JP3951804B2 - Feed forward amplifier - Google Patents

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Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、例えばデジタル移動体通信基地局用に使用される高出力低歪のトランジスタ増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の増幅器としては特開平１０−２０９７７０号公報や特開平６−４５９９３号公報に開示されたものがある。これら従来技術では、ドレイン(コレクタ)電圧やゲート(ベース)電圧を可変制御によって任意に変化させることによって、トランジスタの飽和レベルやアイドルドレイン電流を変化させ、最大の電力付加効率を得ることを目的としている。また、特開平１０−２１５１３０号公報に開示されたものも、出力レベルをカプラと検波回路によって検出し、トランジスタの飽和レベルやアイドルドレイン電流を変化させ、最大の電力付加効率を得ることが示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、これら従来の装置の実運用面では、その良好な歪特性を得ることが困難である。また、量産時のＲＦトランジスタ素子の最大出力や歪特性のバラツキは、その使われるＲＦ増幅器の性能のバラツキを引き起こし、製品の歩留まりを劣化させていた。
【０００４】
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、ＲＦトランジスタ増幅器の多規定出力化、高効率化、低歪化などの性能を向上させようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明に係るフィードフォワード増幅器は、主増幅器の出力信号から歪成分を検出し、その検出された歪成分を補助増幅器を用いて増幅して前記主増幅器の出力経路に供給することにより前記主増幅器の出力信号に含まれた歪成分を除去し、その歪成分が除去された前記主増幅器の出力信号を出力端に出力するフィードフォワード増幅器において、外部信号により前記主増幅器の規定出力を切り換える指令信号を出力するＣＰＵと、その出力された指令信号により前記主増幅器の規定出力を切り換える一方、その切り換えられた規定出力に基づく前記主増幅器の出力信号と前記主増幅器の飽和出力との出力差であるバックオフ量が所定量を維持するように前記主増幅器に供給されるドレイン電圧を制御するドレイン電圧制御手段と、このドレイン電圧制御手段によりドレイン電圧が制御された前記主増幅器の出力信号に含まれた歪成分の歪レベルを検出する歪レベル検出回路と、この歪レベル検出回路により検出された歪レベルが所定レベルを維持するように前記主増幅器に供給されるゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段とを備えたものである。
請求項２の発明に係るフィードフォワード増幅器は、主増幅器の出力信号から歪成分を検出し、その検出された歪成分を補助増幅器を用いて増幅して前記主増幅器の出力経路に供給することにより前記主増幅器の出力信号に含まれた歪成分を除去し、その歪成分が除去された前記主増幅器の出力信号を出力端に出力するフィードフォワード増幅器において、前記主増幅器の出力信号の出力レベルを検出する出力レベル検出手段と、その検出された出力レベルから前記主増幅器の出力信号と前記主増幅器の飽和出力との出力差であるバックオフ量を求め、このバックオフ量が所定量を維持するように前記主増幅器に供給されるドレイン電圧を制御するドレイン電圧制御手段と、このドレイン電圧制御手段によりドレイン電圧が制御された前記主増幅器の出力信号に含まれた歪成分の歪レベルを検出する歪レベル検出回路と、この歪レベル検出回路により検出された歪レベルが所定レベルを維持するように前記主増幅器に供給されるゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段とを備えたものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１に係るＲＦトランジスタ増幅器を示すもので、図において、１はＲＦトランジスタ、１ａはそのドレイン（コレクタ）、１ｂはそのゲート（ベース）、２は増幅器の入力端、３は出力端である。４はＲＦトランジスタ１のドレイン１ａの回路に電圧を供給するドレイン電圧発生回路、５はＲＦトランジスタ１のゲート１ｂの回路に電圧を供給するゲート電圧発生回路、６は上記ドレイン電圧発生回路４とゲート電圧発生回路５の出力電圧を制御する制御回路である。７は、増幅器の入力端２と出力端３にそれぞれ接続された分波器９、１０からの信号を入力し、それを検波回路８で検波する歪レベル検出回路である。上記制御回路６には上記歪レベル検出回路７の出力と、出力端３に接続された分波器（出力レベル検出手段）１１の出力が与えられる。
【０００７】
次にその動作を図１、図２により説明する。ＲＦトランジスタ素子１のＲＦ最大出力値２０は、そのドレイン電圧値によって決定付けられる。一方、ＲＦトランジスタ素子１の効率２１は、ＲＦ最大出力値２０からのバックオフ量（飽和出力と動作出力との差）２２によって決まる。従って、異なる規定出力を必要とする場合や、変化するＲＦ出力電力において、常に最大の効率を維持するためには、常に同じバックオフ量を保つ必要がある。また、最小の歪みレベル２３を維持するためには、ゲート電圧によって制御することの出来るアイドルドレイン電流値(デバイス動作点)を最適化する必要がある。
【０００８】
上記図１の回路において、ＲＦトランジスタ素子１のドレイン電圧発生回路４にドレイン電圧可変機能を付加し、制御回路６に、外部からの異なるＲＦ規定出力や、変化するトランジスタ１の出力端３の出力を分波器１１から加えて、ドレイン電圧発生回路４のドレイン電圧を変化させ、常に最大の効率２１が得られるようにする。と同時に、歪レベル検出回路７でその歪みレベルも検出し、最小の歪みレベルが得られるように、歪レベル検出回路７の出力によって制御回路６から、ゲート電圧発生回路５のゲート電圧可変機能により、異なるＲＦ規定出力や変化するＲＦ出力に対して、ゲート電圧を制御する。
【０００９】
以上のように、例えば多段ＲＦ増幅器の最終段増幅器に用いられるＲＦトランジスタ素子１のＲＦ飽和出力値と歪み特性のバラツキを、ドレイン電圧発生回路４とゲート電圧発生回路５によって吸収する。これにより、多段ＲＦ増幅器の性能のバラツキを軽減することができる。
【００１０】
実施の形態２．
図３はこの発明をフィードフォワード増幅器に実施した実施の形態２を示すものである。図において、３０はフィードフォワード増幅器、３１はその入力端、３２は出力端である。３３は最終段増幅器、３４は補助増幅器である。
【００１１】
フィードフォワード増幅器３０のＲＦ最大出力電力と歪み特性が最終段増幅器３３によって決づけられるように、その前段増幅器３５のバックオフ量を取っておく。前段増幅器３５は最終段増幅器３３に比べ消費電力が十分小さいので、バックオフ量を大きく取っても全体の効率には大きく影響はしない。
【００１２】
最終段増幅器３３のドレイン回路３３ａへの給電回路３６は、電源回路３７の他、ドレイン電圧可変回路３８とドレイン電圧制御回路３９で構成される。また、最終段増幅器３３のゲート回路３３ｂへの給電回路４０は、電源回路４１の他、ゲート電圧可変回路４２とゲート電圧制御回路４３で構成される。歪レベル検出回路４４は補助増幅器３４の前段の分波器４５から歪レベルを検出し、その出力で制御回路３９、４３を制御する。４６はＣＰＵ、４７は外部信号、４８は前段増幅器３５の電源回路である。
【００１３】
本フィードフォワード増幅器３０は、４５ｗと３０ｗのＲＦ規定出力を持ち合わせており、予め検出した歪み特性とのトレードオフのなかで、最大の効率と最小の歪みになるように決められたドレイン電圧とゲート電圧になるよう、制御回路３９、４３を設定しておく。外部信号４７によるＲＦ規定出力切換の信号を受けたＣＰＵ４６が制御回路３９、４３に指令を与え、制御回路３９、４３は設定したドレイン電圧とゲート電圧を切り換える。その結果、それぞれの規定出力において、同様値の効率と歪みレベルが実現される。
【００１４】
実施の形態３．
図４はこの発明をフィードフォワード増幅器に実施した実施の形態３を示すものである。図において、実施の形態１の図３と同一機能の要素には同一符号を付して説明を省略する。図４において、４９は出力端３２に設けられた分波器５０に接続された検波回路である。
【００１５】
フィードフォワード増幅器３０のＲＦ最大出力電力と歪み特性が最終段増幅器３３によって決づけられるように、その前段増幅器３５のバックオフ量を取っておく。前段増幅器３５は最終段増幅器３３に比べ消費電力は十分小さいので、バックオフ量を大きく取っても全体の効率には大きく影響はしない。
【００１６】
最終段増幅器３３のドレイン回路３３ａへの給電回路３６は、電源回路３７の他、ドレイン電圧可変回路３８とドレイン電圧制御回路３９で構成される。また、最終段増幅器３３のゲート回路３３ｂへの給電回路４０は、電源回路４１の他、ゲート電圧可変回路４２とゲート電圧制御回路４３で構成される。
【００１７】
フィードフォワード増幅器３０は任意のＲＦ出力レベルを持ち合わせており、最大効率と最小の歪み特性が得られるように、出力端３２に設けられた分波器５０によって分波された出力信号を検波回路４９により検波した情報と、歪レベル検出回路４４によって得られた情報から、ドレイン電圧とゲート電圧が最大効率でかつ低歪み特性の状態を実現するように、制御回路３９、４３を設定しておく。その結果、様々な出力レベルにおいて、最大の効率と最小の歪みレベルを実現できる。
【００１８】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、量産時のトランジスタ素子の最大出力や歪特性のバラツキにより生ずるフィードフォワード増幅器の性能のバラツキを抑え、フィードフォワード増幅器の多規定出力化、高効率化、低歪化などの性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１に係るＲＦトランジスタ増幅器を示す回路構成図である。
【図２】 実施の形態１の動作を説明する図である。
【図３】 この発明の実施の形態２に係るＲＦトランジスタ増幅器を示す回路構成図である。
【図４】 この発明の実施の形態３に係るＲＦトランジスタ増幅器を示す回路構成図である。
【符号の説明】
１ ＲＦトランジスタ、 １ａ ドレイン、
１ｂ ゲート、 ２ 入力端、
３ 出力端、 ４ ドレイン電圧発生回路、
５ ゲート電圧発生回路、 ６ 制御回路、
７ 歪レベル検出回路、 ８ 検波回路、
９ 分波器、 １０ 分波器、
１１ 分波器、 ３０ フィードフォワード増幅器、
３１ 入力端、 ３２ 出力端、
３３ 最終段増幅器、 ３３ａ ドレイン回路、
３３ｂ ゲート回路、 ３４ 補助増幅器、
３５ 前段増幅器、 ３６ 制御回路、
３７ 電源回路、 ３８ ドレイン電圧可変回路、
３９ 制御回路、 ４０ 制御回路、
４１ 電源回路、 ４２ ゲート電圧可変回路、
４３ ゲート電圧制御回路、 ４４ 歪レベル検出回路、
４５ 分波器、 ４６ ＣＰＵ、
４７ 外部信号、 ４８ 電源回路、
４９ 検波回路、 ５０ 分波回路。[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a high-power low-distortion transistor amplifier used for a digital mobile communication base station, for example.
[0002]
[Prior art]
Conventional amplifiers of this type include those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 10-209770 and 6-45993. In these conventional technologies, the drain (collector) voltage and the gate (base) voltage are arbitrarily changed by variable control, thereby changing the saturation level and idle drain current of the transistor to obtain the maximum power added efficiency. Yes. In addition, the one disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-215130 also shows that the output level is detected by a coupler and a detection circuit, and the saturation level and idle drain current of the transistor are changed to obtain the maximum power added efficiency. ing.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, it is difficult to obtain good distortion characteristics in practical operation of these conventional devices. In addition, variations in the maximum output and distortion characteristics of the RF transistor element during mass production caused variations in the performance of the RF amplifier used, which deteriorated the product yield.
[0004]
The present invention has been made in view of the above points, and is intended to improve the performance of the RF transistor amplifier such as multi-specific output, high efficiency, and low distortion.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The feedforward amplifier according to claim 1 detects a distortion component from the output signal of the main amplifier, amplifies the detected distortion component using an auxiliary amplifier, and supplies the amplified distortion component to the output path of the main amplifier. In a feedforward amplifier that removes distortion components contained in the output signal of the main amplifier and outputs the output signal of the main amplifier from which the distortion components have been removed to the output terminal, the specified output of the main amplifier is output by an external signal. A CPU that outputs a command signal to be switched, and an output of the output signal of the main amplifier based on the switched specified output and a saturated output of the main amplifier, while switching the specified output of the main amplifier according to the output command signal Drain voltage control means for controlling a drain voltage supplied to the main amplifier so that a back-off amount as a difference maintains a predetermined amount; A distortion level detection circuit for detecting a distortion level of a distortion component included in the output signal of the main amplifier whose drain voltage is controlled by the drain voltage control means, and a distortion level detected by the distortion level detection circuit is a predetermined level And gate voltage control means for controlling the gate voltage supplied to the main amplifier so as to maintain the above.
A feedforward amplifier according to a second aspect of the invention detects a distortion component from an output signal of a main amplifier, amplifies the detected distortion component using an auxiliary amplifier, and supplies the amplified distortion component to an output path of the main amplifier. In a feedforward amplifier that removes the distortion component contained in the output signal of the main amplifier and outputs the output signal of the main amplifier from which the distortion component has been removed to the output terminal, the output level of the output signal of the main amplifier is A backoff amount that is an output difference between the output signal of the main amplifier and the saturated output of the main amplifier is obtained from the detected output level and the detected output level, and this backoff amount maintains a predetermined amount. The drain voltage control means for controlling the drain voltage supplied to the main amplifier, and the main voltage whose drain voltage is controlled by the drain voltage control means A distortion level detection circuit for detecting the distortion level of the distortion component included in the output signal of the width detector, and a gate supplied to the main amplifier so that the distortion level detected by the distortion level detection circuit maintains a predetermined level And a gate voltage control means for controlling the voltage.
[0006]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 shows an RF transistor amplifier according to Embodiment 1 of the present invention. In the figure, 1 is an RF transistor, 1a is its drain (collector), 1b is its gate (base), and 2 is the input terminal of the amplifier. Reference numeral 3 denotes an output end. 4 is a drain voltage generating circuit for supplying a voltage to the circuit of the drain 1a of the RF transistor 1, 5 is a gate voltage generating circuit for supplying a voltage to the circuit of the gate 1b of the RF transistor 1, and 6 is the gate of the drain voltage generating circuit 4 and the gate. It is a control circuit that controls the output voltage of the voltage generation circuit 5. Reference numeral 7 denotes a distortion level detection circuit that receives signals from the demultiplexers 9 and 10 connected to the input terminal 2 and the output terminal 3 of the amplifier and detects them by the detection circuit 8. The control circuit 6 is supplied with the output of the distortion level detection circuit 7 and the output of the demultiplexer (output level detection means) 11 connected to the output terminal 3.
[0007]
Next, the operation will be described with reference to FIGS. The RF maximum output value 20 of the RF transistor element 1 is determined by its drain voltage value. On the other hand, the efficiency 21 of the RF transistor element 1 is determined by the backoff amount (difference between the saturation output and the operation output) 22 from the RF maximum output value 20. Accordingly, in order to always maintain the maximum efficiency when different specified outputs are required or when the RF output power varies, it is necessary to always maintain the same back-off amount. In order to maintain the minimum distortion level 23, it is necessary to optimize the idle drain current value (device operating point) that can be controlled by the gate voltage.
[0008]
In the circuit of FIG. 1, a drain voltage variable function is added to the drain voltage generation circuit 4 of the RF transistor element 1, and the control circuit 6 has a different RF specified output from the outside, and the output of the output terminal 3 of the transistor 1 that changes. Is added from the demultiplexer 11 to change the drain voltage of the drain voltage generation circuit 4 so that the maximum efficiency 21 is always obtained. At the same time, the distortion level detection circuit 7 also detects the distortion level, so that the minimum distortion level can be obtained from the control circuit 6 by the output of the distortion level detection circuit 7 and the gate voltage generation function of the gate voltage generation circuit 5. The gate voltage is controlled with respect to different RF specified output or changing RF output.
[0009]
As described above, for example, the drain voltage generation circuit 4 and the gate voltage generation circuit 5 absorb variations in the RF saturation output value and distortion characteristics of the RF transistor element 1 used in the final stage amplifier of the multistage RF amplifier. Thereby, the variation in the performance of the multistage RF amplifier can be reduced.
[0010]
Embodiment 2. FIG.
FIG. 3 shows a second embodiment in which the present invention is applied to a feedforward amplifier. In the figure, 30 is a feedforward amplifier, 31 is its input end, and 32 is its output end. 33 is a final stage amplifier, and 34 is an auxiliary amplifier.
[0011]
The back-off amount of the front-stage amplifier 35 is set so that the RF maximum output power and distortion characteristics of the feed-forward amplifier 30 are determined by the final-stage amplifier 33. Since the power consumption of the front-stage amplifier 35 is sufficiently smaller than that of the final-stage amplifier 33, even if the back-off amount is large, the overall efficiency is not greatly affected.
[0012]
The power supply circuit 36 to the drain circuit 33 a of the final stage amplifier 33 includes a drain voltage variable circuit 38 and a drain voltage control circuit 39 in addition to the power supply circuit 37. The power supply circuit 40 to the gate circuit 33 b of the final stage amplifier 33 includes a power supply circuit 41, a gate voltage variable circuit 42, and a gate voltage control circuit 43. The distortion level detection circuit 44 detects the distortion level from the branching filter 45 in the preceding stage of the auxiliary amplifier 34 and controls the control circuits 39 and 43 with the output. 46 is a CPU, 47 is an external signal, and 48 is a power supply circuit of the pre-stage amplifier 35.
[0013]
The feedforward amplifier 30 has 45w and 30w RF specified outputs, and has a drain voltage and a gate determined so that the maximum efficiency and the minimum distortion can be obtained in a trade-off with the previously detected distortion characteristics. The control circuits 39 and 43 are set so as to be a voltage. The CPU 46 that has received the RF regulation output switching signal by the external signal 47 gives a command to the control circuits 39 and 43, and the control circuits 39 and 43 switch the set drain voltage and gate voltage. As a result, similar values of efficiency and distortion level are achieved at each specified output.
[0014]
Embodiment 3 FIG.
FIG. 4 shows a third embodiment in which the present invention is applied to a feedforward amplifier. In the figure, elements having the same functions as those in FIG. In FIG. 4, reference numeral 49 denotes a detection circuit connected to the duplexer 50 provided at the output end 32.
[0015]
The back-off amount of the front-stage amplifier 35 is set so that the RF maximum output power and distortion characteristics of the feed-forward amplifier 30 are determined by the final-stage amplifier 33. Since the power consumption of the front-stage amplifier 35 is sufficiently smaller than that of the final-stage amplifier 33, even if a large back-off amount is taken, the overall efficiency is not greatly affected.
[0016]
The power supply circuit 36 to the drain circuit 33 a of the final stage amplifier 33 includes a drain voltage variable circuit 38 and a drain voltage control circuit 39 in addition to the power supply circuit 37. The power supply circuit 40 to the gate circuit 33 b of the final stage amplifier 33 includes a power supply circuit 41, a gate voltage variable circuit 42, and a gate voltage control circuit 43.
[0017]
The feedforward amplifier 30 has an arbitrary RF output level, and an output signal demultiplexed by the demultiplexer 50 provided at the output end 32 is detected by the detection circuit 49 so that the maximum efficiency and the minimum distortion characteristic can be obtained. The control circuits 39 and 43 are set so that the drain voltage and the gate voltage have the maximum efficiency and the low distortion characteristic state based on the information detected by the above and the information obtained by the distortion level detection circuit 44. As a result, maximum efficiency and minimum distortion level can be achieved at various output levels.
[0018]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, to suppress the variation in performance of the full I over-forward amplifier that may arise from the variation of the maximum output and distortion characteristics of the transistor elements in mass production, the multi-defined output of full I over-forward amplifier, high Performances such as efficiency and low distortion can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing an RF transistor amplifier according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating the operation of the first embodiment.
FIG. 3 is a circuit configuration diagram showing an RF transistor amplifier according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit configuration diagram showing an RF transistor amplifier according to a third embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 RF transistor, 1a drain,
1b gate, 2 input terminals,
3 output terminal, 4 drain voltage generation circuit,
5 Gate voltage generation circuit, 6 Control circuit,
7 distortion level detection circuit, 8 detection circuit,
9 demultiplexer, 10 demultiplexer,
11 demultiplexer, 30 feedforward amplifier,
31 input end, 32 output end,
33 final stage amplifier, 33a drain circuit,
33b gate circuit, 34 auxiliary amplifier,
35 Preamplifier, 36 Control circuit,
37 power supply circuit, 38 drain voltage variable circuit,
39 control circuit, 40 control circuit,
41 power supply circuit, 42 gate voltage variable circuit,
43 gate voltage control circuit, 44 distortion level detection circuit,
45 duplexer, 46 CPU,
47 External signal, 48 Power supply circuit,
49 Detection circuit, 50 demultiplexing circuit.

Claims (2)

主増幅器の出力信号から歪成分を検出し、その検出された歪成分を補助増幅器を用いて増幅して前記主増幅器の出力経路に供給することにより前記主増幅器の出力信号に含まれた歪成分を除去し、その歪成分が除去された前記主増幅器の出力信号を出力端に出力するフィードフォワード増幅器において、外部信号により前記主増幅器の規定出力を切り換える指令信号を出力するＣＰＵと、その出力された指令信号により前記主増幅器の規定出力を切り換える一方、その切り換えられた規定出力に基づく前記主増幅器の出力信号と前記主増幅器の飽和出力との出力差であるバックオフ量が所定量を維持するように前記主増幅器に供給されるドレイン電圧を制御するドレイン電圧制御手段と、このドレイン電圧制御手段によりドレイン電圧が制御された前記主増幅器の出力信号に含まれた歪成分の歪レベルを検出する歪レベル検出回路と、この歪レベル検出回路により検出された歪レベルが所定レベルを維持するように前記主増幅器に供給されるゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段とを備えたことを特徴とするフィードフォワード増幅器。Distortion components included in the output signal of the main amplifier by detecting distortion components from the output signal of the main amplifier, amplifying the detected distortion components using an auxiliary amplifier, and supplying the amplified distortion components to the output path of the main amplifier And a CPU that outputs a command signal for switching the specified output of the main amplifier by an external signal in a feedforward amplifier that outputs the output signal of the main amplifier from which the distortion component has been removed to the output terminal, The specified output of the main amplifier is switched by the command signal, while the back-off amount that is the output difference between the output signal of the main amplifier and the saturated output of the main amplifier based on the switched specified output is maintained at a predetermined amount. The drain voltage control means for controlling the drain voltage supplied to the main amplifier, and the drain voltage is controlled by this drain voltage control means A distortion level detection circuit for detecting a distortion level of a distortion component included in the output signal of the main amplifier, and supply to the main amplifier so that the distortion level detected by the distortion level detection circuit is maintained at a predetermined level. And a gate voltage control means for controlling the gate voltage to be fed. 主増幅器の出力信号から歪成分を検出し、その検出された歪成分を補助増幅器を用いて増幅して前記主増幅器の出力経路に供給することにより前記主増幅器の出力信号に含まれた歪成分を除去し、その歪成分が除去された前記主増幅器の出力信号を出力端に出力するフィードフォワード増幅器において、前記主増幅器の出力信号の出力レベルを検出する出力レベル検出手段と、その検出された出力レベルから前記主増幅器の出力信号と前記主増幅器の飽和出力との出力差であるバックオフ量を求め、このバックオフ量が所定量を維持するように前記主増幅器に供給されるドレイン電圧を制御するドレイン電圧制御手段と、このドレイン電圧制御手段によりドレイン電圧が制御された前記主増幅器の出力信号に含まれた歪成分の歪レベルを検出する歪レベル検出回路と、この歪レベル検出回路により検出された歪レベルが所定レベルを維持するように前記主増幅器に供給されるゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段とを備えたことを特徴とするフィードフォワード増幅器。  Distortion components included in the output signal of the main amplifier by detecting distortion components from the output signal of the main amplifier, amplifying the detected distortion components using an auxiliary amplifier, and supplying the amplified distortion components to the output path of the main amplifier Output level detecting means for detecting the output level of the output signal of the main amplifier, and the detected signal level in the feedforward amplifier that outputs to the output terminal the output signal of the main amplifier from which the distortion component has been removed A backoff amount, which is an output difference between the output signal of the main amplifier and the saturated output of the main amplifier, is obtained from the output level, and the drain voltage supplied to the main amplifier is set so that the backoff amount maintains a predetermined amount. Drain voltage control means for controlling, and detecting the distortion level of the distortion component contained in the output signal of the main amplifier whose drain voltage is controlled by the drain voltage control means And a gate voltage control means for controlling the gate voltage supplied to the main amplifier so that the distortion level detected by the distortion level detection circuit is maintained at a predetermined level. Feed forward amplifier.
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