JP3961316B2 - 光機能素子 - Google Patents
光機能素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3961316B2 JP3961316B2 JP2002062071A JP2002062071A JP3961316B2 JP 3961316 B2 JP3961316 B2 JP 3961316B2 JP 2002062071 A JP2002062071 A JP 2002062071A JP 2002062071 A JP2002062071 A JP 2002062071A JP 3961316 B2 JP3961316 B2 JP 3961316B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- optical
- layer
- core
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトニック結晶体を用いた光導波路において、光の有効屈折率を制御し、位相変調器の小型化を実現することができる光機能素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
情報技術(IT)促進が声高に叫ばれている近年、世の中を飛び交う情報通信量は増加の一途を辿り、現行の通信システムを飛躍的に高速化、大容量化させる技術革新が望まれている。光を用いた通信システムでは、伝送速度が40Gbit/sへと進んで来たフォトニックネットワークの高速化に伴い、高速で光の強度または位相を変調できる素子への要求が高まっている。
【0003】
従来、最も広く適用されている変調器としては、誘電体であるTi:LiNbO3 の電気光学効果を利用したマッハツェンダ干渉型光強度変調器(LN変調器)が挙げられ、その信頼性の高さより基幹系ネットワークを中心に広く適用がなされている。しかし、システムの小型化及び低消費電力化において、さらなる改善の余地があった。
【0004】
このシステムの小型化及び低消費電力化を実現可能な変調器として、半導体の電界吸収効果を利用した電界吸収型光強度変調器(EA変調器)が有望視されている。しかし、このEA変調器において十分な消光比を得るには、十分な長さの変調領域を確保しなければならず、そのために素子長を長くする必要がある。ここで、素子長を長くすると、変調領域を通過する光と電磁波との速度が異なることにより、効率良く変調するためには、これらの速度の違いを補正することが素子設計上重要な問題となっている。
【0005】
【発明の解決しようとする課題】
そのため、従来の変調素子の構造である集中電極構造の変調素子に代わって進行波型電極構造の位相変調素子が注目されるようになっている。しかし、進行波型電極構造の位相変調素子は電極の設計が従来の素子と比べて格段に複雑になるという問題があった。
【0006】
また、大きな変調量を得るために素子長を長くした結果として、電磁波の吸収による損失が増える点も大きな問題となっている。さらに、位相変調器の場合、通常は電気的な屈折率の変化を利用して光の位相を制御する。しかし、一般に用いられている半導体材料では屈折率の変化は0.1%程度と小さくなっているため、十分な効果を得るためにはある程度の素子長が必要になってくる。これら素子長の増加は電極サイズの増加を意味し、結果として増える容量が高速化の制限要因となり、さらなる高速化を実現するために問題となっている。
【0007】
本発明は、上記事情に鑑みてなされてものであり、屈折率制御を容易にするとともに、小型化を実現可能な光機能素子及びその製造方法を提供することを課題としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、基板上に光導波路が形成され、当該光導波路内の光伝播方向に対して垂直方向となる該光導波路の両側面が光ブロック層で挟まれてなる光機能素子であって、前記光ブロック層は、前記基板に垂直な方向と前記光伝播方向との両方に垂直な方向に高屈折率領域と低屈折率領域とが交互に配置されて屈折率が周期的に変化するフォトニック結晶体からなり、前記光導波路は、電界によって屈折率および吸収係数が変化する材料からなり、かつ前記光導波路の前記光ブロック層で挟まれた幅は、当該光ブロック層の一方の側面に配置されている前記高屈折率領域の幅の総厚みよりも小さく、前記基板に垂直な方向の前記光導波路の上部および下部に、当該光導波路に電界を印加するための電極を備えている、ことを特徴としている。
【0009】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の光機能素子において、前記光導波路の屈折率よりも小さな屈折率を有する層が、前記光導波路の上面及び下面の少なくともいずれか一方に接するように形成されていることを特徴としている。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の光機能素子において、前記光導波路の屈折率よりも小さな屈折率を有する層は、前記基板に垂直な方向に屈折率が周期的に変化するフォトニック結晶体からなることを特徴としている。
【0011】
本発明の光機能素子によれば、光導波路の両側面を挟んで形成される光ブロック層をフォトニック結晶体から構成し、このフォトニック結晶体のバンドギャップ領域を利用することによって、従来の光導彼路とクラッド層との屈折率差を利用した光の閉じ込めより効率的な光閉じ込めを実現することが可能となる。その結果、光導波路の有効屈折率をクラッド層の屈折率よりも小さくでき、従来の屈折率差による光閉じ込めでは不可能な負の正規化伝搬定数を実現することが可能となる。このとき、群速度はほぼゼロとなり、実効光路長は限りなく大きくなるため、短い距離で同じ変調量を達成することができるようになる。
【0012】
このため、進行波型の電極構造を適用せずとも集中定数動作の電極で十分効率的に変調を得ることができ、同時に容量の低減も達成できることから、さらなる高速な動作及び素子の小型化を実現することが可能となる。また、素子長を同じにした場合でも変調効率が上がるので、より少ない印可電圧で同じ変調量を得ることが可能となるため、光機能素子の低消費電力化が見込まれる。
【0013】
本発明の光機能素子の製造方法によれば、本発明の光機能素子を容易に実現することが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。
(第一実施形態)
図1は本発明の第一の実施形態を示す光機能素子の斜視図である。
光機能素子10Aは、図1に示すように、SiO2 からなる半導体基板(基板)1の上面に、コア(光導波路)2と、クラッド層3とが順次積層された構成を有しており、半導体基板1とクラッド層3との間におけるコア2が形成されていない部分、つまり、コア2の両側面には、光ブロック層4による埋め込み層が形成されている。そして、コア2直下の半導体基板1下面及びコア2直上のクラッド層3上面には電極5が具備されており、コア2には、半導体基板1に垂直な方向DR3に向かって電圧が印可されるようになっている。
【0015】
コアは2、電極5によって印可された電界によって屈折率及び吸収係数が変化する材料からなり、本実施形態においてはSiから構成されている。
クラッド層3は、半導体基板1に垂直な方向DR3への光の閉じ込めを目的として形成されており、本実施形態においてはSiO2 から構成されている。
光ブロック層4は、光の伝播方向DR1に垂直な方向DR2への光の閉じ込めを目的として形成されており、一次元のフォトニック結晶体から構成されている。
【0016】
フォトニック結晶体とは、屈折率の異なる複数の媒質が周期的構造を有するものであり、本実施形態においては、光伝搬方向DR1に垂直な方向DR2に向かって、異なる屈折率を有する第一領域4aと第二領域4bとが交互に積層された積層体からなる。
光ブロック層4を構成する第一領域4aは、コア2と接触せず、コア2と同一材料である屈折率3.5のSiからなり、第二領域4bは、コア2に隣接して形成され、屈折率1.5のSiO2 からなる。
【0017】
ここで、光ブロック層4を構成する第一領域4a及び第二領域4bの屈折率、配列の周期、或いは総厚み比を適切に選択することで、所望の波長や偏光方向の光の閉じ込めを実現させることができる。本実施形態においては、コア2の一方の側面に形成される光ブロック層4のうち、第一領域4aを7層、第二領域4bを8層とし、第一領域4aと第二領域4bとコア2の幅Wとの総厚み比を約7:3:4に設定した。
【0018】
次に、本実施形態の光機能素子10Aの製造方法について説明する。
まず、半導体基板上に、有機金属CVD(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法等を用い、Si膜(半導体層)を成膜する。ここで、MOCVD法に限らず、MBE(Moiecular Beam Epitaxy)法を用いても構わない。
【0019】
次いで、このSi膜の上面において、コア2の形成予定領域と、光ブロック層4を構成する第一領域4aの形成予定領域とはレジストのマスクで覆い、光ブロック層4を構成する第二領域4bの形成予定領域は露出した状態で、半導体基板1に垂直な方向DR3にエッチングを行う。ここで、Siからなるコア2と、同様にSiからなる光ブロック層4の第一領域4aを形成する。
【0020】
次いで、Si膜が形成されず、凹部となっている光ブロック層4を構成する第二領域4bの形成予定領域にSiO2 膜(第二領域を構成する部材)を成膜し、第二領域4bを形成する。
次いで、光ブロック層4及びコア2の全上面に、SiO2 膜を成膜し、クラッド層3を形成する。
【0021】
そして、コア2直下の半導体基板1下面と、コア2直上のクラッド層3上面に、CVD法などによって金属膜を成膜し、電極5を形成することで、光機能素子10Aを完成させる。
図2は、光ブロック層4を構成する第一領域4aと第二領域4bとコア2の幅Wとの比を7:3:4とした場合の、コア2を伝搬する光の分散特性と群速度を示す図である。なお、横軸は光伝搬方向DR1に沿った方向の波数β(1/a)、実線の縦軸は振動数ω(c/a)、点線の縦軸は光の速度を1とした場合の群速度vgであり、本実施形態における光閉じ込めの結果を太線で、従来の屈折率での光閉じ込めの結果を細線で示した。
【0022】
図2に示すように、通常用いられる屈折率での光閉じ込めの場合は、群速度の下限は光伝搬方向に沿った波数が大きくなった場合に得られ、その値はコア2の屈折率をnとすると約1/nとなる。それに対し、本発明における一次元のフォトニック結晶体での光閉じ込めの場合、分散特性は逆の傾向を示し、群速度の下限は光伝搬方向DR1に沿った波数が小さくなった場合に得られ、図2に示されるように限りなくゼロに近付くようになる。ここで、光の変調効率は群速度の逆数に比例するので、群速度がゼロに近い条件では大きな変調効率が得られる。
【0023】
図3に、変調効率を光伝搬方向DR1の波数β(1/a)の関数として図示する。図の横軸は変調効率の対数を示しており単位は任意とした。通常用いられる屈折率閉じ込めの場合は、変調効率に上限があるのと比較して、本発明による素子構造の場合は光伝搬方向DR1の波数が小さい場合に変調効率が限りなく大きくなっていることが示されている。
【0024】
よって、本発明の光機能素子10Aによれば、光導波路であるコア2の両側面に一次元フォトニック結晶体からなる光ブロック層4を設け、この一次元フォトニック結晶体によるバッドギャップ領域を利用して光の閉じ込めを行うことによって、変調効率を限りなく大きくでき、効率的に光の閉じ込めを実現することが可能となる。
【0025】
その結果、光導波路であるコア2の有効屈折率をクラッド層3の屈折率よりも小さくでき、通常用いられる屈折率差を利用した光閉じ込めでは実現不可能な負の正規化伝搬定数を実現することができる。このときの光の群速度は略ゼロとなり、実効光路長は限りなく大きくなるため、短い距離であっても同じ変調量を達成することができるようになるため、光機能素子10Aの小型化を実現することが可能となる。
【0026】
また、素子長を同じにした場合でも、変調効率が上がるため、より少ない印可電圧で同じ変調量を得ることが可能となり、光機能素子10Aの低消費電力化を実現させることができるようになる。
(第二の実施形態)
図4は本発明の第二の実施形態における光機能素子を示す斜視図である。
【0027】
光機能素子10Bは、図4に示すように、InPからなる半導体基板(基板)1の上面に、コア(光導波路)2が積層された構成を有しており、半導体基板1上面に形成されたコア2の両側面には、光ブロック層4による埋め込み層が形成されている。そして、コア2直上には電極5が具備されている。
コア2はノンドープのlnP、lnGaAsP、或いはlnAIGaAsからなるコア部2aと、P型でドープされたlnPからなるInP層2bとから構成され、半導体基板1に垂直な方向DR3への光閉じ込めと電子閉じ込めを目的として、二層のInP層2bの間にコア部2aが挟層されている。
【0028】
光ブロック層4は、光の伝播方向DR1と垂直な方向DR2への光の閉じ込めを目的として形成されており、一次元のフォトニック結晶体から構成されている。
このフォトニック結晶体は、コア2における光伝搬方向DR1に垂直な方向DR2に、コア2と接触せず、コア2と同一の構成材料からなる第一領域4aと、コア2と隣接し、空気又はポリイミドからなる第二領域4bとが交互に積層された積層体からなる。ここで、コア2と同一の構成材料からなる第一領域4aは、ノンドープのInP、InGaAsP、或いはInAlGaAsからなる第一層41が、P型でドープされたInPからなる第二層42で挟層されてなる。
【0029】
電極5は、進行波型の電極構造を有し、コア2の屈折率および吸収率は電極5に印加された電界により変化する。それによりコア2を伝搬する光の位相および強度が変調される。
次に、本実施形態における光機能素子10Bの製造方法について説明する。
まず、半導体基板1上に、光機能素子10Aの製造方法と同様の方法を用いて、コア2を構成するInP層2b及び光ブロック層4の第一領域4aを構成する第二層42の形成材料となる、例えば、P型ドープInP膜を成膜する。続いて、このP型ドープInP膜の上面に、コア2を構成するコア部2a及び光ブロック層4の第一領域4aを構成する第一層41の形成材料となる、例えば、ノンドープInP膜を成膜する。さらに、このノンドープ層InP膜の上面に、コア2を構成するInP層2b及び光ブロック層4の第一領域4aを構成する第二層42の形成材料となる、例えば、P型ドープInP膜を成膜する。
【0030】
次いで、半導体基板1の最表面に積層されたInP膜の上面において、コア2の形成予定領域と、光ブロック層4を構成する第一領域4aの形成予定領域とはレジストのマスクで覆い、光ブロック層4を構成する第二領域4bの形成予定領域は露出した状態で、半導体基板1に垂直な方向DR3にエッチングを行う。ここで、InP層2bでコア部2aが挟層されたコア2と、このコア2と同様の形成材料、つまり、第二層42で第一層41が挟層された光ブロック層4の第一領域4aを形成する。
【0031】
このとき、コア2の側面と光ブロック層4の第一領域4aとの間、及び光ブロック層4の隣り合う第一領域4a間には、空気からなる第二領域4bが形成されることになる。
そして、コア2直上面に、CVD法などによって金属膜を成膜し、進行波型の電極5を形成することで、光機能素子10Bを完成させる。
【0032】
本実施形態における光機能素子10Bによれば、光機能素子10Aと同様の効果が得られるとともに、電極5として、進行波型の電極構造を備えたため、コア2を伝搬する光の位相および強度をより効率的に変調することが可能となる。
(第三実施形態)
図5は本発明の第三の実施形態における光機能素子を示す斜視図である。
【0033】
光機能素子10Cは、図5に示すように、InPからなる半導体基板(基板)1の上面に、下部クラッド層3Aと、コア(光導波路)2と、上部クラッド層3Bとが順次積層された構成を有しており、下部クラッド層3Aと上部クラッド層3Bとの間におけるコア2が形成されていない部分、つまり、コア2の両側面には、光ブロック層4による埋め込み層が形成されている。そして、コア2直下の半導体基板1下面及びコア2直上の上部クラッド層3B上面には電極5が具備されており、コア2には、半導体基板1に垂直な方向DR3に向かって電圧が印可されるようになっている。
【0034】
コアは2、電極5によって印可された電界によって屈折率及び吸収係数が変化する材料からなり、本実施形態においてはノンドープのInP、InGaAsP、或いはInAlGaAsから構成されている。
上部クラッド層3B及び下部クラッド層3Aは、半導体基板1に垂直な方向DR3への光の閉じ込めを目的として形成されており、本実施形態においてはいずれも、半導体基板1に垂直な方向DR3に、コア2と隣接し、P型にドープされたInPからなる第一クラッド領域3aと、ポリイミドからなる第二クラッド領域3bとが交互に積層されたフォトニック結晶体から構成されている。
【0035】
光ブロック層4は、光の伝播方向DR1と垂直な方向DR2への光の閉じ込めを目的として形成されており、一次元のフォトニック結晶体から構成されている。
ここで、フォトニック結晶体は、コア2に接触せず、コア2と同一の形成材料からなる第一領域4aと、コア2に隣接して形成され、空気又はポリイミドからなる第二領域4bとが交互に積層された積層体からなる。
【0036】
次に、本実施形態の光機能素子10Cの製造方法について説明する。
まず、半導体基板1上に、光機能素子10Aの製造方法と同様の方法を用いて、P型にドープされたInP膜とポリイミド膜とを交互に成膜することで、第一クラッド層3aと、第二クラッド層3bとからなる下部クラッド層3Aを形成する。
【0037】
次いで、下部クラッド層3Aの上面に、コア2及び光ブロック層4を構成する第一領域4aの形成材料となるノンドープInP膜(半導体層)を成膜する。
次いで、このノンドープInP膜の上面において、コア2の形成予定領域と、光ブロック層4を構成する第一領域4aの形成予定領域とはレジストのマスクで覆い、光ブロック層4を構成する第二領域4bの形成予定領域は露出した状態で、半導体基板に垂直な方向DR3にエッチングを行う。ここで、ノンドープInPからなるコア2と、同様にノンドープInPからなる光ブロック層4の第一領域4aを形成する。
【0038】
次いで、光ブロック層4及びコア2の全上面に、P型にドープされたInP膜とポリイミド膜とを交互に成膜することで、第一クラッド層3aと第二クラッド層3bとからなる上部クラッド層3Bを形成する。このとき、コア2の側面と光ブロック層4の第一領域4aとの間、及び光ブロック層4の隣り合う第一領域4a間には、空気(第二領域を構成する部材)からなる第二領域4bが形成されることになる。
【0039】
そして、コア2直下の半導体基板1下面と、コア2直上の上部クラッド層3Bの上面に、CVD法などによって金属膜を成膜し、電極5を形成することで、光機能素子10Cを完成させる。
本実施形態における光機能素子10Cによれば、光機能素子10Aと同様の効果が得られるとともに、光導波路となるコア2の上部及び下部に、フォトニック結晶体からなる上部クラッド層3B及び下部クラッド層3Aを形成したことによって、光伝搬方向DR1に垂直な方向DR2への光の閉じ込めのみならず、半導体基板1に垂直な方向DR3への光の閉じ込めをより効率的に行うことが可能となる。
【0040】
【発明の効果】
本発明における光機能素子によれば、光導波路の両側面を挟む光ブロック層として、フォトニック結晶体から構成したことによって、効果的に光の閉じ込めを行うことが可能となる。よって、光導波路の有効屈折率をクラッド層の屈折率よりも小さくできるため、短い距離でも同じ変調量を達成することが可能となる。このことにより、光機能素子の高速動作、小型化、及び低消費電力化を実現させることが可能となる。
本発明における光機能素子の製造方法によれば、本発明における光機能素子を容易に実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施形態を示す光機能素子の構成図である。
【図2】本発明の第一の実施形態による光導波路の光学特性図である。
【図3】本発明の第一の実施形態による光導波路の変調効率を示す図である。
【図4】本発明の第二の実施形態を示す光機能素子の斜視図である。
【図5】本発明の第三の実施形態を示す光機能素子の斜視図である。
【符号の説明】
1 半導体基板(基板)
2 コア(光導波路)
2a コア部
2b InP層
3 クラッド層(光導波路の屈折率よりも小さな屈折率を有する層)
3A 下部クラッド層
3B 上部クラッド層
3a 第一クラッド領域
3b 第二クラッド領域
4 光ブロック層
4a 第一領域
4b 第二領域
41 第一領域を構成する第一層
42 第一領域を構成する第二層
5 電極
10A、10B、10C 光機能素子
Claims (3)
- 基板上に光導波路が形成され、当該光導波路内の光伝播方向に対して垂直方向となる該光導波路の両側面が光ブロック層で挟まれてなる光機能素子であって、
前記光ブロック層は、前記基板に垂直な方向と前記光伝播方向との両方に垂直な方向に高屈折率領域と低屈折率領域とが交互に配置されて屈折率が周期的に変化するフォトニック結晶体からなり、
前記光導波路は、電界によって屈折率および吸収係数が変化する材料からなり、かつ
前記光導波路の前記光ブロック層で挟まれた幅は、当該光ブロック層の一方の側面に配置されている前記高屈折率領域の幅の総厚みよりも小さく、
前記基板に垂直な方向の前記光導波路の上部および下部に、当該光導波路に電界を印加するための電極を備えている、ことを特徴とする光機能素子。 - 前記光導波路の屈折率よりも小さな屈折率を有する層が、前記光導波路の上面及び下面の少なくともいずれか一方に接するように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光機能素子。
- 前記光導波路の屈折率よりも小さな屈折率を有する層は、前記基板に垂直な方向に屈折率が周期的に変化するフォトニック結晶体からなることを特徴とする請求項2に記載の光機能素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002062071A JP3961316B2 (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 光機能素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002062071A JP3961316B2 (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 光機能素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003262840A JP2003262840A (ja) | 2003-09-19 |
JP3961316B2 true JP3961316B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=29196030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002062071A Expired - Fee Related JP3961316B2 (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 光機能素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3961316B2 (ja) |
-
2002
- 2002-03-07 JP JP2002062071A patent/JP3961316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003262840A (ja) | 2003-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2754957B2 (ja) | 半導体光制御素子およびその製造方法 | |
JP2809124B2 (ja) | 光半導体集積素子およびその製造方法 | |
US20220390777A1 (en) | Electro-optic devices having engineered electrodes | |
US6721085B2 (en) | Optical modulator and design method therefor | |
JP4828018B2 (ja) | 光変調器およびその製造方法並びに光半導体装置 | |
WO2004025358A1 (ja) | 光変調器 | |
US7024057B2 (en) | Optical device having dual microstrip transmission lines with a low-k material and a method of manufacture thereof | |
JP2850950B2 (ja) | 導波型光デバイス | |
JPH1039266A (ja) | 光制御デバイス | |
JP6348880B2 (ja) | 半導体マッハツェンダ光変調器 | |
US20100310206A1 (en) | Optical modulator | |
US7088874B2 (en) | Electro-optic devices, including modulators and switches | |
JP3961316B2 (ja) | 光機能素子 | |
JPH05173099A (ja) | 光制御素子 | |
JPH0588124A (ja) | 光変調器 | |
JP2758540B2 (ja) | 光変調素子及びそれを用いた光変調装置 | |
WO2005081050A1 (ja) | 変調器集積化光源およびその製造方法 | |
JP3942511B2 (ja) | 光半導体素子 | |
US20230251511A1 (en) | Electro-optic devices having closely spaced engineered electrodes | |
JP2760276B2 (ja) | 選択成長導波型光制御素子 | |
JPH11316359A (ja) | 光制御デバイス | |
WO2023188426A1 (ja) | 半導体装置 | |
KR20230112429A (ko) | KTN(KTaNbO3)이 사용된 광 위상 이동기 및 그 제조 방법 | |
WO2021001918A1 (ja) | 光変調器 | |
JP2991418B2 (ja) | 半導体光制御素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060606 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070516 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140525 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |