JP3951788B2 - 表面実装型電子部品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CSP(チップ・スケール・パッケージ)やBGA(ボール・グリッド・アレイ)といった表面実装型電子部品に係り、特に、デジタル・アナログ混在のICチップをアセンブリ化する場合のノイズ対策に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
マイコンなどの集積回路(IC)としては、CPUや論理回路などのデジタル部と、A/D変換器やゲインアンプなどといったアナログ処理部とが混在した、いわゆるデジアナ混在ICがある。
【0003】
また、高密度実装技術としては、特表2001−521288号公報においてCSP構造が提案されており、この種の装置を図10,11に示す。つまり、図10はCSP(チップ・スケール・パッケージ)100の斜視図を示し、図10でのW部における断面構造を図11に示す。図11において、シリコンチップ101には素子が形成されている。チップ上面にはアルミ配線102が延設されるとともにチップ外周部においてアルミパッド103が形成されている。また、チップ上面には絶縁膜104が形成され、その上において層間絶縁膜105を介して再配線(導体パターン)106が形成されている。さらに、その上には保護膜107が形成され、その上にはバンプ108を介してハンダ電極109が形成されている。ハンダ電極109はバンプ108と再配線106を介してアルミパッド103(アルミ配線102)と接続されている。
【0004】
しかしながら、デジアナ混在ICをCSP化した場合、チップサイズとバンプ(端子)数の制約などにより、全ての端子についてノイズの影響を受けにくいようにバンプを配置したり、再配線したり(再配線106を形成したり)することはかなり難しい。つまり、
(1)CPUなど高速に動作するデジタル部の上側に、A/D変換するためのアナログ信号などノイズの影響を受けやすい信号のバンプを置いたり、その信号の再配線を行う必要がある。
(2)A/D変換器などのコンデンサ部分の上側に、マイコン間の高速通信信号のバンプを置いたり、その信号の再配線を行う必要がある。
【0005】
従って、デジアナ混在ICをCSP化する場合には、端子数を減らすか、アナログ特性の精度を緩和する必要があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、デジアナ混在ICチップをアセンブリ化する際においてもアナログ特性を確保できる表面実装型電子部品を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、半導体チップと接続端子との間、または、半導体チップと配線との間に、電位が固定される導電性シールド層を配置した。そして、この導電性シールド層を、配線と電気的に接続されないシールド層用の接続端子を介して、当該表面実装型電子部品が搭載される配線基板上のデジタル部とアナログ部のグランド電位配線パターンまたは電源電位配線パターンに接続することで電位を固定した。このように導電性シールド層を設けることにより、接続端子または配線と、半導体チップとの間のノイズを遮断することができ、アナログ特性の変動を抑制することができる(ノイズの影響を受けにくくできる)。その結果、デジアナ混在ICチップをアセンブリ化する際においてもアナログ特性を確保できる。また、導電性シールド層は、配線基板上で接続端子を通してグランド電位配線パターンまたは電源電位配線パターンと接続されることにより、表面実装型電子部品内で、直接、半導体チップに接続されず、表面実装型電子部品内でのノイズの伝搬を無くすことができる。
【0010】
請求項3に記載の発明によれば、半導体チップより導電性シールド層を大きくすることにより、ノイズを遮断する効果が大きくなる。
【0012】
請求項5に記載の発明によれば、ノイズ除去用コンデンサを設けることにより、ノイズ自体を小さくすることができるため、更にノイズの伝搬を防ぐことができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の参考例を図面に従って説明する。
図1には、本参考例における表面実装型電子部品(半導体チップアセンブリ)1の斜視図を示す。表面実装型電子部品1はCSP(チップ・スケール・パッケージ)であり、ベース材2に接続端子としてのハンダ電極3が格子状に多数形成されている。図1でのY部における平面図を図2に示す。この図2は、四角板形状をなすCSP1における角部での平面図である。図2におけるA1−A2線での縦断面を図3に示す。図3において、シリコンチップ10上に多層配線が形成され、ここに本参考例の特徴的構成部材である導電性シールド層16が配置されている。
【0014】
図4には、図3における各層での分解斜視図を示す。つまり、図3でのB1−B2線、C1−C2線、D1−D2線における分解斜視図を示す。
図4においてD1−D2の断面構造として、シリコンチップ10には、A/D変換器を含むアナログ部30、ゲインアンプを含むアナログ部31、CPUを含むデジタル部32、論理回路を含むデジタル部33が区画形成されている。また、C1−C2の断面構造として、導電性シールド層16が形成されている。
【0015】
図5には、表面実装型電子部品(CSP)1を、配線基板としてのプリント基板40の上に実装した構造を示す。
図5において、プリント基板40は第1層40a〜第4層40dの各層を積層したものであり、1層目40aには各種の電子部品と共にCSP1が実装され、電子制御装置(ECU)を構成している。ここで、プリント基板40(1層目40a)には電源IC(チップ)41が実装されている。このプリント基板40上に実装された電源IC41はCSP1のシリコンチップ10へ電力を供給するための電子部品である。プリント基板40の1層目40aにおいて電源IC41からグランド電位配線パターン42と電源電位配線パターン43が延設されている。この両配線パターン42,43はシリコンチップ10でのデジタル部およびアナログ部と電気的に接続される。このうちのグランド電位配線パターン42がプリント基板40上で図1のハンダ電極3のうちの特定のハンダ電極3aを通して図3,4の導電性シールド層16と電気的に接続されている。これにより、導電性シールド層16がグランド電位に固定されることになる。換言すると、全ハンダ電極3のうちシールド層用ハンダ電極3a以外のハンダ電極を通してシリコンチップ10のデジタル・アナログ部とプリント基板40(の実装部品)とが電気的に接続されている。
【0016】
なお、導電性シールド層16は電源電位配線パターン43と接続して導電性シールド層16を電源電位(5ボルト)に固定してもよい。
以下、詳しく説明していく。
【0017】
図3において、シリコンチップ(半導体チップ)10の上面10aにおける表層部が素子領域11となっている。シリコンチップ10の上面10aにはアルミ配線12が延設されるとともに、チップ外周部においてアルミパッド13が多数形成されている(図4参照)。アルミパッド13はアルミ配線12を介して素子領域と電気的に接続されている。図3のアルミ配線12とアルミパッド13は絶縁膜(酸化膜等)14により被覆されている。絶縁膜(酸化膜等)14の上には層間絶縁膜としてのポリイミド膜15が形成され、ポリイミド膜15の上には導電性シールド層(導体パターン)16が形成されている。さらに、導電性シールド層16の上には層間絶縁膜としてのポリイミド膜17が形成されている。つまり、導電性シールド層16はポリイミド膜15,17の間に挟み込まれている。
【0018】
ポリイミド膜17の上には再配線(導体パターン)18、シールド層用配線(導体パターン)19および再配線(導体パターン)20が形成されている。再配線20は前述のアルミパッド13と接続されるとともに、図2に示すごとく再配線18と接続されている。図3のシールド層用配線19は導電性シールド層16と接続されている。図3の再配線18、シールド層用配線19および再配線20の上には保護膜としてのポリイミド膜21が形成されている。ポリイミド膜21の上にはバンプ22,23が形成され、バンプ22はシールド層用配線19と接続され、また、バンプ23は再配線18と接続されている。バンプ22,23の上には接続端子としてのハンダ電極24,25が形成されている。
【0019】
つまり、シリコンチップ10の表面10aから離間した位置において、図1に示すように、多数のハンダ電極(接続端子)3が同一面に格子状に配置されている。このハンダ電極3のうちの図3に示すハンダ電極25は、再配線18,20、パッド13、配線12を介してシリコンチップ10の素子と電気的に接続されている。また、ハンダ電極3のうちのシールド層用ハンダ電極3a(図3に示すハンダ電極24)は、バンプ22および配線19を介して導電性シールド層16と接続されている。図1に示すように、シールド層用ハンダ電極3aは、CSP1のベース材2における角部に一個ずつ設けられるとともにベース材2の中央部に四つ設けられている。このように1枚の導電性シールド層16に対し8つのハンダ電極3aを用いて8箇所で接続され、均等に電圧が印加されるようになっている。
【0020】
図3において、電位が固定される導電性シールド層16は、シリコンチップ10とハンダ電極(接続端子)3との間、または、シリコンチップ10と再配線18との間に配置されている。また、導電性シールド層16は、図4におけるC1−C2断面で示すように、シリコンチップ10における素子領域の全体を覆っている。特に、図4に示すように、アナログ部(A/D変換器)30での入力信号が通過する配線・電極材(バンプ・ハンダ電極や配線)が、デジタル部(CPU)32の上にあり、その間において導電性シールド層16が配置されている。これにより、アナログ部(A/D変換器)30をデジタル部(CPU)32での高周波ノイズから保護することができる。詳しくは、デジタル部(CPU)32はその占有面積での入出力端子数が少なく、アナログ部(A/D変換器)30はその占有面積での入力端子数が多い。そのため、デジタル部(CPU)32の形成領域の上にアナログ部(A/D変換器)30での入力用配線を形成する必要がある。即ち、アナログ部30への入力信号のバンプはスペースの都合上、デジタル部(CPU)32の上に配線される。この場合においてデジタル部のノイズが導電性シールド層16により遮断されるため悪影響を受けない。
【0021】
このように導電性シールド層16を設けたことにより、ハンダ電極3または再配線18と、シリコンチップ10との間のノイズを遮断することができ、アナログ特性の変動を抑制することができる(ノイズの影響を受けにくくできる)。その結果、デジアナ混在ICチップをアセンブリ化する際においてもアナログ特性を確保できる。
【0022】
特に、デジタル部上にアナログ部用のハンダ電極または配線がある場合、あるいは、アナログ部上にデジタル部用のハンダ電極または配線がある場合には特に効果が大きい。つまり、デジタル部(CPU)32の上に、アナログ部(A/D変換器)30につながる配線またはハンダ電極が配置され、このデジタル部(CPU)32と、アナログ部(A/D変換器)30につながる配線またはハンダ電極との間に導電性シールド層16を配置する。あるいは、アナログ部(A/D変換器)30の上に、デジタル部(CPU)32につながる配線またはハンダ電極が配置され、このアナログ部(A/D変換器)30と、デジタル部(CPU)32につながる配線またはハンダ電極との間に導電性シールド層16を配置する。このようにすると、導電性シールド層16によるノイズ遮断効果は特に大きい。
【0023】
図5において、CSP1における導電性シールド層16は、グランドライン(又は5ボルト電源ライン)へ接続して電位を固定するが、ICチップ内のグランドライン(または電源ライン)には接続せずに、プリント基板40へ実装する際、プリント基板40のグランド電位配線パターン42(または5ボルト電源電位配線パターン43)へ接続している。つまり、図5において、導電性シールド層16につながるハンダ電極3aをプリント基板40上においてアナログ部やデジタル部のグランド電位配線パターン42と接続する。その際、アナログ部(A/D変換器)のグランド電位配線パターン42と電源電位配線パターン43との間にノイズ除去用コンデンサ44を挿入するとともに、デジタル部(CPU)のグランド電位配線パターン42と電源電位配線パターン43との間にノイズ除去用コンデンサ45を挿入している。そして、グランド電位配線パターン42(または電源電位配線パターン43)におけるノイズ除去用コンデンサ44,45と電源IC41との間において導電性シールド層16を電気的に接続している。即ち、シリコンチップ10のデジタル・アナログ部につながる配線パターン42,43においてノイズ除去用コンデンサ44,45を通した後に、導電性シールド層16を接続している。
【0024】
このようにして、導電性シールド層16は、CSP1内で、直接、シリコンチップ10に接続せずに、複数のハンダ電極3のうちの少なくとも1つ以上に接続されている。そして、専用のハンダ電極3aを持つことにより、CSP1内でのノイズの伝搬を無くすことができる。詳しくは、図5のごとく導電性シールド層16をプリント基板40上でハンダ電極3aを通してグランド電位配線パターン42(または電源電位配線パターン43)と接続することにより、CSP1内でのノイズの伝搬を無くすことができる。
【0025】
また、図3の再配線18やハンダ電極25などは、微小のインピーダンスを有する。デジタル部のグランドノイズは、電極を通じてプリント基板40へ接続した場合、上記微小インピーダンスのあるアナログ部や導電性シールド層16での配線やハンダ電極側へはいかず、インピーダンスの極めて低い電源IC41やコンデンサなどへ抜ける。ここで、本参考例では、図5のプリント基板40上において電源IC41から延びるグランド電位配線パターン42と電源電位配線パターン43の間にノイズ除去用コンデンサ44,45を設け、このノイズ除去用コンデンサ44,45と電子部品41との間の配線パターン42(または43)に導電性シールド層16を電気的に接続した。よって、ノイズ除去用コンデンサ44,45によりノイズ自体を小さくすることができるため、更にノイズの伝搬を防ぐことができる。
【0026】
図4に示す構成の変形例として、導電性シールド層16は、図6に示すようにアナログ部とデジタル部を分離するようにしてもよい。つまり、導電性シールド層16は、デジタル部(CPU)32と、ハンダ電極3または配線18との間のデジタル部シールド層16aと、アナログ部(A/D変換器およびゲインアンプ)30,31と、ハンダ電極3または配線18との間のアナログ部シールド層16bと、を含む2つ以上に分かれている。よって、導電性シールド層16を、アナログ部用とデジタル部用とに分けることにより、デジタル部(CPU)32では大きなノイズが発生するがこのノイズが導電性シールド層16を通じてアナログ部へ伝搬することを防ぐことができる。
(第1の実施の形態)
次に、本発明を具体化した第1の実施の形態を、参考例との相違点を中心に説明する。
【0027】
参考例ではCSPに適用したが、第1の実施の形態ではBGA(ボール・グリッド・アレイ)に適用している。
図7には、本実施形態における表面実装型電子部品(半導体チップアセンブリ)であるBGA50を示す。
【0028】
図7において、樹脂基板51の上にはシリコンチップ52が搭載され、シリコンチップ52は樹脂基板51の上面において樹脂53にてモールドされている。シリコンチップ52の上面における外周部にはアルミパッド54が形成され、ボンディングワイヤ55を介して樹脂基板51上の再配線(導体パターン)56と電気的に接続されている。再配線(導体パターン)56は樹脂基板51内の再配線(導体)57と接続され、この再配線57はハンダ電極(ハンダボール)58と電気的に接続されている。つまり、シリコンチップ52の表面52aから離間した位置において同一面に多数のハンダ電極(接続端子)58が格子状に配置されるとともに、配線57を用いてシリコンチップ52とハンダ電極58とが電気的に接続されている。
【0029】
ここで、樹脂基板51内には導電性シールド層(導体)59が埋設され、この導体59はハンダ電極60と電気的に接続されている。つまり、シリコンチップ52とハンダ電極58との間、または、シリコンチップ52と配線57との間に、導電性シールド層59が配置されている。参考例と同様、導電性シールド層59はハンダ電極60を介してプリント基板経由でICチップのデジタル・アナログ部のグランド電位配線パターンまたは電源電位配線パターンに接続され、導電性シールド層59の電位が固定されている。
【0030】
図7の構成に対する変形例を図8に示す。
図8において、樹脂基板51とシリコンチップ52との間に導電性シールド層(導電性板材)70を挟んでいる。樹脂基板51の上面には配線パターン71が形成され、導電性シールド層70は配線パターン71を介してハンダ電極72と電気的に接続されている。また、導電性シールド層70の中央部において導電性シールド層70は配線パターン71を介さずに直接、ハンダ電極73と電気的に接続されている。
【0031】
図8の構成に対する変形例を図9に示す。
図9において、シリコンチップ52よりも大きな導電性シールド層(導電性板材)80を用いており、導電性シールド層80の外周部をシリコンチップ52から露出させている。そして、この部分においてパッド81が形成され、導電性シールド層80はボンディングワイヤ82を介して導体パターン83と接続され、さらに、導体パターン83はハンダ電極84と電気的に接続されている。また、導電性シールド層80の中央部において導電性シールド層80はパッド81やワイヤ82等を介さずに直接、ハンダ電極85と電気的に接続されている。このように、導電性シールド層80のサイズをシリコンチップ52のサイズより大きくすると、ノイズを遮断する効果が大きくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】参考例における表面実装型電子部品(CSP)の斜視図。
【図2】図1でのY部における平面図。
【図3】図2におけるA1−A2線での縦断面図。
【図4】図3における各層での分解斜視図。
【図5】表面実装型電子部品をプリント基板に実装した構造を示す斜視図。
【図6】別例の分解斜視図。
【図7】第1の実施の形態におけるBGAの断面構造を説明するための斜視図。
【図8】別例のBGAの断面構造を説明するための斜視図。
【図9】別例のBGAの断面構造を説明するための斜視図。
【図10】従来技術を説明するための表面実装型電子部品(CSP)を示す図。
【図11】図10でのW部における断面構造を示す図。
【符号の説明】
1…CSP、3…ハンダ電極、3a…ハンダ電極、10…シリコンチップ、16…導電性シールド層、18…再配線、25…ハンダ電極、40…プリント基板、41…電源IC、42…グランド電位配線パターン、43…電源電位配線パターン、44…ノイズ除去用コンデンサ、45…ノイズ除去用コンデンサ、50…BGA、52…シリコンチップ、57…配線、58…ハンダ電極、59…導電性シールド層、70…導電性シールド層,80…導電性シールド層。
Claims (5)
- デジタル部とアナログ部を有する半導体チップ(52)と、
前記半導体チップ(52)が搭載される樹脂基板(51)における、前記半導体チップ(52)の表面(52a)から離間した位置において同一面に配置された多数の接続端子(58)と、
前記半導体チップ(52)と前記接続端子(58)とを電気的に接続する配線(57)とを具備した表面実装型電子部品であって、
前記半導体チップ(52)と前記接続端子(58)との間、または、前記半導体チップ(52)と前記配線(57)との間に、電位が固定される導電性シールド層(59,70,80)を配置し、
前記導電性シールド層(59,70,80)は、前記配線(57)と電気的に接続されないシールド層用の接続端子(60)を介して、当該表面実装型電子部品が搭載される配線基板(40)上の前記デジタル部とアナログ部のグランド電位配線パターンまたは電源電位配線パターンに接続されることにより電位が固定されることを特徴とする表面実装型電子部品。 - 前記導電性シールド層(59)は、前記樹脂基板(51)内に埋設されていることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型電子部品。
- 前記導電性シールド層(70)は、前記樹脂基板(51)と前記半導体チップ(52)との間に挟まれていることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型電子部品。
- 前記導電性シールド層(80)は、前記樹脂基板(51)と前記半導体チップ(52)との間に挟まれており、且つ、そのサイズが前記半導体チップ(52)のサイズより大きく形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表面実装型電子部品。
- 前記配線基板(40)上において前記半導体チップ(52)へ電力を供給するための電子部品(41)が実装されるとともにこの電子部品(41)からグランド電位配線パターン(42)と電源電位配線パターン(43)が延設され、両配線パターン(42,43)の間にノイズ除去用コンデンサ(44,45)を設け、このグランド電位配線パターン(42)と電源電位配線パターン(43)におけるノイズ除去用コンデンサ(44,45)と前記電子部品(41)との間において前記導電性シールド層(59,70,80)を電気的に接続したことを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか一項に記載の表面実装型電子部品。
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