JP4005388B2

JP4005388B2 - Substrate processing system

Info

Publication number: JP4005388B2
Application number: JP2002063277A
Authority: JP
Inventors: 正美大谷
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-03-08
Filing date: 2002-03-08
Publication date: 2007-11-07
Anticipated expiration: 2022-03-08
Also published as: JP2003264165A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、それぞれが半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置とホストコンピュータとを通信ラインにて接続した基板処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、イオン注入、レジスト剥離、層間絶縁膜の形成、熱処理などの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これら諸処理のうち、例えばレジスト剥離はプラズマ化したガスとレジストを反応させ、レジストを気化させて取り除くプラズマアッシャによって行われることが多い。レジストは炭素、酸素、水素からなる有機物質であって、プラズマアッシャはこれと酸素プラズマとを化学反応させるアッシング（灰化処理）によってレジスト除去を行う。
【０００３】
実際のレジストには重金属などの気化しない不純物も多少含まれており、アッシング後の基板にはこれらの残存物質がパーティクルとして付着している。このため、一般にはアッシング後の基板に対して洗浄処理を行うことにより、パーティクルを完全に除去している。
【０００４】
従来より、プラズマアッシャには複数の未処理基板がキャリアに収納された状態で搬入され、そのキャリアから未処理基板が順次に取り出されてアッシングが行われる。アッシングが施された基板は一旦元のキャリアに戻され、該キャリアに複数のアッシング後の基板が収納された状態でプラズマアッシャから洗浄装置に搬送される。そして、洗浄装置にてキャリアから取り出された基板に順次に洗浄処理が行われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、以上のようにしてアッシングから洗浄処理を行うと一旦キャリアに複数枚のアッシング後基板を収納した後にそのキャリアをプラズマアッシャから洗浄装置に搬送することとなるため、装置間搬送のための無駄な時間が生じることとなる。
【０００６】
また、アッシングの後にある程度時間が経過してから洗浄処理を行うと、アッシング後に残ったパーティクルが基板に強固に付着することとなるため、洗浄処理性能が低下することにもなる。
【０００７】
このため、本発明者は洗浄装置にプラズマアッシャを組み込んで一体化した装置を検討しているが、このように異なる処理を行う２種類以上の装置を一体化した場合、装置を制御するためのソフトウェアの再構築が必要となる。すなわち、従来においては、洗浄装置は洗浄処理のための専用の制御ソフトウェアによって運用されている一方でプラズマアッシャはアッシングのための専用の制御ソフトウェアによって運用されていたのであるが、例えば洗浄装置にプラズマアッシャを搭載する場合には、洗浄装置側にプラズマアッシャのソフト情報を開示して一体化した装置全体を運用するための統合制御ソフトウェアを再構築する必要があった。
【０００８】
また、最近のφ３００ｍｍ対応の基板処理装置においては、全ての装置をホストコンピュータに接続し、各装置の装置情報をホストコンピュータに伝達することが規格によって義務付けられているが、ホストコンピュータに設けられている接続ポートは各装置に対して１つずつであり、洗浄装置にプラズマアッシャを組み込んで一体化した装置にてそれぞれを個別に制御していたのではホストコンピュータとの接続が出来ない。このような規格に対応するためにも統合制御ソフトウェアを再構築する必要がある。
【０００９】
ところが、既に実績のある洗浄処理用およびアッシングのための専用の制御ソフトウェアを廃止して新たな統合制御ソフトウェアの再構築には多大な労力と時間を要するという問題がある。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡易な構成にて異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置を運用することができる基板処理技術を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、灰化処理が行われた基板に対して洗浄処理を行う基板処理装置とホストコンピュータとを通信ラインにて接続した基板処理システムにおいて、前記基板処理装置に、基板の表面を洗浄する表面洗浄部と、基板の裏面を洗浄する裏面洗浄部と、洗浄処理の直前処理工程としてレジスト剥離のための灰化処理を行う灰化処理部と、灰化処理後の基板を冷却する冷却処理部と、基板の上面を表裏反転させる反転部と、前記表面洗浄部、前記裏面洗浄部、前記灰化処理部、前記冷却処理部および前記反転部に対して基板の搬出入を行う搬送手段と、前記表面洗浄部、前記裏面洗浄部、前記反転部および前記搬送手段を制御する第１制御部と、前記灰化処理部および前記冷却処理部を制御する第２制御部と、を含ませ、前記ホストコンピュータから指示を受けて前記第１制御部および前記第２制御部に指示を与える中間コントローラと、前記中間コントローラと前記ホストコンピュータとを接続し、前記中間コントローラと前記ホストコンピュータとの間でデータ通信を行わせるホスト通信ラインと、前記中間コントローラと前記第１制御部および前記第２制御部とを個別に接続し、前記中間コントローラと前記第１制御部および前記第２制御部との間でデータ通信を行わせる２本のローカル通信ラインと、を備える。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明にかかる基板処理システムの構成の概要を示す図である。また、図２はこの基板処理システムの構成を示すブロック図である。この基板処理システムは、１台のホストコンピュータ３と３台の基板処理装置１とを通信ラインにて接続して構成されている。そして、ホストコンピュータ（ＨＯＳＴ）３とそれぞれの基板処理装置１との間にはインラインコントローラ（ＩＬＣ）２が設けられている。ホストコンピュータ３とインラインコントローラ２とはホスト通信ライン４によって接続されている。また、インラインコントローラ２と基板処理装置１とはローカル通信ライン５によって接続されており、より正確にはローカル通信ライン５ａによって基板処理装置１の洗浄処理部１０とインラインコントローラ２とが接続され、ローカル通信ライン５ｂによって基板処理装置１の灰化処理部２０とインラインコントローラ２とが接続されている。なお、図１においては、ホストコンピュータ３に３台の基板処理装置１を接続しているが、ホストコンピュータ３に接続する基板処理装置１の数は任意である。また、ローカル通信ライン５ａ，５ｂを特に区別する必要のないときは、単にローカル通信ライン５と記載する。
【００１８】
ホストコンピュータ３は、通常のコンピュータを用いて構成されており、その本体部であって演算処理を行うＣＰＵ９１と、読み出し専用メモリーであるＲＯＭ９２と、読み書き自在のメモリーであるＲＡＭ９３と、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク９４と、外部との間で通信を行うインターフェイス９５とを備えている。ＣＰＵ９１と磁気ディスク９４やインターフェイス９５等とはバスライン９９を介して電気的に接続されている。そして、インターフェイス９５にはホスト通信ライン４が接続されている。
【００１９】
インラインコントローラ２も通常のコンピュータを用いて構成された制御ユニットであり、その本体部であって演算処理を行うＣＰＵ８１と、読み出し専用メモリーであるＲＯＭ８２と、読み書き自在のメモリーであるＲＡＭ８３と、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク８４と、外部との間で通信を行うインターフェイス８５，８６とを備えている。ＣＰＵ８１と磁気ディスク８４やインターフェイス８５，８６等とはバスライン８９を介して電気的に接続されている。インターフェイス８６は、ホストコンピュータ３と接続するためのインターフェイスであって、ホスト通信ライン４と接続されている。一方、インターフェイス８５は、基板処理装置１と接続するためのインターフェイスであって、ローカル通信ライン５ａ，５ｂと接続されている。また、磁気ディスク８４には、基板処理装置１における処理手順や処理条件を記述したレシピが格納されている。
【００２０】
図３は、基板処理装置１の構成を示す平面図である。図４は、図３のＶ−Ｖ線に沿って見た断面図である。なお、図３から図５にはそれらの方向関係を明確にするため必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。この基板処理装置１は、基板にアッシングを行った後、引き続いてその基板に対して洗浄処理を行う装置である。基板処理装置１は、インデクサＩＤと、洗浄処理部１０と、灰化処理部２０と、搬送ロボットＴＲと、反転部５０とを備えている。
【００２１】
インデクサＩＤは、複数枚の基板を収納可能なキャリアＣを載置するとともに移載ロボットＴＦを備え、未処理基板を当該キャリアＣから取り出して搬送ロボットＴＲに払い出すとともに処理済基板を搬送ロボットＴＲから受け取ってキャリアＣに収容する。それぞれのキャリアＣには、多段の収納溝が刻設されており、それぞれの溝には１枚の基板Ｗを水平姿勢にて（主面を水平面に沿わせて）収容することができる。従って、各キャリアＣには、複数の基板Ｗ（例えば２５枚）を水平姿勢かつ多段に所定の間隔を隔てて積層した状態にて収納することができる。なお、本実施形態のキャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)を採用しているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。
【００２２】
各キャリアＣの正面側（図中（−Ｘ）側）には蓋が設けられており、当該蓋は基板Ｗの出し入れを行えるように着脱可能とされている。キャリアＣの蓋の着脱は、図示を省略するポッドオープナーによって行われる。キャリアＣから蓋を取り外すことにより当該蓋部分が基板通過可能な開口部となる。キャリアＣに対する基板Ｗの搬入搬出はこの開口部を介して行われる。なお、キャリアＣのインデクサＩＤへの載置およびインデクサＩＤからの搬出は、通常ＡＧＶ(Automatic Guided Vehicle)やＯＨＴ(over-head hoist transport)等によって自動的に行うようにしている。
【００２３】
移載ロボットＴＦは、後述する搬送ロボットＴＲ（図５）と類似する構成を備えている。移載ロボットＴＦが後述の搬送ロボットＴＲと異なるのは、２本の搬送アーム４１ａ，４１ｂではなくそれらと形状の異なる１本の移載アーム７５を備えている点と、ボールネジとガイドレールとからなる図示省略のＹ軸方向駆動機構を有することによって図３中矢印ＡＲ１にて示すようにＹ軸方向に沿った水平移動が可能である点であり、残余の点については同じである。従って、移載ロボットＴＦは、移載アーム７５を高さ方向に昇降動作させること、Ｙ軸方向に沿って水平移動させること、回転動作させることおよび水平方向に進退移動させることができる。つまり、移載ロボットＴＦは、移載アーム７５を３次元的に移動させることができるのである。
【００２４】
このような構成により、移載ロボットＴＦは、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出して搬送ロボットＴＲに渡すことと、処理済みの基板Ｗを搬送ロボットＴＲから受け取っていずれかのキャリアＣに収容することができる。
【００２５】
洗浄処理部１０と灰化処理部２０とは搬送ロボットＴＲが配置された搬送路９を挟んで対向配置されている。また、搬送路９の一端部はインデクサＩＤと接触し、他端部には反転部５０が配置されている。
【００２６】
洗浄処理部１０は、表面スクラバーＳＳおよび裏面スクラバーＳＳＲをそれぞれ一つずつ備える。表面スクラバーＳＳは、基板Ｗの表面（デバイス面）を上側に向けて水平面内にて基板Ｗを回転させつつその表面にリンス液（純水）を吐出して洗浄ブラシを当接または近接させることによって表面洗浄処理を行う。表面スクラバーＳＳは、基板Ｗの裏面（デバイス面とは反対側の面）を真空吸着するいわゆるバキュームチャックを採用している。
【００２７】
一方、裏面スクラバーＳＳＲは、基板Ｗの裏面を上側に向けて水平面内にて基板Ｗを回転させつつその裏面にリンス液（純水）を吐出して洗浄ブラシを当接または近接させることによって裏面洗浄処理を行う。裏面スクラバーＳＳＲは、デバイス面を吸着保持することができないため、基板Ｗの周縁部を把持するいわゆるメカチャックを採用している。
【００２８】
図４には裏面スクラバーＳＳＲの一部構成を示している。回転ベース１１の上面には複数のピン１２が立設されている。ピン１２は保持される基板Ｗの外周に沿って配置されており、図示を省略する開閉機構によって基板Ｗに対して開閉することができるようにされている。すなわち、ピン１２が基板Ｗの周縁に対して接離するように構成されている。複数のピン１２が基板Ｗの周縁部に接して押圧することにより、当該基板Ｗは回転ベース１１に水平姿勢にて保持される。一方、複数のピン１２が基板Ｗの周縁部から離間した開放姿勢をとることにより、回転ベース１１から基板Ｗを取り出すことが出来るとともに、回転ベース１１に新たな基板Ｗを渡すことができる。
【００２９】
回転ベース１１は鉛直方向に沿った回転軸を中心として回転自在にモータ１３に支持されている。回転ベース１１に基板Ｗを保持させた状態にてモータ１３が回転ベース１１を回転させることにより基板Ｗは水平面内にて回転することとなる。
【００３０】
また、裏面スクラバーＳＳＲには洗浄ブラシ１４と純水吐出ノズル１６とが設けられている。純水吐出ノズル１６は、図外の純水供給源と連通接続されている。洗浄ブラシ１４はブラシアーム１５の先端に取り付けられている。ブラシアーム１５は図外の駆動機構によって昇降することと、水平面内にて揺動することとが可能とされている。基板Ｗの裏面洗浄処理を行うときには、基板Ｗを回転させるとともに、その基板Ｗの上面（裏面）に純水吐出ノズル１６からリンス液として純水を吐出しつつ洗浄ブラシ１４を基板Ｗの裏面に当接または近接させた状態で、ブラシアーム１５を揺動させることによって、基板Ｗの裏面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する。なお、表面スクラバーＳＳもバキュームチャックを採用している点を除いては裏面スクラバーＳＳＲと同様の構成を有している。なお、表面スクラバーにおいてもいわゆるメカチャックを採用してもかまわない。
【００３１】
灰化処理部２０は、アッシングユニットＡＳＨにクールプレートＣＰを内蔵させて構成されている。アッシングユニットＡＳＨは、プレート２１（図４）を内包する処理室と、その処理室内を真空排気する真空システムと、処理室に酸素等の処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、高周波電界を印加してプラズマを形成するプラズマ形成機構とを備えている。このような構成により、アッシングユニットＡＳＨは、プレート２１上に基板Ｗを載置した状態でその周辺を真空にして酸素プラズマによりアッシング（灰化処理）を行うことができる。なお、既述したように、アッシングとは有機物であるレジストを酸素プラズマによって気化する処理である。
【００３２】
アッシングユニットＡＳＨに内蔵されたクールプレートＣＰは、プレートに載置した基板Ｗをペルチェ素子または恒温水循環によって所定温度まで冷却する。ここでのクールプレートＣＰは、アッシングによって昇温した基板Ｗを洗浄処理可能な温度にまで冷却するためのものである。
【００３３】
図４に示すように、本実施形態においては、搬送路９を挟んで洗浄処理部１０と灰化処理部２０とが同一の高さ位置に対向配置されている。なお、搬送路９、洗浄処理部１０および灰化処理部２０の下方空間は液配管や電気配線を収納するキャビネットとして機能している。
【００３４】
洗浄処理部１０と灰化処理部２０とに挟み込まれた搬送路９の中央部には搬送ロボットＴＲが配置されている。図５は、搬送ロボットＴＲの外観斜視図である。搬送ロボットＴＲは、伸縮体４０の上部に２本の搬送アーム４１ａ，４１ｂを備えたアームステージ４５を設けるとともに、伸縮体４０によってテレスコピック型の多段入れ子構造を実現している。
【００３５】
伸縮体４０は、上から順に４つの分割体４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄによって構成されている。分割体４０ａは分割体４０ｂに収容可能であり、分割体４０ｂは分割体４０ｃに収容可能であり、分割体４０ｃは分割体４０ｄに収容可能である。そして、分割体４０ａ〜４０ｄを順次に収納していくことによって伸縮体４０は収縮し、逆に分割体４０ａ〜４０ｄを順次に引き出していくことによって伸縮体４０は伸張する。すなわち、伸縮体４０の収縮時においては、分割体４０ａが分割体４０ｂに収容され、分割体４０ｂが分割体４０ｃに収容され、分割体４０ｃが分割体４０ｄに収容される。一方、伸縮体４０の伸張時においては、分割体４０ａが分割体４０ｂから引き出され、分割体４０ｂが分割体４０ｃから引き出され、分割体４０ｃが分割体４０ｄから引き出される。
【００３６】
伸縮体４０の伸縮動作は、その内部に設けられた伸縮昇降機構によって実現される。伸縮昇降機構としては、例えば、ベルトとローラとを複数組み合わせたものをモータによって駆動する機構を採用することができる。搬送ロボットＴＲは、このような伸縮昇降機構によって搬送アーム４１ａ，４１ｂの昇降動作を行うことができる。
【００３７】
また、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム４１ａ，４１ｂの水平進退移動および回転動作を行うこともできる。具体的には、分割体４０ａの上部にアームステージ４５が設けられており、そのアームステージ４５によって搬送アーム４１ａ，４１ｂの水平進退移動および回転動作を行う。すなわち、アームステージ４５が搬送アーム４１ａ，４１ｂのそれぞれのアームセグメントを屈伸させることにより搬送アーム４１ａ，４１ｂが水平進退移動を行い、アームステージ４５自体が伸縮体４０に対して回転動作を行うことにより搬送アーム４１ａ，４１ｂが回転動作を行う。
【００３８】
従って、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム４１ａ，４１ｂを高さ方向に昇降動作させること、回転動作させることおよび水平方向に進退移動させることができる。つまり、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム４１ａ，４１ｂを３次元的に移動させて洗浄処理部１０と灰化処理部２０との双方に対して基板Ｗの搬出入を行うことができる。そして、基板Ｗを保持した搬送アーム４１ａ，４１ｂが３次元的に移動してインデクサＩＤ、洗浄処理部１０、灰化処理部２０および反転部５０の間で基板Ｗの受け渡しを行うことにより当該基板Ｗにアッシングおよび洗浄処理を行わせることができる。なお、既述したように、インデクサＩＤの移載ロボットＴＦは、アームの形状、個数およびＹ軸方向に沿って移動可能である点を除いては搬送ロボットＴＲと同様の構成を有する。
【００３９】
搬送路９の端部に配置された反転部５０は、２つの反転ユニットＲＥＶ１，ＲＥＶ２を２段に積層して構成されている。反転ユニットＲＥＶ１，ＲＥＶ２は、いずれも基板Ｗの周縁部を把持して基板の上下面を反転させることが可能に構成されている。反転ユニットＲＥＶ１，ＲＥＶ２は同様の機能を有するものであるが、本実施形態では反転ユニットＲＥＶ１が基板Ｗの裏面を上面に向けるために使用され、反転ユニットＲＥＶ２が基板Ｗの表面を上面に向けるために使用される。
【００４０】
以上のように、本実施形態では、洗浄処理部１０および灰化処理部２０を１つの基板処理装置１に一体化して組み込んでいる。すなわち、基板処理装置１は従来別個独立した装置であった洗浄装置とプラズマアッシャとを一体化したものである。機械的なハードウェア構成を一体化しても、ソフトウェアの一体化、つまり統合制御ソフトウェアの再構築が困難であることは既述した通りである。このため基板処理装置１では、図２に示すように、洗浄処理部１０および灰化処理部２０のそれぞれに制御部３１，３２を設けている。
【００４１】
洗浄処理部１０の制御部３１は基板処理装置１に内蔵されたコンピュータによって構成されており、演算処理を行うためのＣＰＵ、メモリ、磁気ディスク等を備えている。制御部３１は洗浄処理部１０を構成する各機構、例えば裏面スクラバーＳＳＲのモータ１３を制御する。また、制御部３１はインデクサＩＤ、搬送ロボットＴＲおよび反転部５０とも電気的に接続されており、それらの各機構も制御部３１によって制御されている。換言すれば、制御部３１は、従来の洗浄装置（いわゆるスピンスクラバー）に設けられていた制御ユニットと同じであり、従来の洗浄装置用の制御ソフトウェアを実行することによって機能するものである。
【００４２】
一方、灰化処理部２０の制御部３２も基板処理装置１に内蔵されたコンピュータによって構成されており、演算処理を行うためのＣＰＵ、メモリ、磁気ディスク等を備えている。制御部３２は灰化処理部２０を構成する各機構、例えば上述した真空システムや処理ガス供給機構等を制御する。換言すれば、制御部３２は、従来のプラズマアッシャに設けられていた制御ユニットと同じであり、従来のプラズマアッシャ用の制御ソフトウェアを実行することによって機能するものである。
【００４３】
洗浄処理部１０の制御部３１はローカル通信ライン５ａを介してインラインコントローラ２と接続されている。また、灰化処理部２０の制御部３２はローカル通信ライン５ｂを介してインラインコントローラ２と接続されている。
【００４４】
ホストコンピュータ３とインラインコントローラ２とはホスト通信ライン４を介して接続され、ホスト通信ライン４によってホストコンピュータ３とインラインコントローラ２との間でデータ通信が行われる。一方、インラインコントローラ２と基板処理装置１の洗浄処理部１０、灰化処理部２０とはローカル通信ライン５ａ，５ｂを介して接続され、ローカル通信ライン５ａ，５ｂによってインラインコントローラ２と洗浄処理部１０、灰化処理部２０のそれぞれとの間でデータ通信が行われる。
【００４５】
以上のようにして、ホストコンピュータ３と基板処理装置１との間にインラインコントローラ２を設けるという本発明にかかる基板処理システムが構成される。次に、上記構成を有する基板処理システムにおける基板処理装置１の処理内容について説明する。ここではまず、半導体等の製造工程の一部について簡単に説明する。図６は、半導体製造工程の一部を示すフローチャートである。図６においては、露光処理以前の工程については省略している。酸化膜の成膜、レジスト塗布、露光処理が終了した基板には、露光された部分（または露光されなかった部分）を現像液で溶かす現像処理が行われる（ステップＳ１）。現像処理の後、エッチングによってパターン形状に酸化膜を溶かす（ステップＳ２）。エッチングには、フッ酸等の薬液を使用するウェットエッチングとイオンを使用するドライエッチングとがある。特にドライエッチングは微細回路に適しているが、反応性イオンによってレジストの一部がポリマーに変質して基板に付着するため、ポリマー除去のための洗浄を行うことが多い（ステップＳ３）。
【００４６】
次に、基板のシリコン部分へのイオン注入を行う（ステップＳ４）。イオン注入後、レジスト膜は不要となるためレジスト剥離処理が行われる。このようなレジスト剥離のための処理がアッシング（ステップＳ５）である。既述したように、アッシング後の基板にはレジスト膜の残存物質がパーティクルとして付着しているため、アッシング後の基板に対しては洗浄処理を行う（ステップＳ６）。この後、保護膜の形成等を行い、最終的な製品として仕上げる。
【００４７】
以上の製造工程のうち本実施形態の基板処理装置１が行うのはアッシング（ステップＳ５）および洗浄処理（ステップＳ６）である。つまり、基板処理装置１は、洗浄処理とその直前の処理工程である灰化処理とを連続して行うものである。
【００４８】
次に、基板処理装置１における処理についてさらに説明する。上述したように、基板処理装置１はアッシングとその直後の洗浄処理とを行う装置であり、イオン注入後の不要なレジスト膜が付着したままの基板Ｗが未処理基板として複数枚キャリアＣに収容された状態で基板処理装置１のインデクサＩＤに搬入される。図７は、基板処理装置１における基板Ｗの搬送手順の例を示すフローチャートである。また、図８は、基板処理時における上記基板処理システム内のデータ通信の内容を示す図である。
【００４９】
図８に示すように、この基板処理システムにおいて基板処理装置１に基板処理を実行させるときには、まずあるロットについて適用するレシピをホストコンピュータ３がインラインコントローラ２に指定する。具体的には、ホストコンピュータ３がインラインコントローラ２にレシピ番号を送信したり新たに作成されたレシピデータそのものを送信したりする。なお、「レシピ」とは基板Ｗの処理手順および処理条件を記述したものである。また、ホストコンピュータ３からのレシピの指定がホスト通信ライン４を経由したデータ通信によって行われることは勿論である。
【００５０】
次に、ホストコンピュータ３によって指定されたレシピに基づいてインラインコントローラ２が洗浄処理部１０の制御部３１および灰化処理部２０の制御部３２のそれぞれに指示を与えるとともに、洗浄処理部１０と灰化処理部２０との同期調整を行う。この内容について図７を参照しつつ説明する。
【００５１】
図７（ａ）に示す例では、インデクサＩＤの移載ロボットＴＦがキャリアＣから１枚の未処理基板Ｗを取り出して搬送ロボットＴＲに渡す。搬送ロボットＴＲは、インデクサＩＤから渡された基板Ｗを灰化処理部２０のアッシングユニットＡＳＨに搬入する。このときに搬送ロボットＴＲが基板ＷをアッシングユニットＡＳＨに搬入する旨の報告が洗浄処理部１０の制御部３１からインラインコントローラ２になされる。その報告を受けたインラインコントローラ２は、灰化処理部２０の制御部３２にアッシングの開始を指示する。アッシングユニットＡＳＨは、プレート２１上に枚葉状態で基板Ｗを載置してアッシングを行う。アッシングが終了すると、灰化処理部２０の制御部３２からアッシングが完了した旨の報告がインラインコントローラ２になされる。その報告を受けたインラインコントローラ２は、洗浄処理部１０の制御部３１に搬送ロボットＴＲによって灰化処理部２０内のクールプレートＣＰに基板を搬送するように指示する。アッシング後の基板はそのまま洗浄するには温度が高すぎるため、搬送ロボットＴＲによってクールプレートＣＰに移され、冷却されるのである。
【００５２】
その後、灰化処理部２０内のクールプレートＣＰでの基板の冷却処理が完了すると、灰化処理部２０の制御部３２から基板の冷却処理が完了した旨の報告がインラインコントローラ２になされる。その報告を受けたインラインコントローラ２は、洗浄処理部１０の制御部３１に搬送ロボットＴＲによって灰化処理部２０内のクールプレートＣＰから基板を搬出し、反転部５０の反転ユニットＲＥＶ１に搬送するように指示する。この指示を受けて、基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって灰化処理部２０から反転部５０の反転ユニットＲＥＶ１に搬入される。このときに搬送ロボットＴＲが基板Ｗを反転部５０に搬入する旨の報告が洗浄処理部１０の制御部３１からインラインコントローラ２になされる。その報告を受けたインラインコントローラ２は、洗浄処理部１０の制御部３１に洗浄処理の開始を指示する。
【００５３】
反転ユニットＲＥＶ１は基板Ｗの上下面を反転させて裏面を上面にする。上下反転された基板Ｗは枚葉状態のまま搬送ロボットＴＲによって洗浄処理部１０の裏面スクラバーＳＳＲに搬入される。裏面スクラバーＳＳＲは、基板Ｗの裏面のスクラブ洗浄を行う。アッシング時に生じたパーティクルが基板Ｗの裏面に回り込んで付着することがあり、裏面スクラバーＳＳＲはそのようなパーティクルを除去するのである。
【００５４】
裏面洗浄の後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって洗浄処理部１０から反転部５０の反転ユニットＲＥＶ２に搬入される。反転ユニットＲＥＶ２は基板Ｗの上下面を反転させて表面を上面にする。上下反転された基板Ｗは枚葉状態のまま搬送ロボットＴＲによって洗浄処理部１０の表面スクラバーＳＳに搬入される。表面スクラバーＳＳは、基板Ｗの表面のスクラブ洗浄を行う。基板Ｗの表面にはアッシング後の残存物質がパーティクルとして付着しており、表面スクラバーＳＳはそのようなパーティクルを除去する。
【００５５】
表面洗浄の後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって洗浄処理部１０から再びインデクサＩＤに戻される。すなわち、処理済の基板Ｗは搬送ロボットＴＲからインデクサＩＤの移載ロボットＴＦに渡され、移載ロボットＴＦがその基板ＷをキャリアＣに収納する。やがて、複数枚の処理済の基板Ｗが収納されたキャリアＣは基板処理装置１のインデクサＩＤから搬出されることとなる。
【００５６】
また、基板処理装置１における基板Ｗの処理手順は図７（ｂ）のようにしても良い。図７（ｂ）に示す例では、インデクサＩＤの移載ロボットＴＦがキャリアＣから１枚の未処理基板Ｗを取り出して搬送ロボットＴＲに渡す。搬送ロボットＴＲは、インデクサＩＤから渡された基板Ｗを灰化処理部２０のアッシングユニットＡＳＨに搬入する。このときに搬送ロボットＴＲが基板ＷをアッシングユニットＡＳＨに搬入する旨の報告が洗浄処理部１０の制御部３１からインラインコントローラ２になされる。その報告を受けたインラインコントローラ２は、灰化処理部２０の制御部３２にアッシングの開始を指示する。アッシングユニットＡＳＨは、プレート２１上に基板Ｗを載置してアッシングを行う。アッシングが終了すると、灰化処理部２０の制御部３２からアッシングが完了した旨の報告がインラインコントローラ２になされる。その報告を受けたインラインコントローラ２は、洗浄処理部１０の制御部３１に搬送ロボットＴＲによって灰化処理部２０内のクールプレートＣＰに基板を搬送するように指示する。これによってアッシング後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲによってクールプレートＣＰに移され、冷却される。
【００５７】
その後、灰化処理部２０内のクールプレートＣＰでの基板の冷却処理が完了すると、灰化処理部２０の制御部３２から基板の冷却処理が完了した旨の報告がインラインコントローラ２になされる。その報告を受けたインラインコントローラ２は、洗浄処理部１０の制御部３１に搬送ロボットＴＲによって灰化処理部２０内のクールプレートＣＰから基板を搬出し、洗浄処理部１０の表面スクラバーＳＳに搬送するように指示する。この指示を受けて、枚葉状態の基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって灰化処理部２０から洗浄処理部１０の表面スクラバーＳＳに搬入される。このときに搬送ロボットＴＲが基板Ｗを表面スクラバーＳＳに搬入する旨の報告が洗浄処理部１０の制御部３１からインラインコントローラ２になされる。その報告を受けたインラインコントローラ２は、洗浄処理部１０の制御部３１に洗浄処理の開始を指示する。
【００５８】
表面スクラバーＳＳは、基板Ｗの表面のスクラブ洗浄を行う。表面洗浄の後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって洗浄処理部１０から反転部５０の反転ユニットＲＥＶ１に搬入される。反転ユニットＲＥＶ１は基板Ｗの上下面を反転させて裏面を上面にする。上下反転された基板Ｗは枚葉状態のまま搬送ロボットＴＲによって洗浄処理部１０の裏面スクラバーＳＳＲに搬入される。裏面スクラバーＳＳＲは、基板Ｗの裏面のスクラブ洗浄を行う。
【００５９】
その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって洗浄処理部１０から反転部５０の反転ユニットＲＥＶ２に搬入される。反転ユニットＲＥＶ２は基板Ｗの上下面を反転させて表面を上面にする。上下反転された基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって反転ユニットＲＥＶ２から再びインデクサＩＤに戻される。すなわち、処理済の基板Ｗは搬送ロボットＴＲからインデクサＩＤの移載ロボットＴＦに渡され、移載ロボットＴＦがその基板ＷをキャリアＣに収納する。
【００６０】
このようにレシピに従った処理を行うときに、インラインコントローラ２は、基板処理装置１に含まれる処理部のうち灰化処理部２０以外の処理部と灰化処理部２０との同期調整を行うのである。制御部３１，３２はインラインコントローラ２の同期調整に従って、それぞれが独自の動作制御、つまり洗浄処理のための動作制御（インデクサＩＤ、洗浄処理部１０、搬送ロボットＴＲおよび反転部５０の制御）とアッシングのための動作制御（灰化処理部２０の制御）とを行う。
【００６１】
また、基板Ｗの処理を行っているときには、制御部３１，３２がそれぞれ装置情報を取得する。制御部３１は、基板処理装置１に含まれる処理部のうち灰化処理部２０以外の処理部の装置情報、例えば裏面スクラバーＳＳＲにおける実際の洗浄時間や基板Ｗの回転数等を取得する。一方、制御部３２は灰化処理部２０の装置情報、例えば処理室内の真空度や印加電圧を取得する。制御部３１，３２は、それぞれが取得した装置情報をインラインコントローラ２に伝達する。
【００６２】
インラインコントローラ２は、制御部３１，３２のそれぞれから伝達された装置情報をまとめてホストコンピュータ３に伝達する。ホストコンピュータ３は、インラインコントローラ２から伝達された基板処理装置１に関する装置情報をデータベースとして磁気ディスク９４等に格納しておく。すなわち、インラインコントローラ２は、ホストコンピュータ３からの指示を受けて基板処理装置１内の洗浄処理部１０、灰化処理部２０等を制御するとともに、洗浄処理部１０、灰化処理部２０等から取得された装置情報をホストコンピュータ３に伝達するのである。
【００６３】
以上のように、インラインコントローラ２を設けてこれに灰化処理部２０とそれ以外の処理部との同期調整を行わせれば、統合制御ソフトウェアを再構築することなく簡易な構成にて洗浄処理部１０と灰化処理部２０とを備えた基板処理装置１を運用することができる。
【００６４】
また、ホストコンピュータ３とインラインコントローラ２との間は１本のホスト通信ライン４によって接続されているため基板処理装置１に対するホストコンピュータ３側の接続ポートが１つのままであったとしても、インラインコントローラ２を介してホストコンピュータ３と基板処理装置１との間の通信を確保することができる。
【００６５】
また、洗浄処理の直前処理工程であるアッシングを行う灰化処理部２０から洗浄処理を行う洗浄処理部１０の順に共通の搬送ロボットＴＲによって基板Ｗを枚葉状態で保持したまま搬送している。このため、装置間搬送に要する無駄時間を無くすことができる。
【００６６】
また、アッシング後比較的短時間にて基板Ｗの洗浄処理が行われることとなるため、アッシング後に残ったパーティクルが基板に強固には付着しておらず、洗浄処理性能を向上させることができる。
【００６７】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においてはインラインコントローラ２を基板処理装置１と別体としてホストコンピュータ３と基板処理装置１との間に設けるようにしていたが、インラインコントローラ２を基板処理装置１と一体に設けるようにしても良い。
【００６８】
図９は、本発明にかかる基板処理システムの構成の他の例を示す図である。この基板処理システムでは、インラインコントローラ２ａを基板処理装置１内に組み込んでいる。すなわち、インラインコントローラ２ａと洗浄処理部１０、灰化処理部２０とを一体化して基板処理装置１内に組み込んでいる。なお、インラインコントローラ２ａの機能は上記実施形態のインラインコントローラ２と同じであり、ホスト通信ライン４によってホストコンピュータ３に接続される。但し、インラインコントローラ２ａと洗浄処理部１０、灰化処理部２０等とは装置内配線によって接続されている。従って、インラインコントローラ２ａは、基板処理装置１外部のホストコンピュータ３から指示を受けて洗浄処理部１０、灰化処理部２０等を制御するとともに、洗浄処理部１０、灰化処理部２０等から取得された装置情報をホストコンピュータ３に伝達する。
【００６９】
このようにしても、インラインコントローラ２ａによって灰化処理部２０とそれ以外の処理部との同期調整を行わせれば、統合制御ソフトウェアを再構築することなく簡易な構成にて洗浄処理部１０と灰化処理部２０とを備えた基板処理装置１を運用することができる。
【００７０】
また、ホストコンピュータ３とインラインコントローラ２ａとの間は１本のホスト通信ライン４によって接続されているため基板処理装置１に対するホストコンピュータ３側の接続ポートが１つのままであったとしても、インラインコントローラ２を介してホストコンピュータ３と基板処理装置１との間の通信を確保することができる。
【００７１】
また、上記実施形態においては、洗浄処理部１０と灰化処理部２０とを１つの基板処理装置１に組み込むようにしていたが、洗浄処理は半導体等の製造工程において複数回行うものであり、洗浄処理部１０と他の処理部とを１つの装置内に組み込むようにしても良い。例えば、酸化膜の成膜を行う成膜処理部、基板のエッチングを行うエッチング処理部等と洗浄処理部と一体化して１の装置内に組み込むようにしても良い。すなわち、基板の洗浄処理を行う洗浄処理部と、洗浄処理の直前処理工程に該当する処理を行う前処理部とを一体化して１の装置内に組み込み、それらとインラインコントローラ２とをローカル通信ライン５にてそれぞれ接続するようにすれば、上記実施形態と同様に、簡易な構成にて異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置を運用することができる。
【００７２】
また、洗浄処理部と洗浄処理の直前処理工程を実行する処理部とを一体化して基板処理装置１に組み込むことに限定されるものではなく、それぞれが基板に連続しない異なる処理を行う複数の処理部を一体化して基板処理装置１に組み込むようにしても良い。例えば、基板処理装置１にレジスト塗布処理を行う塗布処理部と現像処理を行う現像処理部とフォトリソグラフィー工程における基板検査を実行する検査部とを一体化して組み込み、それらとインラインコントローラ２とをローカル通信ライン５にてそれぞれ接続するようにしても良い。このようにしても、上記実施形態と同様に、簡易な構成にて異なる処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置を運用することができる。
【００７３】
さらに、上記実施形態においては、洗浄処理部１０を洗浄ブラシによって機械的な洗浄を行うスピンスクラバーとしていたが、これに限定されるものではなく、超音波を付与した純水を基板に吹き付けることによって洗浄を行うユニット、高圧の純水を基板に吹き付けることによって洗浄を行うユニット、液相に気相を混合して基板に吹き付けることによって洗浄を行うユニット等によって洗浄処理部を構成するようにしても良い。
【００７４】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、表面洗浄部、裏面洗浄部、反転部および搬送手段を制御する第１制御部と、灰化処理部および冷却処理部を制御する第２制御部と、ホストコンピュータから指示を受けて第１制御部および第２制御部に指示を与える中間コントローラを備えるため、統合制御ソフトウェアを再構築することなく簡易な構成にて表面洗浄部、裏面洗浄部、灰化処理部および冷却処理部を備えた基板処理装置を運用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる基板処理システムの構成の概要を示す図である。
【図２】図１の基板処理システムの構成を示すブロック図である。
【図３】図１の基板処理システムの基板処理装置の構成を示す平面図である。
【図４】図３のＶ−Ｖ線に沿って見た断面図である。
【図５】図３の基板処理装置の搬送ロボットの外観斜視図である。
【図６】半導体製造工程の一部を示すフローチャートである。
【図７】図１の基板処理装置における基板Ｗの搬送手順の例を示すフローチャートである。
【図８】図１の基板処理システムにおけるデータ通信の内容を示す図である。
【図９】本発明にかかる基板処理システムの構成の他の例を示す図である。
【符号の説明】
１基板処理装置
２，２ａインラインコントローラ
３ホストコンピュータ
４ホスト通信ライン
５ローカル通信ライン
１０洗浄処理部
２０灰化処理部
５０反転部
ＡＳＨアッシングユニット
Ｃキャリア
ＩＤインデクサ
ＳＳ表面スクラバー
ＳＳＲ裏面スクラバー
ＴＲ搬送ロボット
Ｗ基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a substrate processing including a plurality of processing units each performing different processing on a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as “substrate”), and the like. The present invention relates to a substrate processing system in which an apparatus and a host computer are connected by a communication line.
[0002]
[Prior art]
Products such as semiconductors and liquid crystal displays are manufactured by performing a series of processes such as cleaning, resist coating, exposure, development, etching, ion implantation, resist stripping, interlayer insulation film formation, and heat treatment on the substrate. Yes. Of these various processes, for example, resist stripping is often performed by a plasma asher that reacts plasmaized gas with the resist and vaporizes and removes the resist. The resist is an organic substance composed of carbon, oxygen, and hydrogen, and the plasma asher removes the resist by ashing (ashing treatment) that chemically reacts this with oxygen plasma.
[0003]
The actual resist contains some impurities such as heavy metals that do not evaporate, and these residual substances adhere to the ashed substrate as particles. For this reason, in general, particles are completely removed by performing a cleaning process on the substrate after ashing.
[0004]
Conventionally, a plurality of unprocessed substrates are carried into a plasma asher while being stored in a carrier, and unprocessed substrates are sequentially taken out from the carrier and subjected to ashing. The ashed substrate is once returned to the original carrier, and is transferred from the plasma asher to the cleaning device in a state where a plurality of ashed substrates are accommodated in the carrier. Then, the cleaning process is sequentially performed on the substrate taken out of the carrier by the cleaning device.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, if the cleaning process from ashing is performed as described above, the carrier is transported from the plasma asher to the cleaning device after storing a plurality of substrates after ashing in the carrier. Time will occur.
[0006]
In addition, if a cleaning process is performed after a certain amount of time has passed after ashing, particles remaining after the ashing are firmly attached to the substrate, so that the cleaning process performance is deteriorated.
[0007]
For this reason, the present inventor is considering an apparatus in which a plasma asher is integrated in a cleaning apparatus, but when two or more kinds of apparatuses that perform different processes in this way are integrated, the apparatus is controlled. Software reconstruction is required. That is, in the past, the cleaning apparatus was operated by dedicated control software for cleaning processing, while the plasma asher was operated by dedicated control software for ashing. When the asher is mounted, it is necessary to reconstruct integrated control software for operating the entire apparatus by disclosing the software information of the plasma asher to the cleaning apparatus side.
[0008]
Further, in recent substrate processing apparatuses for φ300 mm, all the apparatuses are connected to the host computer, and the apparatus information of each apparatus is transmitted to the host computer by the standard, but is provided in the host computer. There is one connection port for each device, and connection to the host computer cannot be made if each device is individually controlled by a device integrated with a plasma asher incorporated in the cleaning device. In order to comply with such a standard, it is necessary to reconstruct the integrated control software.
[0009]
However, there is a problem that it takes a lot of labor and time to reconstruct the new integrated control software by eliminating the dedicated control software for cleaning processing and ashing that has already been proven.
[0010]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing technique capable of operating a substrate processing apparatus including a plurality of processing units that perform different processes with a simple configuration. To do.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention of claim 1 Perform cleaning on the substrate that has been incinerated. In a substrate processing system in which a substrate processing apparatus and a host computer are connected by a communication line, In the substrate processing apparatus, a front surface cleaning unit that cleans the surface of the substrate, a back surface cleaning unit that cleans the back surface of the substrate, an ashing processing unit that performs ashing processing for resist stripping as a processing step immediately before the cleaning processing, A cooling processing unit that cools the substrate after ashing, a reversing unit that reverses the top surface of the substrate, the front surface cleaning unit, the back surface cleaning unit, the ashing processing unit, the cooling processing unit, and the reversing unit. A transport means for carrying the substrate in and out, a first control section for controlling the front surface cleaning section, the back surface cleaning section, the reversing section and the transport section, the ashing processing section and the cooling processing section. A second control unit for controlling, an intermediate controller that receives instructions from the host computer and gives instructions to the first control unit and the second control unit, and connects the intermediate controller and the host computer A host communication line for performing data communication between the intermediate controller and the host computer, the intermediate controller, the first control unit, and the second control unit are individually connected, and the intermediate controller and the second controller Two local communication lines for performing data communication between one control unit and the second control unit; Is provided.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a diagram showing an outline of the configuration of a substrate processing system according to the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the substrate processing system. This substrate processing system is configured by connecting one host computer 3 and three substrate processing apparatuses 1 through a communication line. An inline controller (ILC) 2 is provided between the host computer (HOST) 3 and each substrate processing apparatus 1. The host computer 3 and the inline controller 2 are connected by a host communication line 4. Further, the inline controller 2 and the substrate processing apparatus 1 are connected by the local communication line 5, and more precisely, the cleaning processing unit 10 of the substrate processing apparatus 1 and the inline controller 2 are connected by the local communication line 5a. The ashing processing unit 20 of the substrate processing apparatus 1 and the inline controller 2 are connected by the communication line 5b. In FIG. 1, three substrate processing apparatuses 1 are connected to the host computer 3, but the number of substrate processing apparatuses 1 connected to the host computer 3 is arbitrary. Further, when it is not necessary to distinguish between the local communication lines 5a and 5b, they are simply referred to as the local communication line 5.
[0018]
The host computer 3 is configured by using an ordinary computer, and is a main body of which is a CPU 91 that performs arithmetic processing, a ROM 92 that is a read-only memory, a RAM 93 that is a readable / writable memory, control software, A magnetic disk 94 for storing data and the like, and an interface 95 for communicating with the outside are provided. The CPU 91 and the magnetic disk 94, the interface 95, and the like are electrically connected via the bus line 99. The host communication line 4 is connected to the interface 95.
[0019]
The inline controller 2 is also a control unit configured using a normal computer, and is a main body of which is a CPU 81 that performs arithmetic processing, a ROM 82 that is a read-only memory, a RAM 83 that is a readable / writable memory, and a control unit. A magnetic disk 84 that stores software, data, and the like, and interfaces 85 and 86 that communicate with the outside are provided. The CPU 81 and the magnetic disk 84 and the interfaces 85 and 86 are electrically connected via the bus line 89. The interface 86 is an interface for connecting to the host computer 3 and is connected to the host communication line 4. On the other hand, the interface 85 is an interface for connecting to the substrate processing apparatus 1 and is connected to the local communication lines 5a and 5b. The magnetic disk 84 stores a recipe describing the processing procedure and processing conditions in the substrate processing apparatus 1.
[0020]
FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the substrate processing apparatus 1. 4 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 3 to 5 are attached with an XYZ orthogonal coordinate system in which the Z-axis direction is a vertical direction and the XY plane is a horizontal plane as necessary in order to clarify the directional relationship. The substrate processing apparatus 1 is an apparatus that performs a cleaning process on a substrate after ashing the substrate. The substrate processing apparatus 1 includes an indexer ID, a cleaning processing unit 10, an ashing processing unit 20, a transport robot TR, and a reversing unit 50.
[0021]
The indexer ID includes a carrier C that can store a plurality of substrates and a transfer robot TF. The indexer ID takes out an unprocessed substrate from the carrier C and pays it out to the transport robot TR. To be accommodated in the carrier C. Each carrier C is provided with a multi-stage storage groove, and a single substrate W can be stored in each groove in a horizontal posture (main surface along a horizontal plane). Accordingly, a plurality of substrates W (for example, 25 sheets) can be stored in each carrier C in a state of being stacked in a horizontal posture at a predetermined interval in multiple stages. In addition, as a form of the carrier C of the present embodiment, a FOUP (front opening unified pod) that accommodates the substrate W in a sealed space is adopted, but the present invention is not limited to this, and SMIF (Standard Mechanical Inter Face) ) OC (open ca) that exposes the pod and storage board W to the open air s sette).
[0022]
A lid is provided on the front side (-X side in the figure) of each carrier C, and the lid is detachable so that the substrate W can be taken in and out. Attachment / detachment of the lid of the carrier C is performed by a pod opener (not shown). By removing the lid from the carrier C, the lid portion becomes an opening through which the substrate can pass. Loading and unloading of the substrate W with respect to the carrier C is performed through this opening. Note that the carrier C is automatically placed on the indexer ID and unloaded from the indexer ID by an automatic AGV (Automatic Guided Vehicle), an OHT (over-head hoist transport), or the like.
[0023]
The transfer robot TF has a configuration similar to a transfer robot TR (FIG. 5) described later. The transfer robot TF is different from the transfer robot TR described later in that the transfer robot TF includes one transfer arm 75 having a different shape from the transfer arms 41a and 41b, and a ball screw and a guide rail. By having a Y-axis direction driving mechanism (not shown), the horizontal movement along the Y-axis direction is possible as indicated by an arrow AR1 in FIG. 3, and the remaining points are the same. Therefore, the transfer robot TF can move the transfer arm 75 up and down in the height direction, move it horizontally along the Y-axis direction, rotate it, and move it back and forth in the horizontal direction. That is, the transfer robot TF can move the transfer arm 75 three-dimensionally.
[0024]
With such a configuration, the transfer robot TF takes out the unprocessed substrate W from each carrier C and passes it to the transport robot TR, and receives the processed substrate W from the transport robot TR and sends it to any carrier C. Can be accommodated.
[0025]
The cleaning processing unit 10 and the ashing processing unit 20 are disposed to face each other across the transport path 9 in which the transport robot TR is disposed. In addition, one end of the transport path 9 is in contact with the indexer ID, and a reversing unit 50 is disposed at the other end.
[0026]
The cleaning processing unit 10 includes one front surface scrubber SS and one back surface scrubber SSR. The surface scrubber SS causes the cleaning brush to contact or approach the surface by discharging the rinsing liquid (pure water) to the surface while rotating the substrate W in a horizontal plane with the surface (device surface) of the substrate W facing upward. The surface is cleaned by The surface scrubber SS employs a so-called vacuum chuck that vacuum-sucks the back surface (surface opposite to the device surface) of the substrate W.
[0027]
On the other hand, the back surface scrubber SSR rotates the substrate W in a horizontal plane with the back surface of the substrate W facing upward, and discharges rinsing liquid (pure water) to the back surface to bring the cleaning brush into contact with or close to the back surface. Perform a cleaning process. Since the back surface scrubber SSR cannot hold the device surface by suction, a so-called mechanical chuck that grips the peripheral edge of the substrate W is employed.
[0028]
FIG. 4 shows a partial configuration of the back surface scrubber SSR. A plurality of pins 12 are erected on the upper surface of the rotary base 11. The pins 12 are arranged along the outer periphery of the substrate W to be held, and can be opened and closed with respect to the substrate W by an opening / closing mechanism (not shown). In other words, the pins 12 are configured to come in contact with and separate from the peripheral edge of the substrate W. When the plurality of pins 12 are in contact with and press the peripheral edge of the substrate W, the substrate W is held on the rotation base 11 in a horizontal posture. On the other hand, when the plurality of pins 12 are in the open posture separated from the peripheral edge of the substrate W, the substrate W can be taken out from the rotation base 11 and a new substrate W can be transferred to the rotation base 11.
[0029]
The rotation base 11 is supported by a motor 13 so as to be rotatable about a rotation axis along the vertical direction. When the motor 13 rotates the rotation base 11 while the substrate W is held on the rotation base 11, the substrate W rotates in a horizontal plane.
[0030]
The back surface scrubber SSR is provided with a cleaning brush 14 and a pure water discharge nozzle 16. The pure water discharge nozzle 16 is connected to a pure water supply source (not shown). The cleaning brush 14 is attached to the tip of the brush arm 15. The brush arm 15 can be moved up and down by a driving mechanism (not shown) and can be swung in a horizontal plane. When performing the back surface cleaning process of the substrate W, the substrate W is rotated, and the cleaning brush 14 is applied to the back surface of the substrate W while discharging pure water as a rinsing liquid from the pure water discharge nozzle 16 onto the upper surface (back surface) of the substrate W. The brush arm 15 is swung in a state where it is in contact with or close to the substrate, thereby removing contaminants such as particles adhering to the back surface of the substrate W. The front surface scrubber SS has the same configuration as the back surface scrubber SSR except that a vacuum chuck is adopted. A so-called mechanical chuck may be adopted for the surface scrubber.
[0031]
The ashing processing unit 20 is configured by incorporating a cool plate CP in an ashing unit ASH. The ashing unit ASH includes a processing chamber containing the plate 21 (FIG. 4), a vacuum system for evacuating the processing chamber, a processing gas supply mechanism for supplying a processing gas such as oxygen to the processing chamber, and applying a high-frequency electric field. And a plasma forming mechanism for forming plasma. With such a configuration, the ashing unit ASH can perform ashing (ashing treatment) with oxygen plasma while the substrate W is placed on the plate 21 and the periphery thereof is evacuated. As described above, ashing is a process for vaporizing an organic resist by oxygen plasma.
[0032]
The cool plate CP built in the ashing unit ASH cools the substrate W placed on the plate to a predetermined temperature by a Peltier element or constant temperature water circulation. The cool plate CP here is for cooling the substrate W, which has been heated by ashing, to a temperature at which cleaning can be performed.
[0033]
As shown in FIG. 4, in the present embodiment, the cleaning processing unit 10 and the ashing processing unit 20 are opposed to each other at the same height position with the conveyance path 9 interposed therebetween. In addition, the lower space of the conveyance path 9, the washing | cleaning process part 10, and the ashing process part 20 functions as a cabinet which accommodates liquid piping and an electrical wiring.
[0034]
A transport robot TR is disposed in the center of the transport path 9 sandwiched between the cleaning processing unit 10 and the ashing processing unit 20. FIG. 5 is an external perspective view of the transfer robot TR. The transfer robot TR is provided with an arm stage 45 including two transfer arms 41 a and 41 b on the upper part of the extendable body 40, and a telescopic multistage nested structure is realized by the extendable body 40.
[0035]
The stretchable body 40 is configured by four divided bodies 40a, 40b, 40c, and 40d in order from the top. The divided body 40a can be accommodated in the divided body 40b, the divided body 40b can be accommodated in the divided body 40c, and the divided body 40c can be accommodated in the divided body 40d. The stretchable body 40 contracts by sequentially storing the divided bodies 40a to 40d, and conversely, the stretchable body 40 expands by sequentially pulling out the divided bodies 40a to 40d. That is, when the telescopic body 40 is contracted, the divided body 40a is accommodated in the divided body 40b, the divided body 40b is accommodated in the divided body 40c, and the divided body 40c is accommodated in the divided body 40d. On the other hand, when the telescopic body 40 is extended, the divided body 40a is pulled out from the divided body 40b, the divided body 40b is pulled out from the divided body 40c, and the divided body 40c is pulled out from the divided body 40d.
[0036]
The expansion / contraction operation of the expansion / contraction body 40 is realized by an expansion / contraction lifting mechanism provided therein. For example, a mechanism that drives a combination of a plurality of belts and rollers by a motor can be employed as the expansion / contraction lifting mechanism. The transport robot TR can move the transport arms 41a and 41b up and down by such an extension / contraction mechanism.
[0037]
Further, the transfer robot TR can also perform horizontal advance and retreat movements and rotation operations of the transfer arms 41a and 41b. Specifically, an arm stage 45 is provided on the upper part of the divided body 40a, and the arm stage 45 performs the horizontal advance / retreat movement and rotation operation of the transfer arms 41a, 41b. That is, the arm stage 45 bends and extends the arm segments of the transfer arms 41a and 41b, so that the transfer arms 41a and 41b move horizontally, and the arm stage 45 itself rotates with respect to the telescopic body 40. The transfer arms 41a and 41b rotate.
[0038]
Accordingly, the transport robot TR can move the transport arms 41a and 41b up and down in the height direction, rotate them, and move them back and forth in the horizontal direction. That is, the transfer robot TR can move the transfer arms 41 a and 41 b three-dimensionally and carry the substrate W in and out of both the cleaning processing unit 10 and the ashing processing unit 20. Then, the transfer arms 41a and 41b holding the substrate W move three-dimensionally to deliver the substrate W between the indexer ID, the cleaning processing unit 10, the ashing processing unit 20 and the reversing unit 50, thereby the substrate. W can be subjected to ashing and cleaning. As described above, the transfer robot TF with the indexer ID has the same configuration as the transfer robot TR except that it can move along the shape and number of arms and the Y-axis direction.
[0039]
The reversing unit 50 disposed at the end of the transport path 9 is configured by stacking two reversing units REV1 and REV2 in two stages. Each of the reversing units REV1 and REV2 is configured to be able to reverse the upper and lower surfaces of the substrate by holding the peripheral edge of the substrate W. The reversing units REV1 and REV2 have the same function, but in this embodiment, the reversing unit REV1 is used for directing the back surface of the substrate W to the top surface, and the reversing unit REV2 directs the front surface of the substrate W to the top surface. Used for.
[0040]
As described above, in this embodiment, the cleaning processing unit 10 and the ashing processing unit 20 are integrated into one substrate processing apparatus 1. That is, the substrate processing apparatus 1 is an apparatus in which a cleaning apparatus and a plasma asher, which have been conventionally separate and independent, are integrated. As described above, even if mechanical hardware configurations are integrated, it is difficult to integrate software, that is, to reconstruct integrated control software. Therefore, in the substrate processing apparatus 1, as shown in FIG. 2, the control units 31 and 32 are provided in the cleaning processing unit 10 and the ashing processing unit 20, respectively.
[0041]
The control unit 31 of the cleaning processing unit 10 is configured by a computer built in the substrate processing apparatus 1 and includes a CPU, a memory, a magnetic disk, and the like for performing arithmetic processing. The control unit 31 controls each mechanism constituting the cleaning processing unit 10, for example, the motor 13 of the back surface scrubber SSR. The control unit 31 is also electrically connected to the indexer ID, the transport robot TR, and the reversing unit 50, and their respective mechanisms are also controlled by the control unit 31. In other words, the control unit 31 is the same as the control unit provided in the conventional cleaning apparatus (so-called spin scrubber), and functions by executing control software for the conventional cleaning apparatus.
[0042]
On the other hand, the control unit 32 of the ashing processing unit 20 is also configured by a computer built in the substrate processing apparatus 1 and includes a CPU, a memory, a magnetic disk, and the like for performing arithmetic processing. The control part 32 controls each mechanism which comprises the ashing process part 20, for example, the vacuum system mentioned above, a process gas supply mechanism, etc. In other words, the control unit 32 is the same as the control unit provided in the conventional plasma asher, and functions by executing control software for the conventional plasma asher.
[0043]
The control unit 31 of the cleaning processing unit 10 is connected to the inline controller 2 through the local communication line 5a. Further, the control unit 32 of the ashing processing unit 20 is connected to the inline controller 2 via the local communication line 5b.
[0044]
The host computer 3 and the inline controller 2 are connected via a host communication line 4, and data communication is performed between the host computer 3 and the inline controller 2 via the host communication line 4. On the other hand, the inline controller 2 and the cleaning processing unit 10 and the ashing processing unit 20 of the substrate processing apparatus 1 are connected via local communication lines 5a and 5b, and the inline controller 2 and the cleaning processing unit 10 are connected by the local communication lines 5a and 5b. Data communication is performed with each of the ashing processing units 20.
[0045]
As described above, the substrate processing system according to the present invention in which the inline controller 2 is provided between the host computer 3 and the substrate processing apparatus 1 is configured. Next, processing contents of the substrate processing apparatus 1 in the substrate processing system having the above configuration will be described. Here, first, a part of manufacturing process of a semiconductor or the like will be briefly described. FIG. 6 is a flowchart showing a part of the semiconductor manufacturing process. In FIG. 6, steps prior to the exposure process are omitted. The substrate after the oxide film formation, resist coating, and exposure processing is completed is subjected to development processing for dissolving the exposed portion (or the unexposed portion) with a developer (step S1). After the development process, the oxide film is dissolved into a pattern shape by etching (step S2). Etching includes wet etching using a chemical solution such as hydrofluoric acid and dry etching using ions. In particular, dry etching is suitable for fine circuits. However, since a part of the resist is changed into a polymer by reactive ions and adheres to the substrate, cleaning for removing the polymer is often performed (step S3).
[0046]
Next, ion implantation is performed on the silicon portion of the substrate (step S4). After the ion implantation, a resist film is not necessary, so that a resist peeling process is performed. Such processing for resist stripping is ashing (step S5). As described above, since the residual material of the resist film adheres as particles to the ashed substrate, the ashed substrate is subjected to a cleaning process (step S6). Thereafter, a protective film is formed and finished as a final product.
[0047]
Among the above manufacturing processes, the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment performs ashing (step S5) and cleaning processing (step S6). That is, the substrate processing apparatus 1 performs a cleaning process and an ashing process that is a process immediately before the cleaning process.
[0048]
Next, the process in the substrate processing apparatus 1 will be further described. As described above, the substrate processing apparatus 1 is an apparatus that performs ashing and a cleaning process immediately after the ashing, and a substrate W on which an unnecessary resist film after ion implantation is attached is accommodated in a plurality of carriers C as an unprocessed substrate. In this state, it is carried into the indexer ID of the substrate processing apparatus 1. FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of a procedure for transporting the substrate W in the substrate processing apparatus 1. FIG. 8 is a diagram showing the contents of data communication in the substrate processing system during substrate processing.
[0049]
As shown in FIG. 8, when the substrate processing apparatus 1 executes substrate processing in this substrate processing system, the host computer 3 first designates a recipe to be applied to a certain lot to the inline controller 2. Specifically, the host computer 3 transmits a recipe number to the inline controller 2 or newly created recipe data itself. The “recipe” describes a processing procedure and processing conditions for the substrate W. Of course, the designation of the recipe from the host computer 3 is performed by data communication via the host communication line 4.
[0050]
Next, the inline controller 2 gives instructions to the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 and the control unit 32 of the ashing processing unit 20 based on the recipe specified by the host computer 3, and the cleaning processing unit 10 and the ash The synchronization adjustment with the processing unit 20 is performed. This will be described with reference to FIG.
[0051]
In the example shown in FIG. 7A, the transfer robot TF with the indexer ID takes out one unprocessed substrate W from the carrier C and passes it to the transport robot TR. The transport robot TR carries the substrate W passed from the indexer ID into the ashing unit ASH of the ashing processing unit 20. At this time, a report that the transfer robot TR carries the substrate W into the ashing unit ASH is sent from the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 to the inline controller 2. Upon receiving the report, the inline controller 2 instructs the control unit 32 of the ashing processing unit 20 to start ashing. The ashing unit ASH performs ashing by placing the substrate W on the plate 21 in a single wafer state. When ashing is completed, the inline controller 2 reports to the inline controller 2 that the ashing has been completed from the control unit 32 of the ashing processing unit 20. Upon receiving the report, the inline controller 2 instructs the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 to transfer the substrate to the cool plate CP in the ashing processing unit 20 by the transfer robot TR. Since the ashed substrate is too hot to be cleaned, it is transferred to the cool plate CP by the transfer robot TR and cooled.
[0052]
Thereafter, when the cooling process of the substrate by the cool plate CP in the ashing process unit 20 is completed, the control unit 32 of the ashing process unit 20 reports to the inline controller 2 that the cooling process of the substrate is completed. Upon receiving the report, the inline controller 2 carries the substrate from the cool plate CP in the ashing processing unit 20 to the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 by the transport robot TR and transports the substrate to the reversing unit REV1 of the reversing unit 50. To instruct. In response to this instruction, the substrate W is carried into the reversing unit REV1 of the reversing unit 50 from the ashing processing unit 20 by the transport robot TR. At this time, a report that the transfer robot TR carries the substrate W into the reversing unit 50 is sent from the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 to the inline controller 2. Upon receiving the report, the inline controller 2 instructs the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 to start the cleaning process.
[0053]
The reversing unit REV1 reverses the upper and lower surfaces of the substrate W so that the back surface is the upper surface. The substrate W turned upside down is carried into the back surface scrubber SSR of the cleaning processing unit 10 by the transfer robot TR in a single wafer state. The back surface scrubber SSR performs scrub cleaning of the back surface of the substrate W. Particles generated during ashing may wrap around and adhere to the back surface of the substrate W, and the back surface scrubber SSR removes such particles.
[0054]
After the back surface cleaning, the substrate W is carried from the cleaning processing unit 10 into the reversing unit REV2 of the reversing unit 50 by the transport robot TR. The reversing unit REV2 reverses the upper and lower surfaces of the substrate W so that the surface becomes the upper surface. The substrate W turned upside down is carried into the surface scrubber SS of the cleaning processing unit 10 by the transfer robot TR in a single wafer state. The surface scrubber SS performs scrub cleaning on the surface of the substrate W. Residual substances after ashing adhere to the surface of the substrate W as particles, and the surface scrubber SS removes such particles.
[0055]
After the surface cleaning, the substrate W is returned from the cleaning processing unit 10 to the indexer ID again by the transport robot TR. That is, the processed substrate W is transferred from the transfer robot TR to the transfer robot TF with the indexer ID, and the transfer robot TF stores the substrate W in the carrier C. Eventually, the carrier C in which a plurality of processed substrates W are stored is unloaded from the indexer ID of the substrate processing apparatus 1.
[0056]
Further, the processing procedure of the substrate W in the substrate processing apparatus 1 may be as shown in FIG. In the example shown in FIG. 7B, the transfer robot TF with the indexer ID takes out one unprocessed substrate W from the carrier C and passes it to the transport robot TR. The transport robot TR carries the substrate W passed from the indexer ID into the ashing unit ASH of the ashing processing unit 20. At this time, a report that the transfer robot TR carries the substrate W into the ashing unit ASH is sent from the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 to the inline controller 2. Upon receiving the report, the inline controller 2 instructs the control unit 32 of the ashing processing unit 20 to start ashing. The ashing unit ASH performs ashing by placing the substrate W on the plate 21. When ashing is completed, the inline controller 2 reports to the inline controller 2 that the ashing has been completed from the control unit 32 of the ashing processing unit 20. Upon receiving the report, the inline controller 2 instructs the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 to transfer the substrate to the cool plate CP in the ashing processing unit 20 by the transfer robot TR. As a result, the ashed substrate W is transferred to the cool plate CP by the transfer robot TR and cooled.
[0057]
Thereafter, when the cooling process of the substrate by the cool plate CP in the ashing processing unit 20 is completed, the control unit 32 of the ashing processing unit 20 reports to the inline controller 2 that the cooling process of the substrate is completed. The inline controller 2 receiving the report carries the substrate from the cool plate CP in the ashing processing unit 20 to the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 by the transfer robot TR and transfers the substrate to the surface scrubber SS of the cleaning processing unit 10. To instruct. In response to this instruction, the substrate W in a single wafer state is carried into the surface scrubber SS of the cleaning processing unit 10 from the ashing processing unit 20 by the transport robot TR. At this time, a report that the transfer robot TR carries the substrate W into the surface scrubber SS is sent from the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 to the inline controller 2. Upon receiving the report, the inline controller 2 instructs the control unit 31 of the cleaning processing unit 10 to start the cleaning process.
[0058]
The surface scrubber SS performs scrub cleaning on the surface of the substrate W. After the surface cleaning, the substrate W is carried from the cleaning processing unit 10 to the reversing unit REV1 of the reversing unit 50 by the transport robot TR. The reversing unit REV1 reverses the upper and lower surfaces of the substrate W so that the back surface is the upper surface. The substrate W turned upside down is carried into the back surface scrubber SSR of the cleaning processing unit 10 by the transfer robot TR in a single wafer state. The back surface scrubber SSR performs scrub cleaning of the back surface of the substrate W.
[0059]
Thereafter, the substrate W is carried into the reversing unit REV2 of the reversing unit 50 from the cleaning processing unit 10 by the transport robot TR. The reversing unit REV2 reverses the upper and lower surfaces of the substrate W so that the surface becomes the upper surface. The substrate W turned upside down is returned again to the indexer ID from the reversing unit REV2 by the transport robot TR. That is, the processed substrate W is transferred from the transfer robot TR to the transfer robot TF with the indexer ID, and the transfer robot TF stores the substrate W in the carrier C.
[0060]
Thus, when performing the process according to a recipe, the in-line controller 2 performs synchronous adjustment with process parts other than the ashing process part 20 among the process parts contained in the substrate processing apparatus 1, and the ashing process part 20. It is. In accordance with the synchronization adjustment of the inline controller 2, the control units 31 and 32 each have their own operation control, that is, operation control for cleaning processing (control of the indexer ID, the cleaning processing unit 10, the transport robot TR and the reversing unit 50) and ashing. Operation control (control of the ashing processing unit 20).
[0061]
Further, when processing the substrate W, the control units 31 and 32 respectively acquire apparatus information. The control unit 31 acquires device information of processing units other than the ashing processing unit 20 among the processing units included in the substrate processing apparatus 1, for example, the actual cleaning time in the back surface scrubber SSR, the rotation speed of the substrate W, and the like. On the other hand, the control unit 32 acquires apparatus information of the ashing processing unit 20, for example, the degree of vacuum in the processing chamber and the applied voltage. The control units 31 and 32 transmit the acquired device information to the inline controller 2.
[0062]
The inline controller 2 collectively transmits the device information transmitted from each of the control units 31 and 32 to the host computer 3. The host computer 3 stores the apparatus information related to the substrate processing apparatus 1 transmitted from the inline controller 2 in a magnetic disk 94 or the like as a database. That is, the in-line controller 2 receives instructions from the host computer 3 and controls the cleaning processing unit 10 and the ashing processing unit 20 in the substrate processing apparatus 1 and from the cleaning processing unit 10 and the ashing processing unit 20 and the like. The acquired device information is transmitted to the host computer 3.
[0063]
As described above, if the inline controller 2 is provided and the ashing processing unit 20 and the other processing units are synchronously adjusted, the cleaning processing unit can be configured with a simple configuration without reconstructing the integrated control software. 10 and the ashing processing unit 20 can be used.
[0064]
Further, since the host computer 3 and the inline controller 2 are connected by a single host communication line 4, even if the connection port on the host computer 3 side to the substrate processing apparatus 1 remains one, the inline controller 2, communication between the host computer 3 and the substrate processing apparatus 1 can be ensured.
[0065]
Further, the substrate W is transported while being held in a single wafer state by the common transport robot TR in the order of the ashing processing unit 20 that performs ashing, which is the processing step immediately before the cleaning processing, and the cleaning processing unit 10 that performs the cleaning processing. For this reason, it is possible to eliminate the dead time required for conveyance between apparatuses.
[0066]
Further, since the cleaning process of the substrate W is performed in a relatively short time after the ashing, the particles remaining after the ashing are not firmly attached to the substrate, and the cleaning process performance can be improved.
[0067]
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples. For example, in the above embodiment, the inline controller 2 is provided separately from the substrate processing apparatus 1 between the host computer 3 and the substrate processing apparatus 1, but the inline controller 2 is provided integrally with the substrate processing apparatus 1. You may do it.
[0068]
FIG. 9 is a diagram showing another example of the configuration of the substrate processing system according to the present invention. In this substrate processing system, an inline controller 2 a is incorporated in the substrate processing apparatus 1. That is, the inline controller 2a, the cleaning processing unit 10, and the ashing processing unit 20 are integrated into the substrate processing apparatus 1. The function of the inline controller 2 a is the same as that of the inline controller 2 of the above embodiment, and is connected to the host computer 3 by the host communication line 4. However, the in-line controller 2a, the cleaning processing unit 10, the ashing processing unit 20, and the like are connected by in-apparatus wiring. Accordingly, the inline controller 2a receives instructions from the host computer 3 outside the substrate processing apparatus 1 to control the cleaning processing unit 10, the ashing processing unit 20 and the like, and obtains them from the cleaning processing unit 10, the ashing processing unit 20 and the like. The transmitted device information is transmitted to the host computer 3.
[0069]
Even if it does in this way, if synchronous adjustment with the ashing process part 20 and the other process parts is performed by the inline controller 2a, the cleaning process part 10 and the ash can be made with a simple configuration without reconstructing the integrated control software. The substrate processing apparatus 1 including the processing unit 20 can be operated.
[0070]
Further, since the host computer 3 and the inline controller 2a are connected by a single host communication line 4, even if the host computer 3 side connection port to the substrate processing apparatus 1 remains one, the inline controller 2, communication between the host computer 3 and the substrate processing apparatus 1 can be ensured.
[0071]
Moreover, in the said embodiment, although the washing | cleaning process part 10 and the ashing process part 20 were integrated in the one board | substrate processing apparatus 1, a washing process is performed in multiple times in manufacturing processes, such as a semiconductor, You may make it incorporate the washing | cleaning process part 10 and another process part in one apparatus. For example, a film formation processing unit for forming an oxide film, an etching processing unit for etching a substrate, and a cleaning processing unit may be integrated into one apparatus. That is, a cleaning processing unit that performs substrate cleaning processing and a preprocessing unit that performs processing corresponding to the processing step immediately before the cleaning processing are integrated into one apparatus, and these and the inline controller 2 are connected to the local communication line. If each connection is made at 5, it is possible to operate a substrate processing apparatus including a plurality of processing units that perform different processes with a simple configuration, as in the above embodiment.
[0072]
In addition, the cleaning processing unit and the processing unit that executes the processing step immediately before the cleaning processing are not integrated into the substrate processing apparatus 1, and a plurality of processes each performing different processing that is not continuous with the substrate. The parts may be integrated into the substrate processing apparatus 1. For example, a coating processing unit that performs resist coating processing, a development processing unit that performs development processing, and an inspection unit that performs substrate inspection in a photolithography process are integrated and incorporated in the substrate processing apparatus 1 and the inline controller 2 is locally incorporated. You may make it connect by the communication line 5, respectively. Even in this case, similarly to the above-described embodiment, it is possible to operate a substrate processing apparatus including a plurality of processing units that perform different processes with a simple configuration.
[0073]
Furthermore, in the said embodiment, although the washing | cleaning process part 10 was made into the spin scrubber which performs mechanical washing | cleaning with a washing brush, it is not limited to this, By spraying the pure water which provided the ultrasonic wave on a board | substrate The cleaning processing unit may be configured by a unit that performs cleaning, a unit that performs cleaning by spraying high-pressure pure water on the substrate, a unit that performs cleaning by mixing a gas phase with a liquid phase and spraying the substrate on the substrate, and the like. good.
[0074]
【The invention's effect】
As described above, according to the invention of claim 1, A first control unit that controls the front surface cleaning unit, the back surface cleaning unit, the reversing unit, and the conveying means; a second control unit that controls the ashing processing unit and the cooling processing unit; and a first control unit that receives instructions from the host computer And an intermediate controller that gives instructions to the second control unit, and thus has a front surface cleaning unit, a back surface cleaning unit, an ashing unit, and a cooling unit with a simple configuration without reconstructing the integrated control software. A substrate processing apparatus can be operated.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an outline of a configuration of a substrate processing system according to the present invention.
2 is a block diagram showing a configuration of the substrate processing system of FIG. 1. FIG.
3 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus of the substrate processing system of FIG. 1. FIG.
4 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 3. FIG.
5 is an external perspective view of a transfer robot of the substrate processing apparatus of FIG. 3;
FIG. 6 is a flowchart showing a part of a semiconductor manufacturing process.
7 is a flowchart showing an example of a procedure for transporting a substrate W in the substrate processing apparatus of FIG. 1;
FIG. 8 is a diagram showing the contents of data communication in the substrate processing system of FIG. 1;
FIG. 9 is a diagram showing another example of the configuration of the substrate processing system according to the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Substrate processing equipment
2,2a Inline controller
3 Host computer
4 Host communication line
5 Local communication line
10 Cleaning section
20 Ashing treatment department
50 Inversion section
ASH ashing unit
C career
ID indexer
SS surface scrubber
SSR Back side scrubber
TR transfer robot
W substrate

Claims

A substrate processing system in which a substrate processing apparatus and a host computer for performing a cleaning process on an ashed substrate are connected by a communication line,
The substrate processing apparatus includes:
A surface cleaning section for cleaning the surface of the substrate;
A back surface cleaning section for cleaning the back surface of the substrate;
An ashing treatment unit that performs ashing treatment for resist stripping as a treatment process immediately before the cleaning treatment,
A cooling processing unit for cooling the substrate after ashing,
A reversing unit that reverses the top surface of the substrate, and
Transport means for carrying the substrate in and out of the front surface cleaning unit, the back surface cleaning unit, the ashing processing unit, the cooling processing unit, and the reversing unit;
A first control unit that controls the front surface cleaning unit, the back surface cleaning unit, the reversing unit, and the transport unit;
A second control unit that controls the ashing processing unit and the cooling processing unit,
An intermediate controller that receives instructions from the host computer and gives instructions to the first control unit and the second control unit;
A host communication line for connecting the intermediate controller and the host computer, and performing data communication between the intermediate controller and the host computer;
Two local controllers that individually connect the intermediate controller to the first control unit and the second control unit, and perform data communication between the intermediate controller and the first control unit and the second control unit. A communication line;
A substrate processing system comprising: