JP3973970B2 - 記憶素子のデータ退避・復元装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、記憶素子の値を不揮発性記憶素子に退避させ、不揮発性記憶素子に退避された値を記憶素子に復元する記憶素子のデータ退避・復元装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
特開2000−323671公報は、不揮発な素子である強誘電体トランジスタを用いることにより、電源が遮断されても記憶素子の値を復元できるものである。具体的には、電源オフ時において、供給電力を遮断する前に記憶素子の値を強誘電体記憶部に退避させる。電源オン時には、強誘電体記憶部に退避させておいた値を、記憶素子に書き戻すことにより、電源遮断前の値を記憶素子に復元することができる。この時、低電圧を検出することにより、電源オン・オフの判定を行い、データの退避、復元を行うことを特徴としている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来の記憶素子のデータ退避・復元装置は以上のように構成されているので、低電圧検出をトリガとしてデータの退避・復元を行うため、任意のタイミングでの記憶素子の値の退避・復元を行うことができないという課題があった。
また、記憶素子であるラッチブロックと強誘電体トランジスタとを、半導体デバイス内部の同一セル内に配置しており、ラッチブロックと強誘電体トランジスタとは、その構成方法が大きく異なるために、混在した配置を行うことは技術的に困難であり、強誘電体トランジスタの特性が劣化するなどの課題があった。
【0004】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、任意のタイミングで記憶素子の値を不揮発的に退避・復元できると共に、製造が比較的容易な記憶素子のデータ退避・復元装置を得ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る記憶素子のデータ退避・復元装置は、記憶素子に対応して設けられ、外部より任意のタイミングで入力されるデータ保持指示信号に応じて対応する記憶素子に記憶された論理値を退避させる不揮発性記憶素子と、外部より任意のタイミングで入力されるデータ復元指示信号に応じて不揮発性記憶素子に退避された論理値を記憶素子に復元させるロード制御部とを備え、ロード制御部は、データ入力ラインが記憶素子に直接に接続され、通常動作時に、入力データをデータ入力ラインを通じて記憶素子に記憶させ、データ復元指示信号が有意で不揮発性記憶素子に退避された論理値が“H”である場合に記憶素子のセット信号を有効にし、データ復元指示信号が有意で不揮発性記憶素子に退避された論理値が“L”である場合に記憶素子のリセット信号を有効にするようにしたものである。
【0006】
この発明に係る記憶素子のデータ退避・復元装置は、不揮発性記憶素子を、記憶素子とは異なる領域の不揮発記憶部に設けるようにしたものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による記憶素子のデータ退避・復元装置を示す構成図であり、図において、1はデータ保持指示信号(SAVE)、2は入力データ(DATAIN)、3はクロック入力・ラッチイネーブル信号(CLK・LAT)、4はデータ復元指示信号(LOAD)、5はセット・リセット信号(SET・RESET)、6は外部より入力されるデータ復元指示信号4に応じて不揮発性記憶素子11に退避された値を記憶素子8に復元させるロード制御部、7はデータ・各種制御信号、8はラッチ・フリップフロップ等によって構成され、値を記憶する記憶素子、9は退避データ、10は復元データ(LOAD DATA)、11は記憶素子8に1対1に対応して設けられ、外部より入力されるデータ保持指示信号1に応じて記憶素子8に記憶された値を退避させる不揮発性記憶素子、12は出力データ(DATAOUT)である。
【0008】
次に動作について説明する。
図1において、記憶素子8は、ラッチまたはフリップフロップ等によって構成されたものである。ロード制御部6では、LSI内部またはLSI外部からクロック入力・ラッチイネーブル信号3および入力データ2が入力され、記憶素子8にデータ・各種制御信号7を供給する。記憶素子8では、そのデータ・各種制御信号7に応じて入力データ2を取り込む。記憶素子8に取り込まれた値は、出力データ12としてLSI内部またはLSI外部に出力される。
また、不揮発性記憶素子11は、記憶素子8に1対1に対応して設けられ、LSI内部またはLSI外部からのデータ保持指示信号1に応じて記憶素子8に記憶された値を退避データ9として退避させる。
さらに、ロード制御部6では、LSI内部またはLSI外部からのデータ復元指示信号4に応じて不揮発性記憶素子11に退避された値を復元データ10として読み出し、記憶素子8に復元させる。
このように、データ保持指示信号1、およびデータ復元指示信号4は、LSI内部またはLSI外部から入力される信号であり、低電圧検出時といった限られたタイミングではなく、論理設計者が意図したタイミングでデータの退避・復元が行われる点が優れている。
また、記憶素子8と不揮発性記憶素子11とは、1対1で対応しているため、フラッシュ等の汎用不揮発性メモリを用いた場合に必要となるアドレス制御が不要となり、制御が簡素化される。
【0009】
図2はこの発明の実施の形態1によるロード制御部の詳細を示す構成図であり、図において、5a,7cはセット信号(SET)、5b,7dはリセット信号(RESET)、7aは入力データ(DATAIN)、7bはクロック入力・ラッチイネーブル信号(CLK・LAT)、13はセレクタ回路、14はオア回路である。
図2は、データ入力ラインを用いて不揮発性記憶素子11に退避した値を復元するものである。LSI内部またはLSI外部からのデータ復元指示信号4が“L”の時、セレクタ回路13では、記憶素子8への入力データ7aとしてLSI内部またはLSI外部からの入力データ2を選択し、クロック入力・ラッチイネーブル信号3をトリガとして記憶素子8に取り込まれる。また、データ復元指示信号4が“H”の時、セレクタ回路13では、記憶素子8への入力データ7aとして不揮発性記憶素子11に退避された復元データ10を選択し、記憶素子8に復元される。
すなわち、データ復元指示信号4が“H”となった時、不揮発性記憶素子11の値は記憶素子8に取り込まれる。
【0010】
図3はこの発明の実施の形態1による他の例のロード制御部の詳細を示す構成図であり、図において、15はアンド回路、16はナンド回路、17,18はオア回路である。
図3は、セット・リセットラインを用いて不揮発性記憶素子11に退避した値を復元するものである。不揮発性記憶素子11からの復元データ10が“H”の時に、データ復元指示信号4が“H”となった時、セット信号7c、リセット信号7dは、それぞれ“H”、“L”となるため、記憶素子8のセット信号7cが有効となり記憶素子8には“H”が復元される。逆に、不揮発性記憶素子11からの復元データ10が“L”の時に、データ復元指示信号4が“H”となった時、セット信号7c、リセット信号7dは、それぞれ“L”、“H”となるため、記憶素子8のリセット信号7dが有効となり記憶素子8には“L”が復元される。
図2に示したロード制御部では、データ入力ラインに切替え制御が必要であるために、セレクタ回路13を経由する分の遅延が発生し、通常動作時の速度低下を招くという問題がある。これに対して図3に示したロード制御部では、記憶素子8のセット・リセット制御により記憶素子8へのデータ復元を行うため、データラインの切替え制御が不要となり、遅延が増加しない点で優れている。
【0011】
実施の形態2.
図4はこの発明の実施の形態2による記憶素子と不揮発性記憶素子とを示す構成図であり、図において、19a〜19nは記憶素子、20a〜20nはそれら記憶素子19a〜19nに1対1に対応して設けられた不揮発性記憶素子、20は記憶素子19a〜19nとは異なる領域であり、それら不揮発性記憶素子20a〜20nを設ける不揮発記憶部である。
【0012】
次に動作について説明する。
図4において、不揮発記憶部20は、例えばメモリ素子のような不揮発性記憶素子20a〜20nのみで構成されたブロックである。記憶素子19a〜19nと不揮発記憶部20内部の不揮発性記憶素子20a〜20nとは、1対1に対応しており、記憶素子19a〜19nの出力を不揮発性記憶素子20a〜20nへと接続する。
このように、記憶素子19a〜19nと不揮発性記憶素子20a〜20nとをそれぞれ異なるエリアに構成することで、製造が容易となると共に、同一セル内に構成する場合に生じる互いの素子の特性劣化を避けることができる。
【0013】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、記憶素子に対応して設けられ、外部より入力されるデータ保持指示信号に応じて対応する記憶素子に記憶された論理値を退避させる不揮発性記憶素子と、外部より入力されるデータ復元指示信号に応じて不揮発性記憶素子に退避された論理値を記憶素子に復元させるロード制御部とを備えるように構成したので、外部から任意のタイミングで記憶素子の論理値を不揮発的に退避・復元することができる。
また、ロード制御部を、データ入力ラインが記憶素子に直接に接続され、通常動作時に、入力データをデータ入力ラインを通じて記憶素子に記憶させ、データ復元指示信号が有意で不揮発性記憶素子に退避された論理値が“H”である場合に記憶素子のセット信号を 有効にし、データ復元指示信号が有意で不揮発性記憶素子に退避された論理値が“L”である場合に記憶素子のリセット信号を有効にするように構成したので、データ復元指示信号が有意な場合に、不揮発性記憶素子に退避された論理値をセット信号またはリセット信号により記憶素子に復元し、セレクタ回路等によるデータ入力ラインの切替え制御が不要となり、通常動作時の入力データの遅延を防ぐことができる効果がある。
【0014】
この発明によれば、不揮発性記憶素子を、記憶素子とは異なる領域の不揮発記憶部に設けるように構成したので、不揮発性記憶素子の特性劣化を避け、製造を比較的容易にすることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による記憶素子のデータ退避・復元装置を示す構成図である。
【図2】 この発明の実施の形態1によるロード制御部の詳細を示す構成図である。
【図3】 この発明の実施の形態1による他の例のロード制御部の詳細を示す構成図である。
【図4】 この発明の実施の形態2による記憶素子と不揮発性記憶素子とを示す構成図である。
【符号の説明】
1 データ保持指示信号、2,7a 入力データ、3,7b クロック入力・ラッチイネーブル信号、4 データ復元指示信号、5 セット・リセット信号、5a,7c セット信号、5b,7d リセット信号、6 ロード制御部、7 データ・各種制御信号、8,19a〜19n 記憶素子、9 退避データ、10 復元データ、11,20a〜20n 不揮発性記憶素子、12 出力データ、13 セレクタ回路、14,17,18 オア回路、15 アンド回路、16 ナンド回路、20 不揮発記憶部。
Claims (2)
- 論理値を記憶する記憶素子と、
上記記憶素子に対応して設けられ、外部より任意のタイミングで入力されるデータ保持指示信号に応じて対応する記憶素子に記憶された論理値を退避させる不揮発性記憶素子と、
外部より任意のタイミングで入力されるデータ復元指示信号に応じて上記不揮発性記憶素子に退避された論理値を上記記憶素子に復元させるロード制御部とを備え、
上記ロード制御部は、データ入力ラインが上記記憶素子に直接に接続され、通常動作時に、入力データをそのデータ入力ラインを通じて上記記憶素子に記憶させ、
データ復元指示信号が有意で上記不揮発性記憶素子に退避された論理値が“H”である場合に上記記憶素子のセット信号を有効にし、データ復元指示信号が有意で上記不揮発性記憶素子に退避された論理値が“L”である場合に上記記憶素子のリセット信号を有効にすることを特徴とする記憶素子のデータ退避・復元装置。 - 不揮発性記憶素子は、記憶素子とは異なる領域の不揮発記憶部に設けられたことを特徴とする請求項1記載の記憶素子のデータ退避・復元装置。
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