JP4001078B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電子レンジ等のマグネトロンを備えた機器に用いて好適な高周波加熱装置に関する。
従来、上述した高周波加熱装置には、商用電源が供給される入力電流をカレントトランスにて検出し、入力電流が所定値になるようにパルス幅制御することでマグネトロンの電磁波出力を一定に制御する構成を採るもの(例えば、特許文献1参照)や、高圧回路の昇圧トランスの二次側電流をカレントトランスにて検出し、入力電流を一定に制御する構成を採るものが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
また、高圧回路の昇圧トランスの二次側電流をカレントトランスにて検出し、高圧回路に異常が発生したときにインバータ電源の動作を停止させる構成を採ったものも提案されている(例えば、特許文献3参照)。
特開平8−96947号公報(第7頁、図1) 特開平8−227791号公報(第4頁、第5頁、図1) 特開平5−121162号公報(第3頁、図1) これらの高周波加熱装置においては、いずれも検出対象である電流をカレントトランスによって検出するようにしている。
ここで、特許文献2で提案されている高周波加熱装置について説明する。
図9は、特許文献2で提案されている高周波加熱装置の構成を示す回路図である。この図に示す高周波加熱装置は、単方向電源部1と、インバータ部2と、高圧整流回路3と、マグネトロン4と、スイッチングレート検出部5と、二次側電流検出部6と、制御部7と、カレントトランス8及び9とから構成されている。
単方向電源部1は、商用電源20からの交流電源を全波整流するダイオードブリッジ101と、チョークコイル102及びコンデンサ103よりなるローパスフィルター回路とから構成される。また単方向電源部1には、上述したカレントトランス8がダイオードブリッジ101の交流入力側に介挿されており、入力電流の検出に用いられる。インバータ部2は、共振コンデンサ201と、昇圧トランス202と、トランジスタ203と、転流ダイオード204とから構成される。トランジスタ203は、制御部7より与えられる20〜50kHzのスイッチング制御信号によってスイッチング動作する。これにより、昇圧トランス202の一次巻線には高周波電圧が発生する。
高圧整流回路3は、コンデンサ301及び302と、ダイオード303及び304とから構成されており、昇圧トランス202の二次巻線で発生した電圧を半波倍電圧整流することで高圧直流電圧を発生しマグネトロン4に印加する。マグネトロン4には昇圧トランス202のヒータ巻線からヒータ用の交流電圧も印加される。マグネトロン4は、ヒータ用の交流電圧が印加されることで陰極が傍熱されてエミッション可能な状態となり、この状態で高圧直流電圧が印加されると電磁波エネルギーを発生する。高圧整流回路3には上述したカレントトランス9がダイオード303のカソードと接地との間に介挿されており、二次電流の検出に用いられる。
スイッチングレート検出部5は、インバータ部3のトランジスタ203のオン/オフデューティ比を検出し、その結果を制御部7に入力する。二次側電流検出部6は、二次電流を全波整流してその平均値を検出し、その結果を制御部7に入力する。制御部7は、スイッチングレート検出部5の出力信号と二次側電流検出部6の出力信号を乗算処理して、乗算値が所望の値になるようにインバータ部3のトランジスタのオン/オフ制御を行う。 このように、単方向電源部1で商用電源20を単方向電圧に変換し、それをインバータ21で高周波電圧に変換して昇圧トランス202で昇圧した後、再度高圧整流回路3で倍電圧整流して高圧の直流電圧に変換し、マグネトロン4を駆動する。
しかしながら、従来の高周波加熱装置においては、次のような問題がある。
すなわち、入力電流の検出にカレントトランスを用いており、このカレントトランス自体が比較的大型であることから省スペース化の障害になり、またコストも比較的高いことから装置のコストダウンの障害にもなっている。
また、カレントトランスはその構造上周波数特性を持ち直流電流は検出できないので、図9に示すようにその介挿位置をダイオードブリッジ101の交流入力とした場合に、商用電源周波数の違い(50/60Hz)で検出感度が異なるため、制御部7においてカレントトランス出力を受けて入力電流制御を行う場合に基準信号をそれぞれの商用電源周波数に対応して設けなければならない。
さらに、カレントトランスは、構造上から他の磁気回路と磁気結合するので、昇圧トランス202のノイズを受け易くなり、このノイズを含んだ信号を制御部7に入力して誤動作させる虞がある。
また、カレントトランスそのものがある程度の大きさであるので、カレントトランスとダイオードブリッジ101とトランジスタ203の配置間隔がある程度長くなることから、これらを結ぶプリント基板上の配線パターンも長くなって、ノイズの発生が起こり得る。この場合も上記と同様、ノイズによる制御部7の誤動作、あるいは隣接機器への影響を招く。
これらに関しては、本出願人の先行発明に係るシャント抵抗を備えた高周波加熱装置において、単方向電源部の出力電流を測定できる個所に対して直列にシャント抵抗を介挿してシャント抵抗に発生する電圧をバッファにて取り出すようにしたので、従来のようなカレントトランスを用いる場合と比べてコストの削減が図れ、また小型にできることから省スペース化が図れる。さらに、カレントトランスを用いた場合に発生するノイズを最小限に抑えて、制御部の誤動作や隣接機器への影響を排除することができる。
しかしながら、本出願人はまだこれに満足せず、さらに温度依存性を有するシャント抵抗の抵抗値変化は少なくなると同時に劣化による抵抗値変化も少なくし、電流−電圧変換精度の改善と、電流制御精度を向上することを考えた。 本発明は、これらを更に改良するもので、入力電流を低コストで且つスペースを多くとることなく検出することができ、しかもノイズの発生を最小限に抑えることができる高周波加熱装置を提供することを目的とする。
前記従来の課題を解決するために、第1の発明の高周波加熱装置は、商用電源を単方向に変換する単方向電源部と、少なくとも1個の半導体スイッチング素子を有し、この半導体スイッチング素子をオン/オフすることにより前記単方向電源部からの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記インバータ部の出力電圧を昇圧する昇圧トランスと、前記昇圧トランスの出力電圧を倍電圧整流する高圧整流部と、前記高圧整流部の出力を電磁波として放射するマグネトロンとを具備する高周波加熱装置において、前記単方向電源部の出力電流を測定できる個所に対して直列に介挿されるシャント抵抗と、前記シャント抵抗に電流が流れることで発生する電圧を取り出すバッファと、前記バッファの出力を所定値に一定制御すべく前記半導体スイッチング素子のオン/オフを制御する制御部とを有し、前記単方向電源部は、交流電源を全波整流する整流素子を含み、前記整流素子と前記半導体スイッチング素子とが同一の放熱板に取り付けられ、前記放熱板は、前記整流素子及び前記半導体スイッチング素子のそれぞれの端子と前記放熱板との間で一定の距離を確保するための切欠部が形成され、前記シャント抵抗は、基板上の導電性貫通孔に配置されるとともに、裸抵抗線で構成して前記整流素子及び前記半導体スイッチング素子と一直線上に配置することにより前記放熱板に対する絶縁距離確保し、かつ、前記シャント抵抗は、基板上の導電性貫通孔をハトメで形成することを特徴とする
この構成によれば、単方向電源部の出力電流を測定できる個所に対して直列にシャント抵抗を介挿してシャント抵抗に発生する電圧をバッファにて取り出すので、従来のようなカレントトランスを用いる場合と比べてコストの削減が図れ、また小型にできることから省スペース化が図れる。さらに、カレントトランスを用いた場合に発生したノイズを最小限に抑えて、制御部の誤動作や隣接機器への影響を排除することができる。
第2の発明の高周波加熱装置は、商用電源を単方向に変換する単方向電源部と、少なくとも1個の半導体スイッチング素子を有し、この半導体スイッチング素子をオン/オフすることにより前記単方向電源部からの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記インバータ部の出力電圧を昇圧する昇圧トランスと、前記昇圧トランスの出力電圧を倍電圧整流する高圧整流部と、前記高圧整流部の出力を電磁波として放射するマグネトロンとを具備する高周波加熱装置において、前記単方向電源部の出力電流を測定できる個所に対して直列に介挿されるシャント抵抗と、前記シャント抵抗に電流が流れることで発生する電圧を取り出すバッファと、前記バッファの出力を所定値に一定制御すべく前記半導体スイッチング素子のオン/オフを制御する制御部とを有し、前記単方向電源部は、交流電源を全波整流する整流素子を含み、前記整流素子と前記半導体スイッチング素子とが同一の放熱板に取り付けられ、前記放熱板は、前記整流素子及び前記半導体スイッチング素子のそれぞれの端子と前記放熱板との間で一定の距離を確保するための切欠部が形成され、前記シャント抵抗は、基板上の導電性貫通孔に配置されるとともに、裸抵抗線で構成して前記整流素子及び前記半導体スイッチング素子と一直線上に配置することにより前記放熱板に対する絶縁距離を確保し、かつ、前記前記シャント抵抗は、両面基板上の貫通孔周囲かつ両面に導通部分を設け、その両面導通部分を半田付けしたことを特徴とする。
この構成によれば、シャント抵抗の熱容量に前記導電性貫通孔と導通部分、および半田の熱容量が付加され、シャント抵抗の放熱性が高まり、さらに電流制御精度を向上することができる。
第1の発明の高周波加熱装置によれば、ハトメの熱容量に導電性貫通孔の熱容量が付加されるので、シャント抵抗の放熱性が高まり、シャント抵抗の電力損失による温度上昇を軽減できる。したがって温度依存性を有するシャント抵抗の抵抗値変化は少なくなると同時に劣化による抵抗値変化も少なくなる。
また導電性貫通孔の相対位置精度は非常によく、そこに実装されたシャント抵抗の有効長は導電性貫通孔を用いない場合に比較してばらつきが小さくなるので、前者と合わせて電流−電圧変換精度は大きく改善され、電流制御精度を向上することができる。
また一般にハトメは基板に精度よく実装されるので、そこに実装されたシャント抵抗の有効長はハトメを用いない場合に比較してばらつきが小さくなり、前者と合わせて電流−電圧変換精度は大きく改善され、電流制御精度を向上することができる。
また、第2の発明の高周波加熱装置によれば、シャント抵抗の熱容量に前記導電性貫通孔と導通部分、および半田の熱容量が付加され、シャント抵抗の放熱性が高まり、さらに電流制御精度を向上することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
(実施の形態)
図1は、本発明の一実施の形態に係る高周波加熱装置の構成を示す図である。なお、この図において前述した図9と共通する部分には同一の符号を付けてその説明を省略する。
本実施の形態の高周波加熱装置は、入力電流を検出するためのシャント抵抗30と、このシャント抵抗30に発生する電圧を取り出すためのバッファ31とを具備している点で従来の高周波加熱装置と異なっている。
また、シャント抵抗30として、従来のような放熱板に取り付ける型のものやセメントモールド型のものと異なり、裸抵抗線を用いている。裸抵抗線を用いることで従来のものと比べて省スペース化が図れるとともにコストダウンが図れる。
シャント抵抗30は、単方向電源部1のダイオードブリッジ101の負出力側端子に対して直列に介挿される。なお、シャント抵抗30の実装については後述する。
バッファ31は、図2に示すように高入力インピーダンスオペアンプ(演算増幅器)3101と、オペアンプ3101の一方の入力端(反転入力端)とシャント抵抗30との間に介挿される抵抗3102と、オペアンプ3101の他方の入力端(非反転入力端)とシャント抵抗30との間に介挿される抵抗3103と、オペアンプ3101の出力端と一方の入力端との間に介挿される抵抗3104と、オペアンプ3101の他方の入力端と接地との間に介挿される抵抗3105とを備えて構成される。この場合、抵抗3102と抵抗3103の抵抗値を同一にしており、また抵抗3104と抵抗3105の抵抗値を同一、あるいは抵抗比を同一(3104/3102=3105/3103)にして差動増幅回路を実現している。
なお、抵抗3105を省略して、反転増幅回路の構成にしても構わない。また、抵抗3102,3104はサージ入力保護抵抗の働きもする。
バッファ31は、シャント抵抗30を含んでも除いてもパッケージ化することが可能である。シャント抵抗30を含まない外付けタイプでは、高周波加熱装置の設計仕様に応じ最適な抵抗値のシャント抵抗を選択することができる利点を有している。これに対して、シャント抵抗30を含む内蔵タイプでは、様々な値のシャント抵抗を持つものを用意しておくことによって高周波加熱装置の設計仕様に応じて最適ものを選択することができる。なお、FPLA(Field Programmable Logic Array)のように、様々な値を設定できるような構造を持たせるようにすることも可能である。いずれにしても従来のようなカレントトランスを用いることなく入力電流を検出することができる。そして、オペアンプと複数の抵抗素子とから成る簡単な構成で実現できるので、カレントトランスを使用する場合と比べて低コスト化並びに小型化が図れる。また、カレントトランスで発生するようなノイズの発生はない。
次に、シャント抵抗R30の実装について説明する。
図3は、本実施の形態に係る高周波加熱装置におけるプリント基板の一部分の実装状態を示す斜視図である。また、図4は、図3を矢印Ya方向から見た図である。
図3に示すように、シャント抵抗30がプリント基板32上にダイオードブリッジ(整流素子)101及び半導体スイッチング素子205(図ではトランジスタ203と転流ダイオード204とが一体に構成されているが、この構成に限定されるものではない)と同
一直線上に配置されている。放熱板33には、図4に示すようにダイオードブリッジ101及び半導体スイッチング素子205のそれぞれの端子と放熱板33との間で一定の距離を確保するための切欠部33aが形成されており、放熱板33は、ダイオードブリッジ101、半導体スイッチング素子205及びシャント抵抗30に対する絶縁距離を確保するようにしている。この切欠部33aは放熱板33の幅方向に沿って形成されている。
このような切欠部33aの形成により、ダイオードブリッジ101、半導体スイッチング素子205及びシャント抵抗30それぞれの端子の放熱板33に対する短絡を防止することができ、さらにシャント抵抗30を、ダイオードブリッジ101と半導体スイッチング素子205それぞれの端子と同一直線上に配置することができる。因みに、切欠部33aの寸法としては、例えば高さが6〜7mm、奥行きが6〜7mmである。
図5は、プリント基板32のダイオードブリッジ101、半導体スイッチング素子205及びシャント抵抗30の実装部分のパターン面を示す図である。
この図において、“A”で示す部分にはダイオードブリッジ101が配置され、“B”で示す部分にはシャント抵抗30が配置され、“C”で示す部分には半導体スイッチング素子205が配置される。ダイオードブリッジ101と半導体スイッチング素子205とシャント抵抗30とをプリント基板32上の同一直線上に配置することでプリント基板32上の配線パターンの最適化が図れる。そして、配線パターンの最適化によって、ダイオードブリッジ101と半導体スイッチング素子205とシャント抵抗30との間の距離が短くなり、その分、配線パターンからのノイズの発生を低く抑えることができる。
このように、本実施の形態に係る高周波加熱装置によれば、単方向電源部1の出力電流を測定できる個所に対して直列にシャント抵抗30を介挿し、このシャント抵抗30で発生する電圧をバッファ31で取り出すようにしたので、従来のようなカレントトランスを用いる場合と比べてコストの削減が図れ、また小型にできることから省スペース化が図れる。
また、バッファ31は、高入力インピーダンスのオペアンプ3101を用いたので、シャント抵抗30の使用範囲が広く、高周波加熱装置の設計仕様に応じて最適な値のシャント抵抗を選択することができる。
また、放熱板33に切欠部33aを形成してブリッジダイオード101と半導体スイッチング素子205とシャント抵抗30とに対する絶縁距離を確保するようにしたので、短絡による事故を未然に防止できる。また、シャント抵抗30とダイオードブリッジ101と半導体スイッチング素子205とをプリント基板32上の同一直線上に配置するようにしたので、プリント基板32上の配線パターンの最適化が図れ、配線パターンからのノイズ発生を低く抑えることができ、制御部7の誤動作や隣接機器への影響を最小限に抑えることができる。また、シャント抵抗30に裸抵抗線を用いたので、省スペース化及びコストダウンが図れる。
なお、上記実施の形態においては、シャント抵抗30を、ダイオードブリッジ101及び半導体スイッチング素子205のそれぞれの端子と同一直線上に配置するようにしたが、切欠部33a内に配置するようにしてもよい。このようにすることで、一層の省スペース化が図れる。
また、上記実施の形態においては、シャント抵抗30をワイヤー状の裸抵抗線としたが、板状の裸抵抗線とすることもできる。
また、シャント抵抗30とバッファ31による電流検出手段は、高周波加熱装置のみならず、負荷電流を検出してその結果を基に制御を行う構成の装置であれば、如何なるものにも適用可能である。
さらに温度依存性を有するシャント抵抗の抵抗値変化は少なくなると同時に劣化による抵抗値変化も少なくし、電流−電圧変換精度の改善と、電流制御精度を向上に関して、導電性貫通孔を持たない構成とハトメ構成及び両面導通部を半田付けした構成とを比較しながら説明をする。
図8は、シャント抵抗が実装されたプリント基板の導電性貫通孔を持たない構成を示す断面図。図6は、シャント抵抗が実装されたプリント基板のハトメ構成を示す断面図。図7は、シャント抵抗が実装されたプリント基板の両面導通部を半田付けした構成を示す断面図である。
図8に示されるハトメを使用しない構成においては、シャント抵抗30に付加される熱容量は、プリント基板32の片面に設けられたパターン40とそこに付着する半田42のみであり、放熱性が悪い。したがってシャント抵抗30の自己発熱から生じる抵抗値変化は大きくなるので、期待する電流検出精度が得られない。
図8に比較して、図6および図7の構成ではパターン40面積の増加と合わせて半田42付着量が大きく増加するので、シャント抵抗30の放熱性が高まり電流検出精度の向上がなされる。特に図6のハトメ41を使用する場合はその効果が顕著になる。
またシャント抵抗30有効長と電流検出精度という観点から比較すると
図8の構成では、実装の容易性のためにプリント基板32の孔はシャント抵抗30の径に対して大きめに設けられている。図のようにクリンチすることでプリント基板32へのシャント抵抗30の固着度が増し、半田付け時のガタが抑えられるのでその有効長精度はある程度確保できる。
図6の構成はプリント基板32への実装精度が確保されるハトメ41を用いているので、図の上面に形成されるハトメ41のフランジ間距離がシャント抵抗30の有効長となり、図8に比較して、電流検出精度が非常に良い。
図7の構成は、図6の構成のようにプリント基板32へのハトメ41を用いる代わりに両面パターン基板を用い、シャント抵抗30の挿入面側の貫通孔周囲にもパターン40を形成し、半田においてシャント抵抗30と貫通孔周囲パターン40を電気的に導通させる。その両面導通部分を半田付けすることで、シャント抵抗の熱容量に前記導電性貫通孔と導通部分、および半田の熱容量が付加され、シャント抵抗の放熱性が高まる。
図6同様、図7の構成では図の上面の精度よく形成されるパターン40の端面間距離が有効長になり、図8に比較して、精度良い電流検出がなされる。
なお、基板上の導電性貫通孔をハトメで形成する以外に、基板の貫通孔に導電性部材を用いるスルーホール基板(図示せず)がある。たとえば、銅スルーホール基板の製造としては、銅めっきされたスルーホールを有する基板の表面にフォトレジストを形成し、次いでフォトマスクを介して露光、現像、エッチング、レジスト剥離工程を経て行っている。
このスルーホールを用いても、シャント抵抗の有効長精度向上に寄与し、電流検出精度を高めることは言うまでもない。
シャント抵抗30の実装は、図6および図7に示されるように、プリント基板32の導電性貫通孔に裸抵抗線である前記シャント抵抗30を挿入後、クリンチして基板に固着するように構成しているので、半田付け時のプリント基板30からの浮きが生じない。
すなわちクリンチも前記シャント抵抗30の有効長精度向上に寄与し、電流検出精度を高めている。
図6および図7に示されるシャント抵抗30のクリンチ方向は内方向であり、この方向にクリンチしてプリント基板32の孔間を包み込む方が、一般にシャント抵抗30の有効長精度が得られるが、この方向に限定されるものではない。
またプリント基板32孔の機械強度は導電性貫通孔あるいは図6に示されるハトメ41、又は図7に示される両面のパターン40にて増加し、前記したシャント抵抗30のクリンチ作業による割れを防止できる。
以上のように、本発明にかかる高周波加熱装置は、温度依存性を有するシャント抵抗の抵抗値変化は少なくなると同時に劣化による抵抗値変化も少なくし、電流−電圧変換精度の改善と、電流制御精度を向上が可能となるので、高周波発生機器等の用途にも適用できる。
本発明の一実施の形態に係る高周波加熱装置の構成を示す回路図 本発明の一実施の形態に係る高周波加熱装置のバッファの構成を示す回路図 本発明の一実施の形態に係る高周波加熱装置におけるシャント抵抗の実装状態を示す斜視図 図3の実装状態を矢印Ya方向から見た図 図3のシャント抵抗が実装されたプリント基板のパターン面を示す図 図3のシャント抵抗が実装されたプリント基板のハトメ構成を示す断面図 図3のシャント抵抗が実装されたプリント基板の両面導通部を半田付けした構成を示す断面図 図3のシャント抵抗が実装されたプリント基板の導電性貫通孔を持たない構成を示す断面図 従来の高周波加熱装置の構成を示す回路図
符号の説明
1 単方向電源部
2 インバータ部
3 高圧整流回路
4 マグネトロン
7 制御部
30 シャント抵抗
31 バッファ
32 プリント基板
33 放熱板
33a 切欠部
40 導通部(パターン)
41 導電性貫通孔(ハトメ)
42 半田
101 ブリッジダイオード(整流素子)
205 半導体スイッチング素子
3101 オペアンプ
3102、3103、3104、3105 抵抗

Claims (2)

  1. 商用電源を単方向に変換する単方向電源部と、少なくとも1個の半導体スイッチング素子を有し、この半導体スイッチング素子をオン/オフすることにより前記単方向電源部からの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記インバータ部の出力電圧を昇圧する昇圧トランスと、前記昇圧トランスの出力電圧を倍電圧整流する高圧整流部と、前記高圧整流部の出力を電磁波として放射するマグネトロンとを具備する高周波加熱装置において、前記単方向電源部の出力電流を測定できる個所に対して直列に介挿されるシャント抵抗と、前記シャント抵抗に電流が流れることで発生する電圧を取り出すバッファと、前記バッファの出力を所定値に一定制御すべく前記半導体スイッチング素子のオン/オフを制御する制御部とを有し、前記単方向電源部は、交流電源を全波整流する整流素子を含み、前記整流素子と前記半導体スイッチング素子とが同一の放熱板に取り付けられ、前記放熱板は、前記整流素子及び前記半導体スイッチング素子のそれぞれの端子と前記放熱板との間で一定の距離を確保するための切欠部が形成され、前記シャント抵抗は、基板上の導電性貫通孔に配置されるとともに、裸抵抗線で構成して前記整流素子及び前記半導体スイッチング素子と一直線上に配置することにより前記放熱板に対する絶縁距離確保し、かつ、前記シャント抵抗は、基板上の導電性貫通孔をハトメで形成することを特徴とする高周波加熱装置。
  2. 商用電源を単方向に変換する単方向電源部と、少なくとも1個の半導体スイッチング素子を有し、この半導体スイッチング素子をオン/オフすることにより前記単方向電源部からの電力を高周波電力に変換するインバータ部と、前記インバータ部の出力電圧を昇圧する昇圧トランスと、前記昇圧トランスの出力電圧を倍電圧整流する高圧整流部と、前記高圧整流部の出力を電磁波として放射するマグネトロンとを具備する高周波加熱装置において、前記単方向電源部の出力電流を測定できる個所に対して直列に介挿されるシャント抵抗と、前記シャント抵抗に電流が流れることで発生する電圧を取り出すバッファと、前記バッファの出力を所定値に一定制御すべく前記半導体スイッチング素子のオン/オフを制御する制御部とを有し、前記単方向電源部は、交流電源を全波整流する整流素子を含み、前記整流素子と前記半導体スイッチング素子とが同一の放熱板に取り付けられ、前記放熱板は、前記整流素子及び前記半導体スイッチング素子のそれぞれの端子と前記放熱板との間で一定の距離を確保するための切欠部が形成され、前記シャント抵抗は、基板上の導電性貫通孔に配置されるとともに、裸抵抗線で構成して前記整流素子及び前記半導体スイッチング素子と一直線上に配置することにより前記放熱板に対する絶縁距離確保し、かつ、前記前記シャント抵抗は、両面基板上の貫通孔周囲かつ両面に導通部分を設け、その両面導通部分を半田付けしたことを特徴とする高周波加熱装置。
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