JP2003100840A - Substrate processing system - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板等(以下、「基板」と称する)に
所定の処理を行う基板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device or the like (hereinafter referred to as "substrate").
【0002】[0002]
【発明の背景】周知のように、半導体や液晶ディスプレ
イなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗
布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処
理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製
造されている。また、製品の品質維持や工程能力の安定
確保のため、上記各種処理のまとまったプロセスの後に
は、品質確認のための各種検査も行われる。BACKGROUND OF THE INVENTION As is well known, products such as semiconductors and liquid crystal displays are subjected to a series of various treatments such as cleaning, resist coating, exposure, development, etching, interlayer insulating film formation, heat treatment, and dicing on the substrate. It is manufactured by applying. Further, in order to maintain the quality of the product and ensure the stability of the process capability, various inspections for confirming the quality are also performed after the process in which the above various processes are put together.
【0003】こうした複数の工程を含む製造ラインにお
ける製造効率を高めるために、従来から、複数の処理部
を組み込むことにより、連続的に複数の処理工程を実施
可能な基板処理装置の実用化や、装置間における基板の
搬送に要する時間の短縮を目指した処理装置同士の配置
の最適化などが行われてきた。In order to improve the manufacturing efficiency in a manufacturing line including a plurality of such processes, a substrate processing apparatus has been conventionally put into practical use by incorporating a plurality of processing units, and a plurality of processing units can be continuously carried out. The optimization of the arrangement of the processing apparatuses has been performed with the aim of reducing the time required to transfer the substrate between the apparatuses.
【0004】一方、製造能力の向上のために、製造設備
の増強がなされる場合がある。その際、工場の新設等で
対応がなされる場合はもちろんあるが、まずは既存設備
内における単位面積当たりの製造能力の向上、つまり
は、製造装置の小型化および高集積化が、できる限り求
められる場合が多い。建設に際し多額のコストを要する
クリーンルーム内で製造する必要がある、上述のような
半導体デバイス等の製造の場合はなおさらである。On the other hand, in order to improve the production capacity, production facilities may be enhanced. At that time, of course, there are cases where measures are taken such as by establishing new factories, but first of all, improvement of manufacturing capacity per unit area in existing equipment, that is, miniaturization and high integration of manufacturing equipment is required as much as possible. In many cases. This is especially true in the case of manufacturing the semiconductor device or the like as described above, which needs to be manufactured in a clean room which requires a large amount of cost for construction.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板処理装置においては、それぞれの処理部や装置同士
が、ほとんどの場合平面的にレイアウトされていたため
に、基板を搬送するための経路を確保せねばならず、装
置サイズの縮小には限界があった。また、そうしあた平
面的なレイアウトを採用しているために、多くの場合、
装置外との基板の受け渡しと、装置内部における基板の
搬送とが、それぞれ別のロボットにより行われるのが一
般的であった。However, in the conventional substrate processing apparatus, since the respective processing units and apparatuses are laid out in a plane in most cases, a route for transferring the substrate should be secured. There was a limit to the reduction in device size. Also, because of the flat layout, in most cases,
It is general that the transfer of the substrate to the outside of the device and the transfer of the substrate inside the device are performed by different robots.
【0006】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、フットプリントを小さくした基板処理装置を提
供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus having a small footprint.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板に所定の処理がなされる処
理ユニットと、前記処理ユニットに基板を搬入するとと
もに前記処理ユニットから基板を搬出する搬送手段と、
前記搬送手段が略水平な一方向に移動する第1搬送領域
と、を備え、前記処理ユニットが前記第1搬送領域の上
方に配置されていることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 provides a processing unit in which a predetermined processing is performed on a substrate, a substrate is carried into the processing unit, and the substrate is transferred from the processing unit. Transporting means for carrying out,
A first transfer area in which the transfer means moves in one substantially horizontal direction, and the processing unit is disposed above the first transfer area.
【0008】また、請求項2の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置であって、前記搬送手段は、前記基板処
理装置内に設けられた基板収納部から前記処理が施され
る前の未処理基板を取り出すとともに、基板収納部に前
記処理が施された後の処理済基板を収納することを特徴
とする。The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transfer means is provided before the processing is performed from a substrate storage portion provided in the substrate processing apparatus. The unprocessed substrate is taken out, and the processed substrate after the above-mentioned processing is stored in the substrate storage part.
【0009】また、請求項3の発明は、請求項1または
請求項2に記載の基板処理装置であって、前記第1搬送
領域に接続し、前記搬送手段が略鉛直方向にのみ移動可
能となる第2搬送領域を備えることを特徴とする。The invention according to claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the transfer means is connected to the first transfer area, and the transfer means is movable only in a substantially vertical direction. It is characterized in that it is provided with a second transport area.
【0010】また、請求項4の発明は、請求項3に記載
の基板処理装置であって、前記処理ユニットが前記第2
搬送領域に隣接配置され、前記搬送手段が前記第2搬送
領域において前記処理ユニットに基板を受け渡すことを
特徴とする。The invention of claim 4 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the processing unit is the second
It is arranged adjacent to the transfer area, and the transfer means transfers the substrate to the processing unit in the second transfer area.
【0011】また、請求項5の発明は、請求項4に記載
の基板処理装置であって、前記処理ユニットの複数が、
鉛直方向に積層配置されることを特徴とする。Further, the invention of claim 5 is the substrate processing apparatus according to claim 4, wherein a plurality of the processing units are provided.
It is characterized in that they are stacked in the vertical direction.
【0012】また、請求項6の発明は、請求項1ないし
請求項5のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記処理ユニットが、前記基板の主面に対し所定の処理液
による処理を施す液処理部と、前記液処理手段による液
処理の前後に前記基板に対し熱処理を行う熱処理部と、
を備えることを特徴とする。The invention according to claim 6 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the processing unit processes the main surface of the substrate with a predetermined processing liquid. And a heat treatment unit that heat-treats the substrate before and after the liquid treatment by the liquid treatment means.
It is characterized by including.
【0013】また、請求項7の発明は、請求項6に記載
の基板処理装置であって、前記液処理部が、前記基板の
主面に対しレジストを塗布するレジスト塗布手段と、前
記基板の主面に対し現像処理を行うする現像手段と、を
備えることを特徴とする。According to a seventh aspect of the invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the sixth aspect, wherein the liquid processing section applies a resist onto the main surface of the substrate, and a resist coating means for coating the substrate. And a developing unit that performs a developing process on the main surface.
【0014】また、請求項8の発明は、請求項1ないし
請求項5のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記処理ユニットが、前記基板を洗浄する洗浄手段を備え
ることを特徴とする。The invention according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the processing unit includes a cleaning means for cleaning the substrate. To do.
【0015】また、請求項9の発明は、請求項1ないし
請求項5のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記処理ユニットが、基板に対して所定の検査を行う検査
部を備えることを特徴とする。The invention according to claim 9 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the processing unit includes an inspection unit for performing a predetermined inspection on the substrate. It is characterized by
【0016】また、請求項10の発明は、請求項9に記
載の基板処理装置であって、前記検査部が、レジストの
膜厚を測定する膜厚測定ユニット、パターンの線幅を測
定する線幅測定ユニット、パターンの重ね合わせを測定
する重ね合わせ測定ユニット、または、マクロ欠陥検査
ユニットのいずれかを含むことを特徴とする。According to a tenth aspect of the invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, wherein the inspection section measures a film thickness measuring unit for measuring the resist film thickness and a line for measuring the line width of the pattern. It is characterized by including either a width measurement unit, an overlay measurement unit that measures overlay of patterns, or a macro defect inspection unit.
【0017】また、請求項11の発明は、請求項9に記
載の基板処理装置であって、前記検査部は、第1の検査
ユニットおよび第2の検査ユニットを含み、前記第1の
検査ユニットは、レジストの膜厚測定、パターンの線幅
測定およびパターンの重ね合わせ測定を行い、前記第2
の検査ユニットは、マクロ欠陥検査を行うことを特徴と
する。Further, the invention of claim 11 is the substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the inspection section includes a first inspection unit and a second inspection unit, and the first inspection unit. Performs resist film thickness measurement, pattern line width measurement, and pattern overlay measurement.
The inspection unit is characterized by performing a macro defect inspection.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】<第1の実施の形態>図1は、第
1の実施の形態における基板処理装置1の平面図、図2
は基板処理装置1の正面図、図3は基板処理装置1の側
面図である。なお、図1〜図3および以降の図には、X
Y平面を水平面とし、鉛直方向上向きをZ軸とするXY
Z座標系を付している。なお、基板処理装置1の正面は
X軸負方向を向いているとする。基板処理装置1は、基
板にレジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装
置(いわゆるコータ&デベロッパ)である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION <First Embodiment> FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment.
Is a front view of the substrate processing apparatus 1, and FIG. 3 is a side view of the substrate processing apparatus 1. In addition, in FIGS.
XY with the Y plane as the horizontal plane and the vertical upward direction as the Z axis
The Z coordinate system is attached. It is assumed that the front surface of the substrate processing apparatus 1 faces the negative direction of the X axis. The substrate processing apparatus 1 is a substrate processing apparatus (so-called coater & developer) that performs resist coating processing and development processing on a substrate.
【0019】図1〜図3に示すように、基板処理装置1
は、カセットC1、C2を載置するための載置ステージ
10と、基板Wにレジスト塗布処理を行う塗布処理ユニ
ットSCと、基板Wに現像処理を行う現像処理ユニット
SDと、基板Wを一定温度に加熱する加熱ユニットHP
1〜HP4と、基板Wを一定温度まで冷却する冷却ユニ
ットCP1〜CP4と、搬送エリア6と、搬送エリア6
の搬送路5上に配置された搬送ロボットTRとを、主と
して備えている。また、基板処理装置1の背面には、レ
ジスト塗布がなされた基板Wに対し露光処理を行う露光
機(いわゆるステッパ)に対して、基板Wを受け渡すた
め、および露光処理が施された基板Wに対し現像処理を
行うべく、露光機から基板Wを受け取るためのインター
フェースIFが、隣接配置されている。なお、インター
フェースIFを介さず、直接露光機に基板Wを受け渡す
構成であってもよい。As shown in FIGS. 1 to 3, the substrate processing apparatus 1
Is a mounting stage 10 for mounting the cassettes C1 and C2, a coating processing unit SC for performing resist coating processing on the substrate W, a developing processing unit SD for performing developing processing on the substrate W, and a constant temperature for the substrate W. Heating unit HP
1 to HP4, cooling units CP1 to CP4 for cooling the substrate W to a constant temperature, a transfer area 6, and a transfer area 6
And a transport robot TR arranged on the transport path 5 of FIG. Further, on the back surface of the substrate processing apparatus 1, for transferring the substrate W to an exposure device (so-called stepper) that performs the exposure process on the substrate W on which the resist coating has been performed, and the substrate W on which the exposure process has been performed. An interface IF for receiving the substrate W from the exposure machine is adjacently arranged to perform a developing process. Note that the substrate W may be directly delivered to the exposure machine without using the interface IF.
【0020】図2に示すように、搬送エリア6は正面か
らみて逆T字型の形状をなしている。以降、搬送エリア
6のうち、基板処理装置1の底部においてY方向に広が
る空間を底部搬送エリア6a、装置中央部でZ方向に広
がる空間を中央部搬送エリア6bと称する。搬送ロボッ
トTRは、底部搬送エリア6aにて搬送路5上を矢印A
R1に示すように水平方向(Y方向)に、中央部搬送エ
リア6bにて伸縮により矢印AR2に示すように鉛直方
向(Z方向)に移動可能となっている。As shown in FIG. 2, the transport area 6 has an inverted T-shape when viewed from the front. Hereinafter, in the transfer area 6, a space extending in the Y direction at the bottom of the substrate processing apparatus 1 is referred to as a bottom transfer area 6a, and a space extending in the Z direction at the center of the apparatus is referred to as a central transfer area 6b. The transfer robot TR moves along the arrow A on the transfer path 5 in the bottom transfer area 6a.
As shown by R1, it can be moved in the horizontal direction (Y direction) by expansion and contraction in the central transport area 6b in the vertical direction (Z direction) as shown by arrow AR2.
【0021】また、塗布処理ユニットSCと現像処理ユ
ニットSDとが、中央部搬送エリア6bをはさんで、対
向配置されている。塗布処理ユニットSCの鉛直上方に
は、4つの熱処理ユニット、冷却ユニットCP1、冷却
ユニットCP2、加熱ユニットHP1、加熱ユニットH
P2が下から順に積層配置されている。同様に、現像処
理ユニットSDの鉛直上方には、下から順に冷却ユニッ
トCP3、冷却ユニットCP4、加熱ユニットHP3、
加熱ユニットHP4が積層配置されている。ただし図1
においては、図示の便宜上熱処理ユニットを平面的に配
置している。従って、加熱ユニットHP1〜HP4およ
び冷却ユニットCP1〜CP4についても塗布処理ユニ
ットSCと現像処理ユニットSDと同様に対向配置され
ていることになる。Further, the coating processing unit SC and the development processing unit SD are arranged to face each other across the central transport area 6b. Four heat treatment units, a cooling unit CP1, a cooling unit CP2, a heating unit HP1, and a heating unit H are provided vertically above the coating processing unit SC.
P2 is stacked in order from the bottom. Similarly, above the development processing unit SD, a cooling unit CP3, a cooling unit CP4, a heating unit HP3, and
The heating unit HP4 is arranged in layers. However, Figure 1
In FIG. 2, the heat treatment units are arranged in a plane for convenience of illustration. Therefore, the heating units HP1 to HP4 and the cooling units CP1 to CP4 are also arranged to face each other, like the coating processing unit SC and the development processing unit SD.
【0022】2つの載置ステージ10は、搬送路5に沿
って設けられており、それぞれの上面の所定位置にはカ
セットC1、C2が載置される。各カセットC1、C2
には、多段の収納溝が刻設されており、それぞれの溝に
は1枚の基板Wを水平姿勢にて(主面を水平面に沿わせ
て)収容することができる。従って、各カセットC1、
C2には、複数の基板Wを水平姿勢かつ多段に所定の間
隔を隔てて積層した状態にて収納することができる。な
お、本実施形態のカセットC1、C2の形態としては、
基板を密閉空間に収納するFOUP(front opening uni
fied pod)を採用しているが、これに限定されるもので
はなく、収納基板を外気に曝すOC(open casette)であ
ってもよい。The two mounting stages 10 are provided along the transport path 5, and the cassettes C1 and C2 are mounted at predetermined positions on the respective upper surfaces. Each cassette C1, C2
Has a plurality of storage grooves engraved therein, and each of the grooves can accommodate one substrate W in a horizontal posture (with its main surface along a horizontal plane). Therefore, each cassette C1,
A plurality of substrates W can be housed in C2 in a horizontal posture and in a multi-tiered state with a plurality of layers spaced at predetermined intervals. In addition, as a form of the cassettes C1 and C2 of the present embodiment,
FOUP (front opening uni) to store the board in a closed space
Although a fied pod) is adopted, the present invention is not limited to this and may be an OC (open casette) that exposes the storage substrate to the outside air.
【0023】各カセットC1、C2の搬送路側には蓋が
設けられており、当該蓋は基板Wの出し入れを行えるよ
うに着脱可能とされている。カセットC1、C2の蓋の
着脱は、図示を省略するポッドオープナーによって行わ
れる。カセットC1、C2から蓋を取り外すことによ
り、図2および図3に示すように、開口部8が形成され
る。カセットC1、C2に対する基板Wの搬入搬出はこ
の開口部8を介して行われる。Each of the cassettes C1 and C2 is provided with a lid on the transport path side, and the lid is detachable so that the substrate W can be taken in and out. The lids of the cassettes C1 and C2 are attached and detached by a pod opener (not shown). By removing the lid from the cassettes C1 and C2, the opening 8 is formed as shown in FIGS. 2 and 3. The substrate W is loaded into and unloaded from the cassettes C1 and C2 through the opening 8.
【0024】また、本実施形態では、カセットC1に洗
浄処理前の未処理基板を収納し、カセットC2に洗浄処
理後の処理済基板を収納するものとする。なお、カセッ
トC1、C2の載置ステージ10への載置および載置ス
テージ10からの搬出は、通常AGV(Automatic Guide
d Vehicle)やOHT(over-head hoist transport)等に
よって自動的に行うようにしている。Further, in this embodiment, it is assumed that the cassette C1 stores the unprocessed substrate before the cleaning process and the cassette C2 stores the processed substrate after the cleaning process. The cassettes C1 and C2 are usually placed on the mounting stage 10 and carried out from the mounting stage 10 by an AGV (Automatic Guide).
d vehicle) or OHT (over-head hoist transport).
【0025】塗布処理ユニットSCは、基板を回転させ
つつその基板主面にフォトレジストを滴下することによ
って均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピンコータ
である。現像処理ユニットSDは、露光後の基板上に現
像液を供給することによって現像処理を行う、いわゆる
スピンデベロッパである。The coating processing unit SC is a so-called spin coater for uniformly coating the resist by dropping the photoresist on the main surface of the substrate while rotating the substrate. The development processing unit SD is a so-called spin developer that performs development processing by supplying a developing solution onto the exposed substrate.
【0026】冷却ユニットCP1〜CP4は、基板を所
定の温度にまで冷却し、また低温度状態に維持する、い
わゆるクールプレートである。加熱ユニットHP1〜H
P4は、基板を所定の温度にまで加熱し、また高温度状
態に維持する、いわゆるホットプレートである。また厳
密には、塗布処理ユニットSCおよび現像処理ユニット
SDの直上には各処理ユニットにクリーンエアを供給す
るための空調ユニットが設けられているが、図1〜図3
においてはこれを省略している。The cooling units CP1 to CP4 are so-called cool plates that cool the substrate to a predetermined temperature and maintain it at a low temperature. Heating units HP1 to H
P4 is a so-called hot plate that heats the substrate to a predetermined temperature and maintains the high temperature. Strictly speaking, an air conditioning unit for supplying clean air to each processing unit is provided directly above the coating processing unit SC and the development processing unit SD.
This is omitted in.
【0027】なお、塗布処理ユニットSC、現像処理ユ
ニットSD、加熱ユニットHP1〜HP4、および冷却
ユニットCP1〜CP4のそれぞれには、中央部搬送エ
リア6bとの間に、開閉可能な開口9が設けられてい
る。Each of the coating processing unit SC, the developing processing unit SD, the heating units HP1 to HP4, and the cooling units CP1 to CP4 is provided with an opening 9 which can be opened and closed between itself and the central transport area 6b. ing.
【0028】次に、搬送ロボットTRおよび搬送アーム
45の動作について説明する。図4は、搬送ロボットT
Rの外観斜視図である。搬送ロボットTRは、伸縮体4
0の上部に搬送アーム45を備えたアームステージ43
を設けるとともに、伸縮体40によってテレスコピック
型の多段入れ子構造を実現している。Next, the operations of the transfer robot TR and the transfer arm 45 will be described. FIG. 4 shows a transfer robot T
It is an appearance perspective view of R. The transport robot TR includes a telescopic body 4
An arm stage 43 having a transfer arm 45 on the upper part of 0
In addition to the above, the telescopic type multi-stage nested structure is realized by the expandable body 40.
【0029】伸縮体40は、上から順に4つの分割体4
0a、40b、40c、40dによって構成されてい
る。分割体40aは分割体40bに収容可能であり、分
割体40bは分割体40cに収容可能であり、分割体4
0cは分割体40dに収容可能である。そして、分割体
40a〜40dを順次に収納していくことによって伸縮
体40は収縮し、逆に分割体40a〜40dを順次に引
き出していくことによって伸縮体40は伸張する。すな
わち、伸縮体40の収縮時においては、分割体40aが
分割体40bに収容され、分割体40bが分割体40c
に収容され、分割体40cが分割体40dに収容され
る。一方、伸縮体40の伸張時においては、分割体40
aが分割体40bから引き出され、分割体40bが分割
体40cから引き出され、分割体40cが分割体40d
から引き出される。The elastic body 40 is composed of four divided bodies 4 in order from the top.
0a, 40b, 40c, 40d. The divided body 40a can be accommodated in the divided body 40b, the divided body 40b can be accommodated in the divided body 40c, and the divided body 4b can be accommodated.
0c can be accommodated in the divided body 40d. Then, the expandable body 40 contracts by accommodating the divided bodies 40a to 40d sequentially, and conversely, the elastic body 40 extends by drawing out the divided bodies 40a to 40d sequentially. That is, when the stretchable body 40 contracts, the divided body 40a is accommodated in the divided body 40b, and the divided body 40b is divided into the divided body 40c.
The divided body 40c is accommodated in the divided body 40d. On the other hand, when the stretchable body 40 is extended, the split body 40
a is drawn out of the divided body 40b, divided body 40b is drawn out of the divided body 40c, divided body 40c is divided body 40d
Drawn from.
【0030】伸縮体40の伸縮動作は、その内部に設け
られた伸縮昇降機構によって実現される。伸縮昇降機構
としては、例えば、ベルトとローラとを複数組み合わせ
たものをモータによって駆動する機構を採用することが
できる。搬送ロボットTRは、このような伸縮昇降機構
を駆動させることにより、中央部搬送エリア6bにおい
て鉛直方向(Z軸方向)に沿った昇降動作を行うことが
できる。The expansion / contraction operation of the expansion / contraction body 40 is realized by an expansion / contraction elevating mechanism provided therein. As the expansion / contraction mechanism, for example, a mechanism in which a motor drives a combination of a plurality of belts and rollers can be adopted. The transport robot TR can perform a lifting operation along the vertical direction (Z-axis direction) in the central transport area 6b by driving such a telescopic lifting mechanism.
【0031】また、図4に示すように搬送ロボットTR
は、水平移動部41において、雄ねじ52、ガイドレー
ル51等からなるY軸方向の駆動機構であるY駆動機構
を駆動させることにより、底部搬送エリア6aをY軸方
向に沿って移動することが可能となっている。すなわ
ち、図外の電動モータによって雄ねじ52を回転させる
ことにより、雄ねじ52に螺合する水平移動部41は、
Y軸方向に沿ってスライド移動することができる。Further, as shown in FIG. 4, the transfer robot TR
In the horizontal moving unit 41, the bottom transfer area 6a can be moved along the Y-axis direction by driving a Y drive mechanism that is a Y-axis direction drive mechanism including a male screw 52, a guide rail 51, and the like. Has become. That is, when the male screw 52 is rotated by an electric motor (not shown), the horizontal moving portion 41 screwed into the male screw 52 is
It can slide along the Y-axis direction.
【0032】さらに、搬送ロボットTRは、搬送アーム
45の水平進退移動および回転動作を行うこともでき
る。具体的には、分割体40aの上部にアームステージ
43が設けられており、搬送アーム45は、そのアーム
ステージ43によって水平進退移動および回転動作を行
うことができる。すなわち、アームステージ43が搬送
アーム45のアームセグメントを屈伸させることにより
搬送アーム45が水平進退移動を行うことができ、アー
ムステージ43自体が伸縮体40に対して回転動作を行
うことにより回転動作を行うことができる。Further, the transfer robot TR can also perform horizontal advancing / retreating movement and rotating operation of the transfer arm 45. Specifically, an arm stage 43 is provided above the divided body 40a, and the transfer arm 45 can perform horizontal advancing / retreating movement and rotation operation by the arm stage 43. In other words, the arm stage 43 bends and extends the arm segment of the transfer arm 45, so that the transfer arm 45 can move horizontally and backward, and the arm stage 43 itself rotates with respect to the telescopic body 40 to rotate. It can be carried out.
【0033】従って、搬送ロボットTRは、搬送アーム
45を高さ方向に昇降動作させること、Y軸方向に沿っ
て水平移動させること、回転動作させることおよび水平
方向に進退移動させることができる。つまり、搬送ロボ
ットTRは、搬送アーム45を3次元的に移動させるこ
とができる。Therefore, the transfer robot TR can move the transfer arm 45 up and down in the height direction, horizontally move it along the Y-axis direction, rotate it, and move it forward and backward in the horizontal direction. That is, the transfer robot TR can move the transfer arm 45 three-dimensionally.
【0034】本実施形態においては、各ユニットが中央
部搬送エリア6bをはさんでZ方向に並べて配置されて
いるが、搬送ロボットTRは、上述のような水平移動部
41、伸縮体40およびアームステージ43の動作によ
って、矢印AR3にて示すように、搬送アーム45を開
口9を通じて各ユニットにアクセスさせ、基板Wの各ユ
ニットに対する搬入搬出を行うことができる。In the present embodiment, the units are arranged side by side in the Z direction across the central transport area 6b, but the transport robot TR includes the horizontal moving section 41, the telescopic body 40 and the arm as described above. By the operation of the stage 43, as shown by an arrow AR3, the transport arm 45 can access each unit through the opening 9, and the substrate W can be loaded and unloaded.
【0035】なお、伸縮体40に組み込む昇降機構とし
てはテレスコピック型の機構に限定されるものではな
く、アームステージ43および搬送アーム45を鉛直方
向に沿って昇降させることができる機構であれば、他の
周知の駆動機構を採用することが可能である。もっと
も、テレスコピック型の昇降機構は、コンパクトかつス
トロークを大きくすることができるという点において搬
送ロボットTRの昇降機構として好適である。The elevating mechanism incorporated in the telescopic body 40 is not limited to the telescopic type mechanism, and any other mechanism can be used as long as it can raise and lower the arm stage 43 and the transfer arm 45 along the vertical direction. It is possible to adopt the well-known drive mechanism of. However, the telescopic lifting mechanism is suitable as a lifting mechanism for the transport robot TR in that it is compact and can have a large stroke.
【0036】以上に示すように、本実施形態に係る基板
処理装置1おいては、塗布処理ユニットSC、現像処理
ユニットSDなどの各ユニットを搬送路5の上方に配置
することにより、これらのユニットを平面的にレイアウ
トする場合に比べ、基板処理装置1のフットプリント
(装置の占める床面積)を低減でき、クリーンルーム内
における専有面積を小さくすることができる。As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the units such as the coating processing unit SC and the developing processing unit SD are arranged above the transport path 5 so that these units are disposed. The footprint of the substrate processing apparatus 1 (floor area occupied by the apparatus) can be reduced and the area occupied in the clean room can be reduced as compared with the case of laying out in a plane.
【0037】また、本実施形態においては、1つの搬送
ロボットTRで、カセットC1、C2、インターフェー
スIFおよび各ユニットのいずれに対しても基板Wを搬
入することができ、またいずれからも基板Wを搬出する
ことができる。Further, in the present embodiment, the substrate W can be loaded into any of the cassettes C1 and C2, the interface IF and each unit by one transport robot TR, and the substrate W can be loaded from any of them. It can be carried out.
【0038】また、本実施形態では、塗布処理ユニット
SC、現像処理ユニットSDよりも下方に搬送ロボット
TRが設けられているため、搬送ロボットTRの駆動動
作によって生じたパーティクル等が塗布処理ユニットS
C、現像処理ユニットSD内に進入しにくくなり、より
清浄な雰囲気中にて基板Wに対する処理を行うことがで
きる。Further, in the present embodiment, since the transfer robot TR is provided below the coating processing unit SC and the developing processing unit SD, particles or the like generated by the driving operation of the transfer robot TR are applied to the coating processing unit S.
C. It becomes difficult to enter the development processing unit SD, and the processing of the substrate W can be performed in a cleaner atmosphere.
【0039】<第2の実施の形態>図5は、第2の実施
形態における基板処理装置2の平面図である。基板処理
装置2は、基板Wに洗浄処理を行ってパーティクルを除
去する基板洗浄装置(いわゆるスクラバ)である。な
お、基板処理装置2の正面は、X軸負方向を向いている
とする。<Second Embodiment> FIG. 5 is a plan view of a substrate processing apparatus 2 according to a second embodiment. The substrate processing apparatus 2 is a substrate cleaning apparatus (so-called scrubber) that cleans the substrate W to remove particles. It is assumed that the front surface of the substrate processing apparatus 2 faces the negative direction of the X axis.
【0040】図5に示すように、基板処理装置2は、第
1の実施形態における基板処理装置1と同様に、カセッ
トC1、C2を載置するための載置ステージ10と、逆
T字型の形状を有する搬送エリア6と、搬送エリア6の
搬送路5上に配置された搬送ロボットTRとを備えてい
る。また、第1の実施形態における基板処理装置1にお
いて、塗布処理ユニットSCと現像処理ユニットSDと
が配置されていた位置に相当する位置に、2つの洗浄ユ
ニットSS1およびSS2が配置されている。すなわち
洗浄ユニットSS1とSS2とは、中央部搬送エリア6
bをはさんで対向配置されている。さらに、洗浄ユニッ
トSS1の上部には、基板の表裏面を反転させる反転処
理ユニット30が備わっている。ただし図5において
は、図示の便宜上反転処理ユニット30を平面的に配置
している。なお、載置ステージ10、カセットC1、C
2、搬送エリア6および搬送ロボットTRの構成につい
ては第1の実施形態における基板処理装置1と同じであ
り、同一の符号を付してその説明は省略する。As shown in FIG. 5, the substrate processing apparatus 2 is similar to the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment in that the mounting stage 10 for mounting the cassettes C1 and C2 and the inverted T-shape. The transfer area 6 having the shape of 1 and the transfer robot TR arranged on the transfer path 5 of the transfer area 6 are provided. Further, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, two cleaning units SS1 and SS2 are arranged at positions corresponding to the positions where the coating processing unit SC and the development processing unit SD were arranged. That is, the cleaning units SS1 and SS2 are arranged in the central transport area 6
They are placed opposite to each other with b in between. Further, a reversal processing unit 30 for reversing the front and back surfaces of the substrate is provided above the cleaning unit SS1. However, in FIG. 5, the inversion processing unit 30 is arranged in a plane for convenience of illustration. The mounting stage 10, cassettes C1 and C
The configurations of 2, the transfer area 6 and the transfer robot TR are the same as those of the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment, and the same reference numerals are given and the description thereof is omitted.
【0041】洗浄ユニットSS1、SS2は、基板Wを
その端縁部を把持して回転させつつ主面(表面または裏
面)に純水を供給し、ブラシによって基板Wに付着した
パーティクルを除去するスピンスクラバである。なお、
洗浄ユニットSS1、SS2は、スピンスクラバに限定
されるものではなく、基板Wに付着したパーティクルを
除去するユニットであれば種々のものを採用することが
できる。例えば、薬液によるエッチング作用を利用し
て、洗浄を行う機能を備えるものや、ポリマー除去処理
を行う機能を備えるものであってもよい。The cleaning units SS1 and SS2 spin the substrate W while gripping the edges of the substrate W and rotating the substrate W to supply pure water to the main surface (front surface or back surface) and remove particles adhering to the substrate W by a brush. It is a scrubber. In addition,
The cleaning units SS1 and SS2 are not limited to the spin scrubber, and various units can be adopted as long as they are units that remove particles adhering to the substrate W. For example, it may have a function of performing cleaning or a function of performing polymer removal processing by utilizing the etching action of a chemical solution.
【0042】反転処理ユニット30は基板Wの表裏面を
上下反転させる機能を備えるユニットである。基板処理
装置2においては、洗浄ユニットSS1において表面
(上面)が洗浄された基板Wが、反転処理ユニット30
に搬入されて、上下反転を施される。未洗浄の裏面が上
面となった状態で、基板Wは洗浄ユニットSS2に搬送
され、裏面の洗浄処理を受けることになる。The inversion processing unit 30 is a unit having a function of vertically inverting the front and back surfaces of the substrate W. In the substrate processing apparatus 2, the substrate W whose surface (upper surface) has been cleaned in the cleaning unit SS1 is the reversal processing unit 30.
It is carried in and is turned upside down. The substrate W is transported to the cleaning unit SS2 with the uncleaned back surface being the top surface, and undergoes the back surface cleaning process.
【0043】また、図示は省略するが、第1の実施形態
における基板処理装置1の各ユニットの場合と同様に、
洗浄ユニットSS1、SS2、および反転処理ユニット
30のそれぞれには、基板Wを搬入搬出するための開口
9が中央部搬送エリア6bに向けて形成されており、さ
らに開口9を開閉するためのシャッター等も設けられて
いる。さらに、各処理ユニットの直上には各処理ユニッ
トにクリーンエアを供給するための空調ユニットも設け
られている。Although not shown, as in the case of each unit of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment,
In each of the cleaning units SS1 and SS2 and the reversal processing unit 30, an opening 9 for loading and unloading the substrate W is formed toward the central transport area 6b, and a shutter for opening and closing the opening 9 and the like. Is also provided. Further, an air conditioning unit for supplying clean air to each processing unit is provided directly above each processing unit.
【0044】搬送ロボットTRの構成は第1の実施形態
と同様であることから、本実施形態においても、搬送ロ
ボットTRは、搬送アーム45を高さ方向に昇降動作さ
せること、Y軸方向に沿って水平移動させること、回転
動作させることおよび水平方向に進退移動させることが
できる。つまり、搬送ロボットTRは、搬送アーム45
を3次元的に移動させることができる。Since the structure of the transfer robot TR is the same as that of the first embodiment, the transfer robot TR also moves the transfer arm 45 up and down in the height direction in the present embodiment as well, along the Y-axis direction. Can be horizontally moved, rotated, and moved back and forth in the horizontal direction. That is, the transfer robot TR is configured to transfer the transfer arm 45.
Can be moved three-dimensionally.
【0045】上述のように各ユニットを配置すること
で、本実施形態に係る基板処理装置2においても、フッ
トプリントを低減でき、クリーンルーム内における専有
面積をより小さくすることができる。また、本実施形態
においても、1つの搬送ロボットTRによって、カセッ
トC1、C1および各ユニットに対する基板Wの搬入搬
出を行うことができる。さらに、搬送ロボットTRの駆
動動作によって生じたパーティクル等の洗浄処理ユニッ
トに対する進入が抑制でき、基板Wをより清浄な状態に
保つことができる。By arranging the units as described above, the footprint can be reduced and the occupied area in the clean room can be further reduced in the substrate processing apparatus 2 according to this embodiment. Also in this embodiment, the substrate W can be carried in and out of the cassettes C1, C1 and each unit by one transport robot TR. Further, particles or the like generated by the driving operation of the transport robot TR can be prevented from entering the cleaning processing unit, and the substrate W can be kept in a cleaner state.
【0046】<第3の実施の形態>図6は、第3の実施
形態における基板処理装置3の平面図である。基板処理
装置3は、基板Wの状態、あるいは基板Wに対する所定
の処理に関する成否をチェックするための検査を行う基
板検査装置である。なお、基板処理装置3の正面は、X
軸負方向を向いているとする。<Third Embodiment> FIG. 6 is a plan view of a substrate processing apparatus 3 according to a third embodiment. The substrate processing apparatus 3 is a substrate inspection apparatus that performs an inspection for checking the state of the substrate W or the success or failure of a predetermined process on the substrate W. The front surface of the substrate processing apparatus 3 is X
It is assumed that the axis faces the negative direction.
【0047】図6に示すように、基板処理装置3は、第
2の実施形態における基板処理装置2と同様に、カセッ
トC1、C2を載置するための載置ステージ10と、逆
T字型の形状を有する搬送エリア6と、搬送エリア6の
搬送路5上に配置された搬送ロボットTRとを備えてい
る。また、第2の実施形態における基板処理装置2にお
いて、洗浄ユニットSS1とSS2が配置されていた位
置に相当する位置に、それぞれ第1検査ユニット70と
第2検査ユニット80とが配置されている。すなわち第
1検査ユニット70と第2検査ユニット80とは、中央
部搬送エリア6bをはさんで対向配置されている。な
お、本実施形態においても、載置ステージ10、カセッ
トC1、C2、搬送エリア6および搬送ロボットTRの
構成については第1の実施形態における基板処理装置1
と同じであり、同一の符号を付してその説明は省略す
る。As shown in FIG. 6, the substrate processing apparatus 3 is similar to the substrate processing apparatus 2 in the second embodiment in that the mounting stage 10 for mounting the cassettes C1 and C2 and the inverted T-shape. The transfer area 6 having the shape of 1 and the transfer robot TR arranged on the transfer path 5 of the transfer area 6 are provided. Further, in the substrate processing apparatus 2 according to the second embodiment, the first inspection unit 70 and the second inspection unit 80 are arranged at positions corresponding to the positions where the cleaning units SS1 and SS2 were arranged. That is, the first inspection unit 70 and the second inspection unit 80 are arranged to face each other across the central transport area 6b. Also in this embodiment, the configurations of the mounting stage 10, the cassettes C1 and C2, the transfer area 6 and the transfer robot TR are the same as those in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment.
The same reference numerals are given and the description thereof will be omitted.
【0048】第1検査ユニット70はマクロ欠陥検査を
行う検査ユニット(マクロ欠陥検査ユニット)である。
「マクロ欠陥検査」は、基板W上に現出した比較的大き
な欠陥、例えばパーティクルの付着の有無を判定する検
査である。一方、第2検査ユニット80は、レジストの
膜厚測定、パターンの線幅測定およびパターンの重ね合
わせ測定を行う検査ユニットである。すなわち、第2検
査ユニット80は、3種類の検査を行う機能を備える。
「レジストの膜厚測定」は、基板W上に塗布されたレジ
ストの膜厚を測定する検査である。「パターンの線幅測
定」は、露光および現像処理によって基板W上に形成さ
れたパターンの線幅を測定する検査である。「パターン
の重ね合わせ測定」は、露光および現像処理によって基
板W上に形成されたパターンのずれを測定する検査であ
る。The first inspection unit 70 is an inspection unit (macro defect inspection unit) for performing macro defect inspection.
The “macro defect inspection” is an inspection for determining the presence or absence of a relatively large defect appearing on the substrate W, for example, particles. On the other hand, the second inspection unit 80 is an inspection unit that performs resist film thickness measurement, pattern line width measurement, and pattern overlay measurement. That is, the second inspection unit 80 has a function of performing three types of inspections.
The “resist film thickness measurement” is an inspection for measuring the film thickness of the resist applied on the substrate W. “Pattern line width measurement” is an inspection for measuring the line width of a pattern formed on the substrate W by exposure and development processing. “Pattern overlay measurement” is an inspection for measuring the deviation of the pattern formed on the substrate W by the exposure and development processes.
【0049】また、図示は省略するが、本実施形態の場
合も、第1検査ユニット70、第2検査ユニット80の
それぞれには、基板Wを搬入搬出するための開口9が中
央部搬送エリア6bに向けて形成されており、さらに開
口9を開閉するためのシャッター等も設けられている。
さらに、各処理ユニットの直上には各処理ユニットにク
リーンエアを供給するための空調ユニットも設けられて
いる。Although not shown, in the present embodiment as well, in each of the first inspection unit 70 and the second inspection unit 80, the opening 9 for loading / unloading the substrate W is provided in the central transport area 6b. And a shutter and the like for opening and closing the opening 9 are also provided.
Further, an air conditioning unit for supplying clean air to each processing unit is provided directly above each processing unit.
【0050】上述のように各検査ユニットを配置するこ
とで、本実施形態に係る基板処理装置3においても、第
1および第2の実施形態と同様に、フットプリントを低
減でき、クリーンルーム内における専有面積をより小さ
くすることができる。また、搬送ロボットTRの構成は
第1の実施形態と同様であることから、本実施形態にお
いても、1つの搬送ロボットTRで、カセットC1、C
2および各ユニットに対する基板Wの搬入搬出を行うこ
とができる。さらに、搬送ロボットTRの駆動動作によ
って生じたパーティクル等の洗浄処理ユニットに対する
進入が抑制でき、基板Wをより清浄な状態に保つことが
できる。By disposing each inspection unit as described above, also in the substrate processing apparatus 3 according to the present embodiment, the footprint can be reduced and it can be used exclusively in the clean room as in the first and second embodiments. The area can be made smaller. In addition, since the configuration of the transport robot TR is the same as that of the first embodiment, even in the present embodiment, one transport robot TR can be used for the cassettes C1 and C.
2 and the substrate W can be loaded and unloaded. Further, particles or the like generated by the driving operation of the transport robot TR can be prevented from entering the cleaning processing unit, and the substrate W can be kept in a cleaner state.
【0051】<変形例>本発明に係る基板処理装置の構
成は、上述の実施形態に限定されない。例えば、塗布処
理ユニット、現像処理ユニット、洗浄ユニット、反転処
理ユニット、および検査ユニットのうち、上述の実施形
態とは異なる組み合わせの複数のユニットが、多段に積
層配置される構成であってもよい。あるいは各々のユニ
ットの数が、上述の実施形態と異なってもよい。<Modification> The structure of the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to the above embodiment. For example, among the coating processing unit, the development processing unit, the cleaning unit, the reversal processing unit, and the inspection unit, a plurality of units in a combination different from the above-described embodiment may be stacked and arranged in multiple stages. Alternatively, the number of each unit may be different from that in the above-described embodiment.
【0052】各ユニットの積層位置、および順序が、上
述の実施形態と異なっていてもよい。例えば、第1の実
施形態において、一方に塗布処理ユニットSCと現像処
理ユニットSDとが積層配置され、もう一方に各熱処理
ユニットが積層配置される構成であってもよい。装置を
構成するユニットに応じて、各ユニットにおける処理時
間と、ユニット間の搬送動作および搬送時間とにおいて
最も効率化が図れる構成であることが望ましい。The stacking position and order of each unit may be different from those in the above-described embodiment. For example, in the first embodiment, the coating processing unit SC and the development processing unit SD may be stacked on one side and the heat treatment units may be stacked on the other side. It is desirable that the processing time in each unit, the transport operation between the units, and the transport time be the most efficient, depending on the units constituting the device.
【0053】また、載置可能なカセットの数も、2つに
限定されない。3つ以上のカセットを載置可能とする場
合、そのうちの少なくとも1つを、処理のタイムラグに
伴う基板の退避箇所であるバッファカセットとする構成
であってもよい。あるいは、専用のバッファカセットが
設けられてもよい。Also, the number of cassettes that can be placed is not limited to two. When three or more cassettes can be placed, at least one of them may be a buffer cassette which is a substrate withdrawal location due to a processing time lag. Alternatively, a dedicated buffer cassette may be provided.
【0054】搬送ロボットは、複数の搬送アームを備え
ていてもよい。いわゆるダブルアームを備えることで、
基板処理のスループットは向上する。また、搬送アーム
の形状は、図4に示した形状と異なっていてもよい。The transfer robot may include a plurality of transfer arms. By providing a so-called double arm,
Substrate processing throughput is improved. Further, the shape of the transfer arm may be different from the shape shown in FIG.
【0055】第3の実施形態においては、第1検査ユニ
ット70および第2検査ユニット80の機能は、いわゆ
るフォトリソグラフィに関連する検査を行う形態として
いたが、本発明に係る技術はこれに限定されるものでは
ない。例えば、検査ユニットとしてはアミンまたはアン
モニア濃度を測定する検査機能を備えたものを採用する
ようにしてもよい。また、基板にSOD(Spin-on-Diele
ctronics)を塗布して層間絶縁膜を形成する装置におい
て、その層間絶縁膜の焼成状態を検査する検査ユニット
を配置するようにしてもよい。In the third embodiment, the functions of the first inspection unit 70 and the second inspection unit 80 are such that so-called photolithography-related inspection is performed, but the technique according to the present invention is not limited to this. Not something. For example, an inspection unit having an inspection function for measuring the amine or ammonia concentration may be adopted. In addition, SOD (Spin-on-Diele)
In an apparatus for forming an interlayer insulating film by applying ctronics), an inspection unit for inspecting the firing state of the interlayer insulating film may be arranged.
【0056】[0056]
【発明の効果】以上、説明したように、請求項1ないし
請求項11の発明によれば、基板処理装置のフットプリ
ントを低減でき、クリーンルーム内における専有面積を
小さくすることができる。搬送領域において生じるパー
ティクル等の各処理ユニットに対する進入が抑制でき、
基板をより清浄な状態に保つことができる。As described above, according to the first to eleventh aspects of the present invention, the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced and the occupied area in the clean room can be reduced. It is possible to prevent particles such as particles generated in the transfer area from entering each processing unit,
The substrate can be kept cleaner.
【0057】また、請求項2ないし請求項11の発明に
よれば、1つの搬送ロボットで、カセットに収納された
基板を所定の処理に供し、処理済みの基板を再びカセッ
トに収納することができる。Further, according to the inventions of claims 2 to 11, one substrate transfer robot can be used to subject the substrates accommodated in the cassette to a predetermined treatment, and the treated substrates can be accommodated again in the cassette. .
【0058】また、請求項3ないし請求項11の発明に
よれば、搬送ロボットが略垂直方向に移動することがで
きる。According to the inventions of claims 3 to 11, the transfer robot can move in a substantially vertical direction.
【0059】また、請求項4ないし請求項11の発明に
よれば、搬送ロボットが略鉛直方向に移動して、各処理
ユニットに基板を受け渡すことができる。Further, according to the inventions of claims 4 to 11, the transfer robot can move in a substantially vertical direction to transfer the substrate to each processing unit.
【0060】また、請求項5ないし請求項11の発明に
よれば、基板処理装置が多くの処理ユニットを備える場
合であっても、基板処理装置のフットプリントを低減で
きる。According to the fifth to eleventh aspects of the present invention, even if the substrate processing apparatus includes many processing units, the footprint of the substrate processing apparatus can be reduced.
【0061】特に、請求項6ないし請求項7の発明によ
れば、基板に対する現像処理に係る基板処理装置のフッ
トプリントを低減できる。Particularly, according to the inventions of claims 6 to 7, it is possible to reduce the footprint of the substrate processing apparatus relating to the development processing on the substrate.
【0062】特に、請求項8の発明によれば、基板に対
する洗浄処理に係る基板処理装置のフットプリントを低
減できる。In particular, according to the invention of claim 8, the footprint of the substrate processing apparatus for cleaning the substrate can be reduced.
【0063】特に、請求項9ないし請求項11の発明に
よれば、基板に対する検査処理に係る基板処理装置のフ
ットプリントを低減できる。Particularly, according to the inventions of claims 9 to 11, it is possible to reduce the footprint of the substrate processing apparatus relating to the inspection processing on the substrate.
【図1】第1の実施の形態における基板処理装置1の平
面図である。FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment.
【図2】基板処理装置1の正面図である。FIG. 2 is a front view of the substrate processing apparatus 1.
【図3】基板処理装置1の側面図である。FIG. 3 is a side view of the substrate processing apparatus 1.
【図4】搬送ロボットTRの外観斜視図である。FIG. 4 is an external perspective view of a transfer robot TR.
【図5】第2の実施形態における基板処理装置2の平面
図である。FIG. 5 is a plan view of a substrate processing apparatus 2 according to a second embodiment.
【図6】第3の実施形態における基板処理装置3の平面
図である。FIG. 6 is a plan view of a substrate processing apparatus 3 according to a third embodiment.
1、2、3 基板処理装置 5 搬送路 6a 底部搬送エリア 6b 中央部搬送エリア 10 載置ステージ 30 反転処理ユニット 40 伸縮体 40a〜40d 分割体 41 水平移動部 43 アームステージ 45 搬送アーム 51 ガイドレール 52 雄ねじ 70 第1検査ユニット 80 第2検査ユニット AR1〜AR3 矢印 C1、C1 カセット CP1〜CP4 冷却ユニット HP1〜HP4 加熱ユニット IF インターフェース SC 塗布処理ユニット SD 現像処理ユニット SS1、SS2 洗浄ユニット TR 搬送ロボット W 基板 1, 2, 3 substrate processing equipment 5 transport paths 6a Bottom transport area 6b Central transport area 10 Placement stage 30 Inversion processing unit 40 Stretchable body 40a-40d division body 41 Horizontal moving part 43 arm stage 45 transfer arm 51 Guide rail 52 Male screw 70 First inspection unit 80 Second inspection unit AR1-AR3 arrows C1, C1 cassette CP1-CP4 Cooling unit HP1 to HP4 heating unit IF interface SC coating unit SD development unit SS1, SS2 cleaning unit TR transport robot W board
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森西 健也 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 5F031 CA02 CA05 GA43 GA49 MA02 MA06 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Kenya Morinishi 4-chome Tenjin, which runs up to Teranouchi, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto 1 Kitamachi No. 1 Dai Nippon Screen Manufacturing Co., Ltd. Inside the company F-term (reference) 5F031 CA02 CA05 GA43 GA49 MA02 MA06
Claims (11)
トと、 前記処理ユニットに基板を搬入するとともに前記処理ユ
ニットから基板を搬出する搬送手段と、 前記搬送手段が略水平な一方向に移動する第1搬送領域
と、を備え、 前記処理ユニットが前記第1搬送領域の上方に配置され
ていることを特徴とする基板処理装置。1. A processing unit for performing a predetermined process on a substrate, a transport unit for loading the substrate into the process unit and unloading the substrate from the process unit, and the transport unit moving in a substantially horizontal direction. A first transfer area, wherein the processing unit is disposed above the first transfer area.
て、 前記搬送手段は、前記基板処理装置内に設けられた基板
収納部から前記処理が施される前の未処理基板を取り出
すとともに、基板収納部に前記処理が施された後の処理
済基板を収納することを特徴とする基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transfer unit takes out an unprocessed substrate before the processing from a substrate storage unit provided in the substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus, wherein the processed substrate after the above-mentioned processing is stored in the substrate storage section.
理装置であって、 前記第1搬送領域に接続し、前記搬送手段が略鉛直方向
にのみ移動可能となる第2搬送領域を備えることを特徴
とする基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second transfer area which is connected to the first transfer area and in which the transfer means is movable only in a substantially vertical direction. A substrate processing apparatus characterized by the above.
て、 前記処理ユニットが前記第2搬送領域に隣接配置され、 前記搬送手段が前記第2搬送領域において前記処理ユニ
ットに基板を受け渡すことを特徴とする基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the processing unit is arranged adjacent to the second transfer area, and the transfer means transfers the substrate to the processing unit in the second transfer area. A substrate processing apparatus characterized by the above.
て、 前記処理ユニットの複数が、鉛直方向に積層配置される
ことを特徴とする基板処理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein a plurality of the processing units are stacked and arranged in a vertical direction.
載の基板処理装置であって、前記処理ユニットが、 前記基板の主面に対し所定の処理液による処理を施す液
処理部と、 前記液処理手段による液処理の前後に前記基板に対し熱
処理を行う熱処理部と、を備えることを特徴とする基板
処理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit performs a processing with a predetermined processing liquid on the main surface of the substrate, A substrate processing apparatus, comprising: a heat treatment unit that performs heat treatment on the substrate before and after the liquid treatment by the liquid treatment unit.
て、前記液処理部が、 前記基板の主面に対しレジストを塗布するレジスト塗布
手段と、 前記基板の主面に対し現像処理を行うする現像手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the liquid processing section applies a resist to the main surface of the substrate with a resist, and a developing process to the main surface of the substrate. Developing means to perform,
A substrate processing apparatus comprising:
載の基板処理装置であって、前記処理ユニットが、前記
基板を洗浄する洗浄手段を備えることを特徴とする基板
処理装置。8. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit includes cleaning means for cleaning the substrate.
載の基板処理装置であって、前記処理ユニットが、基板
に対して所定の検査を行う検査部を備えることを特徴と
する基板処理装置。9. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit includes an inspection unit that performs a predetermined inspection on the substrate. apparatus.
て、 前記検査部が、レジストの膜厚を測定する膜厚測定ユニ
ット、パターンの線幅を測定する線幅測定ユニット、パ
ターンの重ね合わせを測定する重ね合わせ測定ユニッ
ト、または、マクロ欠陥検査ユニットのいずれかを含む
ことを特徴とする基板処理装置。10. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the inspection unit measures a film thickness of a resist, a film thickness measuring unit, a line width measuring unit that measures a line width of a pattern, and a pattern stacking unit. A substrate processing apparatus comprising either an overlay measurement unit for measuring alignment or a macro defect inspection unit.
て、 前記検査部は、第1の検査ユニットおよび第2の検査ユ
ニットを含み、 前記第1の検査ユニットは、レジストの膜厚測定、パタ
ーンの線幅測定およびパターンの重ね合わせ測定を行
い、 前記第2の検査ユニットは、マクロ欠陥検査を行うこと
を特徴とする基板処理装置。11. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the inspection unit includes a first inspection unit and a second inspection unit, and the first inspection unit is a resist film thickness measurement. The substrate processing apparatus is characterized in that the line width measurement of the pattern and the overlay measurement of the pattern are performed, and the second inspection unit performs a macro defect inspection.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2001293395A JP2003100840A (en) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | Substrate processing system |
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JP2001293395A JP2003100840A (en) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | Substrate processing system |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2003100840A true JP2003100840A (en) | 2003-04-04 |
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ID=19115193
Family Applications (1)
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JP2001293395A Abandoned JP2003100840A (en) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | Substrate processing system |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2003100840A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294817A (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Sokudo:Kk | Method, system, and apparatus for processing substrates |
KR100836069B1 (en) | 2007-06-29 | 2008-06-09 | 세메스 주식회사 | Apparatus for processing a substrate |
JP2011077152A (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
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2001
- 2001-09-26 JP JP2001293395A patent/JP2003100840A/en not_active Abandoned
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JP2007294817A (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Sokudo:Kk | Method, system, and apparatus for processing substrates |
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JP2011077152A (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
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