JP3969864B2

JP3969864B2 - インジウム錫酸化物のエッチングの方法

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Publication number: JP3969864B2
Application number: JP29690298A
Authority: JP
Inventors: スーヤー−ジャー; ワンユアン−クイ; エス．ロウカム; ゴトウハルヒロ
Original assignee: エーケーティーアメリカ，インコーポレイテッド
Priority date: 1995-06-07
Filing date: 1998-10-19
Publication date: 2007-09-05
Anticipated expiration: 2016-06-07
Also published as: JP2875208B2; JPH11219941A; JPH09120967A; US5607602A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、概説的には、酸化インジウム及び酸化錫のプラズマエッチングに関する。更に具体的には、本発明は、水素及びハロゲン（ＨＣｌガス等）を含む反応性ガスによるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：indium tin oxide）の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：reactive ion etch ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本発明は、１９９４年７月１１日に出願の米国特許出願Ｓ．Ｎ．０８／２７３,３８２号、標題 "METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING FILM LAYERS ON LARGE SUBSTRATE"に関連している。
【０００３】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：liquid crystal display）や電荷結合センサデバイス（ＣＣＤ：charge coupled sensor device）などの光−電子デバイスにはしばしば、光透過素子又は光受容素子の上に配置された薄膜透明電極(thin film transparent electrode )が含まれる。
【０００４】
透明電極は、典型的には、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ）、これらの混合物、又は、一般式Ｉｎ_xＳｎ_yＯ_z（係数ｚは０より大きく１００％未満）を有する化合物から構成されている。この式Ｉｎ_xＳｎ_yＯ_zは、従来からＩＴＯとして一般に知られている。
【０００５】
製造過程で、透明電極を構成する材料の薄膜が基板上に堆積される。この薄膜はその後選択的にエッチングされ、予め特定された部分が除去されて所望の配線パターンが形成される。
【０００６】
マスプロダクションの環境においては、透明電極薄膜をエッチングする際に、その下にある構造体に大きなダメージを与えないような方法で行うことが、一般的には望ましい。
【０００７】
また、マスプロダクションの複雑性及びコストを低減するため、可能な限り迅速に必要最小限のステップでエッチングを行うことが望ましい。
【０００８】
近年までは、ＩＴＯの選択的エッチングのための最も普及した方法といえば、フォトリソグラフィによってパターニングされたマスクを塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ₃）等の化学的反応性の水溶液剤を用いてウェットエッチングする方法であった。
【０００９】
しかし、ウェットエッチングには短所がある。液体の残留物が残る傾向があり、次の処理の前にこの残留物を除去してやらねばならない必要がしばしば生じる。この残留物の除去のステップによって、プロセス全体が複雑化し、コストを上昇させる不利益を生じさせる。
【００１０】
ウェットエッチングの別の欠点としては、目的物質の除去速度が温度変化に非常に敏感となりやすいことである。オーバーエッチングやアンダーエッチングを補償し防止するために、厳密な温度制御が必要となる。これも、プロセス全体を複雑にしコストを上昇させる。（ここで「アンダーエッチング」とは、透明電極薄膜が最後までエッチングされず、得られた導電体のパターンに望まない短絡が見られる状況をいう。「オーバーエッチング」とは、透明電極薄膜が最後までエッチングされたのみならず、その下の基板に望まないエッチングがはじまる状況、並びに／又は、必要な深さを越えた深さまでエッチングを行おうとして時間及び資源を無駄にしている状況をいう）。
【００１１】
ウェットエッチングのまた別の欠点としては、等方性であるということがある。オーバーエッチングがエッチングマスクの下に、望まないアンダーカットを生じさせることがある。このアンダーカットは、導電体のパターンに意図しない開回路を形成してしまうほど広がってしまうこともある。
【００１２】
最近、薄膜透明電極の材料の層を異方性反応性プラズマを用いてドライエッチングすることを、ウェットエッチングの代りに行うことにより、この問題を克服する試みがなされてきた。
【００１３】
Miyagakiらに対し１９９２年３月１０日に発行された、標題 "METHOD OF PATTERNING A TRANSPARENT CONDUCTOR" の米国特許第５,０９４,９７８号では、三弗化窒素（ＮＦ₃）を用いてＩＴＯのドライエッチングに成功したことが報告されている。Miyagakiらは、反応性ハロゲンガスを用いて、ＩＴＯ、Ｉｎ₂Ｏ₃やＳｎＯ₂等の材料をドライエッチングすることは可能ではないと指摘している（第３コラム２２〜２７行）。
【００１４】
更に近年の米国特許である、Saiaらに対し１９９４年６月７日に発行された標題 "PATTERNING OF INDIUM-TIN OXIDE VIA SELECTIVE REACTIVE ION ETCHING" の米国特許第５,３１８,６６４号では、ＨＣｌを用いてＩＴＯのプラズマエッチングに部分的に成功している。Saiaらは、ＨＣｌを用いるＩＴＯのプラズマエッチングで毎分６０オングストローム(60 A/min.) のエッチレイトを報告している。しかし、その下のシリコンに対してＨＣｌは選択的ではないため、ＩＴＯのエッチスルー(etch through)を終了させるのにＨＣｌを用いるべきではないことを、Saiaは警告している。ＩＴＯ層のエッチングスルー(etching through) を完結させるためにアセトン／酸素プラズマ等の非ハロゲンガスを代りに用いることを、Saiaは教示している。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
Saiaら（米国特許第５,３１８,６６４号）により教示されるようなマルチステップのプラズマエッチングプロセスは、１つのエッチングプロセス（例えばＨＣｌプラズマ）から別のプロセス（例えばアセトン／酸素プラズマ）にスイッチするすることが、全体の製造プロセスを複雑化し、コストを上昇させ、収率を低下させることになるため、不利である。Saiaらによって報告されている、ＨＣｌプラズマを用いてＩＴＯをエッチングする際の６０オングストローム／分というエッチレイトは、マスプロダクションが要求するレベルに対して比較的低いものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、単一のステップにより、インジウム酸化物、錫酸化物又はＩＴＯから本質的に成る薄膜のエッチスルーを与えることにある。
【００１７】
本発明の更なる目的は、ハロゲンベースの反応性ガスを用いたプラズマエッチングに対して、６０オングストローム／分よりも高いエッチレイトを与えることにある。
【００１８】
本発明の１つの特徴によれば、インジウム酸化物（ＩｎＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ）、又は、ＩＴＯ（Ｉｎ_xＳｎ_yＯ_z）から本質的に成る透明電極材料の層は、３０ミリトール以下（≦３０ｍＴｏｒｒ）の圧力、更に好ましくは２０ミリトール以下の圧力の下で、ハロゲン含有反応性ガスによりドライエッチングされる。
【００１９】
本発明の第２の特徴によれば、単一のプロセスを用いて透明電極の材料の層が最後まで完全にエッチングされる。
【００２０】
本発明の第３の特徴によれば、透明電極材料層からのドライエッチング排気を分光的に分析して、有効なエッチスルーが達成されたときが決定される。このポイントでエッチングプロセスを停止することで、その下の材料がエッチングされるのを防止し、並びに／又は、電力及び材料の消費を最小にする。
【００２１】
本発明の発明者による試験では、チャンバ圧力を３０ミリトールより低く下げれば、ＨＣｌやＣｌ₂等の反応性ハロゲンガスを用いる反応性イオンエッチングプロセスのエッチレイトが著しく向上した。適切な条件（ＨＣｌで１０ミリトール及び２Ｗ／ｃｍ²）の下で、４００オングストローム／分のエッチレイトが実現される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に従った反応性イオンエッチングシステム１００の断面を模式的に表す（基本的なエッチング装置の機構的な詳細説明は、例えば、上掲の米国特許出願Ｓ．Ｎ．０８／２７３,３８２号、標題 "METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING FILM LAYERS ON LARGE SUBSTRATE"に記載されている。）。
【００２３】
システム１００は、基板支持のカソード１１０を有しており、このカソード１１０は、低圧チャンバ１０５の中で対向するアノード１８０から間を隔てて配置されている。アノード１８０は、図示のような別個独立した要素でもよいが、別個の要素ではなくエッチングチャンバ１０５の１つ以上の内壁で与えられていてもよい。具体例の１つでは、チャンバ内壁がアノードを与え、カソードの多数の面がこれと対応するチャンバ内壁と対向するように、カソードがチャンバ内の中央に置かれる。こちらの具体例では、１つのチャンバで２つ以上のワークピースを同時にエッチングできるようになる。
【００２４】
対向するカソードの面とアノードの面との間にＲＦ場を発生させるため、高周波（ＲＦ:radio frequency）ジェネレータ１９０がカソードとアノードに電気的に結合されている。このＲＦ場は、単一周波数の場であってもよく、又は、複数の周波数の場であってもよい（典型的には、プラズマ形成のための約１３ＭＨｚとイオン加速のための約４００ｋＨｚとの組合わせが用いられる。）。
【００２５】
チャンバ１０５内へハロゲン含有反応性ガスを供給するため、ガス供給手段１５０が低圧チャンバ１０５に有効に結合されている。反応性ガス１５５の内部流量を制御して内部流れを所望のレベルに維持するため、流量制御手段（例えばバルブ）１５３が与えられている（所望のレベルとは、例えば、５０ｓｃｃｍであり、これは、０℃で圧力１ atom で１分間に体積５０ｃｃのガスを充填するガス流れのことである。）。入力ガスにアルゴン、ヘリウム、窒素等の不活性なキャリアガスが存在しない方が好ましく、その理由としては、低圧を維持するためにはこの付加的な物質を除去するための操作が更に必要となるからである。しかし、所望ならば、このような不活性なガス１つ以上を反応性ガス１５５のキャリアとして用いてもよい。
【００２６】
低圧チャンバ１０５からガス１６５を排出するため、また、チャンバ１０５内に望ましい低い圧力を維持するため、真空手段１７０が低圧チャンバ１０５に結合している。
【００２７】
排出ガス１６５を光学的にスキャンしその結果を分析して、排気ガス１６５の化学的組成を分析するための分光分析手段１７５が、真空手段１７０の排気路に与えられている。分光分析手段１７５は、以下の物質から成る副生成物群を含んでいるガスとこれらを含んでいないガスとを区別できるようにデザインされていることが好ましい：水蒸気（Ｈ₂Ｏ），塩化インジウム（Ｉｎ_XＣｌ_Y），塩化錫（Ｓｎ_XＣｌ_Y）及び水素化錫（ＳｎＨ）。具体例の１つでは、分光分析手段１７５は、λ１が約４５０〜４５２ナノメートルの範囲の可視光に感応する光学検出器を有している。
【００２８】
分光分析手段１７５は、ＲＦエッチング制御手段１６５に接続されており、有効なエッチスルーが達せられたと分光分析手段１７５が指示した際にＲＦジェネレータ１９０のスイッチを切りエッチングプロセスを停止させることができる。
【００２９】
ここで用いられる「有効なエッチスルー」なる語は、エッチングが透明電極層の中まで十分に進んだとき、互いに電気的に絶縁されるべきこの層の導体と導体との間の短絡や低抵抗の連絡を残すことなく使用可能な配線パターンが形成されることをいう。
【００３０】
表面部分１３５の近接面１０７におけるＩｎ又はＳｎのプラズマ励起放射光λ２を検出するように、ワークピース表面とおよそ同等のレベルで設置されている発光分光器ＯＥＳ(Optrical Emission Spectroscope)１０８で示されているような第２の分光検出器手段を、上記と同じ具体例に有してもよいし、またこの第２の分光検出器手段を、これとは別に他の具体例に有していてもよい。有効なエッチスルーに至ったことが、近接面１０７におけるＩｎ又はＳｎのλ２発光が予め実験的に求められた減少の量になったことにより指示されたとき、ＲＦジェネレータ１９０のスイッチを切りエッチングプロセスを停止できるように、ＯＥＳ１０８はエッチング制御手段１７６に結合している。
【００３１】
ＯＥＳ１０８は、排気ガスがそこに到達しなくても測定が可能であるため、排出分光分析手段１７５よりも短い応答時間を有している。ＯＥＳ１０８と組合わせて使用する場合、ＯＥＳ１０８で得られた読み出しを確認してプラズマの遮断が生じる前にＯＥＳ１０８が正確に動作していることを確保するために、排気分光分析手段１７５を用いてもよい。
【００３２】
材料層１３０の有効なエッチスルーの時点を決定できる別の方法として、表面部分１３５の近接面１０７におけるＨ又はＣｌのプラズマ励起放射光λ３のピークを求める方法がある。表面部分１３５に近接する部分には、Ｈ及び／又はＣｌと反応しこれを消費することが可能なＩｎ又はＳｎが未だ存在するため、Ｈ及び／又はＣｌの濃度はこの近接部で低いまま維持される。しかし、一旦有効なエッチスルーが達せられたならば、Ｈ及び／又はＣｌと反応可能なＩｎ又はＳｎが実質的に減少し、集中ピークはＨ及び／又はＣｌの波長に現れる。モニタしたＨ及び／又はＣｌの波長にこのピークが検出されればこれに応じてＲＦジェネレータ１９０のスイッチを切り、エッチングプロセスをエッチスルーのポイントで止めることが可能となる。
【００３３】
あるいは、Ｈ及び／又はＣｌの発光のピークとＩｎ及び／又はＳｎの発光の最小値との組合わせを用いて、ＲＦジェネレータのスイッチを切る時点を決めてもよい。
【００３４】
更に他の変形例では、基板１２０の材料がＨ及び／又はＣｌのラジカルによるエッチングを受ける材料である場合は、ＯＥＳ１０８を更に、エッチスルーが達せられたときの基板１２０から放たれた基板の構成物質によるプラズマ励起発光の検出に用いることが可能であり、ここで検出された結果を用いてＲＦジェネレータ１９０のスイッチを切る時点を決定することもできる。
【００３５】
チャンバ１０５内の圧力を所望のレベルに維持するため、真空手段１７０の排気路に圧力制御手段１７７が与えられる。ここで所望の圧力のレベルとは、好ましくは少なくとも約３０ミリトール（ｍＴｏｒｒ）であり、更に好ましくは少なくとも約２０ミリトール、最も好ましくは少なくとも約１０ミリトールである。
【００３６】
これからエッチングされる透明電極材料層１３０を有しているワークピース１１５が、カソード１１０の上に設置される。ワークピースは典型的には基板１２０を有しており、その上には透明電極材料層１３０が堆積されている。基板１２０は、例えば、ガラス（ＳｉＯ₂）、シリコンナイトライド（Ｓｉ₃Ｎ₄）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコン又は単結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ又はＳｉ）又は特定の光電子用途に適したその他の材料などの材料から構成されていてもよい。
【００３７】
透明電極材料層１３０は、厚さ１５００オングストローム未満である薄膜であってもよく、また、ＩＴＯ、インジウム酸化物、錫酸化物及びこれらの酸化物の混合物から本質的に成っていてもよい。
【００３８】
フォトリソグラフィーやその他の適当な方法によって予めパターニングされたマスク１４０が、これからエッチングされる材料層１３０の上に形成される。これからエッチングされる透明電極材料層１３０の表面部分を露出させるため、マスク１４０はこれを貫通するように形成されたアパーチャー１４５を有している。材料層１３０の非露出部分はマスク１４０の材料によってエッチングから保護される。マスク１４０は、厚さ１．５μｍで堆積されたフォトレジスト等の材料で形成されていてもよい。
【００３９】
チャンバ１０５は、少なくとも３０ミリトールの内部圧力、更に好ましくはワークピース近辺で１０ミリトールの圧力を維持するに適したシールがなされている。真空手段１７０は、チャンバ１０５からガスを排気できるように、並びに、好ましくは約３０ミリトール、更に好ましくは約２０ミリトール、最も好ましくは約１０ミリトールのチャンバ内の圧力を形成できるように、操作される。
【００４０】
カソード１１０とアノード１８０との間の電場を発振させて、１つのステップで材料層１３０の露出部分を最後までエッチングし、有効なエッチスルーが達せられた後にこれを停止することができるよう、ＲＦジェネレータ１９０はエッチング制御手段１７６によって励起される。
【００４１】
発生したＲＦ場の周波数（ｆ）は、好ましくは、４００ｋＨｚ〜１３．６ＭＨｚの範囲にある。所望の場合は、発生したＲＦ場は、４００ｋＨｚと１３．６ＭＨｚのような複数の周波数の組合わせを有していてもよく、また、この複数の周波数の組合わせは、別々のオシレータによって与えられてもよい。低めの周波数の場が基板を支持しているカソードの近辺で優勢となるように与えられてもよく、これはペデスタルＲＦと称されている。高めの周波数の場がワークピース１１５の上方のプラズマの近隣で優勢となるように与えられてもよく、これはプラズマＲＦと称されている。
【００４２】
印加されるＲＦ場の電力密度（Ｗ）は、好ましくは、材料層１３０の露出面１３５の表面積に関して測定されるものとして、平方センチメートル当たり少なくとも約１ワット（１Ｗ／ｃｍ²）、更に好ましくは約２Ｗ／ｃｍ²である。
【００４３】
ＲＦ場の強度（ｖｏｌｔｓ／ｃｍ）は、次に説明する反応ガス１５５が分解して原子構成物（自由なラジカル）になる程度に十分大きい。具体例の１つでは、材料層１３０の露出面部分１３５の近隣で、３００〜８００ｖｏｌｔｓ／ｃｍの範囲の場の強度が形成されている。
【００４４】
ガスソース１５０により、ＨＣｌ、Ｃｌ₂、ＨＣｌとＣｌ₂の混合物などのハロゲン含有反応性ガス１５５の定常的な流れが供給される。反応性ガスとしては、ＨＣｌ等の水素化ハロゲンから本質的に成るものが好ましい。
【００４５】
供給される反応性ガスの流量は、好ましくは５０〜１００ｓｃｃｍである。
【００４６】
カソード温度を約１０℃〜約１００℃に維持するため、温度制御手段１０９（例えば、流体冷却熱交換器）がカソード１１０に結合される。基板１２０上にある膜にダメージを与えることを防止するため、基板１２０の温度は、好ましくは、約１２０℃以下、更に好ましくは約１００℃以下である。基板１２０の温度は、カソード１１０を通り温度制御手段１０９に至る熱移動によって測定される。表面部分１３５の近隣に形成されるプラズマ１６０の温度はプラズマの変動に応じて、著しく高くなることがあり、突発的である傾向がある。
【００４７】
【実施例】
エッチングされるべき材料層１３０が実質的にＩＴＯから成り且つソース１５０から供給される反応性ガスが実質的に５０ｓｃｃｍのＨＣｌから成るケースで得られた実験結果を表１に示す。ＲＦジェネレータ１９０は、ペデスタルとプラズマの双方に対して１３．６ＭＨｚの単一の周波数に設定され、その電力レベルは、ＩＴＯ層１３０の露出面に対して電力密度が１Ｗ／ｃｍ²となるように設定された。
【００４８】
【表１】

表１からわかるように、チャンバ圧力が３０ｍＴｏｒｒから１０ｍＴｏｒｒに降下するにつれて、エッチレイトは実質的に増加している。ここでみられたエッチレイトの増加に関するメカニズムは十分に理解されていないが、物理的なイオンの衝突が露出ＩＴＯ面１３５の微小な破壊を引き起こすことに起因していると考えれる。圧力降下がＲＦ場によるイオン加速の摩擦抵抗を低減するためエネルギー的な衝突を更に促進すると考えられる。ＲＦ周波数を１３．６ＭＨｚより低くまた４００ｋＨｚのレンジに近いところまで低下させることによるか、あるいは、ペデスタルＲＦに低周波数成分を付加することにより、高いエッチレイトを得ることが可能となると予想される。周波数が低い方がより高い物理的イオン衝突を与える傾向があり、何故なら、発生したイオン粒子のより大きな物がその瞬間の電場に応じてより長い期間加速されるようになるからである。
【００４９】
エッチングされるべき材料層１３０が実質的にＩＴＯから成りソース１５０から供給される反応性ガスが実質的に５０ｓｃｃｍのＨＣｌから成り且つチャンバ圧力が１０ｍＴｏｒｒに維持された場合における電力密度の効果を調べるため、第２の実験が表２に示されているように実施された。周波数は表１のケースと同じであった。
【００５０】
【表２】

表２からわかるように、有効電力密度が増加すれば、エッチレイトは著しく増加するだろう。
【００５１】
第３の実施例では、実質的にＨＣｌから成るガスを塩素（Ｃｌ₂）から実質的に成る反応性ガス１５５に代え、その他の設定は同じにした。エッチレイトが約１０％〜１５％低下した点を除いて、同様の結果が観測された。ＨＣｌのエッチレイトがＣｌ₂の結果に比べて高かったことが観測されているが、これは、化学的なメカニズム及び／又は電場内の分解のメカニズムの一方又は両方が関係していると考えられる。換言すれば、Ｈ^*及びＣｌ^*（水素及び塩素）の両方のタイプのフリーラジカルの組合わせが、塩素（Ｃｌ₂）のみから成る反応性ガス１５５よりも、ＩＴＯを揮発させる反応をいっそう促進させるだろう。
【００５２】
更に広い言葉でいえば、観測されている低圧における高いエッチレイトは、化学的なメカニズム及び機械的なメカニズムの両方によっていると考えられる。印加されたＨＣｌガスがＲＦエネルギー場が存在するところで分解し、自由なラジカルＨ^*及びＣｌ^*を形成する。ここで、シンボル^*は、それぞれのラジカルが荷電していてもよく又は荷電していなくてもよいことを示している。自由なラジカルの中でも荷電されているもの（イオン）は、ＲＦ場によって加速され、露出した薄膜表面１３５に衝突する。この衝突によって、露出面１３５の物理的な破壊や微小破壊を引き起こすと考えられている。そして、微小な破壊部分が、荷電又は非荷電のラジカルＨ^*及びＣｌ^*のいずれかと反応することになる。
【００５３】
以下の表３に、自由な構成物Ｈ^*及びＣｌ^*とＩｎ，Ｓｎ，及びＯとの間で生じて揮発性の副生成物を生成すると考えられる化学反応を列挙した。
【００５４】
【表３】

表３に列挙されている副生成物は全て６５０℃より低い沸点を有するため、プラズマ環境の中では揮発性であろうと考えられる。表からわかるように、ＨＣｌガスの分解した粒子Ｈ^*及びＣｌ^*は、ＩＴＯと反応した場合に揮発性の副生成物を生成する。ＨＣｌとＣｌ₂の適当な組合わせを混合することによりプラズマ中のＨ^*及びＣｌ^*粒子の固有の比を変化させて、Ｉｎ_XＳｎ_YＯ_Zの組成を変えるようにしてもよい。
【００５５】
上述の開示の内容は、本発明の例示として考えられるべきであり、本発明の範囲を限定するものではない。いわゆる当業者には、上述の開示から変形や変更を数多く行うことができるであろう。
【００５６】
例えば、ＨＣｌから成る反応性ガスの代りに、ＨＦ、ＨＢｒ、ＨＩ又はＣ₂Ｈ₅Ｉ等の水素化ハロゲンで置き換えてもよく、又はこれらを反応性ガスに混合してもよい。
【００５７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、単一のステップによる、インジウム酸化物、錫酸化物又はＩＴＯから本質的に成る薄膜のエッチスルーが与えられることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従ったドライエッチングプロセスの実施のための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）システムの模式的な断面図である。
【符号の説明】
１００…反応性イオンエッチングシステム、１０５…低圧チャンバ、１０７…矢印（近接面）、１０８…発光分光器（ＯＥＳ）、１０９…温度制御手段、１１０…カソード、１１５…ワークピース、１２０…基板、１３０…透明電極材料層、１４０…マスク、１４５…アパーチャー、１５０…ガス供給手段、１５３…流量制御手段、１５５，１６５…矢印、１７０…低圧チャンバ、１７５…分光分析手段、１７６…エッチング制御手段、１７７…圧力調整手段、１８０…アノード、１９０…ＲＦジェネレータ。

Claims

インジウム錫酸化物のエッチングの方法であって、
前記インジウム錫酸化物の層を下地層の上に与えるステップであって、該下地層が、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、及び単結晶シリコンのうち一つから構成されている、該ステップと、
前記インジウム錫酸化物の層の部分を、該部分が完全にエッチングされるまで、ＨＣｌを含むガスのプラズマに晒すステップと、
インジウム又は錫による放射光を検出するステップと、
検出された前記放射光が予め定められた減少の量になった場合に、前記プラズマに晒すステップを停止するステップと
を有するエッチングの方法。
インジウム錫酸化物のエッチングの方法であって、
前記インジウム錫酸化物の層を下地層の上に与えるステップであって、該下地層が、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、及び単結晶シリコンのうち一つから構成されている、該ステップと、
前記インジウム錫酸化物の層の部分を、該部分が完全にエッチングされるまで、ＨＣｌを含むガスのプラズマに晒すステップと、
前記下地層の構成物質による放射光を検出するステップと、
前記放射光が検出された場合に、前記プラズマに晒すステップを停止するステップと
を有するエッチングの方法。
前記プラズマに晒すステップにおいて、前記インジウム錫酸化物の層の前記部分は、該インジウム錫酸化物の層の上に設けられたマスクの開口を介して、前記プラズマに晒される、請求項１又は２に記載のエッチングの方法。
前記プラズマに晒すステップは
前記インジウム錫酸化物の層と前記下地層を有するワークピースをチャンバ内で支持するステップと、
前記チャンバ内の圧力を、３０ミリトール以下にするステップと、
を更に有する、請求項１又は２に記載のエッチングの方法。
前記ガスは、ＨＣｌから成ることを特徴とする、請求項１又は２に記載のエッチング方法。