に搬入される。反転ユニットREV2は基板Wの上下面を反転させて表面を上面にする。上下反転された基板Wは搬送ロボットTRによって反転ユニットREV2から再びインデクサIDに戻される。すなわち、処理済の基板Wは搬送ロボットTRからインデクサIDの移載ロボットTFに渡され、移載ロボットTFがその基板WをキャリアCに収納する。
【0060】
このようにレシピに従った処理を行うときに、インラインコントローラ2は、基板処理装置1に含まれる処理部のうち灰化処理部20以外の処理部と灰化処理部20との同期調整を行うのである。制御部31,32はインラインコントローラ2の同期調整に従って、それぞれが独自の動作制御、つまり洗浄処理のための動作制御(インデクサID、洗浄処理部10、搬送ロボットTRおよび反転部50の制御)とアッシングのための動作制御(灰化処理部20の制御)とを行う。
【0061】
また、基板Wの処理を行っているときには、制御部31,32がそれぞれ装置情報を取得する。制御部31は、基板処理装置1に含まれる処理部のうち灰化処理部20以外の処理部の装置情報、例えば裏面スクラバーSSRにおける実際の洗浄時間や基板Wの回転数等を取得する。一方、制御部32は灰化処理部20の装置情報、例えば処理室内の真空度や印加電圧を取得する。制御部31,32は、それぞれが取得した装置情報をインラインコントローラ2に伝達する。
【0062】
インラインコントローラ2は、制御部31,32のそれぞれから伝達された装置情報をまとめてホストコンピュータ3に伝達する。ホストコンピュータ3は、インラインコントローラ2から伝達された基板処理装置1に関する装置情報をデータベースとして磁気ディスク94等に格納しておく。すなわち、インラインコントローラ2は、ホストコンピュータ3からの指示を受けて基板処理装置1内の洗浄処理部10、灰化処理部20等を制御するとともに、洗浄処理部10、灰化処理部20等から取得された装置情報をホストコンピュータ3に伝達するのである。
【0063】
以上のように、インラインコントローラ2を設けてこれに灰化処理部20とそれ以外の処理部との同期調整を行わせれば、統合制御ソフトウェアを再構築することなく簡易な構成にて洗浄処理部10と灰化処理部20とを備えた基板処理装置1を運用することができる。
【0064】
また、ホストコンピュータ3とインラインコントローラ2との間は1本のホスト通信ライン4によって接続されているため基板処理装置1に対するホストコンピュータ3側の接続ポートが1つのままであったとしても、インラインコントローラ2を介してホストコンピュータ3と基板処理装置1との間の通信を確保することができる。
【0065】
また、洗浄処理の直前処理工程であるアッシングを行う灰化処理部20から洗浄処理を行う洗浄処理部10の順に共通の搬送ロボットTRによって基板Wを枚葉状態で保持したまま搬送している。このため、装置間搬送に要する無駄時間を無くすことができる。
【0066】
また、アッシング後比較的短時間にて基板Wの洗浄処理が行われることとなるため、アッシング後に残ったパーティクルが基板に強固には付着しておらず、洗浄処理性能を向上させることができる。
【0067】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においてはインラインコントローラ2を基板処理装置1と別体としてホストコンピュータ3と基板処理装置1との間に設けるようにしていたが、インラインコントローラ2を基板処理装置1と一体に設けるようにしても良い。
【0068】
図9は、本発明にかかる基板処理システムの構成の他の例を示す図である。この基板処理システムでは、インラインコントローラ2aを基板処理装置1内に組み込んでいる。すなわち、インラインコントローラ2aと洗浄処理部10、灰化処理部20とを一体化して基板処理装置1内に組み込んでいる。なお、インラインコントローラ2aの機能は上記実施形態のインラインコントローラ2と同じであり、ホスト通信ライン4によってホストコンピュータ3に接続される。但し、インラインコントローラ2aと洗浄処理部10、灰化処理部20等とは装置内配線によって接続されている。従って、インラインコントローラ2aは、基板処理装置1外部のホストコンピュータ3から指示を受けて洗浄処理部10、灰化処理部20等を制御するとともに、洗浄処理部10、灰化処理部20等から取得された装置情報をホストコンピュータ3に伝達する。
【0069】
このようにしても、インラインコントローラ2aによって灰化処理部20とそれ以外の処理部との同期調整を行わせれば、統合制御ソフトウェアを再構築することなく簡易な構成にて洗浄処理部10と灰化処理部20とを備えた基板処理装置1を運用することができる。
【0070】
また、ホストコンピュータ3とインラインコントローラ2aとの間は1本のホスト通信ライン4によって接続されているため基板処理装置1に対するホストコンピュータ3側の接続ポートが1つのままであったとしても、インラインコントローラ2を介してホストコンピュータ3と基板処理装置1との間の通信を確保することができる。
【0071】
また、上記実施形態においては、洗浄処理部10と灰化処理部20とを1つの基板処理装置1に組み込むようにしていたが、洗浄処理は半導体等の製造工程において複数回行うものであり、洗浄処理部10と他の処理部とを1つの装置内に組み込むようにしても良い。例えば、酸化膜の成膜を行う成膜処理部、基板のエッチングを行うエッチング処理部等と洗浄処理部と一体化して1の装置内に組み込むようにしても良い。すなわち、基板の洗浄処理を行う洗浄処理部と、洗浄処理の直前処理工程に該当する処理を行う前処理部とを一体化して1の装置内に組み込み、それらとインラインコントローラ2とをローカル通信ライン5にてそれぞれ接続するようにすれば、上記実施形態と同様に、簡易な構成にて異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置を運用することができる。
【0072】
また、洗浄処理部と洗浄処理の直前処理工程を実行する処理部とを一体化して基板処理装置1に組み込むことに限定されるものではなく、それぞれが基板に連続しない異なる処理を行う複数の処理部を一体化して基板処理装置1に組み込むようにしても良い。例えば、基板処理装置1にレジスト塗布処理を行う塗布処理部と現像処理を行う現像処理部とフォトリソグラフィー工程における基板検査を実行する検査部とを一体化して組み込み、それらとインラインコントローラ2とをローカル通信ライン5にてそれぞれ接続するようにしても良い。このようにしても、上記実施形態と同様に、簡易な構成にて異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置を運用することができる。
【0073】
さらに、上記実施形態においては、洗浄処理部10を洗浄ブラシによって機械的な洗浄を行うスピンスクラバーとしていたが、これに限定されるものではなく、超音波を付与した純水を基板に吹き付けることによって洗浄を行うユニット、高圧の純水を基板に吹き付けることによって洗浄を行うユニット、液相に気相を混合して基板に吹き付けることによって洗浄を行うユニット等によって洗浄処理部を構成するようにしても良い。
【0074】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1の発明によれば、表面洗浄部、裏面洗浄部、反転部および搬送手段を制御する第1制御部と、灰化処理部および冷却処理部を制御する第2制御部と、ホストコンピュータから指示を受けて第1制御部および第2制御部に指示を与える中間コントローラを備えるため、統合制御ソフトウェアを再構築することなく簡易な構成にて表面洗浄部、裏面洗浄部、灰化処理部および冷却処理部を備えた基板処理装置を運用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる基板処理システムの構成の概要を示す図である。
【図2】図1の基板処理システムの構成を示すブロック図である。
【図3】図1の基板処理システムの基板処理装置の構成を示す平面図である。
【図4】図3のV−V線に沿って見た断面図である。
【図5】図3の基板処理装置の搬送ロボットの外観斜視図である。
【図6】半導体製造工程の一部を示すフローチャートである。
【図7】図1の基板処理装置における基板Wの搬送手順の例を示すフローチャートである。
【図8】図1の基板処理システムにおけるデータ通信の内容を示す図である。
【図9】本発明にかかる基板処理システムの構成の他の例を示す図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置
2,2a インラインコントローラ
3 ホストコンピュータ
4 ホスト通信ライン
5 ローカル通信ライン
10 洗浄処理部
20 灰化処理部
50 反転部
ASH アッシングユニット
C キャリア
ID インデクサ
SS 表面スクラバー
SSR 裏面スクラバー
TR 搬送ロボット
W 基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a substrate processing including a plurality of processing units each performing different processing on a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as “substrate”), and the like. The present invention relates to a substrate processing system in which an apparatus and a host computer are connected by a communication line.
[0002]
[Prior art]
Products such as semiconductors and liquid crystal displays are manufactured by performing a series of processes such as cleaning, resist coating, exposure, development, etching, ion implantation, resist stripping, interlayer insulation film formation, and heat treatment on the substrate. Yes. Of these various processes, for example, resist stripping is often performed by a plasma asher that reacts plasmaized gas with the resist and vaporizes and removes the resist. The resist is an organic substance composed of carbon, oxygen, and hydrogen, and the plasma asher removes the resist by ashing (ashing treatment) that chemically reacts this with oxygen plasma.
[0003]
The actual resist contains some impurities such as heavy metals that do not evaporate, and these residual substances adhere to the ashed substrate as particles. For this reason, in general, particles are completely removed by performing a cleaning process on the substrate after ashing.
[0004]
Conventionally, a plurality of unprocessed substrates are carried into a plasma asher while being stored in a carrier, and unprocessed substrates are sequentially taken out from the carrier and subjected to ashing. The ashed substrate is once returned to the original carrier, and is transferred from the plasma asher to the cleaning device in a state where a plurality of ashed substrates are accommodated in the carrier. Then, the cleaning process is sequentially performed on the substrate taken out of the carrier by the cleaning device.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, if the cleaning process from ashing is performed as described above, the carrier is transported from the plasma asher to the cleaning device after storing a plurality of substrates after ashing in the carrier. Time will occur.
[0006]
In addition, if a cleaning process is performed after a certain amount of time has passed after ashing, particles remaining after the ashing are firmly attached to the substrate, so that the cleaning process performance is deteriorated.
[0007]
For this reason, the present inventor is considering an apparatus in which a plasma asher is integrated in a cleaning apparatus, but when two or more kinds of apparatuses that perform different processes in this way are integrated, the apparatus is controlled. Software reconstruction is required. That is, in the past, the cleaning apparatus was operated by dedicated control software for cleaning processing, while the plasma asher was operated by dedicated control software for ashing. When the asher is mounted, it is necessary to reconstruct integrated control software for operating the entire apparatus by disclosing the software information of the plasma asher to the cleaning apparatus side.
[0008]
Further, in recent substrate processing apparatuses for φ300 mm, all the apparatuses are connected to the host computer, and the apparatus information of each apparatus is transmitted to the host computer by the standard, but is provided in the host computer. There is one connection port for each device, and connection to the host computer cannot be made if each device is individually controlled by a device integrated with a plasma asher incorporated in the cleaning device. In order to comply with such a standard, it is necessary to reconstruct the integrated control software.
[0009]
However, there is a problem that it takes a lot of labor and time to reconstruct the new integrated control software by eliminating the dedicated control software for cleaning processing and ashing that has already been proven.
[0010]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing technique capable of operating a substrate processing apparatus including a plurality of processing units that perform different processes with a simple configuration. To do.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention of
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a diagram showing an outline of the configuration of a substrate processing system according to the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the substrate processing system. This substrate processing system is configured by connecting one
[0018]
The
[0019]
The
[0020]
FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the
[0021]
The indexer ID includes a carrier C that can store a plurality of substrates and a transfer robot TF. The indexer ID takes out an unprocessed substrate from the carrier C and pays it out to the transport robot TR. To be accommodated in the carrier C. Each carrier C is provided with a multi-stage storage groove, and a single substrate W can be stored in each groove in a horizontal posture (main surface along a horizontal plane). Accordingly, a plurality of substrates W (for example, 25 sheets) can be stored in each carrier C in a state of being stacked in a horizontal posture at a predetermined interval in multiple stages. In addition, as a form of the carrier C of the present embodiment, a FOUP (front opening unified pod) that accommodates the substrate W in a sealed space is adopted, but the present invention is not limited to this, and SMIF (Standard Mechanical Inter Face) ) OC (open ca) that exposes the pod and storage board W to the open air s sette).
[0022]
A lid is provided on the front side (-X side in the figure) of each carrier C, and the lid is detachable so that the substrate W can be taken in and out. Attachment / detachment of the lid of the carrier C is performed by a pod opener (not shown). By removing the lid from the carrier C, the lid portion becomes an opening through which the substrate can pass. Loading and unloading of the substrate W with respect to the carrier C is performed through this opening. Note that the carrier C is automatically placed on the indexer ID and unloaded from the indexer ID by an automatic AGV (Automatic Guided Vehicle), an OHT (over-head hoist transport), or the like.
[0023]
The transfer robot TF has a configuration similar to a transfer robot TR (FIG. 5) described later. The transfer robot TF is different from the transfer robot TR described later in that the transfer robot TF includes one
[0024]
With such a configuration, the transfer robot TF takes out the unprocessed substrate W from each carrier C and passes it to the transport robot TR, and receives the processed substrate W from the transport robot TR and sends it to any carrier C. Can be accommodated.
[0025]
The
[0026]
The
[0027]
On the other hand, the back surface scrubber SSR rotates the substrate W in a horizontal plane with the back surface of the substrate W facing upward, and discharges rinsing liquid (pure water) to the back surface to bring the cleaning brush into contact with or close to the back surface. Perform a cleaning process. Since the back surface scrubber SSR cannot hold the device surface by suction, a so-called mechanical chuck that grips the peripheral edge of the substrate W is employed.
[0028]
FIG. 4 shows a partial configuration of the back surface scrubber SSR. A plurality of
[0029]
The
[0030]
The back surface scrubber SSR is provided with a cleaning
[0031]
The
[0032]
The cool plate CP built in the ashing unit ASH cools the substrate W placed on the plate to a predetermined temperature by a Peltier element or constant temperature water circulation. The cool plate CP here is for cooling the substrate W, which has been heated by ashing, to a temperature at which cleaning can be performed.
[0033]
As shown in FIG. 4, in the present embodiment, the
[0034]
A transport robot TR is disposed in the center of the
[0035]
The stretchable body 40 is configured by four divided
[0036]
The expansion / contraction operation of the expansion / contraction body 40 is realized by an expansion / contraction lifting mechanism provided therein. For example, a mechanism that drives a combination of a plurality of belts and rollers by a motor can be employed as the expansion / contraction lifting mechanism. The transport robot TR can move the
[0037]
Further, the transfer robot TR can also perform horizontal advance and retreat movements and rotation operations of the
[0038]
Accordingly, the transport robot TR can move the
[0039]
The reversing
[0040]
As described above, in this embodiment, the
[0041]
The
[0042]
On the other hand, the
[0043]
The
[0044]
The
[0045]
As described above, the substrate processing system according to the present invention in which the
[0046]
Next, ion implantation is performed on the silicon portion of the substrate (step S4). After the ion implantation, a resist film is not necessary, so that a resist peeling process is performed. Such processing for resist stripping is ashing (step S5). As described above, since the residual material of the resist film adheres as particles to the ashed substrate, the ashed substrate is subjected to a cleaning process (step S6). Thereafter, a protective film is formed and finished as a final product.
[0047]
Among the above manufacturing processes, the
[0048]
Next, the process in the
[0049]
As shown in FIG. 8, when the
[0050]
Next, the
[0051]
In the example shown in FIG. 7A, the transfer robot TF with the indexer ID takes out one unprocessed substrate W from the carrier C and passes it to the transport robot TR. The transport robot TR carries the substrate W passed from the indexer ID into the ashing unit ASH of the
[0052]
Thereafter, when the cooling process of the substrate by the cool plate CP in the
[0053]
The reversing unit REV1 reverses the upper and lower surfaces of the substrate W so that the back surface is the upper surface. The substrate W turned upside down is carried into the back surface scrubber SSR of the
[0054]
After the back surface cleaning, the substrate W is carried from the
[0055]
After the surface cleaning, the substrate W is returned from the
[0056]
Further, the processing procedure of the substrate W in the
[0057]
Thereafter, when the cooling process of the substrate by the cool plate CP in the
[0058]
The surface scrubber SS performs scrub cleaning on the surface of the substrate W. After the surface cleaning, the substrate W is carried from the
[0059]
Thereafter, the substrate W is carried into the reversing unit REV2 of the reversing
[0060]
Thus, when performing the process according to a recipe, the in-
[0061]
Further, when processing the substrate W, the
[0062]
The
[0063]
As described above, if the
[0064]
Further, since the
[0065]
Further, the substrate W is transported while being held in a single wafer state by the common transport robot TR in the order of the
[0066]
Further, since the cleaning process of the substrate W is performed in a relatively short time after the ashing, the particles remaining after the ashing are not firmly attached to the substrate, and the cleaning process performance can be improved.
[0067]
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples. For example, in the above embodiment, the
[0068]
FIG. 9 is a diagram showing another example of the configuration of the substrate processing system according to the present invention. In this substrate processing system, an
[0069]
Even if it does in this way, if synchronous adjustment with the
[0070]
Further, since the
[0071]
Moreover, in the said embodiment, although the washing |
[0072]
In addition, the cleaning processing unit and the processing unit that executes the processing step immediately before the cleaning processing are not integrated into the
[0073]
Furthermore, in the said embodiment, although the washing |
[0074]
【The invention's effect】
As described above, according to the invention of
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an outline of a configuration of a substrate processing system according to the present invention.
2 is a block diagram showing a configuration of the substrate processing system of FIG. 1. FIG.
3 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus of the substrate processing system of FIG. 1. FIG.
4 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 3. FIG.
5 is an external perspective view of a transfer robot of the substrate processing apparatus of FIG. 3;
FIG. 6 is a flowchart showing a part of a semiconductor manufacturing process.
7 is a flowchart showing an example of a procedure for transporting a substrate W in the substrate processing apparatus of FIG. 1;
FIG. 8 is a diagram showing the contents of data communication in the substrate processing system of FIG. 1;
FIG. 9 is a diagram showing another example of the configuration of the substrate processing system according to the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Substrate processing equipment
2,2a Inline controller
3 Host computer
4 Host communication line
5 Local communication line
10 Cleaning section
20 Ashing treatment department
50 Inversion section
ASH ashing unit
C career
ID indexer
SS surface scrubber
SSR Back side scrubber
TR transfer robot
W substrate
Claims (1)
前記基板処理装置は、
基板の表面を洗浄する表面洗浄部と、
基板の裏面を洗浄する裏面洗浄部と、
洗浄処理の直前処理工程としてレジスト剥離のための灰化処理を行う灰化処理部と、
灰化処理後の基板を冷却する冷却処理部と、
基板の上面を表裏反転させる反転部と、
前記表面洗浄部、前記裏面洗浄部、前記灰化処理部、前記冷却処理部および前記反転部に対して基板の搬出入を行う搬送手段と、
前記表面洗浄部、前記裏面洗浄部、前記反転部および前記搬送手段を制御する第1制御部と、
前記灰化処理部および前記冷却処理部を制御する第2制御部と、を含み、
前記ホストコンピュータから指示を受けて前記第1制御部および前記第2制御部に指示を与える中間コントローラと、
前記中間コントローラと前記ホストコンピュータとを接続し、前記中間コントローラと前記ホストコンピュータとの間でデータ通信を行わせるホスト通信ラインと、
前記中間コントローラと前記第1制御部および前記第2制御部とを個別に接続し、前記中間コントローラと前記第1制御部および前記第2制御部との間でデータ通信を行わせる2本のローカル通信ラインと、
を備えることを特徴とする基板処理システム。A substrate processing system in which a substrate processing apparatus and a host computer for performing a cleaning process on an ashed substrate are connected by a communication line,
The substrate processing apparatus includes:
A surface cleaning section for cleaning the surface of the substrate;
A back surface cleaning section for cleaning the back surface of the substrate;
An ashing treatment unit that performs ashing treatment for resist stripping as a treatment process immediately before the cleaning treatment,
A cooling processing unit for cooling the substrate after ashing,
A reversing unit that reverses the top surface of the substrate, and
Transport means for carrying the substrate in and out of the front surface cleaning unit, the back surface cleaning unit, the ashing processing unit, the cooling processing unit, and the reversing unit;
A first control unit that controls the front surface cleaning unit, the back surface cleaning unit, the reversing unit, and the transport unit;
A second control unit that controls the ashing processing unit and the cooling processing unit,
An intermediate controller that receives instructions from the host computer and gives instructions to the first control unit and the second control unit;
A host communication line for connecting the intermediate controller and the host computer, and performing data communication between the intermediate controller and the host computer;
Two local controllers that individually connect the intermediate controller to the first control unit and the second control unit, and perform data communication between the intermediate controller and the first control unit and the second control unit. A communication line;
A substrate processing system comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002063277A JP4005388B2 (en) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | Substrate processing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002063277A JP4005388B2 (en) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | Substrate processing system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003264165A JP2003264165A (en) | 2003-09-19 |
JP4005388B2 true JP4005388B2 (en) | 2007-11-07 |
Family
ID=29196629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002063277A Expired - Fee Related JP4005388B2 (en) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | Substrate processing system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4005388B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060035475A1 (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-16 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate processing apparatus |
JP2008229830A (en) | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Showa Denko Kk | Manufacturing method of disc-shaped substrate |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08110805A (en) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Kokusai Electric Co Ltd | Control system for multiple process device |
JPH0945610A (en) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treater |
-
2002
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---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060808 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061002 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070306 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070419 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070605 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070726 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070821 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |