JP2000353648A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus

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JP2000353648A
JP2000353648A JP11162562A JP16256299A JP2000353648A JP 2000353648 A JP2000353648 A JP 2000353648A JP 11162562 A JP11162562 A JP 11162562A JP 16256299 A JP16256299 A JP 16256299A JP 2000353648 A JP2000353648 A JP 2000353648A
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resist
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康爾 馬原
Hiroyuki Kudo
博之 工藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus suitable for processing a large substrate where the footprint of the device is small, a transfer mechanism is not large in scale, and maintenability is high. SOLUTION: For a substrate-processing device, wherein a substrate W is processed in a plurality of processes, a plurality of process parts G1, G2, G3, and G4 where a plurality of process unit for specified process to each substrate corresponding to a plurality of processes, are laminated vertically and a transfer mechanism 10 for carry-in or carry-out the substrate W from each of the plurality of process units, are provided. The plurality of process parts G1, G2, G3, and G4 are arranged radially around a space 2, and the transfer mechanism 10 comprises a transportation body 20 which is arranged in the space 2 and transports the substrate W and moves along a loop-like rail 3 in the space, so as to access through a carry-in outlets of a plurality of process mechanisms, while the transfer body 20 moves in the vertical directions.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して例え
ばレジスト塗布・現像処理のような処理を行う基板処理
装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a process such as a resist coating and developing process on a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、被処理基板例えば半導体ウエハに処理液例え
ばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術
を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を
露光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。こ
の処理工程は、半導体デバイスの高集積化には極めて重
要なプロセスである。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, for example, a processing liquid, for example, a photoresist liquid is applied to a substrate, for example, a semiconductor wafer, and a photoresist film is exposed by reducing a circuit pattern and the like using photolithography technology. There is a series of processing steps for developing this. This processing step is an extremely important process for high integration of semiconductor devices.

【0003】このような処理工程においては、洗浄処理
された半導体ウエハに対して、まずアドヒージョン処理
ユニットにて疎水化処理を施し、冷却処理ユニットにて
冷却した後、レジスト塗布ユニットにてフォトレジスト
膜を塗布形成する。このフォトレジスト膜が形成された
半導体ウエハに対し、ホットプレートユニットにてプリ
ベーク処理を施した後、冷却処理ユニットにて冷却し、
露光装置にて所定のパターンを露光する。引き続き、露
光後の半導体ウエハに対してポストエクスポージャーベ
ーク処理を施した後、冷却処理ユニットにて冷却し、現
像ユニットにて現像液を塗布して露光パターンを現像す
る。そして、最後に、ホットプレートユニットにてポス
トベーク処理を施す。
In such a processing step, the semiconductor wafer having been subjected to the cleaning processing is first subjected to a hydrophobic treatment in an adhesion processing unit, cooled in a cooling processing unit, and then subjected to a photoresist film in a resist coating unit. Is applied and formed. After subjecting the semiconductor wafer on which the photoresist film has been formed to a pre-bake process by a hot plate unit, the semiconductor wafer is cooled by a cooling process unit,
A predetermined pattern is exposed by an exposure device. Subsequently, after the exposed semiconductor wafer is subjected to post-exposure bake processing, the semiconductor wafer is cooled by a cooling processing unit, and a developing solution is applied by a developing unit to develop an exposure pattern. Finally, a post-baking process is performed by a hot plate unit.

【0004】このような一連の処理工程のうち、露光処
理を除く工程は、これらの処理ユニットを一体的に集約
したレジスト塗布・現像処理システムによって行われて
いる。このようなレジスト塗布・現像処理システムの一
つのタイプとして、垂直方向に延在された搬送路の周囲
に、上記の複数の処理機構が垂直方向に積層して配置さ
れ、この搬送路を垂直に移動し、水平方向に移動するア
ームを備えた搬送機構によって、半導体ウエハを各処理
機構に搬入・搬出するようにしたものが提案されている
(特開平4−85812号公報)。このような処理シス
テムでは、複数の処理機構間で基板を搬送する際、基板
の搬送経路が短く、かつ装置の小型化が可能で、基板の
移載を短時間で行うことができ、装置効率を高くするこ
とができる。
Among the series of processing steps, the steps excluding the exposure processing are performed by a resist coating / developing processing system in which these processing units are integrated. As one type of such a resist coating / developing processing system, a plurality of processing mechanisms described above are vertically stacked around a vertically extending transport path, and the transport path is vertically arranged. Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-85812 has proposed a semiconductor device in which a semiconductor wafer is loaded into and unloaded from each processing mechanism by a transfer mechanism having an arm that moves and moves in a horizontal direction. In such a processing system, when a substrate is transferred between a plurality of processing mechanisms, the transfer path of the substrate is short, the size of the apparatus can be reduced, the transfer of the substrate can be performed in a short time, and the efficiency of the apparatus can be improved. Can be higher.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
半導体ウエハが大型化進み、300mmウエハの時代に
突入しようとしており、上記システムにおいてこのよう
な大型の半導体ウエハに対応しようとすると、装置のフ
ットプリントが大きくなってしまうとともに、ウエハを
搬送する際のアームの水平移動距離が大きくなって搬送
機構自体が極めて大掛かりなものとなってしまう。ま
た、上記従来技術では、メンテナンスをシステムの外側
から行わざるを得ず、メンテナンス性が悪いという問題
もある。
However, in recent years,
The size of semiconductor wafers is increasing, and it is about to enter the era of 300 mm wafers. In order to accommodate such large semiconductor wafers in the above-described system, the footprint of the apparatus becomes large, and at the time of transporting the wafers, The horizontal movement distance of the arm becomes large, and the transport mechanism itself becomes extremely large. Further, in the above-described conventional technique, there is a problem that maintenance must be performed from outside the system, and the maintainability is poor.

【0006】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、装置のフットプリントが小さく、搬送機構が
大掛かりになることがなく、しかもメンテナンス性が高
い、大型基板の処理に適した基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and has a small footprint of the apparatus, does not require a large-sized transport mechanism, and has a high maintainability and is suitable for processing a large substrate. It is intended to provide a device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第1発明は、基板に対して複数工程からなる処理を
施す基板処理装置であって、前記複数の工程に対応して
各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構と、
前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
は搬出する搬送機構とを具備し、前記複数の処理機構
は、空間の周囲に放射状に配置され、前記搬送機構は、
前記空間に設けられるとともに、前記複数の処理機構の
それぞれの搬入出口を介してその中にアクセス可能なよ
うに前記空間をループ状に移動することを特徴とする基
板処理装置を提供する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a process including a plurality of steps on a substrate. A plurality of processing mechanisms for performing predetermined processing on the
A transport mechanism for loading or unloading the substrate to or from each of the plurality of processing mechanisms, wherein the plurality of processing mechanisms are radially arranged around a space, and the transport mechanism is
A substrate processing apparatus is provided in the space, and the space is moved in a loop shape so that the space can be accessed through a loading / unloading port of each of the plurality of processing mechanisms.

【0008】第2発明は、基板に対して複数工程からな
る処理を施す基板処理装置であって、前記複数の工程に
対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理
機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部と、
前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
は搬出する搬送機構とを具備し、前記複数の処理部は、
空間の周囲に放射状に配置され、前記搬送機構は、前記
空間に設けられるとともに基板を搬送する搬送体を有
し、前記複数の処理機構のそれぞれの搬入出口を介して
その中にアクセス可能なように、前記空間をループ状に
移動し、かつ前記搬送体が上下方向に移動することを特
徴とする基板処理装置を提供する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a process including a plurality of processes on a substrate, wherein a plurality of processing mechanisms for performing a predetermined process on the substrate corresponding to the plurality of processes are provided vertically. A plurality of processing units laminated in multiple directions in the direction,
A transport mechanism for loading or unloading the substrate to or from each of the plurality of processing mechanisms, the plurality of processing units,
Arranged radially around a space, the transfer mechanism has a transfer body provided in the space and transferring the substrate, and is accessible therein via a loading / unloading port of each of the plurality of processing mechanisms. The present invention further provides a substrate processing apparatus, wherein the substrate moves in a loop shape in the space, and the carrier moves in a vertical direction.

【0009】第3発明は、基板に対して複数工程からな
るレジスト処理を施す基板処理装置であって、前記レジ
スト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対し
て所定の処理を施す複数の処理機構と、前記複数の処理
機構のそれぞれに対して基板を搬入または搬出する搬送
機構とを具備し、前記複数の処理機構は、空間の周囲に
放射状に配置され、基板にレジスト液を塗布する塗布処
理機構と、基板上のレジストを露光した後、現像処理を
施す現像処理機構と、基板に対して熱的処理を施す熱的
処理機構とを含み、前記搬送機構は、前記空間に設けら
れるとともに、前記複数の処理機構のそれぞれの搬入出
口を介してその中にアクセス可能なように前記空間をル
ープ状に移動することを特徴とする基板処理装置を提供
する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a resist process including a plurality of steps on a substrate, wherein each of the substrates is subjected to a predetermined process corresponding to the plurality of steps for the resist process. A plurality of processing mechanisms, and a transport mechanism for loading or unloading the substrate to or from each of the plurality of processing mechanisms, wherein the plurality of processing mechanisms are radially arranged around a space, and apply a resist solution to the substrate. An application processing mechanism for applying, a development processing mechanism for performing development processing after exposing a resist on the substrate, and a thermal processing mechanism for performing thermal processing on the substrate, wherein the transport mechanism is provided in the space. A substrate processing apparatus is provided, wherein the space is moved in a loop shape so that the space can be accessed through a loading / unloading port of each of the plurality of processing mechanisms.

【0010】第4発明は、基板に対して複数工程からな
るレジスト処理を施す基板処理装置であって、前記レジ
スト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対し
て所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に
積層してなる複数の処理部と、前記複数の処理機構のそ
れぞれに対して基板を搬入または搬出する搬送機構とを
具備し、前記複数の処理機構は、基板にレジスト液を塗
布する塗布処理機構と、基板上のレジストを露光した
後、現像処理を施す現像処理機構と、基板に対して熱的
処理を施す熱的処理機構とを含み、前記複数の処理部
は、空間の周囲に放射状に配置され、前記搬送機構は、
前記空間に設けられるとともに基板を搬送する搬送体を
有し、前記複数の処理機構のそれぞれの搬入出口を介し
てその中にアクセス可能なように、前記空間をループ状
に移動し、かつ前記搬送体が上下方向に移動することを
特徴とする基板処理装置を提供する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a resist process including a plurality of steps on a substrate, wherein a predetermined process is performed on each substrate corresponding to the plurality of steps for the resist process. A plurality of processing units in which a plurality of processing mechanisms are stacked in multiple stages in the vertical direction, and a transport mechanism for loading or unloading a substrate with respect to each of the plurality of processing mechanisms, wherein the plurality of processing mechanisms are: A coating mechanism for applying a resist solution to the substrate, a developing mechanism for performing a developing process after exposing the resist on the substrate, and a thermal processing mechanism for performing a thermal process on the substrate; The processing unit is radially arranged around the space, and the transport mechanism is:
A transporting body provided in the space and transporting the substrate, moving the space in a loop so that the plurality of processing mechanisms can be accessed through the loading / unloading port of each of the plurality of processing mechanisms, and A substrate processing apparatus characterized in that a body moves in a vertical direction.

【0011】第1発明および第3発明によれば、複数の
処理機構を空間の周囲に放射状に配置し、この空間に搬
送機構を設けるとともに、搬送機構が複数の処理機構の
それぞれの搬入出口を介してその中にアクセス可能なよ
うに前記空間をループ状に移動するようにしたので、基
板が大型化しても搬送機構のアームの水平移動距離をさ
ほど長くすることなく、空間の周囲に多数の処理機構を
配置することができる。したがって、装置のフットプリ
ントを小さくすることができ、かつ搬送機構が大掛かり
になることを回避することができる。また、このように
搬送機構が空間をループ状に移動するようにしたので、
空間自体を大きくすることができ、その空間をメンテナ
ンス用のスペースとして用いることができ、メンテナン
ス性を高くすることができる。
According to the first and third aspects of the present invention, a plurality of processing mechanisms are radially arranged around a space, and a transfer mechanism is provided in the space. The space is moved in a loop so that it can be accessed through the space, so that even if the substrate becomes large, a large number of A processing mechanism can be arranged. Therefore, the footprint of the apparatus can be reduced, and the size of the transport mechanism can be prevented from becoming large. Also, since the transport mechanism moves in the space in a loop like this,
The space itself can be enlarged, the space can be used as a space for maintenance, and the maintainability can be improved.

【0012】第2発明および第4発明によれば、複数の
工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数
の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理
部を、空間の周囲に放射状に配置し、この空間に搬送機
構を設けるとともに、搬送機構が複数の処理機構のそれ
ぞれの搬入出口を介してその中にアクセス可能なように
前記空間をループ状に移動し、かつ搬送体が上下方向に
移動するようにしたので、基板が大型化しても搬送機構
のアームの水平移動距離をさほど長くすることなく、空
間の周囲に極めて多数の処理機構を配置することができ
る。したがって、装置のフットプリントを一層小さくす
ることができ、かつ搬送機構が大掛かりになることを回
避することができる。また、第1発明および第2発明と
同様に、搬送機構が空間をループ状に移動するようにし
たので、空間自体を大きくすることができ、その空間を
メンテナンス用のスペースとして用いることができ、メ
ンテナンス性を高くすることができる。
According to the second and fourth aspects of the present invention, a plurality of processing units, each of which performs a predetermined process on a substrate corresponding to a plurality of processes, is formed by vertically stacking a plurality of processing units. Radially arranged around the space, providing a transport mechanism in this space, and moving the space in a loop so that the transport mechanism can be accessed therein via the loading / unloading port of each of the plurality of processing mechanisms. In addition, since the transfer body is moved in the vertical direction, an extremely large number of processing mechanisms can be arranged around the space without significantly increasing the horizontal movement distance of the arm of the transfer mechanism even if the substrate becomes large. it can. Therefore, the footprint of the apparatus can be further reduced, and the size of the transport mechanism can be prevented from becoming large. Further, similarly to the first and second inventions, since the transport mechanism moves the space in a loop, the space itself can be enlarged, and the space can be used as a space for maintenance. Maintainability can be improved.

【0013】第1発明および第2発明の基板処理装置に
おいて、前記処理部の少なくとも一つが基板に対して熱
的処理を施す熱処理機構を有し、また他の少なくとも一
つが基板に対して液処理を施す液処理機構を有するよう
にすることができる。
In the substrate processing apparatus according to the first and second inventions, at least one of the processing units has a heat treatment mechanism for performing thermal processing on the substrate, and at least one of the processing units has a liquid processing method on the substrate. May be provided.

【0014】第4発明において、前記処理部の少なくと
も1つを基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構およ
び/または露光後のレジストを現像処理する現像処理機
構を含む第1の処理部とし、少なくとも他の一つを基板
に対して熱的処理を施す処理機構を含む第2の処理部と
することができる。
In the fourth invention, at least one of the processing units is a first processing unit including a coating processing mechanism for coating a resist solution on a substrate and / or a developing processing mechanism for developing a resist after exposure, and The other may be a second processing unit including a processing mechanism for performing thermal processing on the substrate.

【0015】第3発明および第4発明の基板処理装置に
おいて、レジスト塗布後の基板に露光処理を施す露光装
置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス部を
さらに有するようにすることができ、インターフェイス
部は、前記空間の周囲の前記搬送機構がアクセス可能な
位置に設けられていることが好ましい。
In the substrate processing apparatus according to the third and fourth aspects of the present invention, the substrate processing apparatus may further include an interface section for transferring the substrate to and from an exposure apparatus for performing exposure processing on the substrate after resist application. The unit is preferably provided at a position around the space where the transport mechanism can access.

【0016】上記全ての基板処理装置において、処理前
の基板および/または処理後の基板を収納可能な収納容
器を載置する収納容器載置部をさらに具備するように構
成することができる。この場合に、前記収納容器載置部
は、前記収納容器を多段に載置可能であることが好まし
い。これにより、収納容器の載置数を多くすることがで
きる。
In all of the above substrate processing apparatuses, it is possible to further comprise a storage container mounting portion for mounting a storage container capable of storing a substrate before processing and / or a substrate after processing. In this case, it is preferable that the storage container mounting portion can mount the storage container in multiple stages. Thereby, the number of placed storage containers can be increased.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態を図に基づいて説明する。図1は本発明の一
実施形態に係るレジスト塗布・現像処理システムを概略
的に示す水平断面図、図2はそのシステムを概略的に示
す斜視図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a horizontal sectional view schematically showing a resist coating / developing processing system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view schematically showing the system.

【0018】このレジスト塗布・現像処理システム1
は、空間2の周囲に半導体ウエハ(以下、単にウエハと
記す)Wに対してレジスト塗布・現像に関する一連の処
理を施す複数の処理ユニットが多段に積層された第1な
いし第4の処理部G,G,G,Gと、ウエハW
が複数枚例えば25枚単位で搭載されるウエハカセット
CRを載置する載置部を有する2つのカセットステーシ
ョン4,5と、露光装置40との間でウエハWの受け渡
しを行うためのインターフェイス部6と、洗浄装置50
との間でウエハWの受け渡しを行うためのインターフェ
イス部7とが設けられた構造を有している。そして、こ
れは筐体8に収容された状態となっている。
This resist coating and developing system 1
Is a first to fourth processing unit G in which a plurality of processing units for performing a series of processes related to resist application and development on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) W around a space 2 are stacked in multiple stages. 1 , G 2 , G 3 , G 4 and the wafer W
, Two cassette stations 4 and 5 each having a mounting portion for mounting a plurality of wafer cassettes CR, for example, in units of 25 wafers, and an interface section 6 for transferring wafers W between the exposure apparatus 40 and the cassette stations 4 and 5. And the cleaning device 50
And an interface unit 7 for transferring the wafer W between the two. This is in a state of being housed in the housing 8.

【0019】第1および第2の処理部G,G、第3
および第4の処理部G,Gならびにカセットステー
ション4,5は、それぞれ隣接して設けられており、イ
ンターフェイス部6は処理部Gとカセットステーショ
ン5との間、インターフェイス部7は処理部GとG
との間にそれぞれ設けられている。また処理部Gとカ
セットステーション4とが隣接して配置されている。
The first and second processing units G 1 , G 2 ,
And the fourth processing units G 3 and G 4 and the cassette stations 4 and 5 are provided adjacent to each other. The interface unit 6 is between the processing unit G 2 and the cassette station 5, and the interface unit 7 is the processing unit G 1 and G 4
And are provided between them. The a processing unit G 3 and the cassette station 4 are arranged adjacent.

【0020】また、空間2内にはウエハ搬送機構10が
設けられている。このウエハ搬送機構10は、空間2の
底部近傍に設けられたループ状をなすレール3に沿って
移動可能となっており、後述するように、各処理部の処
理機構、カセットステーション4,5およびインターフ
ェイス部6,7のウエハ搬入出口にアクセス可能な搬送
体20を備えている。
In the space 2, a wafer transfer mechanism 10 is provided. The wafer transfer mechanism 10 is movable along a loop-shaped rail 3 provided near the bottom of the space 2. As will be described later, the processing mechanism of each processing unit, the cassette stations 4 and 5, and A carrier 20 is provided which can access the wafer loading / unloading ports of the interface units 6 and 7.

【0021】さらに、図2に示すように、システム1の
筐体8の底部には、扉80が設けられており、作業者が
この扉80を開けて空間2に入ることができ、空間2を
メンテナンススペースとして使用することができる。な
お、空間2の適宜の位置にレジスト液等の薬液容器を配
置するこもできる。
Further, as shown in FIG. 2, a door 80 is provided at the bottom of the housing 8 of the system 1 so that an operator can open the door 80 and enter the space 2. Can be used as a maintenance space. In addition, a chemical solution container such as a resist solution can be arranged at an appropriate position in the space 2.

【0022】図2に示すように、第1の処理部G
は、カップCP内でウエハWをスピンチャック(図示せ
ず)に載置して所定の処理を行う2台のスピナ型処理ユ
ニットが上下2段に配置されており、この実施形態にお
いては、ウエハWにレジストを塗布するレジスト塗布ユ
ニット(COT)およびレジストのパターンを現像する
現像ユニット(DEV)が下からこの順に2段に重ねら
れている。第2の処理部Gも同様に、2台のスピナ型
処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット(COT)お
よび現像ユニット(DEV)が下からこの順に2段に重
ねられている。
As shown in FIG. 2, the first processing unit G 1, 2 single spinner type process units to place the wafer W on the spin chuck (not shown) performs a predetermined process in a cup CP In this embodiment, a resist coating unit (COT) for coating a resist on the wafer W and a developing unit (DEV) for developing a pattern of the resist are arranged in two layers from the bottom in this order. Have been. Similarly, the second processing section G 2, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are two-tiered in order from the bottom as two spinner-type processing units.

【0023】このようにレジスト塗布ユニット(CO
T)等を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液が
機構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本
質的に複雑であり、このように塗布ユニット(COT)
等を下段に配置することによりその複雑さが緩和される
からである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニッ
ト(COT)等を上段に配置することも可能であり、レ
ジスト塗布ユニット(COT)同士、または現像ユニッ
ト(DEV)同士を上下に配置してもよい。
As described above, the resist coating unit (CO
The reason for disposing T) and the like on the lower side is that the waste liquid of the resist solution is inherently more complicated than the waste liquid of the developer both mechanically and in terms of maintenance, and thus the coating unit (COT)
This is because the complexity is alleviated by arranging the elements in the lower stage. However, if necessary, the resist coating units (COT) and the like can be arranged in the upper stage, and the resist coating units (COT) or the developing units (DEV) may be arranged vertically.

【0024】第3の処理部Gにおいては、図3に示す
ように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち冷却処理を行うクーリングユニット(CO
L)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わ
せを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハW
の搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Wに対して加熱処理を行う4つのホットプレートユニッ
ト(HP)が下から順に8段に重ねられている。なお、
アライメントユニット(ALIM)の代わりにクーリン
グユニット(COL)を設け、クーリングユニット(C
OL)にアライメント機能を持たせてもよい。
[0024] In the third processing unit G 3 are, as shown in FIG. 3, the oven-type processing units of the wafer W is placed on a mounting table SP performs predetermined processing are multi-tiered.
That is, a cooling unit (CO
L), an adhesion unit (AD) for performing a so-called hydrophobizing process for improving the fixability of the resist, an alignment unit (ALIM) for positioning, and a wafer W
Extension unit (EXT) for loading and unloading
Four hot plate units (HP) for performing a heating process on the wafer W before and after the exposure process and after the development process are stacked in eight stages from the bottom. In addition,
A cooling unit (COL) is provided instead of the alignment unit (ALIM), and the cooling unit (C
OL) may have an alignment function.

【0025】第4の処理部Gも、オーブン型の処理ユ
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)、エクステンションユニット(EX
T)、クーリングユニット(COL)、および4つのホ
ットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ね
られている。
[0025] The fourth processing unit G 4 also, the oven-type processing units are multi-tiered. That is, a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXTCOL) which is a wafer loading / unloading section provided with a cooling plate, and an extension unit (EX
T), a cooling unit (COL), and four hot plate units (HP) are stacked in eight stages from the bottom.

【0026】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、エクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いホ
ットプレートユニット(HP)を上段に配置すること
で、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることがで
きる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。な
お、このようにスピナ型ユニットとオーブン型ユニット
とを別個の処理部に搭載することにより、スピナ型ユニ
ットに対する熱の影響を回避することができる。
By arranging the cooling unit (COL) and the extension cooling unit (EXTCOL) having a low processing temperature in the lower stage and arranging the hot plate unit (HP) having a high processing temperature in the upper stage as described above, Thermal interference can be reduced. Of course, a random multi-stage arrangement may be used. By mounting the spinner-type unit and the oven-type unit in separate processing units, the influence of heat on the spinner-type unit can be avoided.

【0027】カセットステーション4,5は、図4に示
すように、それぞれ上下2段のカセット載置台4a,4
b、および5a,5bを有しており、これらの上にそれ
ぞれ1個ずつ、合計4個のカセットがウエハWの出入口
を空間2側に向けて載置可能となっている。ウエハカセ
ットCRにおいては複数のウエハWが垂直方向(Z方
向)に配列されている。そして、例えば、カセットステ
ーション4に載置されたカセットCRから処理前のウエ
ハWが取り出され、カセットステーション5に載置され
たカセットCRへ処理済みのウエハが搬入されるように
する。
As shown in FIG. 4, the cassette stations 4 and 5 respectively include two upper and lower cassette mounting tables 4a and 4
b, and 5a and 5b, on which a total of four cassettes, one each, can be placed with the entrance of the wafer W facing the space 2 side. In the wafer cassette CR, a plurality of wafers W are arranged in a vertical direction (Z direction). Then, for example, the unprocessed wafer W is taken out from the cassette CR mounted on the cassette station 4 and the processed wafer is loaded into the cassette CR mounted on the cassette station 5.

【0028】インターフェイス部6は、露光装置40が
取り付けられるようになっており、露光装置40との間
でウエハWの受け渡しを行う搬送装置(図示せず)を備
えている。また、このインターフェイス部6には、ピッ
クアップカセットおよびバッファーカセット(いずれも
図示せず)が載置され、さらにウエハW周縁の余分なレ
ジストを除去する周辺露光装置(図示せず)が設けられ
ている。さらに、周辺露光後ウエハWを冷却するための
クーリングプレート(図示せず)も設けられている。
The interface section 6 is provided with an exposure device 40, and includes a transfer device (not shown) for transferring the wafer W to and from the exposure device 40. In addition, a pickup cassette and a buffer cassette (both not shown) are placed on the interface section 6, and a peripheral exposure device (not shown) for removing excess resist on the periphery of the wafer W is provided. . Further, a cooling plate (not shown) for cooling the wafer W after the peripheral exposure is provided.

【0029】インターフェイス部7は、ウエハを洗浄す
る洗浄装置50が取り付けられるようになっており、洗
浄装置50との間でウエハの受け渡しを行う搬送装置
(図示せず)を備えている。
The interface unit 7 is provided with a cleaning device 50 for cleaning the wafer, and includes a transfer device (not shown) for transferring the wafer to and from the cleaning device 50.

【0030】第3の処理部Gのエクステンションユニ
ット(EXT)には、搬送装置61を介して膜厚測定装
置60が接続可能になっており、そこに膜厚測定装置6
0を接続することにより、エクステンションユニット
(EXT)に載置されたウエハWを搬送装置61により
膜厚測定装置60に搬入してレジスト膜の膜厚測定を行
うことができる。
[0030] The third processing section G 3 of the extension unit (EXT), and film thickness measuring device 60 via the transfer device 61 becomes connectable thereto thickness measuring device 6
By connecting 0, the wafer W mounted on the extension unit (EXT) can be carried into the film thickness measuring device 60 by the transfer device 61 to measure the film thickness of the resist film.

【0031】第4の処理部Gのエクステンションユニ
ット(EXT)には、搬送装置71を介してパーティク
ル測定装置70が接続可能となっており、そこにパーテ
ィクル測定装置70を接続することにより、エクステン
ションユニット(EXT)に載置されたウエハWを搬送
装置71によりパーティクル測定装置70に搬入してウ
エハ表面のパーティクル数を測定することができる。
[0031] The fourth processing unit G 4 of the extension unit (EXT), has a particle measurement device 70 via the transfer device 71 can be connected, by which the connecting particle measurement device 70, the extension The wafer W mounted on the unit (EXT) can be carried into the particle measuring device 70 by the transfer device 71 and the number of particles on the wafer surface can be measured.

【0032】ウエハ搬送機構10は、図5に示すよう
に、垂直方向に延在し、垂直壁11a,11bおよびそ
れらの間の側面開口部11cを有する筒状支持体11
と、その内側に筒状支持体11に沿って垂直方向(Z方
向)に昇降自在に設けられたウエハ搬送体20とを有し
ている。筒状支持体11はモータ13の回転駆動力によ
って回転可能となっており、それにともなってウエハ搬
送体20も一体的に回転されるようになっている。
As shown in FIG. 5, the wafer transfer mechanism 10 extends vertically and has a cylindrical support 11 having vertical walls 11a and 11b and side openings 11c therebetween.
And a wafer carrier 20 provided on the inside thereof so as to be able to move up and down in the vertical direction (Z direction) along the cylindrical support 11. The cylindrical support 11 is rotatable by the rotational driving force of the motor 13, and accordingly, the wafer carrier 20 is also integrally rotated.

【0033】また、モータ13の下には走行部材30が
設けられており、この走行部材30によりモータ13お
よび筒状支持体11が支持されている。この走行部材3
0は、ループ状のレール3に沿って走行するようになっ
ており、そのレール3に対応する部分に凹所30aを有
している。この凹所30aには複数の駆動ロール31a
とガイドロール31bとが設けられており、走行部材3
0の側部には駆動ロール31aを駆動するモータ32が
取り付けられている。そして、モータ32により駆動ロ
ール31aを駆動することにより、ガイドロール31b
にガイドされて搬送機構10がレール3に沿って走行す
るようになっている。
A traveling member 30 is provided below the motor 13, and the traveling member 30 supports the motor 13 and the cylindrical support 11. This traveling member 3
Numeral 0 runs along the loop-shaped rail 3 and has a recess 30a at a portion corresponding to the rail 3. This recess 30a has a plurality of drive rolls 31a.
And the guide roll 31b are provided.
The motor 32 for driving the drive roll 31a is attached to the side of the zero. Then, the drive roll 31a is driven by the motor 32, so that the guide roll 31b is driven.
The transport mechanism 10 travels along the rail 3 while being guided.

【0034】図5および図6に示すように、ウエハ搬送
体20は、搬送基台21と、搬送基台21に沿って前後
に移動可能な3本のウエハ保持アーム22,23,24
とを備えており、これらアーム22,23,24は、筒
状支持体51の側面開口部11cを通過可能な大きさを
有している。このウエハ受け渡し部52は、モータ14
によってベルト15を駆動させることにより昇降するよ
うになっている。なお、符号16は駆動プーリー、17
は従動プーリーである。
As shown in FIGS. 5 and 6, the wafer transfer body 20 includes a transfer base 21 and three wafer holding arms 22, 23, 24 which can move back and forth along the transfer base 21.
These arms 22, 23, 24 have a size that allows them to pass through the side opening 11 c of the cylindrical support 51. The wafer transfer section 52 is
The belt 15 is driven to move up and down. Reference numeral 16 denotes a drive pulley, 17
Is a driven pulley.

【0035】ウエハ搬送体20においては、アーム2
2,23,24が上から順に配置されており、図6に示
すように、アーム22,23は、それぞれC字状のウエ
ハ保持部22a,23aを有している。また、アーム2
3には内側に延びるウエハ保持爪23bが3箇所(図で
は2箇所のみ示す)に設けられており、保持爪23bに
よってウエハWを保持するようになっている。図6では
アーム23に隠れているが、アーム24もアーム23と
同様に構成されている。これらアーム22,23,24
は、搬送基台21内に内蔵されたモータおよびベルト機
構により図6の矢印方向にそれぞれ独立して移動するこ
とが可能となっている。
In the wafer carrier 20, the arm 2
As shown in FIG. 6, the arms 22, 23 have C-shaped wafer holders 22a, 23a, respectively. Also, arm 2
3 has three wafer holding claws 23b extending inward (only two are shown in the figure), and holds the wafer W by the holding claws 23b. Although hidden in the arm 23 in FIG. 6, the arm 24 is configured similarly to the arm 23. These arms 22, 23, 24
Can be independently moved in the direction of the arrow in FIG. 6 by a motor and a belt mechanism built in the transport base 21.

【0036】このように構成されるレジスト塗布現像処
理システムにおいては、まず、カセットステーション4
のウエハカセットCRからウエハ搬送機構10のいずれ
かのアームにより一枚のウエハWが取り出され、まず、
インターフェイス部7を介して洗浄装置50に搬入さ
れ、そこでウエハWがスクラバ洗浄される。洗浄後、ウ
エハWはインターフェイス部6に戻され、ウエハ搬送機
構10のいずれかのアームにより受け取られ、第3の処
理部Gのアドヒージョン処理ユニット(AD)に搬送
され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処
理(HMDS処理)が施される。この処理は加熱を伴う
ため、その後ウエハWは、ウエハ搬送機構10のいずれ
かのアームによりアドヒージョン処理ユニット(AD)
から取り出された後、同じアームで第3および第4の処
理部G、Gのいずれかのクーリングユニット(CO
L)に搬送されて冷却される。
In the resist coating and developing system configured as described above, first, the cassette station 4
One wafer W is taken out of any one of the arms of the wafer transfer mechanism 10 from the wafer cassette CR.
The wafer W is carried into the cleaning device 50 via the interface unit 7, where the wafer W is subjected to scrubber cleaning. After the cleaning, the wafer W is returned to the interface unit 6, received by one of the arms of the wafer transfer mechanism 10, and transferred to the adhesion processing unit (AD) of the third processing unit G3, where the fixability of the resist is improved. A hydrophobizing process (HMDS process) is performed to increase the height. Since this processing involves heating, the wafer W is then transferred to the adhesion processing unit (AD) by one of the arms of the wafer transfer mechanism 10.
From the cooling unit (CO) of one of the third and fourth processing units G 3 and G 4 using the same arm.
L) and cooled.

【0037】引き続き、ウエハWは主ウエハ搬送機構1
0のいずれかのアームによりレジスト塗布ユニット(C
OT)に搬送され、レジスト液を滴下しながらウエハW
を回転させるスピンコーティングによりレジスト膜が形
成される。
Subsequently, the wafer W is transferred to the main wafer transfer mechanism 1
0, the resist coating unit (C
OT) and the wafer W
Is rotated to form a resist film.

【0038】塗布処理終了後、ウエハWはウエハ搬送機
構10により、第3または第4の処理部G,Gのい
ずれかのホットプレートユニット(HP)にてプリベー
ク処理され、次いでウエハ搬送機構10により、第3お
よび第4の処理部G,Gのいずれかのクーリングプ
レート(COL)され、そこで冷却される。そして、必
要に応じて、ウエハWを第3の処理部Gのエクステン
ションユニット(EXT)を介して膜厚測定装置60に
搬送してレジスト膜の膜厚を測定する。また、必要に応
じて、ウエハWを第4の処理部Gのエクステンション
ユニット(EXT)を介してパーティクル測定装置70
に搬送してレジスト膜上のパーティクルを測定する。
After the completion of the coating process, the wafer W is prebaked by the wafer transfer mechanism 10 in one of the hot plate units (HP) in the third or fourth processing section G 3 or G 4 , and then the wafer transfer mechanism 10 The cooling plate (COL) of one of the third and fourth processing units G 3 and G 4 is cooled by the cooling unit 10. Then, if necessary, the wafer W is transported to the third processing unit G 3 of the extension unit (EXT) via a film thickness measuring device 60 for measuring the thickness of the resist film. If necessary, particle measurement wafer W through a fourth processing unit G 4 of the extension unit (EXT) 70
And measure the particles on the resist film.

【0039】レジスト塗布後、冷却されたウエハWは、
ウエハ搬送機構11のいずれかのアームにより第3の処
理部Gのアライメントユニット(ALIM)に搬送さ
れ、そこでアライメントされた後、再びウエハ搬送機構
11のいずれかのアームによりインターフェイス部6に
搬送される。
After the application of the resist, the cooled wafer W is
By one of the arms of the wafer transfer mechanism 11 is transported to the third processing unit G 3 of the alignment unit (ALIM), where it is aligned, it is conveyed to the interface section 6 again by one of the arms of the wafer transfer mechanism 11 You.

【0040】インターフェイス部6においては、搬送装
置(図示せず)により周辺露光装置(図示せず)に搬入
され、そこでウエハWの周縁部が周辺露光されて余分な
レジストが除去された後、クーリングプレート(図示せ
ず)で冷却された後、露光装置40に搬入され、所定の
パターンが露光される。
In the interface section 6, the wafer W is carried into a peripheral exposure device (not shown) by a transfer device (not shown), where the peripheral edge of the wafer W is subjected to peripheral exposure to remove excess resist, and then cooled. After being cooled by a plate (not shown), it is carried into the exposure device 40 and a predetermined pattern is exposed.

【0041】露光後、ウエハWは露光装置40から搬送
装置によりインターフェイス部6に戻され、引き続きウ
エハ搬送機構10により第3および第4の処理部G
のいずれかのホットプレートユニット(HP)でポ
ストエクスポージャーベーク処理が施される。次いで、
ウエハWは第3および第4の処理部G、Gのいずれ
かのクーリングユニット(COL)に搬送され、そこで
冷却される。
After the exposure, the wafer W is returned from the exposure device 40 to the interface section 6 by the transfer device, and subsequently the third and fourth processing portions G 3 ,
Post-exposure baking process is performed in either a hot plate unit G 4 (HP). Then
The wafer W is transferred to one of the cooling units (COL) of the third and fourth processing units G 3 and G 4 , where it is cooled.

【0042】その後、ウエハWはウエハ搬送機構10の
いずれかのアームにより、第1および第2の処理部
,Gのいずれかの現像ユニット(DEV)に搬送
され、そこでウエハWのレジスト膜に形成された露光パ
ターンを現像する。現像終了後、ウエハWはウエハ搬送
機構10により第3および第4の処理部G,Gのい
ずれかのホットプレートユニット(HP)に搬送され、
そこでポストベーク処理が施される。次いで、ウエハW
はウエハ搬送機構10により第3および第4の処理部G
,Gのいずれかのクーリングユニット(COL)に
搬送され、そこで冷却される。そして、ウエハWは、ウ
エハ搬送機構10のいずれかのアームにより、カセット
ステーション5の所定のカセットCRに収容される。こ
れにより一連の処理が完了する。
Thereafter, the wafer W is transferred by one of the arms of the wafer transfer mechanism 10 to one of the developing units (DEV) of the first and second processing sections G 1 and G 2 , where the resist of the wafer W is transferred. The exposed pattern formed on the film is developed. After the development, the wafer W is transferred by the wafer transfer mechanism 10 to one of the hot plate units (HP) of the third and fourth processing units G 3 and G 4 ,
Then, post bake processing is performed. Next, the wafer W
Represents the third and fourth processing units G by the wafer transfer mechanism 10.
3, is transported to one of the cooling units are G 4 (COL), where it is cooled. Then, the wafer W is stored in a predetermined cassette CR of the cassette station 5 by one of the arms of the wafer transfer mechanism 10. Thus, a series of processing is completed.

【0043】このような処理において、ウエハ搬送機構
10は、空間2の周囲に放射状に配置された各ユニット
の搬入出口を介してその中にアクセス可能なように、ル
ープ状のレール3に沿って移動する。したがって、基板
が大型化してもウエハ搬送機構10のアーム22,2
3,24の水平移動距離をさほど長くすることなく、ま
た、空間2の周囲に各ユニットを放射状に設けたので、
処理ユニットを含む多数のユニットを配置することがで
きる。したがって、装置のフットプリントを小さくする
ことができ、かつウエハ搬送機構が大掛かりになること
を回避することができる。また、このようにウエハ搬送
機構10が空間2をループ状のレール3に沿って移動す
るようにしたので、空間2自体を大きくすることがで
き、その空間2をメンテナンス用のスペースとして用い
ることができるので、内側からのメンテナンスが可能と
なり、メンテナンス性を高くすることができる。さら
に、空間2の周囲に複数の処理ユニットを積層してなる
複数の処理部G,G,G,Gを設け、ウエハ搬
送機構10の搬送体20を上下に移動可能にしたので、
空間2の周囲に極めて多数の処理ユニットを配置するこ
とができる。したがって、装置のフットプリントを極め
て小さくすることができる。
In such a process, the wafer transfer mechanism 10 moves along the loop-shaped rail 3 so as to be accessible through the loading / unloading ports of each unit radially arranged around the space 2. Moving. Therefore, even if the substrate becomes large, the arms 22 and 2 of the wafer transfer mechanism 10
Since the horizontal movement distance of 3, 24 is not so long, and each unit is radially provided around the space 2,
A number of units can be arranged, including processing units. Therefore, the footprint of the apparatus can be reduced, and the size of the wafer transfer mechanism can be avoided. Further, since the wafer transfer mechanism 10 moves the space 2 along the loop-shaped rail 3 as described above, the space 2 itself can be enlarged, and the space 2 can be used as a space for maintenance. Since maintenance is possible, maintenance from the inside can be performed, and maintainability can be improved. Furthermore, a plurality of processing units G 1 , G 2 , G 3 , G 4 are provided around the space 2 by stacking a plurality of processing units, so that the transfer body 20 of the wafer transfer mechanism 10 can be moved up and down. ,
A very large number of processing units can be arranged around the space 2. Therefore, the footprint of the device can be made extremely small.

【0044】さらに、インターフェイス部7や処理部G
,Gのエクステンションユニット(EXT)を介し
て所望の装置を接続することが可能であるから、装置の
拡張性が高く、装置仕様の自由度を高くすることができ
る。
Further, the interface unit 7 and the processing unit G
3, since through G 4 of the extension unit (EXT) can be connected to desired device, highly scalable device, it is possible to increase the degree of freedom of device design.

【0045】さらにまた、カセットステーション4,5
をウエハ搬送機構10のアクセス可能な位置に設けたの
で、従来カセットステーションに設けられていた搬送機
構が不要となり装置効率を一層高めることができる。ま
た、カセットステーション4のカセット載置台を2段に
設けることにより、ウエハカセットCRの載置数を多く
することができ、処理効率を高めることができる
Further, the cassette stations 4 and 5
Is provided at an accessible position of the wafer transfer mechanism 10, the transfer mechanism conventionally provided in the cassette station becomes unnecessary, and the apparatus efficiency can be further improved. Further, by providing the cassette mounting tables of the cassette station 4 in two stages, the number of mounted wafer cassettes CR can be increased, and the processing efficiency can be improved.

【0046】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、インターフェイス部7を介して洗浄装置50を接
続したが、洗浄装置を外置きにして他のユニット、例え
ば処理部GまたはGと類似の構成を有する処理部を
配置してもよい。また、エクステンションユニット(E
XT)を介して接続される装置も上記膜厚測定装置やパ
ーティクル測定装置に限らず、他の種々のものを接続す
ることもできる。さらに、上記実施の形態では、本発明
をレジスト液を塗布し現像するレジスト塗布・現像シス
テムに適用した場合について説明したが、このようなレ
ジスト塗布・現像システムに限らず、複数の処理機構に
より複数工程を行う処理装置であれば適用可能である。
さらにまた、基板として半導体ウエハを例にとって説明
したが、半導体ウエハ以外の他の基板、例えばLCD基
板の処理にも適用することができる。さらに、複数の処
理ユニットを多段に配置してなる複数の処理部を空間の
周囲に配置した例について示したが、必ずしも多段でな
くてもよい。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, in the above embodiment, the connecting the cleaning device 50 via the interface unit 7, the other units cleaning device in the place outside, for example, a processing unit G 3 or G 4 a processing unit having a similar configuration It may be arranged. The extension unit (E
The device connected via XT) is not limited to the above-described film thickness measuring device or particle measuring device, but various other devices can also be connected. Further, in the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to a resist coating / developing system that applies and develops a resist liquid has been described. However, the present invention is not limited to such a resist coating / developing system, and a plurality of processing mechanisms may be used. Any processing apparatus that performs the process can be applied.
Furthermore, although a semiconductor wafer has been described as an example of the substrate, the present invention can be applied to processing of a substrate other than the semiconductor wafer, for example, an LCD substrate. Furthermore, although an example has been shown in which a plurality of processing units in which a plurality of processing units are arranged in multiple stages are arranged around a space, the number of processing units is not necessarily multistage.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の処理機構を空間の周囲に放射状に配置し、この空
間に搬送機構を設けるとともに、搬送機構が複数の処理
機構のそれぞれの搬入出口を介してその中にアクセス可
能なように前記空間をループ状に移動するようにしたの
で、基板が大型化しても搬送機構のアームの水平移動距
離をさほど長くすることなく、空間の周囲に多数の処理
機構を配置することができる。したがって、装置のフッ
トプリントを小さくすることができ、かつ搬送機構が大
掛かりになることを回避することができる。また、この
ように搬送機構が空間をループ状に移動するようにした
ので、空間自体を大きくすることができ、その空間をメ
ンテナンス用のスペースとして用いることができ、メン
テナンス性を高くすることができる。
As described above, according to the present invention,
A plurality of processing mechanisms are arranged radially around the space, a transport mechanism is provided in this space, and the space is looped such that the transport mechanism can be accessed therein via the loading / unloading port of each of the plurality of processing mechanisms. As the substrate is enlarged, a large number of processing mechanisms can be arranged around the space without significantly increasing the horizontal movement distance of the arm of the transfer mechanism even if the substrate becomes large. Therefore, the footprint of the apparatus can be reduced, and the size of the transport mechanism can be prevented from becoming large. In addition, since the transport mechanism moves the space in a loop as described above, the space itself can be enlarged, and the space can be used as a space for maintenance, thereby improving maintainability. .

【0048】また、複数の工程に対応して各々基板に対
して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段
に積層してなる複数の処理部を、空間の周囲に放射状に
配置し、この空間に搬送機構を設けるとともに、搬送機
構が複数の処理機構のそれぞれの搬入出口を介してその
中にアクセス可能なように前記空間をループ状に移動
し、かつ搬送体が上下方向に移動するようにしたので、
基板が大型化しても搬送機構のアームの水平移動距離を
さほど長くすることなく、空間の周囲に極めて多数の処
理機構を配置することができる。したがって、装置のフ
ットプリントを一層小さくすることができ、かつ搬送機
構が大掛かりになることを回避することができる。ま
た、搬送機構が空間をループ状に移動するようにしたの
で、空間自体を大きくすることができ、その空間をメン
テナンス用のスペースとして用いることができ、メンテ
ナンス性を高くすることができる。
Also, a plurality of processing units, each of which is formed by vertically stacking a plurality of processing mechanisms for performing predetermined processing on a substrate in correspondence with a plurality of processes, are arranged radially around the space. A transport mechanism is provided in this space, and the transport mechanism moves in a loop-like manner so that the transport mechanism can be accessed through the loading / unloading port of each of the plurality of processing mechanisms, and the transport body moves vertically. I decided to
Even if the size of the substrate is increased, an extremely large number of processing mechanisms can be arranged around the space without significantly increasing the horizontal movement distance of the arm of the transfer mechanism. Therefore, the footprint of the apparatus can be further reduced, and the size of the transport mechanism can be prevented from becoming large. Further, since the transport mechanism moves the space in a loop shape, the space itself can be enlarged, and the space can be used as a space for maintenance, thereby improving maintainability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態である半導体ウエハのレジ
スト塗布現像処理システムの全体構成を概略的に示す水
平断面図。
FIG. 1 is a horizontal sectional view schematically showing the overall configuration of a semiconductor wafer resist coating and developing processing system according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のレジスト塗布現像処理システムの全体構
成を概略的に示す斜視図。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing an overall configuration of the resist coating and developing processing system of FIG. 1;

【図3】図1のレジスト塗布現像処理システムにおける
熱的処理ユニットを備えた処理部を示す模式図。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a processing unit including a thermal processing unit in the resist coating and developing processing system of FIG. 1;

【図4】図1のレジスト塗布現像処理システムにおける
カセットステーションを示す模式図。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a cassette station in the resist coating and developing system of FIG. 1;

【図5】図1のレジスト塗布現像処理システムにおける
ウエハ搬送機構を示す断面図。
FIG. 5 is a sectional view showing a wafer transfer mechanism in the resist coating and developing system of FIG. 1;

【図6】図5のウエハ搬送機構のウエハ搬送体を示す概
略平面図。
FIG. 6 is a schematic plan view showing a wafer transfer body of the wafer transfer mechanism of FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……レジスト塗布現像処理システム 2……空間 3……レール 4,5……カセットステーション 6,7……インターフェイス部 10……ウエハ搬送機構 G,G,G,G……処理部 COT……レジスト塗布ユニット DEV……現像ユニット HP……ホットプレートユニット COL……クーリングユニット EXT……エクステンションユニット W……半導体ウエハ(基板)1 ...... resist coating and developing system 2 ...... space 3 ...... rails 4,5 ...... cassette station 6,7 ...... interface unit 10 ...... wafer transfer mechanism G 1, G 2, G 3 , G 4 ...... process Section COT resist coating unit DEV developing unit HP hot plate unit COL cooling unit EXT extension unit W semiconductor wafer (substrate)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 567 569D Fターム(参考) 2H025 AB16 EA05 FA15 2H096 AA25 CA14 DA04 FA01 GA29 5F031 DA01 DA17 GA46 GA47 GA48 GA49 GA50 MA02 MA04 MA09 MA26 MA27 PA18 5F046 CD01 CD05 CD06 JA22 LA18──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/30 567 569D F-term (Reference) 2H025 AB16 EA05 FA15 2H096 AA25 CA14 DA04 FA01 GA29 5F031 DA01 DA17 GA46 GA47 GA48 GA49 GA50 MA02 MA04 MA09 MA26 MA27 PA18 5F046 CD01 CD05 CD06 JA22 LA18

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に対して複数工程からなる処理を施
す基板処理装置であって、 前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理
を施す複数の処理機構と、 前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
は搬出する搬送機構とを具備し、 前記複数の処理機構は、空間の周囲に放射状に配置さ
れ、 前記搬送機構は、前記空間に設けられるとともに、前記
複数の処理機構のそれぞれの搬入出口を介してその中に
アクセス可能なように前記空間をループ状に移動するこ
とを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for performing a process including a plurality of processes on a substrate, wherein the plurality of processing mechanisms perform predetermined processes on the substrate corresponding to the plurality of processes, respectively. A transport mechanism for loading or unloading the substrate from or to each of the processing mechanisms, wherein the plurality of processing mechanisms are radially arranged around a space, and the transport mechanism is provided in the space, and A substrate processing apparatus, wherein the space is moved in a loop so that the space can be accessed through the respective loading / unloading ports of the processing mechanism.
【請求項2】 基板に対して複数工程からなる処理を施
す基板処理装置であって、 前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理
を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる
複数の処理部と、 前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
は搬出する搬送機構とを具備し、 前記複数の処理部は、空間の周囲に放射状に配置され、 前記搬送機構は、前記空間に設けられるとともに基板を
搬送する搬送体を有し、前記複数の処理機構のそれぞれ
の搬入出口を介してその中にアクセス可能なように、前
記空間をループ状に移動し、かつ前記搬送体が上下方向
に移動することを特徴とする基板処理装置。
2. A substrate processing apparatus for performing a process including a plurality of processes on a substrate, wherein a plurality of processing mechanisms for performing a predetermined process on the substrate corresponding to the plurality of processes include a multi-stage in a vertical direction. Comprising a plurality of processing units stacked on each other, and a transport mechanism for loading or unloading a substrate to or from each of the plurality of processing mechanisms, wherein the plurality of processing units are radially arranged around a space, The transport mechanism has a transport body provided in the space and transporting the substrate, and moves the space in a loop so that the plurality of processing mechanisms can be accessed therein via respective loading / unloading ports. A substrate processing apparatus, wherein the carrier moves vertically.
【請求項3】 前記処理部の少なくとも一つが基板に対
して熱的処理を施す熱処理機構を有し、また他の少なく
とも一つが基板に対して液処理を施す液処理機構を有す
ることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
3. The apparatus according to claim 1, wherein at least one of the processing units has a heat treatment mechanism for performing thermal processing on the substrate, and at least one other has a liquid processing mechanism for performing liquid processing on the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 2.
【請求項4】 基板に対して複数工程からなるレジスト
処理を施す基板処理装置であって、 前記レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基
板に対して所定の処理を施す複数の処理機構と、 前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
は搬出する搬送機構とを具備し、 前記複数の処理機構は、空間の周囲に放射状に配置さ
れ、基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構と、基板
上のレジストを露光した後、現像処理を施す現像処理機
構と、基板に対して熱的処理を施す熱的処理機構とを含
み、 前記搬送機構は、前記空間に設けられるとともに、前記
複数の処理機構のそれぞれの搬入出口を介してその中に
アクセス可能なように前記空間をループ状に移動するこ
とを特徴とする基板処理装置。
4. A substrate processing apparatus for performing a resist process including a plurality of steps on a substrate, wherein a plurality of processes each performing a predetermined process on the substrate corresponding to the plurality of steps for the resist process. And a transport mechanism for loading or unloading the substrate from or to each of the plurality of processing mechanisms, wherein the plurality of processing mechanisms are radially arranged around a space, and apply a resist solution to the substrate. A processing mechanism, after exposing a resist on the substrate, a developing mechanism for performing a developing process, and a thermal processing mechanism for performing a thermal process on the substrate, the transport mechanism is provided in the space and A substrate processing apparatus, wherein the space is moved in a loop so that the plurality of processing mechanisms can be accessed through the respective loading / unloading ports.
【請求項5】 基板に対して複数工程からなるレジスト
処理を施す基板処理装置であって、 前記レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基
板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向
に多段に積層してなる複数の処理部と、 前記複数の処理機構のそれぞれに対して基板を搬入また
は搬出する搬送機構とを具備し、 前記複数の処理機構は、基板にレジスト液を塗布する塗
布処理機構と、基板上のレジストを露光した後、現像処
理を施す現像処理機構と、基板に対して熱的処理を施す
熱的処理機構とを含み、 前記複数の処理部は、空間の周囲に放射状に配置され、 前記搬送機構は、前記空間に設けられるとともに基板を
搬送する搬送体を有し、前記複数の処理機構のそれぞれ
の搬入出口を介してその中にアクセス可能なように、前
記空間をループ状に移動し、かつ前記搬送体が上下方向
に移動することを特徴とする基板処理装置。
5. A substrate processing apparatus for performing a resist process including a plurality of steps on a substrate, wherein the plurality of processes each perform a predetermined process on the substrate corresponding to the plurality of steps for the resist process. A plurality of processing units each having a plurality of vertically stacked mechanisms, and a transport mechanism for loading or unloading a substrate from or to each of the plurality of processing mechanisms, wherein the plurality of processing mechanisms include resist on the substrate. A coating processing mechanism for applying a liquid, a development processing mechanism for performing development processing after exposing a resist on the substrate, and a thermal processing mechanism for performing thermal processing on the substrate, wherein the plurality of processing units , Arranged radially around a space, wherein the transfer mechanism has a transfer body provided in the space and for transferring a substrate, and is accessible therein via a loading / unloading port of each of the plurality of processing mechanisms. Like The substrate processing device characterized by moving the space in a loop, and the transfer body is moved in the vertical direction.
【請求項6】 前記処理部の少なくとも1つは、基板に
レジスト液を塗布する塗布処理機構および/または露光
後のレジストを現像処理する現像処理機構を含む第1の
処理部であり、少なくとも他の一つは基板に対して熱的
処理を施す処理機構を含む第2の処理部であることを特
徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
6. At least one of the processing units is a first processing unit including a coating processing mechanism for coating a resist liquid on a substrate and / or a developing processing mechanism for developing a resist after exposure. 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein one of the first processing unit and the second processing unit includes a processing mechanism that performs a thermal process on the substrate.
【請求項7】 レジスト塗布後の基板に露光処理を施す
露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイ
ス部をさらに有することを特徴とする請求項4ないし請
求項6のいずれか1項に記載の基板処理装置。
7. The apparatus according to claim 4, further comprising an interface section for transferring the substrate to and from an exposure apparatus for performing an exposure process on the substrate after resist application. Substrate processing equipment.
【請求項8】 前記インターフェイス部は、前記空間の
周囲の前記搬送機構がアクセス可能な位置に設けられて
いることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
8. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the interface unit is provided at a position around the space and accessible by the transport mechanism.
【請求項9】 前記空間の周囲に、処理前の基板および
/または処理後の基板を収納可能な収納容器を載置する
収納容器載置部をさらに具備し、前記搬送機構により前
記収納容器に対する基板の搬送を行うことを特徴とする
請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の基板処
理装置。
9. A storage container mounting portion for mounting a storage container capable of storing a substrate before processing and / or a substrate after processing around the space, wherein the storage mechanism is provided for the storage container. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the substrate is transported.
【請求項10】 前記収納容器載置部は、前記収納容器
を多段に載置可能であることを特徴とする請求項9に記
載の基板処理装置。
10. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the storage container mounting portion is capable of mounting the storage containers in multiple stages.
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